2010年10月08日
半导体公司信息摘要 元器件行业
第十期
本产品的目的在于为投资者提供半月度市场动态，希望能为投资者研
究提供帮助
本期要闻
? 瑞萨电子推出新型功率MOSFET 性能升40%
? 三星35纳米4Q 出击 台DRAM 厂以卵击石
? 甲骨文拟收购芯片公司 AMD 和Nvidia 很淡定
? 高通上海世博会展示TD-LTE 芯片 明年正式量产
? Marvell 推出新款三核ARM SOC 芯片 局部运行频率可高达1.5GHz
? 美光联合英特尔率先推25纳米制程3bpc NAND 闪存
? 戴尔未来10年中国投入千亿美元
? 2011年iPad 出货量预测卖2100万台
? 苹果已经占据了欧洲近1/5的智能手机市场
? 三星成2010年上半年中国第二大智能手机厂商
? 赛维LDK 扩产惊人 5年内总产能逾70亿瓦
? 康宁下修LCD 玻璃Q3产量 估季减5% 评论 ? 公司技术创新不断，行业繁荣驱动力不减。1、三星电子将在第四季试产下世代35纳米制程DRAM ；2、高通宣布其TD-LTE 产品即将商用化；3、Marvell 推出世界最快的三核ARM 架构SoC 芯片，工作频率达1.5GHz ；4、美光与英特尔联合推出25nm 制程NAND 闪存；5、瑞萨电子推出新型
功率MOSFET 性能升40%。
?
iPad 使平板电脑成为热点，NB 继续疲软。1、iPad 热销助苹果成为全球市
值第二大企业，2011年全年出货量预计有2100万台，第二代iPad 将在年
初推出；2、iPad 使平板电脑成为热点，戴尔、惠普、RIM 等纷纷转投平
板电脑挑战iPad ，平板电脑将进一步压缩NB 市场。
? 2010年智能手机迎来爆发式增长。iPhone 和Android 手机最为走俏，苹
果、HTC 、RIM 、三星等智能手机出货量同比大增，亦带动芯片厂商盈利超
预期。
长期竞争力评级：等于行业均值
相关报告
1.《重视创新革命带来的长期投资机
遇》，2010.9.28
2.《重视景气长期繁荣的投资机会》，
2010.9.1
3.《传统出口企业订单下滑,但创新型企
业影响小》，2010.8.3
程兵 分析师 SAC 执业编号：S1130208120262
(8621)61038265
chengb@https://www.doczj.com/doc/812904381.html, 证券研究报告
市场数据(人民币) 行业优化平均市盈率 48.84市场优化平均市盈率 29.70国金元器件指数 3933.31沪深300指数 2935.57上证指数 2655.66深证成指 11468.54中小板指数
6700.2720132513301335134013091009091230100331100628100916国金行业沪深300
内容目录
半导体 (4)
瑞萨电子推出新型功率MOSFET 性能升40% (4)
张忠谋：半导体业明年成长5%台积电目标10% (4)
尔必达计划砸30亿元在台设研发中心 (5)
飞兆半导体与四川长虹扩展战略合作伙伴关系 (6)
芯片 (6)
三星35纳米4Q出击 台DRAM厂以卵击石 (6)
笔记本销售疲软 AMD下调第三季度营收预期 (7)
甲骨文拟收购芯片公司 AMD和Nvidia很淡定 (7)
宏力半导体0.13微米嵌入式闪存开始量产 (8)
高通上海世博会展示TD-LTE芯片明年正式量产 (8)
英飞凌第四次提高2010财年全年业绩预期 (9)
Marvell推出新款三核ARM SOC芯片局部运行频率可高达1.5GHz (10)
台积电高层透露其大陆上海8英寸厂将扩增产能 (10)
美光联合英特尔率先推25纳米制程3bpc NAND闪存 (10)
LED (11)
丰田合成宣布与晶电缔结LED交互授权契约 (11)
三菱化学将投资150亿日圆扩产LED基板和组件 (11)
传冠捷与晶电合建LED厂 双方均未持否认态度 (12)
PC (13)
戴尔未来10年中国投入千亿美元 (13)
和硕伺机取代英业达成为NB代工四哥 (13)
纬创明年成索尼第二大笔记本代工商 (14)
传苹果计划在2011年初推出第二代iPad (14)
苹果超越中石油成为全球市值第二大企业 (15)
仁宝月产能将逾6百万台，成都设厂不急 (15)
报道称广达代工制造新款MacBook Air (16)
2011年iPad出货量预测卖2100万台 (16)
戴尔推出7英寸Android平板电脑挑战iPad (17)
鸿海拿下第二代9.7寸iPad代工 (17)
大陆将在2012年超越美国成为戴尔最大PC市场 (18)
惠普2011财年收入预期乐观新任CEO仍悬而未决 (18)
手机 (18)
RIM第二季手机出货1200万黑莓用户超5000万 (18)
苹果已经占据了欧洲近1/5的智能手机市场 (19)
联通iPhone 4本月25日正式上市暂不出售裸机 (19)
联通公布iPhone专属合约计划 (20)
TCL手机销量升至全球第七 8月超300万部 (20)
4G时代到来 HTC率先发力LTE智能手机 (21)
三星成2010年上半年中国第二大智能手机厂商 (21)
宏达电下半年智能机出货量或达全球第四 (22)
光伏 (22)
夏普拟斥资3.05亿美元收购美太阳能供应商 (22)
英利能源拟扩大4倍产能并提高出口价格 (22)
台湾旺能携手IBM、东京应化开发CZTS太阳能电池 (23)
赛维LDK扩产惊人 5年内总产能逾70亿瓦 (23)
赛维LDK太阳能CFO：正在寻找收购目标 (24)
面板 (24)
友达光电与冠捷科技合资设立LCD模块厂 (24)
康宁下修LCD玻璃Q3产量估季减5% (25)
产能满载！奇美材料1-8月营收年增6成接近去年全年表现 (25)
半导体
瑞萨电子推出新型功率MOSFET 性能升40% 时间：2010-09-17 来源：EEWorld 高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社（TSE ：6723，以下简称瑞萨电子）已于近日宣布开始供应第12代新型功率MOSFET （金属氧化物半
导体晶体管）产品—— RJK0210DPA 、RJK0211DPA 和RJK0212DPA 。新产
品作为面向DC/DC 转换器的功率半导体器件，主要面向计算机服务器和笔记
本电脑等的应用。
本次推出的3款功率MOSFET 可用于控制CPU 和存储器的电压转换电
路。例如，可作为降压电路，用于将电池提供的12V 电压转换为1.05V ，以便
为 CPU 所用。随着公司进一步推进第12代生产工艺的小型化，瑞萨电子的新
型MOSFET 将FOM （品质因数=导通电阻×栅极电荷）在公司现有产品的基础
上降低了约40%，这使电压转换过程中的功率损耗大幅降低，从而实现了更高
的DC/DC 转换器性能。
随着信息与通信产品（如服务器、笔记本电脑和图形卡等）性能的不断提
升，其所需的功耗也在不断增加。与此同时，不断降低元件（如CPU 、图形处
理单元（GPU ）、存储器、ASIC ）工作电压的发展趋势又导致了电流的增
加。这样就需要DC/DC 转换器能够处理低压和大电流。除此之外，日益增长
的节能环保需求，也提出了降低电压转换过程中的功率损耗与提高转换效率的
要求。而瑞萨电子本次所推出的3款第12代功率MOSFET 产品因其领先于业
内的性能与降低约40%的FOM ，满足了上述需求。
新产品所具有的25V 电压容差（VDSS ）为RJK0210DPA 、
RJK0211DPA 和RJK0212DPA 分别实现了40A 、30A 和25A 的最大电流
（ID ）。另外，新产品的总品度值（VGS = 4.5V 时的标准值）分别为
6.84m ??nC 、
7.83m ??nC 和7.2 m ??nC ，这比瑞萨电子第10代功率
MOSFET （在用作控制功率MOSFET 时，其提供了比第11代产品更好的总品
度值）降低了约40%。
此外，新产品的栅-漏电荷电容（Qgd ），即控制功率MOSFET 的主要特
性分别为1.2nC 、0.9nC 和0.6nC ，也比瑞萨电子第10代功率 MOSFET （利
用相同的导通电阻进行测量时）低了约40%。该数值越小表明开关损耗越低，
则更有助于大幅提升DC/DC 转换器性能和提高能效。
通常，DC/DC 转换器具有2个功率MOSFET ：一个用于控制，另一个则
用于实现同步整流。它们轮流开关以进行电压转换。假设新型RJK0210DPA
用于实现控制，同时将瑞萨电子第11代RJK0208DPA 用于实现同步整流，那
么在将电压从12V 转换为 1.05V 时，其最高功率转换效率则可实现 90.6%
（在输出电流为18A 的情况下）和86.6%（在输出电流为40A 的情况下）。
（这2个数值均基于300kHz 的开关频率和两相配置。）
新产品采用具有出色散热特性、尺寸为 5.1 × 6.1 mm 、厚0.8mm （最大
值）的WPAK （瑞萨电子封装编号）封装。同时，器件下面所装有的压料垫，
能够在功率MOSFET 工作时将其产生的热量传导至印刷电路板，并且使功率
MOSFET 能够处理大电流。
今后，瑞萨电子还将不断开发适于各类DC/DC 转换器的半导体产品，以
进一步实现低损耗和高效率，并为开发出更小巧、更节能的系统做出贡献。
张忠谋：半导体业明年成长5% 台积电目标10% 时间：2010-09-21 来源：DigiTimes
瑞萨电子开始供应第12代新
型功率MOSFET 产品，主要面向
计算机服务器和笔记本电脑等应
用，在现有产品基础上实现了更
高的DC/DC 转换器性能，性能提
升40%。 台积电董事长预测全球半导
体业今年成长3成，明年成长
5%，台积电目标增长10%，不会
出现供过于求的问题。
晶圆代工厂台积电16日于中科举行第1座薄膜太阳能技术研发中心暨先
期量产厂房动土典礼，由董事长张忠谋亲自主持，他预期全球半导体产业
2011年将成长5%，并期许台积电业绩成长10%。2010年全球晶圆厂皆大幅
扩充产能，不过张忠谋认为，台积电2011年不会出现供过于求的问题。
近期市场上对于台积电第4季及2011年展望出现疑虑，对此，张忠谋指
出，期望2010年台积电营收与税前获利成长4成，亦即，台积电2010年营收
可望达新台币4,140亿元，以第3季财测高标季营收1,110亿元来推算，台积
电第4季营收约较第3季衰退4~5%，优于市场预期。
张忠谋表示，目前台积电还处于客户等著排队的状态，2011年其它业者
或许会出现供过于求的现象，但台积电不会有此情形。
张忠谋也预估，2010年整体半导体业将成长3成，2011年将成长5%，
至于台积电，则期望2011年营收与税前获利皆成长10%，优于产业成长。
张忠谋在动土典礼致词中指出，近 2年是台积电大兴土木的阶段，2009
年包括竹科晶圆12厂4、5期，及南科晶圆14厂4期厂房兴建，2010年则有
3个新厂动土，包括半年前竹科LED 研发中心暨量产厂房动土，这也是台积电
新事业第1座新厂房，7月中科晶圆15厂动土，9月则是最新的太阳能研发中
心动土。
张忠谋指出，这些建厂投资计画具有4层意义，第1层意义是台积电对未
来成长的承诺，台积电自1987年从0开始，到目前已成为台湾市值最高的公
司，未来也将继续成长，并希望每年有10%的成长幅度。
第2层意义是台积电对技术的承诺，张忠谋表示，台积电过去之所以能快
速成长，主要是基于掌握技术，由于新厂房将采用最先进技术，因此，也将不
断提供优质工作机会。
第3层意义是台积电对绿色环境的承诺，张忠谋表示，太阳能与LED 都
是绿色技术，也是未来能源的主要能源，中科晶圆15厂及薄膜太阳能厂，将
配合绿色环境主题，厂房外观将是绿色，而非一般常见的灰色。
至于第4层意义，则是对台湾及台中的承诺，台积电过去研发及生产重心
都在台湾，最近一连串新投资，是增强对台湾的承诺，也是开始实现对台中的
承诺。
尔必达计划砸30亿元在台设研发中心 时间：2010-09-27 来源：半导体国际 据台湾媒体报道，台湾地区投资环境已成功吸引外商目光。据悉，日商尔
必达与日立已向中国台湾“经济部”申请研发中心补助计划。尔必达预计投入
约30亿台币设立研发中心，并与力晶合作新研发计划。
而日立投入规模也至少上亿元，预计成立国际绿色产品研发中心。官员表
示，外商来台投资热潮从今年下半年起将延烧到明年。
台湾“经济部”21日才刚举办完投资台湾高峰会，推出27家外商签署投
资意向书，总计投资金额达新台币1082.5亿元，涵盖美商、日商、欧商以及
台商，其中又以美商来台投资金额达新台币722亿元最高。不过后续还有更多
外商持续来台加码投资。
据了解，尔必达准备斥资新台币30亿元，设立在台研发中心外，还要与
合作伙伴力晶投入新研发计划。官员说，尔必达已向台湾“经济部”提出申
请，目前正在审查中。
另外，日立也提出国际绿色产品研发中心补助计划。官员透露，日立投入
的规模也是上亿元，投资内容包括来台建构云端数据中心以及日本高阶压缩机
技术移转到台湾生产，预计新聘雇研发人员可望超过百人。
尔必达预计投入约30亿台币
在台湾设立研发中心，并与力晶
合作新研发计划。另外，日立也
提出国际绿色产品研发中心补助
计划，投入规模上亿元。
国际大厂包括Intel 以及IBM 看好云端运算市场的潜在商机，已经积极布
局云端运算产业，据悉，Intel 目前中意寻找台湾厂商合作，希望可以共同切入
云端运算市场。
至于IBM 原先主动向台湾“经济部”提出希望扩大在台研发中心规模，研
发范围着重在医疗用、工业用等高阶领域的服务器。不过台当局正在发展云端
运算产业，因此台湾“经部”希望IBM 调整研发计划，把云端运算的服务器研
究项目也纳入，官员说，IBM 相当看好云端运算产业，积极评估研发计划中，
预计今年底之前会有具体投资计划。
飞兆半导体与四川长虹扩展战略合作伙伴关系 时间：2010-09-28 来源：半导体国际 全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild
Semiconductor)宣布与四川长虹电器股份有限公司(长虹)达成供需合作协议，
进一步扩展双方在产品开发方面的战略合作伙伴关系。
长虹为中国最大的消费电子产品制造商之一，根据这一供需合作协议，长
虹承诺直至2015年12月履行与飞兆半导体建立的先进功率和便携器件的采购
目标计划。长虹副董事长兼总经理刘体斌与飞兆半导体中国及东南亚地区销售
和市场推广部副总裁陈坤和于新加坡举行的签约仪式上，签署了有关合作协
议。飞兆半导体器件将用于长虹范围广泛的产品中，包括LED 电视、液晶电
视、等离子电视、CRT 彩电、机顶盒、冰箱和空调等电子产品。
飞兆半导体和长虹自2004年建立联合产品开发实验室起始，一直密切合
作，而新的供需合作协议是上述长期合作的延伸。长虹以技术创新、高质量产
品和出色的制造能力而闻名，而长虹消费电子产品设计所采用的飞兆半导体器
件包括高压MOSFET 、飞兆功率开关(Green FPS )、IGBT 、IC 接口开关、
二极管、逻辑器件和整流器。
芯片
三星35纳米4Q 出击 台DRAM 厂以卵击石 时间：2010-09-21 来源：DigiTimes 三星电子(Samsung Electronics)制程微缩持续踩油门，继46纳米制程大量供货，下世代35纳米制程将在第4季试产，目标2010年底占总产能达10%，由于从 35纳米跳到46纳米估计成本可再下降30%，届时台、韩DRAM 之战将形成以卵击石，加上台厂新产能大量产出时间点亦多落在第4
季，面对产能将大量开出，近期DRAM 价格跌不停，特别是DDR3 eTT 已传
出通路商价格杀至1.7美元，较同容量DDR2价格还要低。
近期DRAM 合约价及现货价均呈现极度疲软，尤其在传统旺季是相当少
见情况，甚至有点呼应三星日前所提出DRAM 产业将供过于求论调，台、
美、日DRAM 业者气势都相当疲弱，似乎对于三星频出招重击动作毫无招架
之力。DRAM 业者表示，三星提出到2011年第1季以前都供过于求论调，其
实有迹可循，除第3季PC 旺季不旺，第4季能见度不佳，三星最新一代35
纳米制程即将问世，更是DRAM 产业重要杀手，业界都相当担心三星推出35
纳米制程后，将再次展开大杀价。
DRAM 业者指出，目前三星主力制程是46纳米，已比台厂快上1个世
代，南亚科和华亚科50纳米才刚要量产，力晶和瑞晶还停留在63纳米，至于
45纳米才刚要准备起跑，三星不仅在46纳米远远领先台厂，更计划第4季试
产35纳米制程，目标是2010年底占总产能10%。
三星电子将在第四季试产下
世代35纳米制程，目标今年底占
总产能10%。制程进步及产能大
量开出引发DRAM 价格不断下
跌，制程相对落后的台厂在与三
星竞争中处于不利地位。DRAM
业期待PC 需求回笼扭转颓势。 飞兆半导体宣布与四川长虹
达成供需合作协议，扩展双方在
产品开发方面的战略合作伙伴关
系，飞兆半导体相关器件将广泛
应用于长虹电器产品中。
值得注意的是，三星35纳米制程比46纳米成本再下降30%，2Gb 容量
DDR3成本趋近1美元，下降速度相当惊人，2011年35纳米将成为三星主力
制程，预计2011年第3季可超过总产出50%，届时南亚科和华亚科阵营即使
是以42纳米与三星对打，力晶和瑞晶阵营以45纳米应战，都将是以卵击石。
存储器业者表示，9月DRAM 合约价大跌近10%，让DRAM 业者士气低
落，部分因素是9月有季底作帐压力，大部分客户不愿拿货，造成价格反应较
激烈，随著合约价下修，现货价亦难独撑大局，台面上DDR3 eTT 价格虽还有
2美元，但私下交易已跌破2美元，甚至传出已杀至1.7美元，第4季供给端
杀手除三星35纳米问世，台厂制程微缩产能亦多数在第4季到 2011年第1季
期间大量出货，对价格杀伤力不容小觑，要扭转颓势必须靠PC 需求回笼。
台DRAM 厂表示，当DRAM 价格下修到某种程度，过去PC 厂从4GB 容
量模块砍到2GB 容量策略，或许会出现逆转，若搭载存储器主流容量能够以
4GB 起跳，配合PC 出货量升温，大量消耗DRAM 产能，将是挽救摇摇欲坠
DRAM 价格最健康方式。
笔记本销售疲软 AMD 下调第三季度营收预期 时间：2010-09-24 来源：世华财讯 AMD 23日下调了对第三季度的营收预期，预计第三季度营收将比第二季度的16.5亿美元下滑1%至4%，原因是笔记本销售表现疲软，尤其是在西欧
和北美市场。
AMD 此前预期第三季度营收将比第二季度有所增长，这一预期与季节性
趋势相符合。分析师预计AMD 第二季度营收为17.2亿美元。
AMD 的竞争对手英特尔也已下调了对第三季度的业绩预期，原因是在该
公司返校季节中的个人PC 销售不及此前预期。
分析师指出，有关经济状况的担忧情绪已经导致许多个人消费者削减了技
术支出。
甲骨文拟收购芯片公司 AMD 和Nvidia 很淡定 时间：2010-09-25 来源：CNET 科技资讯网 甲骨文CEO 拉里·埃里森(Larry Ellison)表示，公司在过去5年内已收购逾
65家公司，目前希望收购芯片公司和特定行业的软件公司。
埃里森在9月19日召开的OpenWorld 甲骨文年度大会上说：“我们将收
购芯片公司。”甲骨文通过收购芯片厂商进入计算机硬件领域，今年1月份收购
服务器厂商Sun 。埃里森表示，希望效仿苹果CEO 史蒂夫·乔布斯(Steve
Jobs)，拥有更多知识产权支撑计算机芯片。苹果已收购半导体厂商帮助自己
开发iPad 和iPhone 等设备。甲骨文已通过收购Sun 获得一些芯片技术。
市场分析机构Gleacher Co 分析师道格·弗里德曼(Doug Freedman)表示，
甲骨文或收购拥有服务器技术的芯片公司，潜在收购目标包括AMD 、IBM 的
芯片部门和Nvidia 。他说：“可以想象，甲骨文将关注企业硬件，关注服务器。
AMD 将从幕后走出来。”
受甲骨文收购传闻影响，AMD 和Nvidia 股价均出现上涨，ARM 股价也出
现上涨。
AMD 、Nvidia 和IBM 均未就此置评。
甲骨文还计划收购更多特定行业的软件厂商。甲骨文希望通过专注于特殊
领域在同SAP 等竞争对手的竞争中脱颖而出。他说：“我们希望在每个重要领
域发挥作用。”
持有大量现金
甲骨文CEO 希望收购芯片公
司进入计算机硬件领域，市场分
析师认为AMD 、NvidIA 和IBM
芯片部门将是其潜在收购目标。因笔记本销售表现疲软，
AMD 23日下调第三季度的营收
预期为下滑1%-4%，其竞争对手
英特尔也下调了第三季度业绩预
期。
甲骨文是全球第二大软件公司，截至第一财季，该公司拥有236亿美元现
金和短期投资。9月6日，该公司还聘请惠普前CEO 马克·赫德(Mark Hurd)出
任联合总裁，引发分析师预测甲骨文将收购更多硬件公司的猜想。惠普是全球
最大的计算机厂商。
甲骨文在OpenWorld 大会上表示，新企业应用软件Fusion 将于明年第一
季度上市。甲骨文已经发布两款整合其软件和Sun 硬件的产品。
随着甲骨文寻找收购目标，该公司还通过削减低价系统提升硬件业务利
润。第一季度硬件销售产生48%的毛利润率，公司整体毛利润率为72.5%。
上季度甲骨文硬件营收17亿美元，埃里森在上周召开的OpenWorld 大会
上表示，公司计划将硬件业务营收翻番。甲骨文正在向客户销售更多整合了计
算能力、存储、网络连接和软件设计的高端计算机系统。本周，甲骨文推出两
款高端系统：Exalogic 和新款Exadata 计算机。
埃里森说：“10年后我们将发现大多数数据中心将不再依赖当前的工程系
统，我们认为软件和硬件整合是计算领域的未来。”
宏力半导体0.13微米嵌入式闪存开始量产 时间：2010-09-26 来源：中电网 上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一，宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。
宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SST
SuperFlash?(1)上已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技
术。闪存单元尺寸只有0.38平方微米，是目前0.13微米技术节点上最小的单
元尺寸，其卓越的性能还能支持最大到16Mbit 的SoC 设计，在业内十分具有
竞争力。
这一最小的单元同时还满足了编程效率高和无过度擦除的需求，能让系统
设计师设计出更具竞争优势的嵌入式闪存单元。此新技术还具有极高的耐擦写
能力和数据保持特性，可重复擦写10万次，数据可保留100年。
宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程为客户提供了两种解决方案。
Dual-gate 特别适合SIM card 的客户，由于其光罩层数少，模块尺寸小等优
势，在市场上已经成为性价比最高的解决方案。而Triple-gate 适用于通用和低
压产品，应用范围广泛，包括MCU 、U 盘、智能卡以及汽车电子市场。
宏力半导体经过大量生产验证的0.13微米嵌入式闪存制程与其0.13微米
通用和低压逻辑制程完全匹配，因此易于迁移。对客户而言，良好的兼容特性
保证了现有的标准单元库和IP 能够与新制程无缝衔接。
“自2008年起，宏力半导体已经生产了成千上万片0.18微米的嵌入式闪
存晶圆，极小的单元尺寸和极少的光罩数，在业内极具优势，也让宏力半导体
宏力迅速在智能卡市场占据了份额。与此同时，我们还始终保持着95%以上的
良率，因而赢得了客户对我们的信赖。” 宏力半导体销售市场服务单位资深副
总卫彼得博士表示，“宏力半导体将于今年年底完成基于0.13微米节点的单
元缩小的研发工作，这个全新且极具竞争力的嵌入式闪存制程将针对高容量的
产品应用。”
高通上海世博会展示TD-LTE 芯片 明年正式量产 时间：2010-09-26 来源：中国通信网
宏力半导体宣布其代工的
0.13微米嵌入式闪存首个产品进
入量产，该制程为客户提供两种
解决方案，分别适合Sim 卡客户
和通用、低压产品，在业内极具
竞争力。 高通宣布其TD-LTE 产品即
将商用化，预计年底将与全球多
家电信运营商合作对该产品进行
移动测试。
高通（Qualcomm ）公司日前宣布，该公司TD-LTE 产品即将迈向商用
化，目前正于2010上海世博会展示使用该项技术的产品，展示所采用了高通
MDM9200解决方案，同时具备2x2 MIMO 技术，以2.3GHz 频段进行传输展
示。高通表示，预计2010年底将与全球多家电信运营商合作，针对采用
MDM9200以及MDM9600解决方案的TD-LTE 产品进行移动测试。
高通公司无线通信产品事业部资深副总Cristiano Amon 表示：“高通承诺
协助客户于2011年推出TD-LTE 产品。TD-LTE 技术可协助电信运营商有效运
用非对称频谱资产，并提供使用者绝佳的移动宽带体验。TD-LTE 的展示与运
营商测试将于2010年底进行，这对于将TD-LTE 引进全球消费市场是一项重
要的里程碑。”
高通公司的产品包括支持TD-LTE 、整合基频与射频的产品，如
MDM9200。MDM9200为业界首款多模3G/LTE 单芯片，可同时支持分频双工
(FDD)与分时双工(TDD) LTE 。首款采用高通芯片的TD-LTE 产品预计2011年
中正式推出。此外，高通于印度的德里、孟买、哈雅纳以及喀拉拉邦区域，已
获得2.3GHz 频段共计20MHz 频宽的TDD 频谱。高通计划加快印度网络部署
同时支持3G HSPA 及EVDO 的LTE 网络，并预计今年年底进行实测。
高通公司是3GPP 标准制定的领袖，LTE 是使用OFDMA 和MIMO 天线
技术的下一代移动电话规范。随着中国移动TD-SCDMA 市场的不断扩大，以
及目前TD-LTE 在政府与运营商等方面获得的扶持，未来在中国也许最先商用
的后3G 标准将是TD-LTE ，因此高通对于TD-SCDMA 以及TD-LTE 的关注与
未来投入也是必然。
高通公司的目标非常明确，即通过BWA 频段布局3G 及LTE ，而印度
2.3GHz 频段的特点和印度民众对宽带服务的需求与高通的TD-LTE 恰好契合
在一起。高通印度和南非地区总裁Kanwalinder Singh 表示，在2.3GHz 频段
上，LTE 可与HSPA 、EV-DO 进行无缝互操作，这无疑将大大提升印度用户的
宽带移动业务体验。
在印度的TD-LTE 布局与中国移动遥相呼应，将促进TD-LTE 产业快速发
展。未来将会有越来越多的运营商、设备商、芯片厂商加入TD-LTE 阵营，使
TD-LTE 产业由试验阶段走向部署和商用。
近日，高通研制出将新一代移动通信LTE 技术配备于汽车上的收发系统，
并公开了移动条件下的数据情况。据悉，高通公司在其位于美国加利福尼亚州
圣地亚哥的总部大楼周围部署了多个LTE 基站，与配备有收发系统的汽车之间
进行数据交换。
英飞凌第四次提高2010财年全年业绩预期 时间：2010-09-26 来源：Semi 据国外媒体报道，欧洲第二大芯片厂商英飞凌今日再度提高2010财年全年营收和净利润预期。这已是英飞凌第四次提高2010财年全年业绩预期，原因是智能手机销售业绩高于预期水平。 英飞凌发表声明称，公司预计在截至9月30日的2010财年的全年营收将
比上财年增长约50%，营业利润率在13%到14%。它之前预计本财年营收增
长率在45%到50%之间，营业利润率在10%左右。英飞凌上一次提高全财年
业绩预期的时间是7月28日。
市场研究公司Gartner 本月将2010年全球半导体收入预期上调至3000亿
美元，预期增幅为31.5%。但它同时也发出警告说，由于电脑销售增长减速和
手机应用芯片竞争加剧，这种增长速度不可能持续到今年下半年或2011年。
英飞凌上个月同意将旗下无线设备半导体生产业务出售给英特尔，它今后
