2017版合肥工业大学《831半导体物理》全套考研资料
我们是布丁考研网合工大考研团队，是在读学长。我们亲身经历过合工大考研，录取后把自己当年考研时用过的资料重新整理，从本校的研招办拿到了最新的真题，同时新添加很多高参考价值的内部复习资料，保证资料的真实性，希望能帮助大家成功考入合工大。此外，我们还提供学长一对一个性化辅导服务，适合二战、在职、基础或本科不好的同学，可在短时间内快速把握重点和考点。有任何考合工大相关的疑问，也可以咨询我们，学长会提供免费的解答。更多信息，请关注布丁考研网。
以下为本科目的资料清单（有实物图及预览，货真价实）：
合肥工业大学《半导体物理》全套考研资料
一、合肥工业大学《半导体物理》历年考研真题及答案解析
2016年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）（11月份统一更新）
2015年合肥工业大学《半导体物理》考研真题
2014年合肥工业大学《半导体物理》考研真题
2013年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2012年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2011年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2010年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2009年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2008年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2007年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2006年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2005年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2004年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
2003年合肥工业大学《半导体物理》考研真题（含答案解析）
二、合肥工业大学《半导体物理》期中期末试卷
合工大半导体物理期末试卷
三、合肥工业大学《半导体物理》考研复习笔记
四、赠送资料（电子版，发邮箱）
1、半导体物理课本部分习题配套答案
2、初试半导体物理配套课件
以下为截图及预览：
2015真题
2014真题
2013真题答案
2011年真题
2010年真题
笔记
重点章节笔记
XX年合肥工业大学机械考研初试及复试总结工大初试专业课考试一向很让人纠结，但我要说，其实不然！特别是现在不考简答题了，难度减小了不少，把握好历年真题命题方式其实很简单，120不难拿下。现在我简单介绍下 自由度，平面机构运动分析解析法（图解法基本不用看），凸轮，齿轮，轮系，每年必考，考得不难，这些都是必须拿下得分。第三章，第八章着来年过年都考了一题，其他几章间歇考，不过都要看，像第九章特别繁的计算就不用看了，不会考的，一般考运动副力的方向标注。第八章机构的组合方式框图是重点。课后习题和真题很重要！！！其他可以在搞一本考研辅导书做做。大家细心研究，真题要总结规律和题型，课后习题不用每道都会做，那些特别难的也不会考。好了，说多了都是废话，大家好好复习。我和几个学长学姐会经常去看看，能帮忙的我们一定尽力。作为过来人我也深深体会考研不容易。 合工大机械考研不是很难，综合性价比还是很高的，也是老牌名校。在合肥找工作绝对是没问题的，就是地理位置比一线城市差些，但分数线今年要比南京，上海那边低很多。合肥近几年发展也很快，欢迎大家报考。 我是跨专业考的，本科工业设计，学校只是二本，跨专业考机械。貌似其他和工大同等水平的院校都比较有偏见，但工大要好很多，
只要你分数够，工大就敢收你，不过跨度太大的话我也不敢保证。现在已经顺利录取了，而且拿了一等奖学金。 祝大家考研顺利！坚持到底！ 今天去工大照了所有录取的名单，在手机里不太好弄。有空再陆续上传。 先说听力，八点开始，听往届的学长说，声音比较杂，但今年亲身体验没有，很清楚，难度不高于四级听力，题型和四级前25道一样，总共也就25题。 然后隔半小时专业课笔试，两个半小时，做快点时间够了，三门课，这个都知道，题量有点大，但是难题少，像加工工序安排比较难。另外提醒一点，专业课答题纸是白纸，自己安排答题结构，选择题有的选项是a b c，有的是123，有的是ABCD，不统一。 题型每年都有变化，我说说今年的情况： 1．选择，差不多10道，不难。 2．简答，有三个。
1.布喇格定律（相长干涉）：点阵周期性导致布喇格定律。 2.晶体性质的周期性：电子数密度n(r)是r的周期性函数，存在 3.2πp/a被称为晶体的倒易点阵中或傅立叶空间中的一个点，倒易点中垂线做直线可得布里渊区。 3.倒易点阵： 4.衍射条件：当散射波矢等于一个倒易点阵矢量G时，散射振幅 达到最大 波矢为k的电子波的布喇格衍射条件是： 一维情况（布里渊区边界满足布拉格）简化为： 当电子波矢为±π/a时，描述电子的波函数不 再是行波，而是驻波（反复布喇格反射的结果） 5.布里渊区： 6.布里渊区的体积应等于倒易点阵初基晶胞的体积。 7.简单立方点阵的倒易点阵，仍是一个简立方点阵，点阵常数为2π/a，第一布里渊区是个以原点为体心，边长为2π/a的立方体。 体心立方点阵的倒易点阵是个面心立方点阵，第一布里渊区是正菱形十二面体。面心立方点阵的倒易点阵是个体心立方点阵，第一布里渊区是截角八面体。 8.能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。（边界处布拉格反射形成驻波，造成能量差）
