目录：
贴片电容的种类和特点 1
贴片电容基本结构 1
贴片电容 Class 2 EIA代码 2
贴片电容封装尺寸 3
贴片电容生产厂家 4
贴片电容分类 5
NPO电容器 5
X7R电容器 6
Z5U电容器8
Y5V电容器8
Y5V贴片电容容量范围8
贴片电容的种类和特点
单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
通常大家所说的贴片电容是指片式多层陶瓷电容 (Multilayer Ceramic Capacitors)，简称MLCC，又叫做独石电容。
它是在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次烧结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成的。具有小体积、大容量、Q值高、高可靠和耐高温等优点。同时也具有容量误差较大、温度系数很高的缺点。一般用在噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。
常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V，常见引脚封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。
贴片电容基本结构
多层陶瓷电容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和电极材料层叠而成。见下图：
贴片电容 Class 2 EIA代码
（ＥＩＡ：电子工业协会－美国电子行业标准制定者之一）对Class 2材料电容的容量随温度变化，EIA可以通过3个符号代码来表述。第一个符号表示工作温度范围的下限，第二个符号表示工作温度的上限，第三个符号表示在这个温
度内允许容量变化的百分比。以下表提供了EIA系统详细的描述。
贴片电容封装尺寸
贴片电容生产厂家
贴片电容分类
多层陶瓷电容(MLCC)根据材料分为Class 1和Class 2两类。Class 1是温度补偿型，Class 2是温度稳定型和普通应用的。
?Class 1 - Class 1或者温度补偿型电容通常是由钛酸钡不占主要部分的钛酸盐混合物构成。它们有可预见的温度系数，通常没有老化特性。因此它们是可用的最稳
定的电容。最常用的Class 1多层陶瓷电容是COG(NPO)温度补偿型电容(±0
ppm/°C).
?Class 2 - EIA Class 2 电容通常也是由钛酸钡化合物组成。Class 2电容有很大的电容容量和温度稳定性。最普通最常用的Class 2电容电解质是X7R和Y5V。在温度范围 -55°C到125°C之间，X7R能提供仅有±15%变化的的中等容量的电容
容量。它最适合应用在温度范围宽，电容量要求稳定的场合。 Y5V能提供最大的电容容量，常用在环境温度变化不大的地方。在温度范围-30°C to 85°C之间，Y5V 电容值的变化是22% to -82%。所有的Class 2电容的电容容量受以下几个条件影响：温度变化、操作电压（直流和交流）、频率。
NPO电容器
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。尤其适用于高频电子电路。
?具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
?层叠独石结构，具有高可靠性。
?优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
?应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽
路电容，以及高频电路中的耦合电容。
封 装 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO 电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。
X7R 电容器（为主？）
X7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R 贴片电容属于EIA 规定的Class 2类材料的电容。它的容量相对稳定。
?
具有较高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内，温度特性为±15%。 ?
层叠独石结构，具有高可靠性。 ?
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。 ? 应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
X7R 电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。
X7R 电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接
受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R 电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.056μF 330pF ---0.012μF
1206 1000pF---0.15μF 1000pF ---0.047μF
1210 1000pF---0.22μF 1000pF ---0.1μF
2225 0.01μF ---1μF 0.01μF ---0.56μF
１１－２．５４＿４Ｋ使用
ＸＲ７－１２０６／５０Ｖ最大０．１５ｕＦ，现在的技术生产的最大容量多少？－－查！
Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于
Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。
封装 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF
1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围:+10℃ --- +85℃
温度特性: +22% ---- -56%
介质损耗: 最大 4%
Y5V电容器
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。Y5V贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。它的电容量受温度、电压、时间变化影响大。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
?具有较差的电容量稳定性，在-25℃～85℃工作温度范围内，温度特性为+30%，-80%。
?层叠独石结构，具有高可靠性。
?优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
?应用于温度变化小的退耦、隔直等电路中。
Y5V贴片电容容量范围
厚度与符号对应表
Y5V电容器的取值范围如下表所示
封装 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 -30℃ --- +85℃
温度特性 +22% ---- -82%
介质损耗最大 5%
贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。
电容的主要特性参数：
（1）容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般使用的容量误差有：J级±5%，K级±10%，M级±20%。
精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D级—±0.5%；F 级—±1%；G级—±2%；J级—±5%；K级—±10%；M级—±20%。
（2）额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。
（3）温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。
（4）绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。（5）损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。
（6）频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外，
在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。
不同品种的电容器，最高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只有8MHZ。
测评贴片电容性能，从三个方面进行，首先是贴片电容的四个常规电性能，即容量Cap. 损耗DF，绝缘电阻IR和耐电压DBV，一般地，X7R产品的损耗值DF<=2.5%，越小越好，IR*Cap>500欧*法，BDV>2.5Ur.其次是贴片电容的加速寿命性能，在125deg.c环境温度和2.5Ur直流负载条件下，芯片应能耐100小时不击穿，质量好的可耐1000小时不击穿。再次就是产品的耐热冲击性能，将电容浸入300deg.c锡炉10秒，多做几粒，显微镜下观察是否有表面裂纹，然后可测试容量损耗并与热冲击前对比判别芯片是否内部裂纹。贴片电容在电路上出现问题，有可能是贴片电容本身质量不良，亦有可能是设计时选取规格欠佳或是在表面贴装机械力热冲击等对贴片电容造成一定的损伤等因素造成。
常见贴片电容如何判断容量？
贴片电容很多由于体积所限，不能标注其容量。所以一般都是在贴片生产时的整盘上有标注。如果是单个的贴片电容，要用电容测试仪可以测出它的容量.
