当前位置:文档之家› vSphere HA 5.x系列的高级参数及详细用途说明

vSphere HA 5.x系列的高级参数及详细用途说明

vSphere HA 5.x系列的高级参数及详细用途说明
vSphere HA 5.x系列的高级参数及详细用途说明

vSphere HA 5.x系列的高级参数及详细用途说明

?das.allowNetworkX - 允许为vSphere HA的心跳网路指定特定的管理网路,X 可以为阿拉伯数字0-9。当5.5里激活了vSAN功能则这个选项无效;

?das.ignoreRedundantNetWarning - 如果vSphere HA管理下的ESXi Host 没有冗余网路,则会报警,因此,可以用这个参数跳过警报;

?das.heartbeatDsPerHost - vSphere HA缺省为每台ESXi Host配置2个Heartbeat Datastore,这个选项可以帮助指定主机的心跳存储数量,最大可以为

5;

?das.ignoreInsufficientHbDatastore - 这个选项用于当ESXi Host的心跳存储数量不够时跳过这个警告检测,值可以为True;

?das.includeFTcomplianceChecks - 这个选项则是用于检测Cluster的相关配置是否能满足Fault Tolerance的要求,如果这个选项为False则不用检测;

?das.vmMemoryMinMB - 这个选项表示当虚拟机的预留内存为0时,虚拟机的最小预留值,单位是MB;

?das.vmCpuMinMHz - 这个选项则是当虚拟机的CPU预留为缺省时,虚拟机的最小预留值,单位是MHz,默认为32;

?das.slotCpuInMHz - 这个选项表示Slot Size中CPU部分的最大值,参数为MHz;

?das.slotMemInMB - 这个选项表示Slot Size中CPU部分的最大值,参数为MB;

?das.maxvmrestartcount - 这个选项表示FDM Master主机尝试重启多少次HA 鼓掌主机上的虚拟机,这个值,建议不要设置太大,而且,通常都会配合

das.maxvmrestartperiod一起使用,也就是说,在限定时间内的重启虚拟机尝试

次数。不过,针对FT生成的Secondary VM则需要用这个参数来解决

das.maxftvmrestartcount这个参数来解决;

?das.maxvmrestartperiod - 这个参数则是用于限定FDM Master尝试重启VM 的限定时间,时间超过则不再尝试,单位为秒,这个参数通常都是结合

das.maxvmrestartcount一起使用;

?das.maskCleanShutdownEnabled - 当虚拟机关机且它所在的Datastore无法访问时,HA无法检测到虚拟机是否被成功重启了,在这种情况下,激活这个选项则

相当于告诉FDM Master主机这台虚拟机需要被重启一下,此时,FDM Master主

机就会执行重启尝试,如果这个值为false则FDM Master会忽略掉这个问题,假

装VM不需要重启;

?das.respectVmVmAntiAffinityRules - 在尝试HA故障发生后尝试重启虚拟计时,明确vm到vm之间的反亲和性规则,这个值缺省为false,可以调整为true;

?das.isolationAddressX - 这个是隔离响应地址,默认是缺省网关,但是,用户可以根据自己的需要最多0-9,合计10个隔离响应地址,解决掉冗余的隔离响应地址

问题。在vSphere 5.5中,如果启用了vSAN的vmkernel接口类型,则也会选

用这个地址用作内部隔离响应检测;

?https://www.doczj.com/doc/9c7877923.html,eDefaultIsolationAddress - 这个选项通常配合das.isolationAddressX 一起使用,当需要用das.isolationAddressX时,需要将这个选项设定为false;

?das.config.fdm.isolationPolicyDelaySec - 这个uxanxiangzeshiFDM Agent 等待执行隔离响应策略的时间间隔,最小为30秒,也就是说:检测到主机被隔离

多长时间之后才执行隔离响应动作;

?das.isolationShutdownTimeout - 这个参数则是FDM等待虚拟机在Shutdown Guest之后多长时间执行Power Off动作,如果不设定,则默认为300秒;

?das.iostatsInterval - FDM检测虚拟机的心跳是否存在,当心跳消失后会触发虚拟机或Application的监控策略。FDM会检查在ioStatsInterval时间内是否有I/O 发生,如果没有,则触发虚拟机重置的指令,这个值默认为120秒;

?das.maxFtVmsPerHost - 这个参数表示每台ESXi Host上最大可以有多少台VMs开启FT,如果不设置,则默认为4,如果为-1或0,则表示关闭限制开启FT 的虚拟机数量,这个限制是vCenter来做的;

?das.config.log.maxFileNum - 这个参数控制FDM日志文件的数量;

?das.config.log.maxFileSize - 这个选项表示设定FDM日志文件的最大值,通常是1MB大小;

?vpxd.dads.aamMemoryLimit - 这个选项表示aam资源池的内存限制,通常是100MB,这个值会作用到vCenter Server Inventory下面所有的Cluster;

