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Hspice电路仿真教程ppt

Spice Overview Hspice

两个

Must Rely on Sub-Models for Behavior of

Spice Overview

SPICE Simulation Algorithm -Transient

在用Spice进行电路仿真之前,应:

Hspice Hspice Hspice

HSPICE 打开一个hspice

.TITLE 语句

输入行格式

hspice仿真整理

§电路级和行为级仿真 §直流特性分析、灵敏度分析 §交流特性分析 §瞬态分析 §电路优化(优化元件参数) §温度特性分析 §噪声分析 例(Hspicenetlist for the RC network circuit): .title A SIMPLE AC RUN .OPTIONS LIST NODE POST .OP .AC DEC 10 1K 1MEG .PRINT AC V(1) V(2) I(R2) I(C1) V1 1 0 10 AC 1 R1 1 2 1K R2 2 0 1K C1 2 0 .001U .END 输出文件:一系列文本文件 ?*.ic:initial conditions for the circuit ?*.lis:text simulation output listing ?*.mt0,*.mt1…:post-processor output for MEASURE statements ?*.pa0 :subcircuit path table ?*.st0 :run-time statistics ?*.tr0 ,*.tr1…:post-processor output for transient analysis ?*.ac0,*.ac1…: post-processor output for AC analysis .TITLE 语句 .TITLE 或者: 如果是第二种形式,字符串应该是输入文件的首行;如果一个HSPICE语句出现在文件的首行,则它将被认为是标题而不被执行。 .END 语句 形式:.END 在.END语句之后的文本将被当作注释而对模拟没有影响。 分隔符 ?包括:tab键,空格,逗号,等号,括号 ?元件的属性由冒号分隔,例如M1:beta ?级别由句号指示,例如X1.A1.B 表示电路X1的子电路A1的节点B 常量 ?M-毫,p-皮,n-纳,u-微,MEG-兆,

最详细最好的Multisim仿真教程

第13章Multisim模拟电路仿真本章Multisim10电路仿真软件,讲解使用Multisim进行模拟电路仿真的基本方法。 目录 1. Multisim软件入门 2. 二极管电路 3. 基本放大电路 4. 差分放大电路 5. 负反馈放大电路 6. 集成运放信号运算和处理电路 7. 互补对称(OCL)功率放大电路 8. 信号产生和转换电路 9. 可调式三端集成直流稳压电源电路 13.1 Multisim用户界面及基本操作 13.1.1 Multisim用户界面 在众多的EDA仿真软件中,Multisim软件界面友好、功能强大、易学易用,受到电类设计开发人员的青睐。Multisim用软件方法虚拟电子元器件及仪器仪表,将元器件和仪器集合为一体,是原理图设计、电路测试的虚拟仿真软件。 Multisim来源于加拿大图像交互技术公司(Interactive Image T echnologies,简称IIT公司)推出的以Windows为基础的仿真工具,原名EWB。 IIT公司于1988年推出一个用于电子电路仿真和设计的EDA工具软件Electronics Work Bench(电子工作台,简称EWB),以界面形象直观、操作方便、分析功能强大、易学易用而得到迅速推广使用。 1996年IIT推出了EWB5.0版本,在EWB5.x版本之后,从EWB6.0版本开始,IIT对EWB进行了较大变动,名称改为Multisim(多功能仿真软件)。 IIT后被美国国家仪器(NI,National Instruments)公司收购,软件更名为NI Multisim,Multisim 经历了多个版本的升级,已经有Multisim2001、Multisim7、Multisim8、Multisim9 、Multisim10等版本,9版本之后增加了单片机和LabVIEW虚拟仪器的仿真和应用。 下面以Multisim10为例介绍其基本操作。图13.1-1是Multisim10的用户界面,包括菜单栏、标准工具栏、主工具栏、虚拟仪器工具栏、元器件工具栏、仿真按钮、状态栏、电路图编辑区等组成部分。

