作业及答案
第一章
1、什么是P 型半导体、N 型半导体、PN 结？
P 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P 型半导体，亦可称为空穴型半导体。主要靠空穴导电。
N 型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成N 型半导体，亦可称为电子型半导体。主要靠自由电子导电
PN 结：采用不同的掺杂工艺，将P 型半导体与N 型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN 结。PN 结具有单向导电性。
2、简述PN 结的单向导电性。
在PN 结上外加一电压，如果P 型一边接正极，N 型一边接负极，电流便从P 型一边流向N 型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，即PN 结外加正向电压时处于导通状态。如果N 型一边接外加电压的正极，P 型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，即PN 结外加反向电压时处于截止状态。这就是PN 结的单向导电性。
3、简述PN 结的伏安特性。
如左图所示，当PN 结外加正向电压，电流i 随电压u
按指数规律变化；当PN 结外加反向电压，首先没有电流流过，但当反向电压增大到一定程度时，反向电流将急剧增加，将PN 结反向击穿。
P. 67
四、已知稳压管的稳压值6V Z U =，稳定电流的最小值min 5mA Z I =。求图T1.4所示电路中1o U 和2o U 各为多少伏。
解：
(a) 13
16V 2=1086(500102)6L o DZ L o R K U U V V U V R R K U V -Ω
∴?=?=>=+?+Ω∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：
(b) 226V 5=105(55)5L o L o R K U U V V
R R K U V
Ω
∴?=?=++Ω
∴=只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，稳压管输出电压才为：
P. 69－70: 1.3，1.6
1.3 电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.3
1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =，最小稳定电流
min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。
(1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值；
(2)若35I U V =时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？
解： 图Pl.6 (1)只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。 ∴V U I 10=时，V U R R R U I L
L
O 3.3=+=
； V U I 15=时，5L
O
I L
R U U V R R =
=+；
V U I 35=时，11.7L
O
I Z L
R U U V U R R =
≈>+，∴V U U Z O 6==。
(2)当负载开路时，mA I mA R
U U I Z Z
I Z 2529max =>=-=
，故稳压管将因功耗过大而烧毁。
P. 70: 1.8, 1.9, 1.10。
1.8 现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。
(a) (b)
图Pl.8
解：
由于晶体管的集电极电流与发射极电流近似相等，而图中两只管子的两个已知电流相差悬殊，故它们中的小者为基极电流，大者为集电极电流或发射极电流。
根据图(a)所示晶体管的基极电流(10uA)流入管子，所以它是NPN 型管；根据图(b)所示晶体管的基极电流(100uA)流出管子，所以它是PNP 型管。
其晶体管如下图所示：
(a) (b)
放大倍数分别为
311001010a mA
mA
β-=
=?
3550
10010b mA
mA
β-=
=?
1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9
解：
因为六只晶体管均在放大电路中，通常工作在放大状态，所以直流电位相近的两个极分别为发射极和基极，另一极为集电极；若集电极电位最高，则为NPN 型管，电位最低的为发射极，电位居中的是基极；若集电极电位最低，则为PNP 型管，电位最高的为发射极，电位居中的为基极。如果b-e 间电压在0.1~0.3V 之间，则为锗(Ge)管；如果b-e 间电压在0.6~0.8V 之间，则为硅(Si)管。
如解图1.9。
解图1.9
1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时0.7BE U V =，β=50。试分析BB V 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压O u 的值。 解：
(1)当0BB V =时，BE on
U U <，
T 截止，12O u V =。
(2)当1
BB V V =时，因为 60BB BE
B b
V U I A R μ-=
=
图P1.10
3C B I I mA β==
9O CC C c u V I R V =-=
所以T 处于放大状态。
(3)当3BB V V =时，因为460BB BE
B b
V U I A R μ-=
=
23110.7C B o CC C c BE I I mA
u V I R V U V
β===-=-<=
所以T 处于饱和状态。
第二章
1、 画出晶体管单管放大电路的三种基本接法电路、直流输入回路、交流输入回路，写出其
