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电路与模拟电子技术(第二版)第5章习题解答[1]

电路与模拟电子技术(第二版)第5章习题解答[1]
电路与模拟电子技术(第二版)第5章习题解答[1]

第五章 电路的暂态分析

5.1 题5.1图所示各电路在换路前都处于稳态,求换路后电流i 的初始值和稳态值。

解:(a )A i i L L 326)0()0(===-+,

换路后瞬间 A i i L 5.1)0(2

1

)0(==

++ 稳态时,电感电压为0, A i 32

6==

(b )V u u C C 6)0()0(==-+, 换路后瞬间 02

)

0(6)0(=-=

++C u i 稳态时,电容电流为0, A i 5.12

26

=+=

(c )A i i L L 6)0()0(11==-+,0)0()0(22==-+L L i i 换路后瞬间 A i i i L L 606)0()0()0(21=-=-=+++ 稳态时电感相当于短路,故 0=i

(d )2

(0)(0)6322

C C u u V +-==?=+ 换路后瞬间 6(0)63

(0)0.75224

C u i A ++--=

==+

(a)(b)

(d)

(c)

C

C

L 2

+6V -

题5.1图

i

稳态时电容相当于开路,故 A i 12

226

=++=

5.2 题5.2图所示电路中,S 闭合前电路处于稳态,求u L 、i C 和i R 的初始值。 解:换路后瞬间 A i L 6=,V u C 1863=?= 06=-=L R i i

03

18

63=-=-=C L C u i i

0==+R C L Ri u u ,V u u C L 18-=-=

5.3 求题5.3图所示电路换路后u L 和i C 的初始值。设换路前电路已处于稳态。 解:换路后,0)0()0(==-+L L i i , 4mA 电流全部流过R 2,即

(0)4C i mA +=

对右边一个网孔有:

C C L u i R u R +?=+?210

由于(0)(0)0C C u u +-==,故

2(0)(0)3412L C u R i V ++==?=

5.4 题5.4图所示电路中,换路前电路已处于稳态,求换路后的i 、i L 和 u L 。 解:对RL 电路,先求i L (t),再求其它物理量。

10

(0)(0)0.520

L L i i A +-==

= 电路换路后的响应为零输入响应

2

0.140||(2020)

L S R τ===+,故

A e e i t i t t L L 10/5.0)0()(--+==τ

换路后两支路电阻相等,故

+u L -

题5.2图

题5.3图

C

+u L

-

i L 题5.4图

A e t i t i t L 1025.0)(2

1

)(-==

, 10()()(2020)10t L u t i t e -=-+=-V

5.5 题5.5图所示电路中,换路前电路已处于稳态,求换路后的u C 和i 。 解:对RC 电路,先求u C (t),再求其它物理量

V u u C C 242424

81244

)0()0(=?++==-+

S 合上后,S 右边部分电路的响应为零输入响应 1(8||24)2

3R C S τ==?= 2

/24)0()(t t C C e e

u t u -

-+==τ

2

211()24()432

t t

C du i t C e e A dt --==??-=-

5.6 题5.6图所示电路中,已知开关合上前电感中无电流,求0 ()()L L t i t u t ≥时的和。 解:由题意知,这是零状态响应,先求L i A i L 23

