各品牌SDRAM代换表
Org Hynix(韩国
现代)
Samsung(
韩国三
星)
Winbond(台
湾华邦)
Elpida(日本尔
必达)
Esmt(台湾晶豪)
1*16HY57V161610W9816G6EDS1616A M12L16161A
4*16HY57V641620K4S64163
2
W9864G6EDS6416A M12L64164A
2*32HY57V643220K4S64323
2
M12L64322A
8*16HY57V281620K4S28163
2
W9812G6EDS1216A M12L128168A
16*16HY57V561620K4S56163
2
W9825G6EDS2516A
Org Etron(台湾
钰创)
ISSI(美
国)
Icsi(台湾)
Micron(美国美
光)
Infineon(德国英飞
凌)
1*16EM636165IS42S161
00
IC42S16100MT48LC1M16HYB39S16160
4*16EM638165IS42S164
00
IC42S16400MT48LC4M16HYB39S64160
2*32EM638325IS42S322
00
IC42S32200MT48LC2M32
8*16EM639165IS42S168
00
IC42S16800MT48LC8M16HYB39S128160
16*16IS42S161
60
IC42S16160MT48LC16M16HYB39S256160
液晶屏驱动板的原理与维修代换方法 1、液晶屏驱动板的原理介绍 液晶屏驱动板常被称为A/D<模拟/数字）板，这从某种意义上反应出驱动板实现的主要功能所在。液晶屏要显示图像需要数字化过的视频信号，液晶屏驱动板正是完成从模拟信号到数字信号<或者从一种数字信号到另外一种数字信号）转换的功能模块，并同时在图像控制单元的控制下去驱动液晶屏显示图像。液晶显示器的驱动板如图1、图2所示。 图1 品牌液晶显示器采用的驱动板 图2部分液晶显示器采用的是通用驱动板 如图3所示，液晶屏驱动板上通常包含主控芯片、MCU微控制器、ROM存储器、电源模块、电源接口、VGA视频信号输入接口、OSD按键板接口、高压板接口、LVDS/TTL驱屏信号接口等部分。 液晶屏驱动板的原理框图如图4所示，从计算机主机显示卡送来的视频信
号，通过驱动板上的VGA视频信号输入接口送入驱动板的主控芯片，主控芯片根据MCU微控制器中有关液晶屏的资料控制液晶屏呈现图像。同时，MCU微控制器实现对整机的电源控制、功能操作等。因此，液晶屏驱动板又被称为液晶显示器的主板。 图3 驱动板上的芯片和接口 液晶屏驱动板损坏，可能造成无法开机、开机黑屏、白屏、花屏、纹波干扰、按键失效等故障现象，在液晶显示器故障中占有较大的比例。 液晶屏驱动板广泛采用了大规模的集成电路和贴片器件，电路元器件布局
紧凑，给查找具体元器件或跑线都造成了很大的困难。在非工厂条件下，它的可修性较小，若驱动板因为供电部分、VGA视频输入接口电路部分损坏等造成的故障，只要有电路知识我们可以轻松解决，对于那些因为MCU微控制器内部的数据损坏造成无法正常工作的驱动板，在拥有数据文件<驱动程序）的前提下，我们可以用液晶显示器编程器对MCU微控制器进行数据烧写，以修复固件损坏引起的故障。早期的驱动板，需要把MCU微控制器拆卸下来进行操作，有一定的难度。目前的驱动板已经普遍开始采用支持ISP<在线编程）的MCU微控制器，这样我们就可以通过ISP工具在线对MCU微控制器内部的数据进行烧写。比如我们使用的EP1112最新液晶显示器编程器就可以完成这样的工作。 图4 驱动板原理框图 在液晶显示器的维修工作中，当驱动板出现故障时，若液晶显示器原本就使用的是通用驱动板，就可以直接找到相应主板代换处理，当然，仍需要在其MCU中写入与液晶屏对应的驱动程序；若驱动板是品牌机主板，我们一般采用市场上常见的“通用驱动板”进行代换方法进行维修； “通用驱动板”也称“万能驱动板”。目前，市场上常见的“通用驱动板”有乐华、鼎科、凯旋、悦康等品牌，如图5所示，尽管这种“通用驱动板”所用元器件与“原装驱动板”不一致，但只要用液晶显示器编程器向“通用驱动板”写入液晶屏对应的驱动程序<购买编程器时会随机送液晶屏驱动程序光盘），再通过简单地改接线路，即可驱动不同的液晶屏，通用性很强，而且维修成本也不高，用户容易接受。
常用胆管代换及特性(一) 常用电压放大级即前级放大胆管代换表 6N1ECC85,6AQ8,6H1л 6N412AX7,ECC83,E83CC,7729,CV4004,B759,CV492 6N10 12AU7,ECC82,E82CC,7316,CV4003,5814,B749,6189 6N11 6DJ8,E88CC,ECC88,6922,ECC189,6J5,6H11N,7308,El88CC 6N8P 6SN7,B65,5692,33S30,CV1988,6H8C,6HM,6F8G,1633 6H8C 6HM,6F8G,1633,9002,6C8G 6J8P 6SJ7,6267,EF86,12AT7 ECC81,CV4024,6201,B739,A2900,2025,ECC8015 6N9P 6SL7,5691,33S29,VT229 6F2ECF82,6U8 6N26H2л 功率用管代换表 6P3P6L6GC,5881 6P6P6V6GT,5S2,KT63 EL346CA7,KT66,7027A 6P14EL84,6BQ5,6П14П 6N5P6080,6AS7,6H5C FU-5805 FU-7807,1625 FU-13813 FU-4606146B FU-17 FU-605 6T51 70926T50 FU811811A FU812812A GL-211 211