动态特性参数：Au 、Ri 、Ro 。 解：
(1) 基本共射放大电路：
V
c
CC
(a)基本共射放大电路 (b)直流输入回路 (c)交流输入回路
基本共射放大电路的动态特性参数：
o c
i b be
i
i b be i
o c
U R U R r U R R r I R R β+=
=+=电压放大倍数：输入电阻：输出电阻：Au==-
(2) 基本共集放大电路：
V
cc
(a)(b)
e
CC
(c)
(a)基本共集放大电路 (b)直流输入回路 (c)交流输入回路
基本共集放大电路的动态特性参数：
(1)(1)(1)()
||
=1(1)o e
i b be e
i
i b be e
i
b be e b be o e b be e
U R U R r R U R R r R I R r R R r R R R r R βββββ+
+++=
=+++++=++++电压放大倍数：输入电阻：输出电阻：Au==
(3) 基本共基放大电路：
V (a)
(c)
(a)基本共基放大电路 (b)直流输入回路 (c)交流输入回路
基本共基放大电路的动态特性参数：
(1)1o c
i be e
i be i e i o c
U R U r R U r R R I R R βββ
++=
=++=电压放大倍数：输入电阻：输出电阻：Au==
2、说明晶体管单管放大电路的三种接法的特点。
(1)共射电路既能放大电流又能放大电压，输入电阻居三种电路之中，输出电阻较大，频带较窄。
(2)共集电路只能放大电流不能放大电压，是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路，并且具有电压跟随的特性。
(3)共基电路只能放大电压不能放大电流，输入电阻小，电压放大倍数、输出电阻和共射电路相当，是三种接法中高频特性最好的电路。
P.138：习题：2.1、2.2
2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路
原来的共射接法。
(a)
(b)
(c) (d)
图P2.1
解：
(a)将-V CC改为+V CC。
(b)在+V CC与基极之间加R b。
(c)将V BB反接，且在输入端串联一个电阻或一个电容。
(d)在V BB支路加R b，电容极性左边为“+”，在-V CC与集电极之间加R c。
2.2画出图P2.2所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
(a)
(b)
(c) (d)
图P2.2
解：
图P2.2所示各电路的直流通路如解图P2.2.1所示：
CC
(a)
CC
(b)
(d)
解图P2.2.1
图P2.2所示各电路的交流通路如解图P2.2.2所示：
(a) (b)
(c) (d)
解图P2.2.2
第三章
1、画出4种耦合放大电路图，描述其特点。
解：
4种常见的耦合方式：直接耦合、阻容耦合、变压器耦合、光电耦合。
(1) 直接耦合放大电路：
CC
特点：具有良好的低频特性，可以放大变化缓慢的信号，并且易于将全部电路集成在一片硅片上，构成集成放大电路。但其静态工作点相互影响，会给电路的分析、设计和调试带来一定的困难。
(2) 阻容耦合放大电路：
CC
特点：电路的分析、设计和调试简单易行，并且只要输入信号频率较高，耦合电容容量较大，前级的输出信号就可以几乎没有衰减地传递到后级的输入端。但其低频特性差，不能放大变化缓慢的信号，而且不便于集成化。
(3) 变压器耦合共射放大电路：
L
特点：它的各级放大电路的静态工作点相互独立，便于分析、设计和调试，但其低频特性差，不能放大变化缓慢的信号，且笨重，更不能集成化，但是可以实现阻抗变换。
(4) 光电耦合放大电路：
特点：抗干扰能力强，且具有较强的放大能力。
2、简述3种抑制温漂的措施，画出其电路图。
(1) 在电路中引入直流负反馈，其电路图如下：
V
(2) 采用温度补偿的方式，利用热敏元件来抵消放大管的变化，其电路图(利用二极管的反向
如下所示：
特性进行温度补偿)
(3) 采用特性相同的管子，使它们的温漂相互抵消，构成“差分放大电路”，其电路图如下所示：
BB
第四章
1、简述集成运放的种类。
按供电方式可分为双电源供电和单电源供电，其中双电源供电又可分为正、负电源对称型和不对称型供电；
按集成度可分为单运放、双运放和四运放；
按制造工艺可分为双极型、CMOS型和BiMOS型；
按工作原理可分为电压放大型、电流放大型、跨导型和互阻型；
按可控性可分为可变增益运放和选通控制运放；
按性能指标可分为通用型和特殊型，其中特殊型包含高阻型、高速型、高精度型、低功耗型、高压型和大功率型等。
2、简述如何选择集成运放。
集成运放的选择要求：
(1) 信号源的性质。根据信号源是电压源还是电流源，内阻大小、输入信号的幅值及频率的变化范围等来选择运放的参数；
(2) 负载的性质。根据负载电阻的大小，确定所需运放的输出电压和输出电流的幅值；
(3) 精度要求。对信号的处理往往会提出精度要求，根据这些要求选择运放的参数；
(4) 环境条件。
3、集成运放的正确使用有哪些？并画出保护措施的电路图。
(1)使用集成运放时必做的工作：
①使用运放前必须查阅相关手册，辨认管脚，以便正确连线；
②使用运放前往往要用简易测试法判断其好坏，必要时还可采用测试设备量测运放的主要参数；
③对于内部无自动稳零措施的运放需外加调零电路，使之在零输入时输出为零；
④消除自激振荡。
(2)保护措施电路图：
①输入保护
(a)防止输入差模信号过大(b)防止共模信号过大
②输出保护
输出保护电路图③电源端保护
电源端保护图
第六章
P. 317: 6.1 , 6.2，6.11。
P. 318: 6.4 , 6.6。
6.1选择合适答案填入空内。
(1)对于放大电路，所谓开环是指( B )。
A.无信号源
B.无反馈通路
C.无电源
D.无负载
而所谓闭环是指( B )
A.考虑信号源内阻
B.存在反馈通路
C.接入电源
D.接入负载
(2)在输入量不变的情况下，若引入反馈后( D )，则说明引入的反馈是负反馈。
