+19 2 8 8 1 钾K +20 2 8 8 2 钙Ca +21 2 8 9 2 钪Sc +22 2 8 10 2 钛Ti +23 2 8 11 2 钒V +24 2 8 13 1 铬Cr +25 2 8 13 2 锰Mn +26 2 8 14 2 铁Fe +27 2 8 15 2 钴Co +28 2 8 16 2 镍Ni +29 2 8 18 1 铜Cu +30 2 8 18 2 锌Zn +31 2 8 18 3 镓Ga +32 2 8 18 4 锗Ge +33 2 8 18 5 砷As +34 2 8 18 6 硒Se +35 2 8 18 7 溴Br +36 2 8 18 8 氪Kr +37 2 8 18 8 1 铷Rb +38 2 8 18 8 2 锶Sr +39 2 8 18 9 2 钇Y +40 2 8 18 10 2 锆Zr +41 2 8 18 12 1 铌Nb +42 2 8 18 13 1 钼Mo +43 2 8 18 13 2 锝Tc +44 2 8 18 15 1 钌Ru +45 2 8 18 16 1 铑Rh +46 2 8 18 18 钯Pd +47 2 8 18 18 1 银Ag +48 2 8 18 18 2 镉Cd +49 2 8 18 18 3 铟In +50 2 8 18 18 4 锡Sn +51 2 8 18 18 5 锑Sb +52 2 8 18 18 6 碲Te +53 2 8 18 18 7 碘I +54 2 8 18 18 8 氙Xe +55 2 8 18 18 8 1 铯Cs +56 2 8 18 18 8 2 钡Ba +57 2 8 18 18 9 2 镧La +58 2 8 18 19 9 2 铈Ce +59 2 8 18 21 8 2 镨Pr +60 2 8 18 22 8 2 钕Nd +61 2 8 18 23 8 2 钷Pm +62 2 8 18 24 8 2 钐Sm +63 2 8 18 25 8 2 铕Eu +64 2 8 18 25 9 2 钆Gd +65 2 8 18 27 8 2 铽Td +66 2 8 18 28 8 2 镝Dy +67 2 8 18 29 8 2 钬Ho +68 2 8 18 30 8 2 铒Er +69 2 8 18 31 8 2 铥Tm +70 2 8 18 32 8 2 镱Yb +71 2 8 18 32 9 2 镥Lu +72 2 8 18 32 10 2 铪Hf
针织工艺培训教材 第一章针织学的基本概念及常识 1.针织织物 利用织针(Needle)，将一根或几根由纬向喂入的纱线依次弯曲成一系列的线圈(Loop)，再将此次生成的新线圈与前次生成的旧线圈相互串套(Looping)，就构成针织织物(Knitting Fabric)，纬编舌 针的成圈编织过程请参见上图. 2.线圈 线圈是由圈干1-2-3-4-5和延展线5-6-7组成（见右下图），其中圈干的直线部段1-2与4-5称为圈柱，弧线部段2-3-4称为针编弧，延展线5-6-7又称为沉降弧，由它来连接相邻的两只线圈 正面线圈和反面线圈 在工艺上，通常把显示线圈圈 柱的那一面作为工艺正面（或 为针织物正面），而显示出针 编弧和沉降弧的那一面作为 工艺的反面（针织物的反面）. 3.基本线圈结构及其形成过程： 1)基本线圈结构：
成圈线圈、集圈线圈和浮线是构成所有针织物的最基本结构单元. 2)基本线圈的形成过程： 成圈线圈(Knitting Stitch) 织针在织完旧线圈后，上升到最高点，喂入纱线，针下降，形成新线圈。具体过程如下： a)织针刚完成前一个线圈的编织，新形成的线圈正处于针头内； b)织针上升到退圈位置，线圈把针舌打开而滑到针杆上； c)织针下降，新纱经导纱器进入针钩内； d)织针继续下降，旧线圈沿针杆上滑而关闭针舌； e)织针将新纱线从旧线圈中拉出一个新线圈。这个位置称为脱圈位置； f)织针处于脱圈位，准备下一个成圈过程。 集圈线圈(Tuck Stitch)：见上图 a)织针刚完成前一个线圈的编织，新形成的线圈正处于针头内； b)织针上升到集圈位置。对比成圈过程，可以发现织针比退圈上升得低一些，线圈仍保留在针舌内，但 是也能钩到新纱线； c)织针下降，由于针舌下面没有线圈，无法关闭，新纱线和旧线圈仍处于针钩内，所以没有形成线圈；
+19 2 8 8 1 钾 K +20 2 8 8 2 钙 Ca +21 2 8 9 2 钪 Sc +22 2 8 10 2 钛 Ti +23 2 8 11 2 钒 V +24 2 8 13 1 铬 Cr +25 2 8 13 2 锰 Mn +26 2 8 14 2 铁 Fe +27 2 8 15 2 钴 Co +28 2 8 16 2 镍 Ni +29 2 8 18 1 铜 Cu +30 2 8 18 2 锌 Zn +31 2 8 18 3 镓 Ga +32 2 8 18 4 锗 Ge +33 2 8 18 5 砷 As +34 2 8 18 6 硒 Se +35 2 8 18 7 溴 Br +36 2 8 18 8 氪 Kr +37 2 8 18 8 1 铷 Rb +38 2 8 18 8 2 锶 Sr +39 2 8 18 9 2 钇 Y +40 2 8 18 10 2 锆 Zr +41 2 8 18 12 1 铌 Nb +42 2 8 18 13 1 钼 Mo +43 2 8 18 13 2 锝 Tc +44 2 8 18 15 1 钌 Ru +45 2 8 18 