同一个厂标的话,一般来说颜色深的容量比颜色浅的要大,棕灰>浅紫>灰白.当然最好的方法是用热风枪吹下来等它冷却后用数字表的电容挡或电容表量.电路贴片电容最忌用大功率烙铁长时间加热!
有的贴片电容器上面有标记, 但多数没有, 一般情况用电容表测量才准确, 用万用表测量较麻烦, 有些还要进行计祘, 还不太准确.
一般情况，你从外观上是不能得到贴片电容的具体数值的。当然了，体积较大的贴片电容，一般容量也较大。用数字表量的话，误差会比较大。
万用表就可以，
电容表更好
测量“电阻+ 电容”、“电阻+ 电感”串联电路中，电容或者电感上面的交流电压，再根据分压公式计算。
RL串联电路：
Z = R + jωL
K = |jωL/Z| = ωL/√[R^2 + (ωL)^2]
电感上的电压：VL = K*V ....K = VL/V
K^2*[R^2 + (ωL)^2] = (ωL)^2
(ωL)^2 = (K^2)/(1 - K^2)*R^2
L = [K/√(1 - K^2)]*R/ω
ω = 2πf = 100π .... 3.14
电容的计算同样，只是有：
Z = R + 1/jωC
K = |(1/jωC)/Z| = 1/√[1 + (ωRC)^2]
计算步骤类似
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考虑到电表精确度不是很高，可以多用几个不同阻值的电阻增加测量次数，平均得到数值，以提高准确度。
电子基础知识——电容篇
1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C25表示编号为25的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。
电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。
容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)
电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。
其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法
容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF
3、电容容量误差表
符号 F G J K L M
允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。
4、故障特点
在实际维修中，电容器的故障主要表现为：
（1）引脚腐蚀致断的开路故障。
（2）脱焊和虚焊的开路故障。
（3）漏液后造成容量小或开路故障。
（4）漏电、严重漏电和击穿故障。
贴片电容概述：全称：多层（积层、叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容、片容，
英文缩写：MLCC。
贴片电容的颜色，常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄，和青灰色，这在具体的生产过程中会有产生不同差异，COG材质常规颜色是黄色，X7R材质常规以灰色为主。
主要规格尺寸，按英制标准分为：0201、0402、0603、0805、1206；
以及大规格的1210、1808、1812、2220、2225、3012、3035等。
容量范围：0.5pF～100uF，其中，一般认为容量在1uF以上为大容量电容。
额定电压：从4V到4KV（DC），当额定电压在100V及以上时，即归纳为中高压产品。
片式电容的稳定性及容量精度与其采用的介质材料存在对应关系，主要分为三大类别：
一、是以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，电容量非常稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，主要应用于高频电子线路，如振荡、计时电路等；其容量精度主要为±5，以及在容量低于10pF时，可选用B档（±0.1pF）、C档（±0.25pF）、D档（±0.5pF）三种精度。
二、是以X7R为II类介质的中频电容器，其温度系数为±15，电容量相对稳定，适用于各种旁路、耦合、滤波电路等，其容量精度主要为K档（±10）。
特殊情况下，可提供J档（±5）精度的产品。
三、是以Y5V为II类介质的低频电容器，其温度系数为：＋30～－80，电容量受温度、电压、时间变化较大，一般只适用于各种滤波电路中。其容量精度主要为Z档（＋80～－20），也可选择±20精度的产品。
正确选择一颗片式电容时，除了要提供其规格尺寸及容量大小外，还必须特别注意到电路对这颗片式电容的温度系数、额定电压等参数的要求。贴片电容标准命名方法及定义：贴片电容的命名，国内和国外的产家有一此区别但所包含的参数是一样的。
贴片电容的命名所包含的参数：
1、贴片电容的尺寸（0201、040
2、060
3、0805、1206、1210、1808、1812、2220、2225）
2、贴片电容的材质（COG、X7R、Y5V、Z5U、RH、SH）
3、要求达到的精度（±0.1PF、±0.25PF、±0.5PF、5、10％、20％）
4、电压（4V 、6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、250V、500V、1000V、2000V、3000V）
5、容量0PF-47UF
6、端头的要求N表示三层电极
7、包装的要求T表示编带包装，P表示散包装例风华系列的贴片电容的命名：0805CG102J500NT 0805：是指该贴片电容的尺寸大小，这是用英寸来表示的08表示长度是0.08英寸（换算成mm=0.08*24.50=1.96mm）、05表示宽度为0.05英寸换算成mm=0.05*24.50=1.225ccm
CG ：是表示生产电容要求用的材质，
102 ：是指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2表示有多少个零102 ＝10×102也就是＝1000PF
J ：是要求电容的容量值达到的误差精度为5％，介质材料和误差精度是配对的
500 ：是要求电容承受的耐压为50V 同样500前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。
N：是指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）、镍、锡
