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信息安全技术基础--期末考点总结

信息安全技术基础--期末考点总结
信息安全技术基础--期末考点总结

4.信息安全就是只遭受病毒攻击,这种说法正确吗?

不正确,信息安全是指信息系统(包括硬件、软件、数据、人、物理环境及其基础设施)受到保护,不受偶然的或者恶意的原因而遭到破坏、更改、泄露,系统连续可靠正常地运行,信息服务不中断,最终实现业务连续性。信息安全的实质就是要保护信息系统或信息网络中的信息资源免受各种类型的威胁、干扰和破坏,即保证信息的安全性。

信息安全本身包括的范围很大,病毒攻击只是威胁信息安全的一部分原因,即使没有病毒攻击,信息还存在偶然泄露等潜在威胁,所以上述说法不正确。

5.网络安全问题主要是由黑客攻击造成的,这种说法正确吗?

不正确。谈到信息安全或者是网络安全,很多人自然而然地联想到黑客,实际上,黑客只是实施网络攻击或导致信息安全事件的一类主体,很多信息安全事件并非由黑客(包括内部人员或还称不上黑客的人)所为,同时也包括自然环境等因素带来的安全事件。

补充:信息安全事件分类

有害程序事件、网络攻击事件、信息破坏事件、信息内容安全事件

设备设施故障、灾害性事件、其它事件

3.信息系统的可靠性和可用性是一个概念吗?它们有什么区别?

不是。

信息安全的可靠性:保证信息系统为合法用户提供稳定、正确的信息服务。

信息安全的可用性:保证信息与信息系统可被授权者在需要的时候能够访问和使用。

区别:可靠性强调提供服务的正确、稳定,可用性强调提供服务访问权、使用权。

5.一个信息系统的可靠性可以从哪些方面度量?

可以从抗毁性、生存性和有效性三个方面度量,提供的服务是否稳定以及稳定的程度,提供的服务是否正确。

7.为什么说信息安全防御应该是动态和可适应的?

信息安全防御包括(1)对系统风险进行人工和自动分析,给出全面细致的风险评估。(2)通过制订、评估、执行等步骤建立安全策略体系(3)在系统实施保护之后根据安全策略对信息系统实施监控和检测(4)对已知一个攻击(入侵)事件发生之后进行响应等操作保障信息安全必须能够适应安全需求、安全威胁以及安全环境的变化,没有一种技术可以完全消除信息系统及网络的安全隐患,系统的安全实际上是理想中的安全策略和实际执行之间的一个平衡。实现有效的信息安全保障,应该构建动态适应的、合理可行的主动防御,而且投资和技术上是可行的,而不应该是出现了问题再处理的被动应对。

4.什么是PKI?“PKI是一个软件系统”这种说法是否正确?

PKI是指使用公钥密码技术实施和提供安全服务的、具有普适性的安全基础设施,是信息安全领域核心技术之一。PKI通过权威第三方机构——授权中心CA(Certification Authority)以签发数字证书的形式发布有效实体的公钥。

正确。PKI是一个系统,包括技术、软硬件、人、政策法律、服务的逻辑组件,从实现和应用上看,PKI是支持基于数字证书应用的各个子系统的集合。

5.为什么PKI可以有效解决公钥密码的技术应用?

PKI具有可信任的认证机构(授权中心),在公钥密码技术的基础上实现证书的产生、管理、存档、发放、撤销等功能,并包括实现这些功能的硬件、软件、人力资源、相关政策和操作规范,以及为PKI体系中的各个成员提供全部的安全服务。简单地说,PKI是通过权威机构签发数字证书、管理数字证书,通信实体使用数字证书的方法、过程和系统。

实现了PKI基础服务实现与应用分离,有效解决公钥使用者获得所需的有效的、正确的公钥问题。

1.什么是安全协议?安全协议与传统的网络协议有何关系与区别?

答:安全协议是为了实现特定的安全目标,以密码学为基础的消息交换协议,其目的是在网络环境中提供各种安全服务。

网络协议为计算机网络中进行数据交换而建立的规则、标准或约定的集合,它是面向计算机网络的,是计算机通信时采用的语言。网络协议使网络上各种设备能够相互交换信息。常见的协议有:TCP/IP协议等。网络协议是由三个要素组成:语义、语法、时序。人们形象地把这三个要素描述为:语义表示要做什么,语法表示要怎么做,时序表示做的顺序。

区别与联系:两者都是针对协议实体之间通信问题的协议,网络协议是使具备通信功能,安全协议旨在通信的同时,强调安全通信。

1.为什么说WLAN比有线网络更容易遭受网络攻击?

(1)有线网络中存在的网络安全威胁在WLAN中都存在。

(2)WLAN固有的特点----开放的无线通信链路,使得网络安全问题更为突出,从而WLAN 面临更多的安全隐患。例如:在两个无线设备间传输未加密的敏感数据,容易被截获并导致泄密。恶意实体更容易干扰合法用户的通信,更容易直接针对无线连接或设备实施拒绝服务攻击DoS,并坑你跟踪他们的行为。

11.如果让你来设计WLAN安全机制,请论述你将考虑的方面以及设计思路。

WLAN需要解决的问题(138):

01.访问控制。只有合法的实体才能够访问WLAN及其相关资源。

02.链路保密通信。无线链路通信应该确保数据的保密性、完整性及数据源的可认

证性。

基于上述需求,WLAN安全机制应该包括实体认证、链路加密和完整性保护、数据源认证等,此外应该考虑防止或降低无线设备遭受DoS攻击。

大致设计思路:采用基于密码技术的安全机制,借鉴全新的WLAN安全基础架构—健壮安全网络关联RSNA设计建立过程:

(1)基于IEEE 802.1X或预共享密钥PSK实现认证与密钥管理,建立RSNA。(2)在RSNA 建立过程中,使用协议栈中一些相关标准协议,确保协议的安全性。(3)密钥管理协议部分:采用4次握手密钥协商协议—用于在STA与AP之间协商产生和更新共享临时密钥,以及密钥使用方法。(4)STA与AP之间相互认证之后,使用数据保密协议保护802.11数据帧。

6.若一个单位部署防火墙时,需要对外提供Web和E-mail服务,如何部署相关服务器?答:部署过程如下图:

部署:在内部网与Internet之间设置一个独立的屏蔽子网,在内部网与屏蔽子网和屏蔽子网与Internet之间各设置一个屏蔽路由器(防火墙)。

这种防火墙部署也称为DMZ部署方式:提供至少3个网络接口:一个用于连接外部网络—通常是Internet,一个用于连接内部网络,一个用于连接提供对外服务的屏蔽子网。DMZ 是一个安全系统与非安全系统之间的一个缓冲区,这个缓冲区位于企业内部网络和外部网络之间,放置一些必须公开的服务器设施,如企业Web服务器、FTP服务器和论坛等。

9.什么是入侵检测系统?如何分类?