16 1 铑 Rh +46 2 8 18 18 钯 Pd +47 2 8 18 18 1 银 Ag +48 2 8 18 18 2 镉 Cd +49 2 8 18 18 3 铟 In +50 2 8 18 18 4 锡 Sn +51 2 8 18 18 5 锑 Sb +52 2 8 18 18 6 碲 Te +53 2 8 18 18 7 碘 I +54 2 8 18 18 8 氙 Xe +55 2 8 18 18 8 1 铯 Cs +56 2 8 18 18 8 2 钡 Ba +57 2 8 18 18 9 2 镧 La +58 2 8 18 19 9 2 铈 Ce +59 2 8 18 21 8 2 镨 Pr +60 2 8 18 22 8 2 钕 Nd +61 2 8 18 23 8 2 钷 Pm +62 2 8 18 24 8 2 钐 Sm +63 2 8 18 25 8 2 铕 Eu
CVD CVD(Chemical Vapor Deposition）原理 CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积），指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。经过CVD处理后，表面处理膜密着性约提高30%，防止高强力钢的弯曲，拉伸等成形时产生的刮痕。 CVD特点 淀积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。 CVD制备的必要条件 1）在沉积温度下，反应物具有足够的蒸气压，并能以适当的速度被引入反应室；2）反应产物除了形成固态薄膜物质外，都必须是挥发性的；3）沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压。 编辑本段何为cvd？ CVD是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。这种技术最初是作为涂层的手段而开发的，但目前，不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。其技术特征在于：⑴高熔点物质能够在低温下合成；⑵析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种；⑶不仅可以在基片上进行涂层，而且可以在粉体表面涂层，等。特别是在低温下可以合成高熔点物质，在节能方面做出了贡献，作为一种新技术是大有前途的。例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低温度发展。CVD工艺大体分为二种：一种是使金属卤化物与含碳、氮、硼等的化合物进行气相反应；另一种是使加热基体表面的原料气体发生热分解。CVD的装置由气化部分、载气精练部分、反应部分和排除气体处理部分所构成。目前，正在开发批量生产的新装置。CVD是在含有原料气体、通过反应产生的副生气体、载气等多成分系气相中进行的，因而，当被覆涂层时，在加热基体与流体的边界上形成扩散层，该层的存在，对于涂层的致密度有很大影响。图2所示是这种扩散层的示意图。这样，由许多化学分子形成的扩散层虽然存在，但其析出过程是复杂的。粉体合成时，核的生成与成长的控制是工艺的重点。作为新的CVD技术，有以下几种：⑴采用流动层的CVD；⑵流体床；⑶热解射流；⑷等离子体CVD；⑸真空CVD，等。应用流动层的CVD如图3所示，可以形成被覆粒子（例如，在UO2表面被覆SiC、C），应用等离子体的CVD同样也有可能在低温下析出，而且这种可能性正在进一步扩大。 PECVD PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -- 等离子体增强化学气相沉积法PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD). 实验机理：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上
A2/O工艺是Anaerobic-Anoxic-Oxic的英文缩写，它是厌氧-缺氧-好氧生物脱氮除磷工艺的简称。该工艺处理效率一般能达到：BOD5和SS为90%~95%，总氮为70%以上，磷为90%左右，一般适用于要求脱氮除磷的大中型城市污水厂。但A2/O工艺的基建费和运行费均高于普通活性污泥法，运行管理要求高，所以对目前我国国情来说，当处理后的污水排入封闭性水体或缓流水体引起富营养化，从而影响给水水源时，才采用该工艺。 工艺流程及工艺原理 1、A2/O工艺流程 A2/O工艺是Anaerobic-Anoxic-Oxic的英文缩写，它是厌氧—缺氧—好氧生物脱氮除磷工艺的简称。A2/O工艺于70年代由美国专家在厌氧—好氧磷工艺（A~/O）的基础上开发出来的，该工艺同时具有脱氮除磷的功能。 该工艺在好氧磷工艺（A/O）中加一缺氧池，将好氧池流出的一部分混合液回流至缺氧池前端，该工艺同时具有脱氮除磷的目的。 A2/O工艺流程图如图4.4.1所示。 2.工艺原理 首段厌氧池，流入原污水及同步进入的从二沉池回流的含磷污泥，本池主要功能为释放磷，使污水中P的浓度升高，溶解性有机物被微生物细胞吸收而使污水中的BOD5浓度下降；另外，NH3-N因细胞的合成而被去除一部分，使污水中的NH3-N浓度下降，但NO3-N含量没有变化。 在缺氧池中，反硝化菌利用污水中的有机物作碳源，将回流混合液中带入大量NO3-N和NO2-N还原为N2释放至空气，因此BOD5浓度下降，NO3-N浓度大幅度下降，而磷的变化很小。 在好氧池中，有机物被微生物生化降解，而继续下降；有机氮被氨化继而被硝化，使NH3-N浓度显着下降，但随着硝化过程使NO3-N的浓度增加，P随着聚磷菌的过量摄取，也以较快的速度下降。 A2/O工艺它可以同时完成有机物的去除、硝化脱氮、磷的过量摄取而被去除等功能，脱氮的前提是NO3-N应完全硝化，好氧池能完成这一功能，缺氧池则完成脱氮功能。厌氧池和好氧池联合完成除磷功能。 城市污水中主要污染物质在A2/O工艺中变化特性如图4.4.2所示
