【1】某放大电路如图所示，设各集成运算放大器都具有理想特性。试求：
(1) ；
(2) 电路的中频电压放大倍数；
(3) 整个电路的上、下限截止频率和之值。
【相关知识】
测量放大器、有源滤波器。
【解题思路】
分析电路结构，分别讨论各个单元电路的工作原理，推导电路输入输出关系。根据电路时间常数，计算电路的上、下限截止频率。
【解题过程】
在本电路中，运放、和构成三运放测量放大器，运放构成一阶低通滤波器，电容器（耦合电容）和负载构成高通滤波电路。
(1) 由图可以写出与的关系
=
=
所以
(2) 电路的中频电压放大倍数
(3) 整个电路的上、下限截止频率、的值分别是
【2】电路如图所示。已知集成运放均为理想运放；图（c）所示电路中R1＝R2，R4＝R5＝R6。
（1）分别说明各电路是低通滤波器还是高通滤波器，简述理由；
（2）分别求出各电路的通带放大倍数。
【相关知识】
低通滤波器，高通滤波器，通带放大倍数。
【解题思路】
（1）根据低通滤波器和高通滤波器的特点来识别电路：若输入电压频率趋于零时，而输入电压频率趋于无穷大时，则电路为低通滤波器；反之则为高通滤波器。
（2）求解通带放大倍数的方法：对于低通滤波器，求解输入电压频率趋于零时的电压放大倍数即为通带放大倍数；对于高通滤波器，求解输入电压频率趋于无穷时的电压放大倍数即为通带放大倍数。
【解题过程】
（1）在电路（a）中，若输入电压频率趋于零，则C1和C2相当于开路，在集成运放两个输入端
由于A构成电压跟随器，输出
（1）
若输入电压频率趋于无穷大，则C1和C2相当于短路，输出电压
可见，电路（a）是低通滤波器，通带放大倍数
（2）
（2）在电路（b）中，若输入电压频率趋于零，则C1和C2相当于开路。由于在集成运放两个输入端为“虚地”，R2的电流为零，R1和R3的电流相等，即
（3）
若输入电压频率趋于无穷大，则C1和C2相当于短路，输出电压
可见，电路（b）是低通滤波器，根据式（3），通带放大倍数
（4）
（3）在电路（c）中，A2与R4～R7组成反相求和运算电路，其输出电压
将已知条件R4＝R5＝R6代入，可得
（5）
若输入电压频率趋于零，则C相当于开路，在A1集成运放两个输入端
，其输出电压，代入式（5）得
（6）
若输入电压频率趋于无穷大，则C相当于短路，A1和R1、R2组成反相比例运算电路，其输出电压
将已知条件R1＝R2代入，可得，代入式（5）得。可见，电路（c）是低通滤波器，根据式（6），通带放大倍数
（7）
综上所述，三种电路均为低通滤波器，图（a）～（c）的通带放大倍数分别如式（2）、（4）、（7）所示。
【3】电路如图所示,已知R1=R2，R3=R4=R5，且运放的性能均理想。
(1) 试写出表达式；
(2) 试写出表达式；
(3) 试问:运放A1组成什么电路?整个电路又是什么电路?