答:入侵检测系统:通过收集和分析计算机网络或计算机系统中若干关键点的信息,检查网络或系统中是否存在违反安全策略的行为和被攻击的迹象。 分类:主机型IDS 、网络型IDS

主机型IDS:安装在服务器或PC 机上的软件,监测到达主机的网络信息流 网络型IDS:一般配置在网络入口处或网络核心交换处,通过旁路技术监测网络上的信息流。 10.网络入侵检测系统是如何工作的?

1)截获本地主机系统的网络数据,查找出针对本地系统的非法行为。 2)扫描、监听本地磁盘文件操作,检查文件的操作状态和内容,对文件进行保护、恢复等。 3)通过轮询等方式监听系统的进程及其参数,检查出非法进程。 4)查询系统各种日志文件,报告非法的入侵者。

15.入侵检测技术和蜜罐技术都是用于检测网络入侵行为的,它们有什么不同? 入侵检测系统是根据人定义的规则、模式阻止非授权访问或入侵网络资源的行为。其收集和分析计算机网络或计算机系统中若干关键点的信息,检查网络或系统中是否存在违反安全策略的行为和被攻击的迹象,其前提即已知非法访问规则和入侵方式,否则容易产生误判。

蜜罐(Honeypot)技术则是可以在不确定攻击者手段和方法前提下发现攻击。发现自身系统已知或未知的漏洞和弱点。它可以看成是一种诱导技术,目的是发现恶意攻击和入侵。蜜罐技术可以运行任何的操作系统和任意数量的服务,蜜罐上配置的服务决定了攻击者可用的损害和探测系统的媒介。

16.如果你是一个单位的网络安全管理员,如何规划部署网络安全产品?

答:安装安全的无线路由器(防火墙)、选择安全的路由器名字、定制密码、隐藏路由器名字、限制网络访问、选择一种安全的加密模式、考虑使用入侵检测系统或蜜罐等高级技术。

2.信息隐藏与传统数据加密有什么区别?信息隐藏过程中加入加密算法的优点是什么?

信息隐藏就是利用特定载体中具有随机特性的冗余部分,将有特别意义的或重要的信息嵌入其中掩饰其存在,嵌入的秘密信息称为隐藏信息,现代信息隐藏通常要把传输的秘密信息写到数字媒介中,如图像、声音、视频信号等,其目的在于将信息隐藏的足够好,以使非法用户在截获到媒介物时不会怀疑媒介中含有隐藏信息。

传统数据加密指通过加密算法和加密密钥将明文转变为密文,其目的是使明文信息不可见,它的核心是密码学。

优点:由于隐藏算法必须能够承受一定程度的人为攻击,保证隐藏信息不会破坏,所以信息隐藏中使用加密算法,增强了隐藏信息的抗攻击能力,更加有利于对信息的安全性保护,

Internet

防火墙

Web/E-mail/FTP

核心交换机

办公大楼

网络IDS 位置

主机IDS 位置

5.什么是数字水印?数字水印技术与信息隐藏技术有什么联系和区别?

数字水印是指嵌入在数字产品中的、不可见、不易移除的数字信号,可以是图像、符号、数字等一切可以作为标识和标记的信息,其目的是进行版权保护、所有权证明、指纹(追踪发布多份拷贝)和完整性保护等。

联系和区别:

信息隐藏与数字水印都是采用信息嵌入的方法,可以理解为信息隐藏的概念更大,但通常讲到的信息隐藏是隐秘和保护一些信息传递,而数字水印是提供版权证明和知识保护,二者目的不同。

8.如何对数字水印进行攻击?

从数字水印的2个主要性质:鲁棒性、不可见性入手。

基于攻击测试评价,分析数字水印的鲁棒性,结合使用峰值信噪比PSNR分析数字水印不可见性,使用低通滤波、添加噪声、去噪处理、量化、几何变换(缩放、旋转、平移、错切等)、一般图像处理(灰度直方图调整、对比度调整、平滑处理、锐化处理等)、剪切、JPEG 压缩、小波压缩等方式综合完成数字水印进行攻击。

9.RSA及公钥密码体制的安全基础:

RSA密码系统的安全性依赖两个数学问题:大数分解问题、RSA问题。由于目前尚无有效的算法解决这两个问题的假设,已知公钥解密RSA密文是不容易的。

10.保密通信系统模型图

11.简述公钥密码体制在信息安全保护中的意义:

公钥加密系统中任何主体只拥有一对密钥—--私钥和公钥,公开其公钥,任何其他人在需要的时候使用接收方的公钥加密信息,接收方使用只有自己知道的私钥解密信息。这样,在N个人通信系统中,只需要N个密钥对即可,每个人一对。公钥加密的特点是公钥是公开的,这很好地解决了对称密码中密钥分发与管理问题。

12.AES

由多轮操作组成,轮数由分组和密钥长度决定。AES在4×n字节的数组上操作,称为状态,其中n是密钥字节数除4。AES的数据结构:以字节为单位的方阵描述:输入分组in、中间数组State、输出分组out、密钥分组K。排列顺序:方阵中从上到下,从左到右AES算法轮操作过程:

轮变换包括以下子步骤:

(1)字节替换:执行一个非线性替换操作,通过查表替换每个字节。

(2)行移位:状态(矩阵)每一行以字节为单位循环移动若干个字节。

(3)列混合:基于状态列的混合操作。

(4)轮密钥加:状态的每一个字节混合轮密钥。轮密钥也是由蜜月调度算法产生。

需要注意的是,最后一轮(第10轮)操作与上述轮操作略有不同,不包括列混

合操作,即只包括字节替换、行移位和密钥叠加操作。

13.简述PKI的功能:

PKI功能包括数字证书管理和基于数字证书的服务。

01.数字证书是PKI应用的核心,它是公钥载体,是主题身份和公钥绑定的凭证。因此,

证书管理是PKI的核心工作,即CA负责完成证书的产生、发布、撤销、更新以及

密钥管理工作,包括完成这些任务的策略、方法、手段、技术和过程。

02.PKI服务:PKI的主要任务是确立证书持有者可信赖的数字身份,通过将这些身份

与密码机制相结合,提供认证、授权或数字签名等服务。当完善实施后,能够为敏

感通信和交易提供一套信息安全保障,包括保密性、完整性、认证性和不可否认性

等基本安全服务。

03.交叉认证。为了在PKI间建立信任关系,引入了“交叉认证”的概念,实现一个

PKI域内用户可以验证另一个PKI域内的用户证书。

14.信息安全威胁主要来自人为攻击,其大致可分为主动攻击和被动攻击两大类型。

15.现代密码系统按其原理可分为两大类:对称加密系统和非对称加密系统。

16.安全的定义

只有相对的安全,没有绝对的安全。安全的意义在于保护信息安全所需的代价与信息本身价值的对比,因此信息安全保护是一种效能的折衷。可将信息系统的安全性定义为以下三种:

01.理论安全性:即使具有无限计算资源,也无法破译。

02.可证明安全性:从理论上可以证明破译一个密码系统的代价/困难性不低于求解某

个已知的数学难题。

03.计算安全性:使用已知的最好算法和利用现有的最大的计算资源仍然不可能在合理

的时间完成破译一个密码系统。

3种又可区分为理论安全性和实际安全性两个层次,其中实际安全性又包括两个层次:可证明安全性和计算安全性。

16.1如何攻击密码系统?