300B WE300B,NL50,4300B KT886550,NT99,KT100 2A32A3S 845845A 6360,TY-7 整流电子管代换及特性表 型号代换型号Bb2V UfV/I I2L(mA)最大型式 5U4G5Z3P,U52500V5V/3A2500直热式5Y3GT522P350V5V/2A125直热式5R4GY22S2C900V5V/2A150直热式5T4450V5V/3A250A直热式6Z4350V 6.3V/0.5A50直热式 6Z56X5230V 6.3V/0.8A60旁热式 6X4325V 6.3V/0.5A70旁热式 5Z4P5Z4400V5V/2A125旁热式5AR4GZ34450V5V/1.9A250旁热式
常用功率MOS管代换 品牌INFINEON 型号09N03LA,IPS09N03L 封装TO-251 极限电压25（V） 极限电流50（A） 沟道类型N沟道 品牌INFINEON 型号09N05，SPD09N05 封装TO-252 极限电压55（V） 极限电流9.2（A） 沟道类型N沟道 品牌MOT/ON 型号20N03L,20N03HL 封装TO-252/TO-251 极限电压20（V） 极限电流30（A） 沟道类型N沟道
品牌MOT,ON,哈里斯 型号MTP3055,MTP2955 封装TO-220 极限电压60（V） 极限电流12（A） 品牌NIKO 型号P3057LD 封装TO-252 极限电压25（V） 极限电流12（A） 品牌ST 型号D38NH02L,STD38NH02L 封装TO-252 极限电压24（V） 极限电流38（A） 沟道类型N沟道 品牌NIKO 型号P45N02LD,P45N02LDG
封装TO-252 极限电压20（V） 极限电流45（A） 沟道类型N沟道 型号50N03 封装TO-252,TO-220 极限电流50A（A） 沟道类型N沟道 品牌PHILIPS 型号PHB55N03LTAS 封装TO-263 极限电压25（V） 极限电流55（A） 沟道类型N沟道 品牌IR,ST,三星，MOT,东芝，哈里斯型号IRF630 封装TO-220,TO-220F 极限电压200V（V） 极限电流9（A）
沟道类型N沟道 品牌MOT，IR，ST，FSC等型号IFR640 封装TO-220，T0-263 极限电压200V（V） 极限电流18A（A） 品牌FAIRCHILD 型号603AL 封装TO-252 极限电压30（V） 极限电流25（A） 沟道类型N沟道 品牌FAIRCHILD 型号FDD6676 封装TO-252 极限电压30（V） 极限电流78（A） 沟道类型N沟道
场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数） 本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。 在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。 1．"型号"栏 表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。2．"厂家"栏 为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。） 所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下： ADV 美国先进半导体公司 AEG 美国AEG公司 AEI 英国联合电子工业公司 AEL 英、德半导体器件股份公司 ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司 AMP 美国安派克斯电子公司 AMS 美国微系统公司 APT 美国先进功率技术公司 ATE 意大利米兰ATES公司 ATT 美国电话电报公司 AVA 美、德先进技术公司 BEN 美国本迪克斯有限公司 BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司 CDI 印度大陆器件公司 CEN 美国中央半导体公司 CLV 美国CLEVITE晶体管公司 COL 美国COLLMER公司 CRI 美国克里姆森半导体公司 CTR 美国通信晶体管公司 CSA 美国CSA工业公司 DIC 美国狄克逊电子公司 DIO 美国二极管公司 DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司 MAL 美国MALLORY国际公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司 FCH 美国范恰得公司 FER 英、德费兰蒂有限公司 FJD 日本富士电机公司 FRE 美国FEDERICK公司 FUI 日本富士通公司 FUM 美国富士通微电子公司 GEC 美国詹特朗公司 GEN 美国通用电气公司 GEU 加拿大GENNUM公司 GPD 美国锗功率器件公司 HAR 美国哈里斯半导体公司 HFO 德国VHB联合企业 HIT 日本日立公司 HSC 美国HELLOS半导体公司 IDI 美国国际器件公司 INJ 日本国际器件公司 INR 美、德国际整流器件公司 INT 美国INTER FET 公司 IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司 ITT 德国楞茨标准电气公司 IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司 KYO 日本东光股份公司 LTT 法国电话公司 SEM 美国半导体公司 SES 法国巴黎斯公司 SGS 法、意电子元件股份公司