TSPC锁存器的设计与HSPICE仿真

IC课程设计报告 题目TSPC锁存器的设计与HSPICE仿真学院 专业 班级 学生姓名 日期

指导教师(签字) HSPICE简介 SPICE(Simulator Program with Integrated Circuit Emphasis,以集成电路为重点的模拟程序)模拟器最初于20世纪70年代在berkeley开发完成,能够求解描述晶体管、电阻、电容以及电压源等分量的非线性微分方程。SPICE 模拟器提供了许多对电路进行分析的方法,但是数字VLSI电路设计者的主要兴趣却只集中在直流分析(DC analysis)和瞬态分析(transient analysis)两种方法上,这两种分析方法能够在输入固定或实时变化的情况下对节点的电压进行预测。SPICE程序最初是使用FORTRAN语言编写的,所以SPICE就有其自身的一些相关特点,尤其是在文件格式方面与FORTRAN有很多相似之处。现在,大多数平台都可以得到免费的SPICE版本,但是,往往只有商业版本的SPICE 才就有更强的数值收敛性。尤其是HSPICE,其在工业领域的应用非常广泛,就是因为其具有很好的收敛性,能够支持最新的器件以及互连模型,同事还提供了大量的增强功能来评估和优化电路。PSPICE也是一个商业版本,但是其有面向学生的限制性免费版本。本章所有实例使用的都是HSPICE,这些实例在平台版本的SPICE中可能不能正常运行。 虽然各种SPICE模拟器的细节随着版本和操作平台的不同而各不相同,但是所有版本的SPICE都是这样工作的:读入一个输入文件,生产一个包括模拟结果、警告信息和错误信息的列表文件。因为以前输入文件经常是以打孔卡片盒的方式提供给主机的,所以人们常常称输入文件为SPICE“卡片盒(deck)”,输入文件中的每一行都是一张“卡片”。输入文件包含一个由各种组件和节点组成的网表。当然输入文件也包含了一些模拟选项、分析指令以及器件模型。网吧可以通过手工的方式输入,也可以从电路图或者CAD工具的版图(layout)中提取。 一个好的SPICE“卡片盒”就好像是一段好的软件代码,必须具有良好的可读性、可维护性以及可重用性。适当地插入一些注释和空白间隔有助于提高“卡片盒”的可读性。一般情况下,书写SPICE“卡片盒”的最好方法就是:先找一个功能完备、正确的“卡片盒”范例,然后在此基础上对其进行修改。

matlab电力电子仿真教程

MATLAB在电力电子技术中的应用 目录 MATLAB在电力电子技术中的应用 (1) MATLAB in power electronics application (2) 目录 (4) 1绪论 (6) 1.1关于MATLAB软件 (6) 1.1.1MATLAB软件是什么 (6) 1.1.2MATLAB软件的特点和基本操作窗口 (7) 1.1.3MATLAB软件的基本操作方法 (10) 1.2电力电子技术 (12) 1.3MATLAB和电力电子技术 (13) 1.4本文完成的主要内容 (14) 2MATLAB软件在电路中的应用 (15) 2.1基本电气元件 (15) 2.1.1基本电气元件简介 (15) 2.1.2如何调用基本电器元件功能模块 (17) 2.2如何简化电路的仿真模型 (19) 2.3基本电路设计方法 (19) 2.3.1电源功能模块 (19) 2.3.2典型电路设计方法 (20) 2.4常用电路设计法 (21) 2.4.1ELEMENTS模块库 (21) 2.4.2POWER ELECTRONICS模块库 (22) 2.5MATLAB中电路的数学描述法 (22) 3电力电子变流的仿真 (25) 3.1实验的意义 (25) 3.2交流-直流变流器 (25)

3.2.1单相桥式全控整流电路仿真 (26) 3.2.2三相桥式全控整流电路仿真 (38) 3.3三相交流调压器 (53) 3.3.1无中线星形联结三相交流调压器 (53) 3.3.2支路控制三角形联结三相交流调压器 (59) 3.4交流-交流变频电路仿真 (64) 3.5矩阵式整流器的仿真 (67)

(完整版)HSPICE与CADENCE仿真规范与实例..

电路模拟实验专题 实验文档

一、简介 本实验专题基于SPICE(Simulation Program With Integrated Circuit)仿真模拟,讲授电路模拟的方法和spice仿真工具的使用。 SPICE仿真器有很多版本,比如商用的PSPICE、HSPICE、SPECTRE、ELDO,免费版本的WinSPICE,Spice OPUS等等,其中HSPICE和SPECTRE功能更为强大,在集成电路设计中使用得更为广泛。因此本实验专题以HSPICE和SPECTRE作为主要的仿真工具,进行电路模拟方法和技巧的训练。 参加本实验专题的人员应具备集成电路设计基础、器件模型等相关知识。 二、Spice基本知识(2) 无论哪种spice仿真器,使用的spice语法或语句是一致的或相似的,差别只是在于形式上的不同而已,基本的原理和框架是一致的。因此这里简单介绍一下spice的基本框架,详细的spice语法可参照相关的spice教材或相应仿真器的说明文档。 首先看一个简单的例子,采用spice模拟MOS管的输出特性,对一个NMOS管进行输入输出特性直流扫描。V GS从1V变化到3V,步长为0.5V;V DS从0V变化到5V,步长为0.2V;输出以V GS为参量、I D与V DS之间关系波形图。 *Output Characteristics for NMOS M1 2 1 0 0 MNMOS w=5u l=1.0u VGS 1 0 1.0 VDS 2 0 5 .op .dc vds 0 5 .2 Vgs 1 3 0.5 .plot dc -I(vds) .probe *model .MODEL MNMOS NMOS VTO=0.7 KP=110U +LAMBDA=0.04 GAMMA=0.4 PHI=0.7 .end 描述的仿真电路如下图,

基于Matlab 的单边带调幅电路仿真

西南科技大学 专业综合设计报告 课程名称:电子专业综合设计 设计名称:基于Matlab 的单边带调幅电路仿真 姓名: 学号: 班级:电子0902 指导教师:郭峰 起止日期:2012.11.1-2012.12.30 西南科技大学信息工程学院制