A.输入电阻增大
B.输出量增大
C.净输入量增大
D.净输入量减小
(3)直流负反馈是指( C )。
A.直接耦合放大电路中所引入的负反馈
B.只有放大直流信号时才有的负反馈
C.在直流通路中的负反馈
(4)交流负反馈是指( C )。
A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈
B.只有放大交流信号时才有的负反馈
C.在交流通路中的负反馈
(5)为了实现下列目的，应引入
A.直流反馈
B.交流反馈
①稳定静态工作点，应引入( A )；
②稳定放大倍数，应引入( B )；
③改变输入电阻和输出电阻，应引入( B )；
④抑制温漂，应引入( A )；
⑤展宽频带，应引入( B )。
6.2选择合适答案填入空内。
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
(1)为了稳定放大电路的输出电压，应引入( A )负反馈；
(2)为了稳定放大电路的输出电流，应引入( B )负反馈；
(3)为了增大放大电路的输入电阻，应引入( C )负反馈；
(4)为了减小放大电路的输入电阻，应引入( D )负反馈；
(5)为了增大放大电路的输出电阻，应引入( B )负反馈；
(6)为了减小放大电路的输出电阻，应引入( A )负反馈；
6.4判断图P6.4 所示各电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b)
(c) (d)
(e) (f) (g)
(h)
图P6.4
解：
在图示电路中将电容开路，就得到它们的直流通路，可以看出，它们均引入了直流反馈。将图(a)、(c)、(e)、(f)所示电路中的电容短路就得到它们的交流通路，分别如图解6.4(a)、(c)、(e)、(f)所示。
(a)
o
(c)
图解6.4
利用反馈极性的判断方法，即可得到下列答案。
图(a)所示电路中引入了直流负反馈。
图(b)所示电路中引入了交、直流正反馈。
图(c)所示电路中引入了直流负反馈。
图(d)、(e)、(f)、(g)、(h)所示各电路中均引入了交、直流负反馈。
6.6分别判断图6.4(d)~(h)所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈。解：
各电路中引入交流负反馈的组态分别如下：
(d）电流并联负反馈
(e）电压串联负反馈
(f）电压串联负反馈
(g）电压串联负反馈
(h）电压串联负反馈
6.11已知一个负反馈放大电路A=105，F=2×10-3。试问：
(1)?
f
A=；(2)若A的相对变化率为20%，则
f
A的相对变化率为多少？解：
(1)因为AF =200 > > 1 ，所以：
1
500
f
A
F
≈=
(2)根据题目所给数据，可知：
53
11
20%0.1%
1110210
f
f
dA dA
A AF A-
=?=?≈
++??
故
f
A的相对变化率为0.1%
第七章
P. 391：7.2，7.3，7.6，7.11，7.13 P.397： 7.19， 7.20
7.2电路如图P7.2所示，集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，填表。
(a) (b)
解：
当集成运放工作在线性区时，1(/)10O f I I u R R u u =-=-；2(1/)11O f I I u R R u u =+=。当集成运放工作到非线性区时，输出电压不是+14V , 就是-14V 。
7.3 设计一个比例运算电路，要求输入电阻20i R k =Ω，比例系数为-100。 解：
可采用反相比例运算电路，电路形式如图P7.2(a)所示。
20R k =Ω； 2f R M =Ω。
7.6试求图P7.6所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。
(a) (b)
(c) (d) 图P7.6 解：
在图示各电路中，每个集成运放的同相输入端和反相输入端所接总电阻均相等。各电路的运算关系式分析如下： (a)123123123225f f f O I I I I I I R R R u u u u u u u R R R =-
?-
?+
?=--+
(b)1231231
2
3
1010f f f O I I I I I I R R R u u u u u u u R R R =-?+?+?=-++
(c) 21211
()8()f O I I I I R u u u u u R =
-=- (d) 1234123412
3
4
202040f
f
f
f
O I I I I I I I I R R R R u u u u u u u u u R R R R =-
?-?+?+?=--++
7.11在图P7.11(a)所示电路中，已知输入电压u I 的波形如图(b)所示，当t =0时u o =0。 试画出输出电压u O 的波形。
(a) (b)
图P7.11
解：
输出电压的表达式为2
1
11()t O I O t u u dt u t RC =-
+? 当u I 为常量时：
21121121157
11()()()()100()()1010O I O I O I O u u t t u t u t t u t u t t u t RC -=-
-+=--+=--+? 若t =0时u O =0；则
当t =5ms 时，31005510 2.5O u V V -=-???=-。
当t =15ms 时，3[100(5)1010(2.5)] 2.5O u V V -=-?-??+-=。 因此输出波形如解图P7.11所示。
解图P7.11
7.13试分别求解图P7.13所示各电路的运算关系。
(a)
(b)
(c) (d)
图P7.13
解：
利用节点电流法，可解出各电路的运算关系分别为： (a) 21111000O I I I I R u u u dt u u dt R R C
=-
-=--?? (b) 设两电容的充电电流为：111C I du du
i C C dt dt
=?
