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A new process capability

A new process capability
A new process capability

IJQRM 18,7

762

International Journal of Quality &Reliability Management,

Vol.18No.7,2001,pp.762-770.#MCB University Press,0265-671X

Received June 2000Revised February 2001

A new process capability index for non-normal

distributions

Jann-Pygn Chen National Chin-Yi Institute of Technology,Taichung,Taiwan,ROC,and

Cherng G.Ding

National Chiao-Tung University,Taipei,Taiwan,ROC

Keywords Process efficiency,Measurement

Abstract Many process capability indices have been proposed to measure process performance.In this paper,we first review C p ,C pk ,C pm and C pmk ,and their generalizations,C Np ,C Npk ,C Npm and C Npmk ,and then propose a new index S pmk for any underlying distribution,which takes into account process variability,departure of the process mean from the target value,and proportion of nonconformity.Proportion of nonconformity can be exactly reflected by S pmk .Its superiority over C Npmk ,a recently developed index,also taking into account process variability and departure from the target value,is demonstrated with several non-normal processes.A method is proposed to estimate S pmk ,with illustrations.

Introduction

Many process capability indices have been proposed to provide numerical measures on process performance.They have been widely used in the manufacturing industry in Japan and the USA.Kane (1986)discussed two commonly used indices C p and C pk .Chan et al.(1988a)and Pearn et al.(1992)developed two more-advanced indices C pm and C pmk .Choi and Owen (1990)gave detailed discussions and comparisons for C p ,C pk ,C pm and C pmk .Boyles (1994)proposed the capability indices with asymmetric tolerance for C pk ,C pm and C pmk .Discussions and analysis of these indices on point estimation and interval estimation have been the focus of many statisticians and quality researchers including Kane (1986),Chan et al.(1988a),Chou et al.(1990),Pearn et al.(1992),Kotz et al.(1993),Va ènnman (1995),Pearn and Chen (1996),and many others.These investigations,however,are based on the assumption that the process underlying distribution is normal.If the assumption is not satisfied,then these basic indices are unreliable (Chan et al.,1988b;Gunter,1989a;1989b;English and Taylor,1993;Somerville and Montgomery,1997;Chen and Pearn,1997).Zwick (1995),Schneider et al.(1995),Pearn and Chen (1995),Chen and Pearn (1997),Tong and Chen (1998)gave process capability indices for non-normal distributions.In this paper,a new process capability index S pmk for non-normal distributions is proposed.The index can exactly reflect proportion of nonconformity.

The C p (u,v )and C np (u,v )indices Va ènnman (1995)defined a class of capability indices,depending on two non-negative parameters,u and v ,as:

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763

C p u Y v d àu "àm j j

3

'2 v "àT 2

q 1 where "is the process mean,'the process standard deviation,d =(USL ±LSL )/2,where USL and LSL are respectively the upper and lower specification limits,m =(USL +LSL )/2,the specification center,and T is the target value.The four basic indices,C p ,C pk ,C pm and C pmk are special cases of C p (u ,v )by letting u =0or 1and v =0or 1.More specifically,C p (0,0)=C p ,C p (1,0)=C pk ,C p (0,1)=C pm ,and C p (1,1)=C pmk ,where:

C p USL àLSL

6'

Y

2 C pk

min f USL à"Y "àLSL g

3'

Y

3 C pm USL àLSL

6 '2 "àT 2q Y

4

C pmk

min f USL à"Y "àLSL g

3 '2 "àT

2

q Y

5

C p takes into account the process variance only.It cannot detect departure of the process mean from the specification center,and therefore cannot be used to fully evaluate process capability.C pk takes into account both the process mean and the process variance.When "=m ,C pk =C p .If "=m ,C pk =C p (1±K),where K =2|"±m |/(USL ±LSL ),LSL " USL .However,C pk cannot detect departure from the target value.Although C pm overcomes this drawback by taking into account ("±T )2,it cannot detect the location of the process mean in the interval (LSL ,USL )(Choi and Owen,1990).C pmk takes into account process variability,departure from the target value and location of the process mean in (LSL ,USL ).When "=m ,C pmk =C pm ;If "=m ,C pmk =C pm (1±K).When the process distribution is normal and "=m ,there exists a one-to-one relationship between C p (=C pk )and proportion of nonconformity P ,given by 3C p =è±1(1±P /2),where èdenotes the CDF of the standard normal distribution.For example,when C p =1,P =0.27per cent;when C p =1.33,P =0.0066per cent.When "=m ,there is no one-to-one relationship between C pk and P .Given a C pk value,Boyles (1991)gave an upper bound è(3C pk )and a lower bound (2è3C pk ±1)for proportion of conformity.Boyles (1994)further proposed a smoothing index S pk to setup a one-to-one relationship with P .That is,3S pk =è±1(1±P /2).It follows that evaluation of process capability can be based on the following three criteria:

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(1)variability in process;

(2)degree of departure of the process mean from the target value;

(3)location of the process mean in the interval(LSL,USL).

C p takes into account criterion(1)only,C pk criteria(1)and(3),C pm criteria(1) and(2),and C pmk criteria(1),(2)and(3).The larger a capability index value for a process is,the more capable the process is.However,as mentioned before, when the process underlying distribution is non-normal,these indices may not be appropriate to evaluate process capability.Although Zwick(1995)and Schneider et al.(1995)provided capability indices for any distribution(normal or non-normal),their performances were not evaluated.Chen and Pearn(1997) and Tong and Chen(1998)proposed generalizations of C p(u,v)for any underlying distribution as follows:

C Np u Y v

dàu Màm

j j

3

F99X865àF0X135

6

2

V MàT 2

s 6

where F is the(100 )th percentile of the distribution and M is the median.Note that the generalizations were developed by replacing"in(1)by M,and'by (F99.865±F0.135)/6.Setting(u,v)=(0,0),(1,0),(0,1)and(1,1)leads to the four basic indices for any underlying distribution,referred to as C Np,C Npk,C Npm and C Npmk:

C Np

USLàLSL

F99X865àF0X135

7

C Npk

min USLàM Y MàLSL

f g

F99X865àF0X135

2

8

C Npm

USLàLSL

6

F99X865àF0X135

6

2

MàT 2

s 9

C Npmk

min USLàM Y MàLSL

f g

3

F99X865àF0X135

6

2

MàT 2

s X 10

In addition,if M in(6)is replaced by",Chen and Pearn(1997)called the indices C'Np(u,v).For the normal case,M=",(F99.865±F0.135)/6=',and therefore C Np(u,v)=C'Np(u,v)=C p(u,v).Chen and Pearn(1997)indicated that,if the

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capability index

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process underlying distribution is chi-square with three degrees of freedom,then proportion of nonconformity can be reflected by C Np (u ,v )better than C p (u ,v )and C'Np (u ,v ).In this paper,a new process capability index S pmk ,taking into account process variability,departure of the process mean from the target value,and proportion of nonconformity,will be proposed for any underlying distribution.As will be seen later,proportion of nonconformity can be exactly reflected by S pmk .Its superiority over C Npmk ,also taking into account process variability and departure from the target value,will be illustrated for several non-normal distributions including chi-square,gamma,exponential,and uniform.A new index S pmk

A new process capability index,S pmk ,is proposed for any underlying distribution as follows:

S pmk

èà1 1 F USL àF LSL 2 3 1 "àT ' 2r èà1 1àP a 2 3

1 "àT '

2

r 11

where F (x )denotes the CDF of the process distribution.The idea comes from the properties that:

C pmk C pm 1àK C p 1 "àT ' 2s 1àK C pk

1

"àT '

2s Y 12

and C pk can be substituted,under any distribution,with 13èà1 1 F USL àF LSL

2 (Chen,2000).Proportion of nonconformity P can be exactly evaluated through S pmk

by 2? 1àè 3S pmk

1 "àT ' 2

q .Note that if the process underlying distribution is normal and "=m ,then S pmk =C Npmk =C pmk =C pm .

