模拟电路总结复习

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);

若 V阳

1）图解分析法

该式与伏安特性曲线

的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法

直流等效电路法

*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);

若 V阳

*三种模型

微变等效电路法

三. 稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章三极管及其基本放大电路

一. 三极管的结构、类型及特点

1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触

面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

二. 三极管的工作原理

1. 三极管的三种基本组态

2. 三极管内各极电流的分配

* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件

式子称为穿透电流。

3. 共射电路的特性曲线

*输入特性曲线---同二极管。

* 输出特性曲线

(饱和管压降，用U CES表示

放大区---发射结正偏，集电结反偏。

截止区---发射结反偏，集电结反偏。

4. 温度影响

温度升高，输入特性曲线向左移动。

I CEO、I C以及β均增加。

温度升高I

三. 低频小信号等效模型（简化）

h ie---输出端交流短路时的输入电阻，

常用r be表示；

h fe---输出端交流短路时的正向电流传输比，

常用β表示；

四. 基本放大电路组成及其原则

1. VT、V CC、R b、R c 、C1、C2的作用。

2.组成原则----能放大、不失真、能传输。

五. 放大电路的图解分析法

1. 直流通路与静态分析

*概念---直流电流通的回路。

*画法---电容视为开路。

*作用---确定静态工作点

*直流负载线---由V CC=I C R C+U CE确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响

1）改变R b：Q点将沿直流负载线上下移动。

2）改变R c：Q点在I BQ所在的那条输出特性曲线上移动。

3）改变V CC：直流负载线平移，Q点发生移动。

2. 交流通路与动态分析

*概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。

*作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线--- 连接Q点和V CC’点V CC’= U CEQ+I CQ R L’的

直线。

3. 静态工作点与非线性失真

（1）截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。

*消除方法---减小R b，提高Q。

（2）饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。

*消除方法---增大R b、减小R c、增大V CC 。

4. 放大器的动态范围

（1）U opp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。

（2）范围

*当（U CEQ－U CES）＞（V CC’ － U CEQ）时，受截止失真限制，U OPP=2U OMAX=2I CQ R L’。

*当（U CEQ－U CES）＜（V CC’ － U CEQ）时，受饱和失真限制，U OPP=2U OMAX=2 （U CEQ－U CES）。*当（U CEQ－U CES）＝（V CC’ － U CEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。

六. 放大电路的等效电路法

1.静态分析

（1）静态工作点的近似估算

（2）Q点在放大区的条件

欲使Q点不进入饱和区，应满足R B＞βRc。

2.放大电路的动态分析

* 放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

七. 分压式稳定工作点共射

放大电路的等效电路法

1．静态分析

2．动态分析

*电压放大倍数

在R e两端并一电解电容C e后

输入电阻

在R e两端并一电解电容C e后

* 输出电阻

八. 共集电极基本放大电路

1．静态分析

2．动态分析

* 电压放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

3. 电路特点

* 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。 * 输入电阻高，输出电阻低。

第三章场效应管及其基本放大电路

一. 结型场效应管（ JFET）

1.结构示意图和电路符号

2. 输出特性曲线

（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）

转移特性曲线

U P ----- 截止电压

二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）

分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。

结构示意图和电路符号

2. 特性曲线

*N-EMOS的输出特性曲线

* N-EMOS的转移特性曲线

式中，I DO是U GS=2U T时所对应的i D值。

* N-DMOS的输出特性曲线

注意：u GS可正、可零、可负。转移特性曲线上i D=0处的值是夹断电压U P，此曲线表示式与结型场效应管一致。

三. 场效应管的主要参数

1.漏极饱和电流I DSS

2.夹断电压U p

3.开启电压U T

4.直流输入电阻R GS

5.低频跨导g m (表明场效应管是电压控制器件)

四. 场效应管的小信号等效模型

E-MOS 的跨导g m ---

五. 共源极基本放大电路

1.自偏压式偏置放大电路* 静态分析

动态分析

若带有C s，则

2.分压式偏置放大电路* 静态分析

* 动态分析

若源极带有C s，则

六.共漏极基本放大电路

* 静态分析

或

* 动态分析

第四章多级放大电路

一. 级间耦合方式

1. 阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。

2. 变压器耦合 ---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。

3. 直接耦合----低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零点漂移”现象。

*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使u o偏离初始值“零点”而作随机变动。

二. 单级放大电路的频率响应

1．中频段(f L≤f≤f H)

波特图---幅频曲线是20lg A usm=常数，相频曲线是φ=-180o。2．低频段(f ≤f L)

‘

3．高频段(f ≥f H)

4．完整的基本共射放大电路的频率特性

三. 分压式稳定工作点电路的频率响应

1．下限频率的估算

2．上限频率的估算

四. 多级放大电路的频率响应

1. 频响表达式

2. 波特图

第五章功率放大电路

一. 功率放大电路的三种工作状态

1.甲类工作状态

导通角为360o，I CQ大，管耗大，效率低。

2.乙类工作状态

I CQ≈0，导通角为180o，效率高，失真大。

3.甲乙类工作状态

导通角为180o~360o，效率较高，失真较大。

二. 乙类功放电路的指标估算

1. 工作状态

任意状态：U om≈U im

尽限状态：U om=V CC-U CES

理想状态：U om≈V CC

2. 输出功率

3. 直流电源提供的平均功率

4. 管耗P c1m=0.2P om

5.效率

理想时为78.5%

三. 甲乙类互补对称功率放大电路

1.问题的提出

在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。

2. 解决办法

甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。

动态指标按乙类状态估算。

甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容C2上静态电压为V CC/2，并且取代了OCL 功放中的负电源-V CC。

动态指标按乙类状态估算，只是用V CC/2代替。

四. 复合管的组成及特点

1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。

2.类型取决于第一只管子的类型。

3.β=β1·β 2

第六章集成运算放大电路

一. 集成运放电路的基本组成

1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。

2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。

3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。

4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。

二. 长尾差放电路的原理与特点

1. 抑制零点漂移的过程----

当T↑→i C1、i C2↑→i E1、i E2 ↑→u E↑→u BE1、u BE2↓→i B1、i B2↓→i C1、i C2↓。

R e对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。

2静态分析

1) 计算差放电路I C

设U B≈0，则U E=－0.7V，得

2) 计算差放电路U CE

?双端输出时

?