9.第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N －每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值； －直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取向，于是每个能带中存在2N个独立轨道。 －若每个初基晶胞中含有一个一价原子，那么能带可被电子填满一半； －若每个原子能贡献两个价电子，那么能带刚好填满；初基晶胞中若含有两个一价原子，能带也刚好填满。 绝缘体：至一个全满，其余全满或空（初基晶胞内的价电子数目为偶数,能带不 交叠）2N. 金属：半空半满 半导体或半金属：一个或两个能带是几乎空着或几乎充满以外，其余全满 （半金属能带交叠） 10.自由电子： 11.半导体的E-k关系： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k) 2020专硕笔试题 建筑部分 一.名词解释 1.标准层 2.场所 二.默图 1.理查德医学研究楼平面 https://www.doczj.com/doc/5311906074.html,TV总部透视 3.国家美术馆东馆总平 4.红蓝椅 三.简答 1.建筑总平面布局应注意的问题 2.公共建筑交通空间的分类和作用 3.绿色建筑的定义和国家评价指标 四.名词解释 1.住宅套型 2.日照间距 五.简答 1.住宅群体建筑的平面布局和空间组合方式。 城乡规划 六.名词解释 有机疏散 城市性质 七.简答 历史文化保护区的保护方法和原则 城市性质，城市功能，城市形象三者的关系 构造部分 八.名词解释 构造柱 有组织排水 九.画一个带保温的墙体构造并解释墙体构造的功能性要求 2020学硕笔试题 建筑部分： 一.名词解释： 1.微气候 2.格式塔心理学 二.默图题： 1.东馆总平 2.母亲住宅 3.朗香教堂 4.理查德医学研究楼平面 三.简答： 1.简述标准层的概念，并分析影响其平面形状的因素。 2.简述功能对建筑空间的规定性体现在哪些方面。 3.简述公共建筑分区原则。 四.问答（辅以简图说明）： 1.结合具体案例论述自然资源（如“光”）在建筑设计中的应用。 2.结合具体案例论述后现代建筑理论“结构主义”。 规划部分： 一.名词解释： 1.城镇化 2.新城市主义 二.简答题： 1.简述在城市设计中，街道空间设计要满足的基本要求。 2.简述住宅群体建筑的平面布局和空间组合方式。 构造： 一.名词解释： 1.门窗综合遮阳系数 2.防火交叉直跑（剪刀）楼梯间 二.简单题： 1.简述建筑变形缝的基本作用、类型及各自特点。 三.默图题： 1.配合图示简述倒置式屋面的基本构造做法及其特点。 半导体物理刘恩科考研 复习总结 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN 1.半导体中的电子状态 金刚石与共价键（硅锗IV族）：两套面心立方点阵沿对角线平移1/4套构而成 闪锌矿与混合键（砷化镓III-V族）：具有离子性，面心立方+两个不同原子 纤锌矿结构：六方对称结构（AB堆积） 晶体结构：原子周期性排列（点阵+基元） 共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，电子可以 在整个晶体中运动。 能带的形成：组成晶体的大量原子的相同轨道的电子被共有化后，受势场力作用，把同一个能级分裂为相互之间具有微小差异的极其细致的能 级，这些能级数目巨大，而且堆积在一个一定宽度的能量范围 内，可以认为是连续的。 能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。 （边界处布拉格反射形成驻波，电子集聚不同区域，造成能量差） 自由电子与 半导体的 E-K图： 自由电子模型： 半导体模型： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k) 波矢为k的电子波的布喇格衍射条件： 一维情况（布里渊区边界满足布拉格）： 第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N －每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值； －直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取 向，于是每个能带中存在2N个独立轨道。 －若每个初基晶胞中含有一个一价原子，那么能带可被电子填满一半； －若每个原子能贡献两个价电子，那么能带刚好填满；初基晶胞中若含有两个一价原子，能带也刚好填满。 杂质电离：电子脱离杂质原子的的束缚成为导电电子的过程。脱离束缚所需要的能力成为杂质电离能。 杂质能级：1）替位式杂质（3、5族元素，5族元素释放电子，正电中心，称施 主杂质；3族元素接收电子，负电中心，受主杂 质。） 2）间隙式杂质（杂质原子小） 杂质能带是虚线，分离的。 