Comparisons

In this section,we will demonstrate the superiority of S pmk over C Npmk with six non-normal processes.Let 123denote a chi-square distribution with three degrees of freedom.Let the underlying distribution of process A be 123+7,that of process B be 123+14.8,and that of process C be 123+22.6,as in Chen and Pearn (1997).In addition,let process D have a gamma distribution with parameters =6, =3,process E have a gamma distribution with parameters =1, =12,i.e.an exponential distribution,and process F have a uniform (17,25.8)distribution.The distribution characteristics are summarized in Table I.The target values for the processes are all 17.8,and USL and LSL are respectively 10.0and 25.6.Since S pmk can exactly reflect the actual proportion of nonconformity P (=P (X <10.0)+P (X >25.6)),the difference between P and 2? 1àè 3S pmk

1 "àT ' 2

q (proportion of nonconformity obtained through

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766S pmk)is zero.On the other hand,to see how well C Npmk can reflect the actual proportion of nonconformity,simply examine the relative error size ERR CNpmk =|P'CNpmk±P|/P,where P'CNpmk denotes the predicted proportion of nonconformity associated with C Npmk,and can be obtained by P'CNpmk= 2? 1àè 3C Npmk

1 MàT

F99X865àF0X135 a6

2

q

.Table II displays the values of P, S pmk,C Npmk,P'CNpmk and ERR CNpmk for the six https://www.doczj.com/doc/6b17823101.html,putations were carried out by using the SAS software(SAS Institute,Inc.,1990).The results show that values of ERR CNpmk are remarkable for all of the cases,indicating the deficiency of the C Npmk index.

An estimator of S pmk

When the process has a distribution of Pearsonian type,Pearn and Chen(1995) proposed an estimator for C Np(u,v)by using Clements'method(Clements,1989) as follows:

C

Np u Y v

dàu Màm

3

U pàL p

6

2

v MàT 2

s Y 13

Table I. Distribution characteristics of the six processes Process Underlying distribution"M'F0.135F99.865 A123 710.009.366 2.457.03022.630 B123 14X817.8017.166 2.4514.83030.430 C123 22X625.6024.966 2.4522.63038.230

D Gamma(6,3)18.0017.0107.35 3.52548.104

E Gamma(1,12)12.008.31812.000.01679.292

F Uniform(17,25.8)21.4021.400 2.5417.01225.788

Table II. Comparisons between S pmk and C Npmk Process P S pmk C Npmk P'CNpmk ERR CNpmk(%) A0.60870.05110.0000 1.000064.3

B0.01290.82920.89250.005954.3

C0.39160.08560.02770.8074106.2

D0.26830.36890.31280.345428.7

E0.75710.09280.0000 1.000032.1

F0.02270.43780.36030.004181.9

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where U p is an estimator for F 99.865,L p for F 0.135,and M

for median M ,and their estimates can be obtained by using the tables developed by Gruska et al.(1989).In practice,the process underlying distribution is always unknown.Chang and Lu (1994)compute estimates for F 99.865,F 0.135,and M based on sample percentiles instead of Gruska et al .'s (1989)tables.An estimator for S pmk follows:

S pmk èà1 1 F USL à

F LSL 2 3 1

"X àT S 2r èà1 1à P a 2 3 1 "X àT S 2

r Y 14

where F

(USL )denotes the sample proportion of those less than or equal to USL , F

(LSL)the sample proportion of those less than LSL ,"X the sample mean,S the sample standard deviation,and P

the sample proportion of nonconformity.Note that the estimator in expression (14)may not perform well for small samples.

An example

To illustrate how to calculate S

pmk ,we use data provided by the Tung Pei Industrial Co.Ltd,a manufacturer of bearings in Taiwan.The bearings manufactured are certified by CNS,JIS and ISO.The number of bearings produced is about ten million.Outer ring,inner ring,rolling body,and retainer are four main components of roller bearing.Items for examining roller bearing include size variation,dimension variation,and rotation tolerance.In this illustration,only single row deep groove radial ball bearing (index number 6212)is discussed (Figure 1),and air gauge or cylinder gauge is used to measure the size variation.Let d denote diameter of the inner ring and its target value be 60mm.According to the CNS2862standard,USL for d is 60.004mm and LSL is 59.981mm.If d falls outside specification limits,it is unacceptable.Table III displays a random sample of size 100for d .Normality has been examined by using the Shapiro and Wilk (1965)W https://www.doczj.com/doc/6b17823101.html,ing the

SAS

Figure 1.

The structure of ball

bearing

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software,we have W =0.8618with p -value <0.0001.Since the p -value is very small,we conclude that the data were drawn from a non-normal distribution.

To find S

pmk ,we first calculate F (USL )=98/100, F (LSL )=4/100,"X =59.9903,and S =0.008356.Substituting these values into equation (14),we have:

S pmk èà11 98100à41002

H f d I

g e

3 1

"X àT S 2s èà1 1à6a 200 3 1 "X àT

S

2

s 1X 881

3 1

59X 9903à60X 000

0X 008356

2s 0X 4092X

Although S

pmk =0.4092is small,indicating that the process is not capable,proportion of nonconformity can be well reflected by computing

P H Spmk 2? 1àè 3 S pmk 1 "X àT S 2 q =0.06,which can be verified by

noting that there are six observations falling outside the specification limits (59.981,60.004).

Conclusions

In this paper,we have reviewed C p (u ,v )and C Np (u ,v ).We have also proposed a new index,S pmk ,for non-normal underlying distributions,taking into account process variability,departure from the target value,and proportion of nonconformity.Proportion of nonconformity can be exactly reflected by S pmk .Its superiority over C Npmk has been demonstrated with various non-normal processes.In addition,a method is proposed to estimate S pmk for any

Table III.

100observations of inner diameter for roller bearing

59.98459.98159.98160.00359.98260.00560.00459.98359.98159.98060.00059.99859.98259.98359.98159.98259.99960.00159.98259.98859.99559.99859.98259.98359.98159.99460.00259.98859.98059.98259.98259.98359.98159.98659.98760.00159.98260.00360.00159.98459.98559.97959.98759.99059.99859.98459.98959.99959.98560.00360.00460.00160.00059.98259.98159.98459.99859.98359.99959.98759.99159.99259.99259.98359.98159.99659.99760.00060.00059.99160.00260.00159.99059.98759.98260.00659.98159.98259.98459.98560.00360.00459.99259.99159.98659.99259.99159.98159.99859.98560.00159.98059.99359.98459.98159.98459.98859.99960.00060.001

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underlying distribution.An example illustrating how to calculate the estimate is given.It appears that S pmk possesses practical importance in evaluating process capability.How to improve estimation for S pmk needs to be studied further.

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助焊剂技术标准

助焊剂技术标准 免清洗液态助焊剂——————————————————————————————————————— 1 范围 本标准规定了电子焊接用免清洗液态助焊剂的技术要求、实验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、贮存。 本标准主要适用于印制板组装及电气和电子电路接点锡焊用免清洗液态助焊剂(简称助焊剂)。使用免清洗液态助焊剂时,对具有预涂保护层印制板组件的焊接,建议选用与其配套的预涂覆助焊剂。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否使用这些文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。GB 190 危险货物包装标志 GB 2040 纯铜板 GB 3131 锡铅焊料 GB 电工电子产品基本环境试验规程润湿称量法可焊性试验方法 GB 2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查) GB 2829 周期检查计数抽样程序及抽样表(适用于生产过程稳定性的检查) GB 4472 化工产品密度、相对密度测定通则 GB 印制板表面离子污染测试方法 GB 9724 化学试剂PH值测定通则 YB 724 纯铜线 3 要求 外观 助焊剂应是透明、均匀一致的液体,无沉淀或分层,无异物,无强烈的刺激性气味; 在——————————————————————————————————————— 中华人民共和国信息产业部标 200X-XX-XX发布200X-XX-XX实施 SJ/T 11273-2002 ——————————————————————————————————————— 一年有效保存期内,其颜色不应发生变化。 物理稳定性 按试验后,助焊剂应保持透明,无分层或沉淀现象。 密度 按检验后,在23℃时助焊剂的密度应在其标称密度的(100±)%范围内。

