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MOS管参数选型指南

SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD

型号类型P D I D V BR(DSS)

(Ω)

I D V GS

(V)I D(μA)(S)

V DS

封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)

2N7000N-ch MOS0.6250.26050.5100.8~310000.110TO-92 2N7002N-ch MOS0.2250.1156050.5101~2.52500.0810SOT-23 2N7002K N-ch MOS0.6250.346050.5101~2.5250--TO-92 2N7002K N-ch MOS0.350.346050.5101~2.51000--SOT-23 2N7002KW N-ch MOS0.20.346050.5101~2.51000--SOT-323 2N7002T N-ch MOS0.150.1156050.5101~2.52500.0810SOT-523 2N7002W N-ch MOS0.20.1156050.5101~2.52500.0810SOT-323 2N7002X N-ch MOS0.50.1156050.5101~2.52500.0810SOT-89-3L 2SK1658N-ch MOS0.20.130100.0140.9~1.510.023SOT-323 2SK3018N-ch MOS0.350.13080.0140.8~1.51000.023SOT-23 2SK3018N-ch MOS0.20.13080.0140.8~1.51000.023SOT-323 2SK3019N-ch MOS0.150.13080.0140.8~1.51000.023SOT-523 2SK3541N-ch MOS0.15±0.13080.0140.8~1.51000.023SOT-723 BSS123N-ch MOS0.350.1710060.17101~2.82500.0810SOT-23 BSS138N-ch MOS0.350.2250 3.50.22100.8~1.510000.1210SOT-23 BSS138W N-ch MOS0.30.2250 3.50.22100.8~1.525012010SOT-323 BSS84P-ch MOS0.225-0.13-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-23 CJ1012N-ch MOS0.150.5200.70.6 4.50.45~1.22501+10SOT-523 CJ2101P-ch MOS0.29-1.4-200.1-1-4.5-0.45-250--SOT-323

型号类型P D I D V BR(DSS)

(Ω)

I D V GS

(V)I D(μA)(S)

V DS

封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)

CJ2102N-ch MOS0.2 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-323 CJ2301P-ch MOS0.4-2.3-200.112-2.8-4.5-0.4~-1-250 6.5+-5SOT-23 CJ2301B P-ch MOS0.35-2.3-200.12-2.6-4.5-0.4~-1-250 6.5+-5SOT-23 CJ2301S P-ch MOS0.35-2.3-200.112-2.8-4.5-0.4~-1-2504+-5SOT-23 CJ2302N-ch MOS0.4 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-23 CJ2302S N-ch MOS0.35 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-23 CJ2303P-ch MOS0.35-1.9-300.19-1.9-10-1~-3-2501-5SOT-23 CJ2304N-ch MOS0.35 3.3300.06 3.210 1.2~2.2250 2.5 4.5SOT-23 CJ2305P-ch MOS0.35-4.1-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23 CJ2306N-ch MOS0.75 3.16300.047 3.5101~32507+ 4.5SOT-23 CJ2307P-ch MOS 1.1-2.7-300.088-3.5-10-1~-3-2507+-10SOT-23 CJ2310N-ch MOS0.353600.1053100.5~2250 1.415SOT-23 CJ2312N-ch MOS0.255200.03185 4.50.45~12506+10SOT-23 CJ2321P-ch MOS0.35-2.9-200.057-3.3-4.5-0.4~-0.9-2503-5SOT-23 CJ2324N-ch MOS0.3521000.234 1.510 1.2~2.82502+20SOT-23 CJ2333P-ch MOS0.35-6-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018+-5SOT-23 CJ3134K N-ch MOS0.350.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10SOT-23 CJ3134K N-ch MOS0.150.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10SOT-723 CJ3134KW N-ch MOS0.20.75200.380.65 4.50.35~1.1250110SOT-323

SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD

型号类型P D I D V BR(DSS)

(Ω)

I D V GS

(V)I D(μA)(S)

V DS

封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)

