模拟电子技术
习题答案
电工电子教学部
2012.2
第一章 绪论
一、填空题：
1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB
lg 20i A =电流增益 。 13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？
解： Ω105A 10V 50pA 10mV 50010
11
i
o
r ?===
=-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上
的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便？ 解：直接将它与10Ω扬声器连接，
扬声器上的电压V 10V 1Ω
10Ω10V 1Ω10M Ω1Ω105
6
o
-=?≈?+=V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示
V 50V 11M ΩM Ω1M Ω1s
i
s i
i .V R R R V =?+=+=
扬声器上的电压V 250V 50110Ω0Ω10Ω1i
vo o
L L
o
..V A R R R V =??+=+= 四、试说明为什么常选用频率可连续变化的正弦波信号发生器作为放大电路的实验、测试信号源。用它可
以测量放大电路的哪些性能指标？
答：因为正弦波信号在幅值、频率、初相位均为已知常数时，信号中就不再含有任何未知信息。并且任何信号都可以展开为傅里叶级数表达式，即正弦波信号各次谐波分量的组合。正因为如此，正弦波信号常作为标准信号用来对模拟电子电路进行测试。用它可以测量放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真。
五、在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰—峰值分别为10μA 和25mV ，输出端接4k Ω电阻负载，测量到正弦电压信号的峰—峰值1V 。试计算该放大电路的电压增益A v 、电流增益A i 、功率增益A p ，并分别换算成dB 数表示。
解： (32dB)
40
5mV 2V
1i
o
v
===v v A (28dB)
25μA 10V/4k Ω1i
o i
===i i A (310002540i
v p =?==A A A 六、某音响系统放大电路的幅频响应如图所示，放大电路的带宽是多少？半功率点是哪两个点？半功率点
处的增益较中频区的增益下降了多少分贝？折合百分比为多少？
答：带宽 = f H - f L =2×104
-20≈2×104
Hz
半功率点指增益较中频区增益下降3dB 的频率点（即对应f H 、f L ），其输出功率约等于中频区输出功率
的一半。增益较中频区增益下降所折合的百分比为70.7﹪。
第二章运算放大器
一、填空题：
1．理想运算放大器的性能参数均被理想化，即输入电阻为无穷大，输出电阻为零，开环电压增
益为无穷大，输出电压为接近正负电源值。
2．运算放大器有两个工作区。在线性区工作时，放大器放大小信号；当输入为大信号时，它工作在
非线性区，输出电压扩展到饱和值。
3．运算放大器工作在线性区时，具有虚短和虚断两个特点，凡是线性电路都可利用这两个概念来分析电路的输入、输出关系。
4．反相比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地点，而同相比例运算电路中集成运放两个输入端对地的电压基本上相等。
5．同相比例运算电路的输入电流等于零，而反相比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻的电流。
6．同相运算电路的电压增益A u≥1；反相运算电路的电压增益A u＜0。
7．反相求和运算电路中集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流等于各输入端电流的和。8．同相比例运算电路的输入电阻大，而反相比例运算电路的输入电阻小。
9．反相求和运算电路可实现函数Y＝aX1＋bX2＋cX3，a、b和c均小于零。
10．微分运算电路可将三角波电压转换成方波电压；积分运算电路可将方波电压转换成三角波电压。
二、选择题：
1. 现有电路：
A. 反相比例运算电路
B. 同相比例运算电路
C. 积分运算电路
D. 微分运算电路
E. 加法运算电路
选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O，应选用D。
（2）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用E。
（3）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用A。
（4）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用C。
（5）A中集成运放反相输入端为虚地，而B中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。
2. 集成运放在作放大电路使用时，其电压增益主要决定于（ A ）。
A. 反馈网络电阻
B. 开环输入电阻
C. 开环电压放大倍数
三、计算题：
1．电路如图所示，其中R1=10kΩ，R2= R3= R4=51kΩ。
试求：
（1）输入电阻R i；
（2）v o与v i之间的比例系数。
（3）平衡电阻R 。
解：（1） R i =R 1=10k Ω
(2) ???????-=--=-+-24n 1
n i
3
o
44424n 0 R v v R v v R v v R v R v v i
4o i i 12
4315315v .v v v .v R R v -==-=-=
(3) ()k Ω8482
3
2
14321.R //R R //R R //R R ==+=' 2．电路如图所示，图中集成运放输出电压的最大幅值为±14V ，试将计算结果填如表2.1中。
解：v O 1＝(－R f /R ) v I ＝－10 v I ，v O 2＝(1+R f /R ) v I ＝11 v I 。 当集成运放工作到非线性区时，输出电压不是＋14V ，就是－14V 。
表2.1
3．求解图示电路中v O 与v I 之间的运算关系。
解：图示电路的A 1组成同相比例运算电路，A 2组成差动运算电路。先求解v O1，再求解v O 。
()I
45I2I145I245I1134
5
I245O145O I1
13O111 11 11v R R v v R R v R R v R R R R
v R R v R R v v R R v ????