T ：是指包装方式，T表示编带包装，B表示塑料盒散包装
贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一NPO电容器
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
二X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
三Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围+10℃--- +85℃
温度特性+22% ---- -56%
介质损耗最大4%
四Y5V电容器
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围-30℃--- +85℃
温度特性+22% ---- -82%
介质损耗最大5%
电容的主要特性参数：
（1）容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般使用的容量误差有：J 级±5%，K级±10%，M级±20%。
精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D级—±0.5%；F级—±1%；G级—±2%；J级—±5%；K级—±10%；M级—±20%。
（2）额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。
（3）温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。
（4）绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。
（5）损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。
（6）频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。
不同品种的电容器，最高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只有8MHZ。
测评贴片电容性能，从三个方面进行，首先是贴片电容的四个常规电性能，即容量Cap.损耗DF，绝缘电阻IR和耐电压DBV，一般地，X7R产品的损耗值DF<=2.5%，越小越好，IR*Cap>500欧*法，BDV>2.5Ur.其次是贴片电容的加速寿命性能，在125deg.c环境温度和2.5Ur直流负载条件下，芯片应能耐100小时不击穿，质量好的可耐1000小时不击穿。再次就是产品的耐热冲击性能，将电容浸入300deg.c锡炉10秒，多做几粒，显微镜下观察是否有表面裂纹，然后可测试容量损耗并与热冲击前对比判别芯片是否内部裂纹。
贴片电容在电路上出现问题，有可能是贴片电容本身质量不良，亦有可能是设计时选取规格欠佳或是在表面贴装机械力热冲击等对贴片电容造成一定的损伤等因素造成。
贴片电容产品规格说明及选用基本知识
电容的种类有很多，可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，
从材料上分主要有：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容(即贴片电容或MLCC)、电解电容、钽电容等。我们将贴片电容选用时需要注意的事项和一些基本知识拿出来一起与大家探讨.
如何理解电容介质击穿强度
介质强度表征的是介质材料承受高强度电场作用而不被电击穿的能力，通常用伏特/密尔
（V/mil）或伏特/厘米（V/cm）表示。
当外电场强度达到某一临界值时，材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射，产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应，进而导致突发击穿电流击穿介质，使其失效。除此之外，介质失效还有另一种模式，高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降低到某一程度，如果在这个程度上延续足夠长的时间，将会在介质最薄弱的部位上产生漏电流。这种模式与温度密切相关，介质强度隨温度提高而下降。
任何绝缘体的本征介质强度都会因为材料微结构中物理缺陷的存在而出现下降，而且和绝缘电阻一样，介质强度也与几何尺寸密切相关。由于材料体积增大会导致缺陷隨机出現的概率增大，因此介质强度反比于介质层厚度。类似地，介质强度反比于片式电容器內部电极层数和其物理尺寸。基於以上考虑，进行片式电容器留边量设计时需要确保在使用过程中和在进行耐压测试（一般为其工作电压的2.5倍）時，不发生击穿失效。
如何理解绝缘电阻IR
绝缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下抵抗漏电流的能力。
绝缘体的原子结构中没有在外电场强度作用下能自由移动的电子。对于陶瓷介质，其电子被离子键和共价键牢牢束缚住，理论上几乎可以定义该材料的电阻率为无穷大。但是实际上绝缘体的电阻率是有限，并非无穷大，这是因为材料原子晶体结构中存在的杂质和缺陷会导致电荷载流子的出现。
电容器的射频电流与功率
这篇文章主要是讨论多层陶瓷电容器的加载电流、功率损耗、工作电压和最大额定电压之间的关系。通过电容的最大电流主要是由最大额定电压和最大功率损耗限制的。电容的容值和工作频率又决定了它们的限制是可调节。对于在固定频率下一个较低容值的电容或者是一个电容在较低的频率下工作，它们的最高电压极限一般都比最大功率损耗的极限到达快一些。
最大的额定电压决定于电容器的阻抗（Xc），就好像功率损耗决定于电阻的阻抗，或者叫做电
容的等效电阻（ESR）
Xc是由公式：Xc＝1/[2πFC]计算出来，这里的F是频率，单位是Hz；C是容量，单位是F。在没有超出电容器的额定电压情况下，允许流过电容的最大电流峰值是这样计算出来的：I=Er/Xc 这里的Er是电容器的额定电压，电流是峰值电流，单位是A。
流过电容的实际电流是这样计算出来：I=Ea/Xc，这里的Ea是应用电压或者是实际工作。
下面几个例子是讲解在固定的频率不同的电容器这些变数是怎样影响电压和电流的极限值。
例1：0.1pF，500V的电容器使用在1000MHZ的频率上：
等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(0.1x10－12)]＝1591ohms
电流峰值：I=500/1591=0.315Apeak或0.22Arms.