专业综合设计任务书学生班级:电子0902 学生姓名:邓彪学号:20095885 设计名称:基于Matlab 的单边带调幅电路仿真 起止日期:2012.11.1-2012.12.30指导教师:郭峰 专业综合设计学生日志

专业综合设计考勤表 专业综合设计评语表

基于Matlab的单边带调幅电路仿真 一、设计目的和意义 1.加深理解模拟线性单边幅度调制(SSB)的原理。 2.熟悉MATLAB相关函数的运用。 3.掌握参数设置方法和性能分析方法。 4.掌握产生单边调幅信号的方法和解调的原理。 5.通过利用MATLAB实现单边调幅信号的调制和解调了解相干解调的重要性。 二、设计原理 1.SSB调制原理 信号的调制主要是在时域上乘上一个频率较高的载波信号,实现频率的搬移,使有用信号容易被传播。单边带调幅信号可以通过双边带调幅后经过滤波器实现。 单边带调幅方式是指仅发送调幅信号上、下边带中的一个信号。 双边带信号两个边带中的任意一个都包含了调制信号频谱的所有频谱成分,因此仅传输其中一个边带即可。这样既节省发送功率,还可节省一半传输频带,这种方式称为单边带调制。 产生单边带调幅信号的方法有:滤波法、相移法。 2. 滤波法 滤波法产生SSB信号的模型如下图所示 图2.1 滤波法调制图 LPF、HPF需要理想的形式 ,但是实际上是做不到的 ,过渡带不可能是0。 因此需要采用多级调制[6]。

TSPC锁存器的设计与HSPICE仿真设计

IC课程设计报告 题目 TSPC锁存器的设计与HSPICE仿真学院 专业 班级 学生姓名 日期 指导教师(签字)

HSPICE简介 SPICE(Simulator Program with Integrated Circuit Emphasis,以集成电路为重点的模拟程序)模拟器最初于20世纪70年代在berkeley开发完成,能够求解描述晶体管、电阻、电容以及电压源等分量的非线性微分方程。SPICE 模拟器提供了许多对电路进行分析的方法,但是数字VLSI电路设计者的主要兴趣却只集中在直流分析(DC analysis)和瞬态分析(transient analysis)两种方法上,这两种分析方法能够在输入固定或实时变化的情况下对节点的电压进行预测。SPICE程序最初是使用FORTRAN语言编写的,所以SPICE就有其自身的一些相关特点,尤其是在文件格式方面与FORTRAN有很多相似之处。现在,大多数平台都可以得到免费的SPICE版本,但是,往往只有商业版本的SPICE 才就有更强的数值收敛性。尤其是HSPICE,其在工业领域的应用非常广泛,就是因为其具有很好的收敛性,能够支持最新的器件以及互连模型,同事还提供了大量的增强功能来评估和优化电路。PSPICE也是一个商业版本,但是其有面向学生的限制性免费版本。本章所有实例使用的都是HSPICE,这些实例在平台版本的SPICE中可能不能正常运行。 虽然各种SPICE模拟器的细节随着版本和操作平台的不同而各不相同,但是所有版本的SPICE都是这样工作的:读入一个输入文件,生产一个包括模拟结果、警告信息和错误信息的列表文件。因为以前输入文件经常是以打孔卡片盒的方式提供给主机的,所以人们常常称输入文件为SPICE“卡片盒(deck)”,输入文件中的每一行都是一张“卡片”。输入文件包含一个由各种组件和节点组成的网表。当然输入文件也包含了一些模拟选项、分析指令以及器件模型。网吧可以通过手工的方式输入,也可以从电路图或者CAD工具的版图(layout)中提取。 一个好的SPICE“卡片盒”就好像是一段好的软件代码,必须具有良好的可读性、可维护性以及可重用性。适当地插入一些注释和空白间隔有助于提高“卡片盒”的可读性。一般情况下,书写SPICE“卡片盒”的最好方法就是:先找一个功能完备、正确的“卡片盒”范例,然后在此基础上对其进行修改。 二、要与要求 在两相时钟技术中,必须十分小心的对两个时钟信号进行布线以保证它们的