焊接质量检验标准

JESMAY 培训资料 焊接质量检验标准焊接在电子产品装配过程中是一项很重要的技术,也是制造电子产品的重要环节之一。它在电子产品实验、调试、生产中应用非常广泛,而且工作量相当大,焊接质量的好坏,将直接影响到产品的质量。电子产品的故障除元器件的原因外,大多数是由于焊接质量不佳而造成的。因此,掌握熟练的焊接操作技能对产品质量是非常有必要的。(一)焊点的质量要求:保证焊点质量最关键的一点,就是必应该包括电气接触良好、机械接触牢固和外表美观三个方面,对焊点的质量要求,须避免虚焊。1.可靠的电气连接锡焊连接不是靠压力而是靠焊接过程形成牢固连接的合金层达到电焊接是电子线路从物理上实现电气连接的主要手段。气连接的目的。如果焊锡仅仅是堆在焊件的表面或只有少部分形成合金层,也许在最初的测试和工作中不易发现焊点存在的问题,这种焊点在短期内也能通过电流,但随着条件的改变和时间的推移,接触层氧化,脱离出现了,电路产生时通时断或者干脆不工作,而这时观察焊点外表,依然连接良好,这是电子仪器使用中最头疼的问题,也是产品制造中必须十分重视的问题。2.足够机械强度为保证被焊件在受振动或冲击时不至脱落、同时也是固定元器件,保证机械连接的手段。焊接不仅起到电气连接的作用,松动,因此,要求焊点有足够的机械强度。一般可采用把被焊元器件的引线端子打弯后再焊接的方法。作为焊锡材料的铅锡2。要想增加强度,就要有足够的,只有普通钢材的合金,本身强度是比较低的,常用铅锡焊料抗拉强度约为3-4.7kg/cm10% 连接面积。如果是虚焊点,焊料仅仅堆在焊盘上,那就更谈不上强度了。3.光洁整齐的外观并且不伤及导线的绝缘层及相邻元件良好桥接等现象,良好的焊点要求焊料用量恰到好处,外表有金属光泽,无拉尖、的外表是焊接质量的反映,注意:表面有金属光泽是焊接温度合适、生成合金层的标志,这不仅仅是外表美观的要求。 主焊体所示,其共同特点是:典型焊点的外观如图1①外形以焊接导线为中心,匀称成裙形拉开。 焊接薄的边缘凹形曲线焊料的连接呈半弓形凹面,焊料与焊件交界处平② 滑,接触角尽可能小。③表面有光泽且平滑。1图④无裂纹、针孔、夹渣。焊点的外观检查除用目测(或借助放大镜、显微镜观测)焊点是否合乎上述标准以外,还包括以下几个方面焊接质量的;导线及元器件绝缘的损伤;布线整形;焊料飞溅。检查时,除检查:漏焊;焊料拉尖;焊料引起导线间短路(即“桥接”)目测外,还要用指触、镊子点拨动、拉线等办法检查有无导线断线、焊盘剥离等缺陷。(二)焊接质量的检验方法:⑴目视检查目视检查就是从外观上检查焊接质量是否合格,也就是从外观上评价焊点有什么缺陷。目视检查的主要内容有: 是否有漏焊,即应该焊接的焊点没有焊上;① ②焊点的光泽好不好; ③焊点的焊料足不足;(a)(b) ④焊点的周围是否有残留的焊剂;正确焊点剖面图2图6-1 JESMAY 培训资料

DVS-6000视频服务器用户使用手册V11

客户端管理软件 用 户 使 用 手 册

本手册旨在帮助用户管理和使用本公司的视频服务器系列产品,使用本手册前您需要了解一些网络的基础知识,以便于更好的发挥产品的各种性能。您也可以通过网上联机帮助来获取更多的帮助。 本手册中使用的安全注意标记 警告! -- 表示一个可能存在损伤服务器的潜在危险。 危险! -- 表示一个会严重削弱服务器性能的操作。 遇到以上的操作时,尽量不要这样操作,除非您对该操作十分的了解。 知识产权 本手册所覆盖到的所有产品,都具有完全自主的知识产权,任何个人或者公司不得以任何理由盗用本公司的产品或者转载与本公司产品相关的资料文档。 技术支持与服务 在使用过程中,如果您遇到任何技术问题,您可以联系您本地的经销商。如果您的问题不能立即得到解决,他会将问题反映到公司技术部以确保能最快速的解决您的问题。如果您能够连接到internet您可以通过以下方式来解决: 1、通过公司网站下载相关软件的最新版本进行升级。 2、在公司常见问题解答页中找到您想知道的答案。 3、通过即时通讯软件如QQ或者MSN等联系公司技术支持人员。

目录 目录 (3) 1.1.网络产品主要功能参数: (5) 2.1. 客户端软件安装 (7) 1. 视频服务器参数配置 (10) 1.1. 视频及图像设置 (11) 1.1.1. 视频属性的设置 (12) 1.1.2. 图像设置 (12) 1.1.3. 图像高级设置技巧 (13) 1.2. OSD/MASK设置 (14) 1.3. 音频设置 (16) 1.4. 系统网络配置 (17) 1.5. 云台、串口设置 (19) 1.5.1. PTZ设备管理 (19) 1.5.2. PTZ协议设置 (19) 1.5.3. 232串口参数设置 (20) 1.5.4. 云台管理常见问题 (20) 1.6. 告警及事件管理 (20) 1.6.1. 视频移动告警管理 (20) 1.6.2. 视频丢失告警管理 (22) 1.6.3. 探头输入管理 (22) 1.6.4. 探头输出设置 (23) 1.7. PPPOE&DDNS设置 (24) 1.8. 中心平台接入配置 (25) 1.9. 系统设置 (26) 1.10. 用户权限设置 (31) 2. 客户端软件操作 (32) 2.1. 系统登录、锁定、退出 (32) 2.1.1. 系统登录 (32) 2.1.2. 系统锁定 (34) 2.1.3. 系统退出 (34) 2.2. 系统设置 (34) 2.2.1. 服务器管理 (34) 2.2.2. 用户管理 (40) 2.3. 服务器登录 (41) 2.3.1. 刷新服务器 (41) 2.3.2. 登录服务器 (41) 2.3.3. 退出登录服务器 (42) 2.4. 视频浏览、控制 (43) 2.4.1. 浏览视频 (43) 2.4.2. 声音播放控制 (45) 2.4.3. 云镜控制 (45) 2.4.4. 预置位 (46) 2.5. 语音对讲 (46)

产品质量检验标准

CaiNi accessories factory
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采 妮 饰 品 厂
产品品质检验标准
一、目的: 产品及产品用料检验工作,规范检验过程的判定标准和判定等级,使产品出货的品质满足顾 确保本工厂产品和产品用料品质检验工作的有效性。 二、本标准的适用范围: 本标准适用采妮工厂所有生产的产品及产品用料的品质检验。 三、权责: 1、品质部:检验标准及检验样本的制定,产品检验及判定、放行。 2、生产车间、物控部:所有产品及产品用料报检和产品品质异常的处理。 3、总经理:特采出货及特采用料的核准。 四、定义 1、首饰类: A、项链/手链/腰链 F、发夹 G、手表带 B、耳环 H、领夹 C、胸针 D、介子 E、手镯 J、皮带扣
规范工厂
客需求,
I、袖口钮/鞋扣钮
K、其他配件类(服装、皮包、眼镜等等) 2、产品用料: A、铝质料类 F、钛金属 B、铜料类 G、皮革类 C、铅锡合金 H、不锈钢类 D、锌合金 E、铁质料类 J、包装用料类
I、水晶胶类
K、硅料类(玻璃珠、玻璃石、宝石、珍珠、玛瑙) 3、客户品质等级分类及说明: 1)客户品质等级分类: 品质部根据客户订单注明的: “AAA”、“AA”、“A”三个等级分别对客户品质标准进 行分类 。 2)客户品质等级说明: A、 “AAA”: 品质标准要求比较严格,偏高于正常标准和行业标准。 B、 “AA”: 品质标准要求通用国际化标准和行业标准吻合。 C、 “A”: 品质要求为一般市场通用品质标准。
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半导体照明技术作业答案

某光源发出波长为460nm 的单色光,辐射功率为100W ,用Y 值表示其光通量,计算其色度坐标X 、Y 、Z 、x 、y 。 解:由教材表1-3查得460nm 单色光的三色视觉值分别为0.2908X =,0.0600Y =, 1.6692Z =,则对100W P =,有 4356831000.2908 1.98610lm 6831000.0600 4.09810lm 683100 1.6692 1.14010lm m m m X K PX Y K PY Z K PZ ==××=×==××=×==××=× 以及 )()0.144 0.030x X X Y Z y Y X Y Z =++==++=