CJ3139K P-ch MOS0.15-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-723 CJ3139K P-ch MOS0.35-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-23 CJ3139KW P-ch MOS0.2-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-2500.8-10SOT-323 CJ3400N-ch MOS0.35 5.8300.035 5.8100.7~1.425085SOT-23 CJ3400A N-ch MOS0.4 5.8300.032 5.8100.7~1.425085SOT-23 CJ3401P-ch MOS0.35-4.2-300.065-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23 CJ3401A P-ch MOS0.4-4.2-300.06-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23 CJ3402N-ch MOS0.354300.0554100.6~1.42508+15SOT-23 CJ3404N-ch MOS0.35 5.8300.03 5.8101~325055SOT-23 CJ3406N-ch MOS0.35 3.6300.065 3.6101~325035SOT-23 CJ3407P-ch MOS0.35-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23 CJ3415P-ch MOS0.35-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-2508-5SOT-23 CJ3420N-ch MOS0.356200.0246100.5~125045SOT-23 CJ3434N-ch MOS0.35300.0425100.6~125015+5SOT-23 CJ4153N-ch MOS0.150.915200.570.6 4.50.45~1.12500.510SOT-523 CJ4459*P-ch MOS0.35-5-300.046-5-10-1.4~-2.4-25014+-5SOT-23 CJ502K P-ch MOS0.35-0.18-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-23 CJ502KW*P-ch MOS0.3-0.18-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-323 CJ8810N-ch MOS0.37200.0267100.4~125095SOT-23

SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD

型号类型P D I D V BR(DSS)

(Ω)

I D V GS

(V)I D(μA)(S)

V DS

封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)

CJ8820N-ch MOS0.37200.0217100.5~1.125020+5SOT-23

CJA03N10N-ch MOS0.531000.145101~225035SOT-89-3L CJA9451P-ch MOS0.5-2.3-200.135-2.3-4.5-0.5~-1.5-250 2.3-5SOT-89-3L CJA9452N-ch MOS0.54200.0384100.7~1.525035SOT-89-3L CJAA3134K N-ch MOS0.10.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10WBFBP-03E(1.0×0.6×0.5) CJAA3139K P-ch MOS0.1-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10WBFBP-03E(1.0×0.6×0.5) CJAB25N03N-ch mos 1.525300.0110101~3250155PDFNWB3.3×3.3-8L CJAB35N03N-ch mos 1.535300.00712101~32503010PDFNWB3.3×3.3-8L CJAC10H02*N-ch MOS2100200.00220 4.50.5~1.225093+5PDFNWB5×6-8L CJAC10H03*N-ch MOS2100300.00252010 1.2~2.52503210PDFNWB5×6-8L CJAC20N10N-ch MOS2201000.0311510 1.3~2.525015+5PDFNWB5×6-8L CJAC35N03N-ch mos 1.535300.00712101~32503010PDFNWB5×6-8L CJAC50P03P-ch mos2-50-300.007-10-10-1.0~-2.525020-10PDFNWB5×6-8L CJB08N65N-ch MOS28650 1.44102~42508.5+50TO-263-2L

CJB85N80N-ch MOS280850.006840102~425060+10TO-263-2L

CJD01N65B N-ch MOS 1.251650140.6102~4250--TO-251-3L

CJD01N80N-ch mos-180013.50.5103~52500.7550TO-251-3L

CJD02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-251-3L

CJD02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-251S

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型号类型P D I D V BR(DSS)

(Ω)

I D V GS

(V)I D(μA)(S)

V DS

封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)

CJD02N65N-ch MOS 1.252650 4.41102~4250--TO-251-3L CJD02N65N-ch MOS 1.252650 4.41102~4250--TO-251S CJD02N80N-ch MOS 1.5 2.4800 6.3 1.2103~5250 1.550TO-251S CJD04N60N-ch MOS 1.25460032102~4250250TO-251S CJD04N60A N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-251S CJD04N60B N-ch MOS--460032102~4250 2.550TO-251S CJD04N65N-ch MOS 1.25465032102~4250--TO-251S CJD05N60B N-ch MOS 1.255600 2.5 2.25102~4250--TO-251S CJD30N10*N-ch MOS 1.25301000.0311510 1.3~2.525015+10TO-251S CJD4410N-ch MOS17.5300.013510101~32508+15TO-251-3L CJD4435P-ch MOS1-9.1-300.024-9.1-10-1~-3-25020-10TO-251-3L CJE3134K N-ch MOS0.150.75200.380.65 4.50.35-1.1250110SOT-523 CJE3139K P-ch MOS0.15-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-523 CJI02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-126 CJK2305P-ch MOS0.4-4.1-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23-3L CJK2333P-ch MOS0.4-6-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018+-5SOT-23-3L(12R) CJK3400A N-ch MOS0.45 5.8300.032 5.8100.7~1.425085SOT-23-3L(12R) CJK3401A P-ch MOS0.45-4.2-300.06-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23-3L CJK3407P-ch MOS0.3-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23-3L