经典-液晶屏型号列表.txt我们用一只眼睛看见现实的灰墙，却用另一只眼睛勇敢飞翔，接近梦想。男人喜欢听话的女人，但男人若是喜欢一个女人，就会不知不觉听她的话。 制造商型号尺寸针数分辨率 LG LM171W02 17.1 30P(片插) 未测(16:9) LG LM171W02 17.1 30P(片插) 未测(16:9) AU LP171W01 17 LG LP171WX2 17 Hitachi(日立) LQ154M1LW02 15.4 30P 1920*1200 Hitachi(日立) LTN154E1-L01 15.4 20P 1280*1024 Hitachi(日立) LTN154P1-L01 15.4 30P(片插) 1680*1050 Samsung(三星) LTN154U1-L01 15.4 30P(片插) 1680*1200 Samsung(三星) TX39D97V 15.4 30P(片插) 1400*1050 Sharp(夏普) TX39D98VC1FAA 15.4 30P 1680*1050 AU B152EW01 15.2 20P 1280*854 Samsung(三星) LTN152W1-L01 15.2 20P 1280*854 IBM 47L8130(ITSX93D) 15.1 30P 1400*1050 IBM 47L8130(ITSX93D) 15.1 30P 1400*1050 IBM 47L8140(ITSX93C) 15.1 IBM 47L8150(ITSX93D) 15.1 30P 1400*1050 IBM 47L8160(ITSX93D) 15.1 30P 1400*1050 IBM 47L8160(ITSX93D) 15.1 30P 1400*1050 LG AA151XB01 15.1 100P(扣针) 1024*768 LG LM150X06-A4C4 15.1 41 1024*768 NEC NL10276AC30-03L 15.1 25P 1024*768 NEC 07K2150(IAUX14S) 15 30P(片插) 1600*1200 NEC 07K2510(ITS95L) 15 Acer(宏基) 07K6767(ITSX95C) 15 30P 1400*1050 Acer(宏基) 07K6767(ITSX95C) 15 30P 1400*1050 AU 07N2150(IASX12S) 15 30P(片插) 1280*1024 AU AA150XC01 15 20P(两排) 1024*768 AU B150PG01 15 30P(片插) 1400*1050 Fujitsu(富士通) B150PN01 15 30P(片插) 1400*1050 Fujitsu(富士通) B150PN01 15 30P(片插) 1400*1050 Fujitsu(富士通) B150XG01 15 30P(片插) 1024*768 Fujitsu(富士通) B150XN01 15 20P 1024*768 HannStar CLAA150PA01 15 20P 1400*1050 HannStar HLD1505-010120 15 20P 1024*768 HannStar HLD1505-020120 15 20P 1024*768 HannStar HSD150MX14 15 20P HannStar HSD150MX41 15 60扣双灯 HannStar HSD150MX46 15 双排软插 4灯 Hitachi(日立) HSD150PK12 15 30P(片插) 1400*1050 Hitachi(日立) HT15X31-100 15 20P 1024*768 Hitachi(日立) HT15X31-100 15 20P 1024*768
可以相互替代的一些场管． 如无特别说明，同一条内的管子可以相互替换． 1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ >，可替代市面上各类型9435 ： APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等! 2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>，可替代市面上各类型9926 ： APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、 MT9926、TM9926 、GE9926、 iTM9926、 MI9926、 TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等! 3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>：暂无。 