CURRENT REGULATIVE DIODE
应用描述:
恒流二极管（电流调节二极管）
、限流二极管比基于晶 Current Regulative Diode / (CLD),体管的传统电流源更为简单，因此有着明显的优势。可用于稳定和限制电流，是一种能CRD 为电路提供持续电流的二极管即使出现电源电压供应不稳定或是负载电阻变化很大的情况,,都能确保电路电流稳定。主要应用在低功率方面，如电话线路电路模块、手持设备和单芯IC 片或板的某些部分。PC
目前在照明行业，用于稳定电流，大部分是用恒流源，而恒流源的价格高，体积 LED 大，不太适用在精密小巧的灯。恒流二极管和恒流三极管是近年来问世的半导体恒流器LED 件，而恒流三极管又是在恒流二极管的基础上发展而成的。它们都能在很宽的电压范围内输出恒定的电流，并具有很高的动态阻抗。由于它们的恒流性能好、价格较低、使用简便，因此目前已被广泛用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器、传感器、照明的保护电路LED 中。
恒流二极管有系列，系列，系列产品规格。
S E L 恒流二极管有五种封装提供选择，贴片式：，直插式： SOD-123 SOT-89-3L TO-252-2L 。可以按使用要求提供定制。
TO-92-2L TO-251-3L CRD
Current Regulative Diode
恒流二极管
Limiting Current Limiting current ratio Temperature Marking
Rating power Rated voltage
Reverse current
Operating temp 500mW
100V(101-562), 70V(822-183), 70V(1822-3945)50mA
～℃
-40+150CRD is diode which supplies constant current to
an electric circuit,even when power supply voltage fluctuations or load impedance fluctuations occur.CRD is used for current stabilization and current limiting.
Explanation of terms
Ip:Pinch-off current at 10V Vk:Voltage which produces 0.8Ip or greater current VB:Breakdown voltage
IR:Permitted reverse current
Basic characteristics
Part No.Pinch-Off Current
Test Voltage 10V
Limiting Current
Limiting
current ratio
Marking
SOT-89-3L TO-252-2L TO-251-3L
（）
IP mA
min-max(typ)
Vk
（）
V
Ik
（）
mA
I /I
30V P
L-562L-562L-562 5.00-6.50 (5.60) 3.50.8Ipmin max.1.1L-562 L-822L-822L-822 6.56-9.84 (8.20) 3.50.8Ipmin max.1.1L-822 L-103L-103L-1038.00-12.0 (10.0) 3.50.8Ipmin max.1.1L-103 L-123L-123L-1239.60-14.4 (12.0) 3.50.8Ipmin max.1.1L-123 L-153L-153L-15312.0-18.0 (15.0) 3.50.8Ipmin max.1.1L-153 L-183L-183L-18316.0-20.0 (18.0) 4.00.8Ipmin max.1.1L-183 L-1822L-1822L-182218.0~22.0 (20.0) 4.00.8Ipmin max.1.1L-1822 L-2227L-2227L-222722.0~27.0 (25.0) 4.00.8Ipmin max.1.1L-2227 L-2733L-2733L-273327.0~33.0 (30.0) 4.50.8Ipmin max.1.1L-2733 L-3339L-3339L-333933.0-39.0(36.0) 4.50.8Ipmin max.1.1L-3339 L-3945L-3945L-394539.0-45.0(42.0) 4.50.8Ipmin max.1.1
L-3945 Part No.
