1/4-INCH VGA CMOS
ACTIVE-PIXEL DIGITAL
IMAGE SENSOR DIE
MT9V111
Features
?DigitalClarity? CMOS Imaging Technology
?Ultra low-power, low-cost CMOS image sensor
?Superior low-light performance
?Up to 30 fps progressive scan at 27 MHz for high-
quality video at VGA resolution
?On-chip Image Flow Processor (IFP) performs
sophisticated processing: color recovery and
correction, sharpening, gamma, lens shading
correction, on-the-fly defect correction, 2X fixed zoom ?Image decimation to arbitrary size with smooth, continuous zoom and pan
?Automatic exposure, white balance and black compensation, flicker avoidance, color saturation, and defect identification and correction, auto frame rate, black light compensation
?Xenon and LED-type flash support
?Two-wire serial programming interface
?ITU-R BT.656 (YCbCr), YUV, 565RGB, 555RGB, or 444RGB output data formats
General Physical Specifications
?Wafer thickness: 305μm ±12μm (12.0 mil ±0.5 mil) (Consult factory for die thickness other than 305μm)?Backside wafer surface of polished bare silicon ?Typical metal 1 thickness: 3.1K?
?Typical metal 2 thickness: 3.1K?
?Typical metal 3 thickness: 6.1K?
?Metallization composition: 99.5 percent Al and 0.5 percent Cu over titanium
?Typical topside passivation:
2.2K? nitride over 6.0K? of undoped oxide ?Passivation openings (MIN): 75μm x 90μm
(2.95 mil x 3.54 mil)
NOTE:Please consult die distributor or factory before ordering to verify long-term availability of these die products.Order Information
2.8V Power Supply:
MT9V111W00STCK82AC1
MT9V111D00STCK82AC1
Key Performance Parameters ?Optical Format: 1/4-inch (4:3)
?Active Imager Size: 3.584mm(H) x 2.688mm(V)?Active Pixels: 640H x 480V (VGA)
?Pixel Size: 5.6μm x 5.6μm
?Color Filter Array: RGB Bayer Pattern
?Shutter Type: Electronic Rolling Shutter (ERS)?Data Rate/Master Clock:
12 MPS/12 MHz (default)
27 MPS/27 MHz (MAX)
?Frame Rate:
VGA (640H x 480V) 15 fps @ 12 MHz (default), programmable up to 30 fps @ 27 MHz
CIF (352H x 288V) programmable up to 60 fps
QVGA (320H x 240V) programmable up to 90 fps ?ADC Resolution: 10 bit, on chip ?Responsivity: 1.9V/lux-sec (550nm)?Dynamic range: 60 dB
?SNR MAX: 45dB
?Supply Voltage: 2.8V ±0.25V
?Power Comsumption: <80mW at 2.8V, 12MHz,
15 fps and VGA resolution
?Operating Temperature: -20°C to +60°C
Option ?Form
Die
Wafer – 200mm (8")D W
?Testing
Standard (Level 1) Probe C1
Die Database K82A
Die Outline
(see page8)
Die Size:6,267.00μm x 6,267.00μm
246.732 mil x 246.732 mil
See Tables 1 and 2, “K82A Bond Pad Location and Identfications,” on pages 4–7
K82A, 1/4-INCH IMAGER DIE?2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
General Description
The MT9V111 is a one-fourth inch VGA-format CMOS active-pixel digital image sensor, the result of combining the MT9V011 image sensor core with Micron? Imaging's third-generation digital image flow processor technology. The MT9V111 has an active imaging pixel array of 649 x 489, capturing high-quality color images at VGA resolution. The sensor is a com-plete camera-on-a-chip solution and is designed spe-cifically to meet the demands of battery-powered products such as cellular phones, PDAs, and toys. It incorporates sophisticated camera functions on-chip and is programmable through a simple two-wire serial interface.
The MT9V111 is a fully-automatic, single-chip cam-era, requiring only a power supply, lens and clock source for basic operation. Output video is streamed via a parallel eight-bit D OUT port as shown in Figure 1. Output pixel clock is used to latch the data, while FRAME_VALID and LINE_VALID signals indicate the active video. The die can be put in an ultra-low power sleep mode by asserting the STANBY pin. Output pads can also be tri-stated by de-asserting the OE_BAR pad. The MT9V111 internal registers can be configured using a two-wire serial interface.
The MT9V111 can be programmed to output pro-gressive scan images up to 30 fps in an 8-bit ITU_R BT.656 (YCbCr) formerly CCIR656, YUV, 565RGB, 555RGB, or 444RGB formats. The FRAME_ and LINE_VALID signals are output on dedicated pads, along with a pixel clock that is synchronous with valid data.
Die Testing Procedures
Micron? Imager die products are tested with a Stan-dard Probe (C1) test. Wafer probe is performed at an elevated temperature to test product functionality in Micron’s standard package. Since the package environ-ment is not within Micron’s control, the user must determine the necessary heat sinking requirements to ensure that the die junction temperature remains within specified limits.
Image quality is verified through various imaging tests. The probe functional test flow provides test cov-erage for the on-chip A/D converter, logic, serial inte-face bus, and pixel array. Test conditions, margins, limits, and test sequence are determined by individual product yields and reliability data.
Micron retains a wafer map of each wafer as part of the probe records, along with a lot summary of wafer yields for each lot probed. Micron reserves the right to change the probe program at any time to improve the reliability, packaged device yield, or performance of the product.
Die users may experience differences in perfor-mance relative to Micron’s data sheets. This is due to differences in package capacitance, inductance, resis-tance, and trace length.
Functional Specifications
Please refer to the packaged product data sheets found on Micron’s Web site (https://www.doczj.com/doc/8716015096.html,) for functional and parametric specifications. The specifi-cations are provided for reference only.
Bonding Instructions
The K82A Imager die has 44 bond pads. Refer to Tables 1 and 2 for a complete list of bond pads and coordinates.
The K82A Imager die does not require the user to determine bond option features.
The K82A Imager die also has several pads defined as “Do Not Use.” These pads are used for engineering purposes and should not be used. Bonding these pads could result in a nonfunctional die.
Figure1 on page3 shows the MT9V111 typical die connections. For low-noise operation the MT9V111 die requires separate supplies for analog and digital power.
