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北交大模电习题第3章题

北交大模电习题第3章题
北交大模电习题第3章题

第3章练习与习题

思考题

3-1 电流源和电流镜的区别是什么?

答:电流镜是一种电流源。

3-2 根据三极管或场效应管的特点,交流电流源应当具有什么样的电路结构?

答:应当是通过电容输入和输出的电路结构。

3-3 电流源在差分电路中起到了什么样的作用?

答:起到提高共模抑制比和稳定电路工作点的作用。

3-4 使用仿真软件进行电流源或电流镜电路仿真分析时,根据什么分析电路的特性?

答:应当根据输入电路与参数的关系分析电路特性。

3-5 开关电路的基本特点是什么?能否用低频小信号模型分析开关电路?

答:开关电路仅工作在饱和与截止两种状态,不能工作在线性区。所以不能使用低频小信号模性分析开关电路。

练习题

3-1如图所示的电流源电路,已知管子的电流放大系数为50。三极管b-e结压降为0.7V,如果需要输出电流10mA,R b应当是多少?

解:

cc

=12V

练习3-4图

由基本方程

c b

I Iβ

=,再由电路结构

0.711.3

cc

b

b b

v

I

R R

?

==

所以

5011.3

10

c b

b

I I m

R

β

×

===A,所以

3

5011.3

56.5

1010

b

R k

?

×

==?

×

3-2 对练习3-2图所示电路,如果输入的是幅度为8V方波信号,试绘制输出电压信号和I d的波形,并指出输出波形的特点和形成该特点的原因。用Multisim对电路仿真,仿真中令电容值分别是0.01μF、0.1μF和1μF,观察输出信号和I d的变化,并指出波形变化与电容值的关系。

练习3-2

解:

仿真电路用虚拟MOS

管。由于输入的是方波信号,最低点压为0V ,最高电压为8V ,所以电路工作在开关状态,不用考虑偏置电路。

输入与输出波形反相。波形的边沿与频率、电容值和器件频率特性有关。

C=1μF

C=0.01μF

3-3 绘制图示电路的大信号等效电路,设电路具有正常的开关功能,如果输入一个脉冲信号,把I c 或I e 作为输出信号,试绘制输出信号的波形。脉冲信号的高电平为V CC ,低电平为系统地电平。用Multisim 仿真本题电路,分析电阻R b 和R L 对输出信号和电路特性的影响。

cc

v i

(a)集电极输出开关电路(b)射极输出开关电路

练习3-3图

解:

输入脉冲信号、电流作为输出信号时,输入电压信号与输出电流信号向为相同。

仿真中使用虚拟三极管,R b = R c = R e =10k

?,但观察需要使用分析方法而不能直接利用示波器。

(a )的测试电路如图所示。集电极电流利用了一个电流控制电流源,但由于仿真中离开电源的电流为负,所以CCCS 需要设置为?1。

输入(下)和输出波形(上)

3-4 绘制图示电路的直流大信号等效电路,并计算I d 。

DD

练习3-4图

解:(略)

习题

3-1 设图示电路的输入为低频小信号v i =V m sin ωt ,要求电流源的输出电流与输入信号电压保持线性关系,即i o =Kv i 。试分析

1)电流源最大允许端电压与V m 之间的关系。

2)若给定电流源输出电流最大值,计算负载电阻的最大值。 (提示:设电容对交流信号短路)

v i

cc

习题3-1图

解:

交流等效电路如下图。

1)根据电路结构,可知最大输出电压

2

cc

md v v =

(1) 因为i i c b β=,in b be v r =

i ,in c be

v r β=i sin ce cc f c cc f m v v R i v R V t ω=?=?

令 ce mD v v =得

2

cc

cem cc f m v v v =

=?R V 所以

cem cc f m v v R V =?

2)给定cm I 时,为保证输出线性 cem f cm v R I = 所以 2cem cc f cm cm

v v

R I I =

=

3-2 分析图示电路在交流低频小信号输入条件下,电路参数对电流源输出电流I s 的影响,图中R s 是负载电阻。

s

v i

习题3-2图

解:

忽略MOS 管的作用,由基本方程d r )(th gs m s V v g I ?=,在低频小信号条件下,I s 受跨导和MOS 管门限值的影响。

g

s 3-3 推导图示电路在低频小信号输入条件下,MOS 管T 电流I d 的表达式,并分析该电流的特点。(提示:利用场效应管的交流低频小信号模型)

习题3-3图

解:

等效电路如下图所示。

T 1

v i T 2

由习题2-3可知,对于MOS 管T ,

gs mT d v g i =,gs v v =ds =V G ,所以

G mT d V g i =, (1)