?
?+-=-????
??+-=???? ?
?++????
??+-=????
??++-=????
?
?+=
4．一高输入电阻的桥式放大电路如图所示，试写出v o = f (δ)的表达式（δ=ΔR /R ）。
解： i 12o221212o112o i
i B
o2i A o1241 22 2v R R v R R R R R v R R v v R R Rv v v v v v ??? ??+-=+???? ?
?++-=+=+====δδδδ 5．图示电路中，A 1，A 2，A 3均为理想运放。
（1）A 1，A 2，A 3分别组成何种基本运算电路； （2）列出v O1，v O2，v O 的表达式。
解：（1）同相比例运算电路、反相求和运算电路、差动运算电路。
（2）
)23(2)(21501005010012 2 3i 3
i 2i 1o2o1o2o1o i 3
i 2o2i 1o1v v v v v v v v v v v v v ++-=--=??
?
??++-=--== 6．试写出图示加法器对v I1、v I2、v I3 的运算结果：v O = f (v I1、v I2、v I3)。
解：A 2的输出v O2=-(10/5)v I2-(10/100)v I3=-2v I2-0.1v I3 v O =-(100/20)v I1-(100/100)v O2=-5v I1+2v I2+0.1v I3
7．在图示电路中，已知输入电压v i 的波形如图（b ）所示，当t ＝0时，电容C 上的电压v C ＝0。试画出输出电压v o 的波形。
解：
V 52)52(1010(-5)-100 15ms -2.5V, 5ms, V 521055100 ms 5 ,0 ,0 ) ()- ( -100) () (1
) (1 3o
2C 13
o 2C 11C 12i 1C 12i o i 1
C i o 2
1..v t v t .v t v t t v t t v t v t t v RC
v v t v dt v RC
v t t =-+???====-=???-=
===+=+--=+-=--?时若时若为常数时当
8．设计一反相放大器，电路如图所示，要求电压增益A v =v o /v i =-10，当输入电压v i =-1V 时，流过R 1和R 2的电流小于2mA ，求R 1和R 2的最小值。
解： 5.1k Ω 510Ω 5k Ω k Ω50 mA 2 V 1 01 1021211
i i 1
21
2i o
v =
=>
><-==-=-==R R R .R R v
v R R R R v v A ，取，，时，有当
第三章 二极管及其基本电路
一、填空题：
1．制作电子器件的常用材料主要采用 硅和锗 。 2．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．本征半导体是指 完全纯净的、结构完整的半导体晶体 。P 型半导体中的少子是 电子 ，多子是 空穴 ， N 型半导体中的少子是 空穴 ，多子是 电子 。
4．半导体中参与导电的有 两 种载流子，分别是 电子 和 空穴 ，导体中参与导电的有 一 种载流子，是 电子 。
5．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I S 将增大，这是因为此时PN 结内部的 B 。
A. 多数载流子浓度增大
B. 少数载流子浓度增大
C. 多数载流子浓度减小
D. 少数载流子浓度减小
6．半导体PN 结中内电场E ，是由 空间电荷区 产生的，当将 反向 电压加在PN 结两端时，其PN 结内电场E 增强。PN 结 不易 （不易/容易）导通。
7．二极管导通时，其正向电压应该比门坎电压 高 （高/低），硅管的正向导通电压约为 0.7 V ，锗管的正向导通电压约为 0.2 V 。
8．稳压管是一种 特殊工艺制造的面接触型硅二极管 二极管。除了用于限幅电路之外，主要用于稳压电路，其稳压性体现在电流增量 很大 ，只引起很小的 电压 变化，此时稳压管应工作于 反向电击穿 区。 9．发光二极管正常工作时，外加 A 电压；而光电二极管正常工作时，外加 B 电压。
A ．正向
B ．反向
C ．击穿
10．某只硅稳压管的稳定电压V z = 4v ，其两端施加的电压分别为+5V （正向偏置）和－5V （反向偏置）时， 稳压管两端的最终电压分别为 D 。
A. +5V 和-5V
B. -5V 和+4V
C. +4V 和-0.7V
D. +0.7V 和-4V
11．PN 结的结电容包括 扩散电容 和 势垒电容 。当在PN 结两端施加正向电压时，空间电荷区 将 变窄 ， 扩散 电容将增大。
12．发光二极管是将 电能转换成光能 的器件；而光电二极管是将 光能转换成电能 的器件。
二、已知u I ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u I 与u O 的波形，并标出幅值。
三、二极管的正向伏安特性曲线如图所示，室温下测得二极管中的电流为20mA 。试确定二极管的直流电阻R D 和动态电阻r d 的大小。
解：由图可见，I D =20mA 时的U D =0.67V ，则直流电阻R D 为