编织工艺教学方案设计 无锡工艺职业技术学院 苏丹丹 一、课程背景 该门课程属于电线电缆制造技术专业设置中的岗位核心课《电线电缆制造工艺学》。该课程目前作为教学改革课程，主要采用项目驱动式的教学方法，理论联系实际，更好地培养学生的实践动手能力，并为学生今后的顶岗实习和就业打下坚实的基础。 讲课内容取自《电线电缆制造工艺学》课程中的项目四包制工艺中模块四编织工艺。 二、教学目标 1、让学生了解编织层常用材料及其作用，掌握高编机的工作原理，能根据高编机的操作规程在老师示范指导下进行基本的操作，培养学生的动手能力和解决分析问题的逻辑思维能力。 2、通过问题引导式教学方法，引导学生学会联想、归纳、总结等思想方法。 3、在学习过程中，渗透对学生主动探索学习精神的培养。 三、教学方法 讲课内容主要采用“教学做一体化”的教学模式，在教学实施中把课堂教学转向工作情境，课堂由教师为主转向以学生为中心。在学生实际操作过程中遇到问题，激发求知欲，引入理论知识分析问题，解决问题，从而做到理论指导实践。从教学效果上看，学生的学习兴趣浓厚，积极性高，充分的挖掘出学生的创新能力和自我学习能力。 四、教学过程设计 （1）新课引入 向同学们展示电缆样品，观看编织层结构并提出问题让学生们思考 引出编织工艺的基本概念及其作用 （2）知识讲解 问题一、编织层所用材料？ 编织类型： 根据编织作用的不同，可将编织用材料进行分类 纤维编织保护绝缘不受各种光、热、潮、低温、酸碱气体等的侵蚀和外界机
械力的损伤 金属编织承受较大的机械外力作用，还可以起屏蔽作用 混合编织可以弥补单一材料的缺陷，更好的满足电缆的使用要求 问题二、编织层的作用？ 编织作用： 它的主要作用是保护绝缘或缆芯不受或少受光、电、磁、热、酸碱气体以及外界机械力等的作用，确保电线电缆的安全。 （3）设备介绍及其操作演示 将编织机的操作要求规范按小组发给同学们（小组学习、讨论、总结） 然后由老师演示操作 （4）小组学生代表操作，老师指导 在这一环节将理论知识渗透进来，先动手操作激发学生的课堂活跃性，在指导的过程中带入理论知识，提高分析解决问题能力。 （5）课堂总结 今天我们讲解了编织的类型、作用及高编机的基本操作。通过实际的编织操作过程了解高速编织机的操作要求及规范，同时对于在生产中常常会出现的产品质量问题、生产故障问题给与了一定启发性的处理和分析，为学生们毕业后能更快的适应一线的生产环境奠定实践基础。 五、习题 1、对于编织过程中常常出现的质量问题进行总结并分析其解决方法 2、网上查阅相关资料了解其它编织设备及其工作原理。
除铁锰设备工艺原理及流程简介地下水中常含有过量的铁和锰，而长期饮用含铁、含锰高的水对人体不利。水中含铁较高时，水有铁腥味，影响水的口味，作为造纸、纺织、印染、化工和皮革等生产用水，会降低产品质量;洗涤衣物会出现黄色或棕黄色斑渍;铁质沉淀物会滋长铁细菌，阻塞管道，有时会出现红水。而含锰量较高的水所发生的问题与含铁量较高的情况相类似，并且在工业领域中，水中的铁、锰含量过高对设备具有一定的腐蚀从而缩短设备的使用寿命。 根据我国生活饮用水质标准规定，凡是生活饮用水中铁含量大于0.3毫克/升，锰含量大于0.1毫克/升的必须进行净化处理。除铁锰设备主要应用于地下水高铁,高锰地区经处理后的水符合国家饮用水标准。 ●工艺原理 地下水中的溶解性铁、锰，一般以低价Fe2+、Mn2+形态存在，在pH值为6.8～7.2的条件下，高价铁锰化合物呈胶凝聚沉降，用过滤的方法即可去除。本设备采用天然锰砂为过滤介质。除铁原理为地下水中二价铁离子，经曝气后，流经滤层过滤时，被覆盖在滤料表面的生物膜吸附并在催化的作用下被溶解氧所 氧化，并吸附在滤料上，氧化生成三价铁的氧化物，作为新的滤
膜参与新的催化反应，待产水运行一个周期反洗将过剩的氧化物冲掉。除锰原理同上。滤层由于离子选择吸收原理，先除铁后除锰。 当含铁地下水经天然锰砂滤层过滤时，锰砂滤层对水中铁质起着两方面作用： 1. 催化与氧化作用，加速水中二价铁氧化为三价铁。 2. 截留分离作用，将铁质从水中分离出去，并截留于滤层之中，这两个作用在锰砂滤层中一般是同时完成的。 ●工艺流程 1.当地下水中含铁浓度在5~10mg/l，含锰浓度在1~ 2mg/l 时，或地下水中仅含铁而不含锰时，含铁浓度在10mg/l左右时，可采用曝气――单级除铁除锰过滤。工艺流程：地下水→深井泵→曝气装置→水箱→过滤泵→除铁除锰装置→蓄水池→用水单位。 2.若地下水中含铁、锰较高时，即铁大于10mg/l、锰大于2mg/l时，宜采用曝气――双级除铁除锰过滤。 典型工艺流程：地下水→深井泵→曝气装置→水箱→过滤泵→一级除铁除锰装置→二级除铁除锰装置→蓄水池→用水单位