【相关知识】
有源滤波器，反相输入加法运算电路。
【解题思路】
写出各个单元电路的输入输出关系，推导电路频率特性表达式，分析电路功能。
【解题过程】
（1）由图可知
故
(2) 因为
故
(3) 因为当时，，
当时，，
故运放A1组成一阶低通有源滤波电路，整个电路又是一阶高通有源滤波电路。
【4】现有有源滤波电路如下：
A、高通滤波器
B、低通滤波器
C、带通滤波器
D、带阻滤波器
选择合适答案填入空内。
（1）为避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用。
（2）已知输入信号的频率为1～2kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用。
（3）为获得输入电压中的低频信号，应选用。
（4）为获得输入电压中的低频信号，应选用。
（5）输入信号频率趋于零时输出电压幅值趋于零的电路为。
（6）输入信号频率趋于无穷大时输出电压幅值趋于零的电路为。
（7）输入信号频率趋于零和无穷大时输出电压幅值趋于零的电路为。
（8）输入信号频率趋于零和无穷大时电压放大倍数为通带放大倍数的电路为。
【相关知识】
四种有源滤波电路的基本特性及其用途。
【解题思路】
根据四种有源滤波电路的基本特性及其用途来选择填入。
【解题过程】答案为（1）D，（2）C，（3）B，（4）A，（5）A、C，（6）B、C，（7）C，（8）D。
【5】判断下列说法是否正确，对者打“√”，错者打“×”。
（1）无源滤波电路带负载后滤波特性将产生变化。（）
（2）因为由集成运放组成的有源滤波电路往往引入深度电压负反馈，所以输出电阻趋于零。（）
（3）由于有源滤波电路带负载后滤波特性基本不变，即带负载能力强，所以可将其用作直流电源的滤波电路。（）
（4）无源滤波器不能用于信号处理。（）
（5）按照将积分运算电路置于集成运放的负反馈通路中就可实现微分运算的思路，将低通滤波电路置于集成运放的负反馈通路中就可实现高通滤波。（）【相关知识】
有源滤波电路，无源滤波电路，实现逆运算的方法。
【解题思路】
根据有源滤波电路和无源滤波电路的特点来判断（1）～（4）题，根据实现逆运算的方法来判断第（5）题。
【解题过程】
有源滤波电路应用的局限性表现在：一是频率响应受组成它的晶体管、集成运放频率参数的限制；当截止频率太高时，器件本身的参数将不能满足需要，此时要么换器件，要么用无源电路。二是通用型集成运放的功耗很小，只有几十毫瓦，因此不能带大电流负载，这种情况下也只能用无源电路。三是输入电压受集成运放电源电压的限制，输入电压应保证集成运放工作在线性区。
无源滤波电路的滤波特性受负载的影响，但可用在高电压输入、大电流负载的情况。
根据上述特点，（1）～（4）的答案为√，√，×，×。
在状态变量有源滤波电路中，正是利用积分电路的低通特性，将它置于集成运放的负反馈通路，来实现高通滤波的，因此（5）√。
【6】二阶有源滤波电路如图(a)所示。设A为理想运算放大器。
图(a)
（1）定性分析电路的工作原理，指出该电路的名称。
（2）试推导该电路的传递函数，并求出通带增益、品质因数和特征频率的表达式。
（3）求出当时，使通带增益下降的
值。
（4）试问当通带增益满足什么条件时电路才能正常工作？为什
么？
【相关知识】
滤波器传递函数。
【解题思路】
（1）列出电路方程，推导滤波器的传递函数。
（2）将滤波器的传递函数与其一般表示式相比较，即可获得滤波器的类型和参数。
（3）由传递函数分析电路正常工作的条件及通带增益下降（）时的值。
【解题过程】
（1）当输入信号频率时，两个电容相当于开路，信号电压直接加到运放的同相输入端，电路等效为同相输入的比例放大器。随着信号频率增大，两个电容的容抗都减小，信号被分流，使输出电压值变小，表现出低通的滤波特性。故本电路为二阶有源低通滤波电路。
（2）由于运放A与电阻和组成一个放大倍数为的放大器，
为简单起见，将图(a)等效为图(b)所示电路。由图可知
图(b)
以上各式联立求解，可得
二阶低通有源滤波器传递函数一般表示式
其通带增益
由此可得电路的特征角频率
品质因数
电路的通带增益
（3）当时，增益下降，即
由值的定义
可知
（4）当电路的通带增益满足时，电路才能正常工作。因为当
时，如果，那么，电路将会产生自激振荡。
【7】试写出图(a)所示电路的传递函数，并画出其幅频特性。
图(a)
【相关知识】
有源滤波器、波特图。
【解题思路】
（1）写出滤波器的传递函数、频率特性及幅频特性。
（2）由幅频特性画出幅频特性曲线。
【解题过程】
当运算放大器的特性理想时，电路的传递函数为
式中，
于是
由此可知，图(a)所示电路为一阶低通有源滤波器。
令，,和分别称为滤波器的截止角频率和通带增益。上式变为
令=得滤波器的频率特性
=
式中称为滤波器的截止频率。
由频率特性可得滤波器的幅频特性
根据上式可以画出滤波器的幅频特性如图（b）所示。
图(b)
【8】试写出图(a)所示的滤波器的传递函数，并画出其幅频特性。
图(a)
【相关知识】
有源滤波器、波特图。
【解题思路】
（1）写出电路方程，推导电路传递函数。
（2）由传递函数写出其频率特性及幅频特性表达式，画幅频特性曲线。【解题过程】
当运算放大器的特性理想时
电路的传递函数为
令，
令，得电路的频率特性为
由上式得电路的幅频特性为
=
由此可画出幅频特性曲线如图（b）所示。
图(b)