浅能级杂质电离能： 施主杂质电离能 汉翻英第一单元 1、要善于恭维他人，重要的一步就是要懂得为什么恭维会有助于你建立更好的人际关系。 An important step in becoming an effective flatterer is to understand why flattery helps you establish better relationships with others. 2、恭维之所以奏效，最根本的原因是恭维符合了人类行为的一个基本原则：人们渴望得到赏识。 The root cause of the power of flattery gets at(达到) a basic principle of human behavior：People crave being appreciated. Power of flattery lies in the fact that it fulfils a basic principle of human behavior: 3、尽管文化背景各不相同，但绝大多数人都有类似的想法。 The vast majority of people are of the similar idea despite different cultures. 4、在亚洲文化中，人们对群体赏识的渴求一般要强于对个体赏识的渴求。但不管怎样，人们渴望赏识是普遍存在的。 In Asian cultures the desire for group recognition is generally stronger than the desire for individual recognition. Nevertheless, the need for recognition is present/universal. 5、很多人认为，工作本身带来的乐趣要比外界赏识包括恭维更为重要。Many people hold that the joy of work itself is more important than external recognition, including flattery. 6、工作的乐趣也许是一种巨大的动力，但是即使是那些从工作中得到极大乐趣的人如科学家、艺术家、摄影师也渴望得到恭维和认可，否则他们就不会去竞争诺贝尔奖或在重要的展览会上展示他们的作品了。 The joy of work may be a powerful motivator, but even those who get the biggest joy from their work —such as scientists, artists, and photographers —crave flattery and recognition. 7、否则他们就不会去竞争诺贝尔奖或在重要的展览会上展示他们的作品了。Otherwise they wouldn’t compete for Nobel Prizes or enter their work in important exhibitions. 8、恭维之所以奏效，还因为它与人们对认可的正常需要有关。 Another reason flattery is so effective relates to the normal need to be recognized. 9、尽管有一些关于恭维的书和文章问世，并对恭维极力进行宣扬，但是大多数人还是没有得到应有的赏识。 Although some articles and books have been written and preached zealously about flattery, most people receive less recognition than they deserve. 10、很多人无论在工作上或在家里都很少收到赞美，所以对认可的渴求就更加强烈了。 Many people hardly ever receive compliments either on the job or at home, thus intensifying their demand for flattery. 汉翻英第二单元 1、鲜花是最常送的礼物之一。 Flowers are among the most frequently given gifts. 2、有一种传统的用鲜花表达的语言。精心挑选的一束花卉可以传达多种不同的情感和祝福。 There’s a traditional floral language, and a carefully selected bouquet or plant can convey a wide range of emotions （love, affection, pity）and sentiments 、 3、红玫瑰象征着爱情也象征着新事业充满希望的开端； Red roses symbolize love as well as the hopeful beginning of a new enterprise; 4、紫罗兰是祈求受花人不要忘却送花人。 violets beseech the recipient not to forget the donor; 5、兰花以及其他精美的花卉则表示（你希望）受花人认为你情调高雅（decent, graceful, elegant）、受人尊重(esteemed, respectable)、出类拔萃(outstanding, distinguished, celebrated)。 