反渗透设备 一、单级反渗透 设备概述
工艺流程 设备配置 1、保安过滤 7、原水、膜前、膜后压力表
2、SUS304不锈刚膜壳 8、纯水、浓水流量计 3、TFC反渗透 9、IC控制盒 4、高压泵（卧式或立式） 10、电导率仪 5、进水电磁 11、冲洗电磁阀 6、低水压保护开12、关膜系统高压保护 适用范围 ·纯净水生产厂纯净水制备可配全自动灌装机而组成全自动桶装水/瓶装水生产线·食品行业原料配制用水如添加剂的勾兑、配料、汤料或汁液的配比等，可改善口感、抑制有机物滋生，提高产品保存期限 ·乳品、饮料、制酒行业用水制备议采用双级反渗透装置，防止因水中异物导致口感不佳，最大限度的提高产品品质，抑制有机物繁殖，提高产品保存期限 ·化工行业用水用于化工原料液的配比，化工产品制造，化工循环水等，有效防止因水中离子超标而造成的附加化学反应和品质偏差 ·电力行业锅炉用水用于锅炉补给水，火力发电锅炉、厂矿中低压锅炉动力系统的补给水，提高生产效率，延长设备使用寿命。 ·海水、苦咸水淡化饮用用于海岛、舰船、海上钻进平台、苦咸水地区的水源淡化，使之达到直饮水规范。 二、双级反渗透 设备概述 连续运行，产品水水质稳定 无须用酸碱再生 不会因再生而停机 节省了反冲和清洗用水 以高产率产生超纯水（产率可以高达95%） 无再生污水，不须污水处理设施 无须酸碱储备和酸碱稀释运送设施 减小车间建筑面积 使用安全可靠，避免工人接触酸碱 减低运行及维修成本 安装简单、安装费用 性能参数 1.透水率是指单位时间透过单位膜的水量。主要取决于膜的材质和结构等因素，但一定的反渗透膜其透水率则取决于运行条件； a、透水率随温度的升高而增加，随工作压力的增加成比例的上升； b、透水率随进水浓度的增加而下降； c.透水率随回收率的增加而下降。
3t/h 纯水设备 设 计 方 案 二0一二年六月
目录 一、设计基础资料 二、成品水制备工艺流程 三、工艺设计说明 四、自控系统说明 五、设备设计运行参数 六、公用工程条件 七、验收考核项目 八、其它说明 附件： 一、反渗透膜元件污染清洗方法 二、制备工艺流程图
一、工程设计基础资料 1.1设计概况 科润公司新建镀锌生产线工程因生产工艺需要，需配置1套3t/h自动纯水品设备一套，要求出水水质电阻率12McmΩ.cm（20℃）。制备工艺采用反渗透，双级混床，PLC自动控制。同时设备选型留有合理的设计余量。 1.2设计原则 1、优化工艺设计，使系统设备经济、合理、安全、可靠。 2、选用新颖材料和配件，单体设备结构先进、合理。 3、操作维护方便，减少劳动强度。 4、设备布局合理美观。 5、设备选型留有合理的设计余量，确保整个系统运行安全、可靠，尽可能延长设备使用寿命。 6、采用合理工艺和流程，降低运行费用。 7、控制系统可实现自动、手动的切换。 8、关键元器件采用进口件，确保使用性能稳定。 1.3设计依据 (1)原水水质： P H 8.2 计） 76mg/l 总硬度（以CaCO 3 总碱度（以CaCO 计） 850mg/l 3 水温 : 8-24℃
碳酸盐硬度（以CaCO 计） 760mg/l 3 K++Na+ : 250mg/l (2)出水水质： PH ≥7 SS 不得检出 碳酸盐硬度（以CaCO 计）≤1mg/l 3 Na+≤0.5mg/l 电导率：≧12McmΩ.cm（20℃） ＜0.1mg/l SiO 2 (5)出水水量：3t/h×1套 (6)设计、制造标准 JB/T2932-99《水处理设备制造技术条件》 GB5749-85 《生活饮用水卫生标准》 GBJ109-87 《工业用水软化、除盐设计技术规范》 ZBJ98003-87《水处理设备油漆、包装技术条件》 CD130A15-85《橡胶衬里设备设计技术规范》 GB11446.1-89《电子级水质量标准》 (7)制水效率：出水水量/进水水量≥65% (即进水量为:3/75%=4.6t/h) (8)控制方式：原水至成品水设备系统微电脑自动控制，全自动运行，可进行自动、手动的切换。 (9)电源：电压380V/220V，频率50HZ