4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>，可替代市面上各类型4953 ： GE4953、 iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、 TM4953、STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、SPP4953A、 GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、AKE4953 等等! SD4953BDY替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM4953 5、 SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>，可替代市面上各类型4435 ： APM4435、 Si4435DY、 CEM4435、 SDM4435、 SSM4435、 GE4435 、MT4435、 H4435、STM4435、 AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、ME4435、SPP4435、SM4435 等等! 6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ 30V>，替代各型4410： APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N、STN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等！ 7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>，替代各型2300： APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300、SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等! 8、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>，替代各类2301 ： APM2301 、 Si2301、 CEM2301 、STS2301 、 AP2301 、 MT2301、IRLML6401、ST2301、ST2301A、STS2301A、SSS2301、SSS2301A、MI2301、ST2301M、ME2301、TM2301、CES2301、KI2301DY 等等! 9、SD2301 SOT-23-3L <20V , 2.6A , 130mΩ>，可替代市面上各类型2301M、2301A、2301S ： APM2301A、SSS2301A、STS2301A、ST2301M 等等!
常用高清行管和大功率三极管主要参数表 2010-03-02 10:33:54 阅读78 评论0 字号：大中小 高清彩电行管损坏的原因及代换 现在，大屏幕彩色电视大都是数字高清，原来50Hz的场扫描频率接近人眼感知频闪的临界点，所以高清电视都是提高扫描频率来提高图像的清晰度，即将场扫描提高到100Hz或是60Hz逐行，这样就会使行扫描的频率提高一倍，自然行输出管的开关速度和功耗都会随之增加，普通的行输出管已经不能胜任，要采用性能更好的大功率三极管。目前采用的行管有：C5144、C5244、J6920、C5858、C5905等，这些行输出管的耐压都在1500V以上，电流多大于20A，但是由于其功耗比较大，损坏率还是比较高。归纳起来，其损坏的原因一般有以下六种。 1. 行激励不足 如果行激励不足，行管不能迅速截止与饱和，导致行管内阻变大，将造成行输出电路的功耗增加，引起行输出管发烫，一旦超过行管功耗的极限值，便会使行管烧坏。 在海信高清电视中，行振荡方波信号是由数字变频解码板输出，经过一对三极管2SC1815、2SA1015放大后，送到行激励管的基极。这两个三极管工作在大电流开关状态，故障率相对较高，损坏后就会造成行激励不足，损坏行输出管，对比可以用示波器测量行管基极的波形来确定。另外，行管基极的限流电阻阻值一般为Ω，与行管的发射极串联，再与行激励变压器并联，若是阻值增大有可能用普通万用表测不出来。我们曾经修过多例次电阻增值到2Ω以上而导致开机几分钟后行管损坏的故障，且损坏行管的比例较大。 2. 行逆程电压过高 在行逆程期间，偏转线圈会对逆程电容充电，逆程电容容量大小决定充电的时间。容量越小，充电时间越短，充电电压越高，因而会产生很高的反峰脉冲电压。所以，当行一旦超过行管的耐压值，就会出现屡烧行管的结果。我们在测量逆程电容时，一般是测量电容的直流参数，而一些ESR等交流参数无法测量，所以最好是代换较可靠。 3. 行偏转线圈或行输出变压器局部短路造成行负责过重 常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降，产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善，则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善，所以这种情况不多见，表现出来的现象是行一开机就停。 4. 电源电压升高 电源电压升高会导致行逆程电压升高。现在的高清电视电源一般都是模块化的，电源设计比较合理，保护功能全，不像以前的老式电源电路，电源电压升高造成击穿行管的故障相对比较少。 5. 行管的型号和参数不对 这种情况在专业的厂家售后一般不会出现，但是作为个体维修或是业余维修就可能遇到。高清电视行管的功率大、频率高，最好用同型号行管代换。有的行管发射结没有并联电阻，如果采用普通行管，发射结并联电阻的阻值比较小，会造成基极驱动电流小，激励不足，行电流过大（正常高清行电流在500mA~600mA）而再次损坏。更换行管后测量行电流，如果原行推动变压器次级并联有缓冲电阻的，可将电阻阻值增大，甚至拿掉；如果行管发射极串联有负反馈电阻或是基极有限流电阻的，可减小该电阻阻值，再次测量行电流，如果行电流减小就适当改变这两个电阻的阻值。 6. 其他 像阻尼二极管开路、高压打火、显像管内部跳火、行信号反馈电路有故障、更换后的行管