基于Matlab_Simulink的电工学电路仿真

信息科学 基于Matlab/Sim ulink的电工学电路仿真 朱霞清 (山东英才学院机械制造及其自动化工程学院,山东济南250104) 引言 目前,《电工学》课程所涉及的理论和技术应用十分广泛,发展迅速,并且日益渗透到其他学科领域,在我国社会主义现代化建设中具有重要的作用。《电工学》课程是高等学校工程类专业的一门技术基础课程,是我校面向机械制造、电气自动化、计算机信息技术、建筑工程等工科类专业开设的一门技术基础课程。这门课程知识覆盖面广,理论严密,逻辑性强,且有广阔的工程背景,其教学内容中有许多教学难点过于抽象,用传统的教学模式教师无法讲解清楚,学生也难以理解和接受。因此在电工学的教学过程中可以借助其他方式来加强教学效果。Matlab由于其本身具有的特点成为电类课程教学中的一个重要的工具。 1MA IAB简介 M ATLAB是Matrix Laboratory的缩写,其核心是一个基于矩阵运算的快速解释程序,它以交互式接受用户输入的各项指令,输出计算结果,它提供了一个开放式的集成环境,用户可以运行系统提供的大量的命令,包括数值计算和图形绘制等。Simulink是基于M ATLAB语言环境下的一个集成软件包,具有框图界面和交互仿真功能的动态系统建模、仿真和综合分析等功能。Simulink处理的系统包括:线性、非线性系统,离散、连续及混合系统,单任务、多任务离散事件系统,用户只需在Simulink提供的图形用户界面GUI上,对所需要的系统模块进行鼠标的简单拖拉操作,就可构造出复杂的仿真和分析模型。 M ATLAB提供很多工具箱,以MATLAB6.5为例,在电工学CAI中,分析和计算所要用到的Simulink工具库模块库集主要有: (1)Simulink库集;(2)PowerSystems库集(PSB);(3)Extra Simulink库集。 2电工学电路的仿真 2.1直流电路求解 利用Matlab分析电路时,应该首先对电路进行分析,列出电流方程和电压方程,然后将方程用矩阵形式表示,最后用Matlab求解矩阵的方法得到所求电流和电压。 如图所示,已知,,, ,,采用支路电流法列写支路电流方程和回路电压方程。 列出方程为: 上面这个三元一次方程组可以改写为下 面矩阵的形式 定义上面这个方程最左边这个矩阵为系 数矩阵A,第二个矩阵为电流矩阵I,右边这个矩 阵为U,因此可得到A.I=U,所以电流矩阵 I=A-1U。可在matlab窗口键入如下指令: <

Multisim数字电路仿真快速上手教程

Multisim快速上手教程 每一次数电实验都要疯了有木有!!!全是线!!!全是线!!!还都长得要命!!!完全没地方收拾啊!!!现在数电实验还要求做开放实验,还要求最好先仿真!!!从来没听说过仿真是个什么玩意儿的怎么破!!! 以下内容为本人使用仿真软件的一些心路历程,可供参考。 所谓仿真,以我的理解,就是利用计算机强大的计算能力,结合相应的电路原理(姑且理解为KVL+KCL)来对电路各时刻的状态求解然后输出的过程。相较于模拟电路,数字电路的仿真轻松许多,因为基本上都转化为逻辑关系的组合了。有人用minecraft来做数字电路,都到了做出8bitCPU的水平(https://www.doczj.com/doc/7c3496520.html,/v_show/id_XMjgwNzU5MDUy.html、https://www.doczj.com/doc/7c3496520.html,/v_show/id_XNjEwNTExODI4.html)。这个很神奇。 以下进入正文 首先,下载Multisim安装程序。具体链接就不再这里给出了(毕竟是和$蟹$版的软件),可以到BT站里搜索,有一个Multisim 12是我发的,里面有详细的安装说明,照着弄就没问题了。 好,现在已经安装上Multisim 12了。 然后运行,在Circuit Design Suite12.0里,有一个multisim,单击运行。 进去之后就是这样的。 那一大块白的地方就是可以放置元件的地方。 现在来以一个简单的数字逻辑电路为例:

菜单栏下一排是这些东西,划线的是数字电路仿真主要用得上的元件。 来个7400吧 点击TTL那个图标(就是圈里左边那个)。出来这样一个东西: 红圈里输入7400就出来了,也可以一个一个看,注意右边“函数”栏目下写的“QUAD 2-INPUT NAND”即是“四个双输入与非门”的意思。 点击确认,放置元件。 A、B、C、D在这里指一块7400里的四个双输入与非门,点击即可放置。 看起来很和谐,那就做个RS触发器吧。 这里输出用的是一种虚拟器件PROBE,在Indicators组,图标就是个数码管的那个。功能相当于实验箱上那些LED,也是高电平就点亮。元件旋转方向的方法是选中元件然后按Ctrl+R(otate)。还可以选中元件后点击右键,选择“水平翻转”等。

光伏发电的MATLAB仿真教程文件

一、实验过程记录 1.画出实验接线图 图1 实验接线图 图2 光伏电池板图3 实验接线实物图 2.实验过程记录与分析 (1)给出实验的详细步骤 ○1实验前根据指导书要求完成预习报告 ○2按预习报告设计的实习步骤,利用MATLAB建立光伏数学模型,如下图4所示。

图4 光伏电池模型其中PV Array模块里子模块如下图5所示。 图5 PV Array模型其中Iph,Uoc,Io,Vt子模块如下图6-9所示。 图6Iph子模块