（1）电解 本项目电解铝生产采用熔盐电解法：其主要生产设备为预焙阳极电解槽,项目设计采用大面六点进电SY350型预焙阳极电解槽。铝电解生产所需的主要原材料为氧化铝、氟化铝和冰晶石，原料按工艺配料比例加入350KA 预焙阳极电解槽中，通入强大的直流电，在945－955℃温度下，将一定量砂状氧化铝及吸附了电解烟气中氟化物的载氟氧化铝原料溶解于电解质中，通过炭素材料电极导入直流电，使熔融状态的电解质中呈离子状态的冰晶石和氧化铝在两极上发生电化学反应，氧化铝不断分解还原出金属铝——在阴极(电解槽的底部)析出液态的金属铝。 电解槽中发生的电化学反应式如下： 2323497094032CO Al C O Al +?-+℃ ℃直流电 在阴极(电解槽的底部)析出液态的金属铝定期用真空抬包抽出送往铸造车间经混合炉除渣后由铸造机浇铸成铝锭。电解过程中析出的O 2同阳极炭素发生反应生成以CO 2为主的阳极气体，这些阳极气体与氟化盐水解产生的含氟废气、粉尘等含氟烟气经电解槽顶部的密闭集气罩收集后送到以Al 2O 3为吸附剂的干法净化系统处理，净化后烟气排入大气。被消耗的阳极定期进行更换，并将残极运回生产厂家进行回收处置。吸附了含氟气体的截氟氧化铝返回电解槽进行电解。 电解槽是在高温、强磁场条件下连续生产作业，项目设计采用大面六点进电SY350型预焙阳极电解槽，是目前我国较先进的生产设备。电解槽为6点下料，交叉工作，整个工艺过程均自动控制。电解槽阳极作业均由电解多功能机组完成。多功能机组的主要功能为更换阳极、吊运出铝抬包出铝、定期提升阳极母线、打壳加覆盖料等其它作业。 （2）氧化铝及氟化盐贮运供料系统 氧化铝及氟化盐贮运系统的主要任务是贮存由外购到厂的氧化铝和氟化盐 ，并按需要及时将其送到电解车间的电解槽上料箱内。
奥凯〖反渗透设备〗概述； Okay reverse osmosis water treatment equipment(inverse)with high selectivity for reverse osmosis membrane element desalination rate can be high up to99.7%.So the choice of high salt rejection rate,low osmotic pressure,high flux membrane, can be the most salt ions removal from water. Ro(reverse osmosis)is a kind of pressure driven by a semipermeable membrane, the selection of interception function,the solution of the solute and solvent separation separation method.They are widely used in various liquid separation and concentration.Water treatment process,water,inorganic ion,bacteria,virus, organic matter and colloid and other impurities are removed,to obtain a high quality water. 奥凯反（逆）渗透水处理设备采用选择性较高的反渗透膜元件除盐率可以高达99.7%。所以选择脱盐率高，低渗透压力，高通量的膜，可以将水中的大部分的盐离子去除。 反渗透（逆渗透）是一种在压力驱动下，借助半透膜的选择截留作用，将溶液中的溶质与溶剂分开的分离方法。目前被广泛的应用于各种液体的分离与浓缩。水处理工艺中，将水中无机离子、细菌、病毒、有机物及胶质等杂质去除，以获得高质量的水。 奥凯〖反渗透设备〗原理： Ro(reverse osmosis)technology:reverse osmosis is REVERSE OSMOSIS,it is the United States of America NASA set international scientists,in support of the government,to spend billions of dollars,after many years of research into.Reverse osmosis principle is applied in water on one side than the natural osmotic pressure greater pressure,so that the water molecules from the high concentrations of a reverse osmosis to the low concentration of a party.Due to the reverse osmosis membrane pore size is much