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微波二极管项目可行性研究报告

微波二极管项目可行性研究报告
微波二极管项目可行性研究报告

年产50吨纤维球项目可行性研究报告

核心提示:年产50吨纤维球项目投资环境分析,年产50吨纤维球项目背景和发展概况,年产50吨纤维球项目建设的必要性,年产50吨纤维球行业竞争格局分析,年产50吨纤维球行业财务指标分析参考,年产50吨纤维球行业市场分析与建设规模,年产50吨纤维球项目建设条件与选址方案,年产50吨纤维球项目不确定性及风险分析,年产50吨纤维球行业发展趋势分析

提供国家发改委甲级资质

专业编写:

年产50吨纤维球项目建议书

年产50吨纤维球项目申请报告

年产50吨纤维球项目环评报告

年产50吨纤维球项目商业计划书

年产50吨纤维球项目资金申请报告

年产50吨纤维球项目节能评估报告

年产50吨纤维球项目规划设计咨询

年产50吨纤维球项目可行性研究报告

【主要用途】发改委立项,政府批地,融资,贷款,申请国家补助资金等【关键词】年产50吨纤维球项目可行性研究报告、申请报告

【交付方式】特快专递、E-mail

【交付时间】2-3个工作日

【报告格式】Word格式;PDF格式

【报告价格】此报告为委托项目报告,具体价格根据具体的要求协商,欢迎进入公司网站,了解详情,工程师(高建先生)会给您满意的答复。

【报告说明】

本报告是针对行业投资可行性研究咨询服务的专项研究报告,此报告为个性化定制服务报告,我们将根据不同类型及不同行业的项目提出的具体要求,修订报告目录,并在此目录的基础上重新完善行业数据及分析内容,为企业项目立项、上马、融资提供全程指引服务。

可行性研究报告是在制定某一建设或科研项目之前,对该项目实施的可能性、有效性、技术方案及技术政策进行具体、深入、细致的技术论证和经济评价,以求确定一个在技术上合理、经济上合算的最优方案和最佳时机而写的书面报告。可行性研究报告主要内容是要求以全面、系统的分析为主要方法,经济效益为核心,围绕影响项目的各种因素,运用大量的数据资料论证拟建项目是否可行。对整个可行性研究提出综合分析评价,指出优缺点和建议。为了结论的需要,往往还需要加上一些附件,如试验数据、论证材料、计算图表、附图等,以增强可行性报告的说服力。

可行性研究是确定建设项目前具有决定性意义的工作,是在投资决策之前,对拟建项目进行全面技术经济分析论证的科学方法,在投资管理中,可行性研究是指对拟建项目有关的自然、社会、经济、技术等进行调研、分析比较以及预测建成后的社会经济效益。在此基础上,综合论证项目建设的必要性,财务的盈利性,经济上的合理性,技术上的先进性和适应性以及建设条件的可能性和可行性,从而为投资决策提供科学依据。

投资可行性报告咨询服务分为政府审批核准用可行性研究报告和融资用可

行性研究报告。审批核准用的可行性研究报告侧重关注项目的社会经济效益和影响;融资用报告侧重关注项目在经济上是否可行。具体概括为:政府立项审批,产业扶持,银行贷款,融资投资、投资建设、境外投资、上市融资、中外合作,股份合作、组建公司、征用土地、申请高新技术企业等各类可行性报告。

报告通过对项目的市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等方面的研究调查,在行业专家研究经验的基础上对项目经济效益及社会效益进行科学预测,从而为客户提供全面的、客观的、可靠的项目投资价值评估及项目建设进程等咨询意见。

可行性研究报告大纲(具体可根据客户要求进行调整)

