第4章内存
主要内容：
1.内存的种类
2.内存的结构
3.内存的封装
4.内存的主要技术指标
5.内存的编号识别
6.主流内存的介绍
7.内存的选购
8.内存的使用与维护
9.动手实践
10.内存的改造
内存是冯诺依曼体系结构计算机中的重要组成部分之一，它是计算机记忆中心，用来存放当前计算机运行的程序和数据。提高内存容量是加速计算机速度比较显著的手段之一。虽然如今在计算机中的整机价格中，内存只占一小部分，但是内存质量的好坏对计算机的稳定运行却起着重要的作用。
计算机中，CPU只能和内存直接交换数据，而不能与硬盘、光盘等进行直接数据交换，所以，如果要使用硬盘中的数据，必须先调入内存，CPU方可直接访问。内存的容量和速度对计算机系统的整体性能有着至关重要的作用。目前计算机系统通常采用分级存储结构，由内存、外存构成多级存储系统。内存又主存或主存储器，而外存又称辅助存储器。
4.1内存的种类
按内存的接口形式，内存共有两种：单列直插内存(SIMM)和双列直插内存(DIMM)，它们的主要区别在于速度和引脚(pin，俗称“线”)。
SIMM内存分为30引脚和72引脚两种。DIMM内存与SIMM内存的引脚数不同，分别增加到168引脚(SDRAM)、184引脚 (DDR)和240引脚(DDRII)。DIMM可单条使用，不同容量可混合使用，而SIMM必须成对使用。经过长期的发展，早期的SIMM内存已经完全被淘汰，目前市场上主流的只有168引脚的SDRAM、184引脚的DDR SDRAM和240引脚的DDRⅡ内存，DDRⅢ内存也正在快速发展，将来也会逐渐普及内存市场。
按工作原理的不同，内存又可分为随机存储器和只读存储器。
随机存储器(Random Access Memory,RAM)是一种既能存又能取的存储器。CPU从RAM中读指令和数据，处理完的结果也要首先存入RAM中。RAM是一块由成千上万的MOS管构成的超大规模集成电路。当系统电源关闭时RAM中的数据就会随之消失。RAM又可是Dynamic RAM(DRAM，动态随机存取存储器)和Static RAM(SRAM，静态随机存储器)。由于DRAM 具有集成度高、结构简单、功耗低、生产成本低等特点，主要用于计算机的主存储器和显示存储器。而SRAM相对比较复杂、集成度低、造价高、速度快，所以一般多用于高速小容量存储器Cache。
只读存储器(Read Only Memory,ROM)只能读出原有的内容，而不能写入新内容，原有内容由厂家一次性写入，并永久保存下来，当然是非易失的。ROM也是由MOS管构成的，MOS要么断开，要么闭合，不需要电源驱动，故当电源断开时信息也不会丢失。在计算机里的BIOS就是ROM存储器。
按其工作方式，内存又有FPM、EDO、SDRAM以及RDRAM等形式。FPM、EDO等已经退出了历史舞台，现在比较常见的内存总的来说有SDRAM和RDRAM两大类。根据技术细节及性能的不同SDRAM又可以分为SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM和DDR3 SDRAM 4种。
SDRAM（Synchronous DRAM）SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。
与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。
图4.1 内存
DDR SDRAM严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR 内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
图4.2 内存
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
DDR2 SDRAM内存是相对于现在主流的DDR SDRAM内存而言的，它的工作时钟周期为400MHz或更高。DDR2内存颗粒采用0.13um工艺制造，容量为18MB/36MB/72MB，最大为288MB，字节架构为×8、×18、×36，读取反应时间为2.5个时钟周期。通过将DLL(delay-locked loop，延时锁定回路)设计到内存中，输出的数据效率提升65%左右。DDR2数据传送方式为每周期32个字节，并且可以随工作的提升达到更高性能。其工作频率目前已有400MHz(4.8GB/s带宽) 、533MHz(5.6GB/s带宽) 、667MHz(6.4GB/s带宽)3种。所有的DDR2内存均在1.8V电压下工作，单条容量至少有512MB。DDR2针脚数量有200线、220 线、240线FBGA封装形式之分，与现在DDR内存不相容。
图 4.3
DDR3 SDRAM DDR3显存可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V 标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外，DDR3显存采用了“Pseud o Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency
为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5。客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显：
(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
图4.4