smaller than a virus and bacterial hundreds of times or even thousands of times,so a variety of viruses,bacteria,heavy metal,solid solubles,organic pollution,such as calcium and magnesium ions cannot pass reverse osmosis membrane,so as to achieve the purpose of purifying water quality softening. Reverse osmosis membrane of the epidermis is covered with many very fine pores of the membrane,the membrane surface selective adsorption of a layer of water molecules, salt solute is membrane rejection,higher valence ion exclusion of more distant, film hole surrounding water molecules in reverse osmosis pressure role,through the membrane of the capillary effect of water and salt to reach out.RO membrane pore size< 1.0nm,thus can remove at least one bacterium Pseudomonas aeruginosa (specifically10-10m3000influenza virus(800),specifically for10-10m), meningitis,virus(10-10m200specifically for various viruses,can even remove pyrogen
?从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长--> 晶棒裁切与检测--> 外径研磨--> 切片--> 圆边--> 表层研磨--> 蚀刻--> 去疵--> 抛光--> 清洗--> 检验--> 包装 1 晶棒成长工序：它又可细分为： 1）融化（Melt Down） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）颈部成长（Neck Growth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长 100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）晶冠成长（Crown Growth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如 5、6、8、12吋等）。 4）晶体成长（Body Growth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。 5）尾部成长（Tail Growth） 1
当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2 晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3 外径研磨（Su rf ace Grinding & Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4 切片（Wire Saw Sl ic ing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5 圆边（Edge Profiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 ? 6 研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。 7 蚀刻（Etching） 1