如果超过这个电流，则工作电压将会超过额定电压。
例2：1.0pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上：
等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(1.0x10－12)]＝159ohms
电流峰值：I=500/159=3.15Apeak或者2.2Arms
如果超过这个电流，则工作电压将会超过额定电压。
例3：10pF,500V的电容器使用在1000MHZ的频率上：
等效电阻：Xc=1/[2(3.14)(1000×106)(10x10－12)]＝15.9ohms
电流峰值：I=500/15.9=31.5Apeak或者22.2Arms
如果超过这个电流，则工作电压将会超过额定电压。
结论：最大功率损耗值是在假设电容器的端头是一个无穷大的散热器情况下计算出来得。这时传导到空气中的热量是忽略的。一个10pF,500V的电容器工作在1000MHZ的频率，在功率极限下工作的电流峰值是7A，平均电流大概是5Arms。在这种工作电流情况下，电容器的温度将会升到125℃。为了稳定地工作，它的实际最大工作电流是2Arms，如果端头的散热效果很好可以到达3Arms。
如何理解电容器的静电容量
A.电容量
电容器的基本特性是能够储存电荷（Q），而Q值与电容量（C）和外加电压（V）成正比。Q=CV
因此充电电流被定义为：
=dQ/dt=CdV/dt
当外加在电容器上的电压为1伏特，充电电流为1安培，充电时间为1秒时，我们将电容量定义为1法拉。
C=Q/V=库仑/伏特=法拉
由于法拉是一个很大的测量单位，在实际使用中很难达到，因此通常采用的是法拉的分数，即：皮法（pF）=10-12F
纳法（nF）=10-9F
微法（mF）=10-6F
B.电容量影响因素
对于任何给定的电压，单层电容器的电容量正比于器件的几何尺寸和介电常数：
C=KA/f(t)
K=介电常数
A=电极面积
t=介质层厚度
f=换算因子
在英制单位体系中，f=4.452，尺寸A和t的单位用英寸，电容量用皮法表示。单层电容器为例，电极面积1.0×1.0″，介质层厚度0.56″，介电常数2500，
C=2500（1.0）（1.0）/4.452（0.56）=10027pF
如果采用公制体系，换算因子f=11.31，尺寸单位改为cm，
C=2500（2.54）（2.54）/11.31（0.1422）=10028pF
正如前面讨论的电容量与几何尺寸关系，增大电极面积和减小介质层厚度均可获得更大的电容量。然而，对于单层电容器来说，无休止地增大电极面积或减小介质层厚度是不切实际的。因此，平行列阵迭片电容器的概念被提出，用以制造具有更大比体积电容的完整器件。
在这种“多层”结构中，由于多层电极的平行排列以及在相对电极间的介质层非常薄，电极面积A得以大大增加，因此电容量C会随着因子N（介质层数）的增加和介质层厚度t’的减小而增大。这里A’指的是交迭电极的重合面积。
C=KA’N/4.452（t’）
以前在1.0×1.0×0.56″的单片电容器上所获得的容量，现在如果采用相同的介质材料，以厚度为
贴片钽电容的频率特性 以下由AVX代理希迪电子整理提供.未经许可授权,禁止转载! 我们知道每种电容都有它的频率特性,那么AVX钽电容的频率特性是怎么样的呢?AVX钽电容随着频率的增加有效电容的值会减小，直到共振达到（通常视0.5 - 5MHz的之间该评级）。除了共振频率的设备变得感性。除了100kHz的电容继续下降。下面以AVX贴片钽电容E 型的220UF 10V规格为例,来说明钽电容的频率特性. 扩展阅读: AVX钽电容温度特性曲线 在介绍AVX钽电容的温度特性曲线前,我们必需对以下两个基本概念有所认识: 额定容量（CR） 这是额定电容。对于钽OxiCap?电容器的电容测量是在25°C时等效串联电路使用测量电桥提供一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，谐波与2.2Vd.c.偏见. 电容公差 这是实际值的允许偏差电容额定值。如需阅读，请咨询AVX技术出版物“电容固体钽电容器“公差。 AVX钽电容的温度特征。 钽电容器的电容随温度变化而发生变化。这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和电容的大小。从下面的温度曲线图上可以看出在工作温度范围内，钽电容和铌电容的容量会随着温度的上升而上升。 以上由AVX代理商希迪电子整理提供
以下由AVX代理商希望电子整理提供,详细情况请直接访问www.cdindustries.hk 损耗角正切（TAN）。 这是一个在电容器的能量损耗的测量。它表示，为棕褐色，是电容器的功率损耗其无功功率分为一组指定的正弦电压频率。也用的术语是功率因数，损耗因子和介电损耗。 COS （90 - ）是真正的功率因数。“使用测量进行测量谭桥梁，提供一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，免费谐波的2.2Vdc的偏见。 耗散因数（D.F.）。 耗散因数测量的切线损耗角（TAN），以百分比表示。测量DF是开展测量桥梁供应一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，免费谐波与偏见2.2Vdc。 DF值是温度和频率依赖性。注意：对于表面贴装产品所允许的最大DF值表示的收视率表是很重要请注意，这些限额会见了由组件后基板上焊接。 耗散因数的频率依赖性 随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap庐电容器的典型曲线相同的： 耗散与温度的关系 耗散系数随温度变化的典型曲线表演。这些地块是钽和OxiCap相同?电容器。对于最高限额，请参阅的评分表。
电子知识 贴片电容(28)陶瓷电容器(21) 单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。 Z5U电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围+10℃--- +85℃ 温度特性+22% ---- -56% 介质损耗最大4% 四Y5V电容器
常用电容容值 2008-05-22 09:01 现在较为通用的容值代码表示方法为三位代码“XXY”表示法，前两位数字表示乘系数，后一位表示乘指数，单位为pF。其中一般前两位的取值范围为上述E6和E12系列，后一位数字表示乘指数10 n。当Y= 9时，对应前述n = -1；当Y= 8时，对应前述n = -2；当Y= 0，1，2，3，4，5，6，7时，Y就等于n。示例如下： 0.5pF容值代码表示为508； 68pF容值代码表示为680； 1 pF容值代码表示为109； 120pF容值代码表示为121； 4.7pF容值代码表示为479； 2200pF容值代码表示为222；10pF容值代码表示为100； 100000pF容值代码表示为104（0.1μF）； 47μF容值代码表示为476； 330μF容值代码表示为337 //-------------------------------------------------- 【单位pF】 39 P 43 P 47 P 51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P 100 P 120 P 150 P 180 P 200 P 220 P 240 P 270 P 300 P 330 P 360 P 390 P 470 P 560 P 620 P 680 P 750 P 【单位nF】 1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 10 15 18 22 27 33 39 56 68 82 【单位uF】 0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2 贴片电容，SMD贴片电容，无铅贴片电容的如何命名？ SMT: Surface Mounting Technology表面贴装技术 SMT包括表面贴装技术.表面贴装设备,表面元器件.及SMT管理