RDRAM（Rambus DRAM）是由Intel最早提出并应用在PC平台上的。它是最主要的工作原理是依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量由于有超高的频率（通常为300MHz 和400MHz），又由于它的行地址与列地址寻址总线是各自分离的独立总线，因而最大传输率达到3.2GB/s。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。
RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。
普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，
以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。
4.2内存的结构
内存经过了EDO 、SDRAM 的发展，现在已经全面进入DDR 的时代。内存结构中比较重要的部件PCB 板、金手指、内存芯片、内存颗粒空位、电容、电阻、内存固定卡缺口、内存脚缺口和SPD 。其硬件结构如图：
图4.5 硬件结构图
PCB 板
如今内存条的PCB 板设计都很精密，所以都采用了多层设计，例如4层或6层，因此PCB 板实际上是分层的其内部也有金属的布线。理论上6层比4层的通气性好，性能也比较稳定，所以名牌内存多采用6层PCB 板制造。
金手指
金手指（connecting finger ）是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。
内存芯片
内存芯片（通常称为内存颗粒）是内存的灵魂所在，内存的性能、速度、容量都是由内存芯片决定的。如今市场上有许多种类的内存，但内存颗粒的型号并不多，常见的有HY 、KINGMAX 、WINBOND 、Kingston 、TOSHIBA 、SEC 、MT 和Apacer 等。
内存处理单元的所有数据流、电子流正是通过金手指与内存插槽的接触与PC 系统进行交换，是内存的输出输入端口，因此其制作工艺对于内存连接显得相当重要。
内存颗粒空位
在内存条上常看到这样的空位，这是因为采用封装模式预留了一片内存芯片为其他采用这种封装模式的内存条使用。
电容电阻
内存上的电容和电阻是为了消除干扰信号，起到滤波的作用。
内存固定卡缺口
内存插到主板上主板上的内存插槽会有两个夹子牢固地扣住内存，这个缺口便是用于固定内存用的。
内存脚缺口
内存脚上的缺口主要是用来防止内存插反用的；还有可以区分不同的内存，比如以前的SDRAM 内存条有两个缺口，而DDR 只有一个缺口。
内存脚缺口 SPD 芯片
PCB 板
内存芯片空位 金手指 内内存芯
片 内存固定卡缺口
电容电阻
SPD
SPD（Serial Presence Detect，串行存在检测）是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦写可编程只读存储器）芯片。它一般位于内存条正面的右侧（如图1），采用SOIC封装形式，容量为256字节（Byte）。SPD芯片内记录了该内存的许多重要信息，诸如内存的芯片类型及模组厂商名称、工作频率、工作电压、工作速度、单片容量、电压与行、生产日期、列地址带宽等参数。SPD信息一般都是在出厂前，由内存模组制造商根据内存芯片的实际性能写入到ROM芯片中。
4.3内存的封装
从DIP封到BGA封装芯片的封装技术种类实在是多种多样，诸如DIP，PQFP, TSOP, TSSOP, PGA, BGA, QFP, TQFP, QSOP, SOIC, SOJ, PLCC, WAFERS......一系列名称看上去都十分繁杂，其实，只要弄清芯片封装发展的历程也就不难理解了。芯片的封装技术已经历经好几代的变迁，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等，都是看得见的变化。
20世纪70年代时，芯片封装流行的还是双列直插封装，简称DIP(Dual ln-line Package)。DIP封装在当时具有适合PCB（印刷电路板）的穿孔安装，具有比TO型封装易于对PCB布线以及操作较为方便等一些特点，其封装的结构形式也很多，包括多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP等等。但是衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。比如一颗采用40根I / O引脚塑料双列直插式封装(PDIP)的芯片为例，其芯片面积/封装面积=（3 x3）/（15．24 x 50）=1：86，离l相差很远。不难看出，这种封装尺寸远比芯片大不少，说明封装效率很低，占去了很多有效安装面积。
到了80年代出现的内存第二代封装技术以TSOP为代表，它很快为业界所普遍采用，到目前为止还保持着内存封装的主流地位。TSOP是英文Thin Small Outline Package的缩写，意即薄型小尺寸封装。TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚，如SDRAM内存的集成电路两侧都有引脚，SGRAM内存的集成电路四面都有引脚。TSOP适合用SMT技术（表面安装技术）在PCB（印制电路板）上安装布线。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动) 减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。改进的TSOP技术目前广泛应用于SDRAM内存的制造上，不少知名内存制造商如三星、现代、Kingston等目前都在采用这项技术进行内存封装。