Ω53320mA V 670U D
D
D
..I R === 过I D =20mA 处，作一条切线，求切线斜率，可求得动态电
阻r d 为
Ω3110mA -30mA V 0260ΔΔU D
D
d
..i r ===
四、在下面图示电路中，设u I =12sinωt（V），试分别画出i D、u D和u O的波形（要求时间坐标对齐），并将二极管电流i D的峰值和其所承受的反向电压峰值标于图中（假定D为理想二极管）。
五、二极管电路如下图（a）所示，设输入电压波形如图（b）所示，试画出相应的输出电v O波形。设二极管为理想器件。
六、二极管电路如图所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压V AO。设二极管为理想器件。
解：（a）D导通，V AO=-6V
（b）D截止，V AO=-12V
（c）D1导通，D2截止，V AO=0V
（d）D1截止，D2导通，V AO=-6V
七、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：V 5 V 5V 102
22
(b) 6V 6V,V 8V 100.5
22 (a) O2
Z O1
Z Z
I L L =<=?+==>=?+∴≥+
U ,U U U U U R R R
偏截止状态，不可稳压，管子处于反可稳压，稳压管要稳压需满足
八、 图示电路中，稳压管2CW16具有下列特性：稳定电压9V ，耗散功率允许值250mW ，稳压管电流小于1mA 时不能稳压，且动态电阻不大于20Ω。试按电路图中所给参数计算： （1） 当R L =1k Ω 时，电流I R 、I Z 、I L 的大小；
（2） 当电源电压U I 变化±20%时，U O 最多变化几伏？
（3） 稳压管在U I 和R L 变化至何值时功耗最大？其值是否已超过允许值？（U 1的变化范围不超过±20%，
R L 可任意变化。）
（4） 按照图中的参数，分析该电路在I L 大于何值时将失去稳压能力？
解：(1) mA 621510920R .I =-=
，mA
9k Ω
1V
9L ==I ，I Z =12.6mA 。 (2) 15
0V)4(Ω)
0001Ω20(Ω510Ω
0001Ω20ΔO
.////U ±≈±?+=V (3) 当U 变化+20%和R L →∞时稳压管的功耗最大。
Z
Z(max)mW 2659510
9
24P P >=?-=，超过允许值。 (4) 当mA 428 Zmin
Z
Imax L max L .I R
-U
U I I =-=>时，失去稳压能力。
九、有两只稳压二极管D Z1、D Z2，其稳定电压分别为V Z1=6V 、V Z2 =10V ，两管正向导通电压降均为0.7V 。如果将它们以不同方式串联后接入电路，可能得到几种不同的电压值？试画出相应的电路图。
十、二极管电路如图所示，设二极管均为理想二极管，v s=10sinωt（V）。
（1）画出负载R L两端电压v o的波形。
（2）若D3开路，试重画v o的波形。
（3）若D3被短路，会出现什么现象？
（3）若D3被短路，则在输入电压的正半周将使电源短路，烧坏电源。
第四章三极管及其放大电路
§4.1
一、问答题：
1. 能否用两个二极管背靠背地连接构成一个BJT？
答：不能，因为BJT除了由两个背靠背PN结构成外，还需满足三个内部条件。
2. BJT 的e极、c极能否交换使用？
答：不能，因为e极、c极所对应区域的掺杂浓度和横截面积均不相同。
二、填空题：
1. 三极管实现放大的三个内部条件是（发射区掺杂浓度最高）、（基区最窄）、（集电区横截面积最大）。
2. 三极管具有放大作用的外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
3. 三极管工作在饱和区时，发射结（正偏）,集电结（正偏）； 工作在截止区时，发射结（反偏）,集电结（反偏）。
4. 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为（ 100 ）。
5. 工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是（多子的扩散流），流过集电结的电流主要是（漂移电流）。（扩散电流/漂移电流）
6. 反向饱和电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
7．测得某放大电路中三极管的三个电极A 、B 、C 对地点的电位分别为-11、-6、-6.7，则A 电极为（ 集电 ） 极，B 电极为（ 发射 ）极，Ｃ电极为（ 基极 ）极。 三、
1．从下图所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型以及它在电路中所处的工作状态。 （1） 是锗管还是硅管？
（2） 是NPN 型还是PNP 型？
（3） 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断还是短路？）