图7Uoc子模块 图8 Io子模块 图9Vt子模块 ○3在光伏电池建模的基础上,输入实际光伏电池参数值,研究不同光照强度下、不同温度下光伏电池的I-V、P-V特性曲线,并得出结论。 ○4设计光伏电池测试平台,在不同光照、温度情况下测试光伏电池输出电压、输出电流值,对实测数据进行处理并加以分析,记录实际光伏电池的I-V、P-V特性曲线,与仿真结果进行对比,得出有意义的结论。 ○5确定电力变换电路拓扑结构,设计电路中的相关参数值,通过MATLAB搭建电路并仿真分析,搭建电路如图10所示。

图10离网型光伏发电系统 ○6确定系统MPPT控制策略,建立MPPT模块仿真模型,并仿真分析。 系统联调,调节离网型光伏发电系统的电路和控制参数值,仿真并分析最大功率跟踪控制效果。 (2)记录实验数据 表1当T=290K时S=1305W/时的测试数据 表2当T=287K时S=1305W/时的测试数据 表3当T=287K时S=1278W/时的测试数据

二、实验结果处理与分析 1.实验数据的整理和选择 使用MATLAB软件其中的simulink工具进行模型的搭建。再对其进行仿真,得到仿真曲线。使用Excel表格输入实验所测得U、I、P,在对其自动生成I-V,P-V曲线。 2.绘制不同光照强度下、不同温度下光伏电池的I-V、P-V特性曲线; 图11 I-V曲线图12 P-V曲线 当T=290K时S=1305W/时的测拟合曲线 图13 I-V曲线图14 P-V曲线 当T=287K时S=1305W/时的拟合曲线

电路原理图设计及Hspice仿真

电路原理图设计及Hspice仿真 实验报告 学生姓名: 学号: 指导老师: 实验内容: 用EDP原理图设计软件设计出两级运算放大器的电路图 用Hspice软件完成此两级运算放大器的仿真 实验地点:***实验室 实验时间:2009年9月——2009年12月

实验任务: 根据运算放大器的设计要求(单位增益带宽、相位裕量、输入等效噪声、功耗等),选择电路结构,详细分析了CMOS 运算放大器的所有性能参数,使用Level one 模型进行手工计算,设计出器件的几何尺寸,最后通过Hspice 仿真软件给出了性能指标的仿真结果。 实验思路: 两级运放可以同时实现较高增益和较大输出摆幅,其设计思路是将增益和摆幅要求分别处理,而不是在同一级中兼顾增益与摆幅。即运用第一级放大器得到高增益,可以牺牲摆幅,第二级放大器主要实现大输出摆幅,以补偿第一级牺牲的摆幅,并进一步提升增益,从而克服了单级运放增益与摆幅之间的矛盾,同时实现高增益和大摆幅。 实验指标: 开环增益≥80DB; 共模抑制比≥60DB; 相位裕度≥60°; 实验步骤: 一、用EDP原理图设计软件设计两级运算放大器的电路图,电路图如图一所示: 图一:CMOS两级运算放大器电路图 1、电路工作原理: 信号由差分对管两端输入,差模电压被转化为差模电流,差模电流作用在电流镜负载上又转化成差模电压,信号电压被第一次放大后被转化为单端输出,随即进入共源级再一次被放大后从漏端输出。电路特点是通过两级结构可以同时满足增益和输出摆幅的要求,即第一级提供高增益,可以牺牲摆幅,第二级弥补摆幅,同时进一步增大增益。 2、电路主体结构 由两个两个单级放大器构成,分别是:差分输入级和共源增益级。辅助电路为偏置电路和频率补偿电路。差分输入级采用PMOS 输入对管,NMOS 电流镜负载;共源级采用NMOS 放大管,PMOS 负载管;由六个MOS 管和一个电阻构成的电流源为两级放大电路提供偏置,另外还为频率补偿MOS 管提供偏压;一个NMOS 管和一个电容构成频率补偿电路,连接在共源级的输入输出之间作为密勒补偿。图一中分别命名为M1到M13。

电路仿真课程设计

电路仿真课程设计 设计题目:基于Multisim 的并联谐振电路的仿真分析姓名:李浩 指导老师:李勇峰 专业班级: 2011应用电子班 实验时间 2014年7月6日 2014年7月6日

基于Multisim 的并联谐振电路的仿真分析 1 并联谐振电路的理论分析 串联谐振电路适用于信号源内阻等于零或很小的情况,如果信号源内阻很大,将严重降低回路的品质因数,使选择性显著变差,此时必须采用并联谐振电路。LC 并联电路如图1所示,它由信号源、电感、电容并联组成,R 1 是线圈 L 1的直流损耗电阻,R 1 =1Ω,C 1 = 1μf,L 1 = 10 mH,电流源频率为1591 Hz( 并 联谐振电路只适用于高内阻信号源,电感线圈与电容并联的谐振频率不仅与L,C 有关,而且与损耗电阻有关。相同的电感线圈和电容组成的并联电路的谐振频率小于其串联电路的谐振频率。根据理论公式计算出它的谐振频率为1591 Hz,所以图1中电流源的频率为1 591 Hz) ,电流峰值为10 mA( 有效值为7. 07 mA) ,LC 并联谐振电路两端和电流源相连。电路的等效阻抗为 图1 LC 并联谐振电路 通常要求线圈电阻很小,发生谐振时,ωL>>R,则式( 1) 可写成 LC 并联电路的谐振条件可简化为