20世纪90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，芯片集成度不断提高，I / O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为满足发展的需要，在原有封装方式的基础上，又增添了新的方式一一球栅阵列封装，简称BGA（Ball Grid Array Package）。BGA封装技术已经在笔记本电脑的内存、主板芯片组等大规模集成电路的封装领域得到了广泛的应用。比如我们所熟知的Intel BX、VIA MVP3芯片组以及SODIMM等都是采用这一封装技术的产品。
BGA 封装技术有这样一些特点：I / O引脚数虽然增多，但引脚间距并不小，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。不过BGA封装仍然存在着占用基板面积较大的问题。
随着以CPU为主的计算机系统性能的总体大幅度提升趋势，人们对于内存的品质和性能要求也日趋苛刻。为此，人们要求内存封装更加紧致，以适应大容量的内存芯片，同时也要求内存封装的散热性能更好，以适应越来越快的核心频率。毫无疑问的是，进展不太大的
TSOP等内存封装技术也越来越不适用于高频、高速的新一代内存的封装需求，新的内存封装技术也应运而生了。采用BGA新技术封装的内存，可以使所有计算机中的DRAM内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
在BGA技术开始推广的同时，另外一种从BGA发展来的CSP封装技术正在逐渐展现它生力军本色。CSP，全称为Chip Scale Package，即芯片级封装的意思。作为新一代的芯片封装技术，在BGA、TSOP的基础上，CSP的性能又有了长足的飞跃。
CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的芯片，从而增大单条容量。也就是说，与BGA
封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度的提高。
不少DRAM厂商都表示，虽然目前DDR266或DDR200很多还采用TSOP封装技术，但自DDR333开始如再使用传统SDRAM的TSOP封装的话，在量产良品率上势必会出现极大问题，因此如需将规格向上提高到DDR333，则需将封装方式改采为CSP封装才有机会(不过不会是BGA封装)。据了解，目前DRAM颗粒厂如采用0.175微米制程来制造DDR333颗粒，良品率上最多仅能达到20%(原因在于0.175微米制程是用来制造DDR266)，但如将制程提升至0.15微米甚至0.13微米，用来制造DDR333颗粒，其良率将可高达70%～80%。对于DRAM颗粒厂商而言，在制造一颗DDR266与DDR333时所耗费成本几乎是相差不大，因此使用CSP封装的高性能内存是大势所趋。目前，国内的内存生产商中NORCENT（宏盛）开发的“Micro-CSP”技术走在了业界CSP封装技术的前列。NORCENT Micro-CSP 的SDRA模块，应用了倒装焊技术，与相同的模块空间TSOP封装比，它可以很容易的将内存容量增加为四倍以上。NORCENT MICRO CSP的电气性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相当的提高。在相同的芯片面积下NORCENT MICRO CSP所能达到的引脚数明显的要比TSOP、BGA引脚数多的多（TSOP最多304根，BGA以600根为限CSP原则上制造1000根不难），这样它可支持I / O端口的数就增加了很多。此外，NORCENT Micro CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效的缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得NORCENT Micro CSP的存取时间比BGA改善15%－20%。
在NORCENT Micro-CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去；而传统的TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热就相对困难。同时，CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻40℃/W。测试结果显示，运用NORCENT Micro-CSP封装的内存可使传导到PCB板上的热量能高达88.4%，而TSOP内存中传导到PCB板上的热量能为71.3%。另外由于NORCENT Micro-CSP芯片结构紧凑，电路冗余度低，因此它也省去了很多不必要的电功率消耗，致使芯片耗电量和工作温度相对降低；同时，宏盛的NORCENT Micro-CSP内存芯片还省却了陶瓷"保温层"，几乎“全裸”，使得它比普通BGA内存芯片工作温度低了平均3℃左右，比TSOP低了5℃。通过以上这几点努力，NORCENT Micro-CSP在提高内存速度的前提下还保证了温度的降低，从而在移动计算和长时间运行系统（如网络服务器）等领域有其独特的优势。
另外，Micro-CSP封装的成本也有不小的潜力可挖。目前Micro-CSP封装技术已经趋于成熟，在技术上已经没有任何问题，如果市场需求大、NORCENT封装厂全面投产（年封装测试1.3亿块）成本也会大幅下跌，因此将来它在价格上极具竞争力。
4.4内存的主要技术指标
主频
内存主频习惯上用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频以MHz(兆赫)为单位来计量。内存主频越高在一定程度上代表所能达到的速度越快。内存主频决定着该内存最高能在多高的频率下正常工作。目前市面上已推出的内存产品中最高能达到560MHz的主频，而主流的是333MHz和400MHz的DDR内存。