由等效电路及上式可知,i d 与V G 成正比,当T 工作在线性区时,g mT 为常数,所以T 相当于一个电阻。另由等效电路可知,

11d m i g v =122d m v =i i ),i g ,i i 2121122()(d d d m i G m i G i g v v g v v =+=?+? (2)

在电路对称的条件下(g m 1=g m 2=g m ),则

G m i i m d V g v v g i 2)(21?+= (3)

如果g m =g mT ,因为 ,则由式(3)得3i G mT d v g i =d =g m (v i 1+v i 2),即

12()

3

m i i d g v v I +=

如果g m =kg mT ,其中k 是常数,则由式(3)得i d +2ki d =g m (v i 1+v i 2),即

)(2121i i m

d v v k

g i ++=

3-4 设习题3-4图所示电路中I 1为常数,所有绝缘栅型NMOS 管的g m 、V th 和R ds 完全相同并已知,计算V o 。

V o

习题3-4 图

解:

根据给定的电路

R I V V ds o 33+=,, 21I I =23I I =

33m ds g V =,所以 =(1/g 2I o V 2I m 3+R )

3-5 用Multisim 对习题3-1电路进行仿真研究,并对方波输入信号时的输出信号波形进行解释。

解:参考习题2-5

3-6 用Multisim 对习题3-3电路进行仿真研究。设输入信号中的差模信号和共模信号幅度相同,分析两个漏级电阻相差0%、1%、5%和10%情况下电路的共模抑制比。

解:(略)

模电第三章总结

第三章多级放大电路总结 一、多级放大电路的耦合方式 1、直接耦合(多用于直流信号的放大及集成电路中) 优点:可以放大变化缓慢的信号;便于集成化; 缺点:存在零漂现象; 2、阻容耦合(通常在信号频率很高、输出功率很大的特殊情况下采用)如图所示: 优点:各级放大器Q点独立;输出零漂较小; 缺点:不能放大变化缓慢的信号;不便于集成化; 3、变压器耦合(需要输出特大功率、或实现高频功率放大时采用) 优点:各级放大器Q点独立;可以实现阻抗变换; 缺点:不能放大变化缓慢的信号;笨重;不能集成化; 4、光电耦合(了解):放大能力较强 二、多级放大电路的动态分析 1、电压放大倍数A u=A u1A u2A u3…A u N

2、输入电阻和输出电阻:R i=R i1 ;R o=R oN (用射级输出器作为输入级,构成两级放大器,可大大提高输入电阻;用射极输出器作为输出级,可以减小放大器的输出电阻,提高带负载能力) (1)要把后级的输入阻抗作为前级的负载电阻; (2)前级的开路电压作为后级的信号源电压,前级的输出阻抗作为后级的信号源阻抗。 对电压放大电路的要求:R i大,R o小,Au的数值大,最大不失真输出电压大。 三、直接耦合放大电路 ?零漂(温漂):输入电压为零而输出电压的变化不为零的现象; 抑制温度漂移的方法: 1在电路中引入直流负反馈; 2采用温度补偿的方法,利用热敏元件来抵消放大管的变换; 3采用特性相同的管子(即对管),使它们的温漂相互抵消,构成“差分放大电路”; ?差分放大电路: 图1 基本形式如右图1,对电路的要求:两个电路的参数完全对称,两个管子的温度特性也完全对称; 共模信号:大小相等、极性相同的输入信号;(如右 图) 差放对共模信号有很强的抑制作用,在参数;理想的情况下, 共模输出为零。 A uc=0; 差模信号:大小相等、极性相反的输入信号; (如右图) U od=U c1-U c2=2U c1;

模电模拟试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3.差分放大电路中,若u I1=100V ,u I 2=80 V 则差模输入电压u Id = 20V ;共模输入电压u Ic =90 V 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a .不用输出变压器 b .不用输出端大电容 c .效率高 d .无交越失真 9.稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。 a .正向导通区 b .反向截止区 c .反向击穿区 三、放大电路如下图所示,已知:V CC 12V ,R S 10k ,R B1 120k , R B2 39k ,R C 3.9k ,R E 2.1k ,R L 3.9k ,r bb’ ,电流放大系数 50, 电路中电容容量足够大,要求: 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图