则有 或 并联谐振电路有以下特征: 1) 发生并联谐振时,信号源电压与总电流I 0相位相同,L C 并联电路对电源 呈现出纯电阻特性,即谐振阻抗| Z | 相当于一个纯电阻, 图1 所示电路中发生并联谐振时,|Z | = 10 kΩ。阻抗值由电路参数决定,与电源频率无关。 2) 发生并联谐振时,并联的2 条支路的电流是总电流I 0的Q 倍,即Ic = I L = QI 0,不过,I c和I L 的相位相反,总电流I 与非谐振时相比达到最小值。因此, 并联谐振又称为电流谐振。 3) 并联谐振电路的特性阻抗ρ和品质因数Q。Q 的定义为发生谐振时线圈的感抗( 或电容的容抗) 与电阻R的比值,即 从图1 所示的电路参数可计算出该谐振电路的特性阻抗ρ = 100 Ω,品质因数Q = 102,Q 的大小取决于电路的参数,Q 值越大( 在L 和C 值不变时,R值越小) ,谐振时电路的阻抗| Z | 也越大。4) 由于阻抗在谐振时最大,在LC 并联电路两端产生的电压也最大。 并联谐振要求电源的内阻越大越好。在无线电工程和电子技术中,正是利用并联谐振回路的阻抗高、产生的电压也最大等特点选择所需的信号或消除干扰的。但

完整版HSPICE与CADENCE仿真规范与实例

电路模拟实验专题 实验文档 一、简介 Simulation Program With Integrated Circuit)仿真模拟,SPICE(本实验专题基于讲授电路模拟的方法和spice仿真工具的使用。 SPICE仿真器有很多版本,比如商用的PSPICE、HSPICE、SPECTRE、ELDO,免费版本的WinSPICE,Spice OPUS等等,其中HSPICE和SPECTRE功能更为强大,在集成电路设计中使用得更为广泛。因此本实验专题以HSPICE和SPECTRE作为主要的仿真工具,进行电路模拟方法和技巧的训练。 参加本实验专题的人员应具备集成电路设计基础、器件模型等相关知识。 二、Spice基本知识(2) 无论哪种spice仿真器,使用的spice语法或语句是一致的或相似的,差别只是在于形式上的不同而已,基本的原理和框架是一致的。因此这里简单介绍一下spice的基本框架,详细的spice 语法可参照相关的spice教材或相应仿真器的说明文档。

首先看一个简单的例子,采用spice模拟MOS管的输出特性,对一个NMOS管进行输入输出特性直流扫描。V从1V变化到3V,步长为0.5V;V从0V变化到5V,步长为DSGS0.2V;输出以V为参量、I与V之间关系波形图。DSGSD *Output Characteristics for NMOS M1 2 1 0 0 MNMOS w=5u l=1.0u VGS 1 0 1.0 VDS 2 0 5 .op .dc vds 0 5 .2 Vgs 1 3 0.5 .plot dc -I(vds) .probe *model .MODEL MNMOS NMOS VTO=0.7 KP=110U +LAMBDA=0.04 GAMMA=0.4 PHI=0.7 .end 描述的仿真电路如下图, 图2-1 MOS管输入输入特性仿真电路图 得到的仿真波形图如下图。 程序中可以知道spice电路描述的主要组成部分。从这个简单的spice 标题和电路结束语句(1)在输入的电路描述语句中输入的第一条语句必须是标题语句,最后一条必须是结束语句。在本例中, ←标题*Output Characteristics for NMOS ……. ……结束语句←.end 2电路描述语句)(器件模型等描述,另激励源、电路描述语句描述电路的组成和连接关系,包括元器件、外,如果电路是层次化的,即包含子电路,电路描述部分还包括子电路描述(。).subckt元器采用不同的关键字作为元件名的第一个字母,要根据类型,在描述元器件时,NMOS件关键字见下表。如本例中,管的描述为:M1 2 1 0 0 MNMOS w=5u l=1.0u 表示的意思为: 元器件关键字x D G S B 模型名宽=xx 长=xx 其中D:漏结点;G:栅结点;S:源结点;B:衬底结点。

最详细最好的multisim仿真教程

最详细最好的multisim仿真教程第13章 Multisim模拟电路仿真 本章Multisim10电路仿真软件,讲解使用Multisim进行模拟电路仿真的基本方法。目录 1. Multisim软件入门 2. 二极管电路 3. 基本放大电路 4. 差分放大电路 5. 负反馈放大电路 6. 集成运放信号运算和处理电路 7. 互补对称(OCL)功率放大电路 8. 信号产生和转换电路 9. 可调式三端集成直流稳压电源电路 13.1 Multisim用户界面及基本操作 13.1.1 Multisim用户界面 在众多的EDA仿真软件中,Multisim软件界面友好、功能强大、易学易用,受到电类设计开发人员的青睐。Multisim用软件方法虚拟电子元器件及仪器仪表,将元器件和仪器集合为一体,是原理图设计、电路测试的虚拟仿真软件。 Multisim来源于加拿大图像交互技术公司(Interactive Image Technologies,简称IIT公司)推出的以Windows为基础的仿真工具,原名EWB。 IIT公司于1988年推出一个用于电子电路仿真和设计的EDA工具软件Electronics Work Bench(电子工作台,简称EWB),以界面形象直观、操作方便、分析功能强大、易学易用而得到迅速推广使用。