Wafer Saw
A standard wafer saw cuts the die 100 percent through. Micron holds die dimensions to a maximum tolerance of +0/-25μm (+0/-1 mil) of each cut, as mea-sured from the vertical cut. For clarification purposes, the die size provided is measured from center of the die street to center of the die street. A finished die is approximately 38μm (1.5 mil) smaller on each side due to the sawing operation. For example, a 5,080μm x 7,620μm (200 mil x 311 mil) die is approximately 5,042μm x 7,582μm (198.5 mil x 309.5 mil) after sawing.
Wafer-Level Processing
Customers should choose the wafer form when post-processing of die is required. This includes add-ing extra passivation or metal layers or bumping of the bond pads. For these customers, the street widths are provided in the die outline. Also, a reference from the center of bond pad 1 to the center of the intersection of two streets is provided as an easy alignment reference. Storage Requirements
Micron die products are packaged in a cleanroom environment for shipping. Upon receipt, the customer should transfer the die or wafers to a similar environ-ment for storage. Micron recommends the die or wafers be maintained in a filtered nitrogen atmo-sphere until removed for assembly. The moisture con-tent of the storage facility should be maintained at 30%±10% relative humidity. ESD damage precautions are necessary during handling. The die must be in an ESD-protected environment at all times for inspection and assembly.
Product Reliability Monitors
Reliability of all packaged products is monitored by ongoing reliability evaluations. Micron’s QRA depart-ment continually samples product families for reliabil-ity studies. These samples are subjected to a battery of tests known as the “Accelerated Life” and “Environ-mental Stress” tests. During these tests, devices are stressed for many hours under conditions designed to simulate years of normal field use. A summary of these product family evaluations is published on a regular basis.
Figure 1: Typical Configuration (Connection)
NOTE:
Resistor value 1.5K? is recommended, but may be greater for slower two-wire speed.
Table 1: K82A Bond Pad Location and Identification
PAD MT9V111
FROM CENTER OF PAD 1
“X”1
MICRONS
“Y”1
MICRONS
“X”1
INCHES
“Y”1
INCHES
1D GND30.000.000.00000000.0000000 2D OUT2466.560.000.01836850.0000000 3D OUT3933.120.000.03673700.0000000 4D OUT41399.680.000.05510550.0000000 5D OUT51866.240.000.07347400.0000000 6D GND42332.800.000.09184250.0000000 7V DD32799.360.000.11021100.0000000 8D OUT63686.720.000.14514650.0000000 9D OUT74153.280.000.16351500.0000000 10V DD44619.840.000.18188350.0000000 11D GND55086.400.000.20025200.0000000 12V DD55502.95-416.550.2166514-0.0163994 13V DD65502.95-883.110.2166514-0.0347679 14D GND5502.95-1349.670.2166514-0.0531364 15D GND65502.95-1816.230.2166514-0.0715049 16V DD75502.95-2282.790.2166514-0.0898734 17D GND75502.95-2749.350.2166514-0.1082419 18OE_BAR5502.95-3215.910.2166514-0.1266104 19STANDBY5502.95-3682.470.2166514-0.1449789 20RESET_BAR5502.95-4149.030.2166514-0.1633474 21VAAPIX5502.95-4655.910.2166514-0.1833033 22ADC_TEST5502.95-5142.630.2166514-0.2024656 23A GND15086.40-5798.210.2002520-0.2282760 24V AA14619.84-5798.210.1818835-0.2282760 25A GND04153.28-5798.210.1635150-0.2282760 26V AA03686.72-5798.210.1451465-0.2282760 27V DD02799.36-5798.210.1102110-0.2282760 28D GND02332.80-5798.210.0918425-0.2282760 29SADDR1866.24-5798.210.0734740-0.2282760 30SDATA1399.68-5798.210.0551055-0.2282760 31SCLK933.12-5798.210.0367370-0.2282760 32CLK_IN466.56-5798.210.0183685-0.2282760 33D GND10.00-5798.210.0000000-0.2282760 34V DD1-295.27-5142.63-0.0116246-0.2024656 35FRAME_VALID-295.27-4655.91-0.0116246-0.1833033
NOTE:
1.Reference to center of each bond pad from center of bond pad number 1.
2.DNU = “Do Not Use.”
36LINE_VALID -295.27-4149.03-0.0116246-0.163347437PIXCLK -295.27-3682.47-0.0116246-0.144978938FLASH -295.27-3215.91-0.0116246-0.126610439D GND 2-295.27-2749.35-0.0116246-0.108241940DNU 2-295.27-2282.79-0.0116246-0.089873441DNU -295.27-1816.23-0.0116246-0.071504942D OUT 0-295.27-1349.67-0.0116246-0.053136443D OUT 1-295.27-883.11-0.0116246-0.034767944
V DD 2
-295.27
-416.55
-0.0116246
-0.0163994
Table 1:
K82A Bond Pad Location and Identification (continued)
PAD MT9V111FROM CENTER OF PAD 1
“X”1MICRONS “Y”1MICRONS “X”1INCHES “Y”1INCHES
Table 2: K82A Bond Pad Location and Identification
PAD MT9V111
FROM CENTER OF DIE (0, 0)
“X”1
MICRONS
“Y”1
MICRONS
“X”1
INCHES
“Y”1
INCHES
1D GND3-2603.842899.11-0.10251340.1141380 2D OUT2-2137.282899.11-0.08414490.1141380 3D OUT3-1670.722899.11-0.06577640.1141380 4D OUT4-1204.162899.11-0.04740790.1141380 5D OUT5-737.602899.11-0.02903940.1141380 6D GND4-271.042899.11-0.01067090.1141380 7V DD3195.522899.110.00769760.1141380 8D OUT61082.882899.110.04263310.1141380 9D OUT71549.442899.110.06100160.1141380 10V DD42016.002899.110.07937010.1141380 11D GND52482.562899.110.09773860.1141380 12V DD52899.112482.560.11413800.0977386 13V DD62899.112016.000.11413800.0793701 14D GND2899.111549.440.11413800.0610016 15D GND62899.111082.880.11413800.0426331 16V DD72899.11616.320.11413800.0242646 17D GND72899.11149.760.11413800.0058961 18OE_BAR2899.11-316.800.1141380-0.0124724 19STANDBY2899.11-783.360.1141380-0.0308409 20RESET_BAR2899.11-1249.920.1141380-0.0492094 21VAAPIX2899.11-1756.800.1141380-0.0691654 22ADC_TEST2899.11-2243.520.1141380-0.0883276 23A GND12482.56-2899.110.0977386-0.1141380 24V AA12016.00-2899.110.0793701-0.1141380 25A GND01549.44-2899.110.0610016-0.1141380 26V AA01082.88-2899.110.0426331-0.1141380 27V DD0195.52-2899.110.0076976-0.1141380 28D GND0-271.04-2899.11-0.0106709-0.1141380 29SADDR-737.60-2899.11-0.0290394-0.1141380 30SDATA-1204.16-2899.11-0.0474079-0.1141380 31SCLK-1670.72-2899.11-0.0657764-0.1141380 32CLK_IN-2137.28-2899.11-0.0841449-0.1141380 33D GND1-2603.84-2899.11-0.1025134-0.1141380 34V DD1-2899.11-2243.52-0.1141380-0.0883276 35FRAME_VALID-2899.11-1756.80-0.1141380-0.0691654
NOTE:
1.Reference to center of each bond pad from center of die (0, 0).