+19 2 8 8 1 钾K+20 2 8 8 2 钙Ca+21 2 8 9 2 钪Sc +22 2 8 10 2 钛Ti+23 2 8 11 2 钒V+24 2 8 13 1 铬Cr +25 2 8 13 2 锰Mn+26 2 8 14 2 铁Fe+27 2 8 15 2 钴Co +28 2 8 16 2 镍Ni+29 2 8 18 1 铜Cu+30 2 8 18 2 锌Zn +31 2 8 18 3 镓Ga+32 2 8 18 4 锗Ge+33 2 8 18 5 砷As +34 2 8 18 6 硒Se+35 2 8 18 7 溴Br+36 2 8 18 8 氪Kr +37 2 8 18 8 1 铷Rb+38 2 8 18 8 2 锶Sr+39 2 8 18 9 2 钇Y +40 2 8 18 10 2 锆Zr+41 2 8 18 12 1 铌Nb+42 2 8 18 13 1 钼Mo +43 2 8 18 13 2 锝Tc+44 2 8 18 15 1 钌Ru+45 2 8 18 16 1 铑Rh +46 2 8 18 18钯Pd+47 2 8 18 18 1 银Ag+48 2 8 18 18 2 镉Cd +49 2 8 18 18 3 铟In+50 2 8 18 18 4 锡Sn+51 2 8 18 18 5 锑Sb +52 2 8 18 18 6 碲Te+53 2 8 18 18 7 碘I+54 2 8 18 18 8 氙Xe+55 2 8 18 18 8 1 铯Cs+56 2 8 18 18 8 2 钡Ba+57 2 8 18 18 9 2 镧La +58 2 8 18 19 9 2 铈Ce+59 2 8 18 21 8 2 镨Pr+60 2 8 18 22 8 2 钕Nd +61 2 8 18 23 8 2 钷Pm+62 2 8 18 24 8 2 钐Sm+63 2 8 18 25 8 2 铕Eu +64 2 8 18 25 9 2 钆Gd+65 2 8 18 27 8 2 铽Td+66 2 8 18 28 8 2 镝Dy +67 2 8 18 29 8 2 钬Ho+68 2 8 18 30 8 2 铒Er+69 2 8 18 31 8 2 铥Tm +70 2 8 18 32 8 2 镱Yb+71 2 8 18 32 9 2 镥Lu+72 2 8 18 32 10 2 铪Hf
MOCVD资料 定义 MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。 缩写 M etal-o rganic C hemical V apor D eposition （金属有机化合物化学气相沉淀。 原理 MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。 系统组成 因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且要生长多组分、大面积、薄层和超薄层异质材料。因此在MOCVD 系统的设计思想上，通常要考虑系统密封性，流量、温度控制要精确，组分变换要迅速，系统要紧凑等。不同厂家和研究者所产生或组装的MOCVD设备是不同的。一般由源供给系统、气体输运和流量控
制系统、反应室及温度控制系统、尾气处理及安全防护报警系统、自动操作及电控系统。 【源供给系统】 包括Ⅲ族金属有机化合物、V族氢化物及掺杂源的供给。金属有机化合物装在特制的不锈刚的鼓泡器中，由通入的高纯H2携带输运到反应室。为了保证金属有机化合物有恒定的蒸汽压，源瓶置入电子恒温器中，温度控制精度可达0.2℃以下。氢化物一般是经高纯H2稀释到浓度5%一10%后，装入钢瓶中，使用时再用高纯H2稀释到所需浓度后，输运到反应室。掺杂源有两类，一类是金属有机化合物，另一类是氢化物，其输运方法分别与金属有机化合物源和氢化物源的输运相同。 【气体输运系统】 气体的输运管都是不锈钢管道。为了防止存储效应，管内进行了电解抛光。管道的接头用氢弧焊或VCR及Swagelok方式连接，并进行正压检漏及Snoop液体或He泄漏检测，保证反应系统无泄漏是MOCVD设备组装的关键之一。流量是由不同量程、响应时间快、精度高的质量流量计和电磁阀、气动阀等来实现。在真空系统与反应室之间设有过滤器，以防油污或其它颗粒倒吸到反应室中。为了迅速变化反应室内的反应气体，而且不引起反应室内压力的变化，设置“run”和“vent(出口、通风孔)，，管道。 【反应室和加热系统】
编写工艺个人简历模板 导读：本文是关于编写工艺个人简历模板，希望能帮助到您！ 个人简历的篇幅是编写优秀个人简历所强调的一个重点，求职者在编写个人简历的时候也常会忽略掉篇幅的问题，有的是不自觉的写多，有的则是认为写的多优势就大。 个人信息 性别：男 学历：大专政治面貌： 0 生日： 1987-05-02 民族：汉 婚姻状况：未婚籍贯：内蒙 身高： 167 公分体重： 56 公斤 专业：机械制造与自动化工作经验： 8 年 期望工作地点：新乡市封丘县辉县获嘉县卫辉市新乡县延津县原阳县长垣县 求职意向 行业/职位：机械/设备/电仪机械制图或设计期望月薪：2000元工作性质：全职 教育经历 学校名称：新乡学院专业：机械制造与自动化就读时间：2005-09-01 至 2008-06-01 获得学历：大专 工作经历 公司名称：赤峰农牧机械厂