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型号类型P D I D V BR(DSS)

(Ω)

I D V GS

(V)I D(μA)(S)

V DS

封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)

CJK3415P-ch MOS0.3-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-2508-5SOT-23-3L

CJL1206P-ch MOS0.35-6-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23-6L(12R)

CJL2301P-ch MOS0.35-2.3-200.09-2.5-4.5-0.4~-1-2504-5SOT-23-6L(12R)

CJL3407P-ch MOS0.35-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23-6L

CJL3415P-ch MOS0.35-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-25016+-5SOT-23-6L

CJM1206P-ch MOS 2.5-6-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM1208P-ch MOS 2.5-8-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM1216P-ch MOS 2.5-16-120.021-6.7-4.5-0.4~-1-25040+-10DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM3005*N-ch MOS0.55300.0425100.6~125015+5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJMN2012N-Ch MOS0.7512200.0155 4.50.35~1250204DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJMP3009P-ch MOS0.75-9-300.028-9-4.5-0.6~-1.5-25024+-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJP01N80N-ch MOS2180013.50.5103~52500.7550TO-220-3L

CJP02N60N-ch MOS22600 4.41102~4250150TO-220-3L

CJP02N65N-ch MOS22650 4.41102~4250--TO-220-3L

CJP02N80N-ch MOS- 2.4800 6.3 1.2103~5250 1.550TO-220-3L

CJP04N60N-ch MOS2460032102~4250250TO-220-3L

CJP04N60A N-ch MOS2460032102~4250 2.550TO-220-3L

CJP04N65N-ch MOS2465032102~4250--TO-220-3L

CJP05N60B N-ch MOS-5600 2.5 2.25102~4250--TO-220-3L

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型号类型P D I D V BR(DSS)

(Ω)

I D V GS

(V)I D(μA)(S)

V DS

封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)

CJP07N60N-ch MOS27600 1.3 3.5102~4250550TO-220-3L CJP07N65N-ch mos-7.4650 1.3 3.7102~4250540TO-220-3L CJP08N60N-ch MOS28600 1.34102~4250--TO-220-3L CJP08N65N-ch mos-8650 1.44102~42508.5+50TO-220-3L CJP10N60N-ch MOS21060015102~4250--TO-220-3L CJP10N65N-ch MOS-1065015102~4250--TO-220-3L CJP12N60N-ch MOS2126000.86102~4250--TO-220-3L CJP12N65N-ch MOS-126500.856102~4250--TO-220-3L CJP15H03*N-ch mos2150300.00310 4.5 1.2~2.52503210TO-220-3L-C CJP50N06*N-ch mos250600.022010 1.5~2.52502425TO-220-3L-C CJP55H12*N-ch mos2120550.00554010 2.0~4.02505025TO-220-3L-C CJP80N03*N-ch MOS 1.2580300.006530101~325020+5TO-220-3L-C CJP80N04*N-ch MOS280400.0072010 1.2~2.525020+10TO-220-3L-C CJP85N80N-ch MOS280850.006840102~425060+10TO-220-3L-C CJPF02N60N-ch MOS22600 4.41102~4250150TO-220F CJPF02N65N-ch MOS22650 4.41102~4250--TO-220F CJPF03N80N-ch MOS-3800 4.2 1.5103~4.5250 2.115TO-220F CJPF04N60N-ch MOS2460032102~4250250TO-220F CJPF04N60A N-ch MOS2460032102~4250 2.550TO-220F

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型号类型P D I D V BR(DSS)

(Ω)

I D V GS

(V)I D(μA)(S)

V DS

封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)