?vpxd.das.electionWaitTimeSec - vCenter Server等待主机的选举时间间隔是多少,如果不设定则是120秒,这个选项主要用于Slave主机之间的选举时间范围控制;

?fdm.nodeGoodness - 当Master的选举执行之后,这FDM Agent之间会交换这个goodness的值,然后,较大goodness值的主机会成为新的Master主机。

当然,主机的MOID的优先级要大于这个Goodness参数。如果想要强行指定一台ESXi Host成为Master主机,则可以将这个值设定得更加大一点,这个值并不作用于Cluster级别,相反,它作用于主机级别;

?vpxd.das.sendProtectListIntervalSec - 这个选项表示vCenter Server发送Protected List给Master主机的最小时间间隔,如果不设定,则默认为60秒钟;

这个选项的设定可以控制Master主机向vCenter Server获取VM变更的频率;

?fdm.cluster.vsanDatastoreLockDelpy - 表示vSAN Datastore对象acquired 之前的时延。不到vSAN Datastore被Master acquired之后,则在Datastore 上不执行虚拟机故障切换。这个值缺省为30秒;

?vpxd.das.slotMemMinMB - vCenter Server设定的全局虚拟机预留值,前面的das.slotMemMinMB会覆盖这个值;

?vpxd.das.slotCpuMinMHz - vCenter Server设定的全局虚拟机预留值,前面的das.slotCpuMinMHz会覆盖这个值;

?das.config.fdm.hostTimeout - 控制FDM主机等待Slave主机上FDM Agent 相应的时间,如果没设置,默认为10s;

?fdm.deadIcmpPingInterval - 当FDM无法与Master主机通讯时,检查Slave 主机的网路是否可达ICMP ping的时间间隔,默认为10秒;

?das.config.fdm.icmpPingTimeout - 定义FDM等待ICMP ping值反馈的超时时间,如果不设定,默认为5s;

?vpxd.das.heartbeatPanicMaxTimeout - 这个选项则是等待主机PSOD状态下的时间长度,默认为60s,超时之后,则会重启虚拟机;

?das.config.fdm.policy.unknowStateMonitorPeriod - 定义HA Master Agent 等待检测虚拟机故障的时间,默认为10s;

?das.perHostConcurrentFailoversLimit - 表示一次并发的虚拟机Failover数量,缺省为32;

?das.config.fdm.ft.cleanupTimeout - 这个参数表示针对FT虚拟机的检测,默认为900秒;

?das.config.log.outputToFiles - 表示输出FDM日志文件;

?das.config.log.directory - 表示指定FDM日志文件目录,格式可以为/var/log/vmware/vdm;

?das.config.fdm.stateLogInterval - 表示FDM日志的生成频率,默认为600秒;

?das.config.fdm.event.maxMasterEvents - 定义Master主机的最大事件缓存数量,默认为1000;

?das.config.fdm.event.maxSlaveEvents - 定义Slave主机的最大事件缓存数量,默认为600;

?vpxd.das.reportNoMasterSec - 表示vCenter Server检测多长时间没有收到Master主机上FDM Agent反馈的状态,默认为120秒;

文档来源:虚拟人

WeChat:vmanager_forum

片碱安全技术说明

片碱安全技术说明书 第一部分化学品及企业标识 化学品中文名称:氢氧化钠;苛性钠;烧碱 化学品俗名或商品名: 化学品英文名称:odiun hydroxide ;Caustic soda 第二部分成分/组成信息 纯品■混合物□ 有害物成分:浓度CASNo .: 氢氧化钠1310-73-2 第三部分危险性概述 危险性类别:第8.2 类碱性腐蚀品 侵入途径:吸入、食入 健康危害:本品有强烈刺激和腐蚀性。粉尘刺激眼和呼吸道,腐蚀鼻中隔;皮肤和眼直接接触可引起灼伤;误服可造成消化道灼伤,粘膜糜烂、出血和休克。 环境危害:对环境有害。 燃爆危险:不燃,无特殊燃爆特性。 第四部分急救措施

皮肤接触:立即脱去污染的衣着,用大量流动清水冲洗20~30 分钟。如有不适感,就医。 眼睛接触:立即提起眼睑,用大量流动清水或生理盐水彻底冲洗10 ~ 15 分钟。如有不适感,就医。 吸入:迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难, 给输氧。呼吸、心跳停止,立即进行心肺复苏术。就医。 食入:用水漱口,给饮牛奶或蛋清。就医。 第五部分消防措施 危险特性:与酸发生中和反应并放热。遇潮时对铝、锌和锡有腐蚀性,并放出易燃易爆的氢气。本品不会燃烧, 遇水和水蒸气大量放热,形成腐蚀性溶液。具有强腐蚀性。 有害燃烧产物:无意义。 灭火方法及灭火剂:本品不燃。根据着火原因选择适当灭火剂灭火。 灭火注意事项:消防人员必须穿全身耐酸碱消防服、佩戴空气呼吸器灭火。尽可能将容器从火场移至空旷处。喷水保持火场容器冷却,直 至灭火结束。 第六部分泄漏应急处理 应急处理:隔离泄漏污染区,限制出入。建议应急处理人员戴防尘口 罩,穿防酸碱服。穿上适当的防护服前严禁接触破裂的容器和泄漏物。 尽可能切断泄漏源。用塑料布覆盖泄漏物,减少飞散。勿使水进入包