工作时间： 2015-06-12 至 2016-12-12 公司规模： 5～10人 所在部门：生产车间 工作分类：工厂/生产/制造加工类生产员 职位月薪： 3000～3999 工作描述：车床，铣床加工农机零部件，焊接，装配农机 公司名称：赤峰鑫昌钻机厂 工作时间： 2012-03-01 至 2015-02-02 公司规模：保密 所在部门：生产 工作分类：工厂/生产/制造加工类生产员 职位月薪： 2000～2999 工作描述：车床加工钻机零部件 公司名称：新乡蓝海环保机械有限公司 工作时间： 2008-03-01 至 2011-12-31 公司规模： 10～100人 所在部门：技术部 工作分类：机械/设备/电仪机械制图员 职位月薪： 1500以下 工作描述： cad制图，编写工艺 自我评价 会二维cad制图，对机械制造工艺有所了解，熟悉车床，铣床，钻床制造工艺;对机械设计感兴趣，期望在技术上有稳定的发
所有原子结构示意图 +1 1 氢H +2 2 氦He +3 2 1 锂Li +4 2 2 铍Be +5 2 3 硼B +6 2 4 碳C +7 2 5 氮N +8 2 6 氧O +9 2 7 氟F +10 2 8 氖Ne +11 2 8 1 钠Na +12 2 8 2 镁Mg +13 2 8 3 铝Al +14 2 8 4 硅Si +15 2 8 5 磷P +16 2 8 6 硫S +17 2 8 7 氯Cl +18 2 8 8 氩Ar +19 2 8 8 1 钾K +20 2 8 8 2 钙Ca +21 2 8 9 2 钪Sc +22 2 8 10 2 钛Ti +23 2 8 11 2 钒V +24 2 8 13 1 铬Cr +25 2 8 13 2 锰Mn +26 2 8 14 2 铁Fe +27 2 8 15 2 钴Co +28 2 8 16 2 镍Ni +29 2 8 18 1 铜Cu +30 2 8 18 2 锌Zn +31 2 8 18 3 镓Ga +32 2 8 18 4 锗Ge +33 2 8 18 5 砷As +34 2 8 18 6 硒Se +35 2 8 18 7 溴Br +36 2 8 18 8 氪Kr +37 2 8 18 8 1 铷Rb +38 2 8 18 8 2 锶Sr +39 2 8 18 9 2 钇Y +40 2 8 18 10 2 锆Zr +41 2 8 18 12 1 铌Nb +42 2 8 18 13 1 钼Mo +43 2 8 18 13 2 锝Tc +44 2 8 18 15 1 钌Ru +45 2 8 18 16 1 铑Rh +46 2 8 18 18 钯Pd +47 2 8 18 18 1 银Ag +48 2 8 18 18 2 镉Cd +49 2 8 18 18 3 铟In +50 2 8 18 18 4 锡Sn +51 2 8 18 18 5 锑Sb +52 2 8 18 18 6 碲Te +53 2 8 18 18 7 碘I +54 2 8 18 18 8 氙Xe +55 2 8 18 18 8 1 铯Cs +56 2 8 18 18 8 2 钡Ba +57 2 8 18 18 9 2 镧La +58 2 8 18 19 9 2 铈Ce +59 2 8 18 21 8 2 镨Pr +60 2 8 18 22 8 2 钕Nd +61 2 8 18 23 8 2 钷Pm +62 2 8 18 24 8 2 钐Sm +63 2 8 18 25 8 2 铕Eu +64 2 8 18 25 9 2 钆Gd +65 2 8 18 27 8 2 铽Td +66 2 8 18 28 8 2 镝Dy +67 2 8 18 29 8 2 钬Ho +68 2 8 18 30 8 2 铒Er +69 2 8 18 31 8 2 铥Tm +70 2 8 18 32 8 2 镱Yb +71 2 8 18 32 9 2 镥Lu +72 2 8 18 32 10 2 铪Hf +73 2 8 18 32 11 2 钽Ta +74 2 8 18 32 12 2 钨W +75 2 8 18 32 13 2 铼Re +76 2 8 18 32 14 2 锇Os +77 2 8 18 32 15 2 铱Ir +78 2 8 18 32 17 1 铂Pt +79 2 8 18 32 18 1 金Au +80 2 8 18 32 18 2 汞Hg +81 2 8 18 32 18 3 铊Tl +82 2 8 18 32 18 4 铅Pb +83 2 8 18 32 18 5 铋Bi +84 2 8 18 32 18 6 钋Po +85 2 8 18 32 18 7 砹At +86 2 8 18 32 18 8 氡Rn
MOCVD市场研究报告 刘根 第一章引言 (2) 第二章LED概述 (2) 第一节LED简介 (2) 第二节LED发光原理 (3) 一、P-N结 (3) 二、LED发光原理 (3) 第三章LED产业链 (4) 第一节LED产业链概述 (4) 第二节LED上游 (4) 一、LED外延片生长 (5) 二、MOCVD机台制造LED之介绍 (6) 三、MOCVD工艺流程图 (11) 第三节LED下游 (11) 一、LED芯片封装形式 (11) 第四章LED的应用12 第五章市场分析 (13) 第一节客户概况..................................................................... .13 第二节原材料厂商. (15) 2010年9月4日