1996年IIT推出了EWB5.0版本,在EWB5.x版本之后,从EWB6.0版本开始,IIT对EWB进行了较大变动,名称改为Multisim(多功能仿真软件)。 IIT后被美国国家仪器(NI,National Instruments)公司收购,软件更名为NI Multisim,Multisim经历了多个版本的升级,已经有Multisim2001、 Multisim7、 Multisim8、Multisim9 、Multisim10等版本,9版本之后增加了单片机和LabVIEW虚拟仪器的仿真和应用。 下面以Multisim10为例介绍其基本操作。图13.1-1是Multisim10的用户界面,包括菜单栏、标准工具栏、主工具栏、虚拟仪器工具栏、元器件工具栏、仿真按钮、状态栏、电路图编辑区等组成部分。 图13.1-1 Multisim10用户界面 菜单栏与Windows应用程序相似,如图13.1-2所示。

三相桥式全控整流及逆变电路matlab仿真

电力电子技术课程设计 系别:自动化系 专业:自动化 班级:1120393 小组成员:费学智(25)薛阳(43) 指导老师:周敏 日期:2013年12月13日

目录 1.简要背景概述 (3) 2.工作原理介绍 (3) 3.主电路设计 (4) 4. simulink仿真系统设计 (5) 5.仿真结果分析 (7) 6.总结(收获与体会) (17) 7参考文献 (17)

一简要背景概述 随着社会生产和科学技术的发展,整流电路在自动控制系统、测量系统和发电机励磁系统等领域的应用日益广泛。常用的三相整流电路有三相桥式不可控整流电路、三相桥式半控整流电路和三相桥式全控整流电路。三相全控整流电路的整流负载容量较大,输出直流电压脉动较小,是目前应用最为广泛的整流电路。它是由半波整流电路发展而来的。由一组共阴极的三相半波可控整流电路和一组共阳极接法的晶闸管串联而成。六个晶闸管分别由按一定规律的脉冲触发导通,来实现对三相交流电的整流,当改变晶闸管的触发角时,相应的输出电压平均值也会改变,从而得到不同的输出。由于整流电路涉及到交流信号、直流信号以及触发信号,同时包含晶闸管、电容、电感、电阻等多种元件,采用常规电路分析方法显得相当繁琐,高压情况下实验也难顺利进行。Matlab提供的可视化仿真工具Simulink可直接建立电路仿真模型,随意改变仿真参数,并且立即可得到任意的仿真结果,直观性强,进一步省去了编程的步骤。本文利用Simulink对三相桥式全控整流电路进行建模,对不同控制角、桥故障情况下进行了仿真分析,既进一步加深了三相桥式全控整流电路的理论,同时也为现代电力电子实验教学奠定良好的实验基础。 三相桥式全控整流电路以及三相桥式全控逆变电路在现代电力电子技术中具有很重要的作用和很广泛的应用。这里结合全控整流电路以及全控逆变电路理论基础,采用Matlab 的仿真工具Simulink对三相桥式全控整流电路和三相桥式全控逆变电路进行仿真,对输出参数进行仿真及验证,进一步了解三相桥式全控整流电路和三相桥式全控逆变电路的工作原理。 二工作原理介绍 一般变压器一次侧接成三角型,二次侧接成星型,晶闸管分共阴极和共阳极。一般1、3、5为共阴极,2、4、6为共阳极。 (1)2管同时通形成供电回路,其中共阴极组和共阳极组各1,且不能为同1相器件。 (2)对触发脉冲的要求: 1)按VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6的顺序,相位依次差60?。 2)共阴极组VT1、VT3、VT5的脉冲依次差120?,共阳极组VT4、VT6 、 VT2也依次差120?。 3)同一相的上下两个桥臂,即VT1与VT4,VT3与VT6,VT5与VT2,脉冲相差180?。 (3)Ud一周期脉动6次,每次脉动的波形都一样,故该电路为6脉波整流电路。(4)需保证同时导通的2个晶闸管均有脉冲,可采用两种方法:一种是宽脉冲触发一种是双脉冲触发(常用) (5)晶闸管承受的电压波形与三相半波时相同,晶闸管承受最大正、反向电压的关系也相同。