1. GaP绿色LED的发光机理是什么,当氮掺杂浓度增加时,光谱有什么变化,为什么?GaP红色LED的发光机理是什么,发光峰值波长是多少? 答:GaP绿色LED的发光机理是在GaP间接跃迁型半导体中掺入等电子陷阱杂质N,代替P原子的N原子可以俘获电子,又靠该电子的电荷俘获空穴,形成束缚激子,激子复合发光。当氮掺杂浓度增加时,总光通量增加,主波长向长波移动,这是因为此时有大量的氮对形成新的等电子陷阱,氮对束缚激子发光峰增加,且向长波移动。 GaP红色LED的发光机理是在GaP晶体中掺入ZnO对等电子陷阱,其发光峰值波长为700nm的红光。 2. 液相外延生长的原理是什么?一般分为哪两种方法,这两种方法的区别在哪里? 答:液相外延生长过程的基础是在液体溶剂中溶质的溶解度随温度降低而减少,而且冷却与单晶相接触的初始饱和溶液时能够引起外延沉积,在衬底上生长一个薄的外延层。 液相外延生长一般分为降温法和温度梯度法两种。降温法的瞬态生长中,溶液与衬底组成的体系在均处于同一温度,并一同降温(在衬底与溶液接触时的时间和温度上,以及接触后是继续降温还是保持温度上,不同的技术有不同的处理)。而温度梯度法则是当体系达到稳定状态后,整个体系的温度再不改变,而是在溶液表面和溶液-衬底界面间建立稳定的温度梯度和浓度梯度。 3. 为何AlGaInP材料不能使用通常的气相外延和液相外延技术来制造? 答:在尝试用液相外延生长AlGaInP时,由于AlP和InP的热力学稳定性的不同,液相外延的组分控制十分困难。而当使用氢化物或氯化物气相外延时,会形成稳定的AlCl化合物,会在气相外延时阻碍含Al磷化物的成功生长。因此AlGaInP 材料不能使用通常的气相外延和液相外延技术来制造。

6100系列使用说明书,视频服务器说明书

6100系列视频服务器 用户使用手册 (Ver2.1) 非常感谢您购买我公司的产品,如果您有什么疑问或需要请随时联系我们。 本手册适用于DS-6100HC、DS-6100HF视频服务器。 本手册可能包含技术上不准确的地方、或与产品功能及操作不相符的地方、或印刷错误。本手册的内容将根据产品功能的增强而更新,并将定期改进或更新本手册中描述的产品或程序,更新的内容将会在本手册的新版本中加入,恕不另行通知。

物品清单 小心打开包装盒,检查包装盒里面应有以下配件: 一台视频服务器 一本用户手册 一根DTE线 一根电源线 一张保修卡 一张合格证 一个光盘 如果发现有所损坏或者任何配件短缺的情况,请及时和经销商联系。

第一章用户手册简介 感谢您购买DS-6100系列视频服务器! 在您准备使用本产品之前,请先仔细阅读本手册,以便能更好的使用本产品的所有功能。 1.1用途 本手册的用途是帮助您熟悉和正确的使用DS-6100系列视频服务器! 1.2用户手册概述 第一章:用户手册简介 第二章:产品概述 第三章:硬件安装 第四章:软件安装 第五章:参数配置 第六章:广域网接入 附录A:常见问题解答 附录B:技术参数

第二章产品概述 2.1产品简介 DS-6100系列视频服务器是专为远程监控而设计的嵌入式数字监控产品,采用最新的达芬奇平台处理芯片,LINUX嵌入式系统,完全脱离PC 平台,系统调度效率高,代码固化在FLASH中,系统运行更加稳定可靠。 DS-6100系列视频服务器具有视频信号和音频信号的硬件同步压缩功能,压缩码流通过网络进行传输,通过网络可进行实时视频和音频预览,支持流协议(RTP/RTCP),支持IE预览,支持双向语音对讲,多种语言支持等功能。 2.2 产品型号说明 根据编码分辨率分两种: DS-6100HC:1~4路视频,音频输入,每路的视频分辨率最高支持CIF,也可以选择QCIF,不可以安装硬盘。 DS-6100HF: 1~2路视频,音频输入,每路的视频分辨率最高支持4CIF,也可以选择DCIF,2CIF,CIF,QCIF等,不可以 安装硬盘。 2.3主要功能及特点 2.3.1基本功能 视频压缩技术:采用H.264视频压缩技术及OggVorbis音频压缩技术,压缩比高,且处理非常灵活。

可焊性试验规范标准

. '. 检验规范 INSPECTION INSTRUCTION 第1页 / 共2页 版本 变更内容 日期 编写者 名称 A 新版 可焊性试验规范 设备 EQUIPMENT 熔锡炉,温度计,显微镜 1.0 目的: 阐述可焊性试验的方法及验收标准 2.0 范围: 适用于上海molex 组装产品的针/端子的可焊性试验 3.0 试验设备与材料: 3.1 试验设备 熔锡炉`温度计`显微镜 3.2 试验材料 无水酒精`助焊剂(液体松香)`焊锡(Sn60或Sn63) 4.0 定义: 4.1 沾锡—--焊锡在被测金属表面上形成一层均匀`光滑`完整而附着的锡层状态,具体见图片A. 4.2 缩锡—--上锡时熔化焊锡覆盖了整个被测表面,试样产品离开熔炉后, 在被测表面上形成形状不规则的锡块,基底金属不暴露, 具体见图片B. 4.3不粘锡—试样产品离开熔锡炉后,被测表面仍然暴露,未形成锡层, 具体见图片C. 4.4 针孔----穿透锡层的小孔状缺陷, 具体见图片D 。 图片A (焊接测试合格) 图片B(表面形成不规则的锡块) 编写者: 校对: 批准: 缩锡 表面形成均匀`光滑`完整而附着的锡层状态

. '. 检验规范 INSPECTION INSTRUCTION 第2页 / 共2页 图片C (铜基底未被锡层覆盖) 图片D (表面有小孔缺陷) 5.0 程序: 5.1试样准备 应防止试样产品沾染油迹,不应刻意的对试样进行清洗`擦拭等清洁工作,以免影响试验的客观性. 5.2熔锡 打开熔锡炉,熔化焊锡,并使熔锡温度保持在245?C ±5?C. 5.3除渣 清除熔锡池表面的浮渣或焦化的助焊剂. 5.4上助焊剂 确保试样产品直立浸入助焊剂中5-10sec,再取出使其直立滴流10-20sec,使的被测部位不会存在多余助焊剂.浸入深度须覆盖整个待测部分. 5.5 上锡 确保试样产品直立浸入熔剂池中5±0.5sec ,以25±6mm/sec 的速度取出,浸入深度须覆盖整个待测 部分. 5.6 冷却 上锡完成后,置放自然冷却. 5.7 清洗 将冷却后的试样产品浸入无水酒精中除去助焊剂,清洗完成后,置于无尘纸上吸干溶液. 6.0 验收标准 在30倍的显微镜下观察,针孔`缩锡`不沾锡等缺陷不得集中于一处,且缺陷所占面积不得超过整个测试面积的5%, 不沾锡 针孔

助焊剂的检验方法(依据标准)