6N1 ECC85,6AQ8,6H1л 6N4 12AX7,ECC83,E83CC,7729,CV4004,B759,CV492 6N10 12AU7,ECC82,E82CC,7316,CV4003,5814,B749,6189 6N11 6DJ8,E88CC,ECC88,6922,ECC189,6J5,6H11N,7308,El88CC 6N8P 6SN7,B65,5692,33S30,CV1988,6H8C,6HM,6F8G,1633 6H8C 6HM,6F8G,1633,9002,6C8G 6J8P 6SJ7,6267,EF86,12AT7 ECC81,CV4024,6201,B739,A2900,2025,ECC8015 6N9P 6SL7,5691,33S29,VT229 6F2 ECF82,6U8 6N2 6H2л 功率用管代换表 6P3P 6L6GC,5881 6P6P 6V6GT,5S2,KT63 EL34 6CA7,KT66,7027A 6P14 EL84,6BQ5,6П14П 6N5P 6080,6AS7,6H5C FU-5 805 FU-7 807,1625 FU-13 813 FU-46 06146B
FU-17 FU-605 6T51 7092 6T50 FU811 811A FU812 812A GL-211 211 300B WE300B,NL50,4300B KT88 6550,NT99,KT100 2A3 2A3S 845 845A 6360,TY-7 整流电子管代换及特性表 型号代换型号 Bb2V UfV/I I2L(mA)最大型式 5U4G 5Z3P,U52 500V 5V/3A 2500 直热式5Y3GT 522P 350V 5V/2A 125 直热式 5R4GY 22S2C 900V 5V/2A 150 直热式 5T4 450V 5V/3A 250A 直热式 6Z4 350V 6.3V/0.5A 50 直热式
电脑主板适用场效应管参数及代换 器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018mΩ TO-252 3353- Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩ T O-263 3354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ 2SK 3355-ZJ 2SK 3355-ZJ TO-263 3355-ZJ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，83A，100W，130/510ns，Ron=5.8mΩ 2SK 3354-S-Z 2SK 3354-S-Z TO-263 3366-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑 中的DC-DC转换 30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩ TO-252 3367-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑 中的DC-DC转换 30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩ TO-252 3377-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩ TO-252 3385-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ 2SK 3386-Z 2SK 3386-Z TO-252 3386-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ 2SK 3385-Z 2SK 3385-Z TO-252 3900-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩ TO-263 3901-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩ TO-263 3902-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩ TO-263 3943-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 40V，82A，104W，29/69ns，Ron=3.5mΩ TO-263 738-Z N-MOSFET（耗尽型）功率场效应管 30V，2A，20W，Ron=0.25Ω TO-252 MTD 10N05A N通道，功率场效应管 50V，10A，1.8W，Ron=0.1Ω MTD 3055A TO-252 10N05E 10N05E1 N通道，功率场效应管 50V，10A，20W，30/45ns，Ron=0.1Ω TO-252 10N08E 10N08E1 N通道，功率场效应管 80V，10A，50W，13/45ns，Ron=0.12Ω TO-252 器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 3055A N通道，功率场效应管 60V，8A，1.8W，Ron=1.5Ω MTD 10N05A TO-252