为客户提供国家发委甲级资质

第一章年产50吨纤维球项目总论

第一节年产50吨纤维球项目背景

一、年产50吨纤维球项目名称

二、年产50吨纤维球项目承办单位

三、年产50吨纤维球项目主管部门

四、年产50吨纤维球项目拟建地区、地点

五、承担可行性研究工作的单位和法人代表

六、年产50吨纤维球项目可行性研究报告编制依据

七、年产50吨纤维球项目提出的理由与过程

第二节可行性研究结论

一、市场预测和项目规模

二、原材料、燃料和动力供应

三、选址

四、年产50吨纤维球项目工程技术方案

五、环境保护

六、工厂组织及劳动定员

七、年产50吨纤维球项目建设进度

八、投资估算和资金筹措

九、年产50吨纤维球项目财务和经济评论

十、年产50吨纤维球项目综合评价结论

第三节主要技术经济指标表

第四节存在问题及建议

第二章年产50吨纤维球项目投资环境分析

第一节社会宏观环境分析

第二节年产50吨纤维球项目相关政策分析

一、国家政策

二、年产50吨纤维球行业准入政策

三、年产50吨纤维球行业技术政策

第三节地方政策

第三章年产50吨纤维球项目背景和发展概况

第一节年产50吨纤维球项目提出的背景

一、国家及年产50吨纤维球行业发展规划

二、年产50吨纤维球项目发起人和发起缘由

第二节年产50吨纤维球项目发展概况

一、已进行的调查研究年产50吨纤维球项目及其成果

二、试验试制工作情况

三、厂址初勘和初步测量工作情况

四、年产50吨纤维球项目建议书的编制、提出及审批过程

第三节年产50吨纤维球项目建设的必要性

一、现状与差距

二、发展趋势

三、年产50吨纤维球项目建设的必要性

四、年产50吨纤维球项目建设的可行性

第四节投资的必要性

第四章市场预测

第一节年产50吨纤维球产品市场供应预测

一、国内外年产50吨纤维球市场供应现状

二、国内外年产50吨纤维球市场供应预测

第二节产品市场需求预测

一、国内外年产50吨纤维球市场需求现状

二、国内外年产50吨纤维球市场需求预测

第三节产品目标市场分析

一、年产50吨纤维球产品目标市场界定

二、市场占有份额分析

第四节价格现状与预测

一、年产50吨纤维球产品国内市场销售价格

二、年产50吨纤维球产品国际市场销售价格

第五节市场竞争力分析

一、主要竞争对手情况

二、产品市场竞争力优势、劣势

三、营销策略

第六节市场风险

第五章年产50吨纤维球行业竞争格局分析第一节国内生产企业现状

一、重点企业信息

二、企业地理分布

三、企业规模经济效应

四、企业从业人数

第二节重点区域企业特点分析

一、华北区域

二、东北区域

三、西北区域

四、华东区域

五、华南区域

六、西南区域

七、华中区域

第三节企业竞争策略分析

一、产品竞争策略

二、价格竞争策略

三、渠道竞争策略

四、销售竞争策略

五、服务竞争策略

六、品牌竞争策略

第六章年产50吨纤维球行业财务指标分析参考第一节年产50吨纤维球行业产销状况分析

第二节年产50吨纤维球行业资产负债状况分析

第三节年产50吨纤维球行业资产运营状况分析

第四节年产50吨纤维球行业获利能力分析

第五节年产50吨纤维球行业成本费用分析

第七章年产50吨纤维球行业市场分析与建设规模第一节市场调查

一、拟建年产50吨纤维球项目产出物用途调查

二、产品现有生产能力调查

三、产品产量及销售量调查

四、替代产品调查

五、产品价格调查

六、国外市场调查

第二节年产50吨纤维球行业市场预测

一、国内市场需求预测

二、产品出口或进口替代分析

三、价格预测

第三节年产50吨纤维球行业市场推销战略

一、推销方式

二、推销措施

三、促销价格制度

四、产品销售费用预测

第四节年产50吨纤维球项目产品方案和建设规模

一、产品方案

二、建设规模

第五节年产50吨纤维球项目产品销售收入预测第八章年产50吨纤维球项目建设条件与选址方案

第一节资源和原材料

一、资源评述

二、原材料及主要辅助材料供应

三、需要作生产试验的原料

第二节建设地区的选择

一、自然条件

二、基础设施

三、社会经济条件

四、其它应考虑的因素

第三节厂址选择

一、厂址多方案比较

二、厂址推荐方案

第九章年产50吨纤维球项目应用技术方案第一节年产50吨纤维球项目组成

第二节生产技术方案

一、产品标准

二、生产方法

三、技术参数和工艺流程

四、主要工艺设备选择

五、主要原材料、燃料、动力消耗指标

六、主要生产车间布置方案

第三节总平面布置和运输

一、总平面布置原则

二、厂内外运输方案

三、仓储方案

四、占地面积及分析

第四节土建工程

一、主要建、构筑物的建筑特征与结构设计

二、特殊基础工程的设计

三、建筑材料

四、土建工程造价估算

第五节其他工程

一、给排水工程

二、动力及公用工程

三、地震设防

四、生活福利设施

第十章年产50吨纤维球项目环境保护与劳动安全

第一节建设地区的环境现状

一、年产50吨纤维球项目的地理位置

二、地形、地貌、土壤、地质、水文、气象

三、矿藏、森林、草原、水产和野生动物、植物、农作物

四、自然保护区、风景游览区、名胜古迹、以及重要政治文化设施

五、现有工矿企业分布情况

六、生活居住区分布情况和人口密度、健康状况、地方病等情况

七、大气、地下水、地面水的环境质量状况

八、交通运输情况

九、其他社会经济活动污染、破坏现状资料

十、环保、消防、职业安全卫生和节能

第二节年产50吨纤维球项目主要污染源和污染物

一、主要污染源

二、主要污染物

第三节年产50吨纤维球项目拟采用的环境保护标准

第四节治理环境的方案

一、年产50吨纤维球项目对周围地区的地质、水文、气象可能产生的影

二、年产50吨纤维球项目对周围地区自然资源可能产生的影响

三、年产50吨纤维球项目对周围自然保护区、风景游览区等可能产生的

影响

四、各种污染物最终排放的治理措施和综合利用方案

五、绿化措施,包括防护地带的防护林和建设区域的绿化

第五节环境监测制度的建议

第六节环境保护投资估算

第七节环境影响评论结论

第八节劳动保护与安全卫生

一、生产过程中职业危害因素的分析

二、职业安全卫生主要设施

三、劳动安全与职业卫生机构

四、消防措施和设施方案建议

第十一章企业组织和劳动定员

第一节企业组织

一、企业组织形式

二、企业工作制度

第二节劳动定员和人员培训

一、劳动定员

二、年总工资和职工年平均工资估算

三、人员培训及费用估算

第十二章年产50吨纤维球项目实施进度安排第一节年产50吨纤维球项目实施的各阶段

一、建立年产50吨纤维球项目实施管理机构

二、资金筹集安排

三、技术获得与转让

四、勘察设计和设备订货

五、施工准备

六、施工和生产准备

七、竣工验收

第二节年产50吨纤维球项目实施进度表

一、横道图

二、网络图

第三节年产50吨纤维球项目实施费用

一、建设单位管理费

二、生产筹备费

三、生产职工培训费

四、办公和生活家具购置费

五、勘察设计费

六、其它应支付的费用

第十三章投资估算与资金筹措

第一节年产50吨纤维球项目总投资估算

一、固定资产投资总额

二、流动资金估算

第二节资金筹措

一、资金来源

二、年产50吨纤维球项目筹资方案

第三节投资使用计划

一、投资使用计划