23

3||2624)(=+?+=

s R L 4

1

6||321=+=

=τ 故 A e e i t i t t L L )1(2)1)(()(4/---=-∞=τ V e e dt

di L

t u t t L

L 448421)(--=??==

5.7 题5.7图所示电路中,t=0时,开关S 合上。已知电容电压的初始值为零,求u C (t)和i (t)。

解:这也是一个零状态响应问题,先求C u 再求其它量

300

()2015100300(25100||300)0.055C u V

RC S

τ∞=?=+==+?=

题5.5图

题5.6图

+

C

-

V e e u t u t t C C )1(15)1)(()(2.0/---=-∞=τ

A e e dt

du C

t i t t C

C 2.02.015.02.01505.0)(--=??== 0.2

0.2

0.22515(1)250.150.15300300

t t t C C C u i e e i i e ---+-+?=+

=+

A e t )1125.005.0(2.0-+=

5.8 题5.8图所示电路中,已知换路前电路已处于稳态,求换路后的u C (t)。 解:这是一个全响应问题,用三要素法求解

(0)(0)10

2010()60

1016

4060

C C C u u V u V +-==-∞=?+=+ s RC 46104.2101060||40--?=??==τ τ

/)]()0([)()(t C C C C e u u u t u -+∞-+∞=

V e t )616(/τ--=

5.9 题5.9图所示电路中,换路前电路已处于稳态,求换路后u C (t)的零输入响应、零状态响应、暂态响应、稳态响应和完全响应。

解:电路的时间常数

s RC 261041010)40004000(||8000--?=??+==τ

V u u C C 8108101)0()0(33=???==--+ 零输入响应为:t

e

258-V

V u C 288

441

4)(=?++?=∞

零状态响应为:V e t )1(225-- 稳态响应为:2V , 暂态响应为:V e e e

t t t

252525628---=-

全响应为:V e e u u u t u t t C C C C )62()]()0([)()(25/--++=∞-+∞=τ

+

C

-

题5.8图

+

u C

-

题5.9图

5.10 题5.10图所示电路中,换路前电路已处于稳态,求换路后的i(t)。 解:用三要素求解

A i i L L 4312)0()0(===-+

由弥尔曼定理可求得

A i L 106

36

312)(=+=∞ s R L 2

1

6||31===τ

A e e i i i t i t t L L L L )610()]()0([)()(2/--+-=∞-+∞=τ

5.11 题5.11图所示电路中,U S=100V ,R 1=5k Ω,R 2=20k Ω,C=20μF ,t=0时S 1闭合,t=0.2S 时,S 2打开。设u C (0-)=0,求u C (t)。

解:00.2t s <≤为零状态响应,

110.1R C s τ== V e

e

U t u t

t S C )1(100)1()(10/1

---=-=τ

0.2t s >为全响应,212()0.5R R C s τ=+=,

V e u C )1(100)2.0(2--=,V u C 100)(=∞

22(0.2

()100100(1)1

00 t C u t e e ---??=+--

?

? )8.0(2100100+--=t e V

5.12 题5.12图(a)所示电路中,i (0-)=0,输入电压波形如图(b)所示,求i (t)。

解:V t t t u S )1(2)(2)(--=εε,s R L 6

5

==

τ, V u S 2=时,A i 12

2)(==∞

题5.10图

+

u C

-

题5.11

题5.12图

(a)

(b)

6

5

()(1)t i t e A

-'=- 故 )1()1()()1()()1(5

6

5

6

----=---t e

t e

t i t t εε

5.13 题5.13图(a)所示电路中,电源电压波形如图(b)所示,u C (0-)=0,求u C (t)和i (t)。

解:V t t t t u S )6.0(2)2.0(4)(2)(-+--=εεε,0.5RC s τ== 单位阶跃响应为

V e t S t )1()(2--=

V t e t e t e t u t t t C )6.0(]1[2)2.0(]1[4)()1(2)()6.0(2)2.0(22--+----=-----εεε

5.14 要使题5.14图所示电路在换路呈现衰减振荡,试确定电阻R 的范围,并求出当R=10Ω时的振荡角频率。

解:临界电阻

20R ===Ω, 即R<20时,电路在换路后呈现衰减振荡,R=10Ω时

3310 2.510/22210

R rad s L δ-=

==???, s /r a d .LC

33

30105210201021

1?=???=

=

ω--

故衰减振荡角频率

s rad /1033.4322

0?=-='δωω

5.15 题5.15图所示电路中,换路前电路处于稳态,求换路后的u C 、i 、u L 和i max 。

题5.13图

(a)

(b)

+

C

-

题5.14图

解:由于R C L ==?=-200010122

6

故换路后电路处于临界状态

s r a d L R /101

22000

30=?==ωδ

V e t e t U t u t t C 10000)10001(10)1()(--+=+=δδ

A te dt du c

t i t C

100010)(-=-= V e t dt

di

L t u t L 1000)10001(10)(--==

011000=-t 时,即t=10-3

S 时,i 最大

A e I 313max 1068.31010---?=?=

i 题5.15图

+

u L

-

+

10V -

模拟电子技术习题

一、选择题:(共10题,每题1分。合计10分) 第一章: 1.PN 结加正向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入( )元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( )。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时,二极管的正向特性曲线将( )。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在( )区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章: 1. 对于直接耦合基本放大电路,( )的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路,( )的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中,( )电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管,如果当C I 从1mA 变为1.9mA ,E I 从1.01mA 变为1.92mA ,那么它的 约为( )。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管,只能满足( ),管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

模拟电路第二章课后习题答案(供参考)