的收入将主要来自于电力和能源效率应用如风轮机的芯片以及汽车半导体配件
等产品业务。
收益智能手机销售业绩高于
预期，英飞凌第四次提高2010财
年业绩预期，预计2010财年营收
增长约50%，利润率13%-14%，
其中无线业务部贡献奇高。同时
表示第四财季营收环比增长15%
左右。
英飞凌今日在声明中指出，由于智能手机销售超出预期，因此无线业务部
贡献的收入出奇得高。
英飞凌表示，第四财季的营收将在第三财季的基础上增长15%左右。利润
率将在18%到20%之间。
英特尔在8月27日下调了第三财季业绩预期，原因是消费者对个人电脑
的需求低于预期水平。英飞凌将于11月16日发布第四财季财报。欧洲最大的
半导体厂商意法半导体将于10月20日发布其第三财季财报。
Marvell 推出新款三核ARM SOC 芯片 局部运行频率可高达1.5GHz 时间：2010-09-26 来源：cnBeta 芯片厂商Marvell 近日推出了一款自称为世界最快的三核ARM 架构SOC 芯片，芯片的工作频率可达 1.5GHz ，这样的频率要比目前高端手机上所采用 的芯片的最高频率还高50%。不过，在这款处理器中只有其中的两个
Armada628核心可运行在1.5GHz 频率下，而第三个”低功耗“核心则仅运行
在 624MHz 频率下，这个低频核心的主要用途是监视系统运行状况，并为另外
两个核心分配任务。
这款芯片还能够支持1080p 高清视频回放功能，并具备连续播放高清视频
10个小时左右的较低功耗特色。另外Marvell 的这款产品还可按订购这款产品
的客户的要求增加HDMI 输出和USB3.0功能。
这款芯片内置有3D 功能模块，内含四组通用渲染器，可每秒同时向两个
显示器发送实时绘制的由2亿个多边形组成的图像。
不过Marvell 并没有透露什么时候装用这款芯片的智能手机或平板电脑产
品会推出上市，不过如果按时间推算，有关的产品有可能会在明年一季度末或
二季度初投入量产。
台积电高层透露其大陆上海8英寸厂将扩增产能 时间：2010-09-26 来源：cnBeta 据台积电公司副董事长曾繁城近日表示，台积电公司计划于今年年底前将其设在大陆上海地区的松江8英寸芯片厂的月产能由目前的4.5万片，提升到5万片左右，并预计明年这家芯片厂的产能有望进一步攀升到每月6万片。他表示今年第二季度位于上海的松江厂已经开始扭亏为盈，并在成立7年之后首度实现财季盈利。
他还表示中国大陆芯片市场对高级制程技术的需求正在增长。他并列举了
其子公司创意电子（Global Unichip ）为例来说明，称IC 设计服务已经收到了
近10个客户发来的40nm 制程产品设计订单，其中就有一家是来自中国大陆
的厂商。他还预计明年会有更多来自大陆客户的40nm 订单。
另外，他还认为2010年是半导体工业极大增长的一年，而2011年第一季
度的业界景气情况则会比上一季度稍差，至于明年全年的半导体景气状况，曾
繁城表示还需要深入的观察才能下结论。
他并认为今年芯片厂的资本支出金额将达到最高点，而明年的资本支出金
额则需要视40nm 和28nm 制程产品的市场需求度而定。
美光联合英特尔率先推25纳米制程3bpc NAND 闪存 时间：2010-09-27 来源：半导体国际
台积电副董事长表示台积电
计划年底前提升其在上海松江的8
英寸芯片厂月产能至5万片左
右，预计明年产能达到6万片每
月。他同时认为明年一季度业界
景气将比上季稍差，明年资本支
出需视40nm 和28nm 制程市场
需求而定。Marvell 推出自称世界最快的
三核ARM 架构SoC 芯片，工作
频率可达1.5GHz ，比目前高端手
机所用芯片最高频率要高50%，
预计有关产品会在明年一季度末
或二季度初投入量产。 美光与英特尔联合推出25nm
制程NAND 闪存，拥有业界最大
容量和最小尺寸，预计年底量
产。
美光科技公司(Micron Technology Inc.)和英特尔公司(Intel Corporation)日
前联合推出25纳米(nm)制程的3-bit-per-cell(3bpc)NAND 闪存，该NAND 设
备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客
户手中。美光与英特尔预计在今年年底时量产该产品。
与竞争对手USB 、SD(Secure Digital)闪存卡和消费电子产品相比，新推
出的25nm 64Gb 3bpc 存储设备的性价比更高且存储量更大。闪存主要用于存
储数据、照片或其它多媒体，如计算机应用和数码设备(数码相机、便携式媒体
播放器、便携式数码摄像机和各类个人电脑)之间的数据捕捉和传输。这些市场
一直处在以更低成本提供更高存储容量产品的压力之下。
由双方合资组建的NAND 闪存公司IM Flash Technologies(简称 IMFT)所
开发的这项64Gb(或8GB)25nm 光刻技术，可提供每单位3比特的信息容量，
而传统技术只能提供1比特(单层存储单元)或2比特(多层存储单元)。业内也将
3bpc 称为三层存储单元(triple-level cell, 简称 TLC)。
该设备的尺寸与美光和英特尔容量相同的25nm MLC(多层存储单元)相
比，体积要小20%以上，是目前市场上最小的单个8GB 设备。从产品固有的
紧凑型设计上看，小尺寸闪存对消费终端产品闪存卡显得尤为重要。芯片面积
为131平方毫米，符合行业标准TSOP(薄型小尺寸封装)封装。
美光NAND 解决方案事业部副总裁 Brian Shirley 说：“鉴于NAND 闪存
对消费电子产品的重要性日益显着，我们将及早向25nm TLC 过渡视为不断扩
大NAND 存储产品组合的一大竞争优势。我们已经在努力根据包括Lexar
Media(雷克沙)和美光的更高容量终端产品的设计，来打造符合要求的8GB
TLC NAND 闪存产品。”
英特尔副总裁兼NAND 解决方案事业部总经理Tom Rampone 表示：“自
业界尺寸最小的25nm 芯片在1月问世，25nm 3bpc 产品也紧随其后，我们将
继续加速向前发展，为客户提供一系列卓越的领先产品。Intel 计划在新推出的
8GB TLC 25nm NAND 设备的基础上，利用IMFT 在设计和制造上的优势，为
我们的客户打造更高密度、更具成本竞争力的产品。”
LED
丰田合成宣布与晶电缔结LED 交互授权契约 时间：2010-09-18 来源：半导体国际 全球LED 大厂丰田合成(Toyota Gosei)16日发布新闻稿宣布，已与台湾晶
电缔结了LED 专利交互授权契约，双方(包含各自的子公司)将可活用彼此所持
有的LED 专利。
新闻稿指出，晶电拥有多项AlGaInP LED 和InGaN LED 相关专利、丰田
合成也拥有多项InGaN LED 相关专利，故为了进一步开拓LED 需求，双方同
意尊重彼此所拥有的技术，携手建构出可相互活用彼此专利的环境。
新闻稿指出，藉由此次交互授权契约的签订，双方将可自由使用彼此所持
有的专利，可进一步提高研发自由度，且双方今后也将维持良好的友善关系，
透过公平竞争研发卓越的高辉度LED 产品。
三菱化学将投资150亿日圆扩产LED 基板和组件 时间：2010-09-21 来源：LEDinside 丰田合成与台湾晶电缔结
LED 专利交互授权契约，双方可
活用彼此所持LED 专利，进一步
提高研发自由度。 三菱化学计划2015年底前投
资150亿日元用于量产LED 基板
和扩产LED 组件，其正研发的
LED 基板采用GaN ，耗电为一般
蓝宝石基板的1/3，同时计划
LED 组件月产能增至10亿颗规
2015年底前，日本厂商三菱化学（Mitsubishi Chemical ）将投资150亿
日圆，用于量产LED 基板和扩产LED 组件。
三菱化学目前正着手研发将LED 基板生产成本降至现行1/10的新方法，
并将于2012年底前在旗下筑波事业所内新设产线开始量产；该LED 基板采用
氮化镓(GaN)，其耗电力仅需一般蓝宝石基板的1/3。
同时，三菱化学也计划将LED 组件月产能自现行的4千万颗扩增至1亿
颗，且之后计划实行代工订单，将LED 组件月产能扩增至10亿颗的规模。三
菱LED 组件为紫色，透过三原色的萤光粉可发出白光。
三菱化学目前与LED 上游芯片大厂Cree, Inc.签有独家授权合约；根据双
方协议，三菱化学将可制造、贩卖独立的氮化镓(GaN)基板，并有权签订类似
专利范围的再授权协议(similarly- scoped sublicenses)。
传冠捷与晶电合建LED 厂 双方均未持否认态度 时间：2010-09-30 来源：DigiTimes 全球液晶制造龙头厂冠捷近来陆续强化与台厂策略联盟，巩固供应链，继与友达携手合作后，近来市场传出，冠捷为掌控LED 晶粒来源，可能将与LED 晶粒厂龙头晶电合作，双方可望在大陆增设上游MOCVD 磊晶厂房，据指
出，冠捷2011年预计大尺寸面板需求量将高达1.5亿片，随著LED 背光渗透
率提高，必须确保晶粒来源的稳定供应，市场揣测，晶电可望扩充现有的厦门
厂房设备，以导入MOCVD 机台产能。对此传闻，晶电及冠捷双方官方发言体
系均未持否认态度。
冠捷集团总裁宣建生日前回台时表示，除了友达、奇美电子等面板大厂
外，将加强与台厂合作布局，并特别点名晶电，引发市场关注。由于冠捷与亿
光、晶电3巨头已在2010年6月宣布，将斥资新台币8亿元，在大陆福州设
置LED 下游封装厂，目前冠捷LED 布局独缺上游晶粒产能，市场盛传，冠捷
可望与晶电合设上游磊晶厂房。
对此传闻，晶电表示，若是冠捷对于LED 背光需求量足以满足一个厂区
的运作，将不排除双方合作的可能，冠捷相关人士则低调表示，不清楚这个案
子目前的发展，也不便表示意见。双方并未否认的态度，也似乎加强了此传言
的可能。
尽管近期大陆液晶电视(LCD TV)市场库存去化压力大，不过冠捷预期，
2010年全球液晶电视市场规模，应可较2009年达到30%成长，而冠捷2010
年液晶监视器和液晶电视出货量将可达7,000万台。据指出，冠捷内部评估，
2011年大尺寸面板需求量将上看1.5亿片。
业界估计，1台液晶监视器在背光应用的LED 晶粒颗数约50颗、40寸
LED TV 晶粒用量约200颗，以冠捷2010年液晶监视器约5,500万台、液晶
电视出货量约1.5亿台计算，产能未必能支应1个磊晶厂房营运，不过随著冠
捷2011年急速扩充及大陆LED TV 市场快速成长，若进展顺利，双方很可能
在2010年底前将宣布合作事宜。
目前晶电在大陆的布局陆续展开，包括与光宝科在大陆常州设置上游磊晶
厂，预计2011年第2季投产，作为大陆背光及照明应用，初期将导入10台以
内MOCVD 机台，未来可望视需求扩充至30台。此外，晶电也曾斥资800万
美元(约新台币 2.6亿元)，投资联电集团主导的冠铨(山东)光电，并取得50%
股权，不过晶电对冠铨营运涉入不深。
由于晶电过去曾在厦门设置LED 晶粒后段制程厂房，此地理位置接近亿
光、冠捷与晶电合资成立的福州LED 封装厂，加上厦门是大陆LED 产业发展
重点地区，市场认为，晶电与冠捷若增设上游磊晶厂房，可望直接在厦门厂区
进行上游制程的整合，由于晶电可望在10月初召开董事会，是否进一步公布
双方合作的重大消息，已引起业界关注。
据称冠捷为掌控LED 晶粒来
源，将与LED 晶粒厂龙头晶电合
作在大陆建设MOCVD 磊晶厂
房，对此晶电与冠捷均未否认。
此外，预计冠捷今年液晶监视器
和电视出货可达7000万台。
PC
戴尔未来10年中国投入千亿美元 时间：2010-09-16 来源：FM5 戴尔中国方面今日透露，计划明年在成都开设其中国第二个主要运营中心，今年下半年还将拓展原有的厦门基地运营，未来10年，戴尔在中国的总投入将超过1000亿美元。
据悉，戴尔将在成都高新区建立生产和客服中心，该中心于2011年运
营，之后团队成员将逐步增加到3000人。
此外，戴尔计划在下半年在其旗舰中心厦门开设新的写字楼，招聘近500
名团队成员，以支持戴尔在北亚地区及全球地区的潜在增长。
戴尔公司董事长及首席执行官迈克尔-戴尔表示，“我们正在规划未来，很
高兴看到戴尔在中国的战略投资能够更好地服务该地区对技术解决方案和服务
的日益需求。过去十二年戴尔在中国发展迅猛，得益于我们6000多名经验丰
富的中国团队成员的精诚贡献。我们致力于推动成都运营中心的成功，并努力
兑现戴尔对所有客户的承诺。”
戴尔大中华区总裁闵毅达称，“我们坚信，成都的人力资源以及戴尔的全新
营中心必将推动戴尔在中国西部地区的更大发展。”
目前，戴尔在中国的发展还包括：在厦门总部建立的2个电脑生产基地和
1个企业服务指挥中心；在上海设立的1个全球产品设计中心，是戴尔在美国
之外的全球最大的设计中心；在大连的戴尔国际服务中心。
统计显示，中国是戴尔全球收入的第二大市场，仅次于美国。2000到
2010年，戴尔中国的收入增涨了11倍，戴尔2011财年第二财季的报告显
示，与去年同期相比，戴尔在中国的销量同比增长了52%。根据市场分析公司
IDC 的报告，戴尔现为中国第二大计算机供应商，拥有9%的市场份额。IDC
预计，至2014年，中国西部对计算机需求的年增长率将达到21%。
戴尔中国方面透露，未来10年，戴尔在中国的设施、人才、研发和供应
商采购方面的总投入预计将超过1000亿美元。
和硕伺机取代英业达成为NB 代工四哥 时间：2010-09-16 来源：DJ 财经知识库 和硕受惠鸿海与英业达的激烈价格战，有机会提升在全球NB 代工厂商排
名。和硕2010年NB 出货量预估值在1600~1700万台，2011年可望超越
2000万台，而同业英业达2011年近2000万台的NB 出货量，将可能输掉第
四名的排名给和硕。
英业达因为与鸿海上演激烈的价格战，决定放弃掉低获利的订单，以保住
整体毛利率，但是这样的作法，也让整体的出货量下降，并且即将输掉第四名
的排名。
据统计，和硕的NB 出货量今年截至8月，已有近1030万台的水平，同
