第一章
1金属材料分为：黑色金属和有色金属。
2金属：金属是具有正的电阻温度系数的物质，其电阻随温度的升高而增加。
3晶体：人们将这种原子在三维空间作有规则的周期性排列的物质称为晶体。
4各向异性：晶体在不同的方向上测量其性能时表现出或大或小的差异，称之为各向异性。
5晶体结构：它是指晶体中原子在三维空间有周期性的具体排列方式。
6晶格：为了方便起见，常人为地用直线连接起来形成空间格子称为晶格。
7空间点阵：由几何点在三维空间作周期性的规则排列所形成的三维阵列称为空间点阵，
8阵点：构成空间点阵的每一个点称为阵点。他是一个抽象的空间点，其既可代表晶体中原子或分子的中心，也可代表彼此相等的原子群或分子群的中心。
9晶胞：构成晶格的最基本单元称为晶胞
1晶格常数：晶包的棱边长度。
2布拉菲点阵：根据晶胞的晶格常数和三个轴间夹角的相互关系对所有晶体进行分析，则发现他们的空间点阵只有14种类型，称为布拉菲点阵。
3配位数：晶体结构中与任一原子最近邻，等距离的原子数目。配位数越大，原子排列越密。
4致密度：若把原子看做刚性圆球，原子排列紧密程度可用原子所占体积与晶胞体积之比，称为致密度。k=nv/V
5晶面：在晶体中，由一系列原子所组成的平面。
6晶面指数(hkl)和晶向指数【UVW】：研究和表述不同晶面和晶向的原子排列情况及其空间位向需要统一的方法。即：
7晶向族：原子排列相同但空间位向不同的所有晶向。
8晶面间距：晶体中相邻两个平行平面之间的距离称为晶面间距。③ 通常晶面间距最大的晶面是原子的密排面。① 晶面间距越大晶面上原子排列就越密集
9多晶体型转变或同素异构转变：当外部条件改变时，金属内部由一种晶体结构向另一种晶体结构的转变。
1伪等向性：在一般情况下，整个晶体不显示各向异性。
2晶体缺陷：指金属材料中，晶体原子偏离规则排列的不完整性区域。
3能量起伏：对一个原子来说，这一瞬间能量高些，另一瞬间可能低些。这种现象叫能量起伏。
4空位：晶体结构中原来应该有原子的某些结点上因某种原因出现了原子空缺而形成。
①肖脱基空位：脱位原子进入其它空位或逐渐迁移至晶面或界面。肖脱基空位仅形成空位。（较多些）
②弗兰克空位：脱位原子挤入节点的间隙，同时形成间隙原子从而产生间隙原子-空位对。
5间隙原子：晶体结构中间隙处因某种原因存在的同种原子。
6置换原子：占据在原来基体原子平衡位置上的异类原子。
（晶体缺陷都会造成晶格畸变）
7线缺陷：是指在晶体中某处有一
列或若干列原子发生了有规律的错排现象，使长度达几百至几万原子间距，
宽约几个原子间距的范围内原子离开其平衡位置，发生有规律的错动。（刃型位错和螺型位错）
8位错（线）：位错是晶体中已滑移的和未滑移的区域的分界线。huo晶体中由于滑移或晶体失配,原子或离子排列的点阵结构发生畸变的线型缺陷轨道称为位错线,简称位错。
9位错实质是:一条具有一定宽度的细长管道。
1刃型位错：与完整晶格相比，它多了一个半原子面，而且这个半原子面象个"劈"一样，楔入完整晶体，终止于晶体中，面的边缘是一条线，这条线周围若干个原子距离内的原子的规则排列遭到破坏，这就形成了刃位错。
2螺型位错：如果让晶体中的一部分在切应力作用下滑移，可以发现，发生滑移与未发生滑移的交界处是一条直线，其附近原子的规则排列也被破坏了，这些原子呈螺旋状分布，称这种位错为螺型位错。
3全位错：柏氏矢量等于点阵矢量的位错称为全位错或单位位错。
4不全位错：柏氏矢量小于点阵矢量的位错称为不全位错。
（位错的柏氏矢量越小，则其具有的能量越低，位错就越稳定）
5位错反应：位错分解和合成的总称。（其驱动力为体系自由能的降低）
位2错作为线性缺陷，所引起的熵增远比空位小，不可能抵消应变能的增加，位错的存在肯定使体系的自由能增加，故位错为不平衡缺陷。
（观察位错方法：浸蚀法、透射电镜法，X射线衍射）
3晶界：晶粒结构相同但位向不同的晶粒之间的界面。称为晶粒间界。
可分为小角度晶界（<10度对称倾侧晶界和扭转晶界）和大角度晶界（>10）
4亚结构和亚晶界分别指尺寸比晶粒更小的所有细微组织及其分界面。
5堆垛层错（层错）：在实际晶体中，晶面堆垛顺序发生局部差错而产生的一种晶体缺陷。
6相界：具有不同晶体结构的两相之间的分界面称为相界。分为三类;共格（界面能最低），半共格，非共格晶界。
7晶界特性包括具有晶界能，内吸附反内吸附，高强度和硬度等。
降低晶界能量方法：晶粒长大和晶界平直化都可减少晶界总面积从而降低能量。
8内吸附：由于晶界能的存在，当金属中存在有能降低晶界能的异类原子时，这些原子将向晶界偏聚，这种现象叫内吸附。
9反内吸附：凡能提高晶界能的原子，将会在晶粒内部偏聚，这种现象叫反内吸附。