二、借款偿还计划

第十四章财务与敏感性分析

第一节生产成本和销售收入估算

一、生产总成本估算

二、单位成本

三、销售收入估算

第二节财务评价

第三节国民经济评价

第四节不确定性分析

第五节社会效益和社会影响分析

一、年产50吨纤维球项目对国家政治和社会稳定的影响

二、年产50吨纤维球项目与当地科技、文化发展水平的相互适应性

三、年产50吨纤维球项目与当地基础设施发展水平的相互适应性

四、年产50吨纤维球项目与当地居民的宗教、民族习惯的相互适应性

五、年产50吨纤维球项目对合理利用自然资源的影响

六、年产50吨纤维球项目的国防效益或影响

七、对保护环境和生态平衡的影响

第十五章年产50吨纤维球项目不确定性及风险分析

第一节建设和开发风险

第二节市场和运营风险

第三节金融风险

第四节政治风险

第五节法律风险

第六节环境风险

第七节技术风险

第十六章年产50吨纤维球行业发展趋势分析

第一节我国年产50吨纤维球行业发展的主要问题及对策研究

一、我国年产50吨纤维球行业发展的主要问题

二、促进年产50吨纤维球行业发展的对策

第二节我国年产50吨纤维球行业发展趋势分析

第三节年产50吨纤维球行业投资机会及发展战略分析

一、年产50吨纤维球行业投资机会分析

二、年产50吨纤维球行业总体发展战略分析

第四节我国年产50吨纤维球行业投资风险

一、政策风险

二、环境因素

三、市场风险

四、年产50吨纤维球行业投资风险的规避及对策

第十七章年产50吨纤维球项目可行性研究结论与建议

第一节结论与建议

一、对推荐的拟建方案的结论性意见

二、对主要的对比方案进行说明

三、对可行性研究中尚未解决的主要问题提出解决办法和建议

四、对应修改的主要问题进行说明,提出修改意见

五、对不可行的项目,提出不可行的主要问题及处理意见

六、可行性研究中主要争议问题的结论

第二节我国年产50吨纤维球行业未来发展及投资可行性结论及建议

第十八章财务报表

第一节资产负债表

第二节投资受益分析表

第三节损益表

第十九章年产50吨纤维球项目投资可行性报告附件

1、年产50吨纤维球项目位置图

2、主要工艺技术流程图

3、主办单位近5年的财务报表

4、年产50吨纤维球项目所需成果转让协议及成果鉴定

5、年产50吨纤维球项目总平面布置图

6、主要土建工程的平面图

7、主要技术经济指标摘要表

8、年产50吨纤维球项目投资概算表

9、经济评价类基本报表与辅助报表

10、现金流量表

11、现金流量表

12、损益表

13、资金来源与运用表

14、资产负债表

15、财务外汇平衡表

16、固定资产投资估算表

17、流动资金估算表

18、投资计划与资金筹措表

19、单位产品生产成本估算表

20、固定资产折旧费估算表

21、总成本费用估算表

22、产品销售(营业)收入和销售税金及附加估算表

服务流程:

1.客户问询,双方初步沟通;

2.双方协商报告编制费、并签署商务合同;

3.我方保密承诺(或签保密协议),对方提交资料。

专家答疑:

一、可研报告定义:

可行性研究报告,简称可研报告,是在制订生产、基建、科研计划的前期,通过全面的调查研究,分析论证某个建设或改造工程、某种科学研究、某项商务活动切实可行而提出的一种书面材料。

可行性研究报告主要是通过对项目的主要内容和配套条件,如市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等,从技术、经济、工程等方面进行调查研究和分析比较,并对项目建成以后可能取得的财务、经济效益及社会影响进行预测,从而提出该项目是否值得投资和如何进行建设的咨询意见,为项目决策提供依据的一种综合性分析方法。可行性研究具有预见性、公正性、可靠性、科学性的特点。

一般来说,可行性研究是以市场供需为立足点,以资源投入为限度,以科学方法为手段,以一系列评价指标为结果,它通常处理两方面的问题:一是确定项目在技术上能否实施,二是如何才能取得最佳效益。

二、可行性研究报告的用途

项目可行性研究报告是项目实施主体为了实施某项经济活动需要委托专业

研究机构编撰的重要文件,其主要体现在如下几个方面作用:

1. 用于向投资主管部门备案、行政审批的可行性研究报告

根据《国务院关于投资体制改革的决定》国发(2004)20号的规定,我国对不使用政府投资的项目实行核准和备案两种批复方式,其中核准项目向政府部门提交项目申请报告,备案项目一般提交项目可行性研究报告。

同时,根据《国务院对确需保留的行政审批项目设定行政许可的决定》,对某些项目仍旧保留行政审批权,投资主体仍需向审批部门提交项目可行性研究报告。

2. 用于向金融机构贷款的可行性研究报告

我国的商业银行、国家开发银行和进出口银行等以及其他境内外的各类金融机构在接受项目建设贷款时,会对贷款项目进行全面、细致的分析平谷,银行等金融机构只有在确认项目具有偿还贷款能力、不承担过大的风险情况下,才会同意贷款。项目投资方需要出具详细的可行性研究报告,银行等金融机构只有在确认项目具有偿还贷款能力、不承担过大的风险情况下,才会同意贷款。

3. 用于企业融资、对外招商合作的可行性研究报告

此类研究报告通常要求市场分析准确、投资方案合理、并提供竞争分析、营销计划、管理方案、技术研发等实际运作方案。

4. 用于申请进口设备免税的可行性研究报告

主要用于进口设备免税用的可行性研究报告,申请办理中外合资企业、内资企业项目确认书的项目需要提供项目可行性研究报告。

5. 用于境外投资项目核准的可行性研究报告

企业在实施走出去战略,对国外矿产资源和其他产业投资时,需要编写可行性研究报告报给国家发展和改革委或省发改委,需要申请中国进出口银行境外投资重点项目信贷支持时,也需要可行性研究报告。

6. 用于环境评价、审批工业用地的可行性研究报告

我国当前对项目的节能和环保要求逐渐提高,项目实施需要进行环境评价,项目可行性研究报告可以作为环保部门审查项目对环境影响的依据,同时项目可行性研究报告也作为向项目建设所在地政府和规划部门申请工业用地、施工许可证的依据。

三、可行性研究报告的编制依据

——国家有关的发展规划、计划文件。包括对该行业的鼓励、特许、限制、禁止等有关规定;

——项目主管部门对项目建设要请示的批复;

——项目审批文件;

——项目承办单位委托进行详细可行性分析的合同或协议;

——企业的初步选择报告;

——主要工艺和装置的技术资料;

——拟建地区的环境现状资料;

——项目承办单位与有关方面签订的协议,如投资、原料供应、建设用地、运输等方面的初步协议;

——国家和地区关于工业建设的法令、法规。如“三废”排放标准、土地法规、劳动保护条例等;

——国家有关经济法规、规定。如中外合资企业法、税收、外资、贷款等规定;国家关于建设方面的标准、规范、定额资料等。

在项目可行性研究报告编制过程中,尤其是对项目做财务、经济评价时,还需要参考如下相关文件:

1、《中华人民共和国会计法》,[主席令第24号],2000年1月1日起实施;

2、《企业会计准则》,[财政部令第5号],2007年1月1日起实施;

3、《中华人民共和国企业所得税法实施条例》,[国务院令第512号],2008年1月1日起实施;

4、《中华人民共和国增值税暂行条例实施细则》,[财政部、国家税务总局令第50号]2009年1月1日起实施;