氢氧化钠(液碱、片碱)(MSDS)化学品安全技术说明书

氢氧化钠(液碱、片碱)化学品安全技术说明书第一部分化学品及企业标识 化学品中文名:氢氧化钠 化学品英文名:sodiun hydroxide 中文名称:烧碱 分子式:NaOH 分子量:40.01 第三部分危险性概述 危险性类别: 侵入途径: 健康危害:本品有强烈刺激和腐蚀性。粉尘刺激眼和呼吸道,腐蚀鼻中隔;皮肤和眼直接接触可引起灼伤;误服可造成消化道灼伤,粘膜糜烂、出血和休克。 环境危害:对水体可造成污染 燃爆危险:本品不燃,具强腐蚀性、强刺激性,可致人体灼伤。 第四部分急救措施 皮肤接触:立即脱去污染的衣着,用大量流动清水冲洗至少15分钟。就医。 眼睛接触:立即提起眼睑,用大量流动清水或生理盐水彻底冲洗至少15分钟。就医。 吸入:迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难,给输氧。如呼吸停止,立即进行人工呼吸。就医。 食入:用水漱口,给饮牛奶或蛋清。就医。 第五部分消防措施 危险特性:与酸发生中和反应并放热。遇潮时对铝、锌和锡有腐蚀性,并放出易燃易爆的氢气。本品不会燃烧, 遇水和水蒸气大量放热, 形成腐蚀性溶液。具有强腐蚀性。 有害燃烧产物:可能产生有害的毒性烟雾。 灭火方法:用水、砂土扑救,但须防止物品遇水产生飞溅,造成灼伤。 第六部分泄漏应急处理 应急处理:隔离泄漏污染区,限制出入。建议应急处理人员戴防尘面具(全面罩),穿防酸碱工作服。不要直接接触泄漏物。小量泄漏:避免扬尘,用洁净的铲子收集于干燥、洁净、有盖的容器中。也可以用大量水冲洗,洗水稀释后放入废水系统。大量泄漏:收集回收或运至废物处理场所处置。 第七部分操作处置与储存 操作注意事项:密闭操作。操作人员必须经过专门培训,严格遵守操作规程。建议操作人员佩戴头罩型电动送风过滤式防尘呼吸器,穿橡胶耐酸碱服,戴橡胶耐酸碱手套。远离易 - 1 -

氢氧化钠化学品安全技术说明书

氢氧化钠化学品安全技术说明书 第一部分化学品及企业标识 化学品中文名称:氢氧化钠 化学品俗名或商品名:苛性碱;火碱;片碱;苛性钠 化学品英文名称:sodiun hydroxide 第二部分成分/组成信息 纯品□V 混合物□

第六部分:泄漏应急处理 应急处理:隔离泄漏污染区,限制出入。建议应急处理 人员戴防尘面具(全面罩),穿防酸碱工作 服。不要直接接触泄漏物。小量泄漏:避免 扬尘,用洁净的铲子收集于干燥、洁净、有 盖的容器中。也可以用大量水冲洗,洗水稀 释后放入废水系统。大量泄漏:收集回收或 运至废物处理场所处置。

第九部分:理化特性 主要成分:含量: 工业品 一级≥ 96%; 外观与性状:白色不 透明固 体,易潮 解。 pH: 熔点(℃): 沸点(℃):1390

相对密度(水=1): 相对蒸气密度(空气=1):无资料饱和蒸气压(kPa):(739℃)燃烧热(kJ/mol):无意义临界温度(℃):无意义临界压力(MPa):无意义 无资料辛醇/水分配系数的对数 值: 闪点(℃):无意义引燃温度(℃):无意义爆炸上限%(V/V):无意义爆炸下限%(V/V):无意义溶解性:易溶于 水、乙 醇、甘 油,不溶 于丙酮。主要用途:用于肥 皂工业、 石油精 炼、造 纸、人造 丝、染 色、制 革、医 药、有机 合成等。其它理化性质:

第十五部分:法规信息 法规信息:化学危险物品安全管理条例 (1987年2月17 日国务院发布),化学危险物品安全管理条例实 施细则 (化劳发[1992] 677号),工作场所安 全使用化学品规定 ([1996]劳部发423号)等 法规,针对化学危险品的安全使用、生产、储 存、运输、装卸等方面均作了相应规定;常用 危险化学品的分类及标志 (GB 13690-92)将该 物质划为第类碱性腐蚀品。其它法规:隔膜法 烧碱生产安全技术规定 (HGA001-83);水银法 烧碱生产安全技术规定 (HGA002-83)。