贴片电容的材质按美国电工协会（EIA）标准，贴片电容介质材料，按温度稳定性分成三类： 一、超稳定级（Ⅰ类）的介质材料为COG或NPO； 二、稳定级（Ⅱ类）的介质材料为X7R； 三、能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。而C0G和NPO只是标准不同而已，C0G是EIA标准，美国电工协会，NP0是JIS标准，日本工业协会，在电路里面，是一样用的。 X5R与X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。X7R是当温度在-55℃到+125℃时其容量变化仅为15%的，而X5R只是当温度在-55℃到+85℃时其容量变化才为15%。X5R 与X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化。X5R与X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。 Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。小体积，大容量，其容量随温度变化比较明显，但成本较低。广泛应用于对容量，损耗要求不高的场合。 NPO(COG)、X7R、X5R、Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数是依次递减的，而容值是依次递增的。不同材质的频率特性也是不同的，NPO是最高频的，依次递减。
AVX钽电容温度特性曲线图 在介绍AVX钽电容的温度特性曲线前,我们必需对以下两个基本概念有所认识: 额定容量（CR） 这是额定电容。对于钽OxiCap?电容器的电容测量是在25° C时等效串联电路使用测量电桥提供一个0.5V RMS120Hz的正弦信号，https://www.doczj.com/doc/595999304.html, 谐波与2.2Vd.c.偏见. 电容公差 这是实际值的允许偏差电容额定值。如需阅读，请咨询AVX技术出版物“电容固体钽电容器“公差。 钽电容器的电容随温度变化而发生变化。这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和电容的大小。从下面的温度曲线图上可以看出在工作温度范围内，钽电容和铌电容的容量会随着温度的上升而上升https://www.doczj.com/doc/595999304.html, 。 以上由AVX代理商希迪电子整理提供 钽电容的浪涌电压 是指电容在很短的时间经过最小的串联电阻的电路33Ohms（CECC国家1KΩ）能承受的最高电压。浪涌电压，常温下一个小时时间内可达到高达10倍额度电压并高达30秒的时间。浪涌电压只作为参考参数，不能用作电路设计的依据，在正常运行过程中，电容应定期充电和放电。 不同温度下浪涌电压的值是不一样的，在85度及以下温度时，分类电压VC等于额定电压VR，浪涌电压VS等于额度电压VR的1.3倍；在85到125度时，分类电压VC等于
额定电压VR的0.66倍，浪涌电压VS等于分类电压VC的1.3倍。 AVX钽电容能承受的电压和电流浪涌能力是有限的，这是基于所有电解电容的共同属性，一个值够高的电应力会穿过电介质，从而破坏了介质。例如一个6伏的钽电容在额定电压运行时，有一个167千伏/毫米电压的电场。因此一定要确保整个电容器终端的电压的决不会超过规定的浪涌电压评级。作为钽电容负极板层使用的半导体二氧化锰有自愈能力。然而，这种低阻是有限的。在低阻抗电路的情况下，https://www.doczj.com/doc/595999304.html, 电容器可能被浪涌电流击穿。降压的电容，增加了元件的可靠性。AVX公司推荐降级表“（第119页）总结额定电压使用上常见的电压轨迹，低阻抗钽电容在电路进行快速充电或放电时，保护电阻建议为1Ω/ V。如果达不到此要求应使用钽电容器降压系数高达70％。在这种情况下，可能需要更高的电压比作为一个单一的电容。 A系列组合应被用来增加工作电压的等效电容器：例如，两个22μF25V系列部分相当于一个11μF50V的一部分。 钽电容的反向电压 AVX钽电容的反向电压是有严格的限制的，具体如下： 在1.0V 25° C条件下最大为10％的额定直流工作电压 在0.5V 85° C条件下最大为3％的额定直流工作电压 在0.1V 125℃条件下最大为1％的额定直流工作电压 反向电压值均以钽电容在任何时间上的最高电压值为准。这些限制是假设钽电容器偏振光在其大多数的正确方向工作寿命。他们的目的是涵盖短期逆转如发生在开关瞬态极性期间的一个印象深刻的波形的一小部分。连续施加反向电压会导致两极分化，将导致漏电流增大。在在何种情况下连续反向应用电压可能会出现两个类似的电容应采用与负端接背回配置连接在一起。在大多数情况下这种组合将有一个标称电容的电容的一半无论是电容。www.smdinc.hk 在孤立的脉冲条件或在最初几个周期内，电容可能的方法完整的标称值。反向电压等级的设计盖小级别游览得天独厚的条件弄错极性。引用的值是不打算覆盖连续的反向操作。 钽电容的叠加交流电压（Vr.m.s.）------又称纹波电压 这是最大的r.m.s.交流电压;叠加一个特区电压，可应用到一个电容。在华盛顿的总和电压和峰值叠加A.C.电压不得超过该类别电压，v.c.第2节中的全部细节 钽电容的成型电压。 这是在阳极氧化形成的电压。 “这个氧化层的厚度是形成电压成正比一个电容器，并在设置额定电压的一个因素。
HOW TO ORDER Technical Data: All technical data relate to an ambient temperature of +25°C Capacitance Range:0.1 μF to 2200 μF Capacitance Tolerance:±10%; ±20% Rated Voltage (V R )?+85°C: 2.54 6.3101620253550Category Voltage (V C )?+125°C: 1.7 2.7 4 71013172333Surge Voltage (V S )?+85°C: 3.3 5.28132026324665Surge Voltage (V S )?+125°C: 2.2 3.45813162028 40 Temperature Range:-55°C to +125°C Reliability:1% per 1000 hours at 85°C, V R with 0.1Ω/V series impedance, 60% confidence level Qualification:CECC 30801 - 005 issue 2EIA 535BAAC Termination Finished: Sn Plating (standard), Gold and SnPb Plating upon request TECHNICAL SPECIFICATIONS CASE DIMENSIONS: millimeters (inches) For part marking see page 127 TAJ Type C Case Size See table above 106 Capacitance Code pF code: 1st two digits represent significant figures 3rd digit represents multiplier (number of zeros to