第一章引言 半导体技术已经改变了世界，半导体照明技术将再一次改变我们的世界。作为一种全新的照明技术，LED是利用半导体芯片作为发光材料、直接将电能转换为光能的发光器件。自20世纪60年代世界第一个半导体发光二极管诞生以来，LED照明由于具有寿命长、节能、色彩丰富、安全、环保的特性，被誉为人类照明的第三次革命。 我国是世界照明电器第一大生产国、第二大出口国，半导体照明产业有很强的产业基础，而且政策明确表示对行业的支持，因此未来我国LED将面临巨大的发展机遇。中国的LED产业2003年以来快速发展，已覆盖外延、芯片、封装、应用产品等上下游产业链，“一头沉”的状态正在发生改变，中国LED上游产业得到了较快的发展，其中芯片产业发展最为引人注目。从产业规模看，2006年中国LED产业包括了衬底、外延、芯片、封装四个环节。其中，封装仍是中国LED产业中最大的产业链环节，但产值所占比例相对以前有了很大的改善，并在将来的发展中，芯片（MOCVD）占的比重将持续得到提升，封装环节占的比重将逐年下降。中国LED产业结构正在由较低端的封装转向附加值更高、更具核心价值的芯片（MOCVD）环节。 第二章LED概述 第一节LED简介 LED（Light Emitting Diode），中文名：发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。当初多用作为指示灯、显示板等；随着白光LED的出现，也被用作照明。它被誉为21世纪的新型光源，具有效率高，寿命长，不易破损等传统光源无法与之比较的优点。加正向电压时，发光二极管能发出单色、不连续的光，这是电致发光效应的一种。改变所采用的半导体材料的化学组成成分，可使发光二极管发出在近紫外线、可见光或红外线的光。 LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
编织工艺简介 1 2 指利用韧性较好的植物纤维(如细枝、柳条、竹、灯心草)以手工方法编织成3 的一种工艺品(篮子或其他物品)。编织工艺主要是实用性而非装饰性艺术。编4 织质材料因地区的差异而有很大的区别，如多雨的热带地区以棕榈树的宽叶片5 为材料，因此，采用辫编的方法。亚洲、非洲、大洋洲和美洲的土著等许多文6 化在编织工艺上皆有出色的表现。 7 编织是人类最古老的手工艺之一。据《易经·系辞》记载，旧石器时代，人8 类即以植物韧皮编织成网罟（网状兜物），内盛石球，抛出以击伤动物。在西安9 半坡、庙底沟、三里桥等新石器时代遗址出土的陶器上，印有“十”字纹、“人” 10 字纹，清楚地显示出是由篾席印模上去的，有的还发现陶钵的底部粘附有篾席11 的残竹片。浙江余姚河姆渡遗址出土的苇席，距今约有7000年历史。1958年，12 在浙江湖州钱山漾村，新石器时代晚期遗址出土的竹编更为惊人，约有200 多13 件，其中大部分篾条经过刮磨加工。这一时期的编织工艺也相当精巧，有“人” 14 字形、“十”字形和菱形、梅花形等形式。器物的品种有篓、篮、箩、筐等。周15 代，以蒲草编织莞席已很普遍。汉代以蔺草（又名马蔺、马兰草、灯心草）编16 织为席，产于三辅（今陕西中部）、河东（今山西夏县）等地。唐代，草席生17 产已很普遍，福建、广东的藤编、河北沧州的柳编、山西蒲州（今永济、河津18 等地）的麦秆编等都是著名的手工艺品。其中广东藤编还有编织花卉、鱼虫、19 鸟禽图案的帘幕。宋代，浙江东阳竹编的品种已有龙灯、花灯、走马灯、香篮、20 花篮等，能编织字画、图案，工艺精巧，在每平方寸（11平方厘米）的面积内21 可编织120根篾条，有的还饰以金线。至明清两代，浙江、江苏、湖南、四川、22 福建、广东等地的草编、藤编、竹编等生产有了发展，并在19世纪末开始出口。 23 品类：中国编织工艺品按原料划分，主要有竹编、藤编、草编、棕编、柳编、24 麻编等 6大类。编织工艺品的品种主要有日用品、欣赏品、家具、玩具、鞋帽25 等 5类。其中日用品有席（地席、卧席）、坐垫、靠垫、各式提篮（花篮、菜篮、
清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅片的清洗。超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。超声波清洗机（超声波清洗器）利用空化效应，短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净，超声波清洗机对清洗器件的养护，提高寿命起到了重要作用。CSQ系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统，有效提高了清洗效率；设置时间控制装置，清洗方便；具有频率自动跟踪功能，清洗效果稳定；多种机型、结构设计，适应不同清洗要求。CSQ系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件，医疗设备、精密偶件、化纤行业（喷丝板过滤芯）等的清洗；对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡，涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。恒威公司生产CSQ系列超声波清洗机具有以下特点：不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连接，运行安全；使用IGBT模块，性能稳定；专业电源设计，性价比高。反渗透纯水机去离子水生产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。 纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备，去离子水有毒，不可食用。 净化设备主要产品：水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。 风淋室：运用国外先进技术和进口电器控制系统,组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广泛用于微电子医院\制药\生化制品\食品卫生\精细化工\精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用,防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备. 抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。化学机械抛光时，旋转的工件以一定的压力压在旋转的抛光垫上，而由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动，并产生化学反应，工件表面形成的化学反应物由磨粒的机械作用去除，即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，人们称这种CMP为游离磨料CMP。 电解抛光电化学抛光是利用金属电化学阳极溶解原理进行修磨抛光。将电化学预抛光和机械精抛光有机的结合在一起，发挥了电化学和机构两类抛光特长。它不受材料硬度和韧性的限制，可抛光各种复杂形状的工件。其方法与电解磨削类似。导电抛光工具使用金钢石导电锉或石墨油石，接到电源的阴极，被抛光的工件（如模具）接到电源的阳极。 光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合
编织工艺简介 指利用韧性较好的植物纤维(如细枝、柳条、竹、灯心草)以手工方法编织成的一种工艺品(篮子或其他物品)。编织工艺主要是实用性而非装饰性艺术。编织质材料因地区的差异而有很大的区别，如多雨的热带地区以棕榈树的宽叶片为材料，因此，采用辫编的方法。亚洲、非洲、大洋洲和美洲的土著等许多文化在编织工艺上皆有出色的表现。 编织是人类最古老的手工艺之一。据《易经·系辞》记载，旧石器时代，人类即以植物韧皮编织成网罟（网状兜物），内盛石球，抛出以击伤动物。在西安半坡、庙底沟、三里桥等新石器时代遗址出土的陶器上，印有“十”字纹、“人”字纹，清楚地显示出是由篾席印模上去的，有的还发现陶钵的底部粘附有篾席的残竹片。浙江余姚河姆渡遗址出土的苇席，距今约有7000年历史。1958年，在浙江湖州钱山漾村，新石器时代晚期遗址出土的竹编更为惊人，约有200 多件，其中大部分篾条经过刮磨加工。这一时期的编织工艺也相当精巧，有“人”字形、“十”字形和菱形、梅花形等形式。器物的品种有篓、篮、箩、筐等。周代，以蒲草编织莞席已很普遍。汉代以蔺草（又名马蔺、马兰草、灯心草）编织为席，产于三辅（今陕西中部）、河东（今山西夏县）等地。唐代，草席生产已很普遍，福建、广东的藤编、河北沧州的柳编、山西蒲州（今永济、河津等地）的麦秆编等都是著名的手工艺品。其中广东藤编还有编织花卉、鱼虫、鸟禽图案的帘幕。宋代，浙江东阳竹编的品种已有龙灯、花灯、走马灯、香篮、花篮等，能编织字画、图案，工艺精巧，在每平方寸（11平方厘米）的面积内可编织120根篾条，有的还饰以金线。至明清两代，浙江、江苏、湖南、四川、福建、广东等地的草编、藤编、竹编等生产有了发展，并在19世纪末开始出口。 品类：中国编织工艺品按原料划分，主要有竹编、藤编、草编、棕编、柳编、麻编等 6大类。编织工艺品的品种主要有日用品、欣赏品、家具、玩具、鞋帽等 5类。其中日用品有席（地席、卧席）、坐垫、靠垫、各式提篮（花篮、菜篮、水果篮）、盆套（花盆套）、箱、旅游吊床、盘（水果盘、面包盘）、门帘、筐、灯罩等；欣赏品有挂屏、屏风及人物、动物造型的编织工艺品。
MOCVD设备 概况 德国AIXTRON公司(德国艾思强公司)和美国VEECO公司(美国维易科精密仪器有限公司)两家公司几乎生产了全球90%以上的主流MOCVD设备。 1、生产效率和成本概况 国际上MOCVD技术已经相当成熟，主流设备从2003 年6-8 片机、2004 年12 片机、2005 年15片机、2006 年的21-24 片机，目前已经达到42、45、49 片机(一次可装载49片2英寸的衬底生长外延)。 外延炉容量的不断扩大让LED 外延片生产商的单位生产成本快速大幅下降。目前，量产企业对单批产能的最低要求是在30片以上。 国产设备目前为6片机，生产效率和生产成本差距甚远。 2、价格及产值概况 生产型MOCVD设备的售价高达1000～2000万元【根据机型，6片机70万美元左右，9片机100万美元左右】，加上相关配套设备设施，一条产线LED生产线需要投入4000 多万元。 若新采购设备为45 片机生产蓝光芯片，按3 炉/天计算，年产4 .9万片左右，收入4800 万元，投入产出基本为1:1。 3、生产过程工艺复杂，参数众多，优良率与均匀性是关键 外延片生长过程工艺复杂，参数众多，培养专业操作人员需时间较长。 