5、《建设项目经济评价方法与参数(第三版)》,国家发展与改革委员会2006年审核批准施行;

6、项目必须遵守的国内外其他工商税务法律文件等。

可研报告客户提供材料清单

以下资料,能提供的尽量提供,提供不了的,空着即可。

1、项目简介

2、项目规模投资额

3、项目场址:地理位置、当地优惠政策、占地面积、土地使用情况

4、工程建设:建设面积、主要建筑物、规划结构

5、项目主要设施:设施名称、规格、来源、数量

6、能源(水、电等)使用量、价格

7、工作人员:人员组织机构、人员配置

8、项目建设工期

9、项目建筑工程费用、设备清单、设施费用

10、项目营销方案

11、资金筹措措施

12、公司近3-5年的财务状况

13、规划部门、土地管理部门对本项目的审批意见

注:

1、关于以上部分内容可参照下面表格填写。

2、对于新建项目或对相关信息不能做出正确答复的,请咨询我公司进行解决。

一、项目的基本信息

项目名称

项目承办单位

项目

承办单位概况

法人代表介绍

主要股东

持股情况

主营业务介绍

近几年财务状况(企业资产、营业收入、

利润等)

3-5年发展规划

项目拟建设地点

项目占地面积

项目性质(新建/扩建/技改等)

项目实施时间安排

(是否分期实施/项目实施起止时间)

项目总投资

项目资金来源

(是否有银行贷款,

如有,贷款金额或者比例)

项目年产量、年销售收入

项目目前的进展情况

项目发起的缘由

二、项目的主要产品

产品名称及规格

(多种产品时应逐一列出)

产品生产采用标准

产品价格的制定

产品优势概括

三、项目的生产资源

原辅料

项目所需原、辅料名称

(应逐一列出)

项目每年所需原、辅料数量

项目所需原辅料来源

能耗

项目所用燃料品种

项目每年所用燃料品用量

项目总装机功率或年用电量

项目供电来源

项目需用的电力设施

项目年用水量

项目水源及供应情况

项目其他能源需求情况

项目其他能源来源

工艺及设备

项目生产工艺简述

项目单位技术优势

项目使用的设备名称及数量(包括生产设备、

检测设备等)

四、项目(现有设施)的土建工程

项目主要建设方案

生产车间建筑面积(已有/新建?)

配套工程

(已有/新建?)(包括办公楼、职工食堂

宿舍等)

道路、绿化等(已有/新建?)

土建工程的造价估算

五、项目的环境与劳动保护

项目主要污染物

(废水/废气/废固/噪声等)

项目的主要污染物处理方案

劳动安全、卫生设施

消防设施

六、项目的工作人员

企业组织机构(图)

企业工作制度(工作时间安排)

项目所需人员总数

其中所需工人数量

其中工程技术人员数量

其中管理人员数量

其中后勤、服务人员数量

职工年平均工资估算

职工的培训计划

职工的培训费用估算

七、对项目的补充说明或编写要求

一、

二、

三、

……

限幅器原理

限幅器原理 理想限幅器是一个无记忆的非线性电路。理想限幅器应具有放大和限幅的双重功能,且要求其放大量为无穷大、限幅是瞬时的。通常限幅器是由非线性限幅器件和一个带通滤波器组成,调频波通过它时,首先由非线性器件将其超过限幅电平E的那部分幅度切去,然后经带通滤波器滤出其基波分量,以使输出电压的频率仍和输入的频率一致。实际设计中,我们采用在一个近似中频带宽的限幅器中加入适量的正反馈,就能够明显地改善它的削弱比,起到几级无正反馈但其它结构相同的限幅器的作用. 二极管限幅: 下图所示的限幅电路中,因二极管是串在输入、输出之间,故称它为串联限幅电路。图中,若二极管具有理想的开关特性,那么,当ui低于E时,D不导通,uO=E;当ui高于E以后,D导通,uO=ui。该限幅器的限幅特性如图2所示,当输入振幅大于E的正弦波时,输出电压波形见图3。可见,该电路将输出信号的下限电平限定在某一固定值E上,所以称这种限幅器为下限幅器。如将图中二极管极性对调,则得到将输出信号上限电平限定在某一数值上的上限幅器。 如将二极管和负载并联,则组成并联限幅器,见图4。图中,当ui高于E时,D导通,uO =E;当ui低于E时,D截止,uO=ui。它的限幅特性如图5所示。显然,这是一个上限幅器。 将上、下限幅器组合在一起,就组成了如图6所示的双向限幅电路,它的限幅特性如图7所示。当输入一个振幅较大的正弦信号时,输出波形见图8。

限幅二极管: 用来做限幅用的二极管称为限幅二极管。所谓限幅,就是将信号的幅值限制在所需要的范围之内。由于通常所需要限幅的电路多为高频脉冲电路、高频载波电路、中高频信号放大电路、高频调制电路等,故要求限幅二极管具有较陡直的U-I特性,使之具有良好的开关性能。从这一点出发,限幅二极管一般均由结型开关二极管2CK*担当;在一些特殊要求的电路中,点接触的检波二极管2AG*或开关二极管2AK*也可以作为限幅二极管完成限幅任务;还有一些需要较大幅值限幅或既需要限幅又需要温度自动补偿的特定电路,稳压二极管作为限幅二极管将会成为唯一正确的选择。 限幅二极管的特点: 1、多用于中、高频与音频电路; 2、导通速度快,恢复时间短; 3、正偏置下二极管压降稳定; 4、可串、并联实现各向、各值限幅; 5、可在限幅的同时实现温度补偿。 大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用,通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售:依据限制电压需要,把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。限幅电路的作用是把输出信号幅度限定在一定的范围内,亦即当输入电压超过或低于某一参考值后,输出电压将被限制在某一电平(称作限幅电平),且再不随输入电压变化。

肖特基二极管特性详解(经典资料)

肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

整流二极管的作用及其整流电路

整流二极管的作用及其整流电路 整流二极管的作用及其整流电路 一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。 P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。 若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,。 整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。 二极管整流电路 一、半波整流电路 图5-1、是一种最简单的整流电路。它由电源变压器B 、整流二极管D 和负载电阻Rfz ,组成。变压器把市电电压(多为220伏)变换为所需要的交变电压e2,D 再把交流电变换为脉动直流电。 下面从图5-2的波形图上看着二极管是怎样整流的。