2.DNU = “Do Not Use.”
36LINE_VALID -2899.11-1249.92-0.1141380-0.049209437PIXCLK -2899.11-783.36-0.1141380-0.030840938FLASH -2899.11-316.80-0.1141380-0.012472439D GND 2-2899.11149.76-0.11413800.005896140DNU 2-2899.11616.32-0.11413800.024264641DNU -2899.111082.88-0.11413800.042633142D OUT 0-2899.111549.44-0.11413800.061001643D OUT 1-2899.112016.00-0.11413800.079370144
V DD 2
-2899.11
2482.56
-0.1141380
0.0977386
Table 2:
K82A Bond Pad Location and Identification (continued)
PAD MT9V111FROM CENTER OF DIE (0, 0)
“X”1MICRONS “Y”1MICRONS “X”1INCHES “Y”1INCHES
Figure 2: Die Outline (Top View)
NOTE:
1.Die street widths are not drawn to scale.
2.In die orientation as shown, the image is inverted reverted.
Wafer Diameter: 200mm (8")
Wafer Thickness: 305μm ± 12μm (12.0 mil ± 0.5 mil) Die Size (stepping interval):
6,267.0μm x 6,267.0μm
(246.732 mil x 246.732 mil)
Street Width
Along X-Axis (dsw_X): 127.0μm (5.00 mil)
Street Width
Along Y-Axis (dsw_Y): 127.0μm (5.00 mil)
Center of Streets (COS)
(Relative to Bond Pad 1):
X = -529.66μm, Y = 234.395μm
(X = -20.853 mil, Y = 9.228 mil)
Bond Pad Size (MIN): 85.0μm x100μm
(3.35 mil x3.94 mil)Passivation Openings (MIN): 75.0μm x 90.0μm
(2.95 mil x 3.54 mil) Minimum Bond Pad Pitch: 466.56μm (18.369 mil) Optical Array (Orientation Inverted Reverted): Optical Center from Chip Center
X = 11μm, Y = 91.3μm
First Clear Pixel (Col 18, Row 6)
From Chip Center:
X = 1803.41μm, Y = 1457.47μm
From Center of Pad 1:
X = 4407.34μm, Y = -1441.61μm
Last Clear Pixel (Col 666, Row 494)
From Chip Center:
X = -1825.39μm, Y = -1275.32μm
From Center of Pad 1:
X = 778.44μm, Y = -4174.41μm
Figure 3: K82A Die Orientation in Reconstructed Wafer
Data Sheet Designation
No Mark: Although considered final, these specifications are subject to change.
?
8000 S. Federal Way, P.O. Box 6, Boise, ID 83707-0006, Tel: 208-368-3900
E-mail: prodmktg@https://www.doczj.com/doc/8716015096.html,, Internet: https://www.doczj.com/doc/8716015096.html,, Customer Comment Line: 800-932-4992 Micron, the M logo, and the Micron logo are trademarks of Micron Technology, Inc.
Revision History
Rev F, Pub. 04/04, No Mark.............................................................................................................................................4/04?Added Figure 3
Rev E, Pub. 03/04, No Mark............................................................................................................................................3/04?Added information to the Features and Key Performance Parameters paragraphs in page 1
?Changed second paragraph under General Despcription
?Modified Figure 1 to show how to connect bond pad 22 (ADC_TEST)
?Changed bond pad 22 name to better describe its function (ADC_TEST)
Rev D, Pub. 02/04, No Mark............................................................................................................................................2/04?Changed YCrCb to YCbCr
?Changed Supply Voltage: 2.8V ±0.3V to Supply Voltage: 2.8V ±0.25V
Rev C, Pub. 02/04, No Mark............................................................................................................................................2/04?Added Key Performance Parameters
?Added Figure 1
?Modified Features and Bonding Instructions
?Changed data sheet designation to No Mark