=?(方向向右),则
第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3
1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 1、两个管子都正接。（1.4V ） 2、6V 的管子反接，8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接， 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1、 两个管子都反接，电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。（0.7V ） 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ～I U U R
华科模电实验报告 篇一：模电实验报告 国家电工电子实验教学中心 模拟电子技术实验报告 实验题目：放大电路的失真研究 学院：专业： 电子信息工程轨道交通信号与控制 韩佳伟 学生姓名： 合作者：蒋明宇李祥学号：任课教师： 13212065 白双 XX年6月16日 目录 实验报告 ................................................ ....................... 1 实验题目：放大电路的失真研究 ....................................... 1 1 实验题目及要
求 ................................................ ................. 2 2 实验目的与知识背景 ................................................ ......... 3 2.1 实验目的 ................................................ ....................... 3 2.2 知识点 ................................................ ......................... 3 2.3 非线性失真原理介绍 ................................................. 3 3 实验过程 ................................................ ............................. 4 3.1 选取的实验电路及输入输出波形................................ 4 1截止失真、饱和失真、双向失真.............................. 4 2交越失真 ................................................ ...................... 6 3非对称失真 ................................................ .................. 8 4增益带宽积 ................................................ .................. 9 5语音放大电路 ................................................
中南大学 模拟电子技术试卷（第1套） 一、一、填空题（20分，每空1分） 1．双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。场效应管是控制器件。 2．在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。 3．在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是放大器，A u2是放大器，A u3是放大器。 4．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极R e公共电阻对信号的放大作用无影响，对信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR ＝。 5．设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为200 1 200 f j A + = & ，则此滤波器为滤波器，其通带放大倍数为，截止频率为。 6．如图所示的功率放大电路处于类工作状态；其静态损耗为；电路的最大输出功率为；每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题：（每题5分，共25分） 1．如图所示电路中D为理想元件，已知u i = 5sinωt V ，试对应u i画出u o的波形图。
2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。 3．已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN 或PNP）并在圆圈中画出管子。 4．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其组态为； 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中，β＝100， Ω = ' 100 b b r，试计算：(15分) 1．放大电路的静态工作点；（6分）
模拟电子技术作业答案 班级_________ _ 学号_____ __ 姓名_____________ 第1章半导体二极管及其应用电路 1．二极管电路如图1所示，设二极管是理想的。试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出A、O两端电压U AO。 (a)(b) 图1 解：图a：对D1有阳极电位为 0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，U AO=0 V。 图b：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为－6V．故D2更易导通，此后使V A＝－6V；D1反偏而截止，故U AO＝－6V。 2．电路如图2所示，设二极管为理想的，输入电压为正弦波，试分别画出各图输出电压的波形。 (a)(b) 图2 解：图（a）：图（b）：