CJPF04N65N-ch MOS2465032102~4250--TO-220F CJPF04N70B*N-Ch MOS2 4.4700 2.8 2.2102~4250--TO-220F CJPF04N70*N-ch mos- 4.4700 2.8 2.2102~4250--TO-220F CJPF04N80N-ch MOS-480032103~5250--TO-220F CJPF05N60B N-ch MOS25600 2.5 2.25102~4250--TO-220F CJPF05N65N-ch MOS25650 2.4 2.5102~42504+50TO-220F CJPF06N70N-ch MOS-6700 1.83102~4250TO-220F CJPF07N60N-ch MOS27600 1.3 3.5102~4250550TO-220F CJPF07N65N-ch MOS27.4650 1.3 3.7102~4250540TO-220F CJPF08N60N-ch MOS28600 1.34102~4250--TO-220F CJPF08N65N-ch MOS28650 1.44102~42508.5+50TO-220F CJPF08N80N-ch MOS-8800 1.454103~5250 5.650TO-220F CJPF10N60N-ch MOS21060015102~4250--TO-220F CJPF10N65N-ch MOS21065015102~4250--TO-220F CJPF12N65N-ch MOS-126500.856102~4250--TO-220F CJPF55P30P-ch mos2-30-550.04-15-10-2~-4-2508-25TO-220F CJQ07N10N-ch mos 1.471000.0385 4.5 1.2~325022*5SOP8 CJQ4406N-ch mos 1.410300.01212101~325015*5SOP8 CJQ4407P-ch mos 1.4-12-300.017-10-6-1~-2.2-25025-5SOP8

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型号类型P D I D V BR(DSS)

(Ω)

I D V GS

(V)I D(μA)(S)

V DS

封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)

CJQ4410N-ch MOS 1.47.5300.013510101~32508+15SOP8 CJQ4435P-ch MOS 1.4-9.1-300.024-9.1-10-1~-3-25020-10SOP8 CJQ4438N-ch MOS 1.258.2600.0228.2101~3250105SOP8 CJQ4459P-ch MOS 1.4-6.5-300.046-6.5-10-1.4~-2.4-2506-5SOP8 CJQ60P05P-ch MOS 1.25-5-600.08-5-10-1.5~-3.5-2505-15SOP8 CJQ9435P-ch MOS 1.4-5.1-300.06-4.6-10-1~-2-2505-15SOP8 CJT04N15N-ch MOS141500.16410 1.5~2.52505+15SOT-223(8R) CJU01N65B N-ch MOS 1.251650140.6102~4250--TO-252-2L(4R) CJU01N80N-ch MOS-180013.50.5103~52500.75+50TO-252-2L(4R) CJU02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-252-2L(4R) CJU02N65N-ch MOS 1.252650 4.41102~4250--TO-252-2L(4R) CJU02N80N-ch MOS- 2.4800 6.3 1.2103~5250 1.550TO-252-2L(4R) CJU03N80N-ch MOS-3800 4.2 1.5103~4.5250 2.1+15TO-252-2L(4R) CJU04N60N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-252-2L(4R) CJU04N60A N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-252-2L(4R) CJU04N65N-ch MOS 1.25465032102~4250--TO-252-2L(4R) CJU04N70B*N-ch mos 1.25 4.4700 2.8 2.2102~4250--TO-252-2L(4R) CJU05N60B N-ch MOS 1.255600 2.5 2.25102~4250--TO-252-2L(4R) CJU10N10N-ch MOS-9.61000.14510 1.2~2.5250 3.525TO-252-2L(4R)

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型号类型P D I D V BR(DSS)

(Ω)

I D V GS

(V)I D(μA)(S)

V DS

封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)

CJU12P10*P-ch MOS 1.25-12-1000.25-6-10-1~-3-250--TO-252-2L(4R) CJU18P10P-ch MOS 1.25-18-1000.1-16-10-1~-3-2505-10TO-252-2L(4R) CJU20N06N-ch mos 1.2520600.04520101~32502425TO-252-2L(4R) CJU30N03N-ch MOS 1.2530300.01415101~2.5250--TO-252-2L(4R) CJU30N10N-ch MOS 1.25301000.0311510 1.3~2.525015+5TO-252-2L(4R) CJU40N10N-ch mos 1.25401000.01728102~42503225TO-252-2L(4R) CJU40P04P-ch mos 1.25-40-400.014-12-10-1.5~-3-25034-5TO-252-2L(4R) CJU4410N-ch MOS17.5300.013510101~32508+15TO-252-2L(4R) CJU4828N-ch MOS 1.25 4.5600.056 4.5101~325045TO-252-2L(4R) CJU50N03*N-ch mos 1.2550300.0162051~3250155TO-252-2L(4R) CJU50N06N-ch mos 1.2550600.022010 1.5~2.52502425TO-252-2L(4R) CJU55P30P-ch mos 1.25-30-550.04-15-10-2~-4-2508-25TO-252-2L(4R) CJU60N04*N-ch mos 1.2560400.0220 4.5 1.2~2.52501510TO-252-2L(4R) CJU75N06N-ch mos 1.2575600.011530102~42502025TO-252-2L(4R) CJU80N03N-ch mos 1.2580300.012451~3250205TO-252-2L(4R) CJV01N65B N-ch MOS0.6251650140.6102~4250--TO-92 CJW1012N-ch MOS0.150.5200.70.6 4.50.45~1.22501+10SOT-323 IRF630N-ch MOS-9.32000.4 5.4102~4250 3.850TO-220-3L IRF640N-ch MOS2182000.1811102~4250 6.750TO-220-3L