Rev B, Pub. 11/03, Preliminary.....................................................................................................................................11/03?Updated part numbers
Rev A, Pub. 11/03, Preliminary.....................................................................................................................................11/03
元器件封装及基本管脚定义说明 以下收录说明的元件为常规元件 A: 零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。包括了实际元件的外型尺寸，所占空间位置，各管脚之间的间距等，是纯粹的空间概念。因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装. 普通的元件封装有针脚式封装(DIP与表面贴片式封装(SMD两大类. (像电阻，有传统的针脚式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD ）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD 元件放上，即可焊接在电路板上了。 元件按电气性能分类为:电阻, 电容(有极性, 无极性, 电感, 晶体管(二极管, 三极管, 集成电路IC, 端口(输入输出端口, 连接器, 插槽, 开关系列, 晶振,OTHER(显示器件, 蜂鸣器, 传感器, 扬声器, 受话器 1. 电阻: I.直插式 [1/20W 1/16W 1/10W 1/8W 1/4W] AXIAL0.3 0.4 II. 贴片式 [0201 0402 0603 0805 1206] 贴片电阻 0603表示的是封装尺寸与具体阻值没有关系 但封装尺寸与功率有关通常来说 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W
0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 III. 整合式 [0402 0603 4合一或8合一排阻] IIII. 可调式[VR1~VR5] 2. 电容: I.无极性电容[0402 0603 0805 1206 1210 1812 2225] II. 有极性电容分两种: 电解电容 [一般为铝电解电容, 分为DIP 与SMD 两种] 钽电容 [为SMD 型: A TYPE (3216 10V B TYPE (3528 16V C TYPE (6032 25V D TYP E (7343 35V] 3. 电感: I.DIP型电感 II.SMD 型电感
Spartan6系列之器件引脚功能详述 由技术编辑于星期四, 09/25/2014 - 14:48 发表 1. Spartan-6系列封装概述 Spartan-6系列具有低成本、省空间的封装形式，能使用户引脚密度最大化。所有Spartan-6 LX器件之间的引脚分配是兼容的，所有Spartan-6 LXT器件之间的引脚分配是兼容的，但是Spartan-6 LX和Spartan-6 LXT器件之间的引脚分配是不兼容的。 表格 1Spartan-6系列FPGA封装 2. Spartan-6系列引脚分配及功能详述 Spartan-6系列有自己的专用引脚，这些引脚是不能作为Select IO使用的，这些专用引脚包括： 专用配置引脚，表格2所示，GTP高速串行收发器引脚，表格3所示 表格 2Spartan-6 FPGA专用配置引脚
注意：只有LX75, LX75T, LX100, LX100T, LX150, and LX150T器件才有VFS、VBATT、RFUSE引脚。 表格 3Spartan-6器件GTP通道数目 注意：LX75T在FG(G)484 和 CS(G)484中封装4个GTP通道，而在FG(G)676中封装 了8个GTP通道；LX100T在FG(G)484 和 CS(G)484中封装4个GTP通道，而在 FG(G)676 和 FG(G)900中封装了8个GTP通道。 如表4，每一种型号、每一种封装的器件的可用IO引脚数目不尽相同，例如对于LX4 TQG144器件，它总共有引脚144个，其中可作为单端IO引脚使用的IO个数为102个，这102个单端引脚可作为51对差分IO使用，另外的32个引脚为电源或特殊功能如配置引脚。
管脚定义
1. LCM参数： 1.1 屏幕大小：240*RGB*302 dots，262144色（2的（R(6位数+G(6位数+B(6位数）次方） 1.2 控制器：HX8347-A 1.2.1最低供电电压：1.65V ，内置升压器， 1.2.2三种接口模式： ①命令参数接口模式 ②寄存器内容接口模式 ③RGB 接口模式 1.2.3工作温度：-40~85℃ 1.3显示：
1.3.1正常显示模式 ①命令参数接口模式：262144(R(6,G(6,B(6色 ②寄存器内容接口模式：a262144(R(6,G(6,B(6，b 65536(R(5,G(6,B(5色 1.3.2空闲显示模式①8(R(1,G(1,B(1色 1.4显示组件 1.4.1 VCOM 控制组件：-2V~5.5V 1.4.2 DC/DC转换 ①DDVDH ：3.0V~6.0 ②VGH ：+9.0V~16.5V ③VGL ：-6.0V~-13.5V 1.4.3 帧存储区域240（水平）*320（垂直）*18bit 1.5显示/控制接口 1.5.1显示接口模式 ①命令参数接口模式 A ．8/16bit并行总线接口 B ．串行总线接口 C ．16/18bit并行RGB 总线 ②寄存器内容接口模式 A ．8/16/18bit并行接口 B ．串行总线接口
C ．16/18bit并行RGB 总线 1.5.2控制接口模式 IFSEL0=0：命令参数接口模式 IFSEL0=1：寄存器内容接口模式 1.5.3电压 ①逻辑电压（IOVCC ）：1.65V~3.3V ②驱动电压（VCI ）：2.3V~3.3V 1.5.4颜色模式 A ．16Bit ：R(5,G(6,B(5 A ．18Bit ：R(6,G(6,B(6 接口模式选择： 写寄存器：