【9】已知由理想运放组成的三个电路的电压传输特性及它们的输入电压u I的波形如图所示。
（1）分别说明三个电路的名称；
（2）画出u O1～u O3的波形。
【相关知识】
单限比较器、滞回比较器和窗口比较器电压传输特性的特征。
【解题思路】
（1）根据电压传输特性判断所对应的电压比较器的类型。
（2）电压传输特性及电压比较器的类型画出输出电压的波形。
【解题过程】
（1）图（a）说明电路只有一个阈值电压U T（=2 V），且u I＜U T时u O1 = U OL =-0.7 V，u I＞U T时u O1 =U OH=6 V；故该电路为单限比较器。
图（b）所示电压传输特性的两个阈值电压U T1=2 V、U T2=4 V，有回差。u I＜U T1时u O2= U OH =+6 V，u I＞U T2时u O2= U OL =-6 V, U T1＜u I＜U T2时u O决定于u I从哪儿变化而来；说明电路为滞回比较器。
图（c）所示电压传输特性的两个阈值电压U T1=1 V、U T2=3 V，由于u I＜U T1和u I＞U T2 时u O3= U OL=-6 V，U T1＜u I＜U T2时u O1= U OH =+6 V，故该电路为窗口比较器。
答案是具有如图（a）、（b）、（c）所示电压传输特性的三个电路分别为单限比较器、滞回比较器和窗口比较器。
（2）根据题目给出的电压传输特性和上述分析，可画出u O1～u O3的波形，如图(e)所示。
应当特别提醒的是，在u I＜4 V之前的任何变化，滞回比较器的输出电压u O2都保持不变，且在u I=4 V时u O2从高电平跃变为低电平，直至u I=2 V时u O2才从低电平跃变为高电平。
图(e)
【方法总结】
根据滞回比较器电压传输特性画输出电压波形时，当输入电压单方向变化（即从小逐渐变大，或从大逐渐变小）经过两个阈值时，输出电压只跳变一次。例如本题中，当u I从小逐渐变大时，只有经过阈值电压U T2=4 V时输出电压才跳变；而当u I从大逐渐变小时，只有经过阈值电压U T1=2 V时输出电压才跳变。【常见错误】
认为只要u I变化经过阈值电压U T1=2 V或U T2=4 V时输出电压就跳变。
【10】在图(a)、(b)所示的两个电路中，A为理想运算放大器，输出电压的最大值为。
（1）指出这两个电路的名称；
（2）定性画出电路的电压传输特性曲线（与的关系曲线）。
图(a) 图(b)
【相关知识】
反馈、比例器，比较器。
【解题思路】
判断电路反馈的极性，若为负反馈，电路工作在线性状态；若为正反馈，电路工作在开关状态。
【解题过程】
（1）由图可知，图(a)电路中引入了负反馈，输入信号加在运放的同相输入端；而图(b)引入如了正反馈，输入信号加在运放的反相输入端。故图(a)为同相输入比例运算电路，图(b)为反相输入迟滞电压比较器。
（2）对图(a)电路，当输入电压较小时，运放工作于线性区，；而当较大时，运放将工作于饱和区，。因而可画出图(a)电路的电压传输特性曲线如图（c）所示。
图(c)
对于图(b)电路，由于电路引入如了正反馈，所以运放工作于饱和区。当
时，输出电压；当时，输出电压；而
，即当时，；当时，。故得电路的电压传输特性曲线如图(d)所示。
图(d)
【11】电路如图(a)所示，已知运放大器和具有理想特性。
（1）写出与、关系式；
（2）设时，电容器的初始电压，。接，的输入信号后，求经过多长时间翻转到。
（3）从翻转到的时刻起，，，求又经过多长时间再次翻回。
（4）画出、、和随时间变化的波形图。
图(a)
【相关知识】
积分器、迟滞比较器。
【解题思路】
运放组成了积分电路，运放组成了反相输入迟滞电压比较器。
【解题过程】
（1）由电路图可知，运放组成了积分电路。故
（2）由于运放组成了反相输入迟滞电压比较器。故翻转的条件是
令
代入初始条件可得
即当时，翻转到-12V。
（3）当时再次由-12V翻转到12V。
令
即
解得
（4）、、和随时间变化的波形如图(b)所示。
图(b)
【12】集成电压比较器电路结构如图（a）所示，可以认为A为理想运放，当负电源端接地时为单电源供电，管脚如图中所标注；晶体管工作在开关状态，导通时的管压降为零。
（1）分别求出图（b）、（c）、（d）的电压传输特性，并标出电压比较器的同相输入端和反相输入端；
（2）说明图（b）、（c）、（d）所示电路各属于哪种电压比较器。
【相关知识】
晶体管电路的基本接法，集成电压比较器的工作原理及其组成的实用电路的分析方法。
【解题思路】
（1）根据图（a）所示的电路结构和图（b）、（c）、（d）的电路组成，分析晶体管电路的基本接法，判断输入端与输出端的相位关系，从而判断出电压比较器的同相输入端和反相输入端。
（2）分析图（b）、（c）、（d）的电路所组成的电压比较器类型。
（3）分析电压比较器的阈值电压，画出电压传输特性。
【解题过程】
从已知条件和图（a）所示的电路结构可知，电路可既从晶体管的集电极输出，又可从发射极输出；A既可用正、负两个电源供电，又可用一路正电源供电；晶体管的电源既可与A的电源电压相同，又可根据负载的需要采用与A不同的电源电压。分析实用电路时首先要弄清上述问题。
（1）电路（b）：从晶体管的集电极输出，输出电压与A的输出电压反相，故集成电压比较器的两个输入端2为“-”3为“+”。A单电源供电，且A和T采用不同的电源电压供电。由于晶体管工作在开关状态，故电路的输出的高低电平分别为5 V和0 V。由于3端接地，故该电路为反相输入的过零比较器，电压传输特性如图（e）所示。