【奥凯反渗透设备】流程说明：Reverse osmosis equipment advantage In 1, the recovery rate of >75%RO machine design; In 2, RO inlet low pressure protection, prevent the high-pressure pump water idling; In 3, RO system boot automatic flushing, automatic flushing system to run continuously for 1hours; 4, pretreatment, backwash regeneration RO system for automatic shutdown; raw water pump auto start; In 5, the water level is low or the pure water tank water level when the RO machine automatically shut down, the pure water tank level low when RO machine automatic boot; 6, fault alarm indication; In 7, the built-in PLC lights, easy maintenance; 反渗透设备优点 1、RO 机设计回收率＞75％； 2、RO 进水低压保护，防止高压泵缺水空转； 3、RO 系统开机自动冲洗，系统连续运行1小时自动冲洗； 4、预处理再生、反冲洗时RO 系统自动关机；原水泵自动启动； 5、原水箱水位低或纯水箱水位高时RO 机自动关机，纯水箱水位低时RO 机 自动开机； 6、设置故障报警指示； 7、内置PLC 有灯示，维护更容易；
反渗透设备是将原水经过精细过滤器、颗粒活性碳过滤器、压缩活性碳过滤器等，使较高浓度的水变为低浓度水，洁净度几乎达到100%，所以人们称这种产水机器为反渗透纯水设备。 目前这种净水设备的应用非常广泛，下面跟大家介绍一下反渗透设备的工艺流程。 1.原水罐 储存原水，用于沉淀水中的大泥沙颗粒及其它可沉淀物质，同时缓冲原水管中水压不稳定对水处理系统造成的冲击，如水压过低或过高引起的压力传感的反应。 2.原水泵 恒定系统供水压力，稳定供水量。 3.多介质过滤器 采用多次过滤层的过滤器，主要目的是去除原水中含有的泥沙、铁锈、胶体物
质、悬浮物等颗粒在20um以上的物质，可选用手动阀门控制或者全自动控制器进行反冲洗、正冲洗等一系列操作。保证设备的产水质量，延长设备的使用寿命。 4.活性炭过滤器 系统采用果壳活性炭过滤器，活性炭不但可吸附电解质离子，还可进行离子交换吸附。经活性炭吸附还可使高锰酸钾耗氧量（COD）由15mg/L(O2）降至2～7mg/L(O2），此外，由于吸附作用使表面被吸附复制的浓度增加，因而还起到催化作用、去除水中的色素、异味、大量生化有机物、降低水的余氯值及农药污染物和除去水中的三卤化物（THM）以及其它的污染物。同时，设备具有自我维护系统，运行费用很低。 5.离子软化系统/加药系统 R/O装置为了溶解固体形物的浓缩排放和淡水的利用，为防止浓水端特别是RO装置最后一根膜组件浓水侧出CaCO3, MgCO3, MgSO4, CaSO4, BaSO4, SrSO4, SiSO4的浓度积大于其平衡溶解度常数而结晶析出，损坏膜原件的应有特性，在进入反渗透膜组件之前，应使用离子软化装置或投放适量的阻垢剂阻止碳酸盐，SiO2，硫酸盐的晶体析出. 6.精密过滤器 采用精密过滤器对进水中残留的悬浮物、非曲直粒物及胶体等物质去除，使RO系统等后续设备运行更安全、更可靠。滤芯为5um熔喷滤芯，目的是把上级过滤单元漏掉的大于5um的杂质除去。防止其进入反渗透装置损坏膜的表面，从而损坏膜的脱盐性能。
半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、 晶圆针测制程（WaferProbe）； 後段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺
1、清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水；且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即采用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1 —6所示。 图1—6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作 为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为：