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE

氢氧化钠(溶液)安全技术说明书

氢氧化钠(溶液)安全技术说明书 第一部分化学品及企业标识 化学品中文名称:氢氧化钠。 化学品英文名称:sodiumhydroxide 化学品中文别名称:烧碱;火碱;苛性钠。 推荐用途:用于制药、造纸、炼铝、炼钨、人造丝、人造棉和肥皂制造业,用于生产染料、塑料、药剂及有机中间体,旧橡胶的再生,制金属钠、水的电解以及无机盐生产中,制取硼砂、铬盐、锰酸盐、磷酸盐等,实验室化学试剂,碱性干燥剂。 限制用途:严禁用于食品和饲料加工。 第二部分危险性概述 物理和化学危险性:腐蚀金属锌、铝、锡和铅,生成易燃易爆的氢气。与铵盐反应生成氨,有着火和爆炸的危险。 侵入途径:吸入、皮肤接触、眼睛接触、食入 健康危害:本品具有强烈腐蚀性和刺激性。粉尘刺激眼和呼吸道,腐蚀鼻中隔; 直接接触皮肤和眼可引起灼伤;误食可造成消化道灼伤,粘膜糜烂、出血和休克。 环境危害:对环境有害,对水体可造成污染。 次要危险 危险性类别 腐蚀性物质 危险标识 警示语警告 强烈腐蚀性和刺激性,误食可造成消化道 危险说明 灼伤。 ?应用贮槽储存 防范说明

第三部分成分/组成信息 物质混合物" 第四部分急救措施 皮肤接触:立即脱去污染的衣物,用大量流动清水充分冲洗,直至皂样物质彻底消失或创面的pH值成中性为止。就医。 眼睛接触:立即提起眼睑,用大量流动清水充分冲洗;用2%?3%的硼酸液冲 洗或湿敷。就医。 吸入:迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难给输氧。如呼吸停止,即进行人工呼吸。就医。 食入:用水漱口,给饮牛奶或蛋青,禁止催吐。就医。 第五部分消防措施 危险特性:与酸发生中和反应并放热。腐蚀某些塑料、橡胶或涂层。在潮湿空气中,腐蚀金属铝、锌、锡和铅,生成易燃易爆的氢气。具有强腐蚀性。 有害燃烧产物:无意义。 灭火方法及灭火剂:本品不会燃烧,根据看火原因选择适当灭火剂灭火。用水、砂土扑救,应注意防止物品遇水产生飞溅,造成灼伤。 灭火注意事项及措施:消防人员必须穿全身耐酸碱消防服,佩戴过滤式防毒面具(全面罩)或隔离式呼吸器灭火。尽可能将容器从火场移至空旷处,喷水保持容器冷却,直至灭火结束。 第六部分泄漏应急处理 作业人员防护措施和防护装备:穿耐酸碱服,戴耐酸碱手套,戴防护手套。应急处置程序:疏散有关人员、隔离污染区;限制出入。阻隔和切断泄漏源。切断泄漏源,收集回收后用水冲洗残留物,冲洗水经过中和处理后排入废水处理系统。 防止发生次生危害的预防措施:应特别注意对水体的影响。 第七部分操作处置与储存 操作处理注意事项:操作人员应佩戴佩戴防护眼镜和胶皮手套。避免与酸类接触。搬运时轻装轻卸,防止包装及容器损坏。配备泄漏应急处理设备。应当注意倒空容器内本品残留物。稀释或配制溶液时应把碱倒入水中,避免沸腾和飞溅。

场效应管对照表

场效应管对照表(分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数) 本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。 在场效应管对照表中,收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体场次晶体管(MOSFET)、肖特基势垒控制栅场效应晶体管(SB)、金属半导体场效应晶体管(MES)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、静电感应晶体管(SIT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等,型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号,其中含国产场效应晶体管型号。 1."型号"栏 表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组,处于同一格子内,不用细线分开。2."厂家"栏 为了节省篇幅,仅列入主要厂家,且厂家名称采用缩写的形式表示。) 所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下: ADV 美国先进半导体公司 AEG 美国AEG公司 AEI 英国联合电子工业公司 AEL 英、德半导体器件股份公司 ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司 AMP 美国安派克斯电子公司 AMS 美国微系统公司 APT 美国先进功率技术公司 ATE 意大利米兰ATES公司 ATT 美国电话电报公司 AVA 美、德先进技术公司 BEN 美国本迪克斯有限公司 BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司 CDI 印度大陆器件公司 CEN 美国中央半导体公司 CLV 美国CLEVITE晶体管公司 COL 美国COLLMER公司 CRI 美国克里姆森半导体公司 CTR 美国通信晶体管公司 CSA 美国CSA工业公司 DIC 美国狄克逊电子公司 DIO 美国二极管公司 DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司 MAL 美国MALLORY国际公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司 FCH 美国范恰得公司 FER 英、德费兰蒂有限公司 FJD 日本富士电机公司 FRE 美国FEDERICK公司 FUI 日本富士通公司 FUM 美国富士通微电子公司 GEC 美国詹特朗公司 GEN 美国通用电气公司 GEU 加拿大GENNUM公司 GPD 美国锗功率器件公司 HAR 美国哈里斯半导体公司 HFO 德国VHB联合企业 HIT 日本日立公司 HSC 美国HELLOS半导体公司 IDI 美国国际器件公司 INJ 日本国际器件公司 INR 美、德国际整流器件公司 INT 美国INTER FET 公司 IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司 ITT 德国楞茨标准电气公司 IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司 KYO 日本东光股份公司 LTT 法国电话公司 SEM 美国半导体公司 SES 法国巴黎斯公司 SGS 法、意电子元件股份公司