?单端输出时(设VT1集电极接R L)

对于VT1：

对于VT2：

3. 动态分析

1）差模电压放大倍数

?双端输出

?

?单端输出时

从VT1单端输出：

从VT2单端输出：

2）差模输入电阻

3）差模输出电阻

?双端输出：

?单端输出:

三. 集成运放的电压传输特性

当u I在+U im与-U im之间，运放工作在线性区域：

四. 理想集成运放的参数及分析方法

1. 理想集成运放的参数特征

* 开环电压放大倍数A od→∞；

* 差模输入电阻R id→∞；

* 输出电阻R o→0；

* 共模抑制比K CMR→∞；

2. 理想集成运放的分析方法

1) 运放工作在线性区:

* 电路特征——引入负反馈

* 电路特点——“虚短”和“虚断”:

“虚短”---

“虚断” ---

2) 运放工作在非线性区

* 电路特征——开环或引入正反馈

* 电路特点——

输出电压的两种饱和状态:

当u+>u-时，u o=+U om

当u+

两输入端的输入电流为零:

i+=i-=0

第七章放大电路中的反馈

一. 反馈概念的建立

＊开环放大倍数－－－Ａ

＊闭环放大倍数－－－Ａｆ

＊反馈深度－－－１＋ＡＦ

＊环路增益－－－ＡＦ：

1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。

2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。

3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。

4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。放大器处于“自激振荡”状态。

二．反馈的形式和判断

1. 反馈的范围----本级或级间。

2. 反馈的性质----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存

在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈

则为交、直流反馈。

3. 反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。

（输出短路时反馈消失）

电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。

（输出短路时反馈不消失）

4. 反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电

流形式相叠加。R s越大反馈效果越好。

反馈信号反馈到输入端）

串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压

的形式相叠加。R s越小反馈效果越好。

反馈信号反馈到非输入端）

5. 反馈极性-----瞬时极性法：

（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号

的频率在中频段。

（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升

高用 + 表示，降低用－表示）。

（3）确定反馈信号的极性。

（4）根据X i与X f的极性，确定净输入信号的大小。X id 减小为负反

馈；X id增大为正反馈。

三. 反馈形式的描述方法

某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串

联（并联）负反馈。

四. 负反馈对放大电路性能的影响

1.提高放大倍数的稳定性

2.

3.扩展频带

4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声

5.改变放大电路的输入、输出电阻

*串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍

*并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍

*电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍

*电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍

五. 自激振荡产生的原因和条件

1.产生自激振荡的原因

附加相移将负反馈转化为正反馈。

2.产生自激振荡的条件

若表示为幅值和相位的条件则为：

第八章信号的运算与处理分析依据------ “虚断”和“虚短”

一. 基本运算电路

1.反相比例运算电路

R2 =R1//R f

2.同相比例运算电路

R2=R1//R f

3.反相求和运算电路

R4=R1//R2//R3//R f

4. 同相求和运算电路

R1//R2//R3//R4=R f//R5

5.加减运算电路

R1//R2//R f=R3//R4//R5

二. 积分和微分运算电路

1.积分运算

2.微分运算

第九章信号发生电路

一. 正弦波振荡电路的基本概念

1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)

自激振荡的平衡条件 :

即幅值平衡条件：

相位平衡条件：

2.起振条件:

幅值条件：

相位条件:

3.正弦波振荡器的组成、分类

正弦波振荡器的组成

(1) 放大电路-------建立和维持振荡。

(2) 正反馈网络----与放大电路共同满足振荡条件。

(3) 选频网络-------以选择某一频率进行振荡。

(4) 稳幅环节-------使波形幅值稳定，且波形的形状良好。* 正弦波振荡器的分类

(1) RC振荡器-----振荡频率较低,1M以下;

(2) LC振荡器-----振荡频率较高,1M以上;

(3) 石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。

二. RC正弦波振荡电路

1. RC串并联正弦波振荡电路

2.RC移相式正弦波振荡电路

三. LC正弦波振荡电路

1.变压器耦合式LC振荡电路

判断相位的方法：

断回路、引输入、看相位

2.三点式LC振荡器

*相位条件的判断------“射同基反”或“三步曲法”

(1)电感反馈三点式振荡器(哈特莱电路)

(2) 电容反馈三点式振荡器(考毕兹电路)

(3) 串联改进型电容反馈三点式振荡器（克拉泼电路）

(4)并联改进型电容反馈三点式振荡器（西勒电路）

(5)四. 石英晶体振荡电路

1.并联型石英晶体振荡器

2.串联型石英晶体振荡器

第十章直流电源

一. 直流电源的组成框图

模拟电子技术课题总结报告

《电子技术Ⅱ》课程设计 总结报告 姓名 学号 院系 班级 指导教师 2012年06月

一、目的和意义 该课程设计是在完成《电子技术2》的理论教学之后安排的一个实践教学环节。课程设计的目的是让学生掌握电子电路计算机辅助分析与设计的基本知识和基本方法，培养学生的综合知识应用能力和实践能力，为今后从事本专业相关工程技术工作打下基础。这一环节有利于培养学生分析问题、解决问题的能力，对培养和造就应用型工程技术人才将起到较大的促进作用。 二、任务和要求 本次课程设计的任务是在教师的指导下，学习Multisim仿真软件的使用方法，分析和设计完成3个项目的电路设计和仿真。完成该次课程设计后，应达到以下要求： 1、巩固和加深对《电子技术2》课程知识的理解； 2、会根据课题需要选学参考书籍、查阅手册和文献资料； 3、掌握仿真软件Multisim的使用方法； 4、掌握简单模拟电路的设计、仿真方法； 5、按课程设计任务书的要求撰写课程设计报告，课程设计报告能正确反映设计 和仿真结果。 三、模拟电路的设计和仿真 1、单管放大电路的设计和仿真 1）原理图如图1-1 图1-1