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型号类型P D I D V BR(DSS)

(Ω)

I D V GS

(V)I D(μA)(S)

V DS

封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)

IRF730N-ch MOS2 5.54001 3.3102~4250 2.950TO-220-3L IRF740N-ch MOS-104000.55 5.2102~4250 5.850TO-220-3L IRF830N-ch MOS2 4.5500 1.5 2.7102~4250 2.550TO-220-3L IRF840N-ch MOS285000.85 4.8102~4250 4.950TO-220-3L IRFB640N-ch MOS2182000.1811102~4250 6.750TO-263-2L IRFB830N-ch MOS2 4.5500 1.5 2.7102~4250 2.550TO-263-3L IRFF640N-ch MOS-182000.1811102~4250 6.750TO-220F

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肖特基二极管常用参数大全分析

肖特基(势垒)二极管(简称SBD)整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称:10A15 ?主要参数:IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装:TO-220F ?脚位长度:6-12mm ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名:FCH20A15 ?型号简称:20A15 ?主要参数:20A 150V ?产品封装:TO-220F ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号,以及耐压和整流电流值:

肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6

0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45

肖特基二极管特性详解(经典资料)

肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

MOS功率与选型

品牌: 美国的IR,型号前缀IRF;日本的TOSHIBA; NXP,ST(意法),NS(国半),UTC,仙童,Vishay。 MOS管选型指南. xls

关于MOS选型 第一步:选用N沟道还是P沟道 低压侧开关选N-MOS,高压侧开关选P-MOS 根据电路要求选择确定VDS,VDS要大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。 第二步:确定额定电流 额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。 MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RD S(ON)就会越高。 第三步:确定热要求 器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散,即按定义相等于I2×RDS(ON)。第四步:决定开关性能

选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗,因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低,器件效率也下降。 详细的MOS管的选型可以参考资料3

MOS管正确选择的步骤 正确选择MOS管是很重要的一个环节,MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本,了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题,下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步:选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS 管,这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。就选择MOS管而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。 第二步:确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定,该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况下,MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2&TImes;RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说,这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说,采用较低的电压比较容易(较为普遍),而对于工业设计,可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响,因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)

IR功率MOS管选型

I D Continuous Drain Current (A)70°Micro3 Surface Mount Packages V (BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage (V)R DS(on)On-State Resistance ()?I D Continuous Drain Current 25°C (A) R ΘMax.Thermal Resistance (°C/W)1Fax on Demand Number Case Outline Key Part Number P D Max.Power Dissipation (W)https://www.doczj.com/doc/a53090211.html, N-Channel Logic Level IRLML2402*912570.54200.25 1.20.95230H1 IRLML2803 91258 0.54 30 0.25 1.2 0.93 230 P-Channel Logic Level IRLML6302*912590.54-200.6-0.62-4.8230H1 IRLML5103 91260 0.54 -30 0.6 -0.61 -4.8 230 * Indicates low VGS(th), which can operate at VGS = 2.7V Measured at ambient for Micro3, Micro6, Micro8, SO-8, and SOT-223 package styles. All others measured at case. 1Micro3 SO-8 D-Pak D -Pak SOT-227 Micro6 SOT-223 Micro8 2 Illustrations not to scale

防护电路设计(SMBJ、肖特基二极管)