时，英业达的NB 出货量则在1300万台附近，然而这样的差距，会因为和硕
进入Q3、Q4旺季而逐渐接近与英业达的出货量。
若以年度来观察，和硕今年整年的NB 出货预估在1600~1700万台的水
平，仍然会低于英业达的1800万台的预估值。但是到了2011年之后，虽然英
业达表示NB 出货量会成长到2000万台的水平，但和硕却可以受惠华硕、
戴尔计划明年在成都开设其
在中国第二个主要运营中心，未
来十年在中国投入超过1000亿美
元的投资，应用于在中国的设
施、人才、研发和供应商采购等
方面。 和硕2010年NB 出货量预估
1600-1700万台，明年可望超
2000万台，有望超越同业的英业
达，成为NB 代工第四名。
Toshiba 碁、宏等大厂的订单挹注，2011年NB 出货量可以推升超过2000万
台的水平。
和硕日前表示，Q3的NB 出货量会比Q2成长10~15%，因此，依和硕
Q2的NB 出货近380万台的量为基准，Q3应该出货量可达420万至440万
台，前三季累计即可达到1470万台的NB 出货台数。
和硕8月合并营收381.7亿元，较7月的323.8亿元，成长17.9%，累计
1~8月合并营收为2785.7亿元，较去年同期的2649.3亿元成长了5.1%。
纬创明年成索尼第二大笔记本代工商 时间：2010-09-16 来源：FM5 据台湾媒体报道，据笔记本电脑代工行业业内人士称，纬创将在2011年超越富士康成为索尼第二大笔记本电脑代工商，它将获得索尼笔记本电脑订单总额的15%到20%，相当于大约200万台订单量。
广达电脑仍将是索尼最大的笔记本电脑代工商，它将获得500万台以上的
订单量，约占索尼2011年笔记本电脑总出货量即1000万台至1100万台的
50%。 其中20%的出货量将由索尼自产，富士康将获得大约100万台订单
量，基本与2010年持平。
索尼原先主要将其笔记本电脑生产外包给广达电脑和富士康，但是今年，
纬创凭借它与索尼在电视产品上的OEM 合作关系争取到了笔记本电脑订单。
纬创今年主要为索尼生产超薄型笔记本电脑。
纬创2011碁年的主要笔记本电脑客户仍将是戴尔、宏和联想，这三家客
户的订单总数超过了3千万台。 至于惠普，它只向纬创发出了大约150万台
至200万台企业笔记本电脑订单，这也意味着索尼明年将超过惠普成为纬创第
四大客户。
传苹果计划在2011年初推出第二代iPad 时间：2010-09-21 来源：赛迪网 据国外媒体报道，苹果打算在2011年初推出第二代iPad 。
据Rodman Renshaw 分析师Ashok Kumar 称，第二代iPad 的名称已被
确定为iPad 2，它的尺寸规格比第一代iPad 要小一些。Kumar 已经向苹果供
应链和生产合作伙伴进行咨询，并获知了iPad 2的详细配置。据悉，iPad 2将
配备7寸触摸显示屏，前置VGA 摄像头，3月份还将推出一款1千兆像素的
后置摄像头。
这也证实了近期关于苹果正在减小iPad 的尺寸规格以对抗市面上新出现
的一批小型平板电脑对它发起的挑战的传闻。但是之前的传闻亦有不实之处，
之前报道称新版iPad 将于年底圣诞节销售旺季来临前上市，但最新消息称
iPad 2的上市日期已接近明年春季。
据Kumar 称，iPad 2将由台湾代工商和硕联合制造。和硕联合同时还负
责为苹果CDMA 版iPhone 提供总装代工服务，预计Verizon 将从明年年初时
开始经销CDMA 版iPhone 。
苹果决定推出一款规格更小、价格可能也相对更便宜的新版iPad 的决定
有点令人不解。显然，这意味着苹果可能认为iPad 可能会在低端市场受到威
胁。但苹果也可能是为了不损害笔记本电脑的销售业绩才决定缩小iPad 的尺
寸规格。
据称苹果计划明年初推出第
二代iPad ，其配置包括7寸触摸
屏、前置摄像头等，由和硕联合
制造。 纬创将在明年超越富士康成
为索尼第二大笔记本代工商，获
得索尼15%-20%的笔记本订单，
而其主要笔记本客户仍将是戴
尔、宏基和联想，订单总数超过
3000万台。
苹果超越中石油成为全球市值第二大企业 时间：2010-09-24 来源：赛迪网 据国外媒体报道，苹果超越中国石油成为以市值计全球第二大公司。 苹果的投资者们相当看好苹果iPhone 、iPad 和Mac 电脑的前景。苹果股
票在纳斯达克市场当天交易价格攀升至292.76美元，推动其市值攀上2675亿
美元的高峰，暂时超越中国石油成为仅次于埃克森美孚的全球市值第二高的公
司。但随后苹果的股价又跌至288.92美元，市值降为2639亿美元，再次低于
中国石油2655亿美元的市值。
自从2007年苹果发布iPhone 以来，其股价已经上涨到当初的三倍多。
iPhone 如今占据苹果公司30%的收入来源。今年初，苹果发布了iPad 平板电
脑，至今年销量有望超过有9年历史的iPod 。
“苹果的股票有潜力继续攀升至高得多的价位，”投资公司First American
Funds 分析师简·斯诺里克(Jane Snorek)认为。该投资公司管理着超过1000亿
美元的资金，而苹果是其持有的第一大科技股。她表示，苹果在手机和电脑市
场的份额现在还仍然较小。
分析师预计苹果明年将售出2100万部iPad ，高于之前的预计1450万
部。苹果计划扩大经销商渠道，提升国际销售表现并扩大企业用户。彭博社对
分析师显示，分析师对未来12个月苹果股价预计平均值为342.8美元。
来自Android 的威胁
Capital Advisors 分析师凯斯·高达德(Keith Goddard)指出，苹果有可能难
以达到如此高的期望。他认为Android 操作系统的智能手机和平板电脑将会直
接打压苹果的表现。
“人们对苹果的期望已经到了苹果不能承受的地步了，”高达德表示，
“Android 快速占领市场份额的势头比苹果更猛。”
comScore 数据显示，截至7月，Android 智能手机在美国的市场份额已经
上升至17%，而苹果的市场份额则从25%降到了24%。
5月份，苹果超越微软成为全球市值最高的科技公司。1997年苹果CEO
斯蒂夫·乔布斯(Steve Jobs)回归苹果前夕，苹果公司几乎处在破产的边缘。而
后苹果凭借2001年发布的iPod 、2007年发布的iPhone 和今年发布的iPad 成
功将产品线扩大到Mac 电脑之外。
仁宝月产能将逾6百万台，成都设厂不急 时间：2010-09-24 来源：FM5 仁宝昆山五厂已于上月完工，目前单月NB 产能最多可达550万台，预计至年底设备产线都装置完毕，就可再提升到600万台。另外仁宝越南厂也将从
第四季开始小量出货。仁宝预期，这样的产能将足以因应至明（2011）年底需
求。也因此虽然昆山和成都两地政府都积极向仁宝招手，但在没有产能需求急
迫性的状况下，仁宝表示仍在评估中。
外界推测，在戴尔(Dell)宣布至成都设立第二营运中心后，代工厂为了争取
订单很可能会配合前往，其中仁宝董事长许胜雄日前在参加昆山计算机电子博
览会受访时也指出，成都对仁宝确实是一个相当重要，且是未来建新厂地址的
主要的选项。
不过仁宝在昆山五厂于8月完工后，年底前单月NB 产能将可提高至600
万台，而以今(2010)年来看，至8月为止仁宝单月最高NB 出货量为440万
台，预期接下来几个月最多也只在500万台左右，因此现阶段产能要因应旺季
需求已是绰绰有余。
仁宝昆山5厂上月完工，预
计年底产能可达每月600万台，
将可满足至明年底的需求，市场
预期仁宝明年有机会出货6000万
台。是否在成都设厂尚未决定。随着苹果股价升至292.76美
元，其市值达2675亿美元，成为
仅此于美孚石油的全球市值第二
高的公司。鉴于iPhone 、iPad
等产品的热销，分析师对其后市
依然看好。
而以明年来说，市场预期仁宝全年有机会挑战6000万台，估其单月出货
高峰应还在600万台之下，且仁宝越南厂目前产能规模虽比最初规划的小，但
第四季已可开始小量出货，仍具有补足出货需求的能力，看来仁宝明年仍无扩
厂需求。
因此，仁宝若依年初计划于明年初开始兴建昆山六厂，而同时又在成都建
新厂，恐怕将会有产能过剩的疑虑。
据了解，目前昆山市政府和成都市政府两边都积极再向仁宝招手，也都表
示愿意提供土地供建厂之用。但在没有扩厂迫切性的状况下，仁宝表示尚未做
出最终决定。不过外界推测，仁宝为争取戴尔订单，在成都设厂应是一个不得
不的选项，但可能会先以小规模组装厂的形式来因应，而不会立即进行大规模
建厂。
报道称广达代工制造新款MacBook Air
时间：2010-09-25 来源：电子时报
日前有台湾媒体报道，广达已经拿下了苹果一款新品11.6寸“MacBook”笔记本的代工订单，预计今年内出货量在40到50万台。
这则报道称，多家笔记本ODM 制造商的出货量都会在9月份创下新纪
录，其中广达500万台，仁宝450万台，纬创也有250万台。预计广达三季度
笔记本出货量将在1300到1320万台左右，略低于二季度的1370万台。另据
消息指，广达新近拿下了苹果11.6寸笔记本订单，预计年内出货量40到50
万台。
该报道中称广达拿下的订单为苹果MacBook 。不过该机型一直以来都是
13寸屏幕，并且MacBook 今年5月才刚刚升级更新。而11.6寸屏幕笔记本在
苹果产品线中应当代表的是MacBook Air 。该机子2009年6月以来就没有再
进行更新，升级已经迫在眉睫。根据往年惯例，苹果可能在10月或11月推出
新款笔记本机型，应该就包括广达代工的这款新品MacBook Air ，预计将基于
Intel 超低电压版Core ix 系列处理器，继续主打超轻薄。
2011年iPad 出货量预测卖2100万台
时间：2010-09-25 来源：CNET 科技资讯网
Piper Jaffray 分析师Gene Munster 上修2011年iPad 出货量预测，从原先估计的1,450万台提高至2,100万台。
Munster 说，iPad 可说是「一般大众适用的Mac 」，而随着iPad 的通路
扩大、在全球各国市场推出和企业需求增加，势必持续推升这款苹果平板电脑
的销售量。
他说：「我们相信，iPad 对苹果来说是一项重要的产品;对于已拥有主要
电脑的人士而言，iPad 是辅助的运算装置;对于以前买不起Mac 的人来说，是
一款主要装置;它也将成为第一款成功打入企业界的苹果产品。我们认为，iPad
是一般大众适用的Mac 。」
iPad 在企业里的确有用武之地。 Sybase 的Eric Lai 已整理了一份Google
试算表，上面列出了一长串部署iPad 的教育单位和企业的名单。
Munster 指出，iPad 可望是苹果产品当中，企业客户占总销量比例最大
的。根据苹果网站上的资料，iPad 可供销售、医疗、餐饮等行业之用，目前过
半数的Fortune 500大企业正部署或测试iPad 。
另外，Munster 说，苹果iPad 的供应量已跟上需求，Best Buy 本月底将
销售iPad ，他预测未来Target 也会跟进，而一旦iPad 在中国推出，整体需求
量会随之增加。
据称广达拿下苹果新品MacBook 笔记本代工订单，预计
年内出货40-50万台，改型笔电采用11.6寸屏和英特尔超低压版Core ix 系列处理器，主打超轻薄。 鉴于iPad 通路扩大、在全球市场推出和企业需求增加，Piper
Jaffray 分析师上修2011年iPad 出货量预测至2100万台。
戴尔推出7英寸Android 平板电脑挑战iPad
时间：2010-09-26 来源：赛迪网
国外媒体报道，戴尔将在本周推出7英寸Android 平板电脑，挑战苹果
iPad 。
戴尔CEO 迈克·戴尔上周在甲骨文的Open World 大会上推出新平板，并
表示这款平板电脑会比戴尔Streak 更强劲，这款平板电脑比5英寸的Streak
要大一些。除此之外戴尔没有透露新平板的价格、名字、出货日期和其它技术
细节。
根据科技博客的报道，新的平板电脑配备Android 2.2系统，采用双核
Tegra 2处理器，支持4G 的内存，4G 的闪存（最大32G ），130万的摄像
头，WIFI ，蓝牙，3G 与内建GPS 。
Streak 平板配的是Android 1.6系统以及高通Snapdragon 1G 处理器。
鸿海拿下第二代9.7寸iPad 代工 时间：2010-09-28 来源：中时电子报 美商高盛证券亚洲科技产业研究部主管金文衡昨（27）日指出，鸿海将拿下第二代9.7寸iPad 独家代工权；至于7寸iPad 的第二代工伙伴，苹果则尚未敲定。9.7寸iPad 强调机身轻薄（重量比第一代iPad 的700公克少10
％），内建照相功能与mini USB ，预计2011年第二季初会亮相。
至于7寸iPad 何时才会公开亮相？金文衡表示，目前还不知道，但不会
比9.7寸iPad 早。
金文衡指出，目前看来，笔记型计算机与手机大厂所力拱的Android 3.0
平板计算机，预计2011年第一季底陆续推出，苹果与Android 阵营在平板计
算机产业的大战届时也将一触即发，也可以进一步观察Netbook 市场遭瓜分的
情况。
尽管多了麦格理资本证券台湾区研究部主管张博淇调升投资评等的加持，
鸿海近期股价表现略显温吞，美系外资券商分析师认为，现在看来，年底前的
营收利多题材已大致反应在股价中，接着要看未来是否有新订单的加持。
金文衡表示，对鸿海而言，新利多消息就是新款9.7寸iPad 的独家代工权
已确定拿下，面对和硕抢单抢得凶的市场传闻，显然鸿海在代工质量上还是受
到肯定，现在就看7寸iPad 是否会有第二代工伙伴，但目前苹果尚未做最后
决定。
金文衡指出，由于第二代iPad 相较于第一代iPad 的特色，在于机身较为
轻薄、重量少约10％，2011年第二季初推出后，应不会造成整体iPad 出货量
太大变化，目前高盛证券仍维持2011年平板计算机出货上看3,500万台、其
中iPad 占了2,600万台的预估值，iPad 仍具主导地位。
笔记型计算机出货在历经7月大幅衰退、8月止跌回温的三温暖走势后，