orchids and other exquisite blooms indicate that the recipient regards you as exotic（珍奇的）, precious（讲究的）and rare（珍贵的）. 6、送一束鲜花能唤起温馨的回忆，比那些仅仅显示炫耀和奢华的礼物更为珍贵。 A floral gift that evokes warm recollections will be prized more than one that is 西安电子科技大学2018考研大纲：半导体 物理与器件物 出国留学考研网为大家提供西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础，更多考研资讯请关注我们网站的更新! 西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础 “半导体物理与器件物理”(801) 一、 总体要求 “半导体物理与器件物理”(801)由半导体物理、半导体器件物理二部分组成，半导体物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)。 “半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。 “器件物理”要求学生掌握MOSFET器件物理的基本理 论和基本的分析方法，使学生具备基本的器件分析、求解、应用能力。要求掌握MOS基本结构和电容电压特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的频率特性;MOSFET器件中的非理想效应;MOSFET器件按比例缩小理论;阈值电压的影响因素;MOSFET的击穿特性;掌握器件特性的基本分析方法。 “半导体物理与器件物理”(801)研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。 二、 各部分复习要点 ●“半导体物理”部分各章复习要点 (一)半导体中的电子状态 1.复习内容 半导体晶体结构与化学键性质，半导体中电子状态与能带，电子的运动与有效质量，空穴，回旋共振，元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。 2.具体要求 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动和有效质量 本征半导体的导电机构 历年华东师范大学906半导体物理考研真题答案资料一、考试解读： part 1 学院专业考试概况： ①学院专业分析：含学院基本概况、考研专业课科目:906半导体物理的考试情况； ②科目对应专业历年录取统计表：含华东师范大学信息科学技术学院电子工程系相关专业的历年录取人数与分数线情况； ③历年考研真题特点：含华东师范大学考研专业课906半导体物理各部分的命题规律及出题风格。 part 2 历年题型分析及对应解题技巧： 根据华东师范大学906半导体物理考试科目的考试题型（名词解释题、简答题、论述题等），分析对应各类型题目的具体解题技巧，帮助考生提高针对性，提升答题效率，充分把握关键得分点。 part 3 2018真题分析： 最新真题是华东师范大学考研中最为珍贵的参考资料，针对最新一年的华东师大考研真题试卷展开深入剖析，帮助考生有的放矢，把握真题所考察的最新动向与考试侧重点，以便做好更具针对性的复习准备工作。 part 4 2019考试展望： 根据上述相关知识点及真题试卷的针对性分析，提高2019考生的备考与应试前瞻性，令考生心中有数，直抵华东师范大学考研的核心要旨。 part 5 华东师范大学考试大纲： ①复习教材罗列（官方指定或重点推荐+拓展书目）：不放过任何一个课内、课外知识点。 ②官方指定或重点教材的大纲解读：官方没有考试大纲，高分学长学姐为你详细梳理。 ③拓展书目说明及复习策略：专业课高分，需要的不仅是参透指定教材的基本功，还应加强课外延展与提升。 part 6 专业课高分备考策略： ①考研前期的准备； ②复习备考期间的准备与注意事项； ③考场注意事项。 part 7 章节考点分布表： 罗列华东师范大学906半导体物理的专业课试卷中，近年试卷考点分布的具体情况，方便考生知晓华东师大考研专业课试卷的侧重点与知识点分布，有助于考生更具针对性地复习、强化，快准狠地把握高分阵地。 二、华东师范大学历年考研真题与答案： 汇编华东师大考研专业课考试科目的2010-2016、2018年考研真题试卷，并配备2010-2016、2018年考研真题答案详解。本部分包括了（解题思路、答案详解）两方面内容。首先对每一道真题的解答思路进行引导，分析真题的结构、考察方向、考察目的，向考生传授解答过程中宏观的思维方式；其次对真题的答案进行详细解答，方便考生检查自身的掌握情况及不足之处，并借此巩固记忆加深理解，培养应试技巧与解题能力。 2018年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2016年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2015年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2014年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 大工《半导体物理》考研重点 第一章、半导体中的电子状态 ●了解半导体的三种常见晶体结构即金刚石型、闪锌矿和纤锌矿型结构；以及 两种化合键形式即共价键和离子键在不同结构中的特点。 ●了解电子的共有化运动； ●理解能带不同形式导带、价带、禁带的形成；导体、半导体、绝缘体的能带 与导电性能的差异； ●掌握本征激发的概念。 ●理解半导体中电子的平均速度和加速度； ●掌握半导体有效质量的概念、意义和计算。 ●理解本征半导体的导电机构； ●掌握半导体空穴的概念及其特点。 ●理解典型半导体材料锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。 重要术语： 1.允带 2.电子的有效质量 3.禁带 4.本征半导体 5.本征激发 6.空穴 7.空穴的有效质量 知识点： 学完本章后，学生应具备以下能力： 1.对单晶中的允带和禁带的概念进行定性的讨论。 2.讨论硅中能带的分裂。 3.根据K-k关系曲线论述有效质量的定义，并讨论它对于晶体中粒子运动的 意义。 4.本征半导体与本征激发的概念。 5.讨论空穴的概念。 6.定性地讨论金属、绝缘体和半导体在能带方面的差异。 第二章、半导体中的杂质和缺陷能级 ●掌握锗、硅晶体中的浅能级形成原因，多子和少子的概念； ●了解浅能级杂质电离能的计算； ●了解杂质补偿作用及其产生的原因；。 ●了解锗、硅晶体中深能级杂质的特点和作用； ●理解错误!未找到引用源。-错误!未找到引用源。族化合物中的杂质能级 的形成及特点； ●了解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念； ●了解缺陷（主要是两类点缺陷弗仑克耳缺陷和肖脱基缺陷）、位错（一种 线缺陷）施主或受主能级的形成。 重要术语 1.受主原子 2.载流子电荷 3.补偿半导体 4.完全电离 5.施主原子 6.非本征半导体 7.束缚态 知识点： 学完本章后，学生应具备如下能力： 1.描述半导体内掺人施主与受主杂质后的影响。 2.理解完全电离的概念。 半导体物理 绪 论 一、什么是半导体 导体 半导体 绝缘体 电导率ρ <10- 9 3 10~10- 9 10> cm ?Ω 此外，半导体还有以下重要特性 1、 温度可以显著改变半导体导电能力 例如：纯硅（Si ） 若温度从 30C 变为C 20时，ρ增大一倍 2、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力 例如：若有100万硅掺入1个杂质（P . Be ）此时纯度99.9999% ，室温（C 27 300K ）时，电阻率由214000Ω降至0.2Ω 3、 光照可以明显改变半导体的导电能力 例如：淀积在绝缘体基片上（衬底）上的硫化镉（CdS ）薄膜，无光照时电阻（暗电阻）约为几十欧姆，光照时电阻约为几十千欧姆。 另外，磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力。 综上： ● 半导体是一类性质可受光、热、磁、电，微量杂质等作用而改变其性质的材料。 二、课程内容 本课程主要解决外界光、热、磁、电，微量杂质等因素如何影响半导体性质的微观机制。 预备知识——化学键的性质及其相应的具体结构 晶体：常用半导体材料Si Ge GaAs 等都是晶体 固体 非晶体：非晶硅（太阳能电池主要材料） 晶体的基本性质：固定外形、固定熔点、更重要的是组成晶体的原子（离子）在较大范围里（6 10-m ）按一定方式规则排列——称为长程有序。 单晶：主要分子、原子、离子延一种规则摆列贯穿始终。 多晶：由子晶粒杂乱无章的排列而成。 非晶体：没有固定外形、固定熔点、内部结构不存在长程有序，仅在较小范围（几个原子距）存在结构有 序——短程有序。 §1 化学键和晶体结构 1、 原子的负电性 化学键的形成取决于原子对其核外电子的束缚力强弱。 电离能：失去一个价电子所需的能量。 亲和能：最外层得到一个价电子成为负离子释放的能量。(ⅡA 族和氧除外) 原子负电性=（亲和能+电离能）18.0? （Li 定义为1） ● 负电性反映了两个原子之间键合时最外层得失电子的难易程度。 ● 价电子向负电性大的原子转移 ⅠA 到ⅦA ，负电性增大，非金属性增强 2010年全国硕士研究生入学统一考试 数学一模拟试卷（I ） 一、选择题：1～8小题，每小题4分，共32分.在每小题给出的四个选项中，只有一个符合要求，把所选项前的字母填在题后的括号里. （1）设数列{},{}n n a b 对任意的正整数n 满足1+≤≤n n n a b a ，则（ ）. （A ）数列{},{}n n a b 均收敛，且lim lim →∞ →∞ =n n n n a b （B ）数列{},{}n n a b 均发散，且lim lim →∞ →∞ ==+∞n n n n a b （C ）数列{},{}n n a b 具有相同的敛散性 （D ）数列{},{}n n a b 具有不同的敛散性 （2）设()f x 满足'(0)0f =，32 '()[()]f x f x x +=，则有（ ）. （A ）(0)f 是()f x 的极大值 （B ）(0)f 是()f x 的极小值 （C ）(0,(0))f 是()=y f x 的拐点 （D ）(0)f 不是()f x 的极值，(0,(0))f 也不是()=y f x 的拐点 （3）设函数(,)f x y 在点000()P x ,y 处的两个偏导数00'()x f x ,y 、00'()y f x ,y 都存在，则 （A ）(,)f x y 在点0P 处必连续 （B ）(,)f x y 在点0P 处必可微 （C ）0 00lim (,)lim (,)x x y y f x y =f x y →→ （D ）00 lim (,)x x y y f x y →→存在 （4）下列命题中正确的是（ ）. （A ）设正项级数 n =1 n a ∞ ∑发散，则1n a n ≥ （B ）设 21 2n =1 (+)n-n a a ∞ ∑收敛，则n =1n a ∞ ∑收敛 （C ）设 n =1 n n a b ∞ ∑ 收敛，则22 =1 =1 ,n n n n a b ∞ ∞ ∑∑均收敛 第一章半导体中电子的状态 名词解释： 直接带隙半导体 间接带隙半导体 格波 有效质量 空穴 布里渊区 重空穴、轻空穴 k空间等能面 解答题： 用能带理论定性地说明导体、半导体和绝缘体的导电性。 