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第三章门电路

教学内容:

门电路,逻辑变量与两状态开关,高、低电平与正、负逻辑,分立元件门电路和集成门电路等概念;

半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性;

分立元件门电路;

CMOS集成门电路;

TTL集成门电路.

基本要求:

1 了解二极管、三极管开关特性;

2 理解CMOS逻辑门和TTL逻辑门的电路结构及工作原理;

3 掌握典型CMOS逻辑门电路和TTL门电路的功能、主要外部特性及使用方法;

4 掌握OD门、OC门及三态门的电路结构特点,并能够进行运用。

5 了解逻辑门在使用时应用注意的问题。

本章的重点:

掌握CMOS逻辑门电路和TTL门电路的外部特性。

本章的难点:

TTL门电路的外特性

教学课时:8课时

教学方法:讲授法

教学的实施过程:

首先介绍二极管、三极管的开关特性,然后重点讨论目前广泛使用的CMOS 门电路和TTL门电路。对于每一种门电路,除了讲解它们的工作原理和逻辑功能以外,还着重介绍它们作为电子器件的电气特性,特别是输入特性和输出特性,以便为实际使用这些器件打下必要的基础。

主要教学环节的组织:

课堂讲授、习题课、课堂讨论、批改作业、课外辅导、实验相结合,并逐步采用CAI、网络教学、EDA技术等先进教学手段。

§3.1 概述

一、 门电路

用以实现逻辑关系的电子电路,与基本逻辑关系相对应。它是数字电路中最基本的单元。

门电路主要有:与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等。

二、正负逻辑

正逻辑:用高电平代表逻辑1、低电平代表逻辑0。在数字电路中,一般采用正逻辑系统。 负逻辑:用高电平代表逻辑0、低电平代表逻辑1。

三、 关于高低电平的概念

电位指绝对电压的大小;电平指一定的电压范围。

高电平和低电平:在数字电路中分别表示两段电压范围。

如:二极管与门电路中规定高电平的电压范围≥3V ,低电平的电压范围≤0.7V 。 对于典型工作电压为5V 的CMOS 门电路,输入电压在3.5V~5V 的范围都算高电平;在0V~1.5V 的范围都算作低电平。

手册中一般给出4种逻辑电平参数:输入低电平的上限值V IL(max),输入高电平的下限值

V IH(min),输出高电平的上限值V OH(max),输出低电平的下限值V OL(min),

四、分立元件门电路和集成门电路

分立元件门电路:用分立的元件和导线连接起来构成的门电路。简单、经济、功耗低,

负载差。

集成门电路(Integrated Circuits):把构成门电路的元器件和连线都制作在一块半导体芯片上,再封装起来,便构成了集成门电路。现在使用最多的是CMOS 和TTL 集成门电路。

SSI (Small-Scale Integration ): 10个门电路。 MSI (Medium-Scale Integration ):10~100个门电路。 LSI (Large-Scale Integration ):1000~10000个门电路。 VLSI (Very Large-Scale Integration ): 10000个门电路。

五、逻辑电路的一般特性

逻辑门电路的一般特性:电压传输特性,输入特性,输出特性,输入和输出的高、低电平,噪声容限,传输延迟时间,功耗等。

门电路是一种开关电路,其开关元件是一种电子开关。

半导体二极管、三极管和MOS 管,则是构成这种电子开关的基本开关元件。 导通状态:相当于开关闭合 截止状态:相当于开关断开。

§3.2 半导体二极管门电路

理想开关的开关特性: (1) 静态特性:

t

V H

V L

t

V H

V L Negative Logic )(DD

L PD D fV C C P +=D D

L C fV C P =

断开时,开关两端的电压不管多大,等效电阻R OFF = 无穷,电流I OFF = 0。 闭合时,流过其中的电流不管多大,等效电阻RON = 0,电压UAK = 0。 (2) 动态特性:开通时间 t on = 0;关断时间 t off = 0。 客观世界中,没有理想开关。

乒乓开关、继电器、接触器等的静态特性十分接近理想开关,但动态特性很差,无法满足数字电路一秒钟开关几百万次乃至数千万次的需要。

半导体二极管、三极管和MOS 管做为开关使用时,其静态特性不如机械开关,但动态特性很好。

一、 二极管的开关特性

1.二极管的静态特性

(1)加正向电压VF 时,二极管导通,管压降VD 可忽略。二极管相当于一个闭合的开关。

(2)加反向电压VR 时,二极管截止,反向电流IS 可忽略。二极管相当于一个断开的开关。

可见,二极管在电路中表现为一个受外加电压vi 控制的开关。当外加电压vi 为一脉冲信号时,二极管将随着脉冲电压的变化在“开”态与“关”态之间转换。这个转换过程就是二极管开关的动态特性。

2.二极管开关的动态特性

给二极管电路加入一个方波信号,电流的波形怎样呢?