SOT-89-3L TO-252-2L TO-251-3L
Rated voltage
(V)
Rating power(mW)
L-56210001500150070
L-82210001500150070
L-10310001500150070
L-12310001500150070
L-15310001500150070
L-18310001500150070
L-182210001500150070
L-222710001500150070
L-273310001500150070
L-333910001500150070
L-394510001500150070
CURRENT REGULATIVE DIODE L series
Explanation of terms
Ip:Pinch-off current at 10V
Vk:Voltage which produces
0.8Ip or greater current
VB:Breakdown voltage
IR:Permitted reverse current
CURRENT REGULATIVE DIODE L series
CURRENT REGULATIVE DIODE L series
CURRENT REGULATIVE DIODE L series
TO-252-2L Marking
CURRENT REGULATIVE DIODE L series
DANDONG HUAAO ELECTRONICS CO.,LTD
Address: Taoyuan Street 64# Dandong City Liaoning Province, China Contact: Chen Xiaoling Mobile: +86-139******** Tel: +86-0415-******* Fax: +86-0415-*******
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莱士LIS85126W80mA全电压隔离LED驱动方案 以下方案参数，为典型应用，仅供参考使用，用户需根据实际使用环境进行验证（INPUT:AC90V/60HZ-AC264V/50HZ;建议工作电压 AC100V/60HZ-AC264V/50HZ；OUTPUT:DC75V/80mA） 一：原理图: 二：物料表: No.Designator Description QTY 1R1,R2SMD RES1206150KΩ±5%2 2R3SMD RES12063R0±1%1 3R4SMD RES120668K±1%1 4C1EC 6.8uF/400V105℃?8X12mm1 5C2SMD Capacitor0805X7R/1uF/50V1 6C3EC47uF/100V105℃?8X12mm1 7D1-D4SMD二极管M74 8D5HER1031 9T1EE-134+2PIN立式1 10IC1LIS8512SOP-81 11CY1Y电容222M/250-400VAC P=7.5mm安规1 12PCB FR4双面板17.2*37mm 1.2mm厚1 三：变压器资料 1)骨架:EE-13(4+2Pin立式) 2)磁芯材质:PC40(TDK) 3)原边电感量(Pin4-1)=2.0mH±5%(50KHz,1V,25℃)
步骤层数脚位线径匝数绕线方向1P14脚—〉2脚Φ0.15mm*1漆包线82T密绕2层顺时针2绝缘胶带――Tape2T 3S15脚―〉8脚Φ0.17mm*1漆包线147T密绕4层，顺时针4绝缘胶带――Tape2T 5P22脚—〉1脚Φ0.15mm*1漆包线80T密绕2层顺时针6绝缘胶带――Tape3T 1：说明 1）绕线图中表示同名端；表示起绕点。 2）Φ0.15mm*1表示1根Φ015mm漆包线并绕；Φ0.17mm*1表示1根Φ0.17mm漆包线并绕。 当绕线方式为逆时针绕法时，将骨架相对于顺时针时旋转180度，转轴绕线方向不变。（不要随意改动，以免影响电性。） 注意事项 1）所有绕线均为铜线，绕线时应均匀密绕。 2）所有产品应真空含浸，要求全检，确保品质。 3）PIN3需去掉 四：PCB图档
恒流源是电路中广泛使用的一个组件，这里我整理一下比较常见的恒流源的结构和特点。 恒流源分为流出(Current Source)和流入(Current Sink)两种形式。 最简单的恒流源，就是用一只恒流二极管。实际上，恒流二极管的应用是比较少的，除了因为恒流二极管的恒流特性并不是非常好之外，电流规格比较少，价格比较贵也是重要原因。 最常用的简易恒流源如 图(1) 所示，用两只同型三极管，利用三极管相对稳定的be电压作为基准， 电流数值为：I = Vbe/R1。 这种恒流源优点是简单易行，而且电流的数值可以自由控制，也没有使用特殊的元件，有利于降低产品的成本。缺点是不同型号的管子，其be电压不是一个固定值，即使是相同型号，也有一定的个体差异。同时不同的工作电流下，这个电压也会有一定的波动。因此不适合精密的恒流需求。 为了能够精确输出电流，通常使用一个运放作为反馈，同时使用场效应管避免三极管的be电流导致的误差。典型的运放恒流源如图(2)所示，如果电流不需要特别精确，其中的场效应管也可以用三极管代替。 电流计算公式为： I = Vin/R1