分别画出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点。 第二章半导体中杂质和缺陷能级 名词解释： 施主杂质 受主杂质 深能级杂质 杂质电离能 解答题： 简述杂质在半导体中的作用。 分别论述深能级和浅能级杂质对半导体的影响。 第三章半导体中载流子的统计分布 名词解释： 非简并半导体 简并半导体 本征半导体 状态密度 解答题： 有一n型半导体施主和受主杂质掺杂浓度分别为n6和w4，在温度高于数十k时，已知本征费米能级为Ei，玻尔兹曼常数为h，本征载流子浓度为n，试确定：1. 半导体的费米能级EF；2. 热平衡载流子浓度n0和p0. 第四章半导体的导电性 名词解释： 载流子散射 解答题： 简述半导体中载流子的主要散射机构。 画出本征半导体和杂质半导体电阻率随温度变化的曲线，并解释其变化规律。 耿氏振荡的机理。 第五章非平衡载流子 名词解释： 准费米能级 少子寿命 小注入条件 高度补偿半导体 直接复合与间接复合 复合中心 陷阱中心 解答题： 在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出（空穴的）爱因斯坦关系式。 连续性方程。 第六章p-n结 名词解释： p-n结 解答题： 画出p-n结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n结势垒区形成的物理过程。 画出理想p-n结合硅p-n结的电流电压曲线，并根据曲线的差异简述p-n结电流电压曲线偏离理想p-n结主要因素。 第七章金属和半导体的接触 名词解释： 半导体功函数 欧姆接触 表面势 解答题： 什么是良好的欧姆接触，实现欧姆接触的基 共创2015考研（合工大点春季）超级优惠套餐 优惠系列包含课程总课时原价 2014年春季优惠价 全程班系列Vip三科全程 英语（基础+强化+冲刺） 政治（强化+冲刺+点睛班） 数学一/二/三（基础+强化+冲 刺） 享有VIP专座 544/450/512 （名师推荐） 3100/2800/ 3010 2300/2000/2210 政数全程班 政治（强化+冲刺+点睛班） 数学一/二/三（基础+强化+冲 刺） 400/306/368 2140/1840/ 2050 1790/1490/1700 英数全程班 英语（基础+强化+冲刺） 数学一/二/三（基础+强化+冲 刺） 440/346/408 （名师推荐） 2370/2070/ 2280 1920/1720/1870 政英全程班 英语（基础+强化+冲刺） 政治（强化+冲刺+点睛班） 248 1690 1340 数学全程班 数学一/二/三（基础+强化+冲 刺） 296/202/264 （名师推荐） 1410/1110/ 1320 1270/970/1180 英语全程班英语（基础+强化+冲刺）144 960 820 政治全程班政治（强化+冲刺+点睛班）104 730 590 强化班系列三科强化班 数学一/二/三+英语+政治（强 化） 284/240/268 （名师推荐） 1650/1520/ 1600 1350/1220/1300 政数强化班数学一/二/三+政治（强化）204/160/188 1100/970/1 050 950/820/900 英数强化班数学一/二/三+英语（强化）204/160/188 1150/1020/ 1100 1050/920/1000 政英强化班政治+英语（强化）160 1050 1000 数学强化班数学一/二/三（强化）124/80/108 600/470/55 590/460/540 英语强化班英语（强化）80 550 540 政治强化班政治（强化）80 500 490 半程班系 列数学前半程数学一/二/三基础+强化 244/186/212 （名师推荐） 1060/830/9 70 950/720/860 英语前半程英语基础+强化120 780 690 三科半程班 数学一/二/三+英语+政治 （强化+冲刺） 380/320/364 2410/2210/ 2360 2110/1910/2060 英数后半程 数一/二/三+英语 （强化+冲刺） 280/220/264 （名师推荐）1680/1480/ 1630 1580/1380/1530 政数后半程 数一/二/三（强化+冲刺） +政治（全程） 280/220/264 政英后半程英语（强化+冲刺）+政治（全程）208 1460 1300 数学后半程数学一/二/三（强化+冲刺）176/116/160 950/750/90 940/740/890 英语后半程英语（强化+冲刺）104 730 720 备注：1，在2014年3月15日前报名，每人优惠30元， 2，3团报3人以上，每人优惠30元，团报5人以上，每人优惠50元。 