Si + O2f SiO2 3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 f 2P + 3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 光刻胶 基片------------ ?涂胶后基片 1 1 1 1 ~ 显影后基片V------------- 曝光后基片 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀
云南意构 建筑装饰工程有限公司 企 业 简 介 2012年12月
第一部分、企业简介 云南意构建筑装饰工程有限公司成立于2005年7月，注册资金1000万元整，持有铝合金门窗施工壹级、装饰装修施工壹级、幕墙施工贰级、钢结构施工贰级资质。公司拥有两条意大利进口飞幕设备、两条国产金皇宇设备，年产铝合金门窗40万平米，为承接各类大型工程奠定了坚实的基础。 随着产业的发展，公司积极学习国内优秀同行业的工艺流程，通过几年的学习积累，我们已熟练掌握了优质门窗的加工工艺。 近年来已承接了南亚风情第壹城、星耀水乡、中航云玺大宅、汇都中心二期、长丰星云园等大型铝合金门窗工程，并在施工过程中及售后维修过程中得到了业主方一致好评。
第二部分、施工工艺 我公司常年从事铝合金门窗工程施工，对铝合金门窗严格执行以下施工工艺流程， 一、加工工艺流程 基体表面清理→放样→开料→下料→钻铣→组件拼装→成品检验→包装→出厂 二、安装工艺流程 放线→铝合金外框安装→框底填充发泡剂→固定玻璃安装→窗扇的定位及安装→五金件安装→拆除保护膜→框与墙体的防水处理→调试→清洁卫生→交验 三、铝合金门窗制作的关键工艺部分 1、下料：我公司拥有目前行业内最先进的意大利飞幕下料设备，保证了铝合金型材下料尺寸的精度。 2、组角：我公司在组角工艺上采用平整钢片，这样做的好处能让45度对角处理的平整。组角前打胶防渗漏，三元乙丙胶条采用四角无缝烫接。 3、打胶：我公司有固定的人员负责打胶，长时间从事单一工作，确保了打胶的品质。 4、密封处理：因铝合金门窗是由杆件组装而成，有接缝就存在渗漏隐患，我公司专人负责质量，严格把关杜绝了隐患发生。确保工程质量。在胶条的街头处我公司采取烫接，确保了铝合金门窗的密封。 5、现场安装的横平竖直：公司培养了大批专业从事铝合金门窗安装
10吨/小时纯水处理系统设备 (RO+离子交换) 设 计 方 案 二00四年十一月
目录 一、产品简介 二、设计依据 三、设计范围及原则 四、原水水质及水量 五、RO进水要求 六、用水要求 七、简易工艺流程 八、系统工艺要求及说明 九、设备性能及供货范围 十、系统工艺计算 十一、运转费用<按每吨纯水计> 十二、使用方施工时的工作量 十三、安装调试阶段的主要药品 十四、纯水服务范围 十五、附图
一、产品简介 本公司是制造纯水、废水、污水处理设备的专业厂家，属化工部定点企业，本公司生产的系列纯水品种涉及苦咸水淡化、工业用水处理、纯水、超纯水制备、瓶装水净化、化工物料分离等，市场业绩遍布饮用、化工、医药、纺织、电子、真空镀膜、贵重合金回收等行业，产品遍及全国各地，并获联合国发明创新科技之星奖，国家级新产品质奖等。本公司已通过ISO9001国际认证，“质量第一”是工厂永恒的主题，“产品同行领先”是工厂追求的目标，“顾客至上、产品终身服务”是工厂义无反顾的宗旨。本公司以精湛的工艺，一流的设备，完善的服务及ISO9001质量体系保证模式在同行及用户中享有盛誉。 二、设计依据 1、根据地区性水质条件设定水质条件，根椐用户地区同类厂家的水质资料及用水量等基础资料进行设计。 2、原水性质：自来水。 3、离子交换系统设计计算参照《给排水设计手册》及《化工企业化学水处理设计计算规定》（HG/T20552-94）的标准。 4、RO系统设计参照《给排水设计手册》及海德能公司RO膜元件的设计计算软件。 5、系统排水按室外排水设计规范GBJ14-87。 6、建筑给排水设计规范GBJ15-88。 7、反渗透设备标准按《反渗透水处理设备标准》CJ/T119-2000。 8、管道的设计按纯水用水标准进行设计。 9、通用电器设备配电设计规范GB50055-93。 10、城市区域环境噪声标准GB3096—93； 11、电气安装工程盘柜及二次回路接线工程施工及验收规范GB50171-92 12、电气装置安装工程电气设备按试验标准GB50150-91。 三、设计范围及原则 1、进入纯水站的水源为自来水，由于用户未提供详细的原水水质报告，水质设计参照同类地区的自来水质标准及同地区工程的类比进行设定计算，其变化系数K≤1.2，处理系统排放的浓废水可直接排入市政综合管网。 2、纯水处理设施具有较大的适应性、应急性，可以满足水质及水量的变化，并考虑在突发或事故状态下的各种应急用水。