模电数电题面试题集锦

模拟电路知识 1、基尔霍夫定理的内容是什么? 基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律 电流定律:在集总电路中,任何时刻,对任一节点,所有流出节点的支路电流的代数和恒等于零。 电压定律:在集总电路中,任何时刻,沿任一回路,所有支路电压的代数和恒等于零。 2、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。 反馈,就是在电子系统中,把输出回路中的电量输入到输入回路中去。 反馈的类型有:电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。负反馈的优点:降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用。 电压负反馈的特点:电路的输出电压趋向于维持恒定。 电流负反馈的特点:电路的输出电流趋向于维持恒定。 3、有源滤波器和无源滤波器的区别 无源滤波器:这种电路主要有无源元件R、L和C组成 有源滤波器:集成运放和R、C组成,具有不用电感、体积小、重量轻等优点。 集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高,输出电阻小,构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限,所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。 6、FPGA和ASIC的概念,他们的区别。(未知) 答案:FPGA是可编程ASIC。 ASIC:专用集成电路,它是面向专门用途的电路,专门为一个用户设计和制造的。根据一个用户的特定要求,能以低研制成本,短、交货周期供货的全定制,半定制集成电路。与门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比,它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点。 7、什么叫做OTP片、掩膜片,两者的区别何在? OTP means one time program,一次性编程 MTP means multi time program,多次性编程 OTP(One Time Program)是MCU的一种存储器类型 MCU按其存储器类型可分为MASK(掩模)ROM、OTP(一次性可编程)ROM、FLASHROM 等类型。 MASKROM的MCU价格便宜,但程序在出厂时已经固化,适合程序固定不变的应用场合;FALSHROM的MCU程序可以反复擦写,灵活性很强,但价格较高,适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途; OTP ROM的MCU价格介于前两者之间,同时又拥有一次性可编程能力,适合既要求一定灵活性,又要求低成本的应用场合,尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电子产品。 8、单片机上电后没有运转,首先要检查什么? 首先应该确认电源电压是否正常。用电压表测量接地引脚跟电源引脚之间的电压,看是否是电源电压,例如常用的5V。 接下来就是检查复位引脚电压是否正常。分别测量按下复位按钮和放开复位按钮的电压值,看是否正确。 然后再检查晶振是否起振了,一般用示波器来看晶振引脚的波形,注意应该使用示波器探头的“X10”档。另一个办法是测量复位状态下的IO口电平,按住复位键不放,然后测量IO口

模电试题及答案12

《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章) 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。A .大于 B.等于 C .小于 3、本征半导体温度升高以后, C 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B .空穴数增多,自由电子数基本不变 C .自由电子数和空穴数都增多,且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A .电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D . 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。A. 正向导通 B .反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D . 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。A. 增大 B . 不变 C. 减小 D. 都有可能 9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C从1m A变为2mA ,那么它的β约为 C 。A. 83 B. 91 C. 100 D . 10 10、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流 11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 D ;图2为 A 。[基极电位总是处于中间] A.NPN 硅管 B.P NP 硅管 C .NP N锗管 D.P NP 锗管 12、场效应管是 D 器件。 A .电流控制电流 B.电流控制电压 C .电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R b的作用是 A 。 A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路 B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C .保护信号源 D.防止输出电压被短路 14、基本共射放大电路中,集电极电阻Rc 的作用是 B 。 A .限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E C 15、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B .相反 C.相差90° D.相差270° 16、NP N管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2

最新模电数电复习题(已整理)

第1章 常用半导体器件自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。 试问: (1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =? 解:(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =, 2.6C B I I mA β==,

2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =, /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解:波形如解图Pl.3所示。

模电练习题

填空: 1、N型半导体中多数载流子是自由电子,而P型半导体中多数载流子是空穴。PN结正向偏置应是:P区电位正极 N区电位负极 2、半导体三极管二个PN结,它工作在放大状态的特点是发射结正偏导通,集电结反偏截止,I C =β I B。 3、二极管由一个PN结组成。二极管具有单向导电特性。稳压二极管具有稳定电压作用。 4、三极管的三个电极分别叫基极、发射极、集电极。 6、半导体三极管工作在截止状态的特点是发射结反偏,集电结反偏,I C = I CEO≈0。如果测得某三极管U BE ≈0.7V,U CE≈0.3V,则该三极管工作在导通状态,该三极管的材料是硅管。 5、场效应管属于电压控制器件,具有输入电阻非常高的特点。使用绝缘栅场效应管要特别注意的是:场效应管工作在线性区域,噪声低、热稳定性好、阻抗高。 7、用万用表判别放大电路中三极管的工作状态,用测量三极管电位的方法最方便。 8、在基本放大电路中,计算静态工作点就是要计算静态电流 I BQ 、 I CQ和静态电压 V CEO。