助焊剂的檢驗方法(依據標准) 项目 规格 测试标准 助焊剂分类 ORM0 J-STD-004 物理状态(20℃) 液体 目测 颜色 无色 目测 比重(20℃) 0.822±0.010 GB611-1988 酸价(mgKOH/g) 49.00±5.00 J-STD-004 固态含量(w/w%) 7.50±1.00 JIS-Z-3197 卤化物含量 (w/w%) 无 J-STD-004/2.3.35 吸入容许浓度 (ppm) 400 WS/T206-2001 助焊剂检测方法 6.1助焊剂外观的测定 目视检测成品外观应均匀一致,透明,无沉淀、分层现象,无异物。 6.2助焊剂固体含量的测定 6.2.1(重量分析法) A)原理 将已称重的助焊剂样品先后在水浴及烘箱中除去挥发性物质,冷却后再称重。 助焊剂的固体含量由以上所得到的数值计算而得。 B)仪器 A.实验室常规仪器 B.水浴 C.烘箱 D.电子天平:灵敏度为0.0001g C)步骤 A.有机溶剂助焊剂(沸点低于100℃): a.将烧杯放入恒温110℃± 5℃的烘箱中烘干,放入干燥器中,冷却至室温, 称重(精确至0.001g)。重复以上操作直至烧杯恒重(两次称量相差不超过 0.001g)。 b.移取足量的样品1.0±0.1入烧杯,称重(精确至0.001g)。 c.将烧杯放入110 ± 2℃烘箱中烘1小时,取出后在干燥器中冷却至室温称重 (精确至0.001g) 。 B.水溶剂助焊剂: a.将烧杯放入恒温110°± 2℃的烘箱中烘干,放入干燥器中,冷却至室温,称 重(精确至0.001g)。重复以上操作直至烧杯恒重(两次称量相差不超过 0.001g)。 b.移取足量的样品1.0±0.1入烧杯,称重(精确至0.001g)。 c.将烧杯放入110 ±2℃烘箱中烘3小时,取出后在干燥器中冷却至室温称重 (精确至0.001g) 。

LED半导体照明的发展与应用

LED半导体照明的发展与应用 者按:半导体技术在上个世纪下半叶引发的一场微电子革命,催生了微电子工业和高科技IT产业,改变了整个世界的面貌。今天,化合物半导体技术的迅猛发展和不断突破,正孕育着一场新的革命——照明革命。新一代照明光源半导体LED,以传统光源所没有的优点引发了照明产业技术和应用的革命。半导体LED固态光源替代传统照明光源是大势所趋。1、LED半导体照明的机遇 (1)全球性的能源短缺和环境污染在经济高速发展的中国表现得尤为突出,节能和环保是中国实现社会经济可持续发展所急需解决的问题。作为能源消耗大户的照明领域,必须寻找可以替代传统光源的新一代节能环保的绿色光源。 (2)半导体LED是当今世界上最有可能替代传统光源的新一代光源。 其具有如下优点: ①高效低耗,节能环保; ②低压驱动,响应速度快安全性高; ③固体化封装,耐振动,体积小,便于装配组合; ④可见光区内颜色全系列化,色温、色纯、显色性、光指向性良好,便于照明应用组合; ⑤直流驱动,无频闪,用于照明有利于保护人眼视力; ⑥使用寿命长。 (3)现阶段LED的发光效率偏低和光通量成本偏高是制约其大规模进入照明领域的两大瓶颈。目前LED的应用领域主要集中在信号指示、智能显示、汽车灯具、景观照明和特殊照明领域等。但是,化合物半导体技术的迅猛发展和关键技术的即将突破,使今天成为大力发展半导体照明产业的最佳时机。2003年我国人均GDP首次突破1000美元大关,经济实力得到了进一步的增强,市场上已经初步具备了接受较高光通量成本(初始成本)光

源的能力。在未来的10~20年内,用半导体LED作为光源的固态照明灯,将逐渐取代传统的照明灯。 (4)各国政府予以高度重视,相继推出半导体照明计划,已形成世界性的半导体照明技术合围突破的态势。 ①美国:“下一代照明计划”时间是2000~2010年投资5亿美元。美国半导体照明发展蓝图如表1所示; ②日本:“21世纪的照明计划”,将耗费60亿日元推行半导体照明目标是在2006年用白光LED替代50%的传统照明; ③欧盟:“彩虹计划”已在2000年7月启动通过欧共体的资助推广应用白光LED照明; ④中国:2003年6月17日,由科技部牵头成立了跨部门、跨地区、跨行业的“国家半导体照明工程协调领导小组”。从协调领导小组成立之日到2005年年底之前,将是半导体照明工程项目的紧急启动期。从2006年的“十一五”开始,国家将把半导体照明工程作为一个重大项目进行推动; (5)我国 的半导体LED产业链经过多年的发展已相对完善,具备了一定的发展基础。同时,我国又是照明灯具产业的大国,只要政府和业界协调整合好,发展半导体LED照明产业是大有可为的; 2LED的发展历程(如图1所示) 2.1LED技术突破的历程

助焊剂通用规范.

助焊剂通用规范 2014-08-15发布2014-09-01实施 xxx电子分厂发布

助焊剂通用规范 免清洗液态助焊剂——————————————————————————————————————— 1 范围 本标准规定了电子焊接用免清洗液态助焊剂的技术要求、实验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、贮存。 本标准主要适用于印制板组装及电气和电子电路接点锡焊用免清洗液态助焊剂(简称助焊剂)。使用免清洗液态助焊剂时,对具有预涂保护层印制板组件的焊接,建议选用与其配套的预涂覆助焊剂。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否使用这些文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。 GB 190 危险货物包装标志 GB 2040 纯铜板 GB 3131 锡铅焊料 GB 2423.32 电工电子产品基本环境试验规程润湿称量法可焊性试验方法 GB 2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查) GB 2829 周期检查计数抽样程序及抽样表(适用于生产过程稳定性的检查) GB 4472 化工产品密度、相对密度测定通则 GB 4677.22 印制板表面离子污染测试方法 GB 9724 化学试剂PH值测定通则 YB 724 纯铜线 3 要求 3.1 外观 助焊剂应是透明、均匀一致的液体,无沉淀或分层,无异物,无强烈的刺激性气味;一年有效保存期内,其颜色不应发生变化。 3.2 物理稳定性 按5.2试验后,助焊剂应保持透明,无分层或沉淀现象。 3.3 密度 按5.3检验后,在23℃时助焊剂的密度应在其标称密度的(100±1.5)%范围内。 3.4 不挥发物含量 按5.4检验后,助焊剂不挥发物含量应满足表1的规定。

半导体照明技术及其应用

《半导体照明技术及其应用》课程教学大纲 (秋季) 一、课程名称:半导体照明技术及其应用Semiconductor Lighting Technology and Applications 二、课程编码: 三、学时与学分:32/2 四、先修课程: 微积分、大学物理、固体物理、半导体物理、微电子器件与IC设计 五、课程教学目标: 半导体照明是指用全固态发光器件LED作为光源的照明,具有高效、节能、环保、寿命长、易维护等显著特点,是近年来全球最具发展前景的高新技术领域之一,是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明光源的革命。本课程注重理论的系统性﹑结构的科学性和内容的实用性,在重点讲解发光二极管的材料、机理及其制造技术后,详细介绍器件的光电参数测试方法,器件的可靠性分析、驱动和控制方法,以及各种半导体照明的应用技术,使学生学完本课程以后,能对半导体照明有深入而全面的理解。 六﹑适用学科专业:电子科学与技术 七、基本教学内容与学时安排: 绪论(1学时) 半导体照明简介、学习本课程的目的及要求 第一章光视觉颜色(2学时) 1光的本质 2光的产生和传播 3人眼的光谱灵敏度 4光度学及其测量 5作为光学系统的人眼 6视觉的特征与功能 7颜色的性质 8国际照明委员会色度学系统 9色度学及其测量 第二章光源(1学时) 1太阳 2月亮和行星 3人工光源的发明与发展 4白炽灯 5卤钨灯 6荧光灯 7低压钠灯

8高压放电灯 9无电极放电灯 10发光二极管 11照明的经济核算 第三章半导体发光材料晶体导论(2学时) 1晶体结构 2能带结构 3半导体晶体材料的电学性质 4半导体发光材料的条件 第四章半导体的激发与发光(1学时) 1PN结及其特性 2注入载流子的复合 3辐射与非辐射复合之间的竞争 4异质结构和量子阱 第五章半导体发光材料体系(2学时) 1砷化镓 2磷化镓 3磷砷化镓 4镓铝砷 5铝镓铟磷 6铟镓氮 第六章半导体照明光源的发展和特征参量(1学时)1发光二极管的发展 2发光二极管材料生长方法 3高亮度发光二极管芯片结构 4照明用LED的特征参数和要求 第七章磷砷化镓、磷化镓、镓铝砷材料生长(3学时)1磷砷化镓氢化物气相外延生长(HVPE) 2氢化物外延体系的热力学分析 3液相外延原理 4磷化镓的液相外延 5镓铝砷的液相外延 第八章铝镓铟磷发光二极管(2学时) 1AlGaInP金属有机物化学气相沉积通论 2外延材料的规模生产问题 3电流扩展 4电流阻挡结构 5光的取出 6芯片制造技术