follow) M T olerance K=±10%M=±20% 035 Rated DC Voltage 002=2.5Vdc 004=4Vdc 006=6.3Vdc 010=10Vdc 016=16Vdc 020=20Vdc 025=25Vdc 035=35Vdc 050=50Vdc R Packaging R = 7" T/R (Lead Free since p roduction date 1/1/04) S = 13" T/R (Lead Free since p roduction date 1/1/04) A = Gold Plating 7" Reel B = Gold Plating 13" Reel H = Tin Lead 7" Reel K = Tin Lead 13" Reel NJ Specification Suffix NJ = Standard Suffix — Additional characters may be added for special requirements V = Dry pack Option (selected codes only) ? Generic SMT chip tantalum series ? 6 case sizes available ? Low profile options available COMPONENT
贴片电容材质及规格 贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格，不同的规格有不同的用途。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 一NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 三Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。 Z5U电容器的其他技术指标如下: 工作温度范围+10℃--- +85℃ 温度特性+22% ---- -56% 介质损耗最大4%
贴片钽电容规格和封装 一、贴片钽电容简述 贴片钽电容(以下简称钽电容)作为电解电容器中的一类。广泛应用于各类电子产品，特别是一些高密度组装，内部空间体积小产品，如手机、便携式打印机。钽电容是一种用金属钽（Ｔa）作为阳极材料而制成的，按阳极结构的不同可分为箔式和钽烧粉结式两种。在钽粉烧结式钽电容中，又因工作电解质不同，分为固体电解质钽电容(SolidTantalum)和非固体电解质钽电容。其中，固体钽电解电容器用量最大。钽电容由于使用金属钽做介质，不需要像普通电解电容那样使用电解液。另外，钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸烧制，所以本身几乎没有电感，但同时也限制了它的容量。 Taj系列贴片钽电容是AVX公司生产的一种贴片封装的钽电解电容，是电子市场上最常见的一种型号。 优点： 体积小由于钽电容采用了颗粒很细的钽粉，而且钽氧化膜的介电常数ε比铝氧化膜的介电常数高，因此钽电容的单位体积内的电容量大。 使用温度范围宽，耐高温由于钽电容内部没有电解液，很适合在高温下工作。一般钽电解电容器都能在－50℃~100℃的温度下正常工作，虽然铝电解也能在这个范围内工作，但电性能远远不如钽电容。 寿命长、绝缘电阻高、漏电流小。钽电容中钽氧化膜介质不仅耐腐蚀，而且长时间工作能保持良好的性能容量误差小等效串联电阻小(ESR),高频性能好 缺点：耐电压不够高电流小价格高
贴片钽电容封装
AVX常规系列(TAJ)贴片钽电容：容量和额定电压(字母表示封装大小)
AVX 贴片钽电容标识 二、钽电容技术规格和选型（以VISHAY 和AVX 为例说明） （一）VISHAY 1、型号表示方法 293D107X9010D2W ①②③④⑤⑥⑦ ①表示系列，VISHAY 有293D 和593D 两个系列，293D 表示普通钽电容，593D 表示的是低阻抗钽电容，直流电阻小于1欧，一般在100毫欧到500毫欧之间。 T 50 年份 Year 年份代码 Year 2000 M 2001 N 2002 P 2003 R 2004 S 2005 T 2006 U 2007 Y
贴片电容封装详细资料 单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司产品手册。？ NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。？ * NPO电容器？ NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±%。 NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损
耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。？ 封装 DC=50V DC=100V？ 0805 ？ 1206 ？ 1210 560---5600pF 560---2700pF？ 2225 μF μF？ NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。？ * X7R电容器？ X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。？
这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一 NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%， NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容 COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD 的主要连接方式。 相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二 X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
贴片电容封装材质特性 单片陶瓷电容器 (通称贴片电容是目前用量比较大的常用元件 , 就 AVX 公司生产的贴片电容来讲有 NPO 、 X7R 、 Z5U 、 Y5V 等不同的规格 , 不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的 NPO 、 X7R 、 Z5U 和 Y5V 来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法 , 这里我们引用的是 AVX 公司的命名方法 , 其他公司的产品请参照该公司产品手册。 NPO 、 X7R 、 Z5U 和 Y5V 的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同 , 随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器 * NPO电容器 NPO 是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO 电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从 -55℃到 +125℃时容量变化为 0±30ppm/℃ , 电容量随频率的变化小于±0.3ΔC 。 NPO 电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同 , 大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了 NPO 电容器可选取的容量范围。