2）理论计算 静态分析：在仿真电路中接入三个虚拟数字万用表，分别设置为直流电流表或直流电压表，如图1-2所示: 图1-2 测得A R U V I b BEQ cc BQ μ41.43=-= mA I I BQ CQ 925.3=≈ V R I V U C CQ CC CEQ 979.5=-=

图1-3 3）仿真分析 图1-4 静态工作点值

4）对比理论与仿真 图1-5 当i U =9.998mV 时，0U =783.331mV,A I i μ48.10=,则 3.78998.9331.7830 -=-==???i u U U A Ω=Ω=Ω==954954.0481 .10998.9k k I U R i i i 电路中负载电阻L R 开路，虚拟表测得V U 567.1'0 =，则 Ω=Ω?-=-=k k R U U R L 004.33)1783 .0567.1()1(0'00 观察单管共射放大电路仿真后，可从虚拟示波器观察到ui 和u0的波形图如上图所示，图中波动幅度较小的是ui 波形，波动幅度较大的是u0波形。由图可见，u0的波形没有明显的非线性失真，而且u0与ui 的波形相位相反。相比仿真的值要比理论的小，可能是电路的连接或仪器的不稳定造成的。 2功率放大电路的设计和仿真 1）原理图

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

模拟电路课程设计心得体会

模拟电路课程设计心得 体会 内部编号：（YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128）

精选范文:《模拟电路》课程设计心得体会(共2篇)本学期我们开设了《模拟电路》与《数字电路》课，这两门学科都属于电子电路范畴，与我们的专业也都有联系，且都是理论方面的指示。正所谓“纸上谈兵终觉浅，觉知此事要躬行。”学习任何知识，仅从理论上去求知，而不去实践、探索是不够的，所以在本学期暨模电、数电刚学完之际，紧接着来一次电子电路课程设计是很及时、很必要的。这样不仅能加深我们对电子电路的任职，而且还及时、真正的做到了学以致用。这两周的课程设计，先不说其他，就天气而言，确实很艰苦。受副热带高气压影响，江南大部这两周都被高温笼罩着。人在高温下的反应是很迟钝的，简言之，就是很难静坐下来动脑子做事。天气本身炎热，加之机房里又没有电扇、空调，故在上机仿真时，真是艰熬，坐下来才一会会，就全身湿透，但是炎炎烈日挡不住我们求知、探索的欲望。通过我们不懈的努力与切实追求，终于做完了课程设计。在这次课程设计过程中，我也遇到了很多问题。比如在三角波、方波转换成正弦波时，我就弄了很长时间，先是远离不清晰，这直接导致了我无法很顺利地连接电路，然后翻阅了大量书籍，查资料，终于在书中查到了有关章节，并参考，并设计出了三角波、方波转换成正弦波的电路图。但在设计数字频率计时就不是那么一帆风顺了。我同样是查阅资料，虽找到了原理框图，但电路图却始终设计不出来，最后实在没办法，只能用数字是中来代替。在此，我深表遗憾!这次课程设计让我学到了很多，不仅是巩固了先前学的模电、数电的理论知识，而且也培养了我的动手能力，更令我的创造性思维得到拓展。希望今后类似这样课程设计、类似这样的锻炼机会能更多些!

工程师应该掌握的20个模拟电路(详细分析与参考答案)

一、桥式整流电路 1二极管的单向导电性：二极管的PN结加正向电压，处于导通状态；加反向电压，处于截止状态。 伏安特性曲线; 理想开关模型和恒压降模型： 理想模型指的是在二极管正向偏置时,其管压降为0,而当其反向偏置时,认为它的电阻为无穷大,电流为零.就是截止。恒压降模型是说当二极管导通以后,其管压降为恒定值,硅管为0.7V，锗管0.5 V 2桥式整流电流流向过程： 当u 2是正半周期时，二极管Vd1和Vd2导通；而夺极管Vd3和Vd4截止，负载R L 是的电流是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压；在u 2的负半周，u 2的实际极性是下正上负，二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2 截止，负载R L 上的电流仍是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压。 3计算:Vo,Io,二极管反向电压 Uo=0.9U 2, Io=0.9U 2 /R L ,U RM =√2 U 2 二.电源滤波器

1电源滤波的过程分析：电源滤波是在负载R L 两端并联一只较大容量的电容器。由于电容两端电压不能突变，因而负载两端的电压也不会突变，使输出电压得以平滑，达到滤波的目的。 波形形成过程：输出端接负载R L 时，当电源供电时，向负载提供电流的同时也 向电容C充电，充电时间常数为τ 充=（Ri∥R L C）≈RiC,一般Ri〈〈R L, 忽略Ri压 降的影响，电容上电压将随u 2迅速上升，当ωt=ωt 1 时，有u 2=u 0,此后u 2 低于u 0，所有二极管截止，这时电容C通过R L 放电，放电时间常数为R L C，放 电时间慢，u 0变化平缓。当ωt=ωt 2时，u 2=u 0, ωt 2 后u 2又变化到比u 0 大，又开始充电过程，u 0迅速上升。ωt=ωt 3时有u 2=u 0，ωt 3 后，电容通 过R L 放电。如此反复，周期性充放电。由于电容C的储能作用，R L 上的电压波动 大大减小了。电容滤波适合于电流变化不大的场合。LC滤波电路适用于电流较大，要求电压脉动较小的场合。 2计算:滤波电容的容量和耐压值选择 电容滤波整流电路输出电压Uo在√2U 2~0.9U 2 之间，输出电压的平均值取决于 放电时间常数的大小。 电容容量R L C≧（3~5）T/2其中T为交流电源电压的周期。实际中，经常进一步 近似为Uo≈1.2U 2整流管的最大反向峰值电压U RM =√2U 2 ，每个二极管的平均电 流是负载电流的一半。 三.信号滤波器