提示：注意在放大区，硅管V 70E B BE .U U U ≈-=，锗管V 30BE .U ≈，且E C CE U U U -=>0.7V ；而处于饱和区时，V 70CE .U ≤
。
解： (a) NPN 硅管，工作在饱和状态；
(b) PNP 锗管，工作在放大状态； (c) PNP 锗管，管子的b-e 结已开路； (d) NPN 硅管，工作在放大状态； (e) PNP 锗管，工作在截止状态； (f) PNP 锗管，工作在放大状态； (g) NPN 硅管，工作在放大状态； (h) PNP 硅管，工作在临界饱和状态。
2．测得放大电路中的两只晶体管的各电极直流电位如图3.2所示。试在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
3．已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。试分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
四、电路如图所示，晶体管导通时U BE＝0.7V，β=50。试分析U BB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压U O的值。
解：（1）当U BB＝0时，T处于截止状态，U O＝12V。
（2）当U BB＝1V时，因为
工作在放大状态。
T A
240
A
60BS B c
CES
CC BS b BE
BB B I I R U U I R U U I <≈-==-=
μβμ
V 9mA
3 c C CC O B C =
-===R I U U I I β
（3）当U BB ＝3V 时，因为
工作在饱和状态。
T A
604BS B b
BE BB B I I R U
U I >=-=μ
V 0CES
O ≈=U U 五、
(1) 有两只晶体管，一只的β＝200，I CEO ＝200μA ；另一只的β＝100，I CEO ＝10μA ，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？
答：应选用β＝100，I CEO ＝10μA 的管子，可使管子在构成放大电路时温度稳定性高。 (2) 当温度升高时，三极管的β（增大），反向饱和电流I CBO ( 增大 ) , U BE ( 减小 )，最终导致集电极电流 I C （增大）。
(3) 三极管的安全工作区受哪些极限参数的限制？使用时，如果超过某项极限参数，试分别说明将会发生什么结果。
答：三极管的安全工作区受P CM 、I CM 、U (BR)CEO 三个极限参数的限制。
P CM 过大，集电结发热，结温上升，当结温超过最高工作温度（硅管150℃，锗管70℃）时，BJT 性能下降，甚至会烧坏。
I CM 过大，BJT 不一定会烧坏，但β值将过小，放大能力太差。
U (BR)CEO 过大，使I CEO 明显增大，导致集电结出现雪崩击穿。
§4.2
一、（1）放大电路组成原则有哪些？利用这些原则分析（2）题
（2）试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
答：（1）放大电路组成原则：设置合适的静态工作点（即保证发射结正偏，集电结反偏）；
保证交流信号畅通无阻。
（2）a. 不能，u i被V BB短路；
b. 能；
c. 不能，u i不能直接驮载在静态电压之上，其间需加隔直流电容器；
d. 不能，发射极回路无电阻会使回路电流过大而烧坏BJT。另外实用电路中交、直流电源不能串
联使用，它们的电源负极需共地；
e. 不能，电容C2将u i短路；
f. 不能，无集电极电阻R c会使输出信号被V CC短路。
二、（1）在电子电路中，放大的实质是什么？放大的对象是什么？负载上获得的电压或功率来自何处？
（2）为什么要设置Q点？
（3）由于放大电路中存在着电抗元件，其交、直流通路不相同，请回答如何画直流通路？如何画交流通路？
答：（1）放大的实质是对放大器件（即能量控制部件）的控制作用。
放大的对象是交流小信号。
负载上获得的电压或功率来自直流电源。
（2）设置Q点的目的是保证输入交流小信号不失真地放大。
（3）直流通路：将电路中耦合和旁路电容的作用去掉，即断路。
交流通路：对一定频率范围内的交流信号而言，耦合和旁路电容可视为短路；
对交流信号，电路中内阻很小的直流电压源可视为短路；内阻很大的直流电流源可视
为开路。
三、画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
§4.3
一、在下图所示电路中，已知晶体管的β＝80，r be ＝1k Ω，U i ＝20mV ；静态时U BEQ ＝0.7V ，U CEQ ＝4V ，I BQ ＝20μA 。判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）20010
2043
u
-=?-=-A （×） （2）715704u ..A -≈-= （×） （3）4001580u -=?-=A （×） （4）20015280u
-=?-=.A （√） （5）Ω=Ω=k 1k )2020(i R （×） （6）Ω=Ω=