MOS管主要参数

MOS管主要参数 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; ·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V; ·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V。 2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比 ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。 3. 漏源击穿电压BVDS ·在VGS=0(增强型)的条件下,在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ·ID剧增的原因有下列两个方面: (1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿 (2)漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后 ,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID 4. 栅源击穿电压BVGS ·在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。 5. 低频跨导gm ·在VDS为某一固定数值的条件下,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导 ·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一个重要参数 ·一般在十分之几至几mA/V的范围内 6. 导通电阻RON ·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数 ·在饱和区,ID几乎不随VDS改变,RON的数值很大,一般在几十千欧到几百千欧之间 ·由于在数字电路中,MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下,所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似 ·对一般的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内 7. 极间电容 ·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS ·CGS和CGD约为1~3pF ·CDS约在0.1~1pF之间 8. 低频噪声系数NF ·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的 ·由于它的存在,就使一个放大器即便在没有信号输人时,在输出端也出现不规则的电压或电流变化 ·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示,它的单位为分贝(dB)

场效应管的分类和作用

场效应管的分类和作用分别是什么? 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件 概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别: 场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。 2、判定栅极

用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。 3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDS和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。 由于人体感应的50Hz交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。少数的管子RDS减小,使表针向右摆动,多数管子的RDS增大,表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何,只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS 场效应管,必须用手握住螺钉旋具绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上,将管子损坏。 MOS管每次测量完毕,G-S结电容上会充有少量电荷,建立起电压UGS,再接着测时表针可能不动,此时将G-S极间短路一下即可。 2.场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类. 3.场效应管的主要参数:

氢氧化钠安全技术说明书

氢氧化钠安全技术说明书 第一部分:化学品名称 化学品中文名称:氢氧化钠 化学品英文名称:sodiun hydroxide 中文名称2:烧碱 英文名称2:Caustic soda 技术说明书编码:813 CAS No.:1310-73-2 分子式:NaOH 分子量:40.01 第二部分:成分/组成信息 有害物成分含量CAS No.氢氧化钠≥99.5%1310-73-2 第三部分:危险性概述 健康危害:本品有强烈刺激和腐蚀性。粉尘刺激眼和呼吸道,腐蚀鼻中隔;皮肤和眼直接接触可引起灼伤;误服可造成消化道灼伤,粘膜糜烂、出血和休克。 环境危害:对水体可造成污染。 燃爆危险:本品不燃,具强腐蚀性、强刺激性,可致人体灼伤。 第四部分:急救措施 皮肤接触:立即脱去污染的衣着,用大量流动清水冲洗至少15分钟。就医。 眼睛接触:立即提起眼睑,用大量流动清水或生理盐水彻底冲洗至少15分钟。就医。 吸入:迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难,给输氧。如呼吸停止,立即进行人工呼吸。就医。 食入:用水漱口,给饮牛奶或蛋清。就医。 第五部分:消防措施 危险特性:与酸发生中和反应并放热。遇潮时对铝、锌和锡有腐蚀性,并放出易燃易爆的氢气。本品不会燃烧, 遇水和水蒸气大量放热, 形成腐蚀性溶液。具有强腐蚀性。 有害燃烧产物:可能产生有害的毒性烟雾。 灭火方法:用水、砂土扑救,但须防止物品遇水产生飞溅,造成灼伤。 第六部分:泄漏应急处理 应急处理:隔离泄漏污染区,限制出入。建议应急处理人员戴防尘面具(全面罩),穿防酸碱工作服。不要直接接触泄漏物。小量泄漏:避免扬尘,用洁净的铲子收集于干燥、洁净、有盖的容器中。也可以用大量水冲洗,洗水稀释后放入废水系统。大量泄漏:收集回收或运至废物处理场所处置。 第七部分:操作处置与储存 操作注意事项:密闭操作。操作人员必须经过专门培训,严格遵守操作规程。建议操作人员佩戴头罩型电动送风过滤式防尘呼吸器,穿橡胶耐酸碱服,戴橡胶耐酸碱手套。远离易燃、可燃物。避免产生粉尘。避免与酸类接触。搬运时要轻装轻卸,防止包装及容器损坏。配备泄漏应急处理设备。倒空的容器可能残留有害物。稀释或制备溶液时,应把碱加入水中,避免沸腾和飞溅。