电路（c）：从晶体管的发射极输出，输出电压与A的输出电压同相，故集成电压比较器的两个输入端2为“+”3为“-”。A和T采用相同的一路电源供电。由于晶体管工作在开关状态，故电路的输出的高低电平分别为+5 V和-5 V。由于3端接地，故该电路为同相输入的过零比较器，电压传输特性如图（f）所示。
电路（d）：从晶体管的集电极输出，输出电压与A的输出电压反相，故集成电压比较器的两个输入端2为“-”3为“+”。A和T采用相同的两路电源供电。由于晶体管工作在开关状态，故电路的输出的高低电平分别为5 V和 -5 V 。由于输出电压反馈到3端，引入了正反馈，故该电路为反相输入的滞回比较器；又由于3端电位等于输出电压，故阈值电压±U T=±5 V。电压传输特性如图（g）所示。
【13】在图（a）所示电路中，已知，稳压管、的击穿电压分别为，，正向压降皆为。运算放大器A具有理想的特性。
画出由变至，再由变至时电路的电压传输特性曲线。
【相关知识】
迟滞电压比较器、稳压管。
【解题思路】
本题中，信号输入到运放的同相输入端，且引入了正反馈，运放工作在开关状态，故该电路是同相输入迟滞比较器。由于稳压管和的击穿电压不同，所以电路输出电压的正负幅度不等。运放反相输入端有直流电压存在，比较器的阈值电压的绝对值不相等。
写出运放同相输入端电压与输入和输出电压的关系，比较运放同相和反向输入端电压，求得比较器的阈值电压，画出电路的电压传输特性曲线。
【解题过程】
由图可知电路的输出电压的最大值和最小值分别为
放大器反相输入端的基准电压
同相输入端电压
当输入电压由往增大方向变化，同相输入端的电压低于时，输出电压等于；当增至使略高于时，输出电压翻转至，设此时的输入电压为，由电路图可得
当输入电压由增大至，高于时，输出电压为。当由往减小方向变化，只要高于，输出电压始终为；当略低于
时，输出电压翻转至，设此输入电压为，由电路图可得
由此可画出电压传输特性曲线如图（b）所示。
【14】图(a)所示电路是没有画完整的正弦波振荡器。
（1）完成各节点的连接；
（2）选择电阻的阻值；
（3）计算电路的振荡频率；
（4）若用热敏电阻（的特性如图(b)所示）代替反馈电阻，当（有效值）多大时该电路出现稳定的正弦波振荡？此时输出电压有多大？
图(a) 图(b)
【相关知识】
RC正弦波振荡器。
【解题思路】
根据RC正弦波振荡器的组成和工作原理对题目分析、求解。
【解题过程】
（1）在本题图中，当时，RC串—并联选频网络的相移为零，为了满足相位条件，放大器的相移也应为零，所以结点应与相连接；为了减少非线性失真，放大电路引入负反馈，结点应与相连接。
（2）为了满足电路自行起振的条件，由于正反馈网络（选频网络）的反馈系数等于1/3（时），所以电路放大倍数应大于等于3，即。故应选则大于的电阻。
（3）电路的振荡频率
（4）由图(b)可知，当，即当电路出现稳定的正弦波振荡时，，此时输出电压的有效值
【15】图(a)所示电路为RC移相式正弦波信号发生器，。设集成运放的均具有理想的特性。
(1) 试分析电路的工作原理；
图(a)
（2）试求电路的振荡频率和起振条件。
【相关知识】
反相比例器、电压跟随器、RC移相网络。
【解题思路】
(1) 从相位和幅度条件分析电路的工作原理。
(2) 根据环路增益求电路的振荡频率和起振条件。
【解题过程】
（1）图(a)所示RC移相式正弦波信号发生器由反相输入比例放大器（A1）、电压跟随器（A 2）和三节RC移相网络组成。放大电路（中频区）的相移，利用电压跟随器的阻抗变换作用减小放大电路输入电阻R1对RC移相网络的影响。为了要满足相位平衡条件，要求反馈网络的相移。由RC电路的频率响应可知，一节RC电路的最大相移不超过，两节RC电路的最大相移也不超过，当相移接近时，RC低通电路的频率会很高，而RC高通电路的频率也很低，此时输出电压已接近于零，又不能满足振荡电路的幅度平衡条件。对于三节RC电路，其最大相移可接近，有可能在某一特定频率下使其相移为，即则有
满足相位平衡条件，合理选取元器件参数，满足起振条件和幅度平衡条件，电路就会产生振荡。
(2) 由图(a)不难写出电路的放大倍数
画出反馈网络，如图(b)所示。
图(b)
由图可得
由以上各式，得电路的反馈系数为
令的虚部为零，得电路的振荡频率为
或
此时电路的反馈系数
根据电路的起振条件知，当时，电路产生振荡。
【16】试判断图(a)所示电路是否有可能产生振荡。若不可能产生振荡，请指出电路中的错误，画出一种正确的电路，写出电路振荡频率表达式。
图(a) 图(b)
【相关知识】
LC型正弦波振荡器。
【解题思路】
(1) 从相位平衡条件分析电路能否产生振荡。
(2) LC电路的振荡频率，L、C分别为谐振电路的等效电感和
电容。
【解题过程】
图（a）电路中的选频网络由电容C和电感L（变压器的等效电感）组成；晶体管T及其直流偏置电路构成基本放大电路；变压器副边电压反馈到晶体管的基极，构成闭环系统统；本电路利用晶体管的非线性特性稳幅。静态时，电容开路、电感短路，从电路结构来看，本电路可使晶体管工作在放大状态，若参数选择合理，可使本电路有合适的静态工作点。动态时，射极旁路电容和基极耦合电容短路，集电极的LC并联网络谐振，其等效阻抗呈阻性，构成共射极放大电路。利用瞬时极性法判断相位条件：首先断开反馈信号（变压器副边与晶体管基极之间），给晶体管基极接入对地极性为的输入信号，则集电极对地的输出信号极性为一，即变压器同名端极性为一，反馈信号对地极性也为一。反馈信号输入信号极性相反，不可能产生振荡。若要电路满足相位平衡条件，只要对调变压器副边绕组接线，使反馈信号对地极性为即可。改正后的电路如图（c）所示。本电路振荡频率的表达式为