第二章 习题与思考题 ◆ 题 2-1 试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。 解: (a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求; (b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏); (c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏); (d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏); (e) 有放大作用(电压放大倍数小于1); (f) 无放大作用,电容C 2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0; (g) 无放大作用,电容C b 使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极; (h) 不能正常放大,场效应管栅源之间无直流偏置; (i) 无放大作用,VGG 的极性使场效应管不能形成导电沟道。 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆ 题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大,变压器为理想变压器。 解: 本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念,练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆ 题 2-3 在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。 ① 增大Rb ;②增大VCC ;③增大β。 解: ① ↓↓?↓?↑?CEQ CQ BQ b U I I R ② 不定)(↑-↑=↑?↑?↑?CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V ③ ???↓↑?↑?CC CQ BQ V I I 基本不变β 本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对Q 点的影响。 ◆ 题 2-4 在图,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、 U CEQ 、r be 和||u A &将增大、减小还是不变。 ① 增大R b1;②增大R b2;③增大Re ;④增大β。 解: ① ?????↑↓?↓↑↑?≈↑?↑?↑?||1u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ② ?????↓↑?↑↓↓?≈↓?↓?↑?||2u be CEQ BQ EQ CQ EQ BQ b A r U I I I U U R & ③ ?????↓↑?↑↓↓?≈↑?||u be CEQ BQ EQ CQ e A r U I I I R &

模拟电子技术题库

一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体,它由本征半导体掺入_____价元素形成,其 多数载流子是__________,少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时,扩 散电流 漂移电流,耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中,输入和输出相位相反的是____________,输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较,____________为电压控制器件,____________为电 流控制器件,____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时,常用的两个基本且重要的概念是: 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要,如果Q 点设置过低,将会引起 失真,其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中,稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于( ) A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 ( ) A . A 是基极, B 是发射极, C 是集电极,是NPN 管

B.A是集电极,B是基极,C是发射极,是PNP管 C.A是集电极,B是发射极,C是基极,是PNP管 D.A是发射极,B是集电极,C是基极,是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求() A、UGS>0,UDS>0 B、UGS<0,UDS<0 C、UGS>0,UDS<0 D、UGS<0,UDS>0 4、某仪表的放大电路,要求Ri很大,输出电流稳定,则应采用()形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中,电阻Re的作用是:() A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时,其K CMR将会()。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少?() A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路,因晶体管损坏,采用β值为原来2倍的晶体管替换;问该放大电路的电压增益如何变化?() A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半

模拟电子技术课后习题及答案

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零,则其输入电阻会明显变小。() 解:(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时, 空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变 宽 (2) _______________________________________________ 设二极管 的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶 体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为_______________ 。

模拟电路基础知识大全

模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。

模拟电路第二章

第二章 2—4、二极管电路如图题2.4所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出各电路的输出 电压V 0,设二极管的导通压降为0.7V 。 解: 二极管导通 V V 7.50-= 二极管VD 1导通,二极管VD 2截止。 V V 7.00-= 2—5、电路如图题2.5所示,图中二极管是理想的,设输入电压t sin u i ω10=(V)时,试画出) t (u 0的波形。 V /u -10

2—6、硅二极管限幅电路如图题2.6(a)所示,当输入波形i u 如图题2.6(b)所示时,画出输出电压0 u 的波形。 2—7、(1)已知两只硅稳压管的稳压值分别为8V 和6V ,当将它们串联或并联使用时可以得到几 种不同的稳压值? (2)稳压值为6V 的稳压管接成如题图2.7所示电路,R 1=4K Ω,在下面四种情况下确定 V 0的值。a )V i =12V , R 2=8K Ω;b )V i =12V , R 2=4K Ω;c )V i =24V , R 2=2K Ω;d )V i =24V , R 2=1K Ω。 V /u V / -0u