金文衡指出，目前看来，9月动能状况还不错，中国大陆、东欧、俄罗斯、南
美、西欧、美国等市场都有不错表现，只是8月出货比他预估要少3％，因此
将第三季整体出货下滑幅度由1％略整为2％，第四季成长率4％仍不变，低
于代工厂商的5％至10％。
至于2010年笔记型计算机出货（包括Netbook 但不含平板计算机与
iPad ）成长率，金文衡目前预估为14％，低于大部分品牌、代工厂商与IDC
所预估的19％，及2010年的18.9％，尽管企业换机需求与新款CPU 被视为
提振需求的诱因，但iPad 是否持续瓜分市场，显然会是更大变量。
戴尔将在本周推出7英寸
Android 平板电脑，挑战iPad 。 高盛表示鸿海将拿下第二大
9.7寸iPad 独家代工权，预计该
型号iPad 明年二季初就会推出。
高盛维持明年平板计算机3500万
台、iPad2600万台出货量的预
测。
金文衡认为，短线出货动能等数据仍有利于笔记型计算机族群股价表现，
看好纬创与鸿海，而鸿海将是2010与2011年出货成长动能最强者。
大陆将在2012年超越美国成为戴尔最大PC 市场 时间：2010-09-29 来源：华尔街日报 戴尔公司(Dell Inc.)大中华区总裁Amit Midha 29日在接受访问时表示，中
国大陆将在2012年超越美国成为该公司最大PC 市场。根据戴尔在8月19日
公布的财报内容，5-7月旗下整体金砖四国(巴西、俄罗斯、印度、中国大陆)销
售额年增52%，占当季整体营收的12%。
Midha 表示戴尔将在数周后推出Android 版7寸平板。他并且表示戴尔将
在未来6-12个月内推出3寸、4寸以及10寸平板装置，当中有部份会采用微
软Windows 操作系统。Midha 还透露戴尔尚未决定是否采用Google Chrome
操作系统。
戴尔公司执行长麦可戴尔(Michael Dell)9月22日在甲骨文(Oracle Corp.)
所主办的OpenWorld 研讨会上指出，继5寸「Streak 」(兼具平板计算机与智
能型手机功能)之后，该公司还将会推出一款7寸大小的Android 平板产品。
戴尔竞争对手惠普(HP)28日在2010年年度法说会上指出，该公司计划在
2013年拿下平板市场17%的市占率。惠普预计于2011年初推出平板产品。
惠普2011财年收入预期乐观 新任CEO 仍悬而未决 时间：2010-09-29 来源：CNET 科技资讯网 惠普周二发布了2011年财政年度收入预计，结果优于分析师的预测，消息一出，公司股价上升。不过，惠普仍然未确定新任CEO 的人选。
惠普预计，2011年营业收入在1315亿美元至1335亿美元之间，较分析
师1316亿美元更为乐观。
惠普首席财务官兼代理CEO Cathie Lesjak 表示，2011年度每股收益在
5.05美元至5.15美元之间，华尔街的预期是每股获利5.07美元。
惠普股票周二收于41.62美元，上涨36美分，盘后交易中又上涨48美
分。
此前有传言说，惠普将在周二公布新CEO 名字，但惠普周二仅公布了候
选者名单，这些人是，惠普个人电脑部门负责人Todd Bradley ，惠普技术服务
部门负责人Ann Livermore ，惠普打印机墨水部门主管Vyomesh Johski 。
大部分分析师相信，如果惠普要从公司内部提拔一位新CEO ，Bradley 将
是最有希望的人选。
另有分析师传言说，惠普准备招聘苹果首席营运官Tim Cook 为新任
CEO ，但这一传言后来被否定，Gleacher & Co 分析师Brian Marshall 说，
Cook 已经向他证实，自己计划留在苹果。
手机
RIM 第二季手机出货1200万 黑莓用户超5000万
时间：2010-09-17 来源：CNET 科技资讯网
RIM 发布第二季财报。按照公认会计原则，净利润7.967亿美元，第一季
度为7.689亿美元。
RIM 第二季财报公布，净利润7.967亿美元，手机出货1200
万部，用户数超5000万，同比增长56%。 惠普发布2011财年收入预
计，2011年营收在1315亿美元
至1335亿美元之间，优于市场分
析师预期。新任CEO 人选尚未确
定。 大陆将在2012年超越美国成
为戴尔最大的PC 市场，5-7月戴
尔在金砖四国销售额年增52%。
同时戴尔计划在未来6-12个月推
出3寸、4寸及10寸平板装置。
RIM 表示，第二季黑莓手机出货量逾1200万部，新增约450万黑莓用
户。目前黑莓手机用户已超过5000万，同比增长56%。
RIM 联合CEO 吉姆·巴斯利耶（Jim Balsillie ）强调公司发布的Torch 手机
是目前最成功的手机，预计随着该手机在墨西哥、加拿大和欧洲发布，今年第
三、第四季度的表现还会很好。巴斯利耶对RIM 在中东市场的努力很乐观。今
年初，阿联酋曾要求RIM 就数据安全作出让步。
巴斯利耶说：“RIM 正在根据地法律与印度和阿联酋政府及运营商谈判，他
们认为我们在这些问题上进展不错。我们会遵照当地法律，但不会就安全问题
作出让步。”巴斯利耶表示，目前RIM 在全球拥有25万台服务器，都采用了公
司的加密技术，是RIM 业务的基础部分。
巴斯利耶表示，预付费手机在RIM 业务中的重要性日益凸显。目前RIM
软件商店手机App World store 中的应用已达到20万款，每天下载次数为150
万次，环比增长40%。
苹果已经占据了欧洲近1/5的智能手机市场
时间：2010-09-19 来源：赛迪网
据comScore 的数据显示，苹果已经占据了欧洲近1/5的智能手机市场。
在过去一年里，苹果在欧洲市场突飞猛进。comScore 报告称，在2010年
5月至7月三个月内，苹果在欧洲智能手机的市场份额达到了 19.2%，2009年
同期为10.2%，上升了9%。在法国、德国、意大利、西班牙和英国13岁与
13岁以上人群中，共有1170万苹果智能手机用户。
由于增长迅速，苹果成为欧洲地区手机商中增长最快的，排在第二位的索
尼爱立信用户数增长了3.6%。
诺基亚依然是欧洲智能手机的领头羊，它占据超过一半的市场，但是相比
去年，它的市场份额下跌了14.4%。
苹果之所以获得成功，可能是因为iPhone 4的热卖，该手机上市三天内
就销售了170万台。
联通iPhone 4本月25日正式上市 暂不出售裸机 时间：2010-09-20 来源：比特网
中国联通向比特网发布公告称，联通iPhone 4将于9月25日上午9时正
式上市。据目前所公布购机合约计划来看，首批上市的iPhone 4还不支持裸
机购买。
昨日晚间，就有消息人士透露称，联通正在对iPhone 4的上市做最后准
备，并将于这几日内召开关于iPhone 4的全国会议，部署具体销售工作，9月
25日正式在国内上市。
随后，今日早间联通官方便证实这一消息，联通宣布将于9月25 日9时
在中国大陆市场全面推出iPhone 4，并为iPhone 4用户量身定制了合约计
划。
联通在公告中称，此次推出的iPhone 4，以合约计划方式进行销售，用户
办理中国联通iPhone 4 合约计划套餐，承诺在网两年，根据所选套餐，预存
相应的话费，就可获一定金额的手机补贴。如用户选择iPhone 4 16GB 每月
286元及以上套餐，即可免费获得一部手机，选择每月96元套餐，购机价为
3899元;用户选择iPhone 4 32GB 每月386元及以上套餐即可免费获得一部手
机，用户选择每月96元套餐，购机价为4799元。
而除此之外，iPhone 4上市初期，联通应该尚不支持裸机购买。
comScore 数据显示苹果已占据欧洲近1/5智能手机市场，
是欧洲地区手机商中增长最快的。 联通9月25日正式在内地市
场销售iPhone4，并为用户量身
定制合约计划，暂不支持裸机出
售。
此前，中国联通于9月17日10时开始接受iPhone 4合约计划预约，从联通公布的数据来看，首日预订量已经超过
5万部。在该机正式上市后，用户
可通过联通营业厅，以及授权的苏宁电器购买。
联通公布iPhone 专属合约计划
TCL 手机销量升至全球第七 8月超300万部 时间：2010-09-25 来源：C114 根据全球市场研究公司iSuppli 最新发布的手机业市场报告，TCL 通讯在今年第二季度销量已跃升至全球第七位。这是TCL 通讯近年来在全球手机企业销量排名最好的一个季度。同时，TCL 通讯近日发布的8月份信息显示，其8月份手机及配件销量首次突破300万部。在众多手机厂商中可谓表现一枝独秀。
TCL 通讯第二季度销量升至全球第七
根据全球市场研究公司iSuppli 于近日发布的研究报告称，本月期间，全
球手机用户量将突破50亿户大关，约占全球人口总量的73.4%。
其中，今年第二季度TOP20的手机企业销量排行中诺基亚、三星、LG 仍
居销量前三名。之前iSuppli 关于TOP20手机第一季度企业销量排名的报告
中，TCL 通讯在今年第一季度时销量为全球第十。这显示第二季度TCL 通讯
销量继续上升。根据iSuppli 的报告，第二季度，苹果公司、摩托罗拉和华为
均较第一季度排名下滑，分别为第八、第九和第十。
8月份首次单月销量突破300万 全球市场发展迅猛
而根据TCL 通讯最新的公告，8月份，TCL 通讯手机及配件销量首次突破
300万部，按年上升1.18倍。今年前8个月，TCL 通讯的手机及配件销售量
累计达到2,014万台，较去年同期飙升1.53倍。
这其中，海外市场表现尤为突出，销量同比增长1.62倍。今年以来，TCL
通讯的业绩猛进很大程度上得益于其在新兴市场，包括非洲和拉丁美洲等市场
的开拓。目前TCL 通讯在拉美的手机市场占有率已位居第四。
另外，TCL 通讯已计划加强俄罗斯市场和国内市场。据悉，上周，TCL 通
讯在俄罗斯的分公司已正式成立。TCL 的手机于俄罗斯的市占率已排第4，约
占13%左右。俄罗斯本身缺乏手机生产厂商，多数手机为进口产品，且价格非
常昂贵，同等品牌的手机价格是中国品牌的2-3倍，手机性能与配件往往得不
到很好的保障，这将给中国手机厂商以机会。但同时，俄罗斯手机市场注重品
牌，TCL 通讯旗下的ALCATEL （阿尔卡特）品牌在海外耕耘多年，是名副其
实的国际品牌，在海外有一定品牌号召力，正适合开拓俄罗斯等新兴国家市
场。
据TCL 通讯内部知情人士透露，最近TCL 通讯在全球市场动作频繁，除
了在中秋节于香港高调发布其ANDROID 新品之外，还将于下周在科威特市场
发布全系列新产品，在印度与运营商TATA-DOCOMO 举行与YAHOO ！合作
iSuppli 最新手机市场报告显
示TCL 今年二季度手机销量升至
全球第七，8月手机及配件销量首
超300万部。今年前8个月，
TCL 手机及配件销售量累计达到
2,014万台，同比飙升1.53倍，
海外市场表现尤为突出，销量同
比增长1.62倍。
能源行业数据安全解决方案 一、能源行业行业背景 能源行业是国家的支柱行业，也是政府大力支持的核心产业之一。办公自动化(OA)、生产管理、机械自动化控制、ERP、财务管理等信息化管理手段已在能源行业广泛应用。 信息技术的发展对于能源行业有着革命性的意义，为了完善企业生产、管理，发展更新更好更为先进的专业应用平台，企业需要累积大量的信息数据。能源行业已从基础的生产自动化逐步向管理信息化发展，以提高自身在国内国际的竞争力，从而提高企业效益。信息化的发展极大推动了电力、水利、石油、煤矿产业的发展，信息技术大幅度提高企业的内部管理效率、降低管理所需成本、提高生产效率及价值链竞争效率。 数据资料在各种系统中起到重要决策依据的能源行业，如何确保数据的安全，完善信息化管理也是目前急需解决的问题。 二、需求分析 能源行业主要的数据为历史积累数据、生产控制系统数据、企业管理数据、办公文档及财务管理数据等。 根据能源行业的自身特点，数据多样化、信息量庞大以及计算机分散是其数据安全管理的难点，各部门、各科室、分支机构地域分散，而如何将分散的数据集中备份、集中管理、防止泄漏是我们解决的重点，下图向您展示了能源行业网络结构图。
根据数据的重要性，需要实现对各服务器数据库、数据进行备份，当服务器数据丢失或损坏时能够以最快速度恢复生产和管理，减少生产中断时间。自动备份企业各部门的办公、管理、财务等数据，有效防止数据丢失或损坏。PYD信息防泄漏系统还能够为企业提供了全面的信息防泄漏保护，有效防止因重要管理数据泄漏造成的不可弥补的损失。 三、软件向能源行业提供的全面数据安全解决方案 在信息化管理中还意味着有以下令人堪忧的隐患： 硬件设备损坏、磁盘逻辑错误、应用程序故障，导致关键数据丢失、业务中断； 人为误操作、破坏，导致数据丢失或系统无法正常运行； 病毒破坏、黑客攻击、操作系统故障导致数据丢失或损坏； 没有预防火灾、天灾等不可抗力灾难对系统构成的威胁； 重要管理数据损坏； 重要生产、管理数据被窃取; 数据信息的安全性、可靠性和私密性影响企业的生存能力。 企业需要信息数据安全的可靠保障，软件为您提供全面的数据安全解决方案。强大的数据安全备份解决方案和信息防泄漏保护方案，为企业信息化发展保驾护航： 数据备份 LAN 备份解决方案 NAS存储备份解决方案