1.5CLAA015CB01AG CPT 128x128200cd/m2 200:1 18bit 1.5LH152J02LG 128x12835/15 45/45 27.26x27.26 1.5LKC33TMK6YT NAN 128x128LED Backlight T Tomato TL1771 1.5LM15TGFNZ26SHA 128x128120cd/m240:126.1x28.151.5A015AN04AUO 280x220170cd/m2300:115/35 45/4529.96x2 2.66LED Backlight T 1.5A015AN01AUO 280x220200cd/m2150:110/30 45/4529.50x22.2010,000T 1.5A015BL102AUO 502x240170cd/m2300:150/50 20/701.7A017CN01AUO 480x240250cd/m2300:145/45 15/35 34.08x25.56 LED Backlight 1.8CLAA018DE01AG CPT 128x160200cd/m2 300:1 18bit 1.8LKC34ZMH8YS NAN 128x160LED Backlight T MagnaChip IS2341 1.8LMS179FF0SAM 128x160240cd/m2200:131.5x4 2.35 1.8CLAA018FE01AG CPT 176x220200cd/m2200:118bit 1.8A018AN03AUO 280x220240cd/m2150:110/30 45/4535.60x26.60 T 1.8A018AN03V1AUO 280x220240cd/m2150:140/40 10/301.8A01AN02V2AUO 280x22050cd/m2 90:1 45/45 10/301.9LH190Q01LG 240x32085/85 85/85 28.8x38.42.0CLAA020FB01AG CPT 176x220200cd/m2300:12.0LH200J02LG 176x220200cd/m2 350:1 35/15 45/45 31.68x39.60 2.0LKC53TML7YT NAN 176x220LED Backlight T Sam S6D0118IC 2.0PNG20CW PALM 176x220200cd/m2 31.68x39.60LED Backlight HX8309A 2.0LMS200EF0SAM 176x22031.68x39.602.0LQ020QCXX20 SHA 176x22050cd/m2400:131.68x39.602.0TFT6987UCFDFW-P-G-F-LED TRU 176x220114cd/m2350:135/15 45/4533.90x42.10LED Backlight TR 2.0TFT8285UCTDFW-P-G-F-LED TRU 176x220220cd/m2300:145/15 45/45 33.90x42.10 LED Backlight T 2.0CLAA020GA01AW CPT 240x320200cd/m2200:1RGB I/F 2.0LH200Q04LG 240x320250cd/m2350:185/85 85/8530.6x40.82.0LH200Q06-A LG 240x320250cd/m2400:135/15 45/4530.6x40.82.0A020CN01AUO 480x240250cd/m2300:135/15 45/4539.84x29.88LED Backlight 2.0A020BL01AUO 640x240200cd/m2300:150/50 20/7040.64x30.48LED Backlight 2.2LH220J01LG 176x220200cd/m2 350:115/35 45/4534.848x43.56 2.2OGM-N500ODT 176x220250:115/35 45/45 LED Backlight 2.2LMS220EF0SAM 176x220240cd/m2350:134.85x43.562.2LQ022B8UD05 SHA 176x220125cd/m260:130/30 60/6034.848x43.56LED Backlight 2.2TFT8001UCFDFW-P-G-F-LED TRU 176x220300:135/15 45/4539.10x47.86 LED Backlight TR 2.2CLAA022GA01AG CPT 240x320200cd/m2300:118bit 2.2LH220Q12LG 240x320400cd/m2350:115/35 45/453 3.84x45.122.2LH220Q13LG 240x320400cd/m2400:1 85/85 85/85 33.84x45.12 2.2LKC35TMK1MT NAN 240x320LED Backlight T Himax HX8312A Brigthness Contrast Size Supplier Format / Remark Model Display Area Viewing Angle (U/D L/R) Lamp Life Time Display Mode TR=Transflective T=Transmissive Resolution