变压器砍级电压e2,是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压,它的波形如图5-2(a)所示。在0~K时间内,e2为正半周即变压器上端为正下端为负。此时二极管承受正向电压面导通,e2通过它加在负载电阻Rfz上,在π~2π时间内,e2为负半周,变压器次级下端为正,上端为负。这时D承受反向电压,不导通,Rfz,上无电压。在π~2π时间内,重复0~π时间的过程,而在3π~4π时间内,又重复π~2π时间的过程…这样反复下去,交流电的负半周就被"削"掉了,只有正半周通过Rfz,在Rfz上获得了一个单一右向(上正下负)的电压,如图5-2(b)所示,达到了整流的目的,但是,负载电压Usc。以及负载电流的大小还随时间而变化,因此,通常称它为脉动直流。 这种除去半周、留下半周的整流方法,叫半波整流。不难看出,半波整说是以"牺牲"一半交流为代价而换取整流效果的,电流利用率很低(计算表明,整流得出的半波电压在整个周期内的平均值,即负载上的直流电压 Usc =0.45e2 )因此常用在高电压、小电流的场合,而在一般无线电装置中很少采用。 二、全波整流电路(单向桥式整流电路) 如果把整流电路的结构作一些调整,可以得到一种能充分利用电能的全波整流电路。图5-3 是全波整流电路的电原理图。

整流二极管的作用及其整流电路

整流二极管的作用及其整流电路 Rectifier diode 整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P 区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。 二极管整流电路 一、半波整流电路 图5-1是一种最简单整流电路。它由电源变压器B 、整流二极管D 和负载电阻Rfz 组成。变压器把市电电压(多为220V)变换为所需要的交变电压E2、D 再把交流电变换为脉动直流电。下面从图5-2的波形图上看着二极管是怎样整流的。

图5-7 示出了二极管并联的情况:两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半,三只二极管并联,每只分担电路总电流的三分之一。总之,有几只二极管并联,"流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。但是,在实际并联运用时",由于各二极管特性不完全一致,不能均分所通过的电流,会使有的管子困负担过重而烧毁。因此需在每只二极管上串联一只阻值相同的小电阻器,使各并联二极管流过的电流接近一致。这种均流电阻R一般选用零点几欧至几十欧的电阻器。电流越大,R应选得越小。 图5-8示出了二极管串联的情况。显然在理想条件下,有几只管子串联,每只管子承受的反向电压就应等于总电压的几分之一。但因为每只二极管的反向电阻不尽相同,会造成电压分配不均:内阻大的二极管,有可能由于电压过高而被击穿,并由此引起连锁反应,逐个把二极管击穿。在二极管上并联的电阻R,可以使电压分配均匀。 整流二极管的选用 1N4001整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时,主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如1N系列、2CZ系列、RLR系列等。 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管(例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等)或选择快恢复二极管,还有一种肖特基整流二极管。

限幅与钳位电路分析

欢迎光临实用电子技术网愿你在这里有所收获! 实用电子技术网 返回电子知识 限幅与箝位电路 一、限幅电路 图一是二极管限幅电路,电路(a)是并联单向限同上电路,电路(b)是串联单向限幅电路;电路(C)是双向限幅电路,三种电路的工作原理相同,现以电路(C)说明:分析电路原理时认为二极管的正向电阻Rf为零反向电阻Rr为无限大,当Ui>E1时,D1导通,则Uo=E1;反之,当Ui

图三、任意电平箝位电路 箝位电路可以把信号箝位于某一固定电平上,如图三(a)电路,当输入Ui=0期间,D截止,Uo=-Eo;而当输入Ui突变到Um瞬间,电容C相当短路,输出Uo由-Eo突变至Um,这时D截止,C经R及Eo充电,但充电速度很慢,使Uo随C充电稍有下降;当Ui从Um下降为零瞬间,Uo也负跳幅值Um,此时D导通,C放电很快,因此输出信号起始电平箝位于-Eoo同理,电路(b)的输出信号箝位于Eoo值得注意的是,箝位电路不仅使输出信号的起始电平箝位于某一电平,而且能使输出信号的顶部电平箝位于某一数值,电路元件估算公式如下: -------------------------------------------------式一 式中:Rf、Rr为二极管正向、反向电阻。箝位电路的电容量为: C= ---------------------------------------------------------------式二 式中:C′≤T ρ/3Rs+Rf C″≥100(Tr/R) 其中Tp为输入脉冲信号持续期,Tr为间歇期,Rs为输入信号源内阻。要选用正、反电阻相差大的二极管,如要求变化速度快及反向 恢复时间短,则选硅二极管如2CK型为宜,若要求箝位靠近零电平,则选锗二极管2AK型为合适。

齐纳二极管和肖特基二极管

齐纳二极管和肖特基二极管 肖特基二极管(Schottky)SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD TTL集成电路早已成为TTL 电路的主流,在高速计算机中被广泛采用。 反向恢复时间 现代脉冲电路中大量使用晶体管或二极管作为开关, 或者使用主要是由它们构成的逻辑集成电路。而作为开关应用的二极管主要是利用了它的通(电阻很小)、断(电阻很大) 特性, 即二极管对正向及反向电流表现出的开关作用。二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降V f,“关”态有微小的电流I 0。当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(- I 0) , 而是在一段时间ts 内, 反向电流始终很大, 二极管并不关断。经过ts后, 反向电流才逐渐变小, 再经过tf 时间, 二极管的电流才成为(- I 0) , 如图1 示。ts 称为储存时间, tf 称为下降时间。tr= ts+ tf 称为反向恢复时间, 以上过程称为反向恢复过程。 这实际上是由电荷存储效应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。如果反向脉冲的持续时间比tr 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。因此了解二极管反向恢复时间对正确选取管子和合理设计电路至关重要。 齐纳二极管 齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 齐纳二极管不同于锗二极管的是:如果反向电压,有时简称为“偏压”增加到某个特殊值,对于一个微小偏压的变化,就会使电流产生一个可观的增加。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2DW7型管的击穿电压在5.8-6.5V之间,极大电流是30mA。