3．电路如图3所示，已知u i =5sin t (V)，二极管导通电压U D ＝。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 图3 解： 4．电路如图4所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图4（b ）所示，二极管导通电压U D ＝。试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。 (a) (b) 图4 解： 5．电路如图5所示，所有稳压管均为硅稳压管，稳定电压U Z1=6V ，U Z2=8V ，假设输入信号U I 足够大，二极管正向导通压降为。试分析图5所示各电路的工作情况，并求输出电压U O 的值。 (a) (b) (c) (d) 图5 解：一般情况下，稳定电压不同的稳压管在电路中是不能直接并联使用的。本题主要涉及稳压二极管在电路中串联使用的问题。在起稳压作用时，稳压管应反向接入电路，以保证其工作在反向击穿区。如果稳压管正向接入电路，那么它在电路中的作用相当于普通二极管，工作在正向特性区间，导通压降为。电路中电阻R 为限流电阻，保证各稳压管正常工作。 图5(a)所示电路中，稳压管D Z1和D Z2均反向接入电路，可以判定两个稳压管均工作在反向击穿区，在电路起稳压的作用。因此输出电压O U 为两个稳压管稳定电压的叠加，即 O 6V 8V =14V U U U =+=+Z 1Z 2 图5(b)所示电路中，稳压管D Z1正向接入电路，工作在正向导通状态；稳压管D Z2反向接入电路，工作在反向击穿区，起稳压作用。因此，输出电压为 O 0.7V 8V =8.7V U U U =+=+D 1Z 2 同理，图5(c)所示电路中，稳压管D Z1起稳压作用，稳压管D Z2正向导通。输出电压为 O 6V 0.7V =6.7V U U U =+=+Z 1D 2 图5(d)所示电路中，稳压管D Z1和D Z2均正向导通。输出电压为
实验报告专业：姓名：学号：日期：桌号： 课程名称：模拟电子技术基础实验指导老师：蔡忠法成绩：________________ 实验名称：常用电子仪器的使用 一、实验目的 1. 了解示波器、函数信号发生器、毫伏表等电子仪器的基本原理。 2. 掌握示波器、函数信号发生器、毫伏表等电子仪器的使用方法。 二、实验器材 双踪示波器、函数信号发生器、晶体管毫伏表、数字万用表 三、实验内容 1. 示波器单踪显示练习 2. 函数信号发生器练习 3. 晶体管毫伏表练习 4. 示波器双踪显示练习 5. 测试函数发生器的同步输出波形 6. 数字万用表使用练习 四、实验原理、步骤和实验结果 1. 示波器单踪显示练习 实验原理： 实验步骤： 1) 探头连校准信号，在屏幕上调出稳定的波形。 2) 测量方波的幅度和频率。 3) 测量方波的上升沿和下降沿时间。
实验数据记录： 实验小结： 1) 测量上升时间和下降时间的方法是： 2) 示波器使用注意事项是： 2. 函数信号发生器练习 实验原理： 实验步骤： 1) 调节函数信号发生器输出三角波，送示波器显示稳定的波形。 2) 将频率分别调到1 kHz、10 kHz、100 Hz。 3) 将三角波幅度调到50mV（峰值）。 4) 从示波器中读出三角波频率。 实验数据记录： 实验小结： 函数信号发生器使用注意事项是：
3. 晶体管毫伏表练习 实验原理： 实验步骤： 1) 调节函数信号发生器输出1 k Hz正弦波，送示波器显示稳定的波形。 2) 调节幅度至约1.4V峰值（用示波器测量）。 3) 同时用毫伏表测正弦波有效值，调节正弦波幅度精确至有效值1V（用毫伏表测量）。 4) 从示波器中读出此时的正弦波幅值，记入表中。 实验数据记录： 4. 示波器双踪显示练习 实验原理： 实验步骤： 1) 示波器CH1、CH2均不加输入信号，采用自动触发方式。 2) 扫速开关置于扫速较慢位置（如0.5 s/div挡），将“显示方式”开关分别置为“交替” 和“断续”，观察并描述两条扫描线的显示特点。 3) 扫速开关置于扫速较快位置（如5μs/div挡），将“显示方式”开关分别置为“交替” 和“断续”，观察并描述两条扫描线的显示特点。 实验结果记录： 实验小结：（什么情况下用交替显示方式？什么情况下用断续显示方式？） 5. 测试函数发生器的同步输出波形 实验步骤：
简要说明：本实验所有内容是经过^一年的使用并完善后的定稿；已经出版的较为成熟的内容，希望同学们主要参考本实验内容进行实验。 实验一常用电子仪器使用 为了正确地观察电子技术实验现象、测量实验数据，实验人员就必须学会常用电子仪器及设备的正确使用方法，掌握基本的电子测试技术，这也是电子技术实验课的重要任务之一。在电子技术实验中，所使用的主要电子仪器有：SS-7804型双踪示波器，EE-1641D函数信号发生器，直流稳压电源，DT89C型数字万用表和电子技术实验学习机。学习上述仪器的使用方法是本实验的主要内容，其中示波器的使用较难掌握，是我们学习的重点，要进行反复的操作练习，达到熟练掌握的目的。 一、实验目的 1. 学习双踪示波器、函数信号发生器、直流稳压电源的正 确使用方法。 2. 学习数字万用表的使用方法及用数字万用表测量元器 件、辩别二极管和三极管的管脚、类型。 3. 熟悉实验装置，学会识别装置上各种类型的元件。 二、实验内容
（一）、示波器的使用 1. 示波器的认识 示波器是一种测量、观察、记录电压信号的仪器，广泛应用于电子技术等领域。随着电子技术及数字处理技术的发展，示波器测量技术日趋完善。示波器主要可分为模拟示波器和数字存贮示波器两大种类。 模拟示波器又可分为：通用示波器、取样示波器、光电存储示波器、电视示波器、特种示波器等。数字存贮示波器也可按功能分类。 即便如此，它们各有各的优点。模拟示波器的优点是： ?可方便的观察未知波形，特别是周期性电压波形； ?显示速度快； ?无混叠效应； ?投资价格较低廉。 数字示波器的优点是： ?捕捉单次信号的能力强； ?具有很强的存储被测信号的功能。 示波器的主要技术指标： ①. 带宽：带宽是衡量示波器垂直系统的幅频特性，它 指的是输入信号的幅值不变而频率变化，使其显示波形的幅度 下降到3dB时对应的频率值。 ②. 输入信号范围： ③. 输入阻抗： ④. 误差： ⑤. 垂直灵敏度：指垂直输入系统的每格所显示的电压
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2 =80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压 u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k Ω，R B1 120k Ω， R B2 39k Ω，R C 3.9k Ω ， R E 2.1k Ω， R L 3.9k Ω ， r bb’ Ω，电流放大系数β50，电路中电容容量足够 大，要求： 1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ (设U BEQ 0.6V )； 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 R L