k 35k )02.07
.0(i R （×） （7）Ω≈k 3i R （×） （8）Ω≈
k 1i R （√） （9）Ω≈k 5o R （√） (10) Ω≈k 5.2o R （×） （11）s U ≈20mV (×) （12）s U ≈60mV (√)
二、电路如图所示，已知晶体管β＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为
多少？设V CC ＝12V ，晶体管饱和管压降V CES ＝0.5V 。
（1）正常情况 （2）R b1短路 （3）R b1开路 （4）R b2开路 （5）R C 短路
解：（1）V 46mA 0220c
B C
C C b1
BE
b2BE CC B .R I V V .R V
R V V I ≈-=≈--=β
（2）12 BJT , 0C
BE ==V V 截止， （3）V 50BJT mA 0450 mA 220CES
C BS B c
CES
CC BS
b2BE CC B .V V I I .R V V I .R V V I ==>≈-=≈-=饱和，，β （4）12 BJT C =V 截止， （5）12V C =
V 三、放大电路的直流负载线和交流负载线的概念有何不同？什么情况下两条负载线重合？ 答：直流负载线：由直流通路确定，其斜率等于-1/R c 的一条直线。
交流负载线：由交流通路确定，其斜率等于L 1/ R '-的一条直线。由于c L R R <'，故交流负载线的斜率大于直流负载线的斜率。
当负载R L 断路时，交流负载线与直流负载线重合。
四、共发射极放大电路及三极管的伏安特性如图所示。
（1） 用图解法求出电路的静态工作点，并分析这个工作点选得是否合适？
（2） 在U CC 和三极管参数不变的情况下，为了把三极管的集射极电压U CEQ 提高到5V 左右，可以改变哪
些电路参数？如何改变？
（3） 在U CC 和三极管参数不变的情况下，为了使I CQ =2mA ，U CEQ =2V ，应改变哪些电路参数，改变到什
么数值？
解：(1) μA
218510
7
010B ..I =-=
，可知静态工作位置在Q 点，不合适；
(2) 为了把三极管的集电极电压U CEQ 提高到5V 左右，可以有多种R c 与R b 的组合。若将静态工作点设置在Q '点，则R c 保持不变，取R b ＝100k Ω，故 I B ＝90μA 。
(3) 应将静态工作点设置在Q ''点，可得：R c =4K Ω，R b ≈250K Ω。
五、 电路如图（a ）所示，该电路的交、直流负载线绘于图（b ）中。 试求：（1）V CC 、I BQ 、I CQ 、V CEQ 的值；
（2）电阻R b 、R c 的值；
（3）输出电压的最大不失真幅度；
（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?= 习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。 100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区 习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+== 一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u 北方民族大学 Beifang University of Nationalities 《模拟电子技术实验》课程指导书 北方民族大学教务处 北方民族大学 《模拟电子技术实验》课程指导书 编著杨艺丁黎明 校审杨艺 北方民族大学教务处 二〇一二年三月 《模拟电子技术实验》课程是工科类大学二年级学生必修的一门实践类课程。实验主要设备包括模拟电子技术实验箱、信号发生器、示波器、数字万用表、交流毫伏表和直流电源等。 课程教学要求是：通过该课程，学生学会正确使用常用的电子仪器，掌握三极管放大电路分析和设计方法，掌握集成运放的使用及运算放大电路各项性能的测量，学会查找并排除实验故障，初步培养学生实际工程设计能力，学会仿真软件的使用，掌握工程设计的概念和步骤，为以后学习和工作打下坚实的实践基础。 《模拟电子技术实验》课程内容包括基础验证性实验，设计性实验和综合设计实践三大部分。 基础验证性实验主要包括仪器设备的使用、双极性三极管电路的分析、负反馈放大电路的测量等内容。主要培养学生分析电路的能力，掌握电路基本参数的测量方法。 设计性实验主要包括运算电路的实现等内容。主要要求学生掌握基本电路的设计能力。 综合设计实践主要包括项目的选题、开题、实施和验收等过程，要求学生能够掌握电子产品开发的整个过程，提高学生的设计、制作、调试电路的能力。 实验要求大家认真做好课前预习，积极查找相关技术资料，如实记录实验数据，独立写出严谨、有理论分析、实事求是、文理通顺、字迹端正的实验报告。 本书前八个实验项目由杨艺老师编写，实验九由丁黎明老师编写。全书由丁黎明老师提出课程计划，由杨艺老师进行校对和排版。参与本书课程计划制订的还有电工电子课程组的全体老师。 