惟密文攻击:破译者已知的东西只有两样:加密算法、待破译的密文。

已知明文攻击:破译者已知的东西包括加密算法和经密钥加密形成的一个或多个明-密文对,即知道一定数量的密文和对应的明文。

选择明文攻击:破译者除了知道加密算法外,他还可以选定明文消息,并可以知道该明文对应的加密密文。

选择密文攻击:破译者除了知道加密算法外,还包括他自己选定的密文和对应的、已解密的明文,即知道选择的密文和对应的明文。

选择文本攻击:是选择明文攻击与选择密文攻击的结合。破译者已知的东西包括:加密算法、破译者选择的明文消息和它对应的密文,以及破译者选择的猜测性密文和它对应的解密明文。

17.消息认证(如何主体的身份或消息的真实性?)

被认证的主体包括两类:

01. 消息的发送实体,人或设备(实现技术,例如:数字签名) 02. 对消息自身的认证,顺序性、时间性、完整性(时间戳服务、消息标识等方法) 由中国制定的无线网络安全国际标准是GB 15629.11;

公钥基础设施PKI 通过 控制中心CA 以签发 数字证书 的形式发布有效的实体公钥。 18.网路安全协议:

18.1数字签名工作过程:

19.密码体制分类(根据密钥情况分类)

对称密钥密码体制:加密与解密使用相同密钥(单钥) 优点(为什么使用对称密码加密消息呢?):加解密速度快、效率高、加密算法简单、易于实现,计算开销小。

缺点:密钥分发困难,即在通信双方共享的密钥一般需要带外传递,总之,通信双方最初的共享密钥必须通过安全的方式传递交换。

应用层传输层网络层数据链路层物理层

HTTPS, SSH, PGP, Kerberos,SET

SSL, TLS, SOCK5

IPSec

PPP-PAP/CHAP,WEP

物理层安全

对称加密密钥使用接受者公钥,数字签名使用发送者的私钥。

公钥密码体制:加密与解密使用不同密钥(双钥)公、私钥成对出现,公钥加密、私钥解密。

20.对称密码体制分类

分组密码先将明文划分成若干等长的块——分组(如64b),然后再分别对每个分组进行加密,得到等长的密文分组;解密过程也类似。有些密码体制解密算法与加密算法完全一样,如DES。

序列密码是把明文以位或字节为单位进行加密,一般是与密钥进行混合(如异或)获得密文序列。也称流密码。

分组密码设计的两个思想

扩散:即将明文及密钥的影响尽可能迅速地散布到较多的输出密文中,典型操作就是“置换”。

混淆:目的在于使作用于明文的密钥和密文之间的关系复杂化,使得明文和密文、密文和密钥之间的统计相关性极小化,从而使统计分析攻击不能奏效。混淆通常采用“代换”操作。

公钥密码的算法就是一种陷门单向函数f

21.数字签名与消息加密组合方案

22.DES

DES是一种分组密码算法,加密和解密使用相同的密钥。DES的分组长度为64比特位。使用64比特密钥(其中包括8比特奇偶校验位),密钥通过扩展后,经过16轮对明文分组的代换和置换。

DES工作过程:(1)初始置换及其逆置换(2)f函数(乘机变换)[扩展、密钥混合、替换、置换P ]

DES的安全性分析:S盒是DES的核心,也是DES算法最敏感的部分,所有替换都是固定的,甚显神秘。许多密码学家曾担心NSA设计S盒时隐藏了某些陷门。DES算法具有很好的雪崩效应。

23.信息安全原则

安全是相对的,同时也是动态的,没有绝对的安全!安全是一个系统工程!

信息安全技术原则:

(1)最小化原则:受保护的敏感信息只能在一定范围内被共享,履行工作职责和职能的安全主体,在法律和相关安全策略允许的前提下,为满足工作需要,仅被授予其访问信息的适当权限。

(2)分权制衡原则:每个授权主体只能拥有其中一部分权限,使它们之间相互制约、相互监督,共同保证信息系统的安全。

(3)安全隔离原则:将信息的主体与客体分离,按照一定的安全策略,在可控和安全的前提下实施主体对客体的访问。

电路分析基础期末试卷及参考答案

桂 林 电 子 科 技 大 学 试 卷 2018-2019 学年第 一 学期 课号 BT122003_01 课程名称 电路分析基础(A 、B 卷; 开、闭卷) 适用班级(或年级、专业)17电子信息类 一.选择题:本大题共10个小题,每小题3分,共30分,在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题意要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。 1、图1所示电路中,已知电流A I 3=,则a 、b 两端的电压U =( ) A ) -10V B ) 10V C ) 50V D ) -20V 2、图2所示电路中,已知元件A 放出功率10W ,则电流I =( ) A ) 1A B ) 2A C ) -1A D ) 5A 3、电路如图3所示,10Ω电阻吸收的功率为( ) A ) 1W B ) 0. 9W C ) 10W D ) 3W 4、图4所示电路原来处于稳态,A t i s 2cos 2=。0=t 时开关闭合,则换路瞬间的电感电流)0(+L i 为( ) A ) 1A B ) 0.5A C ) t 2cos A D )t 2cos 2A 装 订 线 内 请 勿 答 题 图4 i L

5、如图5所示单口网络的等效电阻等于( ) A )2Ω B )4Ω C )6Ω D )-2Ω 图5 6、如图6所示单口网络相量模型的等效阻抗等于( ) A )(3+j4) Ω B )(0.33-j0.25) Ω C )(1.92+j1.44) Ω D )(0.12+j0.16) Ω 图6 7、某电路的阻抗为Ω+=510j Z ,则该电路的导纳Y 的实部为( ) A ) 0.2S B ) 0.08S C ) 0.04S D )0.1S 8、如图7所示电路中负载获得的最大平均功率等于( ) A )2.5W B )5W C )10W D )20W 图7 9、如图8所示谐振电路的品质因数为( ) A )0.01 B )1 C )10 D )100 图8 10、如图9所示二端网络的功率因数为 ( ) A ) 0 B ) 1 C ) -0.707 D ) 0.707 Ω 4a b s u V t t u s )3cos(10)(=F 1_ Ω 4j