图(c) 图(d)
图（b）电路中的选频网络由电容C1、C2和电感L组成；晶体管T是放大元件，但直流偏置不合适；电容C1两端电压可作为反馈信号，但放大电路的输出信号（晶体管集电极信号）没有传递到选频网络。本电路不可能产生振荡。首先修改放大电路的直流偏置电路：为了设置合理的偏置电路，选频网络与晶体管的基极连接时要加隔直电容，晶体管的偏置电路有两种选择，一种是固定基极偏置电阻的共射电路，另一种是分压式偏置的共射电路。选用静态工作点比较稳定的电路（分压式偏置电路）比较合理。修改交流信号通路：把选频网络的接地点移到C1和C2之间，并把原电路图中的节点2连接到晶体管T的集电极。修改后的电路如图（d）所示。然后再判断相位条件：在图（d）电路中，断开反馈信号（选频网络与晶体管基极之间），给晶体管基极接入对地极性为的输入信号，集电极输出信号对地极性为一（共射放大电路），当LC选频网络发生并联谐振时，LC网络的等效阻抗呈阻性，反馈信号（电容C1两端电压）对地极性为。反馈信号与输入信号极性相同，表明，修改后的电路能满足相
位平衡条件，电路有可能产生振荡。本电路振荡频率的表达式为
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100V ，u I 2=80 V 则差模输入电压u Id = 20V ；共模输入电压u Ic =90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a ．不用输出变压器 b ．不用输出端大电容 c ．效率高 d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。 a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12V ，R S 10k ，R B1 120k ， R B2 39k ，R C 3.9k ，R E 2.1k ，R L 3.9k ，r bb’ ，电流放大系数 50， 电路中电容容量足够大，要求： 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）
模电试题及答案 一、填空题：（每空1分共40分） 1、P N结正偏时（）,反偏时（）,所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开； 4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic （）,发射结压降（）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、 （）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF二（1/ （1/A+F））,对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF二（1/ F ）o 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF二（1+AF ）BW,其屮BW二（fH -fL ） , （1+AF）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而 采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是 （）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（）,输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（）， 未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0二（）,电路符号 是（）。 二、选择题（每空2分共30分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止 2、用直流电压表测得放大电路屮某三极管各极电位分別是 2V、6V、
模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍, 即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。 A . T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A . 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 （12）电路如图所示，二极管D 为理想元件，输入信号u i 为如图所示的三角波，则输出电压u o 的最大值为（ B ）。 A. 5 V B . 7 V C. 2 V 二、填空题：（总 16 分，每空 2 分）