2012年3月1日 一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其 多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩 散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电 流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管 B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半 实验一、 一、实验目的 1、学习电子技术实验中常用电子仪器的主要技术指标、性能和正确使用方法。 2、初步掌握用示波器观察正弦信号波形和读取波形参数的方法。 电路实验箱的结构、基本功能和使用方法。 二、实验原理 在模拟电子电路实验中，要对各种电子仪器进行综合使用，可按照信号流向，以接线简捷，调节顺手，观察与读数方便等原则进行合理布局。接线时应注意，为防止外界干扰，各仪器的公共接地端应连接在一起，称共地。 1.信号发生器 信号发生器可以根据需要输出正弦波、方波、三角波三种信号波形。输出信号电压频率可以通过频率分挡开关、频率粗调和细调旋钮进行调节。输出信号电压幅度可由输出幅度调节旋钮进行连续调节。 操作要领： 1）按下电源开关。 2）根据需要选定一个波形输出开关按下。 3）根据所需频率，选择频率范围（选定一个频率分挡开关按下）、分别调节频率粗调和细调旋钮，在频率显示屏上显示所需频率即可。 4）调节幅度调节旋钮，用交流毫伏表测出所需信号电压值。 注意：信号发生器的输出端不允许短路。 2.交流毫伏表 交流毫伏表只能在其工作频率范围内，用来测量300伏以下正弦交流电压的有效值。 操作要领： 1.为了防止过载损坏仪表，在开机前和测量前（即在输入端开路情况下）应先将量程 开关置于较大量程处，待输入端接入电路开始测量时，再逐档减小量程到适当位置。 2.读数：当量程开关旋到左边首位数为“1”的任一挡位时，应读取0～10标度尺上的 示数。当量程开关旋到左边首位数为“3”的任一挡位时，应读取0～3标度尺上的示数。 3）仪表使用完后，先将量程开关置于较大量程位置后，才能拆线或关机。 3．双踪示波器 示波器是用来观察和测量信号的波形及参数的设备。双踪示波器可以同时对两个输入信号进行观测和比较。 操作要领： 1.时基线位置的调节开机数秒钟后，适当调节垂直（↑↓）和水平（←→）位移旋 钮，将时基线移至适当的位置。 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14 模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω 4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b ) r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分） 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 大连理工大学网络高等教育《模拟电子线路》实验报告 学习中心：奥鹏教育中心 层次：高中起点专科 专业：电力系统自动化 年级： 学号： 学生姓名：杨 实验一常用电子仪器的使用 一、实验目的 答：1.了解并掌握模拟电子技术实验箱的主要功能及使用方法。 2.了解并掌握数字万用表的主要功能及使用方法。 3.学习并掌握TDS1002型数字存储示波器和信号源的基本操作方法。 二、基本知识 1．简述模拟电子技术实验箱布线区的结构及导电机制。 答：布线区面板以大焊孔为主，其周围以十字花小孔结构相结合，构成接点的连接形式，每个大焊孔与它周围的小孔都是相通的。 2．试述NEEL-03A型信号源的主要技术特性。 答：1.输出波形：三角波、正弦波、方波、二脉、四脉、八脉、单次脉冲信号； 2.输出频率：10HZ~1HZ连续可调； 3.幅值调节范围：0~10Vp-p连续可调； 4.波形衰减：20db、40db； 5.带有6位数字频率计，即可作为信号源的输出监视仪表，也可以作为外侧频率计使用。 3．试述使用万用表时应注意的问题。 答：使用万用表进行测量时，应先确定所需测量功能和量程。 确定量程的原则： 1.若已知被测参数大致范围，所选量程应“大于被测值，且最接近被测值”。 2.如果被测参数的范围未知，则选择所需功能的最大量程测量，根据粗侧结果逐步把量程下调到最接近于被测值的量程，以便测量出更加精准的数值。 如屏幕显示“1”，表明以超过量程范围，需将量程开关转至相应档位上。 3.在测量间歇期和实验结束后，不要忘记关闭电源。 三、预习题 1．正弦交流信号的峰-峰值=__2__×峰值，峰值=__√2__×有效值。 2．交流信号的周期和频率是什么关系？ 答：周期和频率互为倒数。T=1/f f=1/T 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波 网络高等教育 《模拟电子线路》实验报告 学习中心：咸阳远程网络教育学校奥鹏学习中心 层次：高中起点专科 . 专业：电力系统自动化技术 . 年级： 2015 年春季 . 