解:(1)串联使用时可以得到:8+6=14V ;8+0.7=8.7V ;6+0.7=6.7V ;0.7+0.7=1.4V (2)a)V 0=6V ; b)V 0=6V ; c)V 0=6V ; d)V 0=4.8V ; 2—8、在下列几种情况下求输出端F 的点位V F 以及电路各元件中流过的电流:(1)V A =V B =0V ; (2)V A =+3V ,V B =0V (3)V A =V B =+3V 。二极管的正向电压忽略不计。 解:(1) V A =V B =0V 时,两个二极管均导通。V F =0V mA 0839312..I R ≈= mA .I I I R VDB VDA 5412 1=== (2)V A =+3V ,V B =0V 时,VD A 截止,VD B 导通。 V F =0V mA 0839312..I I DB V R ≈= = 0=VDA I (3)V A =V B =+3V 时,两个二极管均导通。V F =3V mA 31293312..I R ≈-= mA .I I I R VDB VDA 1512 1=== 2—11、在晶体管放大电路中测得晶体管3个电极的电位如图题2.11所示,试判断晶体管的类型、 材料,并区分a 、b 、c 三个极。 为PNP 型Ge 管 2—12、某个晶体管的参数如下:V V ,mA I ,mW P CEO )ER (CM CM 1520100 ===,问下列哪种情况下晶体管可以正常工作? (1)mA I ,V V C CE 103==;(2)mA I ,V V C CE 402==;(3)mA I ,V V C CE 206== 解:(1)可以正常工作。(2)CM C I I >不能正常工作。(3)CM C P P >不能正常工作。 (集电极) (发射极) (基极)

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题(B ) 姓名 班级 学号 计分 1.电路如图P1.4所示,已知u i =5sin ωt (V),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出u i 与u O 的波形,并标出幅值。 (5分) 2. 设图中A 为理想运放,请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示,设满足深度负反馈条件。 1.试判断级间反馈的极性和组态; 2.试求其闭环电压放大倍数A uf 。 (10分) (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等),并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0,C 1,C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中,设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12V 。 1. 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路? 2. A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区? 3. 若输入为1V 的直流电压,则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大?(10分) V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6.电路如图所示,晶体管的 =100,' bb A 、R i和R o; (1)求电路的Q点、 u (2)若电容C e开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?(15分) r=100Ω,U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7.图所示电路参数理想对称,晶体管的β均为50,' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ,以及动态参数A d和R i。(15分)

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用1.1 填空题 1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P 型半导体,其多数载流子是空穴。 3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。 5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。 8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于650 Ω,交流电阻等于26 Ω。 1.2 单选题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.晶格缺陷2.PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。 A.价电子B.自由电子C.空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。

A.减小B.基本不变C.增大 4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。 A.增大B.基本不变C.减小 5.变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器1.3 是非题 1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( √) 2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ×) 3.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。( ×) 4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ×) 1.4 分析计算题 1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U D(on)=0.7V,试写出各电路的输出电压Uo值。 解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U0=(6—0.7)V=5.3 V。 (b)令二极管断开,可得U P=6 V、U N=10 V,U PUp—

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0,则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工 作点过高,容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示,二极管导通电压U D=0.7V,关于输出电压的说法正确的是( B )。 A:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B:u I1=3V,u I2=0.3V时输出电压为1V。 C:u I1=3V,u I2=3V时输出电压为5V。 D:只有当u I1=0.3V,u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A:集电极电源+V CC电压变高B:集电极负载电阻R C变高 C:基极电源+V BB电压变高D:基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为( A ) A. -2.5V B. -5V C. -6.5V D. -7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术第二章习题解答

习题 题2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。 图P2-1 题2-1解(a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求; (b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏); (c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏); (d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏); (e) 有放大作用; (f) 无放大作用,输入信号的负半轴不能加到放大电路中去; (g) 无放大作用,电容C2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0; (h) 无放大作用,电容Cb使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极;本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 题2-2 已知图P2-2(a)中:R b=510kΩ,R c=10kΩ,R L=1.5kΩ,V CC=10V。三极管的输出特性如图(b)所示。 ①试用图解法求出电路的静态工作点,并分析这个工作点选得是否合适; ②在V CC和三极管不变的情况下,为了把三极管的静态集电极电压U CEQ提高到5V左右,可以改变哪些参数?如何改法? ③在V CC和三极管不变的情况下,为了使I CQ=2mA,U CEQ=2V,应改变哪些参数?改成什么数值?