存取时间
存取时间代表读取数据所延时的时间。以前人们由个误区，认为它和系统时钟频率有着某种联系，其实二者在本质上是有着显著区别的，可以说完全是两回事。例如：SDRAM同样是PC133内存，市面上由“-7”和“-6”的，它们的存取时间分别为7ns和6ns，但它们的时钟频率均为133MHz。存取时间和时钟频率不一样越小则越优。在DDR内存上也一样，在选购时一定要注意。
数据位宽度和带宽
数据位宽度是指内存在一个时钟周期内可以传送的数据的长度，单位为bit；内存带宽则是指内存的数据传输速率，如DDR 333内存的数据传输速率为2100MB/s。
容量
内存容量表示内存可以存放数据的空间大小，其单位有B，KB，MB和GB等，在286、386和486时代的内存都以KB为单位，通常只有几KB或者几十KB。目前内存大多以MB为单位，市面上常见的内存容量规格为单条128MB，256MB和512MB，也有1GB或2GB的内存。CL设置
CL（CAS Latency）为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU 接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。
ECC校验
ECC(Error Checking and Correcting)称为错误自动校验与更正，这是一种数据校验的技术，可以校验数据是否正确。它代表用来标识内存是否具有自动纠错功能。内存要具有校验与修复功能，就必须记录更多的信息，因此这类内存除了负责数据的记录外还要更多的内存来存储核对与更正所需的信息。所以，具有ECC校验功能的内存条上的颗粒数比一般的要多出一颗，为9颗。目前的ECC存储器一般只能纠正一位二进制数的错误。
内存电压
内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格容易造成内存损坏。SDRAM内存一般工作电压在3.3V左右，上下浮动额度不超过0.3V；DDR SDRAM内存一般工作电压都在2.5V左右，上下浮动额度不超过0.2V；而DDR2 SDRAM的内存的工作电压一般在1.8V左右。具体到某种品牌、某种型号的内存则要看厂家了，但都会遵循SDRAM内存3.3V、DDR SDRAM内存2.5V、DDR2 SDRAM内存1.8V的基本要求，在允许的范围内浮动。
单面与双面
单面内存与双面内存的区别在于单面内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的
通道，通常每个通道为64位。由于各生产厂家的内存编号不近相同，因此下面就举例说明内存编号上代表的信息。
4.5内存编号的识别
从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。
1、PC66/100 SDRAM内存标注格式
（1）1.0---1.2版本
这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
（2）1.2b+版本
其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。
2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式
威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。
PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2
代表SPD版本为2.0。
3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式
其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc 表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS 相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表
相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD
版本，如0代表SPD版本为1.0。
4、RDRAM 内存标注格式
其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。
5、各厂商内存芯片编号
内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。
由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。
（1）HYUNDAI（现代）
现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM 芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no 其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II）；no代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns ［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。
（2）LGS［LG Semicon］
LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi 其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns［133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100 CL2或3］，7J=10ns［100MHz］，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。
例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。
LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。
（3）Kingmax(胜创)
Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。
Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax 内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。
KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。
（4）Geil(金邦、原樵风金条)
金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条Ｐ针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。
金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32 其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量* 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μBGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。
（5）SEC（Samsung Electronics，三星）
三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。
三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM 种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用"S"后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。
三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx
BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压
LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM
种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。
（6）Micron（美光）
Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j
其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery［Twr］(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，
R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μBGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：
（A）、DRAM
-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns
SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）
-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-
65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz
DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5
-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
（B）、Rambus（时钟率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns
+的含义
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
（C）、DDR SDRAM
-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz （7）其它内存芯片编号
NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据
位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表
2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2
位双重含
义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80
代表速度：
在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns［125MHz CL 3］，10=10ns ［PC100 CL 3］，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70= [PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；
JH=86-pin TSOP-II）。
HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类
型
（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表
4
位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns ［125MHz］，A60=10ns［PC-100 CL2或3］，B60=10ns［PC-100 CL3］即100MHZ时CL是3）。
SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh
是
速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz［CL3］，10=100MHz ［PC66规格］）。
TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM （其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，
M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B 表示
内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度
（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3］）。
IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代
表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns［147MHz］，75A=7.5NS
［133MHz］，260或222=10ns［PC100 CL2或3］，360或322=10ns［PC100 CL3］，B版的
64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS［100MHz］。
4.6主流内存的介绍
由于现今的内存市场上充斥着各种各样的内存品牌以及相关产品，如果真的要从这些内存品牌找出适合自己使用的产品，的确是件不容易的事情。下面我们对一些主流的内存做一些简单的介绍：
金士顿 1GB DDR2 667
内存适用机型:台式机内存内存容量:1024MB 内存类型:DDR2 工作频率（MHz）:667MHz 接口类型:240 PIN 封装模式：FBGA
图4.6金士顿 1GB DDR2 667
金士顿 512MB DDR400
内存适用机型:台式内存内存容量:512 内存类型:DDR 工作频率（MHz）:400MHz 金手指:184 针脚
图4.7 金士顿512MB DDR400
金士顿 2G DDR3 1333
内存适用机型:台式机内存内存容量:2048MB 内存类型:DDR3 工作频率（MHz）:1333MHz 接口类型:240 PIN
图4.8金士顿 2G DDR3 1333
威刚ADATA 1GB DDR2 800(红色威龙)
内存适用机型:台式机内存内存容量:1024MB 内存类型:DDR2 工作频率（MHz）:800MHz 接口类型:240 PIN
图4.9威刚ADATA 1GB DDR2 800(红色威龙)
现代 512MB DDR400
内存适用机型:台式机内存内存容量:512 内存类型:DDR 工作频率（MHz）:400MHz 金手指:184 针脚
图4.10现代 512MB DDR400
Kingmax 1GB DDR2 800 Long-DIMM
内存适用机型:台式机内存内存容量:1024MB 内存类型:DDR2 工作频率（MHz）:800MHz 接口类型:240 PIN
图4.11 Kingmax 1GB DDR2 800 Long-DIMM
海盗船 TWIN2X2048-8888C4DF(双条套装)
内存适用机型:台式机内存内存容量:1024*2MB 内存类型:DDR2 接口类型:240 PIN
图4.12 海盗船 TWIN2X2048-8888C4DF(双条套装)
金邦 1GB DDR2 800(白金条)
内存适用机型:台式机内存内存容量:1024MB 内存类型:DDR2 工作频率（MHz）:800MHz 接口类型:240 PIN
图4.13 金邦 1GB DDR2 800(白金条)
4.7内存的选购
选择一条性价比高的内存对于计算机的性能起着至关重要的作用。在介绍了内存的一些相关知识后，下面介绍一下内存的选购。
首先，我们先理清概念。内存条，主要就是PCB板载内存颗粒。内存颗粒、PCB板有可能不是一个厂家，但是正规的内存条上的内存颗粒和PCB板都应该标有相当全面的产品信息，且同一个内存条上的内存颗粒上的标识应该是一模一样的。鉴别的第一个方法就是看内存条所用的PCB板的材质。
正规的厂商为了避免内存颗粒之间的信号干扰，采用了优质的6层PCB板，而低质的打板内存条绝不会给你用这么好的PCB板。PCB板的层数，虽然用肉眼能感觉到，但是你想用肉眼数清它是不可能的，所幸的是PCB板一般都标有它的层数。所以，如果你看到一个内存条的PCB板层数的标识不是6，一定不要买，它的质量好不到哪去。