电子技术基础期末复习题

2014级电气自动化技术专业 《电子技术基础》复习资料 一、填空题。 1、二极管工作在正常状态时,若给其施加正向电压时,二极管导通,若施加反向电压时,则二极管截至,这说明二极管具有单向导电性。 2、晶体管从内部结构可分为 NPN型和PNP型。 3、NPN型硅晶体管处于放大状态时,在三个电极电位中,其电位高低关系为 V C >V B >V E ,基极和发射极电位之差约等于。 4、在晶体管放大电路中,测得I C=3mA,I E=,则I B= , = 100。 5、按晶体管在电路中不同的连接方式,可组成共基、共集和共射三种基本放大电路;其中共集电路输出电阻低,带负载能力强;共射电路兼有电压放大和电流放大作用。 6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。若用作开关则应工作在饱和和截至状态,并且是一个无触点的控制开关。 7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。 8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。 9、n个输出端的二进制编码器共有 2n个输入端,对于每一组输入代码,有1个输入端具有有效电平。 10、画晶体管的微变等效电路时,其B、E两端可用一个线性电阻等效代替,其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。 11、1位加法器分为半加器和全加器两种。 12、多级放大器的级间耦合方式有3种,分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。 14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。

15、反馈量与放大器的输入量极性相反,因而使 净输入量 减小的反馈,称为 负反馈 。 为了判别反馈极性,一般采用 瞬时极性法 。 16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V 。 17、施加深度负反馈可使运放进入 线性 区,使运放开环或加正反馈可使运放进入 非线性 区。 18、逻辑功能为“全1出0,见0出1”的逻辑门电路时 与非 门。 19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码,则要采用 4 位二进制代码。 20、电压跟随器的输出电压与输入电压不仅 大小相等,而且 相位 也相同。 二、 选择题。 1、把一个6V 的蓄电池以正向接法直接加到二极管两端,则会出现( C )问题。 A 正常 B 被击穿 C 内部断路 2、二极管的正极电位是-10V ,负极电位是,则该二极管处于( A )状态。 A 反偏 B 正偏 C 零偏 3、晶体管工作在放大区时,具有如下特点( A ). A 发射结反向偏置 B 集电结反向偏置 C 晶体管具有开关作用 D I C 与I B 无关 4、稳压二极管是特殊的二极管,它一般工作在( C )状态。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿 D 死区 5、测量放大器电路中的晶体管,其各极对地电压分别为,2V ,6V ,则该管( A )。 A 为NPN 管 B 为Ge 材料 C 为PNP 管 D 工作在截止区 6、理想集成运算放大器工作在饱和区,当+u >-u 时,则( A ) A om o U u += B m o U u 0-= C +=u u o D -=u u o 7、测得晶体管,3,404.2,30mA I A I mA I A I C B C B ====时;时μμ 则该晶体管的交流电流放大系数为( B )。

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体 单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge 导电能力介于导体和绝缘体之间。 特性:光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体:纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物 理现象是本征激发(又称热激发),产生两种带电性质相反的载流子(空穴和自由电子对),温度越 高,本征激发越强。 空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位,使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。 在一定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。当热激发和 复合相等时,称为载流子处于动态平衡状态。 2 ?杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 P型半导体:在本征半导体中掺入微量的3价元素(多子是空穴,少子是电子)。 N型半导体:在本征半导体中掺入微量的5价元素(多子是电子,少子是空穴)。 杂质半导体的特性 载流子的浓度:多子浓度决定于杂质浓度,几乎与温度无关;少子浓度是温度的敏感函数。 体电阻:通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 在半导体中,存在因电场作用产生的载流子漂移电流(与金属导电一致),还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN 结 在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近,形成一个特殊的薄层(PN结)。 PN结中存在由N区指向P区的内建电场,阻止结外两区的多子的扩散,有利于少子的漂移。 PN结具有单向导电性:正偏导通,反偏截止,是构成半导体器件的核心元件。 正偏PN结(P+,N-):具有随电压指数增大的电流,硅材料约为0.6-0.8V,锗材料约为0.2-0.3V < 反偏PN结 (P-, N+):在击穿前,只有很小的反向饱和电流Is。 4.半导体二极管 普通的二极管内芯片就是一个PN结,P区引出正电极,N区引出负电极。单向导电性:正向导通,反向截止。

《电路分析基础》学习总结

《电路分析基础》学习总结 通过电路基础的学习,我们的科学思维能力,分析计算能力,实验研究能力和科学归纳能力有了很大的提高,为下学期我们学习电子技术打下了基础。 对于我们具体的学习内容,第一到第四章,主要讲了电路分析的基本方法,以及电路等效原理等,而后面的知识主要是建立在这四章的内容上的,可以说,学好前面这四章的内容是我们学习电路基础的关键所在。在这些基础的内容中又有很多是很容易被忽略的。对于第五章的内容,老师让我们自主讲解的方式加深了我们的印象,同时也让我们学会如何去预习,更好的把握重点,很符合自主学习的目的。至于第六章到第十章的内容则完全是建立在前四章的内容上展开的,主要就是学会分析电路图结构的方法,对于一二阶电路的响应问题,就是能分析好换路前后未变量和改变量,以及达到稳态时所求量的值。 对于老师上课方法的感想:首先感谢窦老师和杨老师的辛苦讲课,窦老师声音洪亮,讲课思路清晰,让我们非常受益,杨老师的外语水平让我们大开眼界,在中文教学中,我们有过自主学习的机会,也让大家都自己去讲台上讲课,加深了我们的印象,而且对于我们学习能力有很大提高,再是

老师讲课的思路,让我受益不凡,在这之中感受到学习电路的方法。在双语班的教学中,虽然外语的课堂让我们感觉很有难度,有的时候甚至看不懂ppt上的单词,临时上课的时候去查,但是老师上课时经典的讲解确实很有趣味,不仅外语水平是一定的锻炼,同时也是学习电路知识,感觉比起其他班的同学,估计这应该是一个特色点吧。 对于学习电路感想:学习电路,光上课听老师讲课那是远远不够的,大学的学习都是自主学习,没有老师的强迫,所以必须自己主动去学习,首先每次上完课后的练习,我觉得很有必要,因为每次上完课时都感觉听的很懂,看看书呢,也貌似都能理解,可是一到做题目就愣住了,要么是公式没有记住,要么是知识点不知道如何筛选,所以练习很重要,第二点,应该要反复回顾已经学过的内容,只有反复记忆的东西才能更深入,不然曾经学过的东西等到要用就全都忘记了,不懂得应该多问老师,因为我们是小班,这方面,老师给了我们足够的机会。 另外,我们电路分析基础的课程网站,里面的内容已经比较详实,内容更新也比较快,经常展示一些新的内容,拓宽了我们的视野。