半导体基础知识和半导体器件工艺 第一章半导体基础知识 通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类为导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其它一些物体。第二类为绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类为半导体，其导电能力介于导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si硅等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。 物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义为长1厘米、截面积为1平方厘米的物质的电阻值，单位为欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。 半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由于它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显著的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏组件（如热敏电阻等），但是由于半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身产生的热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照后导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其它元素（这个过程我们称为掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特征。例如在原子密度为5*1022/cm3的硅中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例为10-7（即千万分之一），硅的导电能力提高了几十万倍。 物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少后，整个原子呈现正电，缺少电子的地方产生一个空位，带正电，成为电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。 前面提到掺杂其它元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又分为电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分为两种：施主杂质与受主杂质。 将施主杂质加到硅半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多自由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要为五族元素：锑、磷、砷等。 将施主杂质加到半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多电洞参与导电，这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要为三族元素：铝、镓、铟、硼等。 电洞和电子都是载子，在相同大小的电场作用下，电子导电的速度比电洞
《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题（二） 姓名：单位： 职务：得分： 一、填空题（每题1分，共20分）： 1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。 2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规，内容极为丰富，共有章条。 3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。 4、，按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责，负责《条例》的组织实施。 5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。 6、民主推荐部门领导，本部门人数较少的，可以由全体人员参加。 7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻 RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名，按照RE---政协章程和有关规定办理。 Rs(rs----串联电阻 Rth----热阻 结到环境的热阻
动态电阻 本机关单位或本系统 r δ---衰减电阻 r(th--- Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 、对决定任用的干部，由党委（党组）指定专人同本人 tg---电路换向关断时间 12 Tj---和不同领导职务的职责要求，全面考察其德能勤绩廉toff---。 tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间 ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度 p---发光峰值波长 △λ η---
15、考察中了解到的考察对象的表现情况，一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） 、正向压降（正向直流电压） △政府、断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员，应当认真贯彻党委推荐意见 VGRM---门极反向峰值电压，带头（AV 履行职责交流输入电压 最大输出平均电压
半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件行业的下游需求情况 半导体分立器件行业的下游需求情况 随着国民经济的快速发展及行业技术工艺的不断突破，半导体分立器件的应用领域有了很大的扩展。近年来，受益于国家经济转型升级以及新能源、新技术的应用，下游最终产品的市场需求保持良好的增长态势，从而为半导体分立器件行业的发展提供了广阔的市场空间。半导体分立器件的下游覆盖消费电子、汽车电子、工业电子等领域，且在上述领域应用基本保持稳定的增长。在国家产业政策的支持下，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴产业领域将成为国内分立器件行业新的增长点，特别是该等应用领域将给MOSFET、IGBT等分立器件市场中的主流产品提供巨大的市场机遇。 （1）消费电子 MOSFET 等半导体功率器件是消费电子产品的重要元器件，消费电子市场也是半导体功率器件产品的主要需求市场之一。中国消费电子产品的普及程度越来越高，而且近年来消费者对消费电子的需求从以往的台式PC、笔记本电脑为主向平板电脑、智能电视、无人机、智能手机、可穿戴设备等转移，直接推动消费电子市场的快速发展。消费电子产品更新换代周期短以及新技术的不断推出，
使得消费电子市场需求量进一步上升。根据美国消费电子协会统计，2013 年中国消费电子市场整体规模达到16,325 亿元，成为全球最大的消费电子市场，根 据2017年3C行业报告，2017年中国消费电子市场将突破2万亿，预计增长7.1%。 目前我国笔记本电脑、彩色电视机等众多消费类电子产品的生产规模已经位居全球第一，同时以智能电视、无人机等为代表的新兴消费类电子产品也开始在国内实现量产。根据IDC 的预测，智能电视是互联网快速发展的产物，2016 年国内智能电视销量达4,098 万台，预计到2018 年智能电视销量将突破5,000 万台。近年来我国无人机市场规模快速增长，根据IDC 的预测，我国航拍无人机的 市场规模将由2016 年的39 万台增加到2019年的300 万台，年均复合增长率高 达97.40%。上述消费电子产品市场规模的快速增长，有力地拉动了对上游半导体功率器件的需求。 （2）汽车电子
能源行业信息化解决方案
目录 1 需求分析 (5) 1.1 行业细分 (5) 1.1.1 教育行业细分....................................................................错误!未定义书签。 1.1.2 能源行业细分 (5) 1.2 需求分析 (5) 1.2.1 教育行业需求分析............................................................错误!未定义书签。 1.2.2 能源行业需求分析 (5) 2信息化解决方案 (7) 2.1教育行业总体解决方案............................................................错误!未定义书签。 2.1.1 基础管理解决方案............................................................错误!未定义书签。 2.1.1.1 智慧校园数字化平台........................................错误!未定义书签。 2.1.1.2 校园手机一卡通................................................错误!未定义书签。 2.1.1.3 学生工作管理系统............................................错误!未定义书签。 2.1.1.4 某信....................................................................错误!未定义书签。 2.1.1.5 云办公................................................................错误!未定义书签。 2.1.2 教学管理解决方案............................................................错误!未定义书签。 2.1.2.1 智慧教育云平台................................................错误!未定义书签。 2.1.2.2 班班通................................................................错误!未定义书签。 2.1.2.3 人人通................................................................错误!未定义书签。 2.1.2.4 互动宝宝............................................................错误!未定义书签。 2.1.2.5 E辅导.................................................................错误!未定义书签。 2.1.2.6 电子书包............................................................错误!未定义书签。 2.1.3 安全管理解决方案............................................................错误!未定义书签。 2.1. 3.1 校园安全网........................................................错误!未定义书签。 2.1. 3.2 平安校园............................................................错误!未定义书签。 2.1. 3.3 校车监控............................................................错误!未定义书签。 2.1. 3.4 关爱宝................................................................错误!未定义书签。 2.1. 3.5 爱宝宝................................................................错误!未定义书签。 2.2 能源行业总体解决方案 (7) 2.2.1 通用产品综合解决方案 (9) 2.2.1.1 移动办公 (9) 2.2.1.2 集群调度PTT (11) 2.2.1.3 移动视频监控 (14) 2.2.1.4 位置服务 (15) 2.2.1.5 E信 (18) 2.2.1.6 单通 (19) 2.2.2 能源开发行业解决方案 (22) 2.2.2.1 井下通信 (23) 2.2.2.2 智能巡检 (25) 2.2.3 公共服务行业解决方案 (28)
半导体分立器件行业发展研究 -半导体分立器件竞争格局、利润水平及行业壁垒 半导体分立器件行业竞争格局 经过多年的发展，国内厂商在中低端分立器件产品的技术水平、生产工艺和产品品质上已有很大提升，但在部分高端产品领域仍与国外厂商有较大的差距。由于国外公司控制着核心技术、关键元器件、关键设备、品牌和销售渠道，国内销售的高端半导体功率器件仍旧依赖海外进口。面对广阔的市场前景，国内厂商在技术水平和市场份额的提升上仍有较大的开拓空间。我国半导体分立器件行业起步较晚，近年来在国家产业政策的鼓励和行业技术水平不断提升等多重利好因素推动下，行业内部分企业以国外先进技术发展为导向，逐步形成了以自主创新、突破技术垄断、替代进口为特点的发展模式。半导体分立器件行业内，新洁能等部分企业掌握了MOSFET、IGBT 等产品的核心技术，通过产品的高性价比不断 提高市场占有率，在与国外厂商的竞争中逐步形成了自身的竞争优势。