防护电路设计 1.防护电路中的元器件 1.1过压防护器件 1.1.1钳位型过压防护器件 ①压敏电阻 MOV电路符号 压敏电阻英文varistor或MOV,它以氧化锌为基料,加入多种添加剂,经过混料造粒, 压制成坯体,高温烧结,两面印烧银电极,焊接引出端,最后包封等工序而制成。 优点是价格便宜,通流量大,响应速度快,缺点是寄生电容大,不适合用在高频电路中。 压敏电阻器广泛应用于家用电器及其它电子产品中,起过电压保护、防雷、抑制浪涌电 流、吸收尖峰脉冲、限幅、高压灭弧、消噪、保护半导体元器件等作用。 压敏电压的选择:交流电路其最小值一般选择被保护设备电压2-3倍,直流电路选取为 工作电压的1.8-2倍。 由于压敏制作时可能存在微小缺陷,或者当承受不同电流冲击,造成管芯的压敏电阻体 分布不均,一些部位电阻会降低,导致漏电流增加,最终导致薄弱点微融化,最终导致 老化。所以一般串接热熔点来避免。 压敏可串并联使用。 ②TVS TVS电路符号 TVS是一种限压型的过压保护器,它将过高的电压钳制至一个安全范围,藉以保护后 面的电路,有着比其它保护元件更快的反应时间,这使TVS可用在防护lighting、 switching、ESD等快速破坏性瞬态电压。 特点:可分为单双向,响应时间快、漏电流低、击穿电压误差小、箝位电压较易控制、 并且经过多次瞬变电压后,性能不下降,可靠性高,体积小、易于安装。缺点是能承受 的浪涌电流较小,且功率大的寄生电容也大,低电容的功率较小。适用于细保护或者二 级保护。

选型注意,单双向,电压,功率,电容都要考虑到。 单向TVS伏安特性双向TVS伏安特性 1.1.2开关型过压防护器具 ①气体放电管 GDT电路符号 气体放电管是一种陶瓷或玻璃封装的、内充低压惰性气体的短路型保护器件,一般分两电极和三电极两种结构。其基本的工作原理是气体放电。当极间的电场强度超过气体的击穿强度时,就引起间隙放电,从而限制了极间的电压,使与气体放电管并联的其它器件得到保护。可分为二极和三极两种。 陶瓷气体放电管具有通流量大(KA级),漏电流小,寄生电容小等优点,缺点是其响应速度慢(μs级),动作电压精度低,有续流现象。适用于粗保护或者初级保护。 选型方法:min(UDC)≥1.25*1.15Up 1.25是安全余量,1.15是电源波动系数。 特性曲线

常见mos管的型号参数

电调常见的烧毁问题,可通过更换烧坏的MOS管来解决,如相应电流的,可用更多大额定电流的代替。注意,焊接MOS止静电。 TO-220 TO-252 TO-3

附SO-8(贴片8脚)封装MOS管IRF7805Z的引脚图。 上图中有小圆点的为1脚 注:下表按电流降序排列(如有未列出的,可回帖,我尽量补 封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ) SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304

SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330 SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330 SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230 SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558

mos管选型指导

MOS管选型指导 正确选择MOS管是很重要的一个环节,MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本,了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题,下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步:选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。下一步是确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。就选择MOS管而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如

电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。 第二步:确定额定电流 第二步是选择MOS管的额定电流。视电路结构而定,该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似,设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流,即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况下,MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算,由于导通电阻随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对系统设计人员来说,这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说,采用较低的电压比较容易(较为普遍),而对于工业设计,可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。 技术对器件的特性有着重大影响,因为有些技术在提高最大VDS时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术,如果打算降低VDS和RDS(ON),那么就得增加晶片尺寸,从而增加与之配套的封装尺寸及相关的开发成本。业界现有好几种试图控制晶片尺寸增加的技术,其中最主要的是沟道和电荷平衡技术。 在沟道技术中,晶片中嵌入了一个深沟,通常是为低电压预留的,用于降低导通电阻RDS(ON)。为了减少最大VDS对RDS(ON)的影响,开发过程中采用了外延生长柱/蚀刻柱工艺。例如,飞兆半导体开发了称为SupeRFET的技术,针对RDS(ON)的降低而增加了额外的制造步骤。这种对RDS(ON)的关注十分重要,因为当标准MOSFET的击穿电压升高时,RDS(ON)会随之呈指数级增加,并且导致晶片尺寸增大。SuperFET工艺将RDS(ON)与晶片尺寸间的指数关系变成了线性关系。这样,SuperFET器件便可在小晶片尺寸,甚至在击穿电压达到600V的情况下,实现理想的低RDS(ON)。结果是晶片尺寸可减小达35%。而对于最终用户来说,这意味着封装尺寸的大幅减小。 第三步:确定热要求 选择MOS管的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻,以及最大的结温。