学号 161586128155 . 学生姓名：惠伟 . 实验一常用电子仪器的使用 一、实验目的 1．了解并掌握模拟电子技术实验箱的主要功能及使用方法。 2．了解并掌握数字万用表的主要功能及使用方法。 3．学习并掌握TDS1002 型数字存储示波器和信号源的基本操作方法。 二、基本知识 4．简述模拟电子技术实验箱布线区的结构及导电机制。 答：模拟电子技术试验箱布线区：用来插接元件和导线，搭建实验电路。配有2 只8 脚集成电路插座和 1 只14 脚集成电路插座。结构及导电机制：布线区面板以大焊孔为主，其周围以十字花小孔结构相结合，构成接点的连接形式，每个大焊孔与它周围的小孔都是相通的。 5．试述NEEL-03A型信号源的主要技术特性。 答：NEEL-03A 型信号源的主要技术特性： ①输出波形：三角波、正弦波、方波、二脉、四脉、八脉、单次脉冲信号； ②输出频率：10Hz~1MHz 连续可调； ③幅值调节范围：0~10VP-P 连续可调； ④波形衰减：20dB、40dB； ⑤带有 6 位数字频率计，既可作为信号源的输出监视仪表，也可以作外侧频率计用。 注意：信号源输出端不能短路。 6．试述使用万用表时应注意的问题。 答：应注意使用万用表进行测量时，应先确定所需测量功能和量程。确定量程的原则： ①若已知被测参数大致范围，所选量程应“大于被测值，且最接近被测值”。 ②如果被测参数的范围未知，则先选择所需功能的最大量程测量，根据初测结果逐步把量程下调到最接近于被测值的量程，以便测量出更加准确的数值。如屏幕显示“1”，表明已超过量程范围，须将量程开关转至相应档位上。 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 “模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。 （3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。 学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？ 二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。 《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。 模拟电子技术实验II 教学指导书 课程代码：021********* 湘潭大学 信息工程学院 2017年10月8日 前言 一、实验总体目标 本课程为电子信息类专业本科生的学科基础课程。通过实验培养学生理论联系实际的能力，提高学生的动手能力、分析问题和解决问题的能力。通过规范的实验操作训练，使学生学会操作常用的电子仪器设备，掌握基本的模拟电路构建方法和实验调试的基本技能。 1．掌握常用电子仪器的选用及测试方法。 2．针对简单的模拟电路，能正确调试电路参数，掌握基本参数测试与功能分析方法。 3．针对简单的工程问题，能依据实验故障现象，分析问题并解决问题。 4．能正确观察实验现象、记录实验数据、并自拟部分数据表格，并通过正确分析实验结果，得出结论，撰写符合要求的实验报告。 5. 具备电子电路仿真软件的初步应用能力。 二、适用专业年级 电子信息类专业二年级本科学生。 三、先修课程 大学物理、电路分析基础、模拟电子技术实验II 四、实验项目及课时分配 五、实验环境 模拟电路实验台：72套。主要配置：多种模拟电路实验模块、直流电压源、直流电压表、万用表、信号发生器、示波器、交流毫伏表等，仿真实验配置：PC机、Multisim 10电路仿真分析仿真软件。 六、实验总体要求 1、每次实验前预习实验原理，做好实验方案设计和理论计算，仿真分析观察与测试，提交实验预习报告； 2、正确使用电压表、万用表、信号发生器、示波器、交流毫伏表等实验设备； 3、按电路图联接实验线路和合理布线，能初步分析并排除故障； 4、具有根据实验任务确定实验方案、设计实验线路和选择仪器设备的初步能力； 5、认真观察实验现象，正确读取实验数据和记录实验波形并加以检查和判断，分析实验结果，正确撰写实验报告。 常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） （5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4 《模拟电子技术基础》教学大纲 二、课程内容 （一）课程教学目标 本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，是一门实践性极强的课程。 本课程以分立元件的基本放大电路为基础，以集成电路为主体，通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用；通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解，掌握基本电路的设计与调试方法，便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析和解决问题的能力。