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一种两步法生长氧化锌纳米棒阵列的制备工艺

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号

CN101818345A

(43)申请公布日 2010.09.01(21)申请号CN200910272849.3

(22)申请日2009.11.13

(71)申请人襄樊学院

地址441053 湖北省襄樊市襄城区隆中路7号

(72)发明人胡安正;黄新堂

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

C23C26/02;

C30B29/16;

C01G9/02;

H05B33/10;

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种两步法生长氧化锌纳米棒阵列的制备工艺

(57)摘要

本发明提供一种用两步法在氧化铟锡导电

聚酯薄膜上生长ZnO纳米棒阵列(ZNRs)的制备工

艺,即先将配制好的ZnO晶核胶体用匀胶法或提

拉法在氧化铟锡导电聚酯薄膜上,预制备ZnO种

晶,再用低温液相法生长出ZNRs,这种“两步