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2N4974中文资料(AMERICAN MICROSEMICONDUCTOR)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

2N4974晶体管PNP 达林顿晶体管

军事/高RELN

V (BR )CEO (V )30

V (BR )CBO (V )40

我(C )最大. (A )1.0

绝对最大值.电源迪斯. (W )800米最大工作温度(℃)175

我(CBO )最大. (

A )10n?@V (CBO )(V )(测试条件)H (FE )最小.当前gain.5.0k H (FE )最大.电流增益.

@I (C )(A )(测试条件)1.0U @V (CE )(V )(测试条件)5.0F (T )最小. (赫兹)过渡Freq175M @I (C )(A )(测试条件)@V (CE )(V )(测试条件)V (CE )坐在最大.

(五)@I (C )(A )(测试条件)@I (B )(A )(测试条件)T (D )最大. (S )延迟时间.T (r )最大值. (S )上升

时间t (上)最大. (S )上的时间

.

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