肖特基二极管电路特性

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我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对

于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A 的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

常用mos管(选型)

常用MOS管选型参考如下表所示: IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应

肖特基二极管应用选择

肖特基(SCHOTTKY)系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析,并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后,着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途,1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途,以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分: 一.肖特基二极管简介 二.我所肖特基二极管生产状况 三.我所肖特基二极管种类 四.我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五.介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六.功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time (8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一.肖特基二极管简介:

常用MOS管选型参考

常用MOS管选型参考 IRFU02050V15A42W NmOS场效应IRFPG421000V4A150W NmOS场效应IRFPF40900V 4.7A150W NmOS场效应IRFP460500V20A250W NmOS场效应IRFP450500V14A180W NmOS场效应IRFP440500V8A150W NmOS场效应IRFP353350V14A180W NmOS场效应IRFP350400V16A180W NmOS场效应IRFP340400V10A150W NmOS场效应IRFP250200V33A180W NmOS场效应IRFP240200V19A150W NmOS场效应IRFP150100V40A180W NmOS场效应IRFP140100V30A150W NmOS场效应IRFP05460V65A180W NmOS场效应IRFI744400V4A32W NmOS场效应IRFI730400V4A32W NmOS场效应IRFD9120100V1A1W NmOS场效应IRFD12380V 1.1A1W NmOS场效应IRFD120100V 1.3A1W NmOS场效应IRFD11360V0.8A1W NmOS场效应IRFBE30800V 2.8A75W NmOS场效应IRFBC40600V 6.2A125W NmOS场效应IRFBC30600V 3.6A74W NmOS场效应IRFBC20600V 2.5A50W NmOS场效应IRFS9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9630200V 6.5A75W PmOS场效应IRF9610200V1A20W PmOS场效应IRF954160V19A125W PmOS场效应IRF953160V12A75W PmOS场效应IRF9530100V12A75W PmOS场效应IRF840500V8A125W NmOS场效应IRF830500V 4.5A75W NmOS场效应IRF740400V10A125W NmOS场效应IRF730400V 5.5A75W NmOS场效应IRF720400V 3.3A50W NmOS场效应IRF640200V18A125W NmOS场效应IRF630200V9A75W NmOS场效应IRF610200V 3.3A43W NmOS场效应IRF54180V28A150W NmOS场效应IRF540100V28A150W NmOS场效应IRF530100V14A79W NmOS场效应IRF440500V8A125W NmOS场效应IRF230200V9A79W NmOS场效应IRF130100V14A79W NmOS场效应BUZ20100V12A75W NmOS场效应BUZ11A50V25A75W NmOS场效应BS17060V0.3A0.63W NmOS场效应

七步掌握MOS管选型技巧

七步掌握MOS管选型技巧 MOS管是电子制造的基本元件,但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时,该如何抉择?有没有省心、省力的遴选方法?下面我们就来看一下老司机是如何做的。 选择到一款正确的MOS管,可以很好地控制生产制造成本,最为重要的是,为产品匹配了一款最恰当的元器件,这在产品未来的使用过程中,将会充分发挥其“螺丝钉”的作用,确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。 那么面对市面上琳琅满目的MOS管,该如何选择呢?下面,我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。 首先是确定N、P沟道的选择 MOS管有两种结构形式,即N沟道型和P沟道型,结构不一样,使用的电压极性也会不一样,因此,在确定选择哪种产品前,首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。 MOS管的两种结构:N沟道型和P沟道型 在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件,必须确定驱动器件所需的电压,以及在设计中最简易执行的方法。