一个最简单的GaN蓝光LED单量子阱结构，其生长工艺包括：高温烘烤、缓冲层、重结晶、n-GaN、阱层、叠层及p-GaN等，工艺步骤达几十步，每一步需调整的工艺参数共有20多个，各参数之间存在比较微妙的关系，工艺编辑人员需根据工艺要求，对各个参数进行逐一调整，必要时还要进行计算，如升温速度、升压速度、生长速率控制、载气与气源配比等。如何根据工艺需要自动对参数进行检查，减轻工艺人员的工作量，是值得研究的新兴课题。 每个外延芯片、生产批次与系统之间的关系，能确保良好的均匀性以及优良率，尤其在芯片厂商扩产时，还能维持相同的优良率与均匀性就显的特别关键。 4、4英寸MOCVD设备将成为主流 现阶段台湾外延厂商在技术上已经具备生产4英寸和6英寸的能力，但是出于成本的考虑，多数台湾厂家还是以2英寸的MOVCD设备为生产主线；大部分欧美与韩国厂商则早已使用4英寸MOVCD设备。 市场预期一旦4英寸外延片材料成本大幅崩落（目前4英寸外延片的成本价格约为2寸外延片的四倍），2英寸的MOCVD设备将逐渐被4英寸所取代。 AIXTRON与SemiLEDs在2009年5月就合作开发出6寸蓝光LED芯片，在6x6寸AIX 2800G4 HT MOCVD反应炉的结构上，产量增加约30%（相较于传统42x2-inch的架构），不但均匀性较好，也减少
袜子编制工艺流程简介 （1）织袜机编制工艺原理： 袜子属于纬编类产品，钩针是完成编织动作的主要工具，钩针结构如图3所示。 图3 钩针结构 织袜机工作时，钩针在编制三角的作用下，被抬高到一定的高度可以勾住纱线，在针舌的作用下并配合钩针上下往复运动，可以形成层层相套的链圈，从而编织成袜子。钩针在编织时主要有三种状态，如图4所示。 图4 钩针编制状态
集圈：此状态是在成圈之后、退圈之前。其中针筒上的钩针大部分时间都处于集圈的状态，只有当钩针转到主梳附近时才不处于集圈状态。在此位置时，编织完成的线圈绕在针舌上。 退圈：此状态是在集圈之后、成圈之前。集圈结束后，要编织一个链圈，退圈是把钩针抬高到最高的位置，将钩针上的线圈退至针舌下面，同时钩针勾住主梳上的纱线，为下一圈做准备。 成圈：此状态是在退圈之后、集圈之前。钩针勾住纱线后，钩针被压到最低点，使针舌翻上从而将处于退圈状态的线圈脱离钩针，并与刚勾下来的线圈形成链圈，如图5所示。 图5 织袜机编制工艺 钩针的编织，总是这三种状态之间的循环过程，钩针转一圈便形成一个线圈链条，链条之间螺旋相接，可根据袜子长度来设定其链条数。 钩针的上下往复运动主要是靠选针器和编制三角的作用，使得钩针在不同的高度下运动，从而形成不同的编制组织。织袜机编制过程中，袜子一个完整的成圈编制过程为：退圈——垫纱——闭口——套圈——弯纱——脱圈——成圈——牵拉，如图所示：
而根据袜子不同的编制花色要求，可以在选针器和编制三角的作用下，使钩针经历成圈编制过程的不同阶段，即可完成不同组织编制，从而形成不同的花色。即： 成圈编制 钩针在编制三角的作用下，达到退圈高度，如图中的1、2、3钩针，完成整个成圈编制。 钩针针踵走针轨迹如下：
原子结构示意图 排列规律： 1,核外电子是分层排列的,从里到外1,2,3,4,5,6,7。 2,每层最多排2×(n)^2个电子（n表示层数）。 3,第一层最多2个电子,第二层最多8个电子,当电子层达或超过到四层时，倒数第二层不超过18个电子，当电子层超过四层时，倒数第三层最多不超过32个电子,最外层不超过8个电子。 +11氢H +22氦He +321锂Li +422铍Be +523硼B +624碳C +725氮N +826氧O +927氟F +1028氖Ne +11281钠Na +12282镁Mg +13283铝Al +14284硅Si +15285磷P +16286硫S +17287氯Cl +18288氩Ar +192881钾K +202882钙Ca +212892钪Sc +2228102钛Ti +2328112钒V +2428131铬Cr +2528132锰Mn +2628142铁Fe +2728152钴Co +2828162镍Ni +2928181铜Cu +3028182锌Zn
+3128183镓 Ga +3228184锗Ge +3328185砷As +3428186硒Se +3528187溴Br +3628188氪Kr +37281881铷 Rb +38281882锶Sr +39281892钇Y +402818102锆 Zr +412818121铌Nb +422818131钼Mo +432818132锝Tc +442818151钌Ru +452818161铑Rh +46281818钯Pd +472818181银Ag +482818182镉Cd +492818183铟In +502818184锡Sn +512818185锑Sb +522818186碲Te +532818187碘I +542818188氙Xe +5528181881铯Cs +5628181882钡Ba +5728181892镧La +5828181992铈Ce +5928182182镨Pr +6028182282钕Nd +6128182382钷Pm +6228182482钐Sm +6328182582铕Eu +6428182592钆Gd +6528182782铽 Td+6628182882镝Dy +6728182982钬Ho +6828183082铒Er +6928183182铥Tm +7028183282镱Yb +7128183292镥Lu +72281832102铪Hf +73281832112钽Ta +74281832122钨W +75281832132铼Re +76281832142锇Os