这个电路可以认为是恒流源的标准电路，除了足够的精度和可调性之外，使用的元件也都是很普遍的，易于搭建和调试。只不过其中的Vin还需要用户额外提供。 从以上两个电路可以看出，恒流源有个定式（寒，“定式”好像是围棋术语XD），就是利用一个电压基准，在电阻上形成固定电流。有了这个定式，恒流源的搭建就可以扩展到所有可以提供这个“电压基准”的器件上。 最简单的电压基准，就是稳压二极管，利用稳压二极管和一只三极管，可以搭建一个更简易的恒流源。如图(3)所示： 电流计算公式为：I = (Vd-Vbe)/R1 TL431是另外一个常用的电压基准，利用TL431搭建的恒流源如图(4)所示，其
4K拼接驱动板规格书 （产品型号:ST3840 PLUS） 文件编号：N0?20160510004 版本信息：Verl. 0 ________ 编制：___________________ 审核：___________________ 批准：___________________ 发布日期：2016-05-10 此文件中包含的所有信息内容最终解释权归SHENGXIAN科技有限公司，所有未经授权和允许的复制都是不被认可和应被禁止的匚
版本变更记录
目录 一、前言 (4) 二、注意事项 (5) 三、安全使用说明 (5) 四、功能说明 (5) 五、附录： (13)
一、前言 欢迎选用我公司产品，感谢您对我公司产品的支持！为了您能更好的使用木产品，使用前请仔细阅读木手册。 ST3840 PLUS液晶图像拼接处理器是我公司大屏幕拼接产品家族中的一员，采用独特的嵌入式结构设计，可接受各种图像信号源输入，直接驱动全系列的大尺寸4K VBY1 60HZ液晶屏（26寸以上），并经分割、放大后, 实时无失真地在各种大屏幕图像拼接墙体上显示。处理过程完全硬件化, 不需要电脑和启动软件等操作，非常简便。画而无延时,无拖尾现象，自然流畅，画质细腻，最大支持15x15的液晶屏拼接。 ST3840 PLUS液晶图像拼接处理器采用了运动侦测与补偿运算、内插运算、边缘平滑处理及杂波信号抑制等尖端处理技术，其3D视频亮色分离电路单元，3D的逐行处理及帧频归一转化电路单元，3D数字信号降噪单元，可将普通PAL/NTSC隔行扫描视频信号采集变为逐行扫描的，高画质、高分辨率的高清电视和计算机图像信号。 ST3840 PLUS液晶图像拼接处理器支持计算机图像信号输入及其显示，可实现最高达3840x2160超高分辨率UHD输出，支持全系列的大尺寸液晶屏。 ST3840 PLUS系列处理器可以支持多路不同的视频源，同时显示在不同的屏幕上，使用者也可选择一路视频源或HDMI、DVI、RGB信号放大至原始图像的\XM倍，在由显示单元组成的墙体上实现大屏幕拼接显示。
珠海市宏科光电子有限公司
产品规格书
样品单号：XY1704008
客户名称: 产品型号: HK-XB002ST12E-30(E2)
地址：珠海市金鼎镇拱星路 102 号 电话：+86-756-3382828/3810386 E-mail:sales@https://www.doczj.com/doc/9b4374274.html, 传真：+86-756-3380859 https://www.doczj.com/doc/9b4374274.html,
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珠海市宏科光电子有限公司
■ 产品特点 1、可自由搭配和组合，组装方便 2、可靠性高，无闪灯，无斑块 3、高显指高光效，低热阻 4、散热好寿命长 5、节能环保
■ 产品应用 主要应用于 LED 射灯、LED 筒灯、LED 轨道灯、LED 舞台灯、LED 球泡灯、 LED 景观灯等家居及高空照明场所.
宏科 COB 光源是一款革命性、高效能，使用安装方便，降低灯具安装成 本、性能稳定的光源。COB 光源具有低运行温度、提高产品功率密度和可靠 性，延长光源使用寿命。为中功率集成封装低热阻,具有高光通量，高显色 性，高光效利用率等特性。
2
珠海市宏科光电子有限公司
■ 产品命名规则
产品系列：XB Series 承认日期：2018.05.04 版 本：1.0Page B 002 S T 12 E 30 (E2)
HK - X
注：1、显指代码 CIR
B:70 以下
C=70
E=80
G=90
H=95
2、色温代码: 27=2700K 30=3000K
40=4000K ……
3、发光颜色: W:白色(5000K 以上), N:中性白(3800K-5000K), S:暖白(3800K 以下) 4、封装工艺: B:常规耐温工艺 P:快速热疏通工艺 T:超高耐温工艺 C.专属光色工艺
3
6种最常用恒流源电路的分析与比较 恒流电路有很多场合不仅需要场合输出阻抗为零的恒流源，也需要输入阻抗为无限大的恒流源，以下是几种单极性恒流电路： 类型1： 特征：使用运放，高精度 输出电流：Iout=Vref/Rs
类型2： 特征：使用并联稳压器，简单且高精度 输出电流：Iout=Vref/Rs 检测电压：根据Vref不同（1.25V或2.5V） 类型3： 特征：使用晶体管，简单，低精度 输出电流：Iout=Vbe/Rs 检测电压：约0.6V
类型4： 特征：减少类型3的Vbe的温度变化，低、中等精度，低电压检测 输出电流：Iout=Vref/Rs 检测电压：约0.1V～0.6V
类型5： 特征：使用JEFT，超低噪声 输出电流：由JEFT决定 检测电压：与JEFT有关 其中类型1为基本电路，工作时，输入电压Vref与输出电流成比例的检测电压 Vs(Vs=Rs×Iout)相等，如图5所示， 图5 注：Is=IB+Iout=Iout(1+1/h FE)其中1/h FE为误差 若输出级使用晶体管则电流检测时会产生基极电流分量这一误差，当这种情况不允许时，可采用图6所示那样采用FET管