场效应管的主要参数

一:场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。 夹断电压UP 它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS 开启电压UT 它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS (2)交流参数 低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 极间电容场效应管三个电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。 (3)极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时,产生雪崩击穿时的UDS。 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时,栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态,若电流过高,则产生击穿现象。 本站链接:场效应管的参数查询

二:场效应管的特点 场效应管具有放大作用,可以组成放大电路,它与双极性三极管相比具有以下特点:(1)场效应管是电压控制器件,它通过UGS来控制ID; (2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很高; (3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好; (4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数; (5)场效应管的抗辐射能力强。 三. 符号:“Q、VT” ,场效应管简称FET,是另一种半导体器件,是通过电压来控制输出电流的,是电压控制器件 场效应管分三个极:

D极为漏极(供电极) S极为源极(输出极) G极为栅极(控制极) D极和S极可互换使用 场效应管图例: 四. 场效应管的分类: 场效应管按沟道分可分为N沟道和P沟道管(在符号图中可看到中间的箭头方向不一样)。 按材料分可分为结型管和绝缘栅型管,绝缘栅型又分为耗尽型和增强型,一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管,并且大多采用增强型的N沟道,其次是增强型的P沟道,结型管和耗尽型管几乎不用。 五主板上用的场效应管的特性:

用场效应管参数大全.pdf2

用场效应管参数大全 宏瑞电子|家电维修|电子技术|家电维修技术2009-12-0620:30:24作者:zhangzi来源:文字大小:[大][中][小] 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36 2SJ117PMOS GDS音频功放开关400V2A40W 2SJ118PMOS GDS高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122PMOS GDS高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136PMOS GDS高速功放开关60V12A40W70/165nS0.3 2SJ143PMOS GDS功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172PMOS GDS激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175PMOS GDS激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177PMOS GDS激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201PMOS n 2SJ306PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30NJ SDG低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108NJ SGD音频激励开关50V1-12mA0.3W701DB 2SK118NJ SGD音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168NJ GSD高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192NJ DSG高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193NJ GSD高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214NMOS GSD高频高速开关160V0.5A30W 2SK241NMOS DSG高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304NJ GSD音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385NMOS GDS高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386NMOS GDS高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413NMOS GDS高速功放开关140V8A100W0.5(2SJ118) 2SK423NMOS SDG高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428NMOS GDS高速开关60V10A50W45/65NS0.15

片碱 MSDS报告(化学品安全技术说明书)

片碱MSDS报告(化学品安全技术说明书) 第一部分:化学品名称 化学品中文名称:氢氧化钠 化学品英文名称:sodiun hydroxide 中文名称2:烧碱 英文名称2:Caustic soda 技术说明书编码: CAS No.:1310-73-2 分子式:NaOH 分子量:40.01 第二部分:成分/组成信息 有害物成分含量CAS No. 氢氧化钠≥99.5%1310-73-2 第三部分:危险性概述 危险性类别: 侵入途径:吸入、食入 健康危害:本品有强烈刺激和腐蚀性。粉尘刺激眼和呼吸道,腐蚀鼻中隔;皮肤和眼直接接触可引起灼伤;误服可造成消化道灼伤,粘膜糜烂、出血和休克。环境危害:对水体可造成污染。 燃爆危险:本品不燃,具强腐蚀性、强刺激性,可致人体灼伤。 第四部分:急救措施 皮肤接触:立即脱去污染的衣着,用大量流动清水冲洗至少15分钟。就医。眼睛接触:立即提起眼睑,用大量流动清水或生理盐水彻底冲洗至少15分钟。就医。 吸入:迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难,给输氧。如呼吸停止,立即进行人工呼吸。就医。 食入:用水漱口,给饮牛奶或蛋清。就医。