模拟电子技术基础期末复习详细总结

模拟电子技术期末复习详细总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

模拟电子技术总结

模拟电子技术》院精品课程建设与实践 成果总结 模拟电子技术是一门在电子技术方面入门性质的技术基础课程，它既有自身的理论体系，又有很强的实践性；是高等院校工科电子信息、电气信息类各专业和部分非电类本科生必修的技术基础课，而且随着电子工业的飞速发展和计算机技术的迅速普及，它也不断成为几乎所有理工科本科生的必修课程。 我院模拟电子技术课程由原电子技术系首先开设，目前已建成由模拟电子技术、模拟电子技术基础实验、模拟电子技术课程设计三门课组成的系列课程。2002 年被列为学院精品课重点建设项目，2005 年获得学院教学成果一等奖。同年申报并获得四川省教学成果三等奖。 一、基本内容 1．确定课程在本科生基本素质培养中的地位和作用由于模拟电子技术课程的基础性和广泛性，使之在本科教育中起着重要的作用。通过学习，不但使学生掌握电子技术的基本概念、基本电路、基本分析方法和基本实验技能，而且由于本课程特别有利于学生系统集成的能力、综合应用能力、仿真能力的培养，可使学生建立以下几个观点，形成正确的认识论。 （1）系统的观念：一个电子系统从信号的获取和输入、中间的处理到最后的输出和对负载的驱动，各部分电路之间的功能作用、增益分配、参数设置、逻辑关系……都需相互协调、相互制约，只有不顾此失彼、通盘考虑、全面调试才能获得理想效果。 （2）工程的观念：数学、物理的严格论证及精确计算到工程实际之间往往有很大差距，电子技术中“忽略次要，抓住主要”的方法能引导学生的思维更切合工程实际。因而特别有利于学生工程观念的培养。 （3）科技进步的观念：电子技术的发展，电子器件的换代，比其它任何技术都快，学习电子技术可以让人深刻地体会到，在科学技术飞速发展的时代，只有不断更新知识，才能不断前进。学习时应着眼于基础，放眼于未来。 （4）创新意识：在阐述电子器件的产生背景、电路构思、应用场合等问题时特别具有启发性，电子电路可在咫尺之间产生千变万化，能够充分发挥学生的想象力和创造力，因而特别有利于创新意识和创新能力的培养。我们加强了场效应电路、集成电路和可编程模拟器件等新知识的介绍，拓宽了知识面，延续了所学知识的生命周期。 上述观念的培养，不仅为学生学习后续课铺平道路，而且培养了他们科学的思维方式和不断进取的精神，即使在工作后还会起作用，将受益一生。 2．创建先进科学的模拟电子技术课程教学结构电子技术学科是突飞猛进发展的学科，如何更好地解决基础与发展、基础知识与实际应用、理论与实践等矛盾，处理好知识的“博”新“”“深”的关系，建立先进和科学的教学结构，以适应不断更新的课程内容体系始终是我们改革的重点。 本课程建立起课堂教学、实验教学、网络教学和EDA 教学交叉融合的教学结构，如图所示。各教学环节各司其职，相辅相成，互相交融，实现“加强基础，注重实践，因材施教，促进创新”的同一个目标。

电工学下册电子技术知识点总结

电工学下册电子技术知识点总结 模拟电路处理模拟信号，数字电路处理数字信号 第14章半导体器件 1.本征半导体概念 2.N型和P型半导体的元素、多数载流子和少数载流子、“复合”运动 3.PN结的单向导电性，扩散运动，漂移运动 4.二极管的伏安特性、等效电阻（14.3.8） 5.稳压二极管的工作区 6.三极管的放大电流特性（非放大电压）、输出特性曲线（放大区、截止区、 饱和区），判断硅管和锗管、PNP型和NPN型（14.5.1，14.5.2,14.5.3） 第15章基本放大电路 1.共发射极放大电路的组成、静态分析、动态分析，计算电压放大倍数（远大 于1，输入输出电压反相）、输入电阻（高）、输出电阻（低） 2.静态工作点的稳定：分压式偏置放大电路的组成 3.非线性失真：饱和失真（静态工作点高）、截止失真（静态工作点低） 4.射极输出器的组成、静态分析（估算法、图解法）、动态分析（微变等效电 路法、图解法），计算电压放大倍数（接近1，但小于1，输入输出电压同相）、输入电阻（高）、输出电阻（低） 5.多级放大电路的放大倍数，耦合方式三种：变压器耦合、阻容耦合（静态工 作点相对独立）、直接耦合（静态工作点相互影响，零点漂移） 6.差分(差动)放大电路：针对缓慢变化的信号，采用直接耦合，共模信号，差 模信号，抑制零点漂移，电路对称性要好 7.功率放大电路状态：甲类、甲乙类、乙类，为避免交越失真，需工作在甲乙 类状态下 第16章集成运算放大器 1.理想运算放大器的理想化条件：开环电压放大倍数∞，差模输入电阻∞，开 环输出电阻0，共模抑制比∞，工作区：线性区和饱和区 2.虚短、虚断

模电总结复习资料-免费-模拟电子技术基础

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第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳

模拟电子技术基础期末复习

一、填空 1. 二极管最主要的特性是（），反映正向特性的的两个主要参数是（）。 2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。 ３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。 ４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。 ５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。 ６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。 7. 用一只万用表不同的欧姆档测得某个二极管的电阻分别为250Ω和Ω，产生这种现象的原因是。 8. 测得某NPN管的VBE=,VCE=,由此可判断它工作在区。 9. 放大电路的互补输出的采用共集形式是为了使。 10. 在放大电路中为了稳定静态工作点，应引入反馈，稳定放大倍数，应引入反馈，改输入和输出电阻，应引入反馈，展宽频带应引入反馈。 11. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波。 12. 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而比例运算电路中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。 13. 功率放大电路与电压放大电路的区别是。 14. 在直流稳压电路中，变压的目的是，整流的目的是，滤波的目的是，稳压的目的是。 15. 试决定下列情况应选用的滤波器类型。当有用信号频率低于500Hz时，宜选用；当希望抑制50Hz交流电源干扰时，宜选用；当希望抑制1KHz以下的信号时，宜选用。 16. 对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大，可选用组态，若希望带负载能力强，应选用组态，若希望从信号源索取电流小，应选用组态，若希望高频性能好，应选用组态。 17. 电流源电路在集成运放中，常作为电路和电路；前者的作用是，后者的作用是。 18. 差分放大电路有种输入输出连接方式，其差模电压增益与方式有关，与方式无关。 19. 已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为，反馈系数为。 20. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别，前者通常工作在状态或状态，因此，它的输出一般只有高电平和低电平两个稳定状态。 22. 多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都。级数愈多则上限频率越。 23. 由于在功放电路中，功放管常常处于极限工作状态，因此，在选择功管时要特别注意、和三个参数。 24. 电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高，因为电流源的大。 25. 当电路的闭环增益为40dB时，基本放大器的增益变化10%，反馈放大器的闭环增益相应变化1%，则此时电路的开路的

模拟电路课程设计心得体会

模拟电路课程设计心得体会 本学期我们开设了《模拟电路》与《数字电路》课，这两门学科都属于电子电 路范畴，与我们的专业也都有联系，且都是理论方面的指示。正所谓“纸上谈 兵终觉浅，觉知此事要躬行。”学习任何知识，仅从理论上去求知，而不去实践、探索是不够的，所以在本学期暨模电、数电刚学完之际，紧接着来一次电 子电路课程设计是很及时、很必要的。这样不仅能加深我们对电子电路的任职，而且还及时、真正的做到了学以致用。 这两周的课程设计，先不说其他，就天气而言，确实很艰苦。受副热带高气压 影响，江南大部这两周都被高温笼罩着。人在高温下的反应是很迟钝的，简言之，就是很难静坐下来动脑子做事。天气本身炎热，加之机房里又没有电扇、 空调，故在上机仿真时，真是艰熬，坐下来才一会会，就全身湿透，但是炎炎 烈日挡不住我们求知、探索的欲望。通过我们不懈的努力与切实追求，终于做 完了课程设计。 在这次课程设计过程中，我也遇到了很多问题。比如在三角波、方波转换成正 弦波时，我就弄了很长时间，先是远离不清晰，这直接导致了我无法很顺利地 连接电路，然后翻阅了大量书籍，查资料(material)，终于在书中查到了有关 章节，并参考，并设计出了三角波、方波转换成正弦波的电路图。但在设计数 字频率计时就不是那么一帆风顺了。我同样是查阅资料(material)，虽找到了 原理框图，但电路图却始终设计不出来，最后实在没办法，只能用数字是中来 代替。在此，我深表遗憾! 这次课程设计让我学到了很多，不仅是巩固了先前学的模电、数电的理论知识，

而且也培养了我的动手能力，更令我的创造性思维得到拓展。希望今后类似这样课程设计、类似这样的锻炼机会能更多些!

数字电子技术基础知识总结

数字电子技术基础知识总结引导语：数字电子技术基础知识有哪些呢？接下来是小编为你带来收集整理的文章，欢迎阅读！ 处理模拟信号的电子电路。“模拟”二字主要指电压(或电流)对于真实信号成比例的再现。 其主要特点是： 1、函数的取值为无限多个; 2、当图像信息和声音信息改变时，信号的波形也改变，即模拟信号待传播的信息包含在它的波形之中(信息变化规律直接反映在模拟信号的幅度、频率和相位的变化上)。 3.初级模拟电路主要解决两个大的方面：1放大、2信号源。 4、模拟信号具有连续性。 用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算的电路称为数字电路，或数字系统。由于它具有逻辑运算和逻辑处理功能，所以又称数字逻辑电路。 其主要特点是： 1、同时具有算术运算和逻辑运算功能 数字电路是以二进制逻辑代数为数学基础，使用二进制数字信号，既能进行算术运算又能方便地进行逻辑运算(与、或、非、判断、比较、处理等)，因此极其适合于运算、比较、存储、传输、控制、决策等应用。

2、实现简单，系统可靠 以二进制作为基础的数字逻辑电路，可靠性较强。电源电压的小的波动对其没有影响，温度和工艺偏差对其工作的可靠性影响也比模拟电路小得多。 3、集成度高，功能实现容易 集成度高，体积小，功耗低是数字电路突出的优点之一。电路的设计、维修、维护灵活方便，随着集成电路技术的高速发展，数字逻辑电路的集成度越来越高，集成电路块的功能随着小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)的发展也从元件级、器件级、部件级、板卡级上升到系统级。电路的设计组成只需采用一些标准的集成电路块单元连接而成。对于非标准的特殊电路还可以使用可编程序逻辑阵列电路，通过编程的方法实现任意的逻辑功能。 模拟电路是处理模拟信号的电路;数字电路是处理数字信号的电路。 模拟信号是关于时间的函数，是一个连续变化的量，数字信号则是离散的量。因为所有的电子系统都是要以具体的电子器件，电子线路为载体的，在一个信号处理中，信号的采集，信号的恢复都是模拟信号，只有中间部分信号的处理是数字处理。具体的说模拟电路主要处理模拟信号，不随时间变化，时间域和值域上均连续的信号，如语音信号。而数