无线视频服务器快速使用手册样本

无线网络视频传输系统快速使用手册

第一章前言 本用户手册描述了安装和配置无线网络视频传输系统的简单操作方法。用户经过阅读本手册, 能安装和设置视频编码器的初级参数, 以满足快速使用的要求。 无线网络视频传输系统工作原理: 网络视频编码器用来接收视频源信号加以编码、压缩和传输。经过无线网络将视频信号传输到公网的服务器端。用户经过客户端对服务器进行访问, 获得需要的视频资源。 在下文中介绍了网络视频编码器的安装、客户端和服务器端的安装和简单使用, 如果用户需要进一步了解高级功能, 请参照用户手册。 第二章设备简介 一简介 网络视频编码器是一个集视频采集、实时压缩、网络传输( 有线或无线) 等功能为一体的嵌入式设备。 设备接通电源之后就能够独立工作, 首先把采集的视频图像经H.264算法进行压缩编码, 然后将压缩后的视频数据传输到视频监控流媒体服务器中, 用户能够经过客户端监控软件登录流媒体服务器进行实时视频浏览、监控和管

理。 二外观 设备根据工业设计标准, 采用烤漆金属外壳, 包装精美、小巧, 方便携带或固定放置, 请参下图: 图2-1 外观 三设备重要部分介绍 电源适配器。

天线。 天线接口: 根据数字的不同与每张卡进行对应。 SIM卡插槽: SIM1: 装CDMA SIM卡1; 2: 装CDMA SIM卡2。( 每个SIM卡座旁都有 一个黄色小按钮, 用于取出SIM卡座) CDMA卡的安装。 DC9-24V: 电源插口, 接12V电源适配器( 可适应9-24V电压)

BNC视频输入接口。 RJ45以太网接口: 接网络集线器的以太网端口。该网口用来在设备 使用前对设备进行参数配置。如目的IP地址, 云台参数等。 设备状态指示灯: 指示各种状态, 方便用户掌握设备运行情况 Cell1和Cell2: 指示Modem拨号情况, 如果拨号成功, 则常亮; Data: 指示视频数据传输状况, 不停的闪烁, 表明正常传输视 频数据; Ctrl: 指示控制信号和心跳信号的传输; PWR: 指示设 备电源状态 复位: 该孔内有一个内凹的按钮, 用来对系统设置参数的恢复出厂值。例如: 当一些用户忘记设备的物理地址时经过此键恢复为192.168.0.250。或是忘记密码时可恢复为”888888”。使用方法为: 加电状态下, 按住按钮20秒以上时间, 当六个信号灯连续闪烁两次时, 即复位成功。

PCB.A焊锡作业标准及通用检验标准

PCB.A焊锡作业标准及通用检 验标准 【培训教材】 部门: 工艺工程部 编制: 代建平 ※烙铁工作原理 ※烙铁的分类及适用范围 ※烙铁使用前的准备 ※烙铁的使用与操作 ※一般无铅组件焊接参考温度及时间 ※烙铁的使用注意事项及保养要求 ※焊点的焊接标准及焊点的判别 ※焊点不良的原因分析 ※焊接的操作顺序 审查﹕核准﹕版本﹕

A B D E F A. 滑动盖 D 未端 B. 滑动柱 E 感应器 C. 未端 F 测量点 C 1. 目的:为使作业者正确使用电烙铁进行手工焊接作业,使电烙铁得到有效的利用,特制定本教材。 2. 范围:升邦钟表制品厂所有使用电烙铁,烙铁架的人员。 3. 定义: 恒温烙铁:是一种能在一定温度范围自由调节烙铁发热温度,并稳定在较小温度范围内的手工焊接工具,一般在100℃-400℃可调,温度稳定性达±5℃或更好状况。 4.工作原理:通过能量转换使锡合金熔化后适量转移到工件预焊位置,使其凝固,达到人们预期的目的。 5.内容: 5.1电烙铁的分类及适用范围: 5.1.1:一般情况下,烙铁按功率分,可分为30W 烙铁、40W 烙铁、60W 烙铁、恒温烙铁等几种类型,按加热方式分可分 为内热式、外热式。30W 烙铁温度能控制在250℃-300℃之间;40W 烙铁温度能控制在280℃-360℃之间; 60W 烙铁温度能控制在350℃-480℃之间;恒温烙铁具有良好的温度稳定性能,因其温度能在100℃-400℃之间可调和稳定,因此可适用各种焊接环境,因内热式具有发热稳定,不易损坏等优点,所以目前大多数使用内热式烙铁。 5.1.2:烙铁嘴一般是采用紫铜或类似合金的材料制成, 其特点是传热快, 易与锡合金物亲合,烙铁头根据焊接物的大小 形状要求不同的形状, 通常有圆锥、斜圆、扁平、一字形…,通常电烙铁配置相同功率的烙铁嘴,因圆锥型烙铁嘴适用各种焊接环境,尤其在组件脚较密,普通电子组件、焊盘焊接位置较紧凑的位置,焊接对温度敏感组件或其它易烫坏组件和焊盘的环境下使用,具有其不可替代的优越性,如封装IC 脚焊接,普通电容、电阻、二极管排线、石英的焊接等,所以在工厂里运用较多。 5.2:电烙铁的使用前准备: 5.2.1:恒温烙铁是通过电源插线把电源与焊台连接起来的, 一般使用总插头+防静电线, 其中总插头为电源线, 另一根线 为防静电连接线, 在焊接有特殊要求的器件时, 必须作好防静电保护,(烙铁的接地线必须接地)因此电烙铁使用前应由生产管理人员检查烙铁电源线及地线是否有铜线外露或胶落,电源插头接线有无脱落,烙铁嘴是否有松动、破损等,如有异常情况,应及时交由工艺工程部相关人员维修或更换。 5.2.2:使用电烙铁,须配套领取烙铁架,同时应将海棉浸湿再挤干后置入烙铁架相应位置,以作烙铁嘴擦拭之用。 5.2.3:将恒温烙铁插上电源,2分钟左右,烙铁嘴将迅速升温至所设定温度,这时应将烙铁嘴在湿润的海棉上擦拭干净 用锡线在烙铁嘴上涂上薄薄的一层锡,再次在海棉上擦拭到烙铁嘴光亮后方可使用。 5.2.4:电烙铁在开始使用或在使用过程中,须由IPQC 对烙铁嘴的温度及感应电压进行监测,一般监测温度使用烙铁温 度测试仪,监测感应电压使用数字万用表,以确保其焊接温度及感应电压在工艺要求范围,一般至少每4小时须检查一次. 监测烙铁温度具体检测步骤如下: (1)打开电池箱检查电池并确认电池安装极性正确; (2)装传感器红色的一边装到红色的未端C ,装传感器蓝色的一边到蓝色的未端D ;推动滑动盖A 并装另一边到 滑动柱B ; (3)打开电源开关,检查显示屏是否有显示,显示出当时室温时,可以使用该仪器,将使用中的烙铁嘴加上薄 薄一层锡后密切接触到测试点F 上,显示器上将在2-3S 钟内显示烙铁温度。