D

L

(a )

t R

t t (c)

s

I t

i I 0.1I 1

F

R

t

0(d )

L

V

R

D

L

V

R

D

L

F

V

K

F

V L

ts 为存储时间,tt 称为渡越时间, tre =ts 十tt 称为反向恢复时间,通常tre ≤5ns

产生反向恢复过程的原因——电荷存储效应,反向恢复时间tre 就是存储电荷消散所需要的时间。 如下图所示:

解释电荷存储效应:

同理,二极管从截止转为正向导通也需要时间,这段时间称为开通时间。开通时间比反向恢复时间要小得多,一般可以忽略不计。

二、 二极管与门电路

1. 电路 如右图所示

2. 工作原理

A 、

B 为输入信号(+3V 或0V ) F 为输出信号,VC

C =+12V 3. 逻辑赋值并规定高低电平

用逻辑1表示高电平(此例为≥+3V ) 用逻辑0表示低电平(此例为≤0.7V ) 4. 真值表

5. 逻辑符号

6. 工作波形(又一种表示逻辑功能的方法)

二极管与门的真值

+x

耗尽层

N P 区

7. 逻辑表达式:F =A B ,实现了与逻辑

三、 二极管或门电路

1. 电路(如下图)

2. 工作原理

A 、

B 为输入信号(+3V 或0V ),F 为输出信号 3. 逻辑赋值并规定高低电平

用逻辑1表示高电平(此例为≥+2.3V ),用逻辑0表示低电平(此例为≤0V ) 输入输出电压关系表; 4. 真值表

5. 逻辑符号(如下图)

6. 工作波形(如下图)

7. 逻辑表达式:F =A+ B ,可见实现了或逻辑

A B F 0V

0V 0V 0V

3V 2.3V 3V 0V 2.3V 3V

3V

2.3V

A B 0 0 0 1 1 0 1

1

§ 3.3 CMOS 门电路

MOS 门电路:以MOS 管作为开关元件构成的门电路。 MOS 管有NMOS 管和PMOS 管两种。

当NMOS 管和PMOS 管成对出现在电路中,且二者在工作中互补,称为CMOS 管(意为互补)。

MOS 管有增强型和耗尽型两种,在数字电路中,多采用增强型。

一、 MOS 管的开关特性

1. NMOS 管的开关特性

u GS

2. PMOS 管的开关特性

V GS <0,U T <0,当T G S U u > 时,PMOS 管导能;否则截止。

二、 CMOS 反相器

MOS 门电路,尤其是CMOS 门电路具有制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强、功耗低、价格便宜等优点,得到了十分迅速的发展。 1. CMOS 反相器的电路结构及工作原理

D 接负电源

截止

导通电阻相当小

导通

D 接正电源 截止

导通

令开启电压U GS(th)P 、U GS(th)N ,且N th GS P th GS DD U U V )()(+>

当u I = U IL =0V 时,V TN 截止,V TP 导通, u O = U OH ≈V DD

当u I =U IH = V DD 时,V TN 导通,V TP 截止, u O =U OL ≈0V 实现逻辑非的功能

CMOS 反相器的工作特点:

VT P 和VT N 总是一管导通而另一管截止,流过VT P 和VT N 的静态电流极小(纳安数量级),因而CMOS 反相器的静态功耗极小。这是CMOS 电路最突出的优点之一。 2. 电压传输特性和电流传输特性

电压传输特性:描述输出电压与输入电压的关系曲线。 电流传输特性:描述输出电流与输入电压的关系曲线。 如下图所示的电压、电流传输特性曲线:

AB 段:截止区,u I

P th GS P th GS N th GS I DD I GSP V V V u V u V )()()(-<--<-=,VT P 导通;输出高电增,i D 为0;