电路分析基础-期末考试试题与答案

试卷编号 命题人:审批人:试卷分类( A 卷或 B 卷) A 大学试卷 学期:2006 至2007 学年度第 1 学期 课程:电路分析基础I 专业:信息学院05 级 班级:姓名:学号: (本小题 5分)求图示电路中 a、b 端的等效电阻R ab。 (本小题 6分)图示电路原已处于稳态,在t 0时开关打开,求则i 0 。 t0 4A 5 1F 0.5H 3 得分 题号一二三四五六七八九十 十十 总分得分 、得分 R ab =R2 得分

i(0+)=20/13=1.54A

(本小题 5 分)已知某二阶电路的微分方程为 则该电路的固有频率(特征根)为d 2 u dt 2 du 8 12u 10 dt 和___-6 ___ 。该电路处于阻尼 得分 (本大题6分)求图示二端网络的戴维南等效电路。u ab=10v, R0=3Ω 得分 (本小题 5分)图示电路中 , 电流I =0,求 U S。 Us=6v 得分 b

U=4.8V 得分 (本小题 5分) 电路如图示 , 求a 、b 点对地的电压 U a 、U b 及电流 I 。 3V U a =U b =2v, I=0A. 得分 ( 本 大 题10分 ) 试用网孔分析法求解图示电路的电流 I 1 、 I 2 、 I 3 。 I 1=4A, I 2=6A, I 3=I 1-I 2=-2A 得分 (本小题 10 分 ) 用节点分析法求电压 U 。 2 2V 1 I 1

(本大题12分)试用叠加定理求解图示电路中电流源的电压。 34 6+ 4A 4A 单独作用时, u'=8/3V; 3V 单独作用时, u'='-2V; 共同作用时, u=u'+u'='2/3V 得分 (本大题 12 分)试求图示电路中R L为何值时能获得最大功率,并计算此时该电路效率 Uoc=4v,R0=2.4Ω; R L= R0=2.4Ω时,获得最大功率 Pmax,Pmax= 5/3W; P s=40/3W,η= Pmax/ P s=12.5%。 100%为多

模拟电子技术基础期末试题 答案

课程 模拟电子技术基础 班级 学号 姓名 一、填空题:(15分,每空1分) 1. 环境温度变低,放大电路中晶体管的共射电流放大倍数 会变 。 2. 当设计要求输出功率为20W 的乙类推挽功放时,应选取P CM 至少为 W 的功率管。 3. 若将集成运放理想化,则差模输入电阻id r = ,o r = 。 4.在负反馈放大电路中,要达到提高输入电阻、增强带负载能力的目的,应该给放大器接入 反馈。 5. _______比例运算电路的输入电阻大,而_______比例运算电路的输入电阻小。 6. 差分放大电路的主要功能是放大 信号、抑制 信号。 7. 当输入信号的频率等于放大电路的L f 或H f 时,放大倍数的值约下降到中频时的 。 8. 根据相位平衡条件判断图示电路 (填“能”或“不能”)产生正弦波振荡。 9.负反馈使放大电路增益下降,但它可以 通频带, 非线性失真。

10. 在直流电源中,当变压器副边电压有效值2U =20V 时,单相全波整流电路的输出电压平均值)(AV O U = V ,若负载电阻L R =20Ω,则负载电流平均值)(AV O I = A 。 二、选择题:(20分,每题2分) 1.在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 2.工作在放大区的某三极管,如果当B I 从12A μ增大到22A μ, C I 从1mA 变为1.9mA , 那么它的β约为 。 A. 90 B. 83.3 C. 86.4 3.以下基本放大电路中, 电路不具有电压放大能力。 A.共射 B.共集 C.共基 4.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻e R ,将使电路的 。 A.差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大 5.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 。 A .温度 B. 掺杂工艺 C. 杂质浓度 6.为增大电压放大倍数,集成运放的中间级采用 。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 7.欲得到电流—电压转换电路,应在放大电路中引入 负反馈。 A.电压并联 B.电压串联 C.电流并联 D.电流串联 8.欲将方波转换成尖顶波电压,应选用 运算电路。 A.比例 B.加减 C.积分 D.微分 9.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可获得的最大 。 A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率 10. 在RC 桥式正弦波振荡电路中,当信号频率f =O f 时,RC 串并联网络呈 。 A.容性 B.阻性 C.感性 三、(本题10分)判断下图电路中是否引入了反馈,是直流反馈还是交流反馈,是正反馈还是负反馈,如果电路引入了交流负反馈,判断引入了哪种阻态。并估算此电路在深度负反馈条件下的源电压放大倍数。

电子技术基础总结

电子技术基础总结 电子技术基础总结怎么写?以下是小编整理的相关范文,欢迎阅读。 电子技术基础总结一由于中职学生理论基础差,同时又缺乏主动学习的自觉性,如果采用传统的教学方法会使学生认为学习难度大学不会因而失去学习的兴趣,致使课堂出现学生睡倒一片或不听课各行其事的现象。采用项目任务驱动式教学,重在培养学生完成工作和动手实践的能力。学生在具体的工作任务中遇到问题,就会带着问题主动学习,这样使学生变要我学习为我要学习,提高学习的主动性,这种教学模式既锻炼了学生解决实际问题的能力,同时也提高了教学质量和教学效率。 组织召开专题会 为了确保课改取得实效,机电一体化教研组组织有关教师召开专题会,就如何开展好课改工作进行讨论,认真听取这门课有经验老师的建议,制定出课改实施方案。 教学内容的选取原则 1、坚持课程与技能岗位相对接; 2、下企业调研岗位工作任务; 3、提取典型工作任务; 4、确定课程学习任务与技能目标; 5、注重培养学生的基本技能。

项目教学内容的确定 在对企业充分调研的基础上,进行工作任务的分类归总,提取企业典型工作任务,确定了涵盖电工基础、模电、数电三部分的八大块 内容共十三个学习情境。在确定的学习内容中较侧重电子部分,任务的层次也是由易到难,十三个学习情境如下图所示。 项目教学的组织实施 1、所谓项目教学法,就是在老师的指导下,将一个相对独立的项目交由学生自己处理,项目学习中有关信息的收集、方案的设计、项目实施及最终评价,都由学生自己负责,学生通过该项目的进行,了解并把握整个过程及每一个环节中的基本要求。 “项目教学法”最显著的特点是“以项目为主线、教师为引导、学生为主体”,具体表现在:目标指向的多重性;培训周期短,见效快;可控性好;注重理论与实践相结合。项目教学法是师生共同完成项目,共同取得进步的教学方法。 2、在项目教学法的具体实施过程中,学生们还是能够给予较积极配合的。《电工与电子技术》计划的每周7课时安排在一天内进行,其中2节为理论课时,其余5节为任务实训课。但由于教师人手不够,后改为4节理论,3节实训。相比于理论课,学生还是偏向于上实训课,更喜欢做训练动