第二步是确定电压 额定电压越大,器件的成本就越高。从成本角度考虑,还需要确定所需的额定电压,即器件所能承受的最大电压。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压,一般会留出1.2~1.5倍的电压余量,这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。 就选择MOS管而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化,设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效。 此外,设计工程师还需要考虑其他安全因素:如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。另外,不同应用的额定电压也有所不同;通常便携式设备选用20V的MOS 管,FPGA电源为20~30V的MOS管,85~220VAC应用时MOS管VDS为450~600V。 第三步为确定电流 确定完电压后,接下来要确定的就是MOS管的电流。需根据电路结构来决定,MOS管的额定电流应是负载在所有情况下都能够承受的最大电流;与电压的情况相似,MOS管的额定电流必须能满足系统产生尖峰电流时的需求。 电流的确定需从两个方面着手:连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流,只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况下,MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,也就是导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻,由器件的导通电阻RDS(ON)所确定,并随温度而显著变化。 器件的功率损耗PTRON=Iload2×RDS(ON)计算(Iload:最大直流输出电流),由于导通电阻会随温度变化,因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。 对系统设计人员来说,这就需要折中权衡。 对便携式设计来说,采用较低的电压即可(较为普遍);而对于工业设计来说,可采用较高的电压。需要注意的是,RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升。 技术对器件的特性有着重大影响,因为有些技术在提高最大VDS(漏源额定电压)时往往会使RDS(ON)增大。对于这样的技术,如果打算降低VDS和RDS(ON),那么就得增加晶片

常用肖特基二极管型号

常用肖特基二极管型号: 常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号,各管的主要参数见表4-43。

常用的表面封装肖特基二极管有FB系列,其主要参数见表4-44。 特基二极管F5KQ100 F5KQ100 肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140 肖特基二极管30CPQ100 30CPQ100 肖特基二极管30CPQ090 30CPQ090 肖特基二极管30CPQ060

30CPQ060 肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045 肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G 肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G 肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G 肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G 肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G 肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3 肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3 肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT 肖特基二极管MBR20100 MBR20100 肖特基二极管MBR3045 MBR3045 肖特基二极管MBR2545 MBR2545 肖特基二极管MBR2045 MBR2045 肖特基二极管MBR1545 MBR1545 肖特基二极管MBR1045

MBR1045 肖特基二极管MBR745 MBR745 肖特基二极管MBR3100 MBR3100 肖特基二极管MBR360 MBR360 肖特基二极管DSC01232 DSC01232 肖特基二极管SB3040 SB3040 肖特基二极管IN5817 IN5817 肖特基二极管IN5819 IN5819 肖特基二极管IN5818 IN5818 肖特基二极管IN5822 IN5822 肖特基二极管HER107 HER107 肖特基二极管HER207 HER207 肖特基二极管HER307 HER307 肖特基二极管FR105 FR105 肖特基二极管FR2050

常用MOS管型号参数

场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE

常用的肖特基二极管型号及参数

肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装I f/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0.65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.96 10BQ015 IR SMB 1.00 15 0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0.39 10BQ040 IR S MB 1.00 40 0.53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 S S14G S D O214 1.00400.50 M B R S140T3O N- 1.00400.60 10B Q060I R S M B 1.00600.57 S S16G S D O214 1.00600.75 10B Q100I R S M B 1.001000.78

M B R S1100T3O N- 1.001000.75 10M Q040N I R S M A 1.10400.51 15M Q040N I R S M A 1.70400.55 PBY R245CT P S S O T223 2.00450.45 30B Q015I R S M C 3.00150.35 30B Q040I R S M C 3.00400.51 30B Q060I R S M C 3.00600.58 30B Q100I R S M C 3.001000.79 S T P S340U S T M S O D6 3.00400.84 M B R S340T3O N- 3.00400.52 RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45 M B R S360T3O N- 3.00600.70 30W Q04F N I R D P A K 3.30400.62 30W Q06F N I R D P A K 3.30600.70 30WQ10F N I R D P A K 3.301000.91 30W Q03F N I R D P A K 3.50300.52 50W Q03F N I R D P A K 5.50300.53

MOS管常见型号 全

MOS管常见型号 场效应管分类型号简介封装 1.MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 2.MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 3.MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 4.MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 5.MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 6.MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 7.MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 8.MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 9.MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 10.MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 11.MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 12.MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 13.MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 14.MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 15.MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 16.MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 17.MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 18.MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 19.MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 20.MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 21.MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 22.MOS FET IRF9520 TO-220 23.MOS FET IRF9540 TO-220 24.MOS FET IRF9610 TO-220 25.MOS FET IRF9620 TO-220 26.MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P 27.MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P 28.MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P 29.MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK 30.MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK 31.MOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK 32.MOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK 33.MOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK 34.MOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK 35.MOS FET IRFR9020TF D-PAK 36.MOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F 37.MOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F 38.MOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F 39.MOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F 40.MOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F

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