模拟电子蜡烛电路分析

模拟电子蜡烛电路分析 一、电路功能概述 模拟电子蜡烛具有“火柴点火，风吹火熄”的仿真性，设计原形来源于现实生活情节：蜡烛的使用，电路改造后可以用于生日晚会。 二、电路原理图 三、原理图工作原理 1、温度传感器（热敏电阻） 热敏电阻器是敏感元件的一类，按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻器（PTC）和负温度系数热敏电阻器（NTC）。热敏电阻器的典型特点是对温度敏感，不同的温度下表现出不同的电阻值。正温度系数热敏电阻器（PTC）在温度越高时电阻值越大，负温度系数热敏电阻器（NTC）在温度越高时电阻值越低，它们同属于半导体器件。

本产品采用了负温度系数热敏电阻器（NTC），常温下的电阻值大概100K。检测时，用万用表欧姆档（一般为R×10K挡）直接测试，实际测试的值80K到100K之间，当用打火机点燃后，电阻值急速下降到10K以下。 2、驻极体话筒 驻极体话筒具有体积小、结构简单、电声性能好、价格低的特点，广泛用于盒式录音机、无线话筒及声控等电路中。属于最常用的电容话筒。由于输入和输出阻抗很高，所以要在这种话筒外壳内设置一个场效应管作为阻抗转换器，为此驻极体电容式话筒在工作时需要直流工作电压。 将模拟式万用表拨至R×100档，两表笔分别接话筒两电极（注意不能错接到话筒的接地极），待万用表显示一定读数后，用嘴对准话筒轻轻吹气（吹气速度慢而均匀），边吹气边观察表针的摆动幅度。吹气瞬间表针摆动幅度越大，话筒灵敏度就越高，送话、录音效果就越好。若摆动幅度不大（微动）或根本不摆动，说明此话筒性能差，不宜应用。 3、双D触发器4013 CD4013是一双D触发器,由两个相同的、相互独立的数据型触发器构成。每个触发器有独立的数据、置位、复位、时钟输入和Q及Q输出，此器件可用作移位寄存器，且通过将Q输出连接到数据输入，可用作计算器和触发器。在时钟上升沿触发时，加在D输入端的逻辑电平传送到Q输出端。置位和复位与时钟无关，而分别由置位或复位线上的高电平完成。 真值表功能: 4、工作原理

模拟电路期末复习

电子技术基础－模拟部分复习 第一章绪论 1.1 电子电路的基本概念 1.1.1 电子电路及其框图 理想电子电路：R i?∞, R o?0 1 两个电压放大倍数相同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电压较大，这说明A的? 2 两个电压放大倍数相同的放大电路A和B，分别由晶体管和场效应管构成，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A、B两电路哪个输出电压大？ 3 两个放大电路负载开路时电压放大倍数为10dB，若将他们级联后构成两级放大器的总电压放大倍数是？ 1.1.2 模拟信号与数字信号 模拟信号：是一种随时间连续变化的信号。正弦波信号就是一种常见的模拟信号，其幅值、频率或相位都是随时间连续变化的。 数字信号：是一种离散信号。矩型波信号就是一种常见的数字信号，其幅值、频率或相位都是离散的，它们通常用数字形式表示。 处理模拟信号的电路称为模拟电路，常用的模拟电路有放大电路、滤波电路和波形转换电路等。 处理数字信号的电路称为数字电路,常用的有编码电路、译码电路和记忆电路等。 1.2 电子电路的电路模型 1.2.1 电子电路的模型

工程(去精取粗)模型：就是常说的电路原理图，简称电路图。它着重表明了电子电路的工作原理，对与工作原理关系不大的细节通常不与表示。 物理(实际)模型：是分析电子电路或电子系统的分析模型，最终建立电子电路各变量和元件参数之间的数学表达式——数学模型。 第二章二极管与基本放大电路 二极管的物理模型: 死区电压：0.5V; 导通压降：0.6～0.8V 二极管理想模型：正向导通时压降为零， 反向截止时电流为零。 理想模型、管压降理想模型、考虑r be模型、小信号实际模型分别如下图：

模拟电子技术总结.

第一章、半导体 三极管的输入电阻Rbe 其中IE = (1+β)IB Rb’e = UT/IB (常温下UT=26mV ) 三极管的混合π模型 等效为 三极管工作状态

放大状态（发射结正偏，集电结反偏） 饱和状态（发射结正偏，集电结正偏） 截止状态（发射结反偏/0偏） 小结： BJT 由两个PN结组成，电流控制是它的主要特征。 BJT 具有放大作用的内部结构条件是： i.e区掺杂浓度要远大于b区掺杂浓度； ii.基区必须很薄。 外部条件是：e结正偏，c结反偏。 BJT 中三个电极电流关系 以i E为自变量时以i B为自变量时 三极管特征曲线表示其各级电流与各级间电压之间的定量关系 输入特征曲线玉二极管正向特征曲线相似。C结电压对输入特征曲线有一定影响，但C结为反向偏置时，这种影响很小，通常用一条曲线表示。 输出特征曲线可划分为三个区：饱和区；截至区；放大区。 放大电路中的三极管应工作在放大区。

三极管参数 β说明放大能力； I CBO、I CEO大小反映了其温度稳定性； f T、f B表示三极管的高频放大能力； I CM、BV CEO、P CM规定了管子工作时不允许超出的极限范围。

第二章、基本放大电路 放大器实质上是能量转换器，以较小的输入信号能量通过放大器件控制直流电源的能量，使之转换成较大的输出信号能量，为负载所获得。 1.对放大电路的要求 能放大：输出信号应大于输入信号(u,或i,或p) 不失真：输出应与输入呈线性关系，为使器件工作在线性放大区，必须加上合适的直流偏置。 2.放大电路中的至流量和交流量 3.两种器件对应两种放大电路 (BJT 和FET 放大电路) BJT 在放大电路中有共射、共集和共基三种组态 FET 在放大电路中有共源、共漏和共栅三种组态 4.放大电路的分析方法（图解法、微变等效电路法） 5.放大电路的性能指标 直流：静态工作点Q ； C CQ CC CEQ BQ CQ b BEQ BB BQ R I -V =U βI =I R U -V = I