9、给放大器设置合适的静态工作点,使三极管工作在放大状态。静态工作点太高或太低,容易引起饱和失真或截止失真。 10、基本放大电路有三种组态,分别叫做共发射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。在三种组态的放大电路中,放大能力最强的是共发射极放大电路,带负载能力强的是共集电极放大电路,频率响应最好的是共基极放大电路。 11、在三种不同耦合方式的放大电路中,能放大缓慢变化信号的是直接耦合放大电路,能实现阻抗变换的是阻容耦合放大电路,零点漂移严重的是直接耦合放大电路,适合集成化的是直接耦合放大电路。直接耦合放大电路存在的主要问题是零点漂移和静态工作点相互影响。 12、电压放大器的输入电阻越大越好,输出电阻越小越好。 13、放大电路中的反馈按其极性分为两类,一类为正反馈,另一类为负反馈。直流负反馈的作用是稳定静态工作点;交流负反馈能增大放大倍数的稳定性,能扩展通频带,能减小非线性失真,能减小输入电阻和输出电阻。 14、交流并联负反馈使输入电阻减小;交流电

大学基础的数电模电试题及答案

一. 填空题 1、继电保护装置必须满足选择性、(快速性)、灵敏性和(可靠性)四个基本要求。 2、安全工作规程是中规定:设备对地电压高于(250V )为高电压;在250V 以下为低电压;安全电压为36V以下;安全电流为(10mA )以下。 3、软件测试时需要三类信息:软件配置、(测试配置)、(测试工具)。 4、存储容量为4K×8位的RAM存储器,其地址线为(12 )条、数据线为(8 )条。 5、产品质量特性包括:性能、(寿命)、可信性、(安全性)和经济性。 6、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 7、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 8、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开。 9、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 10、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 11、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 12、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。 13、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。 14、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F)。 15、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fH –fL),(1+AF)称为反馈深度。 16、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 17、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。

模电试题及答案

试题一 一、选择题:(每小题2分,共24分) (1)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( B )。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 (2)N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( C )。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 (3)为了减小零点漂移,通用型运放的输入级大多采用( C )。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 (4)高通滤波电路可以用于( A )。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 (5)长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是( C )。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 (6)、电路如图所示,其输出电压u O 等于( B )。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + (7)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降( A )。 A .3d B B.4dB C.5dB (8)( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A .同相比例 B .微分 C .同相求和 (9)PN 结加正向电压时,空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (10)OCL 功率放大电路如图所示,当u i 为正半周时,则( A )。

A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1,T2导通 (11)整流的目的是( A )。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波(12)电路如图所示,二极管D为理想元件,输入信号u i为如图所示的三角波,则输出电压u o的最大值为( B )。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题:(总16 分,每空 2 分) (1)、一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为e 极,B为 b 极,C为 c 极。 (2)工作在放大区的晶体管,当I B从10μA增大到20μA,I C从1mA增大到2mA,它的β为 100 。 (3)由于不易制造大容量电容,集成电路采用直接耦合放大方式。

模电数电复习考试题(已整理)

第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。 试问: (1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =? 解:(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =, 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5

(2)∵ 2.86CC BE CS c V U I mA R -= =, /28.6BS CS I I A βμ== ∴45.5BB BE b BS V U R k I -= =Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与 o u 的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解:波形如解图Pl.3所示。

模电试卷和答案 (2)

昆明冶金高等专科学校试卷(A) 学院: 专业: 课程: 考试学期: 年季学期考试时间: 分钟试卷类别: 闭卷 行政班级: 学生姓名: 学号: 一、填空题(每空1分,共30分) 1. PN结正向 ,反向 ,具有性。 2.三极管按其结构可分为与。 3.三极管的三种工作状态就是、与。 4.三极管处于放大状态的外部工作条件就是。 5.当环境温度下降时,会导致三极管的集电极电流 Ic 。 6.多级放大电路常用的耦合方式有、与。 7.差动放大电路的主要功能就是可以有效抑制。 8.功率放大电路从其静态工作点的设置情况可分为、 与三种类型。 9.OTL功放的含意就是。 10.集成运算放大器的输入级常采用电路,中间级常采 用电路,输出级常采用电路。11.理想集成运算放大器的两条重要性质就是 与。 12.振荡电路能够起振的条件就是与。

13.LC振荡电路的振荡频率为。 14.直流稳压电源主要由、、与 四个部分构成。 二、判断题(每题1分,共12分) 1.当PN结承受正向电压时,内电场被削弱,空间电荷区变宽。( ) 2.二极管两端承受正向电压时,一定会导通。 ( ) 3.NPN型三极管工作于放大状态时,E极电位最高。 ( ) 4.三极管的Au体现了其电流放大功能。 ( ) 5.开关三极管工作于截止区与饱与区。 ( ) 6.三极管的β值越高越好。 ( ) 7.多级放大电路的总放大倍数等于各级放大倍数之与。 ( ) 8.电压负反馈可以稳定输出电流。 ( ) 9.放大电路的通频带越宽越好。 ( ) 10、单管共射放大电路,输出与输入电压相位差0度。 ( ) 11、共基放大电路,输出与输入电压相位差90度。 ( ) 12、为消除乙类功放的交越失真,应使其工作在甲乙类。 ( ) 三、选择题(每题2分,共10分) 1、能将矩形波转变成三角波的电路就是( ) A、比例运算电路 B、微分运算电路 C、积分运算电路 D、加法电路 2、如要求能放大两个信号的差值,又能抑制共模信号,采用( )方式的电路: A、反相输入 B、同相输入 C、双端输入