常用IC芯片管脚的定义中引文翻译 1、VOL—Voltage Output Low 低电平输出电压；VIH（V oltage Input High）高电平输入电压。 2、CLKO(Clock Output) 时钟输出；Vss 数字地。DP:USB端D+信号。 3、VDD—数字电源；Vssp:I/O驱动缓冲数字地。DM：USB端D-信号。 4、CE:Chip enable input 片使能输出；OE：Output enable input 输出使能输入。 5、WP:Write protect 写入保护；FWR：Flash write enable input闪存写入使能信号。 6、V A: analog power 模拟电源输入；LVDS:Low voltage differential signal低电平微分信号。 7、FB：Output voltage feedback 输出电压返回输入；SW:Power switch input 电源开关输入。 8、SHON:Shutdown control input 关闭信号输入;COMP:comp voltage. 9、TS:Temperature-sense input温度感应信号输入RC:Timer-program input定时程序信号输入 10. SNS:Current-sense input 电流感应信号输入；CE:使能信号(enable signal). 11 .WE:写入启动信号；RST: reset 复位信号；CLK：时钟控制信号；CKE:时钟控制信号。 12. Vcc:电源信号；CS：片选信号；SCLK:串行时钟输入;RF: 信号输出；FCOM:公共信号端。 13.XTALO:晶振信号输出；XTALI:晶振信号输入。OPOLS:VCOM 信号输出。 14.TXD:ASCO 时钟、数据输出；RXD:ASCO 数据输入或输出。 15.SYNC:同步脉冲输入; RCT: 振荡器时间常数电路;DC: 占空比控制。 16.VREF：5V基准电压;VFB: 误差放大器倒相输入；COMP:误差放大器输出。 17.SS：软启动控制外接电容；Vc:功放电路电源（驱动电路电源）；OUT：驱动输出。 18.PGND:功放电路地线；SGND: 小信号电路地线。ISEN:电流检测。 19.DIS:关闭控制。不使用时此脚接小信号地线端，不能悬空。 20.DC-LIM: 占空比限制。接基准电源脚时，驱动脉冲占空比被限制在50%。如果此脚悬空 或是接地时，驱动脉冲占空比不被限制。 21.ST-BY：待机控制，通过电阻接第二脚。如不使用待机控制，将此脚接基准电压脚或悬空。
串口引脚定义图管脚定义 vpc电脑串行口的典型是RS-232C及其兼容接口，串口引脚有9针和25针两类。而一般的个人电脑中使用的都是9针的接口，25针串行口具有20mA电流环接口功能，用9、11、18、25针来实现。我们只介绍常用9针的rs232c串口引脚的接口定义。 《串口引脚图》 9针串行口的针脚功能： 针脚功能针脚功能 1 载波检测(DCD) 2 接受数据(RXD) 3 发出数据(TXD) 4 数据终端准备好(DTR) 5 信号地线(SG) 6 数据准备好(DSR) 7 请求发送(RTS) 8 清除发送(CTS) 9 振铃指示(RI) DB9 公头母头串口引脚定义 1．RS-232端（DB9母头/孔型）引脚定义
引脚序号 2 3 5 1、4、6 7、8 信号定义TXD RXD 地内部相连内部相连 注：该口可直接插入计算机的COM口 2．RS-232端（DB9公头/针型）引脚定义 引脚序号 2 3 5 1、4、6 7、8 信号定义RXD TXD 地内部相连内部相连 PC/XT 机上的串行口是25 针公插座，引脚定义为
Transmit Data Request to Send
Data Terminal Ready 硬件握手原理：第二种是使用硬件线握手。和Tx和Rx线一样，RTS/CTS和DTR/DSR一起工作，一个作为输出，另一个作为输入。第一组线是RTS （Request to Send）和CTS（Clear to Send）。当接收方准备好接收数据，它置高RTS线表示它准备好了，如果发送方也就绪，它置高CTS，表示它即将发送数据。另一组线是DTR（Data Terminal Ready）和DSR（Data Set Ready）。这些现主要用于Modem通信。使得串口和Modem通信他们的状态。例如：当Modem已经准备好接收来自PC的数据，它置高DTR线，表示和电话线的连接已经建立。读取DSR线置高，PC机开始发送数据。一个简单的规则是DTR/DSR用于表示系统通信就绪，而RTS/CTS用于单个数据包的传输。
4.4 Pinout Mapping Guide 4.4.1 OEM 50-Pin Connector Table 4.1 Industrial CM850 50-pin Pinout Mapping Pin Pinout Type M/R a Signal Name Notes Application 1 IVS 5V Switched Pull-up Input Off Idle Switch All applications 2 6V Switched Pull-up Input M Diagnostics On/ Off Switch All with diagnostics 3 6V Switched Pull-up Input Remote Accelerator On/Off Switch Remote Accelerator Feature 4 6V Switched Pull-up Input ISC Switch 1 Intermediate Speed Control Feature R AXG Switch (Future Functionality) Auxiliary Governor for Industrial Applications (Future Development) 5 b 6V Switched Pull-up Input R MUS Enable Multi Unit Synchronization Feature for Marine Applications. R Cruise On/Off Engine Speed based cruise Control for Industrial Applications 6 b 6V Switched Pull-up Input R MUS Complementary Multi Unit Synchronization Feature for Marine applications. R Clutch/ Service Brake switch Clutch for all manual transmission in Industrial Applications Brake switch for all Industrial 7 b 6V Switched Pull-up Input R MUS ID Pin 1 Multi Unit Synchronization Feature for Marine applications. Engine Brake Switch (Future Functionality) Engine Brakes for Industrial applications (Future Functionality) 8 b 6V Switched Pull-up Input R MUS ID Pin 2 Multi Unit Synchronization Feature for Marine applications. 9 Ratiometric Analog Input Accelerator Position Signal All applications 10 Non-Functional Not Applicable No functionality 11 IVS 5V Switched Pull-up Input On Idle Switch All applications 12 b 6V Switched Pull-up Input R OEM Switch Special calibration required Switched Outputs (Dual Outputs) Based On Sensed Parameters Feature – Input