Hspice 常见si仿真子电路集锦

Hspice常见子电路集锦 TDR_differential source: .subcktTDR_SOURCE+Ro+Cable D+_SOURCE D-_SOURCE Vin1 1 0 pulse(0 1 0 100e-12) *positive source voltage Rin1 1 2 50 * positive source voltage internal resistance T1 2 0 D+_SOURCE 0 Zo=50 Td=200e-12 *TDR positive port 50ohm cable Vin2 4 0 pulse(0 -1 0 100e-12) *negative source voltage Rin2 4 5 50 * negative source voltage internal resistance T2 5 0 D-_SOURCE 0 Zo=50 Td=200e-12 *TDR negative port 50ohm cable .ends * TDR_differential termination .subcktTDR_Termination_R D+_T_R D-_T_R RD+ D+_T_R 0 50 RD- D-_T_R 0 50 .ends 统计眼图分析步骤: *Incident port definitions p1tx_in+ tx_in- 0 port=1 p2 in 0 port=2 Probe port definitions p3rxout+ rxout- 0 port=3 p4 out 0 port=4 Analysis statement .stateye T = 400p trf=20p + incident_Port= 1, 2 + probe_port = 3, 4 + Rj = 5p, 5p, 2p, 2p tran_init = 50 + T_resolution = 300 V_resolution = 300 Print, probe, and measure statements .print stateyeeye(4) .print stateyeber(3) .print stateyebathtubV(3, 0.9) .print stateyebathtubT(4, 1n) .probe stateyeeye(4) .probe stateyeber(3) .probe stateyebathtubV(3, 0.9)

hspice si仿真:package model的那些事儿

package model的那些事儿(全文完) 来源:https://www.doczj.com/doc/7c3496520.html,/bbs/thread-3185-1-1.html 写在前面的废话: 最近一直在捣鼓着IBIS5.0的spec,希望能在里面挖点金子出来,这不,一下子瞅见了眼生的[package model],于是乎,对它产生了很大的兴趣。以前在仿真中关于package一般只调用模型的[package]参数,或者[PIN]里面的参数,但是从来没用过[package model]这个东东,更何况在大多数IBIS模型里难觅它的踪影。为了一睹它的芳容,我们就来讲述下它的故事。 首先感谢下Triton版主的大力帮忙,Triton版主是个新好男人,耐心细致,哈哈。另外本文仅仅为个人学习总结,水平有限,文中难免会有错误之处,还请各位童鞋们和大侠们不吝赐教,多谢关注。 最后声明本文由作者亲作,如有雷同,实属荣幸,请需要转的童鞋务必注明来自https://www.doczj.com/doc/7c3496520.html,论坛。 好了,废话结束,也不知道大家对这个话题有没有热情,要是大家都感兴趣的话就准备开掰。 ——阿笨2012.1.6 先给个概要: 1. [package] [pin] [package model]的“爱恨情仇” 2. [package model]的自述 3. 用hspice调用package参数的区别 1. [package] [pin] [package model]的“爱恨情仇” 那我们就从[package]说起吧,首先来一段[package]的示例,图1 再来看一张[package]的介绍,图2

从图片中我们可以看出关于[package]的作用,它是定义关于R_pkg,L_pkg, C_pkg参数的一个字段,这里定义的参数是一个笼统的数,为什么说它是笼统的呢,是因为它只有一组数就把器件所有的PIN脚都包括了,这显然是为了图省事嘛,人家双胞胎生出来还有差异呢,凭啥你说这么多PIN脚的寄生参数都一样呢,这种参数模型仿出来的结果肯定和实际情况差的有点远。一般大的IC厂家都不会只弄这么一组数来忽悠客户的,这样也太砸自己的招牌了。于是乎,[pin]字段闪亮登场了。 按照惯例,先来看一张[pin]字段的例子,图3 接着看一下[pin]字段的introduction,图4 上图的描述里我们可以看出[pin]字段不仅仅描述了每个PIN脚的package参数,同时也描述了管脚的编号,管脚的信号名称,管脚的模型名称,包含的内容还是蛮多的。由于[PIN]字段里的package信号具体到了每个管脚,不像[package]一组数据打天下,所以用它仿真出来的结果还算勉勉强强接近实际,所以大家看到的ibis模型里既有[package]字段数据,又有[pin]字段数据的比较多。刚才说到为什么[pin]字段仿真出来的结果是勉勉强强接近实际呢,这是因为[pin]字段和[package]字段一样,仅仅用一阶的RLC电路来描述整个package的特性,可能在频率不太高的情况下可以做个参考,但是到了高频后这显然是不够的,PIN与PIN之间的耦合信息,IC内部的bondwire信息等等全部没有。有人会说用3D全波电磁场建模可以解决问题,当然能这么做是最好了,可惜往往事与愿违,package的3D模型不是每个厂家都能提供的。而让手头仅有的资源发挥出最大的作用是我们可以做的事情,同时ibis模型也祭出了绝招,那就是[package model]!!! 这次我们不给示例,先看下[package model]在IBIS5.0的spec里的说明,图5 大家看到这个说明几句话就结束了,都没看明白写的啥意思是吧,咱们暂时先不急,关于[package model]的内容我们第2章在来详细说明,接下来我们该说说[package] [pin] [package model]的“爱恨情仇”了。

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