模电第二章三极管练习题

第二章三极管练习题 一、填空题: 1.晶体管工作在饱和区时发射结偏;集电结偏。 2.三极管按结构分为_ 和两种类型,均具有两个PN结,即______和______。 3.三极管是___________控制器件,场效应管是控制器件。 4.晶体管放大电路的性能指标分析,主要采用等效电路分析法。 5.放大电路中,测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V,则该管是______类型管子,其中_____极为集电极。 6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。 7.三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时,三极管的工作状态分别是__ __和______。8.场效应管同三极管相比其输入电阻_________,热稳定性________。 9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时,输入信号必须是________的信号。 10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________,集电结______。 11.在正常工作范围内,场效应管极无电流 12.三极管按结构分为______和______两种类型,均具有两个PN结,即___________和_________。 13.晶体三极管是一种___控制___器件,而场效应管是一种___控制___器件。 14.若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压,在集电结上也加上反向偏置电压,则这个晶体三极管处于______状态。 15.作放大作用时,场效应管应工作在____(截止区,饱和区,可变电阻区)。 16.晶体三极管用于放大时,应使发射极处于__偏置,集电极处于__偏置。 二、选择题: 1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V,V B=,V E=1V则晶体管工作在()状态。 A、放大 B、截止 C、饱和 D、损坏 2、三级管开作在放大区,要求() A、发射结正偏,集电结正偏 B、发射结正偏,集电结反偏 C、发射结反偏,集电结正偏 D、发射结反偏,集电结反偏 3、在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的哪个区域() A 可变线性区 B 截止区 C 饱合区 D击穿区 4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=,V E=3V,V B=,则该管工作在() A.饱和区 B.截止区 C.放大区 D.击穿区 5.三极管参数为P CM=800mW, I CM=100mA, U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中,()属于正常工作。 A.U CE=15V,I C=150 mA B.U CE=20V,I C=80 mA C.U CE=35V,I C=100 mA D.U CE=10V,I C=50mA 6.下列三极管各个极的电位,处于放大状态的三极管是() A V C=,V E=0V, V B= B V C=-4V, V E=,V B=

模电数电复习题(已整理 主)

第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。 试问: (1)R b =50k Ω时,U o=? (2)若T 临界饱和,则R b =? 解:(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =, 2.6C B I I mA β==,

2 O CC C c U V I R V =-=。图T1.5 (2)∵ 2.86 CC BE CS c V U I mA R - ==,/28.6 BS CS I I A βμ == ∴45.5 BB BE b BS V U R k I - ==Ω 习题 1.2电路如图P1.2所示,已知10sin i u tω =(V),试画出 i u与 o u的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解: i u与 o u的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ω sin 5 =(V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出 i u与o u的波形图,并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解:波形如解图Pl.3所示。