流媒体服务器软件使用说明

流媒体服务器软件使用说明 时间:2014-01-24发布出处:海康威视浏览数:73952 流媒体服务器软件是客户端软件(目前版本为iVMS-4200 )的组成模块之一,点击下载网站上客户端软件,安装时可选择流媒体服务器软件。流媒体服务器软件需要和客户端配合使用才能起到转发效果。 流媒体服务器的使用步骤: 1.在欲做转发服务器的PC或服务器上安装并运行流媒体服务器软件,软件从上到下两块内容依次是连接信息区和命令信息区。(可直接运行,不需配置,或根据需要在配置中改变端口)。 注意:使用流媒体时需要关闭PC或者服务器的防火墙。如有特殊需求不能关闭防火墙,则需要映射554以及端口段。 2.运行软件后,在客户端PC上添加流媒体服务器。在“设备管理”界面选择流媒体服务器,选择“添加设备”。 3.在弹出的对话框中填入运行流媒体服务器软件的PC或服务器的IP地址和端口号点击确定即可。(若没有修改流媒体服务器的端口,使用默认的554就可以)。 4.选择添加的流媒体服务器,点击“配置”,选择需要通过流媒体取流的监控点。 5.在其他需要访问的电脑客户端上重复第2-4这3个步骤,全部都添加完成后即可。添加成功后进行预览,在连接信息区和命令信息区能分别看到提示。 开启流媒体服务器转发后依旧没有效果的可能原因: 1.有部分客户端没有添加流媒体服务器,依然通过直连设备来获取数据流。 无转发效果,有PC通过IE访问设备后,已经占用设备若干并发流路数,此时客户端通过流媒体转发也会有部分通道播放失败。此时,可关掉IE预览测试。 3.流媒体服务器网络上传达到上限,无法有效进行转发。此时需要确认转发的路数没有达到服务器网络负荷能力上限,目前4200流媒体服务器转发能力为进64路,出200路(按2M码流计算,如果码流高于2M,则进出路数相应减少;但如果低于2M码流,最大进出路数不变。)。 4.运行了多个流媒体服务器软件,一台硬盘录像机的图像通过不同的流媒体服务器进行转发。

焊点工艺标准及检验规范

焊点工艺标准及检验规范文件编号 页数生效日期 冷焊 OK NG 特点:焊点程不平滑之外表,严重时于线脚四周,产生这褶裰或裂缝 1.焊锡表面粗糙,无光泽,程粒状。 2.焊锡表面暗晦无光泽或成粗糙粒状,引脚与铜箔未完全熔接。 允收标准:无此现象即为允收,若发现即需二次补焊。 影响性:焊点寿命较短,容易于使用一段时间后,开始产生焊接不良之现象,导致功能失效。 造成原因:1.焊点凝固时,收到不当震动(如输送皮带震动) 2.焊接物(线脚、焊盘)氧化。 3.润焊时间不足。 补救处置:1.排除焊接时之震动来源。 2.检查线脚及焊盘之氧化状况,如氧化过于严重,可事先去除氧化。 3.调整焊接速度,加长润焊时间。 编制审核批准 日期日期日期

焊点工艺标准及检验规范文件编号 页数生效日期 针孔 OK NG 特点:于焊点外表上产生如针孔般大小之孔洞。 允收标准:无此现象即为允收,若发现即需二次补焊。 影响性:外观不良且焊点强度较差。 造成原因:1.PCB含水汽。 2.零件线脚受污染(如矽油) 3.导通孔之空气受零件阻塞,不易逸出。 补救处置:1.PCB过炉前以80~100℃烘烤2~3小时。 2.严格要求PCB在任何时间任何人都不得以手触碰PCB表面,以避免污染。 3.变更零件脚成型方式,避免Coating(零件涂层)落于孔内,或察看孔径与线搭配是否有风孔之现象。 编制审核批准 日期日期日期

焊点工艺标准及检验规范文件编号 页数生效日期 短路 OK NG 特点:在不同线路上两个或两个以上之相邻焊点间,其焊盘上这焊锡产生相连现象。 1.两引脚焊锡距离太近小于0.6mm,接近短路。 2.两块较近线路间被焊锡或组件弯角所架接,造成短路。 允收标准:无此现象即为允收,若发现即需二次补焊。 影响性:严重影响电气特性,并造成零件严重损害。 造成原因:1.板面预热温度不足。 2.助焊剂活化不足。 3.板面吃锡高度过高。 4.锡波表面氧化物过多。 5.零件间距过近。 6.板面过炉方向和锡波方向不配合。 补救处置:1.调高预热温度。 2.更新助焊剂。 3.确认锡波高度为1/2板厚高。 4.清除锡槽表面氧化物。 5.变更设计加大零件间距。 6.确认过炉方向,以避免并列线脚同时过炉,或变更设计并列线脚同一方向过炉。 编制审核批准 日期日期日期

模拟电子技术基础-第1章 常用半导体器件题解

第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。( ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 ( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R G S 大的特点。( ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零,则其输入电阻会明显变小。( ) 解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S -T U U I (3)稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 (5)U G S =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C

三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V, U O6≈-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Z mi n=5mA。求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 图T1.4 解:U O1=6V,U O2=5V。

助焊剂通用规范

助焊剂通用规范 Document number:NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT

x x x x企业标准 xxx电子分厂发布

助焊剂通用规范 免清洗液态助焊剂——————————————————————————————————————— 1范围 本标准规定了电子焊接用免清洗液态助焊剂的技术要求、实验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、贮存。 本标准主要适用于印制板组装及电气和电子电路接点锡焊用免清洗液态助焊剂(简称助焊剂)。使用免清洗液态助焊剂时,对具有预涂保护层印制板组件的焊接,建议选用与其配套的预涂覆助焊剂。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否使用这些文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。 GB190危险货物包装标志 GB2040纯铜板 GB3131锡铅焊料 电工电子产品基本环境试验规程润湿称量法可焊性试验方法 GB2828逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查) GB2829周期检查计数抽样程序及抽样表(适用于生产过程稳定性的检查) GB4472化工产品密度、相对密度测定通则 印制板表面离子污染测试方法 GB9724化学试剂PH值测定通则 YB724纯铜线 3要求 外观 助焊剂应是透明、均匀一致的液体,无沉淀或分层,无异物,无强烈的刺激性气味;一年有效保存期内,其颜色不应发生变化。 物理稳定性 按试验后,助焊剂应保持透明,无分层或沉淀现象。 密度 按检验后,在23℃时助焊剂的密度应在其标称密度的(100±)%范围内。 不挥发物含量 按检验后,助焊剂不挥发物含量应满足表1的规定。

电子技术各章知识点

电子技术复习 CH14半导体器件 1.本征半导体、N型半导体、P半导体的基本概念;PN的单 向导电特性;温度和参杂浓度对多子和少子的影响。 2.二极管的基本参数(死区电压、导通电压)及相关应用, 学会判断二极管在电路中的工作状态(导通、截止)。掌握含二极管电路的分析方法。 3.了解稳压管的工作原理,基本稳压管稳压电路的分析。(两 稳压管串联、并联) 4.半导体三极管工作状态的特点(放大、饱和、截止)。 5.半导体三极管的管脚的判定 CH15基本放大电路 1.放大电路(共射)的分析方法(直流通路法、微变等效电 路法) 2.静态工作点稳定电路(分压式偏置电路)的结构、特点和分 析方法(静态、动态) 3.射极输出器的特点,电路分析。 4.差分放大电路的输入信号(共模、差模、比较),共模抑制 比的概念(理想共模抑制比=?) CH16集成运算放大器 1.运放的理想化条件 2.运放在线性区和非线性区的分析方法

3. 运放线性应用电路的分析(比例运算[同相(电压跟随器)、反相(反相器)]、反相加法运算、减法运算) CH17电子电路中的反馈 1. 反馈的基本概念 2. 负反馈类型的判断方法(会判断正、负反馈;电压、电流反馈;串联、并联反馈) 3. 负反馈对放大器性能的影响(影响类别?闭环放大倍数? AF A A f += 1) 4. 自激振荡起振的条件、振荡建立条件、稳振条件? 5. 典型RC 两种类型电路的电路分析。 CH18直流稳压电源 1. 直流稳压电源的组成及各部分的作用 u 1- + 2. 单相半波、全波(桥式整流)电路的构成和工作原理,二极管的选择依据(计算,见例题和作业题),桥式的输出波形受二极管的影响