图6 Is=Iout-I G 类型2，这是使用运放与Vref（2.5V）一体化的并联稳压器电路，由于这种电路的Vref高达2.5V，所以电源利用范围较窄 类型3，这是用晶体管代替运放的电路，由于使用晶体管的Vbe（约0.6V）替代Vref的电路，因此，Vbe的温度变化毫无改变地呈现在输出中，从而的不到期望的精度 类型4，这是利用对管补偿Vbe随温度变化的电路，由于检测电压也低于0.1V左右，应此，电源利用范围很宽 类型5，这是利用J-FET的电路，改变R gs 可使输出电流达到漏极饱和电流I DSS，由于噪声也很小，因此，在噪声成为问题时使用这种电路也有一定价值，在该电路中不接R GS，则电流值变成I DSS，这样，J-FET接成二极管形式就变成了“恒流二极管” 以上电路都是电流吸收型电路，但除了类型2以外，若改变Vref极性与使用的半导体元件，则可以变成电流吐出型电路。
3.5央寸显示屏驱动板技术说明 .系统规格: 输入电源：USB接口DC5V，内置电池供电 驱动显示屏： 3.5英寸TFT显示屏320*240像素（具体型号由乙方来推荐，甲方来确认的。）USB 接口：MINI USB 接口1.1 信号输入输出接口：AV输入（指定摄像头信号）/ AV输出与摄像头同制式 充电接口：锂聚合物充电电池（3.7V ）,支持给电池充电。 储存媒介：SD卡（最大容量4G ） 压缩格式：MPEG4 图像存储格式：JPEJ(640*480) 视频录制格式：ASF(320*240) 语言：英语+（任意一种语言） 工作温度：-10-70 度。 充电环境温度：0-40 度 .驱动板结构: 尺寸：105*75MM 接口：（以下接口由甲方提供结构尺寸或者模具，参考板。）
1 : SD存储卡接口； 2 :充电接口，给3.7V锂电池充电。（外接口，和手机充电接口一样） 3 :电源开关（用逻辑电平控制），电源开关与手机模式一样（常按键5秒开机），电源 开关要切断总电源，或者打开总电源。（6*6的按纽开关键，） 4 :供电接口，3.7V锂电池供电接口。（这个接口是电源座，把 3.7V的锂电池接到驱动板上，电源座子是3针，1.25，锂电池连同摄像头一起给你）。 5 : USB接口。与电脑连接，可以直接读取SD卡信息，也可给锂电池充电。 6 : AV输出口，由我CMOS摄像头输入的AV信号，可以直接连接其它显示器上的。例 如电视。（样板上已经有了） 7 : AV输入口视频/电源接口。（2.54间距，5针插头。） 由我CMOS模组提供的AV（模拟信号）。电源接口是提供我CMOS驱动板的3.3V电 源。（总电流连同LED灯80-100mA ） 8 :按键接口，数字按钮，低电平触发。（按钮我CMOS驱动板已经做好了，不需要确 定，只需要接口就可以，后一个没有器件的样板上有接口，接口按键是0电平有触发,） 线路板背面需要一个系统复位按钮，具体位置与样板相同。 长按电源按钮3-5秒开机，操作完毕后，长按3-5秒，关机。 开机显示公司商标信息，图片，开机后处于预览模式中。（商标信息随后给你） 9 : 3.5寸屏接口。（请注意液晶屏摆放位置，方向） 10 : SD卡接口，USB接口，AV输出接口，充电接口的位置以及线路板大小，厚度， 定位螺丝孔位置均参照甲方所提供的样品。
LED 投光灯规格书 客户代码: 品名: LED 150W投光灯 规格: L425 * W325 * H190 mm 送样日期: 2014年6月30日 本厂型号: HTG06150 档案号: 送样数量: 承认书份数: 1份 一.产品材质： 高纯度铝制反射器，灯壳及散热体；高强度钢化玻璃罩；大功率LED 光源；搭配高效率恒流电源. 二.适用场所： 主要用于户外投光照明、建筑物外墙、港口码头等，户外广告。厂区、体育馆、停车场、广场、码头、工地、广告牌、桥梁、江河堤岸、园林、景观、庭院、草坪、池塘以及其他夜景亮化、照明的场所。 三、特点： 1.采用集成大功率LED（50W）作为光源。运用独特的多颗芯片集成式单模组光源设计，选用进口高亮度半 导体晶片。 2.散热器与灯壳一体化设计，LED 直接与外壳紧密相接，通过外壳散热翼与空气对流散热，充分保证了LED 灯的使用寿命。 3.灯壳采用铝合金压铸成型，可以有效的散热和防水、防尘。灯具表面进行了耐紫外线抗腐蚀处理，整体 灯具达到P65 标准。 4.采用单体椭圆反射腔配合球状弧面来设计，针对性地将LED 发出的光控制在需要的范围内，提高了灯具 出光效果的均匀性和光能的利用率，更能凸显LED泛光灯节能优点。与传统的纳灯相比，可节电70%以上. 5.无不良眩光、无频闪。消除了普通灯不良眩光引起的刺眼、视觉疲劳与视线干扰。 6.启动无延时，通电即亮，无需等待，消除了传统灯具长时间的启动过程。 7.绿色环保无污染，不含铅、汞等污染元素，对环境没有任何污染。
四、投光灯技术参数 五、使用说明 1.产品使用工作电压：AC 85V～265V 50/60Hz。勿超出工作电压范围。 2.贮存环境温度-50℃～+50℃.工作环境温度：-40℃～+50C℃，最佳工作环境温度为-0℃～+30℃。 3.由于灯具有玻璃配件，在搬运，贮存的时候请注意轻拿轻放，勿重压。