二极管、三极管与场效应管

电子元器件知识:二极管、三极管与场效应管。 一、半导体二极管 2、半导体二极管的分类 分类:a 按材质分:硅二极管和锗二极管; b按用途分:整流二极管,检波二极管,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极管。 3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的半导体二极管。 4、半导体二极管的导通电压是: a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间. B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间. 5、半导体二极管主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。 7、半导体二极管的识别方法:

a;目视法判断半导体二极管的极性:一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极.在实物中如果看到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极. b;用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后分别用万用表的两表笔分别出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间),这时黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的负极,红表笔接的是二极管的正极. c;测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。 8、变容二极管是根据普通二极管内部“PN结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。 变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性能变差: (1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差。 (2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。 出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管。 9、稳压二极管的基本知识

肖特基二极管有哪些作用

肖特基二极管有哪些作用 肖特基二极管介绍: 肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。 肖特基二极管原理 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。 典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极(阻档层)金属材料是钼。二氧化硅(SiO2)用来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒,当加上正偏压E时,金属A和N型基片B分别接电源的正、负极,此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时,势垒宽度就增加。 综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别,通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。 肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷,在势垒外侧无过剩少数载流子的积累,因此,不存在电荷储存问题(Qrr→0),使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。 肖特基二极管作用

详述二极管的整流原理

详述二极管的整流原理 摘要二极管作为常用的分立元件,广泛应用在检波,整流,续流等电路中,在交流电转化为直流电的过程中,二极管由于其单向导通特性在构成整流器件后能将方向变化的电流改变为单一方向的电流。本文通过对二极管理想化模型的建立,将二极管等效为开关:即正向偏置时等效为导通的开关,反向偏置时等效为断开的开关。文中利用建立的等效模型对二极管构成整流电路进行分析,详细描述了由单一二极管构成半波整流电路到四个二极管构成的桥式整流电路的过程。 关键词二极管;整流;等效模型;半波整流;桥式整流 在模拟电子技术基础的课程中,会涉及到二极管特性及应用的讲解。二极管具有检波,整流,续流等作用,是一种应用非常广泛的分立原件。日常生活里面,我们常常面临电流的转化问题,市电提供的交流电有时不能直接的提供给我们的用电设备,需要一个转化的过程:降压,整流,滤波等。二极管在这里面提供的就是整流的作用:即将方向变化的交流电通过二极管后转化为单一方向的电流,教材在这方面的内容上偏向于成形电路的经验式讲解,而忽略了整流电路的构成过程及相应二极管具体作用的讲解。针对这种情况,提出二极管的理想化模型,并利该等效模型描述用一个二极管构成半波整流电路到四个二极管构成整流桥的推导过程。 1交流电向直流电的转化 交流电是电压幅值、方向随时间成周期性变化的电流类型。而直流电是电压方向不随时间变化而改变的电流类型。在交流电向直流电的转化中,首要考虑的是将交流电方向变化的电流转化为方向不变幅值变化的脉动电流。在后续电路结构中再将脉动电流通过滤波等过程转化为平滑的直流电。具体过程如图1所示。图中a所示为低压交流电,b所示为脉动电流,c为直流电。a转化为b的过程为整流作用,b转化为c的过程为滤波作用。在整流作用中利用了二极管的单向导通特性。 2二极管的等效电路

二极管限幅

2.3 二极管限幅电路 所谓限幅电路是限制信号输出幅度的电路,它能按限定的范围削平信号电压的波形幅度,是用来限制信号电压范围的电路,又称限幅器、削波器等。限幅电路应用非常广泛,常用于整形、波形变换、过压保护等电路。 限幅电路按功能分为上限幅电路、下限幅电路和双向限幅电路三种。上限幅电路在输入电压高于某一上限电平时产生限幅作用;下限幅电路在输入电压低于某一下限电平时产生限幅作用;双向限幅电路则在输入电压过高或过低的两个方向上均产生限幅作用。 1、二极管下限幅电路 在下图所示的限幅电路中,因二极管是串在输入、输出之间,故称它为串联限幅电路。图中,若二极管具有理想的开关特性,那么,当i u 低于E 时,D 不导通,o u =E ;当u i高于E 以后,D 导通,o u =i u 。该限幅器的限幅特性如图所示,当输入振幅大于E 的正弦波时,输出电压波形见。可见,该电路将输出信号的下限电平限定在某一固定值E 上,所以称这种限幅器为下限幅器。如将图中二极管极性对调,则得到将输出信号上限电平限定在某一数值上的上限幅器。

2、二极管上限幅电路 在下图所示二极管上限限幅电路中,当输入信号电压低于某一事先设计好的上限电压时,输出电压将随输入电压而增减;但当输入电压达到或超过上限电压时,输出电压将保持为一个固定值,不再随输入电压而变,这样,信号幅度即在输出端受到限制。 2.4 稳压二极管电路 1、稳压二极管的基本特性 稳压二极管是一种用特殊工艺制造的面接触型半导体二极管,这种管子的掺杂度高,击穿电压值低,正向特性和普通二极管一样。当反向电压加到某一定值时,反向电流剧增,产生反向击穿,反向击穿特性很陡峭。击穿时通过管子的电流在很大范围内变化,而管子两端的电压却如图(b)所示几乎不变,稳压二极管就是利用这一特性来实现稳压的。 可见,稳压管就是工作在反向击穿状态下的硅二极管,因此,在使用时,稳压管必须反向偏置;另外,稳压管可以串联使用,一般不能并联使用,因为并联有时会因电流分配不匀而引起管

(仅供参考)二极管限幅电路

2.3二极管限幅电路 所谓限幅电路是限制信号输出幅度的电路,它能按限定的范围削平信号电压的波形幅度,是用来限制信号电压范围的电路,又称限幅器、削波器等。限幅电路应用非常广泛,常用于整形、波形变换、过压保护等电路。 限幅电路按功能分为上限幅电路、下限幅电路和双向限幅电路三种。上限幅电路在输入电压高于某一上限电平时产生限幅作用;下限幅电路在输入电压低于某一下限电平时产生限幅作用;双向限幅电路则在输入电压过高或过低的两个方向上均产生限幅作用。 1、二极管下限幅电路 在下图所示的限幅电路中,因二极管是串在输入、输出之间,故称它为串联限幅电路。图中,若二极管具有理想的开关特性,那么,当i u 低于E 时,D 不导通,o u =E ;当u i高于E 以后,D 导通,o u =i u 。该限幅器的限幅特性如图所示,当输入振幅大于E 的正弦波时,输出电压波形见。可见,该电路将输出信号的下限电平限定在某一固定值E 上,所以称这种限幅器为下限幅器。如将图中二极管极性对调,则得到将输出信号上限电平限定在某一数值上的上限幅器。 D u u i u O 幅限特性