51单片机引脚介绍 AT89C2051是精简版的51单片机，精简掉了P0口和P2口，只有20引脚，但其内部集成了一个很实用的模拟比较器，特别适合开发精简的51应用系统，毕竟很多时候我们开发简单的产品时用不了全部32个I/O 口，用AT89C2051更合适，芯片体积更小，而且AT89C2051的工作电压最低为2.7V，因此可以用来开发两节5号电池供电的便携式产品。 本文以ATMEL公司生产的51系列家族的AT89S51和AT89C2051两种单片机来讲解，两种单片机是目前最常用的单片机，其中AT89S51为标准51单片机，当然其功能比早期的51单片机更强大，支持ISP在系统编程技术，内置硬件看门狗。。。 一、AT89S51单片机引脚介绍 AT89S51有PDIP、PLCC、TQFP三种封装方式，其中最常见的就是采用40Pin封装的双列直接PDIP封装，外形结构下图。 芯片共有40个引脚，引脚的排列顺序为从靠芯片的缺口（见右图）左边那列引脚逆时针数起，依次为1、2、3、4。。。40，其中芯片的1脚顶上有个凹点（见右图）。在单片机的40个引脚中，电源引脚2根，外接晶体振荡器引脚2根，控制引脚4根以及4组8位可编程I/O引脚32根。
1、主电源引脚（2根） VCC(Pin40)：电源输入，接＋5V电源 GND(Pin20)：接地线 2、外接晶振引脚（2根） XTAL1(Pin19)：片内振荡电路的输入端 XTAL2(Pin20)：片内振荡电路的输出端 3、控制引脚（4根）RST/VPP(Pin9)：复位引脚，引脚上出现2个机器周期的高电平将使单片机复位。ALE/PROG(Pin30)：地址锁存允许信号 PSEN(Pin29)：外部存储器读选通信号 EA/VPP(Pin31)：程序存储器的内外部选通，接低电平从外部程序存储器读指令，如果接高电平则从内部程序存储器读指令。 4、可编程输入/输出引脚（32根） AT89S51单片机有4组8位的可编程I/O口，分别位P0、P1、P2、P3口，每个口有8位（8根引脚），共32根。每一根引脚都可以编程，比如用来控制电机、交通灯、霓虹灯等，开发产品时就是利用这些可编程引脚来实现我们想要的功能，尽情发挥你的想象力吧，实现你想要的：）强大无比。。。 PO口（Pin39～Pin32）：8位双向I/O口线，名称为P0.0～P0.7 P1口（Pin1～Pin8）：8位准双向I/O口线，名称为P1.0～P1.7 P2口（Pin21～Pin28）：8位准双向I/O口线，名称为P2.0～P2.7 P3口（Pin10～Pin17）：8位准双向I/O口线，名称为P3.0～P3.7 上面就是AT89S51单片机引脚的简单介绍，其它51系列家族的单片机8031、8051、89C51等引脚和89S51兼容，只是个别引脚功能定义不同。 二、AT89C2051单片机引脚介绍
VCC-- C=circuit ，线路的意思，指连接到一个完整电路的电源输入正端。为直流电压。在主板上为主供电电压或一般供电电压。例如一般电路VCC3--+3V供电。 VCC3: 3.3V VCC25: 2.5V VCC333: 3.3V VCC5: 5V VCC12: 12V VCORE: CPU核心电压(视CPU OR 电压治具而定) VDD-- D=device，应该说是连接到元件的意思，如：指某IC的工作电压，不排除部分IC同时接VCC、VDD。只是一个通称。普通的IC电源,可能+3V, +1.5V之类，例如数字电路正电压、门电路的供电等。 VDDQ--需要经过滤波的电源,稳定度要求比VDD更高, VSS--地、负电源端、公共点，S=series，指供电的负极，一般是0伏电压或电压参考点GND--地 VEE：...同上...都有GND的意思（ground) 供电电压一般都标为Vdd,Vcc VID--是CPU电压识别信号。以前的老主板有VID跳线,现在的一般没有，CUP工作电压就是由VID来定义。通过控制电源IC输出额定电压给CPU。 VTT--是AGTL总线终端电压（有VTT1.5V、VTT2.5V）,针对不同型号的CPU有1.8V，1.5V，1.125V.测量点在cpu插座旁边,有很多56的排阻,就是它了。 CS--片选 CAS--行选通 RAS--列选通 RESET--复位 CLK--时钟 SCLK--串行时钟 A或SA--地址线 SYNC--串行同步 SDATA--串行数据 VDIMM--内存槽的电源。 5VSB--5V待机电源,待机电源是指电脑未开机,但插着外部电源,主板上有一部分供着电,可以做唤醒等作用的电，SB=stand by--待机。 3VSB--3V待机电源 主板有+5VSB,+3VSB, +3V,+5V,+12V,+5V_DUAL(USB)。 POWER_OK OR POWER_GOOD: 3.3V或5V 也有这样理解的，VDD，接MOS管的D极，即漏极；VSS，接MOS管的S极，即源极，主板上IC里面太多CMOS器件了。VCC，接三极管的C极，集电极。VEE，接三极管的E 极，发射极总之，我们只需要知道那是正哪是负就可以了。在一些少见的电路（器件）中，会遇到相反的情况，就不是我们需要了解的了。 Vpp：电压绝对幅值（V），比如，高中物理课本所讲到的正弦波，正半周和负半周的的电压绝对大小，用示波器看主板cpu电压管的波形时，我们看到的方波已经不是很标准的方波了，它在正方向有12V（比如），在负方向呢，会有0.5V的空间（估计是人为保留的），那么Vpp ＝12.5V。
MCU 芯片管脚定义基本常识 １、输入口（Input ） 输入口其实可以理解为一个对地电阻和对VDD 电阻均为无穷大的端口，它的状态完全由外部电路决定。此脚不用时不能悬空，视工作情况要么接地要么到VDD 。 ２、输出口（Output ） 输出口可由程序设定为输出高或输出低，在负载范围内，输出高时的电压约等于VDD ，输出低时的电压约等于VSS 。此脚不用时可悬空。 ３、有内部上拉的输入口（Pull-high ） 有内部上拉的输入口相当于该输入口在芯片内部接了一个150K 左右的电阻到VDD 。因此，与普通输入口相比，有内部上拉的输入口在外围悬空的情况下测量的电压近似于VDD （不用时可悬空），而普通输入口在外围悬空的情况下测量的电压是不确定的，在VSS~VDD之间变化，实际运用时是不能悬空的。 ４、开漏输出（Open-dnain ） 开漏输出的输出口特性如下：输出低时对VSS 阻抗极低，在负载范围内近似于VSS ；输出高时对VSS 和VDD 阻抗视为无穷大，输出电压取决于外部电路提供的电压（最大为芯片极限存受电压）。 ５、I/O口 顾名思义同一脚即是输入口又是输出口，在不同的时候是不同的状态，视工作情况考虑外部电路；此脚有输入状态，所以不用时不能悬空，也不能直接接地或接VDD ，需通过47K 以上的电阻上拉到VDD 或下拉到地。 ６、如何准确判断输入/输出状态
下面通过一个电阻就可以准确判断出I/O的输入/输出状态。请参考下表：悬空 10K 电阻上拉到VDD 10K 电阻下拉到VSS 测试结果待测I/O电压高高高输出高 低低低输出低 不定高低普通输入 高高低内部上拉 7、I/O的内部保护 I/O一般都有内部保护电路，均采用二极管钳位保护，保证I/O的电压不超过VDD+0.7V且不低于VSS-0.7V , 确保I/O不因外部一定的电压而受到损伤。 ８、应用注意事项 所有输入口均不能悬空（内部上拉的输入口除外），必须通过外部电路接上稳定的高或低电位，否则会导致MCU 的耗电剧增或工作状态的变化。 硬件电路设计中应确保各脚的电压不超过VDD 且不低于VSS ，否则将不仅会使MCU 电流增大且又极易损坏芯片。 芯片外围电路设计时必须确保芯片的供电电压在其允许范围之内。 ９、关于单片机高、低电位的判断 单片机输入口读取高、低电平的判断与芯片供电的VDD 有直接关系，VDD 不同，判断高、低的临界电压值也不一样。根据IC 资料, ≥2/3VDD的电压MCU 判断为高, 而≤1/3VDD的电压值MCU 判断为低, 中间有一定的模糊区，而实际应用的经验告诉我们, 单片机读到高比较容易而不容易读到低, 一般<0.7V的电压才可以准确读到低.