反渗透系统工艺流程及说明 原水箱 作用：克服管网供水的不稳定性，保证整个系统的供水稳定连续；同时也给各设备长期性能可靠提供了保障。 选型：PE材质。 控制：水箱配置高水位浮球阀和低水位液位开关。其具备了可靠性高,价格低廉,结构简单,安装方便等优点。当水位处于高位时，浮球阀关闭，停止进水。水位处于低水位时，高水位浮球阀打开，开始向水箱注水。同时，低水位液位开关断开，增压泵停止工作。 增压泵 作用：给预处理各设备提供必需的工作压力。 选型：根据预处理各设备设计压力降（每台过滤设备最大压降0.05Mpa），以及高压泵前压力不能小于0.5Kg/cm2，确定增压泵的工作压力。 控制：泵后用调节阀调节压力及进水量。 机械过滤器 作用：原水首先经过机械过滤器，在过滤器中放置1-16目的精致石英砂，使原水中的絮凝体、铁锈等悬浮杂质在此过程中被截留。由于机械过滤器在工作中截留了大量的悬浮杂质，为保证过滤器的正常工作，必须对过滤器定期进行冲洗、反冲洗。 选型：选用碳钢材质容器. 控制：机械过滤器的反洗操作採用手工控制器，过滤器应每周天进行一次清洗，清洗时间为10-20分钟。 活性碳过滤器 作用：本工艺采用活性碳过滤器，作为反渗透装置的予处理，是非常重要的。反渗透系统要求进水指标SDI≤5，余氯<0.1mg/L。为满足其进水要求，需进一步纯化原水，使之达到反渗透的进水指标。在反渗透装置前设置碳滤器，主要有两
个功能：1、吸附水中部分有机物，吸附率为60%左右；2、吸附水中余氯。吸附粒度在10-20埃左右的无机胶体、有机胶体和溶解性有机高分子杂质以及在砂滤器中是难以去除的余氯。活性碳之所以能用来吸附粒度在几十埃左右的活性物，是由于其结构存在大量平均孔径在20-50埃的微孔和粒缝隙，活性碳的这个结构特点，使它的表面吸附面积能够达到500-2000m2/g，由于一般有机物的分子直径略小于20-50埃，因此活性碳对有机物具有很强的吸附作用。此外活性碳具有很强的脱氯能力，由于余氯具有很强的氧化性，余氯和碳起反应，生成二氧化碳和-1价氯离子，因此只是损失了少量的碳，所以活性碳脱氯可以使用相当长的时间。活性碳不仅仅具有以上功能，还能够去除水中的异味、色素，提高水的澄明度，活性碳使用一段时间后，其吸附能力下降，需要进行再生或更换。所以，原水通过碳滤器后，能大大提高水质，减少对反渗透膜的污染，经过处理后的水质都能达到反渗透装置进水水质要求（余氯<0.1mg/L）。 选型：选用碳钢材质容器。 控制：活性碳过滤器的控制採用手工控制器，由于活性碳过滤器在工作中吸附了大量的悬浮杂质，为保证系统正常工作，每天必须进行冲洗、反冲洗，冲洗过程由清洗时间为10-15分钟。 精密过滤器 作用：精密过滤又称为保安过滤器。它是原水进入反渗透膜装置前的一道处理工艺。PP过滤芯具有过滤流量大，纳污量大，压力损耗小的特点，可阻截不同粒径的杂质颗粒，集表面过滤与深层过滤于一体。精密过滤器使用一定时期后也有堵塞现象，因此，一定时期后PP熔喷滤芯必须更换，更换依据：精密过滤前后的压力差在0.05-0.1Mpa时更换。 选型：选用不锈钢材质容器. 高压泵 作用：高压泵是提供给反渗透系统所需产水流量及水质的工作压力。使过滤水经过泵体后达到10公斤左右的压力，以满足膜体的进水压力，保证纯水的出水量。
反渗透设备工艺流程简介 当代反渗透纯水设备主流工艺流程已基本确定，每家公司工艺总体来说都是： 储水箱→原水加压泵→多介质过滤器→活性炭过滤器→软化水设备→中间水箱→加压泵→阻垢剂添加装置→保安过滤器→反渗透装置→离子交换器→杀菌设备→纯水箱→用水点 1．原水罐 储存原水，用于沉淀水中的大泥沙颗粒及其它可沉淀物质。同时缓冲原水管中水压不稳定对水处理系统造成的冲击。（如水压过低或过高引起的压力传感的反应）。 2．原水泵 恒定系统供水压力，稳定供水量。 3．多介质过滤器 采用多次过滤层的过滤器，主要目的是去除原水中含有的泥沙、铁锈、胶体物质、悬浮物等颗粒在20um以上的物质，可选用手动阀门控制或者全自动控制器进行反冲洗、正冲洗等一系列操作。保证设备的产水质量，延长设备的使用寿命。 4．活性炭过滤器 系统采用果壳活性炭过滤器，活性炭不但可吸附电解质离子，还可进行离子交换吸附。