WMZD系列专门为LED照明做温度补偿的电阻，采用热敏电阻补偿法的LED恒流源，具有电路简洁，可靠性好,组合方便，经济实用，适用各种LED头灯，日光灯，路灯；车船灯,太阳能LED庭院灯；LED显示屏等对恒流的需求。是专门针对LED照明出现的由于温度引起的LED PN结电压VF下降，即-2mV/℃,称为PN结的负温效应。该特性在发光应用上是个致命的缺陷，直接影响到LED器件的发光效率、发光亮度、发光色度。比如，常温25℃时LED最佳工作电流20mA，当环境温度升高到85℃时，PN结电压VF下降,工作电流急剧增加到35mA～37mA,此时电流的增加并不会产生亮度的增加，称为亮度饱和。更为严重的是，温度的上升，引起光谱波长的偏移，造成色差。如长时工作在此高温区还将引起器件老化，发光亮度逐步衰减。同样，当环境温度下降至-40℃时，结电压VF上升，最佳工作电流将从20mA减小到8mA~10mA，发光亮度也随电流的减少而降低，达不到应用场所所需的照度。 为了避免上述特性带来的不足，一般在LED灯的相关产品上，通常采用如下措施：1.将LED装在散热板上，或风机风冷降温。2.LED采用恒流源的供电方式，不因LED随温度上升引起使回生电流增加，防止PN结恶性升温。或这两种方法并用。实践证明，这两种方法用于大功率LED灯（如广告背景灯、街灯）。确实是行之有效的措施。但当LED灯进入寻常百姓家就碰到如下问题了：散热板和风冷能否集成在一个普通灯头的空间内；采用集成电路或诸多元器件组成的恒流源电路，它的寿命不取于LED，而取决整个系统的某块“短板”；有没有吸引眼球的价格。用热敏电阻补偿法来解决LED恒流源问题，既经济又实用。 我公司采用具有正温度系数的热敏电阻(+2mV/℃)与负温度特性的LED(-2mV/℃)串联，互补成一个温度系数极小电阻型负载。一旦工作电压确定后，串联回路中的电流，将不会随温度变化而变化，通俗地讲，当LED随温度升高电流增加时，热敏电阻也随温度升高电阻变大，阻止了回路电流上升，当LED随温度下降电流减小时，热敏电阻也随温度下降电阻变小，阻止了回路电流的减少，如匹配得当，当环境温度在-40℃-85℃范围内变化时，LED的最佳工作电流不会明显变化，见图1电流曲线Ⅱ。 2:应用: 从图1可见，采用热敏电阻温度补偿方法与采用集成电路等元件组成的恒源相比，热敏电阻温度补偿法只用1个热敏电阻元件就可解决LED恒流源问题，其价格、体积、寿命等优势不言而喻。我们采用的这种正温度热敏电阻WMZD，专为LED应用而研制的，其常用规格见表1，下面介绍一下该热敏电阻的应用特性。 20mA LED恒流源WMZD-5A20的应用 我们可以用1只WMZD-5A20与5只LED（20mA）串联组成一个标准单元，它的LED恒流源电流20mA，工作电压U=3V+5×3.4V=20.0V。3V是WMZD-A20电阻压降，3.4V是LED的正向导通电压(或2.8V~4.2V),它的恒流特性见图1中的电流曲线II。
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 （他们恢复时间都是很快的）： 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V）(此处为什么不提是什么材料？)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）（用这个方法可以判断出该器件）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！ 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 想问一下，为何会有反向恢复时间
肖特基二极管简介 肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 Schottky diode (SBD) is the Schottky barrier diode , is the inventor of the Schottky named semiconductor device. Schottky barrier diode is a low power, high current, super high speed semiconductor devices, instead of using P type semiconductor and the n-type semiconductor contact formation PN junction theory to make, but the use of metal semiconductor contact formation of metal semiconductor junction with the principle of making the. Therefore, SBD is also known as a metal semiconductor (contact) diode or a surface barrier diode, which is a hot carrier diode. 肖特基二极管是半导体器件，以其发明人博士（1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。 SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
目录 一、概述 二、主要特性 三、A/D驱动板外观图 四、VGA预设支持模式表 五、输入/输出接口定义及接口电气要求 六、主板结构与尺寸 七、运输，存储，使用要求