试题一 一、选择题（每小题2分，共24分）：（1）当晶体管工作在放大区时，发射 结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B.前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏（2）N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C.五价磷元素（3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C.差动放大电路）。（4）高通滤波电路可以用于（ A 滤除高于某一频率的无用信号A. 滤除低于某一频率的无用信号 B. 让低于某一频率的有用信号通过C. 。（5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ） A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好C.引入了电流串联型负反馈。） B 等于（（6）、电路如图所示，其输出电压u O u?u?uu uu?C.A.B. i2i1i1i2i2i1 （7）当信号频率等于放大电路的f或f时，放大倍数的值约下降到中频时的HL0.7倍,即增益下降（ A ）。 A.3dB B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A．同相比例B．微分 C．同相求和 （9）PN结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL功率放大电路如图所示，当u为正半周时，则( A )。i-111A
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波 （12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u为如图所示的三角波， i则输出电压u的最大值为（ B ）。o A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分）
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。
《模拟电子技术基础》试题（A 卷） 学号 姓名 . 一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。 （10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。 （ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。 （ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 （ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。 （ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 （ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。 （ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。 （ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。 （ ） 二、选择填空 （10分） （1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。 （A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RC f f π21 0= =时呈 。 （A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （A ）β （B ）β 2 （C ）2β （D ）1+β （5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。 （A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。 （A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
昆明冶金高等专科学校试卷(A) 学院: 专业: 课程: 考试学期: 年季学期考试时间: 分钟试卷类别: 闭卷 行政班级: 学生姓名: 学号: 一、填空题(每空1分,共30分) 1. PN结正向 ,反向 ,具有性。 2.三极管按其结构可分为与。 3.三极管的三种工作状态就是、与。 4.三极管处于放大状态的外部工作条件就是。 5.当环境温度下降时,会导致三极管的集电极电流 Ic 。 6.多级放大电路常用的耦合方式有、与。 7.差动放大电路的主要功能就是可以有效抑制。 8.功率放大电路从其静态工作点的设置情况可分为、 与三种类型。 9.OTL功放的含意就是。 10.集成运算放大器的输入级常采用电路,中间级常采 用电路,输出级常采用电路。11.理想集成运算放大器的两条重要性质就是 与。 12.振荡电路能够起振的条件就是与。