经活性炭吸附还可使高锰酸钾耗氧量（COD）由15mg/L(O2)降至2～7mg/L(O2)，此外，由于吸附作用使表面被吸附复制的浓度增加，因而还起到催化作用、去除水中的色素、异味、大量生化有机物、降低水的余氯值及农药污染物和除去水中的三卤化物（THM）以及其它的污染物。可选用手动阀门控制或者全自动控制器进行反冲洗、正冲洗等一系列操作。保证设备的产水质量，延长设备的使用寿命。同时，设备具有自我维护系统，运行费用很低。 5．离子软化系统/加药系统 R/O装置为了溶解固体形物的浓缩排放和淡水的利用，为防止浓水端特别是RO装置最后一根膜组件浓水侧出现CaCO3,MgCO3,MgSO4,CaSO4,BaSO4, SrSO4, SiSO4的浓度积大于其平衡溶解度常数而结晶析出,损坏膜原件的应有特性 ,在进入反渗透膜组件之前,应使用离子软化装置或投放适量的阻垢剂阻止碳酸盐, SiO2,硫酸盐的晶体析出. 6．精密过滤器（也叫保安过滤器） 采用精密过滤器对进水中残留的悬浮物、非曲直粒物及胶体等物质去除，使RO系统等后续设备运行更安全、更可靠。滤芯为5um熔喷滤芯，目的是把上级过滤单元漏掉的大于5um的杂质除去。防止其进入反渗透装置损坏膜的表面，从而损坏膜的脱盐性能。 7．反渗透系统
xx 有限公司沙棘籽油软胶囊生产工艺流程图及其说明 生产工艺流程图 注：※号为CCP 点 表示洁净区 表示普通工序 表示洁净加工工序
生产工艺流程描述 2.1原料的采购 采购计划初步拟定：由销售部根据市场需要和产品库存制定生产计划，并确认原辅料库存，若原辅料库存数量不能满足生产需要时，应及时通知采购人员进行采购。 2.2原料验收： 库管员及时通知质量部取样，质量部依据《原辅料检验标准》进行检测，库管员凭质量部出具的检验报告单，办理入库手续，不合格则通知采购员作退货处理。 2.3组织生产： 2.3.1由销售部向质量部下达《生产、包装指令》，质量部根据产品工艺配方向生产部下达《生产指令》，由生产工艺员再次确认工艺配方，然后向生产各工序下达分解指令。 2.3.2混料：工序接到生产指令后，根据指令领取物料，在进入洁净区前进行脱包灭菌（用紫外灯或臭氧发生器进行灭菌），称量放入乳化罐混匀，乳化好后用200目的筛网过滤，将其中可能存在的杂质过滤清除，混好料液贮存于料液罐中置于药液区存放待生产。 2.3.3溶胶：溶胶工序操作人员接到指令领取明胶、甘油等，首先在进入洁净区前进行脱包灭菌，灭菌后按工艺要求将明胶、甘油、纯化水按比例称量入罐溶胶，溶好的胶液抽真空后对其黏度检测（2-4OE）放胶。放胶时要用120目的筛网过滤将其中可能存在的杂质滤除，在溶胶过程中因溶胶温度在76℃-80℃，此温度足可以杀死原料中可能存在的细菌。将溶好的胶液放置在胶罐中保温静置待用。 2.3.4压丸：压丸工序根据指令选择模具，安装调试后，把混好的料液和备好的胶液进行上机操作，上机时要注意胶皮的厚度、内容物的装量等，同时要随时监视胶丸的丸形、装量，防止胶丸漏夜。 2.3.5 定型干燥：胶囊压丸后进入转笼内经过一定时间风吹干燥，失去部分水分，使胶丸定形，定形时间：≥3小时，转笼转速：40-50r/min。 2.3.6排盘干燥：将在干燥笼中初步干燥后的软胶囊，放在一定尺寸的干燥盘上使其分布均匀，再在风室中通过一定的温度、湿度，进行干燥，使软胶囊的水分达到要求（胶皮水分≤14%）。风室温度：20-27℃、相对湿度：≤50% 2.3.7选丸：干燥后的软胶囊对其外观进行挑选，将有缺陷的胶囊剔除，同时将其表面可能存在的杂质去除。 2.3.8抛光：擦去胶丸表面的油脂，使胶丸表面光滑有光泽。 2.3.9上工序处理好的软胶囊质量部对其进行取样检测，若合格交下工序包装；不合格交上工序处理。（微生物不合格由上工序用酒精清洗，清洗后由质量部重
SU 002 PU-002 CF101 0-10 bar PI 007 0-10 bar PI 006RO-001 PHE 001 pH PHSA 001 H 0-25 bar PI 0080-25 bar PS 002RO-002 SU 003 PU-003 0-25 bar PI 011 0-25 bar PS 004 CIP In CIP Out CIP In 0-25 bar PI 009 0-25 bar PI FI 005 0...2.5m3/h CIP Out CIP Out CIP Out C 002 0-10bar FT101 0-10bar PI 0030-10bar TT 002 PI 004 0-10bar FT102 