（二）基本教学内容 第一章、绪论 教学目的与要求： 了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和 主要性能指标。 教学重点： 放大电路的模型，放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学难点： 放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学内容： 简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍，引发学生对本课程学习的积极性。 对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。 对教材中第一章内容可不作详细讲解，待讲到相关内容时再作简要讲解。 第二章、集成电路运算放大器 教学目的与要求： 了解集成运放的主要结构，掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路，包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件－PSPICE。 教学重点： 理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。 教学难点： 对理想放大器的理解，“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。 教学内容： (1)集成电路运算放大器 了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器 正确理解理想放大器条件下，放大器的电路参数及其物理意义。 《模拟电子技术基础》题库 一、填空题 1-12（第一章） 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。 3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN 结加的是__________电压。 4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是，PN结具 有特性。 5、发射结偏置，集电结偏置，则三极管处于饱和状态。 6、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。 7、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。 8、反向电流是由载流子形成，其大小和有关，而和外加电压。 9、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。 10当温度升高时，三极管的等电极电流I ，发射结压降UBE 。 11、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。 12、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小和有关，而和 外加电压。 13-19（第二章） 13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。 14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二 级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。 15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多 级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。 16、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量_______， 使输出电阻__________。 17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。 18、晶闸管阳极和阴极间加__________，控制极加适当的__________，晶闸管才能导通。 19、在输入V2单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为V RM，负载电压为V O。20-26（第三章） 20、甲类功放的最大缺点是_______； 21、双极型三极管是控制器件，场效应管是控制器件；结型场效应管的栅源极之间 必须加偏置电压，才能正常放大工作。 22、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V，Ui2=1.98V，则该电路的差模输入电压Uid为 V，模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-
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