2、二极管上限幅电路 在下图所示二极管上限限幅电路中,当输入信号电压低于某一事先设计好的上限电压时,输出电压将随输入电压而增减;但当输入电压达到或超过上限电压时,输出电压将保持为一个固定值,不再随输入电压而变,这样,信号幅度即在输出端受到限制。 u u 3、二极管双向限幅电路 将上、下限幅器组合在一起,就组成了如图所示的双向限幅电路。 u E u 2.4稳压二极管电路 1、稳压二极管的基本特性 稳压二极管是一种用特殊工艺制造的面接触型半导体二极管,这种管子的掺杂度高,击穿电压值低,正向特性和普通二极管一样。当反向电压加到某一定值时,反向电流剧增,产生反向击穿,反向击穿特性很陡峭。击穿时通过管子的电流在很大范围内变化,而管子两端的电压却如图(b )所示几乎不变,稳压二极管就是利用这一特性来实现稳压的。 可见,稳压管就是工作在反向击穿状态下的硅二极管,因此,在使用时,稳压管必须反向偏置;另外,稳压管可以串联使用,一般不能并联使用,因为并联有时会因电流分配不匀而引起管

MHCHXM肖特基二极管MBR20100CT

◆Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure.◆Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.◆Low Power Waste,High Efficiency.◆Low Voltage High Frequency Switching Power Supply.◆Low Voltage High Frequency Invers Circuit. ◆Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit. Summarize Absolute Maximum Ratings Symbol Data Unit VRRM 100 V VDC 100 V IFAV 2010 IFSM 150A TJ -40-+170℃ TSTG -40-+170 ℃ Electricity Character Item Minimum representative Maximum Value Unit TJ =25℃ 100 uA TJ =125℃ 10mA VF TJ =25℃IF=10A 0.82 v Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3Half Mssine Wave-According to JEDEC Method)Operating Junction Temperature Storage Temperature Test Condition IR VR=VRRM Item Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage Average Rectified Forward Current TC=150℃Whole Device A unilateral maximal DC interdiction voltage MBR20100Schottky diode,in the manufacture uses the main process technology includes:Silicon epitaxial substrate,P+loop technology,The potential metal and the silicon alloy technology,the device uses the two chip,the common cathode,the plastic half package structure. ◆ RoHs Product. Productor Character ◆Beautiful High Temperature Character. ◆Have Over Voltage protect loop,high reliability.Primary Use Package ITO-220AB TO-220AB Typical Reference Data Internal Equivalent Principle MBR20100CT

二极管的基本特性与应用(精)

几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平 面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固 地烧结在一起,形成一个“PN结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流” 电路中。 平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1、正向特性 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电 压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。 2、反向特性 在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当 二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。 二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言,必须了解以下几个主要参数: 1、额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为140左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以,二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 2、最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时,会将管子击穿,失去单向导电能力。为了保证使用安全,规定了最高反向工

半导体二极管三极管和场效应管

第4章半导体二极管及其应用 电子电路区别于以前所学电路的主要特点是电路中引入各种电子器件。电子器件的类型很多,目前使用得最广泛的是半导体器件——二极管、稳压管、晶体管、绝缘栅场效应管等。由于本课程的任务不是研究这些器件内部的物理过程,而是讨论它们的应用,因此,在简单介绍这些器件的外部特性的基础上,讨论它们的应用电路。 4.1 PN结和半导体二极管 4.1.1 PN结的单向导电性 我们在物理课中已经知道,在纯净的四价半导体晶体材料(主要是硅和锗)中掺入微量三价(例如硼)或五价(例如磷)元素,半导体的导电能力就会大大增强。这是由于形成了有传导电流能力的载流子。掺入五价元素的半导体中的多数载流子是自由电子,称为电子半导体或N型半导体。而掺入三价元素的半导体中的多数载流子是空穴,称为空穴半导体或P型半导体。在掺杂半导体中多数载流子(称多子)数目由掺杂浓度确定,而少数载流子(称少子)数目与温度有关,并且温度升高时,少数载流子数目会增加。 在一块半导体基片上通过适当的半导体工艺技术可以形成P型半导体和N型半导体的交接面,称为PN结。PN结具有单向导电性:当PN结加正向电压时,P端电位高于N端,PN 结变窄,由多子形成的电流可以由P区向N区流通,见图4-1 (a),而当PN结加反向电压时,N端电位高于P端,PN结变宽,由少子形成的电流极小,视为截止(不导通),见图4-1 (b)。 4.1.2半导体二极管 半导体二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。由P区引出的电极称为阳极,N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性,二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。二极管的种类很多,按材料来分,最常用的有硅管和锗管

限幅电路

你问的是这个问题吗? 下图:是二极管限幅电路,电路(a)是并联单向限同上电路,电路(b)是串联单向限幅电路;电路(C)是双向限幅电路,三种电路的工作原理相同,现以电路(C)说明:分析电路原理时认为二极管的正向电阻Rf为零反向电阻Rr为无限大,当Ui>E1时,D1导通,则Uo=E1;反之,当Ui

导通,u O s=E;当ui低于E时,D截止,u O=ui。它的限幅特性如图Z1610所示。显然,这是一个上限幅器。 将上、下限幅器组合在一起,就组成了如图Z1611所示的双向限幅电路,它的限幅特性如图Z1612所示。当输入一个振幅较大的正弦信号时,输出波形见图Z1613。 2.三极管限幅器 利用三极管的截止和饱和特性也可构成限幅电路(如图Z1614所示),这类电路还兼有放大作用。为了满足一些较高的技术要求,还可以用集成运放构成限幅电路。 备做一个限幅电路的整理,在学校内学的如下图:

限幅器的作用

什么是限幅器 微波限幅器是一种自控衰减器, 是一种功率调制器件。当信号输入功率较小时无衰减通过,当输入功率增大到超过某一值时,衰减会迅速增大,这一功率值称为门限电平,输入功率超过门限电平后,输出功率不再增加。实际工作中,限幅器基本上都是为整机需要而专门设计的。常用于微波扫频信号源或相位检测系统中,使输出信号幅度保持稳定。功率限幅器设计用于通信、遥感、雷达系统和高频仪器领域电子元件的输入保护。它针对不同的工作频率、需承受的微波功率、微波脉冲宽度、占空比等要求进行设计.微波限幅器通常用在接收机的放大器或混频器的前面保护它们,免受强信号的影响而烧毁。在扫频仪或测相系统中可使输出幅度保持恒定。限幅器一般由输入端口和输出端口上的隔直流电容器和集成式二极管限幅器电路组成。集成电路包含着透过50欧姆传输线并联的平面掺杂阻挡层(PDB)或Schottky二极管。限幅器在低输入电平时有很低的插入损耗和线性特性,可提供对瞬态或短时间过载的保护。它们有很低的插入损耗和回波损耗,可为您的设备提供安全保护,避免因过大射频功率、直流电压瞬变或静电放电(ESD)导致损坏。 微波限幅器主要参数定义 1.限幅电平:限幅器开始限幅时的功率值。 2.插入损耗:输入电平低于门限电平时输入信号损耗,一般在-10dBm 下测试。 3.承受功率:能承受的最大输入功率(脉冲功率,脉冲平均功率,连续波功率)。 4.恢复时间:以输入脉冲终止开始,到限幅器损耗比插入损耗大3dB为止的时间。

限幅器原理是什么? 理想限幅器是一个无记忆的非线性电路。理想限幅器应具有放大和限幅的双重功能,且要求其放大量为无穷大、限幅是瞬时的。通常限幅器是由非线性限幅器件和一个带通滤波器组成,调频波通过它时,首先由非线性器件将其超过限幅电平E的那部分幅度切去,然后经带通滤波器滤出其基波分量,以使输出电压的频率仍和输入的频率一致。实际设计中,我们采用在一个近似中频带宽的限幅器中加入适量的正反馈,就能够明显地改善它的削弱比,起到几级无正反馈但其它结构相同的限幅器的作用。 限幅器常用在接收设备的前级,对超过门限的大功率输入信号限幅,起到保护后级敏感电路和器件的作用。限幅器的峰值输入功率是在脉冲调制占空比为1%(脉宽10μS,6GHz 以下;脉宽1μS,6GHz 以上)的条件下测试的结果。插损和驻波比是在输入连续波功率-10dBm的条件下测试的结果。 压缩/限幅器的调整及应用 人类的听感动态范围能承受的最大响度和能感受的最安静声音响度的范围可达100万:1(即106倍)听感的动态范围达120dB。扩声系统声音重放的动态范围由于受电子设备的限制,远比人耳的动态范围小很多。最低声音的响受系统中不相关噪声的限制,使小的声音信号淹没在噪声中而无法听到;最大声音的响度受信号削波的限制,使音乐信号中的特大峰值被“砍头”(削波),不仅

二极管、三极管、场效应管的学习

二极管 5.1.5 半导体二极管的型号命名 1.国产半导体器件的命名方法 二极管的型号命名通常根据国家标准GB-249-74规定,由五部分组成。第一部分用数字表示器件电极的数目; 第二部分用汉语拼音字母表示器件材料和极性; 第三部分用汉语拼音字母表示器件的类型; 第四部分用数字表示器件序号; 第五部分用汉语拼音字母表示规格号。如表5.1所示。

2.日本半导体器件的命名方法 日本半导体器件命名型号由五部分组成。 第一部分用数字表示半导体器件有效数目和类型。1表示二极管,2表示三极管;第二部分用S表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件; 第三部分用字母表示该器件使用材料、极性和类型; 第四部分表示该器件在日本电子工业协会的登记号; 第五部分表示同一型号的改进型产品。具体符号意义如表5.2所示。 美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。 第一部分为前缀; 第二部分、第三部分、第四部分为型号基本部分; 第五部分为后缀;这五部分符号及意义如表5.3所示。

5.1.6二极管的伏安特性 实际的二极管伏安特性曲线如图5.5所示,实线对应硅材料二极管,虚线对应锗材料二极管。 图5.5 二极管的伏安特性曲线 1.正向特性 当二极管承受正向电压小于某一数值(称为死区电压)时,还不足以克服PN结内电场对多数载流子运动的阻挡作用,这一区段二极管正向电流I F很小,称为死区。死区电压的大小与二极管的材料有关,并受环境温度影响。通常,硅材料二极管的死区电压约为0.5V,锗材料二极管的死区电压约为0.1V。 当正向电压超过死区电压值时,外电场抵消了内电场,正向电流随外加电压的增加而明显增大,二极管正向电阻变得很小。当二极管完全导通后,正向压降基本维持不变,称为二极管正向导通压降U F。一般硅管的U F为0.7V,锗管的U F为0.3V。以上是二极管的正向特性。 2.反向特性 当二极管承受反向电压时,外电场与内电场方向一致,只有少数载流子的漂移运动,形成的漏电流I R极小,一般硅管的I R为几微安以下,锗管I R较大,为几十到几百微安。这时二极管反向截止。 当反向电压增大到某一数值时,反向电流将随反向电压的增加而急剧增大,这种现象称二极管反向击穿。击穿时对应的电压称为反向击穿电压。普通二极管发生反向击穿后,造成二极管的永久性损坏,失去单向导电性。以上是二极管的反向特性。 5.2 晶体二极管的主要参数 描述二极管特性的物理量称为二极管的参数,它是反映二极管电性能的质量指标,是合理选择和使用二极管的主要依据。在半导体器件手册或生产厂家的产品目录中,对各种型号的二极管均用表格列出其参数。二极管的主要参数有以下几种:1.最大平均整流电流I F(A V) I F(A V)是指二极管长期工作时,允许通过的最大正向平均电流。它与PN结的面积、材料及散热条件有关。实际应用时,工作电流应小于I F(A V),否则,可能导致结温过高而烧毁PN结。 2.最高反向工作电压V RM V RM是指二极管反向运用时,所允许加的最大反向电压。实际应用时,当反向电压增加到击穿电压V BR时,二极管可能被击穿损坏,因而,V RM通常取为(1/2~2/3)V BR。

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