13.LC振荡电路的振荡频率为。 14.直流稳压电源主要由、、与 四个部分构成。 二、判断题(每题1分,共12分) 1.当PN结承受正向电压时,内电场被削弱,空间电荷区变宽。( ) 2.二极管两端承受正向电压时,一定会导通。 ( ) 3.NPN型三极管工作于放大状态时,E极电位最高。 ( ) 4.三极管的Au体现了其电流放大功能。 ( ) 5.开关三极管工作于截止区与饱与区。 ( ) 6.三极管的β值越高越好。 ( ) 7.多级放大电路的总放大倍数等于各级放大倍数之与。 ( ) 8.电压负反馈可以稳定输出电流。 ( ) 9.放大电路的通频带越宽越好。 ( ) 10、单管共射放大电路,输出与输入电压相位差0度。 ( ) 11、共基放大电路,输出与输入电压相位差90度。 ( ) 12、为消除乙类功放的交越失真,应使其工作在甲乙类。 ( ) 三、选择题(每题2分,共10分) 1、能将矩形波转变成三角波的电路就是( ) A、比例运算电路 B、微分运算电路 C、积分运算电路 D、加法电路 2、如要求能放大两个信号的差值,又能抑制共模信号,采用( )方式的电路: A、反相输入 B、同相输入 C、双端输入
B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益
填空题： 1：按要求填写下表。 连接方式（e 、c 、b ） 性能比较（大、中、小） 电路名称 公共极 输入极 输出极 u A i A R i R o 其它 共射电路共集电路共基电路 答案：答案如表所示。 连接方式性能比较（大、中、小） 电路名称 公共端 输入端输出端 u A i A R i R o 其它 共射电路e b c 大 大 小 大 共集电路c b e 小大 大 小 共基电路b e c 大小 小 大 频带宽 难度：3 知识点：晶体管单管放大电路的三种基本接法 2：在图P2.10所示电路中，设某一参数变化时其余参数不变，在表中填入 ①增大②减小或③基本不变。 参数变化 I B Q U C E Q u A R i R o R b 增大 R c 增大 R L 增大 答案：答案如解表P2.12所示。 解表P2.12所示 参数变化 I B Q U C E Q u A R i R o 同电压回路交叉时，应采用金属隔板进行隔开处理；同一线槽内，强电回路须同时切断习题电源，线缆敷设完毕，要进行检查和检测处理对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行 高资料试卷技术问题，作为调试人员，需要在事前掌握图纸资料、设备制造厂家出具高中资料试卷试验报告与相关技术资料，并且了解现场设备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调中资料试卷调试技术是指发电机一变压器组在发生内部故障时，需要进行外部电源高中资料试卷切除从而采用高中资料试卷主要保护装置。
R b 增大 ② ① ② ① ③ R c 增大③② ① ③ ① R L 增大③③① ③ ③ 难度：3 知识点：基本共射放大电路的组成和分析 3：根据下列要求，将应优先考虑使用的集成运放填入空内。已知现有集成运致的 类型是：①通用型 ②高阻型 ③高速型 ④低功耗型 ⑤高压型 ⑥大功率型 ⑦高精度型 （1）作低频放大器，应选用 。 （2）作宽频带放大器，应选用 。 （3）作幅值为1μV 以下微弱信号的量测放大器，应选用 。 （4）作内阻为100k Ω信号源的放大器，应选用 。 （5）负载需5A 电流驱动的放大器，应选用 。 （6）要求输出电压幅值为±80的放大器，应选用 。 （7）宇航仪器中所用的放大器，应选用 。 答案：（1）① （2）③ （3）⑦ （4）② （5）⑥ （6）⑤ （7）④ 难度：4 知识点：集成运放的种类和特点 4：已知某放大电路的波特图如图 T5.3所示，填空： （1）电路的中频电压增益20lg||＝ dB ，＝ 。 m u A m u A （2）电路的下限频率f L ≈ Hz ，上限频率f H ≈ kHz. （3）电路的电压放大倍数的表达式 ＝ 。u A 图T5.3 答案：（1）60 104 （2）10 10 （3）) 10 j 1)(10j 1)(10j 1(j 100)10j 1)(10j 1)(j 101(1054543f f f f f f f +++±+++±或 难度：3 知识点：放大电路的幅度，频率响应 度固图纸方案。 料试
一、 选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）（每小题2分、共30分） 1． 在一个NPN 管组成的基本共发射极放大电路中，当输入幅度为5mV ，频率为1kHz 的正弦波时，输出电压波形出现了顶部削平失真 （1）这种失真是 ( ) A. 饱和失真 B. 截止失真 C. 交越失真 D. 频率失真 （2）为了消除这种失真应 ( ) A. 减小集电极电阻R C B. 减小电源电压U CC C. 增大基极电阻R B D. 减小基极电阻R B 2．放大电路的空载是指 ( ) A. R C ＝0 B. R C ＝∞ C. R L ＝0 D. R L ＝∞ 3．若要增大某放大器的输入电阻和使输出电流稳定，可加入下列负反馈： ( ) A.电流串联 B.电压串联 C.电流并联 D.电压并联 4．甲乙类功率放大器在输入信号整个周期中，管子只导通 ( ) A.一个周期 B.半个周期 C.大于半个周期小于一个周期 5．