【4-1】电路如图所示，晶体管的β＝100，U BE ＝ V，饱和管压降U CES ＝ V；稳压 管的稳定电压U Z ＝4V，正向导通电压U D ＝ V，稳定电流I Z ＝5 mA，最大稳定电流 I ZM ＝25 mA。试问： （1）当u I 为0 V、 V、 V时u O 各为多少？ （2）若R c 短路，将产生什么现象？ 【相关知识】 晶体管工作状态的判断，稳压管是否工作在稳压状态的判断以及限流电阻的作用。 【解题思路】 （1）根据u I 的值判断晶体管的工作状态。 （2）根据稳压管的工作状态判断u O 的值。 【解题过程】 （1）当u I ＝0时，晶体管截止；稳压管的电流 在I Z 和I ZM 之间，故u O ＝U Z ＝4 V。 当u I ＝时，晶体管导通，基极电流 假设晶体管工作在放大状态，则集电极电流 由于u O ＞U CES ＝ V，说明假设成立，即晶体管工作在放大状态。 值得指出的是，虽然当u I 为0 V和 V时u O 均为4 V，但是原因不同；前 者因晶体管截止、稳压管工作在稳压区，且稳定电压为4 V，使u O ＝4 V；后者 因晶体管工作在放大区使u O ＝4 V，此时稳压管因电流为零而截止。 当u I ＝ V时，晶体管导通，基极电流 假设晶体管工作在放大状态，则集电极电流 在正电源供电的情况下，u O 不可能小于零，故假设不成立，说明晶体管工作在饱和状态。 实际上，也可以假设晶体管工作在饱和状态，求出临界饱和时的基极电流为 I B = mA＞I BS ，说明假设成立，即晶体管工作在饱和状态。 （2）若R c 短路，电源电压将加在稳压管两端，使稳压管损坏。若稳压 管烧断，则u O ＝V CC ＝12 V。 若稳压管烧成短路，则将电源短路；如果电源没有短路保护措施，则也将因输出电流过大而损坏 【方法总结】 （1）晶体管工作状态的判断：对于NPN型管，若u BE ＞U on （开启电压），则处 于导通状态；若同 时满足U C ≥U B >U E ，则处于放大状态，I C ＝βI B ；若此时基极电流
自动化一班121111129 模电实验心得体会 在本学期的模电实验中学习并实践了几个实验项目，如常用电子仪器的使用；晶体管共射极单管放大器；射极跟随器集成运算放大器的基本应用；负反馈放大电路；差分放大电路；电压比较器等试验。 实验中，学习了示波器、信号发生器、毫伏表、万用表、稳压电源仪器的使用方法，也见到了理论课上学过的三极管、运放等元件的实际模样，结合不同的电路图进行了实验。当学过的理论知识付诸实践的时候，对理论本身会有更具体的了解，各种实验方法也为日后更复杂的实验打下了良好的基础。 由于我个人对模电理论的不甚了解，所以在实验原理方面理解起来可能会比较吃力，但半学期下来发现理论知识并没有占过多的比例，而主要是实验方法与解决问题的方法。经过很多次的实验我发现自己可以很快的接受上课所学的内容。在我们第一次上实验对实验器材都不是很了解，但是我们花费两节课才对实验器材有了深刻的理解！而我们的预习实验担当了不可或缺的作用，一旦对整个实验有了概括的了解，对理论也有了掌握，那实验做起来就会很快很顺手，而如果没有做好预习工作，对该次实验的内容没有进行详细的了解，就会在那里问东问西不知所措，以致效率较低，完成的时间较晚。再就是在实验中要养成好习惯，比如说：检查仪器和各元件（尤其如二极管等已损坏元件）是否损坏；各仪器的地线要注意接好；若稳压源的电流示数过大，证明电路存在问题，要及时切断电路以免元件的损坏，再调试电路；使用示波器前先检查仪器是否故障，一台有问题的示波器会给实验带来很多麻烦。就我个人而言，感觉对模拟电路的理论知识了解的还可以，因此在做实验时完全感觉是在对课堂上理论知识的复习，也是对理论知识的检验，俗话说：时间是检验真知的唯一标准。此次实验对我而言也试验正他的正确性！ 通过这学期的模电试验课程，让我学习到了很多之前不知道的只是，在理论课程学习的基础上，通过试验的方式更加直观的体现了理论依据。模电这门课程不仅仅让我学到了专业课程的知识，更让我理解了很多的学习方法，这些学习方法不仅在模电这门课程上能够得到很好的使用，在今后我的其他课程的学习中，更能教会我怎么从开始的一无所有到最后详细的去了解一门课程。并且，模电实验这门课程充分的磨练了我的性格，因为我一直是个性格比较急躁的人，没有什么耐心，但是模电实验却是一个需要静下心来仔细去完成的东西，所以在每次的实验做不出自己想要的结果的时候，虽然有时很急躁，但是还是鼓起勇气一次次的做下去，对我以后的人生也会有很大的帮助。 总之，通过本学期模电实验课程的学习，让我体会到了模电这门课程的难度，单同时更让我体会到了其中的乐趣，磨练了自己的性格，同时更让我得到了一些不仅仅局限于课本的知识。可以说真的让我做到受益匪浅。最后，感谢老师半学期来对学生的教诲和指导！
中 南 大 学 模拟电子技术试卷（第1套） 一、一、填空题（20分，每空1分） 1．双极型三极管是 控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加 偏置，集电结需要加 偏置。场效应管是 控制器件。 2． 在有源滤波器中，运算放大器工作在 区；在滞回比较器中，运算放大器工作在 区。 3． 在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是 放大器，A u2是 放大器，A u3是 放大器。 4． 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极R e 公共电阻对 信号的放大作用无影响，对 信号具有抑制作用。差动放大器的共模抑制比K CMR ＝ 。 5． 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为 2001200f j A += ，则此滤波器为 滤波器， 其通带放大倍数为 ，截止频率为 。 6． 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态；其静态损耗为 ；电路的最大输出功率为 ；每个晶体管的管耗为最大输出功率的 倍。 二、基本题：（每题5分，共25分） 1．如图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。
2．测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。 3．已知BJT管子两个电极的电流如图所示。求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN 或PNP）并在圆圈中画出管子。 4．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其组态为； 其作用是使输入电阻、放大电路的通频带变。 三、如图所示电路中，β＝100， Ω = ' 100 b b r，试计算：(15分) 1．放大电路的静态工作点；（6分） 2．画出放大电路的微变等效电路；（3分） 3．求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o；（6分）