半导体照明技术学习考试资料

1. GaP绿色LED的发光机理是什么,当氮掺杂浓度增加时,光谱有什么变化,为什么?GaP红色LED的发光机理是什么,发光峰值波长是多少?答:GaP绿色LED的发光机理是在GaP间接跃迁型半导体中掺入等电子陷阱杂质N,代替P原子的N原子可以俘获电子,又靠该电子的电荷俘获空穴,形成束缚激子,激子复合发光。当氮掺杂浓度增加时,总光通量增加,主波长向长波移动,这是因为此时有大量的氮对形成新的等电子陷阱,氮对束缚激子发光峰增加,且向长波移动。 GaP红色LED的发光机理是在GaP晶体中掺入ZnO对等电子陷阱,其发光峰值波长为700nm的红光。 2. 液相外延生长的原理是什么?一般分为哪两种方法,这两种方法 的区别在哪里? 答:液相外延生长过程的基础是在液体溶剂中溶质的溶解度随温度 降低而减少,而且冷却与单晶相接触的初始饱和溶液时能够引起外 延沉积,在衬底上生长一个薄的外延层。 液相外延生长一般分为降温法和温度梯度法两种。降温法的瞬态生 长中,溶液与衬底组成的体系在均处于同一温度,并一同降温(在 衬底与溶液接触时的时间和温度上,以及接触后是继续降温还是保 持温度上,不同的技术有不同的处理)。而温度梯度法则是当体系 达到稳定状态后,整个体系的温度再不改变,而是在溶液表面和溶 液-衬底界面间建立稳定的温度梯度和浓度梯度。 3. 为何AlGaInP材料不能使用通常的气相外延和液相外延技术来制造?答:在尝试用液相外延生长AlGaInP时,由于AlP和InP的热力学稳定性的不同,液相外延的组分控制很困难。而当使用氢化物或氯化物气相外延时,会形成稳定的AlCl化合物,会在气相外延时阻碍含Al磷化物的成功生长。故AlGaInP材料不能用通常的气相外延和液相外延技术来制造。 4. 对三基色体系的白光LED,列出基色光源的三个最佳峰值波长。对荧光转换的白光LED和多芯片的白光LED,这三基色用什么方法来实现?答:三基色体系的白光LED,基色光源的三个最佳峰值波长分别为450nm、540nm和610nm。对荧光转换的白光LED,是用部分被吸收的AlInGaN 芯片的蓝光和适当的绿光和橙红光两种荧光粉来实现。对多芯片白光LED,是用峰值波长600nm附近的AlGaInP基LED,以及峰值波长450nm 和540nm的AlInGaN LED组成。 5. 简要说明LED封装技术发展三个阶段的时间范围、典型LED及其驱动电流、器件应用领域。 答:LED封装技术发展的3个阶段分别为: (1)1962~1989年期间,典型的LED为?3和?5的LED,驱动电流一般小于等于20mA,主要用做信号指示和显示。 (2)1990~1999年,发展了大光通量LED食人鱼和Snap,驱动电流在50~150mA,主要用于大型信号指示,如汽车信号灯、景观照明。 (3)2000年至今,研发和生产了功率型LED,电流≥350mA,开始用于照明,并开始了更大光通量输出的组件的研制和生产。 6. 画出透明衬底的AlGaInP LED的结构示意图,简要说明其芯片制造流程。 答:结构示意图如下图所示。 此LED结构用的是MOCVD生长在GaAs上的双异质结(AlxGa1-x)0.5In0.5P,并在结构上方VPE生长一个小于50μm厚的GaP 窗层。在外延生长后,用通常的化学腐蚀技术移除GaAs吸收衬底,使双异质结结构的N型层暴露,再通过升高温度和加压,将晶片黏结到200~250μm厚的N型GaP衬底上。1. 画出典型的具有GaP窗层和吸收衬底的双异质结AlGaInP LED的结构示意图,简述为什么需要使用电流扩展窗层。 答:结构示意图如下图所示。 为了使LED芯片获得高效的发光,电流扩展是主要关键之一,如 上图的结构,器件的上方覆盖了圆形的金属顶,电流从芯片的顶部 接触通过P型层流下到达结区,在结区发光。但是假如P型层的电 阻太高,电流将扩展很少,而仅仅限在金属之下,光仅仅发生在电极 之下,而且被芯片内部吸收。有效的最好性能的AlGaInP LED是在 通常的双异质结顶部再生长一个厚的P型窗层,而不用AlGaInP材 料。这个电流扩展窗层与AlGaInP相比,具有高的薄层电导率,而 且对发射光是透明的,可以达到很好的电流扩展效果。 4.LED作为城市景观照明中的首选光源的优点:①色彩丰富纯度高、节能②响应时间短,瞬时达到全光输出,可深度调光③体积小、方向 性强④直流低压驱动,简化系统设计,降低电路成本⑤寿命长,工作 安全可靠,维护费用大大降低。景观常用LED灯具有护栏灯、树灯 5. LED的电学性能特点:LED是单向导电器件。LED是个具有PN结结构的半导体器件,具有势垒电势,所以就有导通阈值电压。LED的电流—电压特性是非线性的。LED的正向压降与PN结结温的温度系数为负。流过LED的电流和LED的光通量的比值也是非线性的。 6. 电源驱动方案:(1)低电压驱动。是指用低于LED正向导通压降的电压驱动LED,如一节普通干电池、镍镉电池供电的低功耗照明器件,LED 手电、头灯、应急灯、路障灯、节能台灯等,采用电荷泵式升压变换器(2)过渡电压驱动。是指给LED供电的电源电压值在LED正向压降附近变动。如一节锂电池或两节串联的铅酸蓄电池,电池充满时在4V以上,快用完时在3V以下,应用有矿灯等,是反极性电荷泵式变换器(3)高压驱动。是指给LED供电的电压值高于LED的正向压降,如6V.12V.24V蓄电池,应用有太阳能草坪灯、太阳能庭院灯等,变换器电路是串联开关降压电路。(4)市电驱动。是对半导体照明应用最具有价值的供电方式,中小功率LED采用隔离式单端反激变换器,大功率用桥式变换电路。 7.可靠性试验指:产品在规定的条件下、在规定的时间内完成规定的功能的能力。产品在设计、应用过程中,不断经受自身及外界气候环境及机械环境的影响,而仍需要能够正常工作,这就需要以试验设备对其进行验证,按试验目的可分为筛选试验、例行试验、鉴定验收试验;按照试验项目可分为环境试验和寿命试验。 8. (1)平均寿命:指一批电子器件产品寿命的平均值(2)可靠寿命:指一批电子器件产品的可靠度下降到时,所经历的工作时间(3)中位寿命:指产品的可靠度降为50%时的寿命(4)特征寿命:指产品的可靠度降为1/e时的寿命(5)LED的寿命:通常用“半衰期”即器件的光输出下降到起始值50%时的时间作为LED的寿命。 用B50和L70来表示功率LED的寿命。L70(B50)表示功率LED比起初始值来,平均流明值下降到维持70%(50%)的时间。 9. 画出器件失效率随时间变化的曲线,说明曲线的各个阶段及其失 效原因。 答:曲线如图分为三个阶段: 第一个阶段称为早期失效或 老化阶段,失效率较高,随工作时间的延长而迅速下降。造成早期 失效的原因大多属生产型缺陷,由产品本身存在的缺陷所致。 第二个阶段为有效寿命阶段,又称随机失效阶段,失效率很低且 很稳定,近似为常数,器件失效往往带有偶然性。 第三个阶段称耗损失效阶段,失效率明显上升,大部分器件相继出现 失效,耗损失效都由于老化、磨损和疲劳等原因使器件性能恶化所致。 10. 伏安特性指流过PN结的电流随电压变化的特性,应将正、反向均包括在内。(1)反向击穿电压Vb:表示器件反向耐压高低的参数,通常是指一定漏电流下器件两端的反向电压值(2)反向电流Ir:给定反向电压下流过器件的反向电流值(3)正向电压Vf:指定正向电流下器件两端的正向电压值。作用:标志着结的体电阻及欧姆接触串联电阻的高低,可在一定程度上反应电极制作的好坏 12. 热管是依靠自身内部工质液相和气体二相变化来实现传热的导热元件,它是由高纯度的无氧铜管及铜丝网或铜粉烧结物组成,内充液体为工作介质。当受热端将工作液相蒸发成气相,气流经过中空管道流到冷却端,冷却后将工作流体凝结成液相,冷凝液借助于铜丝网或铜粉烧结物的毛细组织吸回受热端,完成吸热-放热循环,可在一定温差下将热量传导出。具有重量轻、结构简单、热传输量大、耐用寿命长、导热能力强等优点。回路热管比单管热管效率更高且不受位置影响。

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