电路分析基础学习总结

电路分析基础学习总结 通过电路基础的学习,我们的科学思维能力,分析 计算能力,实验研究能力和科学归纳能力有了很大的提高,为下学期我们学习电子技术打下了基础。 对于我们具体的学习内容,第一到第四章,主要讲 了电路分析的基本方法,以及电路等效原理等,而后面 的知识主要是建立在这四章的内容上的,可以说,学好 前面这四章的内容是我们学习电路基础的关键所在。在 这些基础的内容中又有很多是很容易被忽略的。对于第 五章的内容,老师让我们自主讲解的方式加深了我们的 印象,同时也让我们学会如何去预习,更好的把握重点,很符合自主学习的目的。至于第六章到第十章的内容则 完全是建立在前四章的内容上展开的,主要就是学会分 析电路图结构的方法,对于一二阶电路的响应问题,就 是能分析好换路前后未变量和改变量,以及达到稳态时 所求量的值。 对于老师上课方法的感想:首先感谢窦老师和杨老 师的辛苦讲课,窦老师声音洪亮,讲课思路清晰,让我 们非常受益,杨老师的外语水平让我们大开眼界,在中 文教学中,我们有过自主学习的机会,也让大家都自己 去讲台上讲课,加深了我们的印象,而且对于我们学习

能力有很大提高,再是老师讲课的思路,让我受益不凡,在这之中感受到学习电路的方法。在双语班的教学中, 虽然外语的课堂让我们感觉很有难度,有的时候甚至看 不懂ppt上的单词,临时上课的时候去查,但是老师上 课时经典的讲解确实很有趣味,不仅外语水平是一定的 锻炼,同时也是学习电路知识,感觉比起其他班的同学,估计这应该是一个特色点吧。 对于学习电路感想:学习电路,光上课听老师讲课 那是远远不够的,大学的学习都是自主学习,没有老师 的强迫,所以必须自己主动去学习,首先每次上完课后 的练习,我觉得很有必要,因为每次上完课时都感觉听 的很懂,看看书呢,也貌似都能理解,可是一到做题目 就愣住了,要么是公式没有记住,要么是知识点不知道 如何筛选,所以练习很重要,第二点,应该要反复回顾 已经学过的内容,只有反复记忆的东西才能更深入,不 然曾经学过的东西等到要用就全都忘记了,不懂得应该 多问老师,因为我们是小班,这方面,老师给了我们足 够的机会。 另外,我们电路分析基础的课程网站,里面的内容 已经比较详实,内容更新也比较快,经常展示一些新的 内容,拓宽了我们的视野。

《电路分析基础》期末试题3

电路分析课程试卷 一、填空题(5小题,每小题2分,共10分) 1.已知某电阻元件在非关联参考方向下的电压、电流分别为R U 、R I ,则此电阻元件吸收的功率R P =------------。 2.理想变压器是即时性元件,无记忆功能,不储存能量,唯一的计算参数 为:————— 。 3.使用叠加定理求解电路,当令某一激励源单独作用时,其它激励源应置零,即独立电压源用 (开路或短路)代替,独立电流源用 (开路或短路)代替 二、单项选择题(共8小题,每小题2分,共计16分) 6.如图所示电路,电阻ab R 为( ) A 2Ω B 4Ω C 6Ω D 3Ω 图6 7. 如图7所示,电路中产生功率的元件是:( ) A 仅是电压源 B 仅是电流源 C 电压源和电流源都产生功率 D 确定的条件不足 图7 8.如图8所示电路,电压源和电流源释放的功率分别为( ) A 12W ,-4W B –12W ,4W C 12W ,4W D –12W ,-4W 图8 9.如图9所示电路,开关K 断开前,电路已稳态。t =0时断开开关,则u (0+) 为( ) A 0V B 3V 用 4.正弦信号的三个基本要素指的是 、 和 。 5.RLC 串联电路谐振条件的数学表达式为:——————————。 10V + - 1A 20Ω

C 6V D –6V 图9 10.如图10所示电路,其时间常数τ为( ) A C R 2 B C R R R R 2 12 1+ C 2 R C D C R R R R 2 12 1+ 图10 11.如图11所示电路,I 1=9A ,I 2=8A ,I 3=3A ,则电流I 为( ) A 14A B 10A C 20A D 4A 图11 12. 如图12所示, 电源角频率ω=5rad/s ,则阻抗Z ab 等于:( ) A 2-j0.5Ω B 2-j2Ω C 2+j2Ω D 4+j2Ω 图12 13.如图13所示电路,)30cos(100)(?-=t t u ωV ,)30cos(20)(?+=t t i ωA , 则网络N 0的有功率P 为( ) A 500W B 1000W C 2000W D 4000W 三、判断题(每小题2分,共8分) 图13 14.电压源不允许短路,否则将产生很大电流而损坏电源。[ ] 15. 线性电路中电流和电压可用叠加定理计算,因此线性电路中功率也可以 用叠加定理计算。[ ] 16. 应用基尔霍夫定律计算出某支路电流是正值,表明该支路电流的参考方 向与实际方向相同。[ ] 17.在关联取向时,若电路的电流A t I i m )45sin( +=ω,电压 V t U u m )38sin( -=ω,则该电路是感性的。[ ] 2Ω a 0.4H b

电子技术基础期末复习资料(含答案)

11级电子技术基础期末复习资料 一.概念填空: 1.电路由电源负载中间环节三部分组成。 2.电路中电流数值的正或负与参考方向有关,参考方向设的不同,计算结果也不同。 3.理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关,流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4.由电路中某点“走”至另一点,沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5.相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6.电阻并联分流与分流电阻值成反比,即电阻值大者分得的电流小,且消耗的功率也小。 7.串联电阻具有分压作用,大电阻分得的电压大,小电阻分得的电压小功率也小。 8.实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9.在电路分析中,应用戴维南或诺顿定理求解,其等效是对外电路而言。 11 .常用的线性元件有电阻、电容、电感,常用的非线性元件有二极管和三极管。 12.二极管正向偏置,是指外接电源正极接二极管的阳(或正)极,外接电源负极接二极管 的阴(或负)极。 13.P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素,其多数载流子是空穴,少数

载流子是 自由电子 。 40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素,其多数载流子是 自由电 子 ,少数载流子是 空穴 。 14.若三极管工作在放大区,其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ; 三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则,如果电路在t=0时刻发生换路,则电容的电压u c(0+)= uc(0-) ,电 感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时,有三种可能的工作状态,它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38.3个输入的译码器,最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器,最多可译出 __16___(2×2×2×2)______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同,可将数字电路分为___组合 ______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A ——(B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20.两个电压值不同的理想电压源并联,在实际电路中将 不允许(或不存在) 。 33.两个电流值不同的理想电流源串联,在实际电路中将 不允许(或不存在) 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

《电路分析基础》期末试题(2008第1学期)(A)