(完整版)模电试卷与答案3

一、 选择题(将一个正确选项前的字母填在括号内)(每小题2分、共30分) 1. 在一个NPN 管组成的基本共发射极放大电路中,当输入幅度为5mV ,频率为1kHz 的正弦波时,输出电压波形出现了顶部削平失真 (1)这种失真是 ( ) A. 饱和失真 B. 截止失真 C. 交越失真 D. 频率失真 (2)为了消除这种失真应 ( ) A. 减小集电极电阻R C B. 减小电源电压U CC C. 增大基极电阻R B D. 减小基极电阻R B 2.放大电路的空载是指 ( ) A. R C =0 B. R C =∞ C. R L =0 D. R L =∞ 3.若要增大某放大器的输入电阻和使输出电流稳定,可加入下列负反馈: ( ) A.电流串联 B.电压串联 C.电流并联 D.电压并联 4.甲乙类功率放大器在输入信号整个周期中,管子只导通 ( ) A.一个周期 B.半个周期 C.大于半个周期小于一个周期 5.欲将方波电压转换成三角波电压,应选用 ( ) A.反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路 C.微分电路 D.积分电路 6.三端稳压电源输出正电源并可调的是 ( ) A .CW78XX 系列 B .CW337系列 C .CW317系列 7.在单相桥式整流电容滤波电路中,则负载上的电压 ( ) A .U 2 B .1.2U 2 C .1.414U 2 D .2U 2 8.开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 ( ) A .调整管工作在开关状态 B .输出端有LC 滤波电路 C .可以不用电源变压器 9. 有220V 、25W 的电烙铁,其电源控制电路如图所示,烙铁温度最高的是 ( ) A .S 1、S 2均接通 B .S 1断开,S 2接通 C .S 1接通,S 2断开 D .S 1、S 2均断开 10.若稳压二极管V 1和V 2的稳定电压为6V 和10V ,则下图的输出电压 ( ) A. 10V B. 6V C. 16V D. 4V 11. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面,若“TIME/DIV ”的指示值是5μs ,则所测 正弦波的频率为 ( ) A .100kHz B .50kHz C .25kHz D .20kHz 12. 若载波u C (t)=U C cos ωC t,调制信号u Ω(t)= U Ωcos Ωt ,则双边带调幅波的表达式为( ) A .u DSB (t)=U C cos (ωC t +m a sin Ωt ) B .u DSB (t)=U C cos (ωC t +m a cos Ωt ) C .u DSB (t)=U C (1+m a cos Ωt )cos ωC t D .u DSB (t)=kU ΩU C cos ωC tcos Ωt 13. 鉴相的描述是 ( ) A .调幅信号的解调 B .调频信号的解调 C .调相信号的解调 14.下图所示框图能实现何种功能? ( ) 其中u s (t)= U s cos ωc tcos Ωt , u r (t)= U r cos ωc t A . 振幅调制 B . 检波 C . 混频 D . 鉴频 15. MC1596集成模拟乘法器可以用作 ( ) A .混频 B .频率调制 C .相位调制 二、填空题(每空1分,共14分) 1.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x 、y 、z 对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏,则可判断出分别为三极管的_______极、_______极、________极。 2.已知某放大电路的第一级电压增益为40dB ,第二级电压增益为20dB ,总的电压增益为____________dB 。 3.差动放大电路中共模信号是指 。 4.调幅波的几种调制方式是 、 、 和 。 5.在图所示电路中,调整管为 ,采样电路 由 组成,基准电压电路由 组 成, 比较放大电路由 组成, 输出电压最小值的表达式 。 常州信息职业技术学院 学年第 学期 模拟电子线路 课程期末试卷 班级 姓名 学号 成绩 装 订 线

模电试卷题库(含答案)

1.某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( C ) a、700 b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或f H时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( B ) a、05. b、0.7 c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ的负载 电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 ( C ) a、10KΩ b、2KΩ c、1 KΩ d、0.5KΩ 5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内 阻的电压 信号进行放大,测试结果输出电压VOA>VOB,由此可知A比B ( B ) a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V OA=V OB ,都接入负载R L时,测得V OA

模电试卷题库含答案

1.某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压 为6.5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( C) a、700b、650 c、100 d、-100 2.当输入信号频率为f L或fH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( B) a、05. b、0.7c、0.9 d、1 3.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。 A、2 dBB、3dBC、4dBD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为(C) a、10KΩb、2KΩc、1 KΩd、0.5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大,测试结果输出电压V OA>VOB,由此可知A比B( B ) a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时V =V OB,都接入负载R L时,测得V OA

a、虚短 b、虚断c、虚地d、以上均否 8.如图示,运放A为理想器件,则其输出电压V0为(A ) a、0V b、3V c、6Vd、9V 9.如图示,运放A为理想器件,则其输出电压V O为(C) a、9Vb、6Vc、0V d、3V 10.设VN、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端,则V0与V N、V P分别成( D) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波,则应选用( D ) A、反相比例运算电路?B、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( D)。 a、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子,它们分别是(C) a、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ) a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺d、晶体缺陷 15.在室温附近,当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是(C ) a、载流子b、多数载流子c、少数载流子d、正负离子