另外，除了看PCB板上层数，我们还要用肉眼来看PCB板上电路的做工，看电容、电阻、金手指的做工如何。如果整个PCB板给人的感觉是非常整齐，各个焊点都是一样大小的，没有虚焊之类的；各个金手指都完好无损，内存颗粒的插脚没有人为的拔插过的痕迹，那么这块内存条应该不存在什么大的问题。
第二个需要我们要注意的是内存颗粒。同一个内存条上内存颗粒的标识应该且必须是一致的，因为一个内存条上不可能采用不同品牌、不同型号或者不同批次的内存颗粒。如果是经过打磨的内存条，其中某个内存颗粒的表面应该不是光滑的，摸上去和其他的内存颗粒应该不一样。如果用放大镜看应该能看出打磨过的痕迹，而且内存颗粒上喷涂的字体和原厂喷涂的应该有区别。除了看内存颗粒的表面，我们还应该看内存颗粒的接脚，看各个内存颗粒的接脚是否完全一样，从侧面看有没有高出或不齐的感觉、有没有哪个颗粒的接脚明显是新焊上去的。如果某个内存颗粒表面的喷涂和其他内存颗粒的不一样、或者某个焊脚明显是新焊上去的，那就要小心了，你面前的很有可能就是一块打磨过的内存条。
除了以上两点，还要根据电脑的其他配置，就算内存条是正品也会出现不兼容的情况。
总的来说，虽然奸商可以打板内存，但是内存毕竟属于做工比较精细的产品，个人制作工艺和流水线上的机型造出来的产品不可能是一样的，这点从焊脚上看是很明显的，所以，对于一个略懂电脑的人来说，分辨一块打板的内存条应该不是难事，还有就是，千万别相信天上会掉陷饼这种事，明显低于市价的东西肯定是有问题的。
再送你三个绝招帮你挑内存
第一招：内存颗粒最重要。首先，颗粒本身品质的好坏对内存模组质量的影响几乎是举足轻重的。一颗优秀的颗粒就像待嫁的姑娘一样必须具备“名门之后”和“身家清白”两点条件。所谓“出身名门” 就是必须是名牌大厂的内存颗粒。虽然使用名牌大厂的内存颗粒并不一定代表内存模组就是优秀，但采用不知名品牌的内存颗粒显然是不会有出色表现。目前知名的内存颗粒品牌有HY（现代）、Samsung（三星）、Winbond（华邦）、Infineon（英飞凌）、Micron（美光）等。在名牌大厂的FAB里，在严苛的条件（恒温、恒湿，不得断水、断电）下，经过长达数个月的物理、化学、光电反应后，一块合格的晶圆硅片才得以顺利诞生。然后经过严谨细密的高分子切割，只保留效能质量最好的中间精华部分。接着对这些优中选精的“精华”进行封装。接下来原厂会对封装好的颗粒进行严格的测试。在原厂测试中，测试设备按程序需进行完整的测试流程，耗时600～800秒，测试温度为-10～ +85摄氏度。这段测试流程可以很好地保证颗粒的兼容性（颗粒兼容性决定了内存的兼容性）和耐用性（颗粒耐用性决定了内存的超频能力和使用寿命）。由于芯片级测试设备是非常昂贵的，并且其寿命根据工作时间来计算，通常都以秒为单位。所以测试流程对于生产成本有很大影响。直到测试合格，颗粒才被允许被打上代表着质量和品质的原厂Mark。直到这里这颗“名门闺秀”才算正式诞生。而所谓“身家清白”就是要保证颗粒的标志和所代表的品质一致。因为一些不法商家常常将所谓OEM内存颗粒（来源于上文提到晶元硅片的边角料以及没有通过原厂测试的次级品颗粒）改换原厂标志冒充“名门闺秀”。我们通过仔细观察颗粒上原厂标志是否清晰、是否有磨过的痕迹来辨别真伪。其次，优质的配件也是优秀内存模组得以炼成的不可缺少的一个条件。“名门闺秀”只有配上有分量的嫁妆才可以“潇洒出阁”。优质的PCB板对于内存颗粒的影响，就类同于稳定可靠的主板相对于CPU的作用。
第二招：挑选优质PCB。PCB乃优质内存的根本，我们应当尽量选择更多层数、更厚实的PCB电路板。其实Intel在很早的规范当中，就规定了内存条必须使用6层PCB制造，并且对PCB材质、层间距、敷铜厚度、线路布局参数等等加工工艺都有相应的严格要求。第二,PCB板上要有尽量多的贴片电阻和电容，尽量厚实的金手指。大家在选购主板的时候都会很在意贴片电阻和电容的数量多少和焊接工艺，同样优质内存模组在贴片电阻和电容的使用上也是丝毫不能懈怠的。金手指的镀金质量是一个重要的指标，以通常采用的化学沉金工艺，一般金层厚度在3～5微米，而优质内存的金层厚度可以达到6～10微米。较厚的金层不易磨损，并且可以提高触点的抗氧化能力，使用寿命更长。而最近市场上出现的“宇瞻金牌”内存竟然使用成本更高的电镀技术，使得金手指的金层厚度达到20微米。
第三招 品质源于优异的工艺焊接质量是内存制造很重要的一个因素。廉价的焊料和不合理的焊接工艺会产生大量的虚焊，在经过一段时间的使用之后，逐渐氧化的虚焊焊点就可能产生随机的故障。并且这种故障较难确认，所以一旦发生就会让人有吃了苍蝇的感觉。这种情况多在山寨厂里的“生产线”上生产出的内存上出现。Kingston（金士顿）、Apacer （宇瞻）、Transcend（创建）等知名第三方内存模组原厂（即本身并不生产内存颗粒，只进行后段封装测试的内存产商）都是采用百万美元级别的高速SMT机台，在电脑程序的控制下，高效科学地打造内存模组，可以有效的保持内存模组高品质的一贯性。此外第三方内存模组原厂推出的零售产品，都会有防静电的独立包装，以及完整的售后服务,消费者在选购这些产品的时候，可以少花一些精力，多一份放心。
4.8内存的使用与维护
内存质量的好坏对计算机的稳定运行却起着重要的作用，因此，怎样提高内存的使用效率，尽可能地提高运行速度，是我们所关心的问题。下面介绍在Windows操作系统中，提高内存的使用效率和优化内存管理的几种方法。
一：调整高速缓存区域的大小
可以在“计算机的主要用途”选项卡中设置系统利用高速缓存的比例(针对Windows 98)。如果系统的内存较多，可选择“网络服务器”，这样系统将用较多的内存作为高速缓存。在CD-ROM标签中，可以直接调节系统用多少内存作为CD-ROM光盘读写的高速缓存。
二：监视内存