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性：光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位， 使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2．杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。 ◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安（曲线）方程： 4.半导体二极管 ?普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。 ◆单向导电性：正向导通，反向截止。

模拟电路总结

32.模拟电子电路总结 ①伏安特性曲线，二极管开启电压为0.7V/0.2V，环境温度升高后，二极管正向特性曲线左移，方向特性曲线下移。 ②晶体管工作在放大区的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。 ③共射特性曲线：输入特性曲线和输出特性曲线。Uce增大时，曲线右移。 截止区、放大区、饱和区。 ④结型场效应管U GS(off)和绝缘栅型场效应管U GS(th)。 夹断区、恒流区、可变电阻区。 ⑤静态工作点设置为保证：一、放大不失真二、能够放大。 两种共射放大电路：直接耦合、阻容耦合。 放大电路分析方法：直流通路求静态工作点，交流通路求动态参数。截止失真，饱和失真。等效电路。 Re直流负反馈。晶体管单管三种接法：共射、共基、共集。 共射：既放大电流又放大电压。输入电阻居中，输出电阻较大，频带窄。多用于低频放大电路。 共基：只放大电压不放大电流。输入电阻小，电压放大和输出电阻与共射相当。频率特性最好。 共集：只放大电流不放大电压。输入电阻最大，输出电阻最小，具有电压跟随特性。用于放大电路的输入级和输出级。 场效应管；

基本共源放大电路、自给偏压电路、分压式偏置电路。 多级电路耦合方式： 直接耦合：良好的低频特性，可放大变化缓慢的信号。 阻容耦合：各级电路静态工作点独立，电路分析、设计、调试简单。有大电容的存在不利于集成化。 变压器耦合：静态工作点独立，不利于集成化，可实现阻抗变换，在功率放大中得到广泛的应用。 零点漂移和温度漂移 抑制温漂的方法：引入直流负反馈、采用温度补偿，电路中二极管。差分放大电路。 差分放大电路中共模抑制比。 互补对称输出电路。 集成运放电路的组成： 输入级：双端输入的差分放大电路，输入电阻高，差模放大倍数大，抑制共模能力强，静态电流小。 中间级：采用共射（共源）放大电路，为提高放大倍数采用复合管放大电路，以恒流源做集电极负载。 输出级：输出电压线性范围宽、输出电阻小（带负载能力强）非线性失真小。多互补对称输出电路。 集成运放频率补偿：一、滞后补偿1.简单电容补偿2.密勒效应补偿二、超前补偿 放大电路中反馈特性

电路分析模拟试卷(8套)

模拟题1 一、 选择题：（每小题5分，共35分） 1. 图1-1中的电流=I （ ）。 A ）4A B ）6A C ）8A D ）10A 2. 图1-2中的电压=x U （ ）。 A ）-1V B ）0V C ）1V D ）2V 3. 图1-3所示单口网络的输入电阻=ab R （ ）。 A ）L R B ）o R R L // C ）L R )1(β+ D ）o R β 5Ω Ω O 4. 图1-4所示为一含源单口网络，其戴维南等效电路的等效参数为（ ）。 A)5V ，2k Ω B ）10V ，1.5k Ω C ）10V ，2k Ω D ）20V ，1.5k Ω 5. 图1-5所示电路已处于稳态。在0=t 时，开关k 闭合，则=+)0(i （ ）。 A)5A B)-2A C)3A D)7A 6. 图1-6所示为一正弦稳态电路的一部分，各并联支路中的电流表的读数 分别为：A A 14:1，A A 6:2，A A 15:3，A A 25:4，则电流表A 的读数为（ ）。 A ）50A B ）10A C ）A 210 D ）A 215 7. 已知某单口网络的端口电压和电流分别为：V o )201000cos(10)(-=t t u ， V o )501000cos(5)(-=t t i ,则该单口网络的有功功率和无功功率分别为 （ ）。

A ）W,25Var 325 B ）W,-25Var 325 C ）W,12.5Var 35.12 D ） W,-12.5Var 35.12 C 图1-5 二、 二、 填空题：（每小题5分，共35分） 1. 图2-1所示电路中3Ω电阻吸收的功率=P 。 2. 图2-2所示RL 电路的时间常数为 。 3. 图2-3所示互感电路中，A t e i i 321 2,0==，则=)(1t u 。 4. 图2-4所示GLC 并联电路，电源频率kHz 650=f ，为使电路发生谐振， 电容= C 。 5. 图2-5所示为含有理想变压器的单口网络，其输入阻抗=ab Z 。 图 2-4 6. 图2-6所示电路中，获得最大功率时的=L Z 。 7. 对称三相电路“对称”的含义是 。 在Y-Y 三相对称电路中，相电压与线电压的关系是 ，相电流与

经典的20个模拟电路原理及其电路图汇总

经典的20个模拟电路原理及其电路图对模拟电路的掌握分为三个层次：初级层次：是熟练记住这二十个电路，清楚这二十个电路的作用。只要是电子爱好者，只要是学习自动化、电子等电控类专业的人士都应该且能够记住这二十个基本模拟电路。 中级层次：是能分析这二十个电路中的关键元器件的作用，每个元器件出现故障时电路的功能受到什么影响，测量时参数的变化规律，掌握对故障元器件的处理方法;定性分析电路信号的流向，相位变化;定性分析信号波形的变化过程;定性了解电路输入输出阻抗的大小，信号与阻抗的关系。有了这些电路知识，您极有可能成长为电子产品和工业控制设备的出色的维修维护技师。 高级层次:是能定量计算这二十个电路的输入输出阻抗、输出信号与输入信号的比值、电路中信号电流或电压与电路参数的关系、电路中信号的幅度与频率关系特性、相位与频率关系特性、电路中元器件参数的选择等。达到高级层次后，只要您愿意，受人尊敬的高薪职业--电子产品和工业控制设备的开发设计工程师将是您的首选职业。 一、桥式整流电路 1、二极管的单向导电性： 伏安特性曲线： 理想开关模型和恒压降模型： 2、桥式整流电流流向过程： 输入输出波形： 3、计算：Vo, Io,二极管反向电压。