模电练习题

模电练习题 Company number:【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】

练习题一 1. 填空题 贴片电阻多用数码法标示,如512标示Ω。() 色环电阻,红+红+橙+金+棕,表示阻值和误差为。(Ω±1%) 某采样电阻标注为R005,表示该电阻的阻值为Ω。() 一瓷片电容其标示为104J,表示其容量为 uF、误差为±5%。() 电容具有通,阻的电气特性。(交流,直流) 电感在电路中常用“L”表示,电感的特性是通直流阻交流,频率越,线圈阻抗越大。(高) 低频扼流圈应用于电流电路、音频电路或场输出等电路,其作用是阻止电流通过。(低频交流) P型半导体中的多数载流子是,N型半导体中的多数载流子是。(空穴,电子) 温度增加时,二极管的正向电阻将会变。(小) PN结最大的特点是。(单向导电性) 硅整流二极管1N4001的最大整流电流为 A,最高反向工作电压为 V。(1,50) 用指针式万用表R×1k挡测量某二极管电阻,在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的极。(正) 三极管有三个引脚,基极用表示、集电极用C表示、极用E表示。(B,发射) 三极管是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。它分为型和型两种。(NPN,PNP) 指针式万用表的黑表笔接三极管基极,红表笔接触另外两极中的任一电极,若指针偏转角度很大,说明被测管子是型。(NPN) 驻极体话筒与电路的接法有输出和输出两种。(源极,漏极) 用万用表测出的扬声器电阻值是电阻值,比标称阻抗值要,这是正常现象。(直流,小) 压电陶瓷片是一种结构简单、轻巧的器件。(电声) 电烙铁按结构可分为电烙铁和电烙铁。(内热式,外热式) 焊接电子元件时,一般来说最恰当的时间是在 s内完成。(~4) 用数字万用表测试二极管的反向电阻,应显示为。(1) 2. 选择题 有几位同学拿来一个滑动变阻器,看到铭牌上标有“20Ω1A”的字样,这几位同学讨论时说出了以下几种对铭牌意义的理解,你认为正确的是()。(C)

954 电子技术基础(模电、数电)

浙江理工大学 二O一O年硕士学位研究生招生入学考试试题 考试科目:电子技术基础(模电、数电) 代码:954 (*请考生在答题纸上答题,在此试题纸上答题无效) Ⅰ、模拟部分 1、现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。试问:(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少? (6分) 2、电路如图1所示,晶体管导通时U BE=0.7V, β=50。试分析u I为0V、1V、1.5V三种情况 下T的工作状态及输出电压u O的值。 (9分) 图1 r=100Ω。 3、电路如图2所示,晶体管的 =100, ' bb A 、R i和R o; (1)求电路的Q点、 u (2)若电容C e开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化? (15分) 图2

4、设图3所示电路的静态工作点均合适,画出它的交流等效电路,并写 A 、R i和R o的表达式。 出 u (10分) 图3 5、电路如图4所示: (1)判断电路中引入了哪种组态的交流负反馈,并计算它们的反馈系数; (2)估算电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。 (11分) 图4 6、在图5所示电路中,已知u I1=4V,u I2=1V。回答下列问题: (1)当开关S闭合时,分别求解A、B、C、D和u O的电位; (2)设t=0时S打开,问经过多长时间u O=0? (15分)

图5 7、已知三个电压比较器的电压传输特性分别如图6(a)、(b)、(c)所示,它们的输入电压波形均如图(d)所示,试画出u O1、u O2和u O3的波形。 (9分) 图6

模电试卷及答案分解

一、VD1,VD2为理想二极管,其导通电压为0V,电路如图所示,画出u O的波形。(15分) 二、判别题:(21分) 1、若放大电路中三极管3个电极的电位分别为下列各组数值,试确定它们的电极和三极管的类型。 (a)①5V ②1.2V ③0.5V (b)①6V ②5.8V ③1V (c)①-8V ②-0.2V ③0V 2、某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电流并联负反馈,这些反馈是否能够 (1)稳定输出电压() (2)稳定输出电流() (3)增加输出电阻() (4)增加输入电阻() (5)增大静态电流() (6)稳定静态电流() 三、某两级阻容耦合放大电路如图所示,已知β1= β2=40,试求:(24分) (1)各级电路的静态工作点; (2)各级电压放大倍数Au1,Au2和总电压放大倍数Au; (3)放大器输入电阻Ri和输出电阻Ro; (4)后级采用什么电路?有什么优点?

四、OTL电路如图所示,电容C足够大,三极管的饱和压降U CES=1V,求:(15分) (1)电路中VT1、VT2工作在哪一种方式? (2)R1、VD1、VD2的作用是什么? (3)电位器RP的作用是什么? (4)负载R L上能够得到的最大不失真输出功率P omax是多少? 五、如图所示电路属长尾式差动放大器。已知VT1、VT2为硅管。β =100,试计算(15分) (1)电路静态工作点Q; (2)差模电压放大倍数A ud; (3)差模输入电阻R id和输出电阻R od。

六、判断图示电路中反馈是何种交流反馈类型,若满足深度负反馈条件,求电压放大增益。(15分) 七、运算放大器应用电路如图所示,图中运放均为理想运放,U BE=0.7V。(15分)(1)求出三极管c、b、e各极对地电位; (2)若电压表读数为200mV,试求出三极管的β值。 九、具有放大环节的串联型稳压电路如图所示,已知变压器副边u2的有效值为16V,三极管VT1、VT2的β1= β2=50,U BE1=U BE2=0.7V, U Z=+5.3V,R1=300Ω,R2=200Ω,R3=300Ω,Rc2=2.5kΩ。(15分) (1)估算电容C1上的电压U1=?