第五部分:消防措施 危险特性:与酸发生中和反应并放热。遇潮时对铝、锌和锡有腐蚀性,并放出易燃易爆的氢气。本品不会燃烧, 遇水和水蒸气大量放热, 形成腐蚀性溶液。具有强腐蚀性。 有害燃烧产物:可能产生有害的毒性烟雾。 灭火方法:用水、砂土扑救,但须防止物品遇水产生飞溅,造成灼伤。 第六部分:泄漏应急处理 应急处理:隔离泄漏污染区,限制出入。建议应急处理人员戴防尘面具(全面罩),穿防酸碱工作服。不要直接接触泄漏物。小量泄漏:避免扬尘,用洁净的铲子收集于干燥、洁净、有盖的容器中。也可以用大量水冲洗,洗水稀释后放入废水系统。大量泄漏:收集回收或运至废物处理场所处置。 第七部分:操作处置与储存 操作注意事项:密闭操作。操作人员必须经过专门培训,严格遵守操作规程。建议操作人员佩戴防尘口罩,穿橡胶耐酸碱服,戴橡胶耐酸碱手套。远离易燃、可燃物。避免产生粉尘。避免与酸类接触。搬运时要轻装轻卸,防止包装及容器损坏。配备泄漏应急处理设备。倒空的容器可能残留有害物。稀释或制备溶液时,应把碱加入水中,避免沸腾和飞溅。 储存注意事项:储存于阴凉、干燥、通风良好的库房。远离火种、热源。库内湿度最好不大于85%。包装必须密封,切勿受潮。应与易(可)燃物、酸类等分开存放,切忌混储。储区应备有合适的材料收容泄漏物。 第八部分:接触控制/个体防护 职业接触限值 中国MAC(mg/m3):0.5 前苏联MAC(mg/m3):0.5 TLVTN:OSHA 2mg/m3 TLVWN:ACGIH 2mg/m3 监测方法:酸碱滴定法;火焰光度法 工程控制:密闭操作。提供安全淋浴和洗眼设备。 呼吸系统防护:可能接触其粉尘时,必须佩戴防尘口罩。必要时,佩戴空气呼

场效应管工作原理

场效应管工作原理 MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心,在介绍该部分工作原理之前,先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET,既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS场效应管,其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP 型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。由图可看出,对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管,其输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。

为解释MOS场效应管的工作原理,我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示,我们知道在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时,N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端,而P 型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动,从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。 对于场效应管(见图7),在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处与截止状态(图7a)。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在

IRF系列场效应管参数

IRF系列场效应管参数明细 型号厂家用途构造沟道方式v111(V) 区分ixing(A) pdpch(W) waixing IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3 IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3

新版氢氧化钠安全技术说明书

氢氧化钠安全技术说明书 第一部分化学品及企业标识 化学品中文名称:氢氧化钠 化学品英文名称:Sodiun hydroxide 企业名称: 邮编: 企业应急电话: 产品推荐及限制用途:用于肥皂工业、石油精炼、造纸、人造丝、染色、制革、医药、有机合成等。 第二部分危险性概述 GHS危险性类别:根据《化学品分类和危险性公示通则》(GB 13690-2009)及化学品分类、警示标签和警示性说明规范系列标准,该产品属于金属腐蚀物,类别1;皮肤腐蚀/刺激,类别1A;严重眼睛损伤/眼睛刺激性,类别1;呼吸或皮肤过敏,类别呼吸致敏1A;对水环境的危害,类别1。 GHS 的标签要素: 象形图: 警示词:危险 危险信息:可腐蚀金属,引起严重的皮肤灼伤和眼睛损伤,吸入可能引起过敏或哮喘症状或呼吸困难,对水生生物毒性非常大。 防范说明: 预防措施:穿橡胶耐酸碱服,戴橡胶耐酸碱手套。远离易燃、可燃物。避免与酸类、二氧化碳、过氧化物接触。密闭包装,防止破损。配备泄漏应急处理

设备。 操作后彻底清洗身体接触部位。作业场所不得进食、饮水和吸烟。禁止排入环境。 事故响应:皮肤接触:立即脱去污染的衣着,用大量流动清水冲洗至少十五分钟。就医。 眼睛接触:立即提起眼睑,用大量流动清水或生理盐水彻底冲洗至少15分钟。就医。 吸入:脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难,给输氧。如呼吸停止,立即进行人工呼吸。就医。 食入:用水漱口,给饮牛奶或蛋清。就医。 安全储存:储存于阴凉、通风良好的库房。远离火种、热源。库内湿度最好不大于85%。应与易(可)燃物、酸类、过氧化物、二氧化碳等分开存放,切忌混储。储区应备有合适的材料收容泄漏物。 废弃处置:处置前应参阅国家和地方有关法规。中和、稀释后,排入废水系统。 物理化学危险:与酸发生中和反应并放热。对铝、锌和锡有腐蚀性,并放出易燃易爆的氢气。本品不会燃烧,具有强腐蚀性。健康危害:本品有强烈刺激性和腐蚀性。刺激眼和呼吸道,腐蚀鼻中隔;皮肤和眼直接接触可引起灼伤;误服可造成消化道灼伤,粘膜糜烂、出血和休克。 环境危害:对水体可造成污染。 第三部分成分/组成信息 物质√混合物