行业利润水平 1、行业利润水平的变动趋势 近年来，我国半导体分立器件行业平均利润水平总体上呈现平稳波动态势，在不同应用领域及细分市场行业利润水平则存在着结构性差异。一般而言，在传统应用领域，低端产品行业进入门槛较低，市场竞争较为充分，导致该领域产品行业利润水平相对较低。而在新兴细分市场以及中高端半导体分立器件市场，由于产品技术含量高，产品在技术、客户积累以及资金投入等方面具有较高的进入壁垒，市场竞争程度相对较低，行业内部分优质企业凭借自身技术研发、产业链完善、质量管理等综合优势，能够在该领域获得较高的利润率水平。 2、行业利润水平的变动原因 半导体分立器件行业的利润水平主要受到宏观经济形势和下游行业景气度、以及行业技术水平等因素的综合影响。 宏观经济形势及下游行业景气程度方面。半导体分立器件作为基础性元器件，应用领域涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等广泛的下游行业。宏观经济形势则直接影响该等行业的整体发展状况，从而传导至对半导体分立器件的需求的变化，进而影响半导体分立器件行业的利润水平。
全球能源信息化现状及发展方向分析 摘要：我们将在大量调查的基础上详细分析发达国家在能源信息化方面的做法，同时聚焦以色列、日本这两个资源严重短缺的国家，看他们如何利用现代技术实现能源的超高利用，摆脱能源困境。 信息技术助力缓解能源危机——— 编者按：面对能源紧张的严峻形势，半个多世纪以来，走过工业化粗放发展之路的发达国家首先意识到能源紧缺的严重性，继而提出建设一个低能耗、少污染、可持续发展的信息社会。信息技术革命带来了各种技术的飞跃，同时也支撑了全球能源信息化的发展。经过半个多世纪的探索，许多发达国家已经走出了一条节能、增效、多元化的能源发展之路。本期，我们将在大量调查的基础上详细分析发达国家在能源信息化方面的做法，同时聚焦以色列、日本这两个资源严重短缺的国家，看他们如何利用现代技术实现能源的超高利用，摆脱能源困境。 日前，美国信息能源署发布了2005年版的《国际能源展望》，这份世界权威的能源态势分析与预测年度报告汇聚十余位有关专家学者，运用“全球能源市场分析系统(SAGE)”，对直到2025年的世界能源市场(包括石油、天然气、煤炭、电力和可再生能源)发展态势及二氧化碳排放与减排趋势进行了评估、分析与预测，最终得出一个结论——世界能源能支持到2025年。 这一消息对于人类来说，到底是喜还是忧？ 从手工生产时代发展至今，人类社会已经成为一架完全离不开能源的强大机器，离开了能源，无异于釜底抽薪，全球经济将急速衰退。从2003年美国和加拿大仅有30小时的大停电事件中，我们已经深切体会到了这一点。而今，能源的紧缺已经令人类惶恐不已，试想，如果人类社会的正常运行只能继续短短20年，这无疑是一件极度可怕的事。事实上，能源危机并不是近年才有的，早在上世纪70年代许多国家仍热衷于传统的高能耗大工业生产时就已经出现了，由此也引至人类社会开始热衷于信息社会的建设。在长期的摸索实践中，尽管人类对于化石能源的日趋减少并没有立竿见影的抑制措施，但是通过现代科技，各国在节约现有能源、开发新能源方面取得了突破性的进展，由此使得各国能耗大幅降低，也给人类的可持续发展带来更大希望。 能源一再告急未来发展堪忧 能源告急！从上世纪70年代，全球第一次能源危机出现之后这一疾呼半个多世纪来从未间断过。根据此前的预测，地球上的石油只够用50年；煤炭最多用100年……能源短缺，已经成为全世界最大的难题之一。如今，全球石油日产量保持在7500万桶。但为满足2015年的预计需求量，需要开掘每天可增加
能源行业的现状问题及发展趋势研 究 能源行业的现状问题及发展趋势研究2007-02-10 16:47:32 一、中国能源现状 中国的能源蕴藏量位居世界前列，同时也是世界第二大能源生产国与消费国。 中国远景一次能源资源总储量估计为4万亿吨标准煤。但是，人均能源资源占有量和消费量远低于世界平均水平。1990年,中国人均探明煤炭储量147吨，为世界平均数的%；人均探明石油储量吨，为世界平均数的11%；人均探明天然气为世界平均数的4%；探明可开发水能资源按人口平均也低于世界人均数。从人均能源消费看，1994年世界平
均为1433千克油当量，发达国家为5066千克油当量，中国大约为670千克油当量。1997年中国人均拥有电力装机容量千瓦、人均用电量900kwh，仅相当于世界平均水平的1/3。中国能源开发利用呈现出以下主要特点。 一是能源以煤炭为主，可再生资源开发利用程度很低。中国探明的煤炭资源占煤炭、石油、天然气、水能和核能等一次能源总量的90%以上，煤炭在中国能源生产与消费中占支配地位。20世纪60年代以前中国煤炭的生产与消费占能源总量的90%以上，70年代占80%以上，80年代以来煤炭在能源生产与消费中的比例占75%左右，其他种类的能源增长速度较快，但仍处于附属地位。在世界能源由煤炭为主向油气为主的结构转变过程中，中国仍是世界上极少数几个能源以煤为主的国家之一。 二是能源消费总量不断增长，能源利用效率较低。随着经济规模的不断扩大，中国的能源消费呈持续上升趋势。
1957至1989年中国能源消费总量从9644万吨标准煤(sce)增加到96934万吨，增加了9倍。1989至1999年，中国能源消费，从964万吨标准煤增加到122000万吨，增长26%。受资金、技术、能源价格等因素的影响，中国能源利用效率比发达国家低很多。能源综合利用效率为32%，能源系统总效率为%，只有发达国家的50%左右。1994年单位gnp 能耗(吨标准煤/千美元)比较，中国分别是瑞士、意大利、日本、法国、德国、英国、美国、加拿大的倍、倍、倍、倍、倍、倍、倍、倍。 三是能源消费以国内供应为主，环境污染状况加剧，优质能源供应不足。中国经济发展主要建立在国产能源生产与供应基础之上，能源技术装备也主要依靠国内供应。90年代中期以前，中国能源供应的自给率达98%以上。随着能源消费量的持续上升，以煤炭为主的能源结构造成城市大气污染，过度消耗生物质能引起生态破坏，生态环境压力越
有机半导体材料 1 有机半导体材料的分子特征 有机半导体材料与传统半导体材料的区别不言自明，即有机半导体材料都是由有机分子组成的。有机半导体材料的分子中必须含有 键结构。如图1所示，在碳-碳双键结构中，两个碳原子的pz 轨道组成一对 轨道（ 和 ），其成键轨道（ ）与反键轨道（ ）的能级差远小于两个 轨道之间的能级差。按照前线轨道理论， 轨道是最高填充轨道（HOMO）， 是最低未填充轨道（LUMO）。在有机半导体的研究中，这两个轨道可以与无机半导体材料中的价带和导带类比。当HOMO 能级上的电子被激发到LUMO 能级上时，就会形成一对束缚在一起的空穴-电子对。有机半导体材料的电学和电子学性能正是由这些激发态的空穴和电子决定的。
在有机半导体材料分子里， 键结构会扩展到相邻的许多个原子上。根据分子结构单元的重复性，有机半导体材料可分为小分子型和高分子型两大类。 小分子型有机半导体材料的分子中没有呈链状交替存在的结构片断，通常只由一个比较大的 共轭体系构成。常见的小分子型有机半导体材料有并五苯、三苯基胺、富勒烯、酞菁、苝衍生物和花菁等（如图2)，常见的高分子型有机半导体材料则主要包括聚乙炔型、聚芳环型和共聚物型几大类，其中聚芳环型又包括聚苯、聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯等类型（如图3)。 事实上，由于有机分子的无限可修饰性，有机半导体材料的结构类型可以说是无穷无尽的。 图2: 几种常见的小分子有机半导体材料：（1）并五苯型，（2）三苯基胺类，（3）富勒烯，（4）酞菁，（5）苝衍生物和（6）花菁类。
图3: 几种常见的高分子有机半导体材料：（1）聚乙炔型，（2）聚芳环型，（3）共聚物型。 2 有机半导体材料中的载流子 我们知道无机半导体材料中的载流子只有电子和空穴两种，自由的电子和空穴分别在材料的导带和价带中传输。相形之下，有机半导体材料中的载流子构成则要复杂得多。 首先，由于能稳定存在的有机半导体材料的能隙（即LUMO 与HOMO 的能级差）通常较大，且电子亲和势较低，大多数有机半导体材料是p 型的，也就是说多数材料只能传导正电荷。无机半导体材料中的正电荷（即空穴）是高度离域、可以自由移动的，而有机半导体材料中的正电荷所代表的则是有机分子失去一个电子（通常是HOMO 能级上的电子）后呈现的氧化状态。因此，在有机半导体材料中引入一个正电荷，必然导致有机分子构型的改变。
9金属半导体与半导体异质结 一、肖特基势垒二极管 欧姆接触：通过金属-半导体的接触实现的连接。接触电阻很低。 金属与半导体接触时，在未接触时，半导体的费米能级高于金属的费米能级，接触后，半导体的电子流向金属，使得金属的费米能级上升。之间形成势垒为肖特基势垒。 在金属与半导体接触处，场强达到最大值，由于金属中场强为零，所以在金属——半导体结的金属区中存在表面负电荷。 影响肖特基势垒高度的非理想因素：肖特基效应的影响，即势垒的镜像力降低效应。金属中的电子镜像到半导体中的空穴使得半导体的费米能级程下降曲线。附图： 电流——电压关系：金属半导体结中的电流运输机制不同于pn结的少数载流子的扩散运动决定电流，而是取决于多数载流子通过热电子发射跃迁过内建电势差形成。附肖特基势垒二极管加反偏电压时的I-V曲线：反向电流随反偏电压增大而增大是由于势垒降低的影响。 肖特基势垒二极管与Pn结二极管的比较：1.反向饱和电流密度（同上），有效开启电压低于Pn结二极管的有效开启电压。2.开关特性肖特基二极管更好。应为肖特基二极管是一个多子导电器件，加正向偏压时不会产生扩散电容。从正偏到反偏时也不存在像Pn结器件的少数载流子存储效应。 二、金属-半导体的欧姆接触 附金属分别与N型p型半导体接触的能带示意图 三、异质结：两种不同的半导体形成一个结 小结：1.当在金属与半导体之间加一个正向电压时，半导体与金属之间的势垒高度降低，电子很容易从半导体流向金属，称为热电子发射。 2.肖特基二极管的反向饱和电流比pn结的大，因此达到相同电流时，肖特基二极管所需的反偏电压要低。 10双极型晶体管 双极型晶体管有三个掺杂不同的扩散区和两个Pn结，两个结很近所以之间可以互相作用。之所以成为双极型晶体管，是应为这种器件中包含电子和空穴两种极性不同的载流子运动。 一、工作原理 附npn型和pnp型的结构图 发射区掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度最低 附常规npn截面图 造成实际结构复杂的原因是：1.各端点引线要做在表面上，为了降低半导体的电阻，必须要有重掺杂的N+型掩埋层。2.一片半导体材料上要做很多的双极型晶体管，各自必须隔离，应为不是所有的集电极都是同一个电位。 通常情况下，BE结是正偏的，BC结是反偏的。称为正向有源。附图： 由于发射结正偏，电子就从发射区越过发射结注入到基区。BC结反偏，所以在BC结边界，理想情况下少子电子浓度为零。 附基区中电子浓度示意图： 电子浓度梯度表明，从发射区注入的电子会越过基区扩散到BC结的空间电荷区，
2020年半导体分立器件制造行业分析报告 2020年7月
目录 一、行业上下游之间的关联性 (3) 1、芯片设计 (3) 2、晶圆制造 (3) 3、封装测试 (4) 二、影响行业发展的因素 (4) 1、有利因素 (5) （1）国家政策的有力支持 (5) （2）半导体产业重心转移带来的国产替代机遇 (5) （3）功率半导体产业技术发展 (6) （4）新兴科技产业的发展孕育新的市场机会 (6) 2、不利因素 (7) （1）半导体产业基础薄弱 (7) （2）国产功率半导体器件产品附加值较低 (7) （3）高端技术人才短缺 (7) 三、进入行业的壁垒 (8) 1、市场壁垒 (8) 2、技术壁垒 (8) 3、专业人才壁垒 (9) 四、行业经营特征 (9) 五、行业竞争情况 (10) 1、扬杰科技 (11) 2、捷捷微电 (11) 3、派瑞股份 (11) 4、中车时代电气 (12)
一、行业上下游之间的关联性 半导体产业链主要包含芯片设计、晶圆制造和封装测试三大核心环节，此外还有为晶圆制造与封装测试环节提供所需材料及专业设备的支撑产业链。作为资金与技术高度密集行业，半导体行业形成了专业分工深度细化、细分领域高度集中的特点。 1、芯片设计 芯片设计的本质是将具体的产品功能、性能等产品要求转化为物理层面的电路设计版图，并且通过制造环节最终实现产品化。设计环节包括结构设计、逻辑设计、电路设计以及物理设计，设计过程环环相扣，技术和工艺复杂。芯片设计公司的核心竞争力取决于技术能力、需求响应和定制化能力带来的产品创新能力。 2、晶圆制造 晶圆制造是半导体产业链的核心环节之一。晶圆制造是根据设计出的电路版图，通过炉管、湿刻、淀积、光刻、干刻、注入、退火等不同工艺流程在半导体晶圆基板上形成元器件和互联线，最终输出能够完成功能及性能实现的晶圆片。晶圆制造产业属于典型的资本和技
一、半导体器件基本方程 1、半导体器件基本方程 泊松方程、电流密度方程、电子和空穴连续性方程的一维微分形式及其物理意义 2、基本方程的主要简化形式 泊松方程分别在N耗尽区和P耗尽区的简化形式 电流密度方程分别在忽略扩散电流和漂移电流时的简化形式 P型中性区电子净复合率、N型中性区空穴净复合率 P区电子和N区空穴的扩散方程及其定态形式 电子电流和空穴电流的电荷控制方程及其定态形式 注：第一章是整个课程的基础，直接考察的概率很小，一般都结合后面章节进行填空或者计算的考察，理解的基础上牢记各公式形式及其物理意义。 二、PN结 1、突变结与缓变结 理想突变结、理想线性缓变结、单边突变结的定义 2、PN结空间电荷区 理解空间电荷区的形成过程 注：自己用概括性的语句总结出来，可能考简述题。 3、耗尽近似与中性近似 耗尽近似、耗尽区、中性近似、中性区的概念 4、内建电场、耗尽区宽度、内建电势 内建电场、内建电势、约化浓度的概念 内建电场、耗尽区宽度、内建电势的推导 电场分布图的画法 内建电势的影响因素 Si和Ge内建电势的典型值 注：填空题可能考察一些物理概念的典型值，这部分内容主要掌握突变结的，可能考计算题，不会完全跟书上一样，会有变形，比如考察PIN结的相关计算；对于线性缓变结，只需记住结论公式即可。 5、外加电压下PN结中的载流子运动 正向电压下空穴扩散电流、电子扩散电流、势垒区复合电流的形成过程 反向电压下空穴扩散电流、电子扩散电流、势垒区产生电流的形成过程 正向电流很大反向电流很小的原因 6、PN结能带图 PN结分别在正向电压和反向电压下的能带图 注：所有作图题应力求完整，注意细节，标出所有图示需要的标识 7、PN结的少子分布 结定律：小注入下势垒区边界上的少子浓度表达式 少子浓度的边界条件 中性区内非平衡少子浓度分布公式 外加正反向电压时中性区中少子浓度分布图 注：书上给出了N区的推导，尽量自己推导一下P区的情况，加深理解 8、PN结的直流伏安特性