NPO 电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容 , 以及高频电路中的耦合电容。 * X7R电容器 X7R 电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在 -55℃到 +125℃时其容量变化为 15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R 电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的 , 它也随时间的变化而变化 , 大约每 10年变化1%ΔC, 表现为 10年变化了约 5%。 X7R 电容器主要应用于要求不高的工业应用 , 而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。 * Z5U电容器 Z5U 电容器称为“通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围 , 对于 Z5U 电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下 Z5U 电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大 , 它的老化率最大可达每 10年下降 5%。尽管它的容量不稳定 , 由于它具有小体积、等效串联电感(ESL 和等效串联电阻(ESR 低、良好的频率响应 , 使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了 Z5U 电容器的取值范围。
目录： 贴片电容的种类和特点 1 贴片电容基本结构 1 贴片电容 Class 2 EIA代码 2 贴片电容封装尺寸 3 贴片电容生产厂家 4 贴片电容分类 5 NPO电容器 5 X7R电容器 6 Z5U电容器8 Y5V电容器8 Y5V贴片电容容量范围8 贴片电容的种类和特点 单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 通常大家所说的贴片电容是指片式多层陶瓷电容 (Multilayer Ceramic Capacitors)，简称MLCC，又叫做独石电容。 它是在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次烧结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成的。具有小体积、大容量、Q值高、高可靠和耐高温等优点。同时也具有容量误差较大、温度系数很高的缺点。一般用在噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。 常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V，常见引脚封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。 贴片电容基本结构 多层陶瓷电容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和电极材料层叠而成。见下图：
贴片钽电容 贴片钽电容简述 贴片钽电容(以下简称钽电容)作为电解电容器中的一类。广泛应用于各类电子产品，特别是一些高密度组装，内部空间体积小产品，如手机、便携式打印机。钽电容是一种用金属钽（Ｔa）作为阳极材料而制成的，按阳极结构的不同可分为箔式和钽烧粉结式两种。在钽粉烧结式钽电容中，又因工作电解质不同，分为固体电解质钽电容(Solid Tantalum)和非固体电解质钽电容。其中，固体钽电解电容器用量最大。钽电容由于使用金属钽做介质，不需要像普通电解电容那样使用电解液。另外，钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸烧制，所以本身几乎没有电感，但同时也限制了它的容量。 Taj系列贴片钽电容是AVX公司生产的一种贴片封装的钽电解电容，是电子市场上最常见的一种型号。 固体钽电容特性 优点： 体积小由于钽电容采用了颗粒很细的钽粉，而且钽氧化膜的介电常数ε比铝氧化膜的介电常数高，因此钽电容的单位体积内的电容量大。 使用温度范围宽，耐高温由于钽电容内部没有电解液，很适合在高温下工作。一般钽电解电容器都能在－50℃~100℃的温度下正常工作，虽然铝电解也能在这个范围内工作，但电性能远远不如钽电容。 寿命长、绝缘电阻高、漏电流小钽电容中钽氧化膜介质不仅耐腐蚀，而且长时间工作能保持良好的性能 容量误差小 等效串联电阻小(ESR),高频性能好 缺点：耐电压不够高电流小价格高 贴片钽电容封装、尺寸封装尺寸：毫米（英寸） 封装尺寸：毫米（英寸）
AVX 常规系列(TAJ)贴片钽电容：容量和额定电压(字母表示封装大小)
AVX贴片钽电容标识 二、钽电容技术规格和选型（以VISHAY 和AVX为例说明） （一）VISHAY 1、型号表示方法 293D 107 X9 010 D 2 W ①②③④⑤⑥⑦ ①表示系列，VISHAY 有293D 和593D 两个系列，293D 表示普通钽电容，593D 表示的是低阻抗钽电容，直流电阻小于1 欧，一般在100 毫欧到500 毫欧之间。 ②表示电容的容量，范围从0.1UF----680UF ③表示容量误差，钽电容的容量误差有两种：一是±10%（K）和±20%（M） ④表示电容的耐压，指在85℃时额定直流电压，钽电容的耐压范围从4V---50V ⑤表示钽电容的尺寸大小，有A、B、C、D、E、P 五种尺寸 ⑥表示电容的焊点材料，一般是镍银和钯银 ⑦表示包装方式，有两种包装方式，7 寸盘和13 寸盘 2、外形尺寸 字母代码尺寸代码具体尺寸mm 3、容量与电压和尺寸的范围关系表 293D 普通系列
贴片电容的精度规格书 容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。 一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。 在有些情况下，还有0级，误差为±20%。精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005级——±0.5%；F——01级——±1%；G——02级——±2%；J——I级——±5%；K——II级——±10%；M——III级——±20%。 一、电容的型号命名： 1） 各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 2） 电容的标志方法： （1） 直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 （2） 文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。
标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。（3） 色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 耐压 4V 6.3V 10V16V25V32V40V50V 63V （4） 进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。 第一项：用字母表示类别： 第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。 第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示： 序号 字母 颜色 温度系 数 允许 偏差 字母 颜色 温度系数 允许 偏差 1 A 金 +100 R 黄 -220 2 B 灰 +30 S 绿 -330 3 C 黑 0 T 蓝 -470