场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表 场效应管管脚识别 场效应管的检测和使用 场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进 行判别 （1）用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以 判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效 应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏 极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测 得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极 之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时 表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针
国内外常用电子管代换大全-----希望对各位烧友有用………… 一、常用型号、用途及代换 常用型号管芯结构主要用途国外同类型号代备注 5X4G 直热式双阳极二极管小功率全波整流氧化物阴极 5Z3P 直热式双阳极二极管小功率全波整流5T4、5ц3C、CV1861、5R4GY、U52、CV1071、5V3、5AU4、5U4G氧化物阴极 5Z4P 旁热式双阳极二极管小功率全波整流*5B×1、*5ц4C，GZ30、CV2748、5Z4G/GT 氧化物阴极 5Z1P 直热式双阳极二极管小功率全波整流氧化物阴极 5Z2P 直热式双阳极二极管小功率全波整流5W4、5Y3G、80、U50 氧化物阴极 5Z8P 旁热式双阳极二极管全波整流*5ц8C 氧化物阴极 5Z9P 旁热式双阳极二极管全波整流*5ц9C 氧化物阴极 6Z4 旁热式双阳极二极管全波整流*6ц4П、6B×4、6×4、6Z31 共阴极 6Z5P 旁热式双阳极二极管小功率全波整流*6ц5C 共阴极 6H2 旁热式双阳极二极管检波、整流*6×2П、6AL5、C 氧化物阴极 6C1 旁热式三极管宽带电压放大*6C1П、CV664、9002 氧化物阴极 6C3 旁热式三极管宽带电压放大*6C3П 阴地三极管 6C4 旁热式三极管宽带电压放大*6C4П 栅地三极管 6C5P 旁热式三极管低频电压放大6C5GT、*6C5C、6C5 、CV1067、L63氧化物阴极 6C6B 旁热式三极管低频电压放大5703、CV3917、*6C6Ь 氧化物阴极 6C7B 旁热式三极管低频电压放大*6C7Ь 氧化物阴极 6C12 旁热式三极管宽带电压放大EC88、5842 高S、低N 6C31B-Q 旁热式三极管电压放大*6C31Ь-B 氧化物阴极 6C32B-Q 旁热式三极管电压放大*6C32Ь-B 遥截止三极管
如无特别说明，同一条内的管子可以相互替换 1、SD9435 SOP-8 < 5.3A 30V 50 mΩ>，可替代市面上各类型9435 APM9435、CEM9435、AP9435、SSM9435 、TM9435、MT9435、GE9435、SDM9435、STM9435、H9435、 FDS9435、Si9435、STP9435、SPP9435、Si9435DY、SM9435、iTM9435、MI9435、ME9435、ME4405 等等! 2、SD9926 SOP-8 <6A 20V 28 mΩ>，可替代市面上各类型9926 ：APM9926、CEM9926、AP9926、SSM5N20V 、SDM9926、STM9926、MT9926, TM9926 、GE9926、iTM9926、MI9926、TF9926 、AFT9926 、FDS9926、GT9926 等等! 3、SG9926 TSSOP-8 <6A 20V 28 mΩ>：暂无 4、SD4953 SOP-8 <30V 5A 53mΩ>，可替代市面上各类型4953 ： GE4953、iTM4953、AF4953P、H4953、MT4953 、SSM4953、CEM4953、STS4953、AP4953、TM4953、 STM4953、SDM4953、STP4953、AO4801、AO4801A、AO4803、AO4803A、AFT4953、SPP4953、STP4953A、 SPP4953A、GT4953、Si4953DY、MI4953、ME4953、SM4953、TF4953、
AKE4953 等等! SD4953BDY 替代APM4953、Si4953、FDS4953、CEM4953 5、SD4435 SOP-8 <30V 8A 20mΩ>，可替代市面上各类型4435 ：) APM4435、Si4435DY、CEM4435、SDM4435、SSM4435、GE4435 、H4435、STM4435、AP4435、TM4953、AO4411、STP4435、GT4435、MI4435、 ME4435、SPP4435、SM4435 等等!! 6、SD4410 SOP-8 <10A 13.5mΩ30V>，替代各型4410： APM4410、CEM4410、AP4410、FDS4410、AO4406、SSM4410、SDM4410、 STM4410、MT4410、iTM4410、STS4410、H4410、P4410、GE4410、AF4410N STN4410、STP4410、SPN4410、MI4410、SM4410、GT4410、AFT4410 等等！ 7、SD2300 SOT-23-3L <20V 4A 28mΩ>，替代各型2300： APM2300、Si2300、CEM2300、STS2300、AP2300、MT2300、MI2300、ST2300 SSS2300、GT2300、GE2300、GE2312、iTM2300、SM2300、TM2300、ME2314 等等!