欲将方波电压转换成三角波电压，应选用 ( ) A.反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路 C.微分电路 D.积分电路 6．三端稳压电源输出正电源并可调的是 （ ） A ．CW78XX 系列 B ．CW337系列 C ．CW317系列 7．在单相桥式整流电容滤波电路中，则负载上的电压 （ ） A ．U 2 B ．1.2U 2 C ．1.414U 2 D ．2U 2 8．开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 （ ） A ．调整管工作在开关状态 B ．输出端有LC 滤波电路 C ．可以不用电源变压器 9． 有220V 、25W 的电烙铁，其电源控制电路如图所示，烙铁温度最高的是 （ ） A ．S 1、S 2均接通 B ．S 1断开，S 2接通 C ．S 1接通，S 2断开 D ．S 1、S 2均断开 10．若稳压二极管V 1和V 2的稳定电压为6V 和10V ，则下图的输出电压 （ ） A. 10V B. 6V C. 16V D. 4V 11. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“TIME/DIV ”的指示值是5μs ，则所测 正弦波的频率为 （ ） A ．100kHz B ．50kHz C ．25kHz D ．20kHz 12. 若载波u C (t)=U C cos ωC t,调制信号u Ω(t)= U Ωcos Ωt ，则双边带调幅波的表达式为（ ） A ．u DSB (t)=U C cos （ωC t ＋m a sin Ωt ） B ．u DSB (t)=U C cos （ωC t ＋m a cos Ωt ） C ．u DSB (t)=U C （1＋m a cos Ωt ）cos ωC t D ．u DSB (t)=kU ΩU C cos ωC tcos Ωt 13. 鉴相的描述是 （ ） A ．调幅信号的解调 B ．调频信号的解调 C ．调相信号的解调 14．下图所示框图能实现何种功能？ （ ） 其中u s (t)= U s cos ωc tcos Ωt ， u r (t)= U r cos ωc t A ． 振幅调制 B ． 检波 C ． 混频 D ． 鉴频 15. MC1596集成模拟乘法器可以用作 （ ） A ．混频 B ．频率调制 C ．相位调制 二、填空题（每空1分，共14分） 1．测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x 、y 、z 对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出分别为三极管的_______极、_______极、________极。 2．已知某放大电路的第一级电压增益为40dB ，第二级电压增益为20dB ，总的电压增益为____________dB 。 3．差动放大电路中共模信号是指 。 4．调幅波的几种调制方式是 、 、 和 。 5．在图所示电路中，调整管为 ，采样电路 由 组成，基准电压电路由 组 成， 比较放大电路由 组成， 输出电压最小值的表达式 。 常州信息职业技术学院 学年第 学期 模拟电子线路 课程期末试卷 班级 姓名 学号 成绩 装 订 线
最新模电题库附答案 1晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等， D、五价元素，如磷等 [答案]D|C 3当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变
[答案]A|E|B|D 4在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大， B、减小， C、不变 [答案]A|B 5某二极管反向电压为10V时，反向电流为μA。在保持反向电压不变的条件下，当二 极管的结温升高10℃，反向电流大约为____。 A、0.05μA， B、0.1μA， C、0.2μA， D、1μA [答案]C 6在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，。 1．当V调到6V，则I将为____。 A、1mA， B、大于1mA，但小于2mA C、2mA， D、大于2mA
2．保持V＝3V不变，温度升高20℃，则将为____。 A、小于0.7V， B、0.7V不变， C、大于0.7V [答案]D|A 7电路如图所示，，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻 将____。 A、增大， B、减小， C、保持不变 [答案]B 8在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____（A、发射极，B、基极，C、集电极）；该晶体管的类型是____（A、PNP型，B、NPN型）；该晶体管的共射电流放大系数约为____
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。 精选文档模拟电路考试题及答案【精】
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