4个场效应管的主要参数

4个场效应管的主要参数:开启电压,导通电阻跨导,栅极输入电容 网上很多给出的场效应管参数不能作为生产上用。维修还凑合。 一般工厂批量使用最起码要知道:开启电压,导通电阻,跨导和输入电容。 开启电压:有人认为单个使用时无关紧要。我们举一个例子12V供电,推动用358。358不能满幅输出一般为70%(约8V),要使场效应管完全导通,即进入电阻区。经验是开启电压加上5V。比如开启电压为3.3V,那么3.3+5=8.3V。如果358质量不好,那么场效应管不能迅速进入完全导通状态,就会发热。那么并联使用如果损坏,首先损坏开启电压低的。同理并联使用时,损坏往往是导通电阻小的,跨导大的。 还有一个误区就是认为场效应管激励不需要功率。由于制造工艺的缘故,场效应管级间都有电容存在。作为功率输出的,首先考虑是栅极与源极的输入电容。 至于激励功率计算很麻烦,经验上我们一般用简单的估算。比如栅极电容为4000P,栅极串联电阻为1000欧,如果推动级电源为12V,那么要求推动级能提供12mA电流,如果多级并联,就要乘上倍数。此时单级RC时间常数为4uS(250KHZ),如果脉冲占空比为50%,那么该时间常数,最多工作在20KHZ的频率上。如要提高工作频率就必须减小栅极串联电阻,势必就要要推动级有足够的推动功率。这是一个矛盾,最好用示波器都兼顾一下。对于集成电路作为推动级的,一定要知道该电路最大输出电压,以及最大提供的电流。比如358就不可能输出12mA电流。 当然重要了.一般功率场效应管的开启电压(也称阈值电压)在4-6V左右,但这样的电压不足以使场效应管完全导通,也就是不能进入开关状态.要使功率场效应管进入开关状态,加在 栅极上的电压必须大于10V, 最好12V-15V之间.再有,栅极电压不能很高,一般是正30V-负30V,超过这个限度,功率场效应管会损坏.具体的参数可以查各个公司的DATASHEET. 回复2帖

常用场效应管参数大全 (2)

型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3

氢氧化钠溶液安全技术说明书

氢氧化钠溶液安全技术说明书 第一部分化学品及企业标识 化学品中文名:30%氢氧化钠溶液 化学品俗名或商品名:30%液碱 化学品英文名:Sodium hydroxide;Caustic soda 技术说明书编码:TTSX003 第二部分成分/组分信息 纯品混合物 化学品名称:氢氧化钠溶液 有害成分浓度CAS No. 氢氧化钠30% 1310-73-2 第三部分危险性概述 危险性类别:第8.2类碱性腐蚀品 侵入途径:吸入、食入 健康危害:本品有强烈刺激和腐蚀性。腐蚀鼻中隔;直接接触皮肤和眼可引起灼伤;误服可造成消化道灼伤,粘膜糜烂、出血和休克。环境危害:对水体可造成污染。 燃爆危险:本品不燃,具强腐蚀性、强刺激性,可致人体灼伤。 第四部分急救措施 皮肤接触:立即脱去污染的衣着,用大量流动清水冲洗至少15分钟就医。 眼睛接触:立即提起眼睑,用大量就动清水或生理盐水彻底冲洗至少15分钟。就医。 吸入:迅速脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道通畅。如呼吸困难,给输氧。如呼吸停止,立即进行人工呼吸。就医。 食入:用水漱口,给饮牛奶或蛋清。就医。

第五部分消防措施 危险特性:与酸发生中和反应并放热。具有强腐蚀性。 有害燃烧产物:可能产生有害的毒性烟雾。 灭火方法及灭火剂:本品不燃,由其它物质引起火灾时,应注意该物质的腐蚀性。 灭火注意事项:消防人员应穿防酸碱消防服。 第六部分泄漏应急处理 应急处理:隔离泄漏污染区,限制出入。液碱泄漏:收集回收后用水冲洗,冲洗水经中和处理后排入废系统。 消除方法:加入大量水中,调节至中性,再放入废水系统。也可用大量水冲洗,经稀释的洗水放入废水系统。如大量泄漏,收集回收或无害处理后废弃。 第七部分操作处理与储存 操作注意事项:操作人员必须经过专门培训持证上岗,严格遵守 工艺规程和岗位操作法。操作人员穿耐酸碱服,戴耐酸碱手套, 戴防护眼镜。避免与酸类接触。搬运时要轻装轻卸,防止包装及 容器损坏。配备泄漏应急处理设备。应当注意倒空容器内的残留 物。稀释或制备溶液时,应把碱加入水中,避免沸腾和飞溅。 储存注意事项:液碱贮槽应设围堤,并有明显标志。 第八部分暴露控制/个体防护 最高容许浓度:中国MAC(mg/m3):0.5 前苏联MAC(mg/m3):0.5 美国TLV—TWA:OSHA 2 mg/m3 美国TLV—STEL:ACGIH 2mg/m3 监测方法:重量法 工程控制:密闭操作。提供安全淋浴和洗眼设备。 呼吸系统防护:穿耐酸碱服,戴耐酸碱手套,戴防护眼镜。必要时,佩戴空气(氧气)呼吸器。 眼睛防护:呼吸系统防护中已作防护或佩戴防护眼镜。 身体防护:穿耐酸碱服。

相关主题
相关文档 最新文档