万方数据
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常压烧结碳化硅陶瓷的力学性能与质密度
作者：李文新， 李文辉
作者单位：李文新(哈尔滨商业大,学轻工学院,黑龙江,哈尔滨,150076)， 李文辉(哈尔滨理工大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150040)
刊名：
哈尔滨理工大学学报
英文刊名：JOURNAL OF HARBIN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
年，卷(期)：2002,7(2)
被引用次数：3次
参考文献(4条)
1.Evans A G Fracture Toughness:The Role of Indentation Techniques;ASTM Special Publication,Fracture Mechanics Applied to Brittle Materials.American Society for Testing and Materials 1979(01)
2.Prochazka S The Pole of Boron and Carbide in the Sintering of Silicon Carbide,in Special Ceramics 6..Edited by P.Popper.The British Ceramic Research Association 1975
3.VASSENR R;STOVE D Processing and Properties of Nanograin Silicon Carbide[外文期刊] 1999(10)
4.Becher P F Microstructural Design of Toughened Ceramics[外文期刊] 1991(02)
引证文献(3条)
1.王春华.王改民常压烧结碳化硅陶瓷的制备及导电性能[期刊论文]-中国陶瓷 2008(7)
2.曹连忠.刘国玺.燕东明.段关文.常永威高防护系数SiC陶瓷制备技术研究[期刊论文]-兵器材料科学与工程2008(5)
3.刘桂玲.黄政仁.陈健.刘学建.江东亮碳化硅陶瓷密度对光学镜面加工质量的影响[期刊论文]-稀有金属材料与工程 2008(z1)
本文链接：https://www.doczj.com/doc/9d1783554.html,/Periodical_heblgdxxb200202024.aspx