3，报名当场赠送考研大礼包 第七章 一、基本概念 1.半导体功函数: 半导体的费米能级E F 与真空中静止电子的能量E 0的能量之差。 金属功函数：金属的费米能级E F 与真空中静止电子的能量E 0的能量之差 2.电子亲和能: 要使半导体导带底的电子逸出体外所需的最小能量。 3. 金属-半导体功函数差o: (E F )s-(E F )m=Wm-Ws 4. 半导体与金属平衡接触平衡电势差: q W W V s m D -= 5.半导体表面空间电荷区 : 由于半导体中自由电荷密度的限制，正电荷分布在表面相当厚的一层表面层内，即空间电荷区。表面空间电荷区=阻挡层=势垒层 6.电子阻挡层：金属功函数大于N 型半导体功函数（Wm>Ws ）的MS 接触中，电子从半导体表面逸出到金属，分布在金属表层，金属表面带负电。半导体表面出现电离施主，分布在一定厚度表面层内，半导体表面带正电。电场从半导体指向金属。取半导体内电位为参考，从半导体内到表面，能带向上弯曲，即形成表面势垒，在势垒区，空间电荷主要有带正电的施主离子组成，电子浓度比体内小得多，因此是是一个高阻区域，称为阻挡层。 【电子从功函数小的地方流向功函数大的地方】 7.电子反阻挡层：金属功函数小于N 型半导体功函数（Wm 2017合工大研究生英语全缩印版 第五章： 1.The serious part of my life ever since boyhood has been devoted to two different objects which for a long time remained separate and have only in recent years united into a single whole. 自少年时代起，我一生的重要时光都致力于实现两个不同的目标。这两个目标长久以来一直分开的，只是近几年才合为一体。 2. I was troubled by scepticism and unwillingly forced to the conclusion that most of what knowledge is open to reasonable doubt. 我被怀 疑论干扰着，不愿意被迫下这个结论，那就是过去被迫接受的东西都可以公开的，合理地质疑。 3. But I discovered that many mathematical demonstrations, which my teachers expected me to accept, were full of , and that, if certainty were indeed discoverable in mathematics, it would be in a new kind of mathematics, with more solid foundations than those that had 但是我发现老师们期望我接受的许多数学论证都充满了谬误：假如确切性果真能发现于数学，它也是一种新型的数学，比迄今为止被认为是无懈可击的数学的原理更为牢固。 4. there was nothing more that I could do in the way of making mathematical knowledge . 在使数学知识不容怀疑这个方面，我已尽了全力。 5. And I am convinced that intelligence, patience, and can, sooner or later, lead the human its self-imposed itself meanwhile. 我相信：只要人类不自相残杀，智慧、忍耐和雄辩迟早会指引人类走出自找的磨难。 6 But I remain completely incapable of agreeing with those who accept fatalistically the view that man is born to trouble. 但是我仍然不能完全认同那些拥有宿命论观点认为人生下来就是麻烦的观点。 7. And there have been morbid miseries fostered by gloomy creeds,which have led men into profound inner discords that made all outward prosperity of avail . 还有一种就是由悲观的信念滋生的病态的痛苦，它使人类的内心极不和谐，从而使外部的繁荣毫无成果。 8.To preserve hope in our world our intelligence and our energy. In those who despair it is 半导体物理刘恩科考研复 习总结 Prepared on 24 November 2020 1.半导体中的电子状态 金刚石与共价键（硅锗IV族）：两套面心立方点阵沿对角线平移1/4套构而成闪锌矿与混合键（砷化镓III-V族）：具有离子性，面心立方+两个不同原子 纤锌矿结构：六方对称结构（AB堆积） 晶体结构：原子周期性排列（点阵+基元） 共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，电子可以 在整个晶体中运动。 能带的形成：组成晶体的大量原子的相同轨道的电子被共有化后，受势场力作用，把同一个能级分裂为相互之间具有微小差异的极其细致的能 级，这些能级数目巨大，而且堆积在一个一定宽度的能量范围 内，可以认为是连续的。 