有机高分子半导体材料的导电与工作原理 及与硅基材料的比较 摘要： 本文从原理角度出发，对有机高分子半导体材料的导电模型与原理，有机高分子半导体材料器件的简要工作原理进行阐述，并将该材料的性能与硅基半导体材料相比较，最后对有机高分子半导体材料的发展提出自己的看法。 关键词：有机高分子半导体原理器件性能比较 1.背景： 随着无机半导体材料的发展、成熟与产业化，有机半导体材料以其种类多样性与巨大的应用潜力逐渐受到广泛关注。在有机电子领域的几项杰出成就，如1986年和1987年由Eastman Kodak 的Tang[4,5]等提出的有机光生伏打电池（OPVC）和有机发光二极管(OLED)，为有机半导体的实际应用打下了基础。1986年有机场效应晶体管（OFET）也随之出现。与此同时，关于有机半导体的结构模型与导电原理的研究也成为了进一步解决其不足与优化其性能的基本出发点。高分子链紧束缚模型（SSH）的建立，高分子二聚现象的发现，1979年Su,Schrieffer与Heegerd对于孤子、极化子、双极化子等载流子概念的提出，激子在有机材料中的重新定位，跃迁机制对于迁移率的解释等，使人们对其基本规律有了一定程度的认识,并在积极地发展与完善。 2.有机高分子导体材料的分子结构与基本特征 有机高分子半导体，如聚乙炔，普遍存在共轭大π键结构，由成键π轨道与反键π*轨道构成。两者可分别相当于能带理论中的导带与价带，两个轨道之间的能级差称为带隙。许多高分子半导体的带隙处于1.5~3.0eV之间，处于可见光范围，十分合适作为太阳能电池。然而从整体来看，诸多较长的分子链通过范德华力相互纠缠在一起形成无序结构，一条分子链自身也有许多扭转变形，产生的结点破坏了共轭作用，由此关联的导电机制也更加复杂。 SSH模型认为，有机高分子固体可简化为具有一维特性的高分子弱耦合而成，并且电子在某一个碳原子附近时，将较紧地被该碳原子束缚而其他碳原子对其影响较小，及“紧束缚近似”，通过一系列计算描述晶格原子(碳原子)的移动和与电子的相互作用。之后又出现了修饰完善的TLM模型与PPP模型。一维体系Peierls不稳定性借助于SSH模型并通过计算说明，等距离排列的碳原子是不稳定的，碳原子将发生微小位移从而二聚化，使得有机高分子如聚乙炔分子中出现一定程度的单双键交替现象，这使得原来连续的能带分裂成导
2020年半导体分立器件行业分析 一、行业管理 (2) 二、行业技术水平和技术特点及行业特征 (2) 1、行业技术水平和技术特点 (2) 2、行业特征 (3) （1）周期性 (3) （2）区域性 (3) （3）季节性 (4) 三、行业上下游的关系 (4) 1、上游行业情况 (4) 2、下游行业情况 (5) 四、行业竞争情况 (5) 1、行业竞争格局 (5) 2、行业主要企业情况 (6) （1）安世集团（Nexperia） (7) （2）英飞凌（Infineon） (7) （3）意法半导体（ST Microelectronics） (7) （4）华润微电子有限公司 (8) （5）杭州士兰微电子股份有限公司 (8) （6）苏州固锝电子股份有限公司 (8) （7）江苏捷捷微电子股份有限公司 (9) （8）吉林华微电子股份有限公司 (9) （9）强茂电子（无锡）有限公司 (9) （10）无锡新洁能股份有限公司 (9)
一、行业管理 国内半导体行业已实现市场化的发展模式，基本形成了各企业面向市场自主经营，政府职能部门产业宏观调控，行业协会自律规范的管理格局。半导体产业的行业宏观管理职能由国家工业和信息化部承担，主要负责产业政策制定、引导扶持行业发展、指导产业结构调整等；中国半导体行业协会是行业的自律组织和协调机构，下设集成电路分会、半导体分立器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会、半导体支撑业分会、MEMS分会等专业机构。行业协会主要承担行业引导和服务职能，负责产业及市场研究、行业自律管理以及开展业务交流等。 二、行业技术水平和技术特点及行业特征 1、行业技术水平和技术特点 半导体分立器件的技术涉及了微电子、半导体物理、材料学、电子线路等诸多学科、多领域，不同学科、领域知识的结合促进行业交叉边缘新技术的不断发展。随着终端应用领域产品的整体技术水平要求越来越高，半导体分立器件技术也在市场的推动下不断向前发展，新材料、低损耗高可靠性器件结构理论、高功率密度的芯片制造与封装工艺技术已应用到分立器件生产中，行业内产品的技术含量日益提高、设计及制造难度也相应增大。近年来，我国半导体分立器件制造企业通过持续的引进消化吸收再创新以及自主创新，产品技术含量及
能源行业解决方案 行业现状和挑战： 行业现状： 随着能源公司信息化建设的不断推进，办公计算机的使用已经成为内部信息接收、处理、传送的重要载体，为提高公司办公效率、提升管理水平做出了重要的贡献。但是，计算机软件和操作系统由于自身漏洞和外来威胁而导致信息失泄密、病毒木马传播、网络瘫痪等信息安全事件层出不穷，严重威胁了信息化的进程、阻碍了正常办公和公司管理的正常实施，影响了能源公司为社会提供公共服务的质量保证，更严重的可能会发生安全事件和事故，极大的影响到公司的社会形象。 面临的挑战： ●内部员工的电脑感染病毒、木马的桌面电脑和笔记本电脑直接接入内部网络，影响网络 的正常运行，对于存在安全隐患的终端不能及时的发现和隔离 ●缺乏对现有计算机资产的统一管理，无法实时掌握全网所有终端系统的硬件配置和软件 信息； ●内部用户私自接HUB、无线AP导致安全事件的发生； ●非法的外来电脑接入内部网络，影响内部网络的安全； ●AD子域不能接受统一的域管理和基于OU域的组策略； ●缺乏补丁服务系统，无法实现终端操作系统安全补丁管理； 解决方案： LeagView UniAccess系统采用分级部署即部署“一套一级管理中心+多套二级管理中心”的方式。一级服务器主要用于对所有二级服务器同步组织架构、安全策略、权限控制等信息，同时负责下发补丁管理策略到8个地州局的二级补丁管理服务器；由于一级管理中心服务器
本身具有补丁管理模块，无需单独增加微软的WSUS软件；为了性能方面的考虑，建议一级补丁管理服务模块单独部署；XX局已经有联软的LEAGVIEW UNIACCESS补丁管理服务模块，无需再部署任何服务器，直接部署县局的客户端软件即可实现遵义局下属县局的补丁管理功能。二级服务器主要用于端点准入策略、安全检查策略、安全审计、接收一级管理中心下发的全局安全策略，同时负责下发补丁管理策略到所有的终端含被管理的服务器；从一级管理服务器接收补丁包、上传日志、告警信息到一级管理中心，在选择连接一级管理服务器采用域名方式在各分县局完成1台NACC准入网关部署，实现各分县局通过1台NACC准入网关设备进行网络准入安全状态检查，NACC准入网关旁接到各分县局核心H3C5800交换机上，通过在H3C5800上配置策略路由对各分县局所有终端接入需访问服务器或数据中心区域的所有上行数据包都经NACC认证。NACC认证的时候跟微软AD域一起实施，部署DHCP服务在微软的AD域环境下，即采用微软的DHCP服务来为XX局、信通公司以及下属7地州的地区供电局动态分配IP地址 方案价值： 防止非法的外来电脑接入网络，影响内部网络的安全，确保接入网络的客户机符合安全管理要求 能够全面管理公司终端PC的软硬件资产，实现对终端PC资产的生命周期管理；实现软件分发、远程协助、补丁管理、打印管控、文件操作行为管控、非法外联、网络访问行为等统一管理。 帮助安全管理员解决内部用户私自接HUB、无线AP等不安全行为。 实现完整审计“什么人、什么时间、什么地点、何种接入方式、以什么证书名称、以什么终端名称”，同时实现报表和查询。 总局和分局实现自动补丁的管理，子域的统一管理和基于OU组策略的实现。 成功案例： 贵州电网、中能建、中海油、中电工程集团、中石油、国家电网、南方电网等等。
半导体基础知识和半导 体器件工艺 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#
半导体基础知识和半导体器件工艺 第一章半导体基础知识 通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类爲导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其他一些物体。第二类爲绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类爲半导体，其导电能力介於导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si矽等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。 物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义爲长1厘米、截面积爲1平方厘米的物质的电阻值，单位爲欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。 半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由於它的导电能力介於导体和绝缘体之间，而是由於半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显着的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏元件（如热敏电阻等），但是由於半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身産生的
热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照後导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其他元素（这个过程我们称爲掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特徵。例如在原子密度爲5*1022/cm3的矽中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例爲10-7（即千万分之一），矽的导电能力提高了几十万倍。 物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少後，整个原子呈现正电，缺少电子的地方産生一个空位，带正电，成爲电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。 前面提到掺杂其他元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又分爲电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分爲两种：施主杂质与受主杂质。 将施主杂质加到矽半导体中後，他与邻近的4个矽原子作用，産生许多自由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要爲五族元素：锑、磷、砷等。 将施主杂质加到半导体中後，他与邻近的4个矽原子作用，産生许多电洞参与导电，这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要爲三族元素：铝、镓、铟、硼等。
題目:organic semiconductor materials 指導教授:郭豔光老師 班級:物四乙
學生:陳衍榮 學號:8522072 有機半導體材料 前言 早在1960年代初期，Pope等人在Anthracene之有機芳香族化合物晶體上入數百伏之跨壓下，發現存在電流流通與發光的現象，而啟開後人研究有機發光之大門。在後續的二十餘年間，因其元件特性距離實用仍有相當大的距離，因此仍專注在其相關的發光機制與電荷傳導等基礎研究。及至80年代末期，美國科達公司實驗室利用真空蒸鍍有機薄膜的技術和異質接面(heterojunction)多層有機膜(multilayer)之元件特性。諸如操作電壓＜10V，量子效率＞1﹪，與元件穩定性
等均已有大幅之改善，因而激增有機電激發光元件之實用性，也引發全球OEL之研究熱潮。另一方面則是在聚合物散料上的發展也令人囑目。Patridge在80年代初期便發表PVK材料(poly vinylcarbazole)亦具有機光導體之性質。此一發現，使得有機化合物在發光體上之應用更趨於廣泛。然而在1990年有機發光材料又有更進一步地發展。英國劍橋大學卡文迪實驗室(Calvendish Lab)發表第一個利用聚苯基乙烯(PPV, Poly p-phenylenevinylene)之共軛聚合物(conjugate polymer)製成的OEL元件。由於此類共軛聚合物具有類似半導體的特性與簡易的製程，從而激起對OEL元件的研究熱。而各種的研究材料，諸如摻雜發光的染料小分子或大分子之OEL元件，甚至在塑膠基板上可彎曲之OEL元件等均是被研究的主題。可見OEL之研究廣度與深度，而應用範圍也隨之更加寬廣。由於大部分OEL元件都具有類似二極體的特性，因此OEL又稱有有機發光二極體(OLED)，而目前其最潛力之應用即在平面顯示器之發揮。以下圖一摘述OEL發展的簡史。