PI 005 TT 001 TI 001 HC-001 0...6m3/h 0-10bar PI 001 PU-001 2-3bar TK101 LT 001 001 HW-D40/304-0001 DN20 PDX-001 24 V V A L V E N O V A L V E N O V A L V E N O V A L V E N O V A L V E N O V A L V E N O V A L V E N O V A L V E N O V A L V E N O V A L V E N O V A L V E N O V A L V E N O V A L V E N O A B LT 002 002 HXQ-001 TK102 SU 004 UV-001 PU-004 TT 004 TICA+ 004 CISA 004 CET 004HC-002 FIT 006 FIC 006 TT 003TICA+ 003 PI 014 0...10 bar 0...6m3/h PIC 010 PT 010 0...10 bar PSA 010H L CISA 002 CET 002 0...100US/cm FI 002 0...4m3/h FIT 004 0...4m3/h PI 013 FICQ 004 FSA 004 L 0-10 bar CISA 003 CET 003 0-10 bar PS 001 0...2.5m3/h 0-10 bar PS 003 PT 001 0-10bar SU 001 HW-D40/304-0001 PSA-005 PS 005 1-6 bar PI 015 0...10 bar HW-D40/304-0001 CISA 001 CET 001 0...2000US/cm
硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查
15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。
反渗透系统工艺流程
反渗透系统工艺流程及说明 原水箱 作用：克服管网供水的不稳定性，保证整个系统的供水稳定连续;同时也给各设备长期性能可靠提供了保障。 选型：PE材质。 控制：水箱配置高水位浮球阀和低水位液位开关。其具备了可靠性高,价格低廉,结构简单,安装方便等优点。当水位处于高位时，浮球阀关闭，停止进水。水位处于低水位时，高水位浮球阀打开，开始向水箱注水。同时，低水位液位开关断开，增压泵停止工作。 增压泵 作用：给预处理各设备提供必需的工作压力。 选型：根据预处理各设备设计压力降（每台过滤设备最大压降0.05Mpa），以及高压泵前压力不能小于0.5Kg/cm2，确定增压泵的工作压力。控制：泵后用调节阀调节压力及进水量。 机械过滤器 作用：原水首先经过机械过滤器，在过滤器中放置1-16目的精致石英砂，使原水中的絮凝体、铁锈等悬浮杂质在此过程中被截留。由于机械过滤器在工作中截留了大量的悬浮杂质，为保证过滤器的正常工作，必须对过滤器定期进行冲洗、
反冲洗。 选型：选用碳钢材质容器. 控制：机械过滤器的反洗操作採用手工控制器，过滤器应每周天进行一次清洗，清洗时间为10-20分钟。 活性碳过滤器 作用：本工艺采用活性碳过滤器，作为反渗透装置的予处理，是非常重要的。反渗透系统要求进水指标SDI≤5，余氯<0.1mg/L。为满足其进水要求，需进一步纯化原水，使之达到反渗透的进水指标。在反渗透装置前设置碳滤器，主要有两个功能：1、吸附水中部分有机物，吸附率为60%左右；2、吸附水中余氯。吸附粒度在10-20埃左右的无机胶体、有机胶体和溶解性有机高分子杂质以及在砂滤器中是难以去除的余氯。活性碳之所以能用来吸附粒度在几十埃左右的活性物，是由于其结构存在大量平均孔径在20-50埃的微孔和粒缝隙，活性碳的这个结构特点，使它的表面吸附面积能够达到500-2000m2/g，由于一般有机物的分子直径略小于20-50埃，因此活性碳对有机物具有很强的吸附作用。此外活性碳具有很强的脱氯能力，由于余氯具有很强的氧化性，余氯和碳起反应，生成二氧化碳和-1价氯离子，因此只是损失了少量的碳，所以活性碳脱氯可以使用相当长的时间。活性碳不仅仅具有以上功能，还能够去除水中的异味、色素，提高水的澄明度，活性碳使用一段时间后，其吸附能力下降，需要进行再生或更换。所以，原水通过碳滤器后，能大大提高水质，减少对反渗透膜的污染，经过处理后的水质都能达到反渗透装置进水水质要求（余氯<0.1mg/L）。 选型：选用碳钢材质容器。