一、功能概述 JRY1A31液晶显示器控制板卡(支持1440*900及以下分辨率TFT Panel,主芯片用TSUM1PFR-LF或TSUM1PLR-LF。) 它完成从PC输出的VGA模拟信号到液晶模块能够支持的LVDS 信号的转换，该设计主要用于配接TFT LCD PANEL，该产品适用于1440*900及以下分辨率8-BIT和6-BIT屏，实现模拟R、G、B输入和输出，实现最高分辨率可达UXGA的模拟R、G、B输入信号的再现，色彩再现可支持到24bit,最高可达16.7百万像素,ADC 频率达165MHz,并具有去抖动，降躁，锐度增强等特殊功能，使色彩再现更逼真、更鲜艳、更生动。可实现同步自动检测。同步方式要求使用行场分离的同步信号；具有精美的OSD界面风格，7种可供选择的OSD语言。 软件支持16:10与4:3显示模式的切换功能，此功能为玩游戏的用户提供了很大的方便，主板上的软件支持在线更新，本产品支持VGA功能，最大输出分辨率支持1440*900。 非另有说明，产品所符合规范在本文档内描述。
二、主要特性 控制板支持规格： 输入信号：模拟RGB(0.7Vp-p)，行场分离同步信号支持模式：DOS，VGA，SVGA，XGA，SXGA，WXGA, 色彩：18bit/24bit (根据屏参数可选择) 行同步范围：31.5-80KHz 场同步范围：60-75Hz 输出信号：LVDS 标准 控制按键：POWER、LEFT、RIGHT、AUTO、MENU、UP、DOWN、7键（可根据客户要求，通过软件更改成5键或6键） OSD 菜单：亮度，对比度，自动校正，相位，时钟，行场位置，功能设置，复位等目前国际流行标准功能 OSD 语言：English,Espanlo,Francais,Deutsch，中文，韩语等多国语言 程序升级: 支持VGA在线升级 电源输入：此板配内置二合一电源板，5.0 VDC（+/-0.2V） 电源操作：正常工作模式，低功耗模式 待机功耗：＜1.0W PCB尺寸：62mm(L)×62mm(W)×1.2mm(H) 即插即用：支持 配接 TFT LCD PANEL 类型可支持AU,SAMSUNG，CPT，SHARP，CHIMEI，HUAMMSTAR，TOSHIBA ,LG-Philips 等等厂家的19英寸及其以下的大多数型号的数字TFT LCD，具体可能需要对 LCD接口电缆和软件做一定修改。
全球LED驱动集萃 目录 台湾地区部分： (3) 点晶科技股份有限公司 (3) 台湾聚积科技公司 (3) 台湾广鹏（富晶）科技公司 (4) 台湾台晶科技 (4) 台湾易亨电子公司 (4) 台湾圆创科技股份有限公司 (4) 台湾晶锜科技公司 (5) 天鈺科技股份有限公司 (5) 台湾飞虹积体电路有限公司 (5) 台湾芯瑞科技股份有限公司 (5) 台湾茂达电子公司 (5) 日本部分： (5) 东芝公司 (5) 松下电器产业株式会社半导体社 (6) 美国部分： (6) IR国际整流器公司 (6) ON安森美半导体 (6) 美国超科公司(S UPERTEX) (6) TI美国德州仪器公司屏幕驱动部分 (7) TI美国德州仪器公司白光LED驱动器 (7) 美国美信集成产品公司白光LED驱动器 (8) 美国美信集成产品公司高亮度LED驱动器 (8) 美国国家半导体公司新产品: (9) 美国国家半导体公司白色LED低功率驱动部分 (9) 美国国家半导体公司照明管理单元（LMU） (10) 美国凌特公司白光背光及背光指示部分： (11) 美国凌特公司全彩背光部分： (11) 美国凌特公司大电流驱动及LED闪光灯部分： (12) 飞兆半导体公司 (12) ADI美国模拟器件公司 (13) 美国SIPEX公司 (13) 美国PI(P OWER I NTEGRATIONS)公司 (13) 美国PI(P OWER I NTEGRATIONS)公司数据手册 (13) 美国PI(P OWER I NTEGRATIONS)公司IC产品系列参考 (13) 美国加州Z YWYN 公司(美商齐荣)小屏背光部分 (14) 美国加州Z YWYN 公司(美商齐荣)大尺寸嵌入式背光部分 (14)
肖特基二极管 简介 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度
高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 优点 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS 体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。 结构 新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N 型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N＋衬底上外延一高阻N－薄层。其结构示图如图1（a），图形符号和等效电路分别如图1（b）和图1（c）所示。在图1（c）中，CP是管壳
4K拼接驱动板规格书 (产品型号：ST3840 PLUS) 文件编号： NO.20160510004 版本信息： Ver1.0 编制： 审核： 批准： 发布日期： 2016-05-10 此文件中包含的所有信息内容最终解释权归SHENGXIAN科技有限公司，所有未经授权和允许的复制都是不被认可和应被禁止的。
版本变更记录
目录 一、前言 (4) 二、注意事项 (5) 三、安全使用说明 (5) 四、功能说明 (5) 五、附录： (13)