系统的内存不管有多大，总是会用完的。虽然有虚拟内存，但由于硬盘的读写速度无法与内存的速度相比，所以在使用内存时，就要时刻监视内存的使用情况。Windows操作系统中提供了一个系统监视器，可以监视内存的使用情况。一般如果只有60%的内存资源可用，这时你就要注意调整内存了，不然就会严重影响电脑的运行速度和系统性能。
三：及时释放内存空间
如果你发现系统的内存不多了，就要注意释放内存。所谓释放内存，就是将驻留在内存中的数据从内存中释放出来。释放内存最简单有效的方法，就是重新启动计算机。另外，就是关闭暂时不用的程序。还有要注意剪贴板中如果存储了图像资料，是要占用大量内存空间的。这时只要剪贴几个字，就可以把内存中剪贴板上原有的图片冲掉，从而将它所占用的大量的内存释放出来。
四：优化内存中的数据
在Windows中，驻留内存中的数据越多，就越要占用内存资源。所以，桌面上和任务栏中的快捷图标不要设置得太多。如果内存资源较为紧张，可以考虑尽量少用各种后台驻留的程序。平时在操作电脑时，不要打开太多的文件或窗口。长时间地使用计算机后，如果没有重新启动计算机，内存中的数据排列就有可能因为比较混乱，从而导致系统性能的下降。这时你就要考虑重新启动计算机。
方法五：提高系统其他部件的性能
计算机其他部件的性能对内存的使用也有较大的影响，如总线类型、CPU、硬盘和显存等。如果显存太小，而显示的数据量很大，再多的内存也是不可能提高其运行速度和系统效率的。如果硬盘的速度太慢，则会严重影响整个系统的工作。
内存是电脑中最容易出现故障的配件产品之一，如果在按下机箱电源后机箱喇叭反复报警或是电脑不能通过自检，大部分情况下故障源于内存。而在形形色色的内存故障中，基本上都是以内存烧毁为主，这时我们往往会将烧毁后的内存丢在一边而直接更换内存条。由于内存条与其它的配件产品相比比较便宜，致使很多的朋友一旦检测出机器内存出现问题，但不经过任何的处理而直接更换内存条，造成了很大的浪费。其实在很多情况下内存出现故障以后我们通过修复是完全可以再利用的，接下来我们举两个内存故障的例子跟与大家做一下探讨。
一：内存金手指氧化生锈造成机器无法启动
内存条的金手指镀金工艺不佳或经常拔插内存，导致内存在使用过程中因为接触空气而氧化生锈，逐渐的与内存插槽接触不良，最后产生开机不启动报警的故障。另外由于我们在插内存条时不注意，用手直接接触内存条的金手指，使手上的汗液附着在金手指上，这样就地取更容易造成金手指氧化生锈。另外，如果用手直接接触内存的金手指，身体上的静电极有可能把内存上的颗粒或电容击穿，导至内存报废，因此在任何情况下一定不要用手接触内存的金手指，防止出现意外。
二:内存插入不完全导致内存条上的金手指烧毁
只要做过电脑维修的恐怕都遇到过类似插反内存烧毁的事情。一般情况下，内存条的烧毁多数都是因为我们在长时间的故障排除过程中，精神不集中，在反复开机测试过程中无意把内存条插反或内存条没有完全插入插槽，也或许是带电拔插内存条，造成内存条的金手指因为局部大电流放电而烧毁。
只有极少数内存条是在正常使用过程中，因为意外过压或电源损坏，造成内存条和主板等同时损毁。
不过，内存条反插烧毁后并不是一定就报废了，多数还是能够正常使用的，这是因为内存条有多根供电和地线，反插时往往是因为局部的地线把电源正和地相连通，所以只要加电就会把这一段起短路作用的地线烧毁，而其他地线和芯片却没有被破坏。
4.9动手实践
怎样安装内存？
(1) 安装内存前先要将内存插槽两端的白色卡子向两边扳动，将其打开，这样才能将内存插入。插入内存条时，内存条的1个凹槽必须直线对准内存插槽上的1个凸点(隔断) 。
(2) 向下按入内存，在按的时候需要稍稍用力，DDR SDRAM内存条的中央有一个缺口。
(3) 将内存垂直插入内存插槽中，并确保缺口的位置正确，插槽两边的塑料卡口会自动闭合。
(4) 紧压内存的两个白色的固定杆，确保内存条被固定住，这时即完成内存的安装。4.10内存的改造
固件改造刷新SPD能提升内存性能
为何要刷新SPD
SPD全称是Serial Presence Detect(串行存在检测)，是内存条上的一个EEPROM芯片，里面记录了内存的速度、容量、电压与行/列地址等参数信息。启动电脑后，主板BIOS将读取SPD中记录的信息并用于配置内存相关的参数。如果两条内存SPD信息不一致，就可能导致兼容性问题，所以调整合适的SPD值方能确保最佳模块性能。
一些内存制造商出于对自身产品品质的考虑，往往将SPD参数设定得较为保守，甚至没有做优化。通过更换品牌内存SPD信息，可在兼容性及性能上得到一定的提升，当然刷写内存SPD参数的前提就是要源SPD参数的内存条与目标内存条所使用的内存颗粒必须较为接近！否则可能导致刷新后的内存条工作不稳定甚至无法工作。举个例子来说，假设我们有一对美光原厂的小D9芯片DDR2 533 512MB内存，经过测试，该内存可以稳定运行在DDR2 1000的频率下，内存参数设定为4-4-4-12。同时我们知道Corsair推出过一款DDR2 1066规格的XMS2-8500C5，默认的产品参数为DDR2 1066@5-5-5-15。该款内存同样使用了美光的小D9内存颗粒，可以在4-4-4-12的参数下，稳定运行在DDR2 1000。这样，我们可以将Corsair XMS2-8500C5的内存SPD信息复制到美光原厂DDR2 533上，主板在默认使用DDR2 1000的同时，也使其身价“不菲”。即两条内存能稳定运行的频率相近，使用的颗粒相同就很可能刷新SPD参数成功。当然大家也要注意刷新后的散热问题。
专业的技术人员虽然常用内存SPD专用编程器来刷新内存条的SPD参数，但这需要具备硬件设备方可实施，而硬件设备往往价值不菲。那么有没有一种方法可以不用任何硬件，也能方便地读写和修改内存SPD参数呢？答案是肯定的，它就是Thaiphoon Burner—一款内存专用SPD信息读写软件。有了它，你无需拆机即可方便读写内存条SPD信息如图4.14。