重庆邮电大学2008--2009学年第1学期考试 专业:自动化、测控 年级:07 班级:8107、8207、8307 课程名:电路分析 (A 卷) 考核方式:闭卷 一、填空题(5小题,每小题2分,共10分) 1.已知某电阻元件在非关联参考方向下的电压、电流分别为R U 、R I ,则 此电阻元件吸收的功率R P =------------。 2.理想变压器是即时性元件,无记忆功能,不储存能量,唯一的计算参数 为:————— 。 3.使用叠加定理求解电路,当令某一激励源单独作用时,其它激励源应置零,即独立电压源用 (开路或短路)代替,独立电流源用 (开路或短路)代替 二、单项选择题(共8小题,每小题2分,共计16分) 6.如图所示电路,电阻ab R 为( ) A 2Ω B 4Ω C 6Ω D 3Ω 图6 7. 如图7所示,电路中产生功率的元件是:( A 仅是电压源 B 仅是电流源 C 电压源和电流源都产生功率 D 确定的条件不足 图7 4.正弦信号的三个基本要素指的是 、 和 。 5.RLC 串联电路谐振条件的数学表达式为:——————————。

8.如图8所示电路,电压源和电流源释放的功率分别为( ) A 12W ,-4W B –12W ,4W C 12W ,4W D –12W ,-4W 图8 9.如图9所示电路,开关K 断开前,电路已稳态。t =0时断开开关,则u (0+) 为( ) A 0V B 3V C 6V D –6V 图9 10.如图10所示电路,其时间常数τ为( ) A C R 2 B C R R R R 2 12 1+ C 2 R C D C R R R R 2 12 1+ 图10 11.如图11所示电路,I 1=9A ,I 2=8A ,I 3=3A ,则电流I 为( ) A 14A B 10A C 20A D 4A 图11 12. 如图12所示, 电源角频率ω=5rad/s ,则阻抗Z ab 等于:( ) A 2-j0.5Ω B 2-j2Ω C 2+j2Ω D 4+j2Ω 图12 13.如图13所示电路, )30cos(100)(?-=t t u ωV ,)30cos(20)(?+=t t i ωA ,则网络N 0的有功率P 为( ) A 500W B 1000W C 2000W D 4000W 三、判断题(每小题2分,共8分) 图13 2Ω

电路分析基础期末试卷及参考答案.doc

桂林电子科技大学试卷 2018-2019 学年第一学期课号BT122003_01 课程名称电路分析基础(A、B卷;开、闭卷)适用班级(或年级、专业)17 电子信息类 考试时间120分钟班级学号姓名 题号一二三四五六七八九十成绩 满分 装 得分 评卷人 得分评卷人一.选择题:本大题共 10 个小题,每小题 3 分,共 30 分,在订每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题意要求的,把所 选项前的字母填在题后的括号内。 线1、图 1 所示电路中,已知电流 I 3A ,则 a、b 两端的电压 U =( ) A )- 10V B ) 10V C) 50V D )- 20V 2、图 2 所示电路中,已知元件 A 放出功率 10W,则电流I =() A ) 1A B ) 2A C)- 1A D ) 5A 内 a 10Ω - + I I U A 20V 请 - b ++ 10V - 图 1 图 2 勿3、电路如图 3 所示, 10Ω电阻吸收的功率为 ( ) A ) 1W B ) 0. 9W C) 10W D) 3W 4、图 4 所示电路原来处于稳态,i s 2 cos 2t A 。 t 0 时开关闭合,则换路瞬间的电感电流 答i L (0 ) 为 ( ) A ) 1A B ) 0.5A C) cos 2t A D ) 2 cos 2t A + 2Ω 1A i s 题12V 10ΩS 2H +2Ω t=0 -9V i L - 图 3 图 4

4 a 5、如图 5 所示单口网络的等效电阻等于() - A) 2Ω B ) 4Ω C ) 6ΩD)-2Ω 2 i + b 图 5 6、如图 6 所示单口网络相量模型的等效阻抗等于() A) (3+j4) a + B) (0.33-j0.25) j 4 C) (1.92+j1.44) 3 _ D) (0.12+j0.16) b 图 6 7、某电路的阻抗为Z 10 j 5 ,则该电路的导纳Y 的实部为 ( ) A ) 0.2S B) 0.08S C) 0.04S D) 0.1S 8、如图7 所示电路中负载获得的最大平均功率等于() 5 1F A ) 2.5W B ) 5W C) 10W D) 20W + u s Z L _ u s (t )10 cos(3t)V 图 7 9、如图 A ) 0.01 8 所示谐振电路的品质因数为( B) 1C) 10D) 100 ) i s 100 1H 1F 图 8 10、如图 9 所示二端网络的功率因数为() A ) 0 B ) 1 C)- 0.707 D ) 0.707 12Ωj6Ω +

电子技术基础期末复习

第1章检测题 一、填空题:(每空0.5分,共25分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。 3、PN结正向偏置时,外电场的方向与电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散运动起削弱作用,对少子的漂移运动起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。 5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,则红表棒接触的电极是二极管的阴极;黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿损坏;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化不通。 6、单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。 二、判断正误:(每小题1分,共10分) 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错) 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。(错) 3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。(错) 4、PN结正向偏置时,其外电场方向一致。(错) 5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错) 6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。(对)

电路分析基础_期末考试试题与答案

命题人: 审批人: 试卷分类(A 卷或B 卷) A 大学 试 卷 学期: 2006 至 2007 学年度 第 1 学期 课程: 电路分析基础I 专业: 信息学院05级 班级: 姓名: 学号: (本小题5分) 求图示电路中a 、b 端的等效电阻R ab 。 1 R R ab =R 2 (本小题6分) 图示电路原已处于稳态,在t =0时开关打开, 求则()i 0+。 Ω

i(0+)=20/13=1.54A ( 本 大 题6分 ) 求图示二端网络的戴维南等效电路。 1A a b u ab =10v, R 0=3Ω (本小题5分) 图示电路中, 电流I =0,求U S 。 Us=6v

(本小题5分) 已知某二阶电路的微分方程为 d d d d 22 81210u t u t u ++= 则该电路的固有频率(特征根)为____-2________和___-6______。该电路处于___过_____阻 尼工作状态。 (本小题5分) 电路如图示, 求a 、b 点对地的电压U a 、U b 及电流I 。 U a =U b =2v, I=0A. ( 本 大 题10分 ) 试用网孔分析法求解图示电路的电流I 1、I 2、I 3。 I 1=4A, I 2=6A, I 3=I 1-I 2=-2A (本小题10分) 用节点分析法求电压U 。

U U=4.8V ( 本 大 题12分 ) 试用叠加定理求解图示电路中电流源的电压。 3V 4A 单独作用时,u ’=8/3V; 3V 单独作用时,u ’’=-2V; 共同作用时,u=u ’+u ’’=2/3V 。 十、 ( 本 大 题12分 ) 试求图示电路中L R 为何值时能获得最大功率,并计算此时该电路效率