一、前言 欢迎选用我公司产品，感谢您对我公司产品的支持！为了您能更好的使用本产品，使用前请仔细阅读本手册。 ST3840 PLUS液晶图像拼接处理器是我公司大屏幕拼接产品家族中的一员，采用独特的嵌入式结构设计，可接受各种图像信号源输入，直接驱动全系列的大尺寸4K VBY1 60HZ液晶屏(26寸以上),并经分割、放大后，实时无失真地在各种大屏幕图像拼接墙体上显示。处理过程完全硬件化, 不需要电脑和启动软件等操作,非常简便。画面无延时,无拖尾现象, 自然流畅,画质细腻，最大支持15x15的液晶屏拼接。 ST3840 PLUS液晶图像拼接处理器采用了运动侦测与补偿运算、内插运算、边缘平滑处理及杂波信号抑制等尖端处理技术，其3D视频亮色分离电路单元, 3D的逐行处理及帧频归一转化电路单元, 3D数字信号降噪单元,可将普通PAL/NTSC 隔行扫描视频信号采集变为逐行扫描的，高画质、高分辨率的高清电视和计算机图像信号。 ST3840 PLUS液晶图像拼接处理器支持计算机图像信号输入及其显示，可实现最高达3840x2160超高分辨率UHD输出，支持全系列的大尺寸液晶屏。 ST3840 PLUS系列处理器可以支持多路不同的视频源，同时显示在不同的屏幕上，使用者也可选择一路视频源或HDMI、DVI、RGB信号放大至原始图像的N×M倍，在由显示单元组成的墙体上实现大屏幕拼接显示。
发光二极管产品规格书 发光二极管产品规格书 型号 : H2B01ARD04 注意谨防静电! 制作核准顾客 Page 1 of 4 Created with novaPDF Printer (https://www.doczj.com/doc/9b4374274.html,). Please register to remove this message. H2B01ARD04 文件编号: BF-2005-03-040 产品特征 直径为3mm圆型 高亮红色,低功耗 外观为有色散射 产品应用 各类仪表指示光源 小区域 产品外型图 注: 所有的尺寸单位为毫米(mm),公差为 0.20mm 产品指南 光强Iv(mcd)@20mA 型号发光颜色芯片材料胶体颜色 Min. Typ. Max. 半功率角度 2θ1/2 H2B01ARD04 红色 ALGaAs 有色散射 40 60 --- 60 注: 中心轴亮度50%时单边的发光角度为θ1/2, 2θ1/2=θ1/2+θ1/2 Page 2 of 4 Created with novaPDF Printer (https://www.doczj.com/doc/9b4374274.html,). Please register to remove this message. H2B01ARD04 文件编号: BF-2005-03-040 最大限度性能参数(Ta=25℃) 项目符号最大限度单位 功率消耗 PD 80 mW 峰值正向电流 1/10占空比 0.1ms 脉宽 IFP 100 mA 正向电流 IF 20 mA 反向电压 VR 5 V 工作温度 Topr -25℃～+80℃ 储存温度 Tstg -25℃～+100℃ 焊接温度Tsol 260℃下5秒
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格一般规定................................................. ..........................23.技术文件及清单................................................. ..............................34.设备的备品备件及专用工具、仪表 (4) 5.技术服务与培训................................................. ..............................56.试验、检验、验收................................................. ..........................77.质量保证................................................. ..........................................88.标志、铭牌、包装、运输、储存................................................. ...99.供货保证................................................. ........................................1110.附则................................................. . (11) 第二节共同条
肖特基二极管 肖特基势垒二极管SBD（SchottkyBarrierDiode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 一、肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的
接触电阻。通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就增加。 综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。 二、肖特基二极管的结构 肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成，如图4-44所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