CD 段:导通区,P th GS DD I V V u )(->,P th GS DD I GSP V V u V )(->-=,VT P 截止,

P th GS P th GS DD I GSN V V V u V )()(0>->-=,VT N 导通,输出低电平,i D 为0;

BC 段:转折区,阈值电压U TH ≈VDD/2

转折区中点:电流最大。CMOS 反相器在使用时应尽量避免长期工作在BC 段。 CMOS 反相器,无线性区,接近理想开关。

G

S

S

PMOS 管 负载管

NMOS 管

驱动管

3. 输入噪声容限

噪声容限表示门电路的抗干扰能力。电路的噪声容限越大,其抗干扰能力越强。

当噪声叠加在工作信号上,只要其幅度不超过逻辑电平允许的最小值或最大值,则输出逻辑状态不会受影响,通常将最大噪声的幅度称为噪声容限。

输入端噪声容限定义 输入高电平噪声容限:

V NH =V OH(min)-V IH(min) 输入低电平噪声容限: V NL =V IL(max) – V OL(max)

几种CMOS 系列电路的输入和输出电压值和输入噪声容限

V GS(th)N

V GS(th)N

V DD

V DD - V GS(th)P

V DD - V GS(th)P

CMOS 反相器的电压传输特性和电流传输特性

三、CMOS反相器的静态输入输出特性

1.输入保护电路

CMOS门电路的输入端是MOS的栅极,在栅极与沟道之间存在着以SiO2为介质的输入电容,而这层绝缘介质很薄,极易被击穿,所以必须采取保护措施。

CMOS门电路通常接入输入、输出保护电路,其电路结构如下图所示(输出保护没画出)。D1,D2起保护作用,其正向导通压降V DF=0.5~0.7V,反相击穿电压约为30V。输入电压在正常范围内(0≤u I≤V DD),保护电路不起作用,当u I>(V DD+V DF)ak u I<-V DF时,MOS管的栅极电位被限制在-V DF~(V DD-V DF)之间,使栅极的SiO2层不会被击穿。

输入端的绝缘层使电路输入阻抗极高,若有静电感应则会在悬空端产生不定电位,故CMOS门电路输入端不允许悬空。

2.输入特性

输入特性是指从反相器输入端看进去的输入电压与输入电流的关系。

输出特性:是指从反相器输出端看进去的输出电压与输出电流的关系。

低电平输出特性:

当输出为低电平时,反相器的P沟道管截止,N沟道管导通,负载电流I OL从负载电路注入T2,V OL就是v DS2,V OL随着I OL的增大而提高(V OL=I OL R ON);另外I OL就是T2的漏极电流,所以,V OL与I OL的关系曲线实际上是T2的漏极特性曲线。由于T2的导通内阻与v GS2的大小有关,v GS2越大导通内阻越小,所以同样的I OL值下,V DD越高,V OL的值越低。

高电平输出特性:

当输出为高电平时,反相器的N沟道管截止,P沟道管导通,负载电流I OL从门电路T1流向负载电路,与规定的负载电流方向相反,V OH=V DD-v DS1,,随着I OL的增加,v DS1增加,V OH随着I OL的增大而下降(V OH=V DD-I OL R ON);由于T1的导通内阻与v GS1的大小有关,v GS1越大导通内阻越小,所以同样的I OL值下,V DD越高,V OH的值下降得越小。

结论:CMOS反相器输出的高、低电平与负载电流的大小有关。查手册时必须注意负载条件。

§2.6.3 CMOS 反相器的动态特性

转换时间 : 逻辑电路的输出从一个状态转换到另一个状态所需的时间。

上升时间tr :输出从低电平转换到高电平(脉冲上升沿从0.1V m 上升到0.9V m )所需的时间。 下降时间tf :输出从高电平转换到低电平(脉冲下降沿从0.9V m 下降到0.1V m )所需的时间。

一、传输延迟时间

为什么会出现传输延时?