模电第三章习题

1、在双端输入、输出的理想差分放大电路中,若两输入电压V i1=V i2,则输出电压V o= ,若V i1=+1500μV,V i2=+500μV,则可知差动放大电路的输入差值电压V id= 。 解: 0 1000μV 2、改进差动放大电路时: (1)用电流源电路取代R e的目的是; (2)用电流源电路取代R c的目的是; (3)用共集-共基组合型差动电路的目的是; (4)用复合管或超β管作差动管的目的是。 解:(1)用三极管代替大电阻,三极管相当于一个阻值很大的抑制零漂电阻R e; (2)采用有源负载可以得到很高的电压放大倍数; (3)有较高差模输入电阻和电压放大倍数,频率响应较好; (4)降低输入偏置电流提高输入阻抗。 3、在实际应用的差分放大电路中,为了提高共模抑制比,通常用代替R e,这种电路采用 电源供电方式。 解: 恒流源双 4、电路如图所示,两管的β= 60 电路的输入电阻为 A. 2.5kΩ B. 7 kΩ C. 10 kΩ D. 30 kΩ ( B ) 电路的输出阻抗为 A. 150Ω B. 2.5 kΩ C. 5 kΩ D. 8kΩ(A ) 第一级静态工作电流I CQ1大致为 A. 0.8A B. 1mA C. 1.2mA D. 2mA ( B ) 第二级静态电压V CEQ2大致为 A. 7.3V B. 8.7V C. 9.3V D. 10.7V ( B ) 电路的电压的放大倍数为 A. –1 B. –2 C. –200 D. –450 (B )

5、图示单端输出差分放大电路中,若输入电压△v S1 = 80mV ,△v S2 = 60mV ,则差模输入电压│△v Id │为 A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV (B ) 6、集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 A. 便于设计 B. 放大交流信号 C. 不易制作大容量电容 D. 以上各项都不是 ( C ) 7、由于场效应管的栅极几乎不取电流,所以场效应管与双极型晶体 管也不能组成复合管。(× ) 8、差动放大电路输入信号为v i1 = 1mV ,v i2 = -1mV ,是差模输入。(√ ) 差动放大电路输入信号为v i1 = 1mV ,v i2 = 1mV ,是共模输入。(√ ) 差动放大电路输入信号为v i1 = 3mV ,v i2 = -2mV ,是差模输入。( × ) 差动放大电路输入信号为单端输入时即v i1 = 2mV ,v i2 = 0,是差模输入伴随有共模输入。( √ ) 9、在下图所示电路中设R L ′=R L //R c =5k Ω,R e = 14.3k Ω,R b =5.1k Ω,V CC =V EE = 15V,β= 50,r bb ′= 200Ω,V BE = 0.7 V 。当v s1 = 5mV ,v s2 = 1mV 时,求电路的主要指标A vd1、A dc1、K CMR 和v o1的值。 解:设V B = 0 V 则V E = 0.7 V 即 mA 13 .14157.0)(e EE E E =+-=--=R V V I I C1= I E / 2 = 0.5mA r be = r be1= r be2 = r bb ′+(1 +β)26 / I C1= 2.85k Ω 单端输出差模电压放大倍数 A vd1 7.15) 85.21.5(2550)(2'-=+?-=+-=be b L r R R β 单端输出共模电压放大倍数 A dc117.03 .1425185.21.55502)1('-=??++?-=+++-=e be b L R r R R ββ 共模抑制比K CMR = │A vd1 / A dc1│= 92.35 求v o1的值,由两管输入的差模信号 v id = v s1-v s2= 5mV -1mV= 4 mV 两管输入的共模信号 v ic =(v s1+v s2)/ 2= 3 mV 则 v o1 = v od1 + v oc1 = v id A vd1+ v ic A dc1= -63.31 mV 10、在下图所示电路中,设T 1~T 4的β= 120,r bb ′= 200Ω,R c = 10k Ω,R e3= R e4=100Ω,R = 4.3k Ω,R b =1k Ω,V CC =12V ,V EE = 6V ,V BE = 0.7 V 。试计算电路的静态工作点及A vd1。 解:具有电流源的差分放大电路,计算电路的静态工作点应从电流源 入手。图中,T 3、T 4管组成比例电流源电路。R 、T 4、R e4、V EE 构成基 准电流源。则有 mA 2.11.03.47.064e BE EE REF ≈+-=+-= R R V V I mA 2.1REF 3 e 4e 3C =?=I R R I I C1 = I C2 = I C3 / 2 = 0.6 mA V C1 = V CC -I C1 R c = 6V

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