二、电源滤波器 1、电源滤波的过程分析： 波形形成过程： 2、计算：滤波电容的容量和耐压值选择。 三、信号滤波器 1、信号滤波器的作用： 与电源滤波器的区别和相同点： 2、LC 串联和并联电路的阻抗计算，幅频关系和相频关系曲线。 3、画出通频带曲线。 计算谐振频率。

四、微分和积分电路 1、电路的作用，与滤波器的区别和相同点。 2、微分和积分电路电压变化过程分析，画出电压变化波形图。 3、计算：时间常数，电压变化方程，电阻和电容参数的选择。

二十个基础模拟电路分析

网上资料整合 一：整流 １、二极管的单向导电性：二极管的ＰN 结加正向电压，处于导通状态；加反向电压，处于截止状态。 伏安特性曲线;?理想开关模型和恒压降模型:?理想模型指的是在二极管正向偏置时,其管压降为0，而当其反向偏置时，认为它的电阻为无穷大,电流为零。就是截止。恒压降模型是说当二极管导通以后,其管压降为恒定值,硅管为0.7V,锗管0.5 V 2、半波整流电路 U0（ａv)＝0。4５U ２， 3、桥式整流电流流向过程:1?）当u 2是正半周期时，二极管Vd1和Vd2导通；而夺极管Vd ３和Vd4截止，负载RL 是的电流是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压；在u 2的负半周，ｕ 2的实际极性是下正上负，二极管V ｄ3和Vd ４导通而Vd1和Vd ２截止,负载R Ｌ上的电流仍是自上而下流过负载，负载上得到了与ｕ 2正半周期相同的电压。? 2)计算：输出平均电压及平均电流Vo,Ｉo,变压器副边电流Ｉ,二极管反向电压UR Ｍ 220(AV)9.021U t d u U O O ==?πωπ U ｏ=0.9U ２， Io=0.９Ｕ 2／RL ， ＵR Ｍ=√2 U 2 I=Ｕ2/R Ｌ=I0／0.9=1。11 I0 二极管的平均电流是负载电流的0.5倍。 4、倍压整流电路

?二.电源滤波器 1电源滤波的过程分析：电源滤波是在负载RL两端并联一只较大容量的电容器.由于电容两端电压不能突变，因而负载两端的电压也不会突变，使输出电压得以平滑，达到滤波的目的。 波形形成过程: 1、二极管半波整流电容滤波 2、桥式全波整流电容滤波：

电容滤波适合于电流变化不大且较小的场合.LC滤波电路和L滤波电路适用于电流较大，要求电压脉动较小的场合。 ３、计算：滤波电容的容量和耐压值选择 （二极管半波整流电容滤波) 电路输出电压Uo≈U2，整流管的最大反向峰值电压ＵＲM＝2√2U２,ID=Ｉ0。 滤波系数：q＝pi*f＊C＊RL/2 （桥式整流电容滤波)?电容滤波整流电路输出电压Uo在√2U２～０.9U２之间，实际中经常进一步近似为Uo≈1。2Ｕ２,输出电压的平均值取决于放电时间常数的大小。RL*C愈大，电容放电愈慢,Ｕ0愈大且愈平稳.不带负载即负载开路时，电容先充电后保持恒压，U0取√2Ｕ2。?电容容量由RL*C≧(3～5）T／2，可得出C值。其中T为交流电源电压的周期,由电源频率f得出。电容耐压值〉√２U2。 整流管的最大反向峰值电压URM=√2Ｕ2，每个二极管的平均电流是负载电流的0。5倍。 滤波系数：q=8＊f＊C＊ＲL/３ ４、桥式全波整流电感滤波

模拟电子技术基础期末复习题演示教学

填空题 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为V，导通后在较大电流下的正向压降约为V；锗二极管的门槛电压约为V，导通后在较大电流下的正向压降约为V。 3、二极管的最主要特性是。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场。PN具有特性。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由载流子的运动形成。 9、P型半导体的多子为、N型半导体的多子为、本征半导体的载流子为。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 V。 15、N型半导体中的多数载流子是，少数载流子是。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为、、三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是电容，影响高频信号放大的是电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ， I CQ，U CEQ。 19、三极管的三个工作区域是，，。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压V a = 1.2V， V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是管（材料），型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的。 21、某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 dB，总的电压放大倍数为。 22、三极管实现放大作用的外部条件是：。某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V，V b =-3.2V, V c =-3.9V, 这是管（硅、锗），型，集电极管脚是。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：、和_ _，其中能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的，而前级的输出电阻可视为后级的。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带。 25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。 26、为了保证三极管工作在放大区，要求： ①发射结偏置，集电结偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC。 28、在三种不同组态的放大电路中，组态有电压放大作用，组态有电流放大作用，组态有倒相作用；组态带负载能力强，组态向信号源索取的电流小，组态的频率响应好。 31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位差为；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为。 33、晶体管工作在饱和区时，发射结，集电结；工作在放大区时，集电结，发射结。（填写a正偏，b反偏，c零偏） 41、场效应管属于型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是型器件。 42、场效应管是器件，只依靠导电。 43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为、、和截止区四个区域。48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为，为了消除交越失真常采用电路。 49、乙类功放的主要优点是，但出现交越失真，克服交越失真的方法是。 51、双电源互补对称功率放大电路（OCL）中V CC=8v，R L=8Ω，电路的最大输出功率为，此时应选用最大功耗大于功率管。 52、差动放大电路中的长尾电阻Ｒe或恒流管的作用是引人一个反馈。 53、已知某差动放大电路A d=100、K CMR=60dB，则其A C= 。集成电路运算放大器一般由、中间级、输出级、四部分组成。 55、差动放大电路能够抑制和。 56、电路如图1所示，T1、T2和T3的特性完全相同，则I2≈mA，I3≈0.2mA，则R3≈kΩ。