贴片电容常识- 贴片电容的分类和尺寸 电容：可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603;而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高，所以贴片电容以钽电容为多，根据其耐压不同，贴片电容又可分为A、B、C、D 四个系列，具体分类如下： 类型封装形式耐压 A 3216 10V B 3528 16V C 6032 25V D 7343 35V 贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法，04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同
型号尺寸(mm) 英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30 1.50±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00 贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求 例风华系列的贴片电容的命名 贴片电容的命名:
贴片电容参数：X7R X5R Y5V COG学习 2010年09月22日星期三 10:53 这类参数描述了电容采用的电介质材料类别，温度特性以及误差等参数，不同的值也对应着一定的电容容量的范围。具体来说，就是： X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容，这类电容适用于滤波，耦合等场合，电介质常数比较大，当温度从0°C变化为70°C时，电容容量的变化为±15%； Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容，温度范围比较宽，随着温度变化，电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。 对于其他的编码与温度特性的关系，大家可以参考表4-1。例如，X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C，对应的电容容量变化为±15%。 表4-1 电容的温度与容量误差编码 低温高温容量变化 下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一 NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的
电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%， 相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二 X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。 三 Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。 Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围+10℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -56% 介质损耗最大 4% 四 Y5V电容器 Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。 Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。 Y5V电容器的取值范围如下表所示 Y5V电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 -30℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -82% 介质损耗最大 5% 贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。 NPO,X7R及Y5V电容的特性及主要用途 NPO的特性及主要用途 属1类陶瓷介质，电气性能稳定，基本上不随时间、温度、电压变化，适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场合。 特性： 电容范围 1pF～0.1uF (1±0.2V rms 1MHz)
常用贴片电容结构和特点介绍 总所周知，电容器通常简称其为电容，用字母C表示，它是一种容纳电荷的器件。电容器是一种储能元件，是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制等方面。而通常把常用的电容器按其介质材料可分为电解电容器、云母电容器、瓷介电容器、玻璃釉电容等。 1）铝电解电容。它是由铝圆筒做负极，里面装有液体电解质，插入一片弯曲的铝带做正极制成。还需要经过直流电压处理，使正极片上形成一层氧化膜做介质。它的特点是容量大，但是漏电大，误差大，稳定性差，常用作交流旁路和滤波，在要求不高时也用于信号耦合。电解电容有正、负极之分，使用时不能接反。有正负极性，使用的时候，正负极不要接反。 2）纸介电容。用两片金属箔做电极，夹在极薄的电容纸中，卷成圆柱形或者扁柱形芯子，然后密封在金属壳或者绝缘材料（如火漆、陶瓷、玻璃釉等）壳中制成。它的特点是体积较小，容量可以做得较大。但是有固有电感和损耗都比较大，用于低频比较合适。
3）金属化纸介电容。结构和纸介电容基本相同。它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代替金属箔，体积小，容量较大，一般用在低频电路中。 4）油浸纸介电容。它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里，能增强它的耐压。它的特点是电容量大、耐压高，但是体积较大。 5）玻璃釉电容。以玻璃釉作介质，具有瓷介电容器的优点，且体积更小，耐高温。
6）陶瓷电容。陶瓷电容用陶瓷做介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜做极板制成。它的特点是体积小，耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，但容量小，适宜用于高频电路。 7）薄膜电容。结构和纸介电容相同，介质是涤纶或者聚苯乙烯。涤纶薄膜电容，介电常数较高，体积小，容量大，稳定性较好，适宜做旁路电容。 8）云母电容。用金属箔或者在云母片上喷涂银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。它的特点是介质损耗小，绝缘电阻大、温度系数小，适宜用于高频电路。 9）钽、铌电解电容。它用金属钽或者铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。它的特点是体积小、容量大、性能稳定、寿命长、绝缘电阻大、温度特性好。用在要求较高的设备中。 10）半可变电容。也叫做微调电容。它是由两片或者两组小型金属弹片，中间夹着介质制成。调节的时候改变两片之间的距离或者面积。它的介质有空气、陶瓷、云母、薄膜等。 11）可变电容。它由一组定片和一组动片组成，它的容量随着动片的转动可以连续改变。把两组可变电容装在一起同轴转动，叫做双连。可变电容的介质有空气和聚苯乙烯两种。空气介质可变电容体积大，损耗小，多用在电子管收音机中。聚苯乙烯介质可变电容做成密封式的，体积小，多用在晶体管收音机中.