液晶屏代换原理及方法 随着液晶电视的迅速普及，液晶电视机维修量的增加，在维修中几乎每天都要遇到换屏或换电视驱动板，进行代换时经常会遇到型号与原来不一致，怎么办？，能不能换，要改哪些电路和参数后才能代换，本文就该问题从理论和实际两个方面作论述。大家把理论搞清楚了，就能举一反三，就能自己组装液晶电视机，一块电视驱动板就会配不同的屏，反之一块屏，就会配不同的电视驱动板。在阅读本文前，请认真阅读本期通信中37寸奇美屏的规格书的翻译稿《37寸奇美屏屏简介》。 首先我们应对主板（电视驱动板，以下同）和屏（液晶屏，以下同）之间的连接信号应该有一个较为深刻的认识，然后才能说清硬件如何改动，软件如何改动。 一、连接信号的研究 1、屏的逻辑电路电源的电压值和功率。 （1）电压值有5V和12V之分，以屏的规格书为准，不符合在电视板上改。 （2）液晶电视机消耗的功率主要是在背光灯上，背光灯消耗的功率占总消耗功率的80%以上，屏的尺寸愈大，背光灯的数目多，长度长，消耗功率也大。一般说来，配大屏要大功率电源板。 各种尺寸的背光灯消耗的功率大约如下：17寸是25W，20寸是38W，26寸是67W，32寸是110W，37寸是145W，42寸是160W。 2、逆变器器的电源电压和控制信号 （1）逆变器的电源电压有12V和24V之分，一般20寸左右及以下是12V。30寸左右及以下是24V。 (2)控制信号有两种 第一是控制逆变器的控制芯片工作的使能信号，屏规格书中是Backlight on/off Control Voltage。电视驱动板输出的高电平/低电平。要注意的屏高电平规定有差异，有的是3.3V,有的规定是5V,因高电平的最小值是2V,换屏时可以不考虑。 第二种是背光灯亮度调节信号，屏规格书上是：PWM Dimming Control Voltage 这个电压值有如下几种：0V～3V、0V～3.3V、0V～5V。换屏时一定要改过来，否则亮度的调整范围不够。 二、LVDS信号 1、什么是LVDS信号 LVDS（Low Voltage Differential Signaling）低压差分信号的缩写，它是一种低摆幅的差分信号技术，它使得信号能在差分PCB线对或平衡电缆上以几百Mbps的速率传输，其低摆幅和低电流驱动输出实现了低噪声和低功耗。 因为LVDS信号直流偏置电平为1.2V，摆幅为±350mV，而且-线和+线之间的干扰还能相互抵消。所以抗干扰能力非常强，故现电视驱动板与液晶屏之间的连接基本上都是它来连接。 LVDS物理接口使用1.2V偏置电压作为基准，提供大约350mV摆幅。LVDS驱动器由一个驱动差分线对的电流源组成（通常电流为3.5mA），LVDS接收器具有很高的输入阻