能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。 （边界处布 拉格 反射 形成 驻 波，电子集聚不同区域，造成能量差）自由电子与 半导体的 E-K图： 自由电子模型： 半导体模型： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k) 合肥工大土木与水利工程学院2010年硕士研究生复试程序 各位考生： 欢迎你们报考合肥工业大学土木与水利工程学院2010年硕士研究生。根据教育部和学校2010年硕士研究生录取有关部署，现将复试程序及注意事项通知如下： 一、参加复试考生 参加复试考生为第一志愿报考合肥工业大学上线统考硕士生和截止2010年4月5日前报考材料到齐的上线调剂考生。 二、复试费用及资格审查 参加复试的考生请于2010年4月9日上午8:00到土木与水利工程学院研究生教务办公室（纬地楼305）交纳复试费用100元整，并进行复试资格审查。 复试资格审查时，本科毕业考生须携带本人准考证、毕业证书及学位证书原件（应届本科生交验本人学生证原件）、有效身份证件原件以及上述证件复印件一套。 同等学力考生请于2010年4月9日到校研招办进行复试资格审查，考生需交验本人准考证、毕业证书原件、身份证原件、大学英语四级证书或成绩单（≥425分）原件。（同等学力考生包括国家承认学历的本科结业生、成人高校应届本科生及2008年9月1日前毕业的专科生） 同等学力考生须加试两门所报考专业大学本科阶段主干课程。考试采用笔试，考试课程名称、时间和地点请考生关注学院网上相关通知。 未验证或验证不合格的考生不可参加复试。 三、复试日程安排 复试于2010年4月10日～11日进行，复试内容包括英语听力测试、专业综合课笔试、综合面试、外语口语测试。英语听力测试、专业综合课笔试由学校统一组织，综合面试、外语口语测试由学院组织。具体安排如下： 1、英语听力测试 时间：2010年4月10日（星期六）上午8:00～8:30；地点：合肥工业大学南校区西二教学楼。具体考场安排请从校研究生培养处网页上查询。英语听力测试学校统一组织进行，考试时间30分钟，满分40分。由学校语音室放音，考生使用无线音频耳机接收，用答题卡做题，2B铅笔填涂答案。无线音频耳机由考生自备。 2、专业综合课笔试 时间：2010年4月10日（星期六）上午9:00～11:30；地点：合肥工业大学南校区西二教学楼。具体考场安排请从校研究生培养处网页上查询。专业综合课笔试学校统一组织进行，考试时间为2个半小时，满分150分。各专业的专业综合课笔试复试课程以《合肥工业大学2010攻读硕士学位研究生招生专业目录》为准（见表1）。 表1. 专业综合课笔试复试课程 2020合肥工业大学马克思理论考研经验分享 考研结束也有段时间了，很开心可以一战上岸。仔细想了想还是决定给大家分享一些经验，希望能对你们有所帮助。 关于专业课。首先，以前工大马理论考研，是比较重复真题的，但是19考研复试试题也和往年是不太一样的。可能是工大去年马院学科评估B+，马理论设置了一级博士点，马院标准可能在提高。所以不能太依靠真题，好好看书也很重要，弄透其中的知识点非常重要，自己要能依据掌握好的知识点来答题。 具体的复习过程：首先，我觉得还是应该先去报个班，当时我报的是爱考宝典的在线专业课一对一辅导班，因为很多人推荐，再一个我也查过它的资料，这是比较早创办的机构，口碑挺好的，然后买真题，虽然参考性可能在下降，但还是有必要买一份的。其次，我们一共四本书，马克思主义发展史，科学社会主义，思想政治理论，辩证唯物主义和历史唯物主义。 我先说说马发展。马发展看着很厚，但是看两遍，再跟老师后面过一遍，有了大概的思路，然后自己整理笔记，整理细点，最后就可以直接背笔记，建议用电整理电子档的笔记，后面修改也比较方便。 李秀林的辩证唯物主义和历史唯物主义，这本书比较难，需要认真的看，还要勤思考，培养哲学思维，初试对这本书的考察不简单，所以把书弄懂。我自己看第一遍的时候好艰难，老是看不进去，好不容易才看完一边，然后迫不及待跟着老师后面慢慢学。让老师给我仔细的讲那些抽象的概念，我也记了笔记，渐渐才有点开窍。 科学社会主义，这本书也不薄，挺厚的，但是你看过一遍就会发现里面充斥的都是数据故事，事件发生过程等等，很多都是没用的，这本书我买的科社的辅导书，直接背就好了，不用特意看书或者买笔记。 思想政治教育原理，这个书也很厚，其实看过一遍也会发现，里面很多叙述故事，很无聊。但胜在书脉络非常清晰，也不难懂，很好理解，直接背书就行，但是里面有很多非重点内容最好书本整理一下，重点的提取出来，这样背的话简单一些。 关于真题和笔记。 虽然现在的趋势出题越来越没有套路，但是真题还是要好好分析的，笔记我个人建议科社直接背辅导书，思政背书就好了。马发展和辩证唯物主义要记笔记的，马发展里面有的问题的阐述比较乱，我印象深刻的就是剩余价值理论，你自己需要重新按照某个角度去把书本里的内容一个一个角度整理好，把很乱的思绪整理好。哲学那本最抽象，考的也不简单，所以非常推荐大家报名爱考宝典的在线专业课辅导班，有老师辅导效果会好很多。 最后，考研的一整套流程大家一定走完，不要放弃初试或者复试，或者考了第一门又放弃了第二门，我们已经这么大了，必须对自己负责。加油吧各位！2020合肥工业大学建筑学考研初试专硕+学硕笔试真题
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