集成电路内部电阻、电容的存在及负载电容的影响。 传输延迟是表征电路开关速度的参数。逻辑电路的输出电压变化落后于输入电压变化的时间称为传输延迟时间。

t pHL : 输入变化导致输出从高电平到低电平变化所间隔的时间。 t pLH:输入变化导致输出从低电平到高电平变化所间隔的时间。 平均传输延时时间:tpd = (tpLH +tpHL )/2

平均传输延迟时间tpd 表征了门电路的开关速度。

二、动态功耗

功耗是门电路重要参数之一。 静态功耗: 逻辑电路输出状态不发生变化时的功耗。

大多数CMOS 电路具有很低的静态功耗,所以在很多低功耗的场合采用CMOS 集成电路。

动态功耗:

逻辑电路输出状态发生变化时的功耗,其值比静态功耗大得多。 动态功耗由两部分组成:瞬时导通功耗PT 、负载电容充放电功耗PC 动态功耗-瞬时导通功耗PT

当输入电压的值在V GS(th)N 和 V DD -P th GS V )(之间时,T 1、T 2同时导通,有较大的电流流过门电路。

t r

f

瞬时导通功耗为: V DD 为 电源电压;f 为信号频率;C PD 为功耗电容,可以在手册中查到,如74HC 系列为20pF ,如74LVC 系列为15pF ;

动态功耗-负载电容充放电功率P C :

当输入电压由高电平跳变为低电平时,T 1导通,T 2截止,V DD 经T 1向C L 充电,产生充电电流i P 。当输入电压由低电平跳变为高电平时,T 2导通,T 1截止,C L 通过T 2放电,产生放电电流i N 。

负载电容充放电功率的计算公式:

CMOS 电路总动态功耗PD :

由公式可知,CMOS 门的动态功耗正比于转换频率和电源电压的平方。

应用:在设计CMOS 电路时,选用低电源电压器件,如:3.3V 供电电源74LVC 系列或1.8V 供电电源74AUC 系列,以降低功耗。

理想的数字电路或系统,要求它既速度高,同时功耗又低。在工程实践中,要实现这种理想情况较难。高速数字电路往往需要付出较大的功耗为代价。

一种综合性地表征逻辑门电路性能的指标即延时—功耗积(DP=t pd P D ,其中t pd =(t pLH +t pHL )/2), DP 值愈小,表明它的特性愈接近于理想情况。

§3.3.6 其它类型的CMOS 门电路

一、 其它逻辑功能的CMOS 门电路

1.CMOS 或非门

电路结构如右图所示,其中包括两个串联的P 沟道MOS 管和两个并联的N 沟道MOS 管,每个输入端连到一个N 沟道和一个P 沟道MOS 管的栅极。当A 、B 只要有一个为高电平,则驱动管导通、负载管截止,输出为低电平。当输入全为低电平,两个驱动管均截止,两个负载管均导通,输出为高电平。

所以该电路具有或非逻辑功能:

B A Y +=或)'(B A Y +=

显然,n 个输入端的与非门必须有n 个PMOS 管串联和n 个NMOS 管并联。

2

DD PD T fV C P =2D D

L C fV C P =2

)(DD

L PD D fV C C P +

=

2. CMOS 与非门

电路结构如右图所示,其中包括两个串联的N 沟道MOS 管和两个并联的P 沟道MOS 管,每个输入端连到一个N 沟道和一个P 沟道MOS 管的栅极。当A 、B 只要有一个为低电平,则驱动管截止、负载管导通,输出为高电平;当输入全为高电平,两个驱动管均导通,两个负载管均截止,输出为低电平。

所以该电路具有与非逻辑功能,即

)'(AB Y =

显然,n 个输入端的与非门必须有n 个PMOS 管并联和n 个NMOS 管串联。

从以上CMOS 或非门和与非门电路可知,当输入端的数目越多,则串联的管子越多,若串联的管子全部导通时,其总的导通电阻会增加,R 总=nR ON 以致影响输出电平,使与非门的低电平升高;而使或非门的高电平降低。因此CMOS 逻辑门电路的输入端不宜过多,并且在CMOS 电路的输入和输出端增加缓冲电路,即CMOS 反相器,以规范电路的输入和输出电平。

3. 带缓冲级的CMOS 与非门电路

)'()')'''((AB B A Y =+=

二、漏极开路的门电路(OD 门) 1.电路结构及符号

在CMOS 电路中,为了满足输出电平变换,吸收大负载电流以及实现线与连接等需要,有时将输出级电路结构改为只有一个NMOS 管,并且它的漏极是开路的结构,构成漏极开路输出(Open-Drain Output )门电路,简称OD 门。与下图是漏极开路的与非门电路及其逻辑符号。