Top View LEDs 45-21SCUM2C/L1720NE6/TR8-T Features ?Top view white LED ?High luminous flux output ?High current capability ?White package ?Wide viewing angle ?Pb-free ?ESD protection ?The product itself will remain within RoHS compliant version. Descriptions ?Due to the package design, 45-21Shas wide viewing angle, and white LEDs are devices which are materialized by combing blue chip and special phosphor. This feature makes the LED ideal for light guide application. Applications ?Backlight for LCD Monitor/TV ?Light pipe application ?Indicator and backlight in office and family equipment ?General use Device Selection Guide Chip Emitted Color Resin Color Material InGaN Cold White Water Clear
肖特基（SCHOTTKY）系列二极管 本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。 本文主要包括下面六个部分： 一．肖特基二极管简介 二．我所肖特基二极管生产状况 三．我所肖特基二极管种类 四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析 五．介绍我所生产的两种肖特基二极管 (1)2DK030高可靠肖特基二极管 (2)1N60超高速肖特基二极管 六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用 下面只对部分常用的参数加以说明 (1) V F正向压降Forward Voltage Drop (2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop (3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage (4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage (5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak Reverse Voltage (6) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage (7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time
(8) I F(AV)正向电流Forward Current (9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward Surge Current (10) I R反向电流Reverse Current (11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature (12) T J工作结温Operating Junction Temperature (13) T STG储存温度Storage Temperature Range (16) T C管子壳温Case Temperature 一．肖特基二极管简介： 同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。不同的是，普通二极管的工作是利用半导体PN结的单向导电特性，而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用，它是以多数载流子工作的整流器件，因而在开关时没有少数载流子的存储电荷和移动效应。所以，肖特基二极管的开关速度非常快，反向恢复时间t rr很短(小于几十ns)；同时，其正向压降V F较小，尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路，具有较高的整流效率和可靠性。但肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压V R较低，一般只有100V左右；二是反向漏电流I R较大。但随着半导体技术的不断发展，V R已超过100V，如我所生产的2DK10140，V R为140V；I R也达到μA级，已接近普通硅管的水平。 二．我所肖特基二极管的生产状况： 我所研制和生产肖特基二极管已有十余年的历史, 并为重要军工项目成功地提供了许多种类的肖特基产品。目前济半所的肖特基二极管在种类和产量上均据国内第一位，产品畅销国内外。近年来，为了最大程度地满足军工配套的各种需求，扩大产量，面向国内外两大市场，我们对原肖特基二极管生产线实施了技术改造，引进了许多关键设备和工艺技术，突破了许多技术难点，使产品的成品率、电参数性能以及可靠性均有大幅度的提高，品种及封装形式已形成系列化。在产品的研制、生产、检验过程中，我们严格按照军用标准和ISO9002国际质保体系的要求进行管理，使产品质量在生产过程中的每一个环节都得到