第一章习题与答案 1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？ 答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。 2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？ 答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。 3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？ 答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。 4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？ 答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。而普通二极管反向击穿后就损坏了。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。 5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？ 答： 正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。 反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 6.三极管具有放大作用的内部条件和外部条件各是什么？ 答：内部条件：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 7.三极管有哪些工作状态？各有什么特点？ 答：三极管输出特性曲线可以分为三个区，即三极管有三种工作状态。 （1）放大区（放大状态）。即三极管静态时工作在放大区（处于放大状态），发射结必
2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？ 解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故 V 82.32 CES CEQ om ≈-= U U U Ω=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故 V 12.22 ' L CQ om ≈= R I U 2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。 （1）求电路的Q 点、u A &、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变 化？ 解：（1）静态分析： V 7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ e f BEQ BQ EQ CC b2b1b1 BQ =++-≈≈+=≈+-= =?+≈ R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω ==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7 .7)1()(k 73.2mV 26) 1(c o f be b2b1i f be L c EQ bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥& （2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，e f ' L R R R A u +-≈& 2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的β＝80，r b e =1k Ω。 （1）求出Q 点； （2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的u A &和R i ；
模拟电子电路课程设计报告书 题目名称：直流稳压电源 姓名：刘海东潘天德 班级：15电科2 学号：23 26 日期：2017.6.11
目录 绪论 (2) 一设计目的 (3) 二设计要求与指标 (3) 三理论分析 (4) 四器件选择及计算 (9) 五具体制作步骤 (12) 六测试方法 (13) 七问题及总结 (15) 八心得体会 (17) 绪论 直流稳压电源一般由电源变压器，整流滤波电路及稳压电路所组成。变压器把市电交流电压变为所需要的低压交流电。整流器把交流电变为直流电。经滤波后，稳压器再把不稳定的直流电压变为稳定的直流电压输出。本设计主要采用直流稳压构成集成稳压电路，通过变压，整流，滤波，稳压过程将220V交流电，变为稳定的+/- 5v直流电，并实现电压可在8-15V连续可调。电源在生活中是非常常见的一种电器，任何电子电路都离不开电源，就像我们下学期即将学到的单片机一样，需要5V的直流电源，没有电源就不能进行正常的工作，如果用干电池进行供电，则有供电功率低，持续供电能力差，成本高等缺点。而交流电在产生、电能输送等方面具有独特的优点，发电站、各市电网中的电能传输都是以交流电的形式进行输送，如果我们对市电提供的电压进行降压整流等，把交流电转换成直流电，以获得我们所
需要的电压。 一设计目的 1.学习基本理论在实践中综合运用的初步经验，掌握模拟电路设计的基本方法、设计步骤，培养综合设计与调试能力。 2．学会直流稳压电源的设计方法和性能指标测试方法。 3．培养实践技能，提高分析和解决实际问题的能力。 二设计要求与指标 2.1设计要求 （1）分析电路组成及工作原理； （2）单元电路设计计算； （3）采用分立元件电路； （4）画出完整电路图； （5）调试方法； （6）小结与讨论。 2.2设计指标 （1）输出电压：8~15V可调 （2）输出电流：I O=1A （3）输入电压：交流 220V+/-10%
模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
模拟电子技术基础习题与解答 2.4.1电路如图题2.4.1所示。（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。 解（1）求二极管的电流和电压 mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=?=Ω ??-=-=- V V V V D O 4.17.022=?== （2）求v o 的变化范围 图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。 Ω≈==02.36.826mA mV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则 mV V r R r V v d d DD O 6) 02.321000(02.32122±=Ω?+Ω??±=+?=? O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ?-?+，即1.406V ～1.394V 。 2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。 图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。 图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。 图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。 2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？ 解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有 V V k k V A 115)10140(10=?Ω +Ω= V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=?Ω+Ω+?Ω+Ω= D 被反偏而截止。 图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有 V V k k V A 115)10140(10=?Ω +Ω= V V k k V k k V B 5.115)525(5)10()218(2=?Ω+Ω+-?Ω+Ω=