光模块引脚及定义: Top of Bo^rd VeeT 9 VeeR 10 VwR Pin Name FiDtcIbn/Desci^tion 1 VeeT 发射部分地 2 TX F aull 发射部分报错 3 TX Disable 关斷发射，高电平或悬空是有效 4 M0D-DEF2 模块定义脚，I2C 通信的数据线 5 M0D-DEF1 摸块定义脚，I2C 通信的时钟线 6 MOD-DEFO 模块定义脚，接地 7 Rate Select 速率选择 ￡ LOS LOS 告誓 9 V&eR 接枚部分地 10 VeeR 接枚部分地 11 VeeR 接妆部分地 12 RD- 接枚部分数据反相输出 13 REH- 接枚部分数据输出 14 VeeR 接枚部分地 VccR 接枚咅盼电源 16 VccT 发射部分电源 17 VeeT 发射部分地 18 TD+ 发射部分数据输入 19 TD- 发射部分反相数据输入 20 VeeT 发射部分地 Bottom of Board (as viewed thru top of beard)
接受灵敏度 接收■为为了荻陽1 X 107的RER在R点的平均揍收功皐豪小处许AL宜9ATA于 愎用条件下具Wftfftt况幫光比的发送器、脉冲上円和I诵时间总点的光回#L按收H连簽器的劣牝和■■容筆所引寻的灵徽度不包括与色IL押动或来自光通道的反射有姜的功率损失,这崔世响在豪大光*91111失分IS中单单埴作出规宦”因为它们箕在是网端提供 占申设釜抽遣#x>M的何■’在正HIL度下裱牧話开扮仲用和它的春命H止（最坏情况）Z间貝務的余度. 输宜卷2?|4dB范團故一牛确皇老代对揍收器灵响的Hit方医的制子列应附录HI中.在$2￡ * 4中規定的接收赛灵敏度是止
RS232 9针接口管脚與25针接口定义 RS232 RS232是PC上串口通讯的标准配置。如右图所示。通常是9Pin接口，有些设备还使用25Pin的公头接口。(注意：PC上还有一个25Pin的打印机接口，但其为母头接口，请仔细区分) RS232由于其简单易用，而且比较稳定，在很长一段时间内，它成为了工业仪器通讯中应用最为广泛的通讯方式。直到现在，很多设备都以RS232为其基本的通讯配置，然后可以扩充其它通讯方式(GPIB等)。 接口定义： 25Pin的串口接口定义与9Pin的接口定义相对应如下：
RS232的每一支脚位都有它的功用，也有它讯号流动的方向，原来的RS232设计初衷是用来接调制解调器作传输用的，因此它的脚位意义通常也和调制解调器传输有关。 但是，现在用的RS232通讯连接，更多的是各种仪器和设备上。而且应用的线路上，也越来越简化，有时只用到三根线即可：RXD、TXD和GND。 RS-232接口定义及连线 RS-232/串口/异步口/com(通信)口 严格的讲RS-232接口是DTE(数据终端设备)和DCE(数据通信设备)之间的一个接口。 远程通信终端设备 DTE ( Date Terminal Equipment ) 数据通信设备 DCE ( Data Communcation Equipment ) DTE包括计算机、终端、串口打印机等。(针输出) DCE通常有调制解调器(MODEM)和某些交换机com口。(孔输出) RS-232C 标准中提到的“发送”和“接收”，都是站在DTE立场立场上。 1.电气特性 TxD RxD
逻辑1(MARK)= -3v ~ -15v 逻辑0(MARK)= +3v ~ +15v RTS CTS DSR DTR DCD 等 信号有效(接通，ON状态，正电压)= +3v ~ +15v 信号无效(断开，OFF状态，负电压)= -3v ~ -15v 与TTL以高低平表示逻辑状态的规定不同。因此，为了能同计算机接口或终端的TTL器件连接，必须进行电平和逻辑关系的变换。广泛采用集成电路转换器件，MC1488、SN75150(TTL->EIA)、MAX232(TTL<->EIA)。 2.连接器的机械特性 DB-9连接器：AT机以后，不支持20MA电流环接口，使用DB-9，作为提供多若功能I/O卡或主板上COM1/COM2两个串口的连接器。 电缆长度：通信速率低于20kb/s时，RS-232C直接连接最大15m。 最大传输距离：若不使用MODEM，码元畸变小于4%的情况下，最大15m。 3.RS-232C的接口信号 常用的只有9根，标准25根，4条数据、11条控制线、3条定时、7条备用。 <1> 联络控制信号线： DSR 数据装置准备好 ( Data set ready ) 有效时ON状态，表明MODEM处于可以使用状态。 DTR 数据终端准备好 ( Data set raady ) 有效时ON状态，表明数据终端处于可以使用状态。 这两个信号有时连到电源上，一上电就立即有效。只表明设备本身可用，并不说明通信链路可以开始通信，能否开始通信要由下面的控制信号决定。 RTS 请求发送 ( Request to send ) 表求DTE请求DCE发送数据，有效ON。
1:DDC_SCL和DDC_SDA用处: DDC（显示数据通道）主要用于HDMI源端设备（Source）与接收端设备（Sink）之间进行EDID数据及HDCP密钥的交流。通过EDID交流，源端设备可以了解到接收端设备音视频的接收能力；通过HDCP Key的交流，可以实时的进行数据流的内容保护认证，从而达到数据内容保护的目的。 2:DDC的电路: DDC的电路方式与I2C电路相同，因此在DDC电路设计中，设计者要考虑到DDC线路的电平。按照HDMI 1.3a规范，HDMI源端DDC的上拉电阻最小为1.5kΩ，考虑到HDMI认证中DDC 电平的要求（在 4.5～5.5V之间），将DDC信号均通过10kΩ的电阻上拉到HDMI接口的第18引脚（HDMI源端5V电源）。经计算，源端与接收端的DDC总上拉电阻的最小值为R 总上拉min =1.5kΩ‖10kΩ=1.3kΩ。经测试，接收端DDC的电平约为4.68V，因此满足HDMI 认证要求；而DDC总上拉电阻的最小值 1.3kΩ也满足I2C的规范。 3: CEC: 消费类电子控制 CEC（消费类电子控制）操作是HDMI接口的一个重要扩展功能，它采用“一线”（One Wire）通信方式，将HDMI的设备连通起来，使HDMI设备之间的操作简单化。即接收端有多个HDMI 接口, 将一台HDMI输出和所有HDMI输出必须连接在一起，其中一台设备断电时应该不影响