(a ) 题2-2解:① 先由估算法算出I BQ C C B E Q BQ b 100.7 mA 0.02mA 20μA 510 V U I R --= ≈ ≈= 然后,由式 C c C CC CE i R i V u 1010-=-=, 在输出特性曲线上画出直流负载线,其与横、 纵两个坐标轴的交点分别未(10V ,0)和(0,1mA ),直流负载线与i B =20uA 的一条输出 特性曲线的交点Q1即为静态工作点。 由Q1可得,U CEQ ≈0.5V ,I CQ =0.95mA 。可见,Q1点靠近饱和区,位置不太合适,容易产生饱和失真。 ② 在V CC 和三极管不变的情况下,为了把三极管的静态集电极电压U CEQ 提高到5V 左右,可以改变的参数只有R b 和(或)R c ,有以下几种方法: 1)同时减小R b 和R c ,如图中Q2点;2)R b 不变,减小R c ,如图中Q ’2点;3)Rc 不变,增大Rb ,如图中Q ’’2点;4)同时增大Rb 和Rc ,静态工作点在图中Q ’’2点以下。 ③ 在V CC 和三极管不变的情况下,为了使I CQ =2mA ,U CEQ =2V ,可以改变的参数只有R b 和(或)Rc 。将i C =I CQ =2mA ,u CE =U CEQ =2V 的一点与横坐标轴上u CE =10V 的一点相连即可得到此时的直流负载线,此时集电极电阻为CC CEQ c CQ 102 k Ω4k Ω2 V U R I --= = =, 由图可见,Q3点处I BQ =40uA ,则CC BEQ b BQ 100.7 k Ω250k Ω0.04 V U R I --= = ≈ ,因此,需要减小 Rb 和Rc 为:Rc =4k Ω,Rb =250k Ω。 i C u CE /V 图 P2-2 (b )

模拟电子技术基础 第二章练习题

注意:答案仅供参考! 一、填空题 1. 半导体三极管属于 电流 控制器件,而场效应管属于 电压 控制器件。 2. 放大器有两种不同性质的失真,分别是 线性 失真和 非线性 失真。 3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变 大 ;若负载电阻R L 变小时,其电压增益将变 小 。 4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ;产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ;若两种失真同时产生,其原因是 输入信号太大 。 5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。 6.静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真;Q 点选得过高会导致 饱和 失真。 7.对于下图所示电路,设V CC =12V ,R b =510k Ω,R c =8 k Ω,V BE =0.7V ,V CE (sat )=0.3V,当β=50,静态电流I BQ = 22μA ,I CQ = 1.1mA ,管压降V CEQ = 3.2V ;若换上一个当β=80,静态电流I BQ = 22μ A ,I CQ = 1.46mA ,管压降V CEQ = 0.3V ,三级管工作在 饱和 状态。 8.对于下图所示电路,设V CC =12V ,三级管β=50,V BE =0.7V ,若要求静态电流I CQ =2mA ,V CEQ =4V ,则电路中的R b = 282.5 k Ω ,R C = 4 k Ω 。

9.对于下图所示电路,已知V CC =12V,R b1 =27 kΩ,R c =2 kΩ,R e =1 kΩ,V BE =0.7V, 现要求静态电流I CQ =3mA,则R b2 = 12 kΩ。 10.已知图示的放大电路中的三级管β=40,V BE=0.7V,稳压管的稳定电压V Z=6V, 则静态电流I BQ = 0.275mA ,I CQ = 11mA ,管压降V CEQ = 3V 。 11. 当环境温度升高时,三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数β增 大,穿透电流I CEO增加,当I B不变时,发射结正向压降|U BE|减小。 12.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作,当到了夏天后,发现输出波形失真,且幅度增大,这时发生的失真是饱和失真,失真的主要原因是由于 夏天室温升高后,三级管的 I CBO 、 V BE 和β三个参数的变化,引起工 作点上移;输出波形幅度增大,则是因为β参数随温度升高而增大所造成,输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

模拟电子技术教程课后习题答案大全

第1章习题答案 1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。 (1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。(√) (2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。(×) (3)线性电路一定是模拟电路。(√) (4)模拟电路一定是线性电路。(×) (5)放大器一定是线性电路。(√) (6)线性电路一定是放大器。(×) (7)放大器是有源的线性网络。(√) (8)放大器的增益有可能有不同的量纲。(√) (9)放大器的零点是指放大器输出为0。(×) (10)放大器的增益一定是大于1的。(×) 2 填空题: (1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。 (2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。 (3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。 (4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。 (5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。 (6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。 (7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。 (8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 (10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。 解:提示:按照输入阻抗、输出阻抗定义完成,电流通过测电阻压降得到。 4. 现有:宽频信号发生器1个,示波器1个,互导型放大器1个,1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率,请写出实验步骤。 解: 提示:放大器输入接信号源,输出接电阻,从0HZ开始不断加大频率,由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录,绘出通频带各点图形。 第2章习题答案