OD 门工作时必须将输出端经上拉电阻R L 接到电源V DD2。

2.OD 门的应用

(1)用OD 门实现电平转换 (2)输出缓冲/驱动器;如驱动发光二极管发光。

(3) OD 门的输出端并联,实现线与功能。

如下图所示:两个漏极开路的与非门并联输出实现线与的功能,R P 为外接上拉电阻。

)'()'()'(21CD AB CD AB Y Y Y +==?=

Ω

0V

5V 0V

V DD2

R L

=1

=1

C A B

D

G 1

G 2

V DD

3.实现线与逻辑时外接上拉电阻R P 的计算:

(1)当所有OD 门同时截止时,输出高电平,R P 不能太大。R P 为最大值时要保证输出电压不低于V OH (min )。如下图所示,n 个OD 门并联,m 是负载CMOS 门电路高电平输入电流的数目。

由:(max)(min))(P O H IH O H D D R nI mI V V +=-得

(2)当OD 门中只有一个导通时,负载电流全部流入导通的那个OD 门,输出低电平时, RL 不能太小。R P 为最小值时要保证MOS 管的负载电流不超过I OL(max)。 如下图所示:n 个OD 门并联,m 是负载CMOS 门电路低电平输入电流的数目。

由:IL P OL DD OL mI R V V I +-=

(min)

(max)

(max)

m

n

m

IH

)

min (OH )max (mI nI V V R OH CC P +=-

IL

OL OL DD P I m I V V R ?--=

(max)(max)(min)

所以外接上接电阻的取值范围为: R P (min )≤R P ≤R P (max )

三、 CMOS 传输门

1.电路结构

如右图所示:(a )为传输门的电路结构,(b )为传输门的逻辑符号。

图中C 和C ′是一对互补的控制信号。

由于V T P 和V T N 在结构上对称,所以图中的输入和输出端可以互换,又称双向开关。 2. 工作原理(了解)

若 C =1(接V DD )、C ′=0(接地),当0<u I <(V DD -|U T |)时,VT N 导通;

当|U T |<u I <V DD 时,VT P 导通;

所以: u I 在0~V DD 之间变化时,VT P 和VT N 至少有一管导通,使传输门TG 导通。

若 C = 0(接地)、C ′= 1(接V DD ),

u I 在0~V DD 之间变化时,VT P 和VT N 均截止,即传输门TG 截止。 3.应用

(1)CMOS 传输门和CMOS 反相器构成的双向模拟开关 C=0,开关关闭;C=1时,开关接通。这是一种常用的典型电路。 可以组成各种复杂的逻辑电路:数据选择器、寄存器,计算器等。 (2)CMOS 传输门用来传输连续变化的模拟电压信号

如右图所示:传输门的导通电阻为R TG ,负载电阻为R L ,则输出 电压可由下列公式得到:

由公式可知:传输门输出电压跟输入电压成正比。

I

TG

L L O v R R R v +=

四、三态输出的CMOS门电路(TS门)

三态门电路的输出有三种可能出现的状态:高电平、低电平、高阻。

何为高阻状态?

悬空、悬浮状态,又称为禁止状态。

输出电阻为∞,故称为高阻状态。

输出电压为0V,但不是接地。

因为悬空,所以测其电流为0A。

1.三态门的电路结构及工作原理

三态输出门(Three-State Output Gate):在普通门电路的基础上附加控制电路构成。如下所示的三态门及其对应的逻辑符号,用“▽”表示输出为三态。

(a)图表示控制信号为低电平有效的三态门,当控制信号E N′为低电平时,三态门正常工作,当控制信号E N′为高电平时,三态门输出状态为高阻态。(b) 图表示控制信号为高电平有效的三态门,当控制信号E N为高电平时,三态门正常工作,当控制信号E N为低电平时,三态门输出状态为高阻态。

2.三态门的主要应用-(a)实现总线传输

用三态门实现总线传输

如右图所示:只要将各门的控制端EN轮流为高电平,且在任何时刻只有一个门的控制端为高电平,就可以轮流地把各个与非门的输出信号送到公共的传输线——总线上,而互不干扰。