2.分别改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原 （a）静态时，发射结正偏，集电结反偏，-VCC改为+VCC (b) 没有RB发射结会烧坏，集电结不能反偏 （c）没有RB1当ui=0时发射结两端电压为零，VBB反过来。 （d）没有RB在交流通路中，VBB短路，交流信号加不进来。 3.放大电路及三极管输出特性如下图所示。 ①在输出特性曲线上画出直流负载线。如要求I CQ=2mA，确定此时的静态工作点，并确 定此时的R b的值； ②利用图解法分别求出R L=∞和R L=3kΩ时的最大不失真输出电压U om（有效值）； ③若R b调至150kΩ且i B的交流分量i b（t）=20sinωt(μA)，画出i C和u CE的波形图，这时出现什么失真？
解：（1）直流负载线 12 ,.4,0====-=Ce C c ce C c CC ce U O I I U R I V U 作负载线得：I CQ =40μA Ω =≈+=k R U R I V b CE b B CC 30004 .012 （2）R L =∞直流负载线与交流负载线重合Uom=6/1.414=4.23V R L =3K ?,R L //R C =1.5 K ? 当 U CEQ +1.5*I CQ =9 ,Uom=1.5*I CQ/1.414=2.12V
(3) 当RB=150K ?时，IBQ=80Ma 4.电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、u A 、i R 和o R 。 解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为：
模电实验心得体会 模电实验心得体会 模电实验心得体会1 在这个学期中，我们一共完成了从常用电子仪器的适用到串联稳压电源等九个实验课题。具体的实验情况在实验报告中已经很清楚的反映了。在此，我想谈谈我的心得体会。 首先，我们在试验中面临着很多问题。实验仪器就是其中之一。实验室中的很多仪器（示波器、交流毫伏表等）确实是由于年代久远而不能正常工作。但我发现，很多同学在实验现象没出来的情况下就借口说是实验仪器的问题。其实不然。很多情况下，仪器没有调试好导致现象不明显或者与理论相差甚远。在做共射共集放到电路实验中，有与我粗心，没有加旁路电容，从而导致放大倍数很小。后经过几次检查，方恍然大悟。那次试验后，我做实验变得更加的耐心。在连接电路前，都会认真分析一下实验原理。然后根据实验指导书上的步骤一步一步的来做。果然，出现错误的几率小了很多。 其次，做实验要养成好的习惯。很多同学在做实验的时候态度很随便。没有注意诸如：连线之前检查导线是否导通、用三用表测电阻时不质疑短接调零、链接电路是带电操作等等。也许，在很多人看来这些都是小问题。但真正每一次都做到一丝不苟，养成良好的习惯的同学并不多。 最后，我想说的是实验的目的。刚开始，我认为实验是一项任
务。只要完成了就行。无非就是照着课本连连线、得出个已经计算好的结果就行了。但自从自己做功放后我改变了这种看法。在做功放的时候，虽然原理图都是被人提前设计好的。但是在做得时候总是会需要自己去调试、布线。有时候看似链接的很完美的电路。 可能会因为某个地方的虚焊而不能工作。这种情况非常锻炼你能力。在找错误的地方的时候你自然而然的明白了电路的原理。功放主要包括电源和放大两个部分。基本上我们所学的一些基础内容都包含在内。而且当完成一个自己独立完成的功放后，会有一种成就感。实验跟课本的理论相结合，在课本中学习，在实验中检验。在试验中发现，用课本知识去分析。兴趣就在这一个个的试验中激发了。 当然，我明白：大学的最终目的不是让我们去做一些诸如功放、摇摇棒之类的东西，而是锻炼我们去探索、去发现、去学习的能力。以可能做的某项东西很简单或者没有做成功。但那并不是失败，因为你已经学习到了许多。耐心并且细心的去做每一步，坚持严谨的态度做到最后。每一个人都是成功者。 模电实验心得体会2 在本学期的模电实验中一共学习并实践了六个实验项目，分别是：①器件特性仿真；②共射电路仿真；③常用仪器与元件；④三极管共射级放大电路；⑤基本运算电路；⑥音频功率放大电路。 实验中，我学到了PISPICE等仿真软件的使用与应用，示波器、信号发生器、毫伏表等仪器的使用方法，也见到了理论课上学过的三极管、运放等元件的实际模样，结合不同的电路图进行了实验。当学
201405043963005 李实槟 模拟电子技术课程作业 第1章 半导体器件 1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。 (a)变宽 (b)变窄 (c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有( b )。 (a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。 (a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4电路如图1所示，设D 1，D 2均为理想元件，已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示，试画出电压u O 的波形。 D D u O + - 图1 图2 答案
u i u i 5电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。 u I2 D 1 图1 图2 u I1u 答案 t 1:D 1导通，D 2截止 t 2:D 2导通，D 1截止
第2章 基本放大电路 1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。 U o CC U CC U (c) (d) - o u o 2图示电路，已知晶体管β=60，U BE .V =07 ，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( a )。 (a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω V 3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。 (a)增加 (b)减少 (c)基本不变 4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T 的β=40，U BE .V =07，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（U B ，U C ，U E ）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。