模拟电路基础知识大全

一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。

模拟电路第二章课后习题答案汇编

模拟电路第二章课后 习题答案

第二章习题与思考题 ◆题 2-1试判断图 P2-1中各放大电路有无放大作用,简单说明理由。 解: (a) 无放大作用,不符合“发射结正偏,集电结反偏”的外部直流偏置要求; (b) 不能正常放大,三极管发射结没有偏置(正偏); (c) 无放大作用,三极管集电结没有偏置(反偏); (d) 无放大作用,三极管发射结没有偏置(正偏); (e) 有放大作用(电压放大倍数小于1);

(f) 无放大作用,电容C2使输出端对地交流短路,输出交流电压信号为0; (g) 无放大作用,电容C b使三极管基极对地交流短路,输入交流信号无法加至三极管基极; (h) 不能正常放大,场效应管栅源之间无直流偏置; (i) 无放大作用,VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。 本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理。 ◆题 2-2 试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。设电路中的电容均足够大,变压器为理想变压器。 解:

本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念,练习画出各种电路的直流通路和交流通路。 ◆题 2-3 在NPN三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路的I BQ、I CQ、U CEQ将增大、减小还是不变。①增大Rb;②增大VCC;③增大β。 解: ①↓ ↓? ↓? ↑? CEQ CQ BQ b U I I R ②不定 ) (↑ - ↑ = ↑? ↑? ↑? CQ c CC CEQ CQ BQ CC I R V U I I V b CC b CC b BEQ CC BQ R V R V R U V I≈ - ≈ - = 7.0 BQ BQ CQ I I Iβ β≈ ≈C CQ CC CEQ R I V U- =

模拟电路基础 教案

教师教案(2011—2012学年第一学期) 课程名称:模拟电路基础 授课学时:64学时 授课班级:20XX级光电2-4专业任课教师:钟建 教师职称:副教授 教师所在学院:光电信息学院 电子科技大学教务处

第1章半导体材料及二极管(讲授8学时+综合训练2学时) 一、教学内容及要求(按节或知识点分配学时,要求反映知识的深度、广度,对知识点的掌握程度(了解、理解、掌握、灵活运用),技能训练、能力培养的要求等) 1.1 半导体材料及其特性:理解并掌握本征半导体与杂质半导体(P型与N 型)的导电原理,本征激发与复合、多子与少子、漂移电流与扩散电流的区别;理解并掌握PN结的形成原理(耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义);理解PN 结的单向导电特性与电容效应。(2学时) 1.2 PN结原理:PN结的形成:耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义,PN结的单向导电特性,不对称PN结。(2学时) 1.3 晶体二极管及应用:理解并掌握二极管单向导电原理及二极管伏安特性方程;理解二极管特性随温度变化的机理;理解并掌握二极管的四种等效电路及选用原则与区别;理解并掌握二极管主要参数;了解不同种类二极管区别(原理),了解硅管与锗管的区别;理解稳压二极管的工作原理。(4学时) 二、教学重点、难点及解决办法(分别列出教学重点、难点,包括教学方式、教 学手段的选择及教学过程中应注意的问题;哪些内容要深化,那些内容要拓宽等等) 重点:半导体材料及导电特性,PN结原理,二极管单向导电特性及二极管方程,二极管伏安特性曲线及其温度特性。 难点:晶体二极管及应用,PN结的反向击穿及应用。 三、教学设计(如何讲授本章内容,尤其是重点、难点内容的设计、构思) 重点讲解二极管的单向导电性,二极管单向导电特性及二极管方程,二极管伏安特性曲线及其温度特性,二极管导通电压与反向饱和电流,二极管的直流电阻与交流电阻。反向击穿应用:设计基本稳压管及电路。

模拟电子技术课程习题 第二章 基本放大电路

第二章基本放大电路 在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在基本共射放大电路中,负载电阻R L减小时,输出电阻R O将[ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。 A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是[ ] A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真 以下电路中,可用作电压跟随器的是[ ] A.差分放大电路B.共基电路 C.共射电路D.共集电路 晶体三极管的关系式i E=f(u EB)|u CB代表三极管的 A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共基极输入特性 D.共基极输出特性 对于图所示的复合管,穿透电流为(设I CEO1、I CEO2分别表示T1、T2管的穿透电流) A.I CEO= I CEO2I CEO B.I CEO=I CEO1+I CEO2 C.I CEO=(1+2)I CEO1+I CEO2 D.I CEO=I CEO1 图[ ] 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正

模拟电子技术基础期末考试试题及答案 2

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。

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