(b)组成双向总线

实现信号的分时双向传送。

§3.3.6 CMOS电路的正确使用

一、输入电路的静电防护

不要使用易产生静电高压的化工材料化纤织物包装,最好采用金属屏蔽层作包装材料。组装、调试时,应使电烙铁和其它工具、仪表、工作台台面等良好接地。操作人员的服装和手套等应选用无静电的原料制作。

不用的输入端不应悬空。

(1) 对于与非门及与门,多余输入端应接高电平,比如直接接电源正端;或通过一个上拉电阻接电源正端;在前级驱动能力允许时,也可以与有用的输入端并联使用。

(2) 对于或非门及或门,多余输入端应接低电平,比如直接接地;也可以与有用的输入端并联使用。

二、CMOS电路的优点

(1)微功耗。

CMOS电路静态电流很小,约为纳安数量级。

(2)抗干扰能力很强。

输入噪声容限可达到VDD/2。

(3)电源电压范围宽。

多数CMOS电路可在3~18V的电源电压范围

内正常工作。

(4)输入阻抗高。

(5)负载能力强。

CMOS电路可以带50个同类门以上。

(6)逻辑摆幅大。(低电平0V,高电平VDD )

§3.5 TTL门电路

§3.5.1双极性三极管的开关特性

一、双极性三极管的静态特性

在数字电路中,三极管作为开关元件,主要工作在饱和和截止两种开关状态,放大区只是极短暂的过渡状态。

NPN型三极管截止、放大、饱和工作状态的特点

二、三极管的开关时间(动态特性)

三极管在截止和饱和导通两种状态间迅速转换时,三极管内部电荷的建立和消散都需要一定的时间,因而集电极电流i C变化将滞后于输入电压v I的变化。开关电路的输出电压v O的变化也滞后于输入电压v I。见P114图3.5.6。

§3.5.2 TTL反相器的结构和工作原理

TTL电路的基本环节是反相器。

简单了解TTL反相器的电路及工作原理,重点掌握其特性曲线和主要参数(应用所需知识)。

一、TTL反相器的电路结构

1. 电路组成

如右图所示:是一

典型的电路,电路的输

入端和输出端均为三极

管结构,所以称为三极管——三极管逻辑电路(Transistot-Transistor Logic),简称为TTL电路。

此电路由三部分组成:输入级、倒相级、输出级。

2. 工作原理

(1)当输入高电平时,u I=3.4V,

VT4

VT3例相级

u B1 =0.7V ×3=2.1V ,VT1处于倒置工作状态,集电结正偏,发射结反偏,VT2和VT3是饱和状态。因此V C2=V CES2+V BE3=0.9V ,VT 4和VD 截止,输出为低电平u O =0.2V 。

(2) 当输入低电平时, u I =0.2V ,VT1发射结导通,uB1=0.2V+0.7V=0.9V ,VT2和VT3均截止,VT4和VD 导通。输出高电平,u O =V CC –U BE4-U D -I B4R 2≈3.4V

二、 TTL 反相器的电压传输特性及参数

电压传输特性:输出电压u O 与输入电压u I 的关系曲线,如下图所示,曲线分为四段: AB 段:输入电压小于0.6V ,所V B1小于1.3V ,VT 2和VT 3截止而VT 4导通,输出高电平,这一段称为截止区; BC 段:输入电压大于0.7V 但低于1.3V ,所以VT 2导通,VT 3截止,这时VT 2工作在放大区,随着输入电压的升高,V C3和u O 线性下降。这一段称为线性区。 CD 段:当输入电压升到1.4V 左右时,V B1约为2.1V ,这时,VT 2和VT 3将同时

导通,VT 4截止,输出电位急剧地下降为低电平。这段称为转折区。转折区的中点对应的电压称为阈值电压V TH ≈1.4V 。

DE 段:当输入电压继续升高时,输出电位不再变化维持在0.2V 左右,这一段称为饱和区。

三、输入端噪声容限V NL 和V NH

跟CMOS 门电路定义方法一样。 V NH =V OH(min)-V IH(min) V NL =V IL(max)-V OL(max)

§3.5.3 TTL 反相器的输入特性和输出特性

一、 输入伏安特性

输入特性是输入电压和输入电流之间的关系曲线,如下图所示。

一般I IL ≤1.6mA ,I IH ≤0.04mA

二、 输出特性

输出特性是指输出电压与输出电流之间的关系曲线。 (1) 输出高电平时的输出特性

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