数字电子技术基础期末试题及答案

数字电子技术基础期末 试题及答案 Company number:【WTUT-WT88Y-W8BBGB-BWYTT-19998】

一、填空题:(每空1分,共16分) 1.逻辑函数有四种表示方法,它们分别是(真值表)、( 逻辑图 )、( 逻辑表达式 )和( 卡诺图 )。 2.将2004个“1”异或起来得到的结果是( 0 )。 3.目前我们所学的双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是( TTL )电路和( CMOS )电路。 4.施密特触发器有( 两 )个稳定状态.,多谐振荡器有( 0 )个稳定状态。 5.已知Intel2114是1K* 4位的RAM 集成电路芯片,它有地址线( 10 )条,数据线( 4 )条。 6.已知被转换的信号的上限截止频率为10kHz ,则A/D 转换器的采样频率应高于( 20 )kHz ;完成一次转换所用的时间应小于( 50 )。 7.GAL 器件的全称是( 通用阵列逻辑 ),与PAL 相比,它的输出电路是通过编程设定其( 输出逻辑宏单元 )的工作模式来实现的,而且由于采用了( E 2CMOS )的工艺结构,可以重复编程,使用更为方便灵活。 二、根据要求作题:(共16分) 1. 试画出用反相器和集电极开路与非门实现逻辑函数 C B AB Y +=。 解:1. 2、图1、2中电路由TTL 门电路构成,图3由 CMOS 门电路构 成,试分别写出F1、F2、F3的表 达式。 F C F B A F = =+=321; ;解:.2. 三、已知电路及输入波形如图4(a )(b )所示,其中FF1是D 锁存器,FF2是维持-阻塞D 触发器,根据CP 和D 的输入波形画出Q1和Q2的输出波形。设触发器的初始状态均为0。 (8分) 解: R +

最新模拟电子技术基础总结

第一章晶体二极管及应用电路 一、半导体知识 1.本征半导体 ·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅(Si)和锗(Ge)(图1-2)。前者是制造半导体IC的材料(三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料)。 ·纯净(纯度>7N)且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发或产生)(图1-3)。本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高,本征激发越强。 +载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶·空穴是半导体中的一种等效q +电荷的空位宏观定向运动(图1-4)。 格中的空位,使局部显示q ·在一定的温度下,自由电子与空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。复合是产生的相反过程,当产生等于复合时,称载流子处于平衡状态。 2.杂质半导体 ·在本征硅(或锗)中渗入微量5价(或3价)元素后形成N型(或P型)杂质半导体(N型:图1-5,P型:图1-6)。 ·在很低的温度下,N型(P型)半导体中的杂质会全部电离,产生自由电子和杂质正离子对(空穴和杂质负离子对)。 ·由于杂质电离,使N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴,而P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。 ·在常温下,多子>>少子(图1-7)。多子浓度几乎等于杂质浓度,与温度无关;两少子浓度是温度的敏感函数。 ·在相同掺杂和常温下,Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。 3.半导体中的两种电流 在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流(这与金属导电一致);还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。 4.PN结 ·在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近,会形成一个特殊的薄层——PN结(图1-8)。 ·PN结是非中性区(称空间电荷区),存在由N区指向P区的内建电场和内建电压;PN结内载流子数远少于结外的中性区(称耗尽层);PN结内的电场是阻止结外两区的 仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除谢谢1

电子技术基础期末考试考试卷及答案

9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是() 10.电路如下图所示,若初态都为0,则n+1=1Q 的是() 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是() A.31B.32C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为的计数器() A.n B.2n C.n 2 D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010,当最低位接收到10个脉冲时,触发器状态为() A.0010B.0100C.1100D.1111 14.下图所示的电路中,正确的并联型稳压电路为() 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中,若要使输出电压为60V ,则变压器的次级电压应为() A.50VB.60VC.72VD.27V 二、判断题(本大题共5小题,每小题3分,共15分)(对打√,错打×) 16.P 型半导体中,多数载流子是空穴( ) 17.环境温度升高时,半导体的导电能力将显著下降( ) 18.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开() 19.稳压二极管工作在反向击穿区域() 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件()

注:将选择题和判断题答案填写在上面的表格里,否则该题不得分 三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK触发器可避免RS触发器状态出现。与RS触发器比较,JK触发器增加了功能; 22.寄存器存放数码的方式有和两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线; 24.常见的滤波器有、和; 25.现有稳压值为5V的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则V0=。 四、应用题(本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 26.(10分)某JK触发器的初态Q=1,CP的下降沿触发,试根据下图所示的CP、J、K的波形,画出输出Q和Q的波形。27.(9分)如下图所示电路,测得输出电压只有0.7V,原因可能是: (1)R开路;(2)R L开路;(3)稳压二极管V接反; (4)稳压二极管V短路。应该是那种原因,为什么? 28.(16分)分析下图所示电路的工作原理,要求: (1)列出状态表,状态转换图;(2)说明计数器类型。

数字电子技术基础学习总结

数字电子技术基础学习总结 光阴似箭,日月如梭。有到了这个学期的期末,对我来说又是一次对知识的大检查。 这学期总共学习了4章,分别是数字逻辑基础、逻辑门电路基础、组合逻辑电路、触发器。 在第一章学习数字逻辑基础包括模拟信号与数字信号、数字电路、数制、各种数制之间的转换和对应关系表、码制(BCD码、格雷码、ASCII码)、逻辑问题的描述(这个是重点)、逻辑函数的五种描述方法、逻辑函数的化简; 在数制里学习四种进制十进制、二进制、八进制、十六进制;十进制是逢十进一,二进制是逢二进一,在八进制中只是二进制的一种简便表示方法而已,它的规律是逢八近一,而十六进制有09ABCDEF十六个数码这个要记住和一些算法。 比如十进制的534,八进制为1026,过程为: 534/8=66,余数为6; 66/8=8,余数为2; 8/8=1,余数为0; 1/8=0,余数为1;

仍然是从下往上看这些余数,顺序写出,答案为1026 所以在数制的之间转换有5种转换,10和2转换(除2取余数法,如上题一样),10和8转换对整数除8取余,对小数点乘8取整。10和16转换对整数除16取余,对小数点乘16取整,2和8转换对应关系3位二进制对应1位八进制可看对应关系图。2和16转换4位二进制对应1位十六进制数,可看对应关系图。 在码制的学习中学习了3种码BCD码、格雷码、ASCII码。 BCD码:用4位二进制数来表示1位十进制数中的0~9这10个数码,简称BCD码,还有几个常用的BCD码:8421(常用)、5421、2421、余3。 如8421码321的8421码就是(查表) 3 2 1 0011 0010 0001 原因:0011=8x0+4x0+1x2+1x1=3 、 0010=8x0+4x0+2x1+1x0=2、0001=8x0+4x0+2x0+1x1=1; 格雷码:有两个特点1相邻性2循环性。

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