其他设备的工作。如果接收端采用PS321（三选一HDMI开关）采用内置的EDID缓存区来配置，那么PS321的CEC操作设计主要是CEC物理地址的分配。具体见HDMISpecification13a 4：HPD：Hotplug热插拔 HPD（Hotplug热插拔）操作设计是HDMI接口软件设计的一个重要环节，它是由接收端设备（Sink）发出的，在与HDMI源端设备（Source）之间建立正式通信的前奏信号。HPD信号电平为高时表示接收端设备已经准备好了，允许源端设备访问接收端设备。 在HPD操作的软件设计中，要考虑如下两个因素。 一是HDMI源端设备输出的电源脚（HDMI接收端插座的第18引脚）的检测。如果HDMI接收端插座的第18引脚为低电平，表示HDMI源端设备未准备好，此时接收端设备应把HPD信号置低电平；如果HDMI接收端插座的第18引脚为高电平，表示HDMI源端设备已准备好，此时接收端设备根据自身的情况可以有选择的将HPD信号置高电平，以通知HDMI源端设备，表明接收端设备也准备好。 二是源端与接收端通信失败下的模拟HPD操作。当HDMI源端与接收端的通信刚建立时可能出现HDCP-KEY读取失败或EDID数据读取错误的情况，造成HDMI工作不正常，此时为了恢复正常的通信，需要进行模拟的HPD操作，即由接收端设备将HPD信号从高电平拉为低电平，HPD低电平持续100ms左右，再拉回高电平，这样源端设备会检测HPD信号的跳变，重新发起读取操作，为建立正常通信做进一步的尝试。这种软件模拟HPD的操作可以在不需要人为热插拔操作的协助下以模拟硬插拔的方式来重建HDMI的正常通信，从而可以消除通信不稳定引起的故障。
使能信号。 VA: analog power 模拟电源输入; LVDS:Low voltage differential signal 低电平微分信号。 电源开关输入。 定时程序信号输入 signal). 11 .WE:写入启动信号；RST: reset 复位信号；CLK 时钟控制信号；CKE 时钟 控制信号。 12. Vcc:电源信号；CS 片选信号；SCLK:串行时钟输入；RF:信号输出；FCOM: 公共信号端。 :晶振信号输出；XTALI:晶振信号输入。OPOLS:VCO 信号输出。 :ASCO 时钟、数据输出；RXD:ASCO^据输入或输出。 : 同步脉冲输入 ； RCT: 振荡器时间常数电路 ；DC: 占空比控制。 :5V 基准电压;VFB:误差放大器倒相输入；COMP 误差放大器输出。 1、 2、 3、 4、 5、 常用 IC 芯片管脚的定义中引文翻译 VOL — Voltage Output Low 低电平输出电压； VIH (Voltage Input High )高 电平输入电压。 CLKO(Clock Out put)时钟输出;Vss 数字地。DP:USB 端 D+言号。 VD —数字电源；Vssp:I/O 驱动缓冲数字地。DM: USB 端 D-信号。 CE:Chip enable input 片使能输出; OE ：Output enable input 输出使能输 入。 WP:Write protect 写入保护； FWR Flash write enable input 闪存写入 6、 7、 FB ：Output voltage feedback 输出电压返回输入; SW:Power switch input 8、 SHON:Shutdown control input 关闭信号输入 ;COMP:comp voltage. 9、 TS:Temperature-sense input 温度感应信号输入 RC:Timer-program input 10. SNS:Current-sense input 电流感应信号输入；CE:使能信号(enable
单片机8031引脚图及管脚功能说明 8031是最常见的mcs51系列单片机之一，是intel公司早期的成熟的单片机产品,应用非常广泛,本文介绍一下它的引脚图及管脚功能. 8031引脚图如附图所示, 8031引脚功能描述 （1）8031主电源引脚Vss和Vcc ①Vss接地 ②Vcc正常操作时为+5伏电源 （2）外接晶振引脚XTAL1和XTAL2 ①XTAL1内部振荡电路反相放大器的输入端，是外接晶体的一个引脚。当采用外部振荡器时，此引脚接地。 ②XTAL2内部振荡电路反相放大器的输出端。是外接晶体的另一端。当采用外部振荡器时，此引脚接外部振荡源。 （3）控制或与其它电源复用引脚RST/VPD，ALE/ ，和/Vpp ①RST/VPD 当振荡器运行时，在此引脚上出现两个机器周期的高电平（由低到高跳变），将使单片机复位 在Vcc掉电期间，此引脚可接上备用电源，由VPD向内部提供备用电源，以保持内部RAM 中的数据。 ②ALE/ 正常操作时为ALE功能（允许地址锁存）提供把地址的低字节锁存到外部锁存器，ALE 引脚以不变的频率（振荡器频率的）周期性地发出正脉冲信号。因此，它可用作对外输出的时钟，或用于定时目的。但要注意，每当访问外部数据存储器时，将跳过一个ALE 脉冲，ALE 端可以驱动（吸收或输出电流）八个LSTTL电路。对于EPROM型单片机，在EPROM编程期间，此引脚接收编程脉冲（功能） ③外部程序存储器读选通信号输出端，在从外部程序存储取指令（或数据）期间，在每个机器周期内两次有效。同样可以驱动八LSTTL输入。 ④/Vpp 、/Vpp为内部程序存储器和外部程序存储器选择端。当/Vpp为高电平时，访问内部程序存储器，当/Vpp 为低电平时，则访问外部程序存储器。 对于EPROM型单片机，在EPROM编程期间，此引脚上加21伏EPROM编程电源（Vpp）。
常用器件的介绍 1．ＩＣ的管脚功能 IC芯片分别：74HC245、74HC595、74HC138、74HC04、4953。各IC管脚功能如下： A: 74HC245功能是放大及缓冲。各引脚如图 20 和1接电源(+5V) 19脚和10脚接电源地(GND) 当电源是以上接时：输入脚分别为2、3、4、5、6、7、8、9。 输出脚分别为11、12、13、14、15、16、 17、18 注：2脚输入时，18脚输出。其它脚以此类推。 B：74HC138功能是8选1译码器，输出为8行。控制行数据。 各引脚如图
第8脚GND，电源地。第16脚VCC，电源正极。第1-3脚A、B、C，输入脚。第4-6脚选通输入端，（一般第5脚为EN ） 9-15脚和第7脚输出端。 C：74HC595功能是8位串入串、并出移位寄存器。控制列数据。各引脚如图 16脚和10脚接电源（+5V），13脚和8脚接电 源地（GND）。 列信号输出脚：1、2、3、4、5、6、7、15。 第一列输出脚为7脚，以此类 推。另第八列输出脚为15脚。 数据信号输入脚（Din）为14，数据信号输出 脚（Din）为9。 锁存信号脚（L）为12脚，移位信号脚为11 脚。 D：74HC04功能是六带缓冲反相器，控制使零信号（EN）。 各引脚如下图
15脚接电源（+5V），7脚电源地（GND）。 信号输入脚为：1、3、5、9、11、13。 信号输出脚为：2、4、6、8、10、12。 E：4953行管功能是开关作用，每个行管控制2 行。 1脚和3脚接电源（+5V）。 信号输入脚：2、4。 信号输出脚：5、6、7、8。 5脚和6脚为一 组输入， 7脚和8脚、5脚和6脚为一组输出。 TB62726与5026 5024 16126的作用：LED驱动芯片，16位移 位锁存器。 第1脚GND，电源地。第24脚VCC，电源正极第2脚DATA， 串行数据输入 第3脚CLK，时钟输入.第4脚STB，锁存输入 .第23脚输出电 流调整端，接电阻调整