EVA计算方法 说明: 经济增加值(EVA)＝税后净营业利润（NOPAT）－资本成本（cost of capital） 资本成本＝资本×资本成本率 由上知，计算EVA可以分做四个大步骤：（1）税后净营业利润（NOPAT）的计算; (2)资本的计算；(3)资本成本率的计算；（4）EVA的计算。下面列出EVA的计算步骤，并以深万科（0002）为例说明EVA（2000年）的计算。 深万科（0002）简介： 公司名称：万科企业股份有限公司公司简称：深万科Ａ上市日期：1991-01-29 上市地点：上海证券交易所行业：房地产业股本结构：A 股398711877股，B股121755136 股，国有股、境内法人股共110504928股，股权合计数：630971941股。 一、税后净营业利润（NOPAT）的计算 1．以表格列出的计算步骤 下表中，最左边一列（以IS开头）代表损益表中的利润计算步骤，最右边一列（以NOPAT开头）代表计算EVA所用的税后净营业利润（NOPAT）的计算步骤。空格代表在计算相应指标（如NOPAT）的步骤中不包含该行所对应的项。
损益表中的利润计算步骤 税后净营业 利润 （NOPAT） 的计算步骤主营业务收入 - 销售折扣和折让- - 主营业务税金及附加- - 主营业务成本- 主营业务利润 + 其它业务利润+ 当年计提或冲销的坏帐准备+ - 当年计提的存货跌价准备 - 管理费用- - 销售费用- = 营业利润/调整后的营业利润 + 投资收益+
= 总利润/税前营业利润 - EVA税收调整* - = 净利润/税后净营业利润 2. 计算公式：(蓝色斜体代表有原始数据，紫色下划线代表此数据需由原始数据推算出) （1）税后净营业利润=主营业务利润＋其他业务利润＋当年计提或冲销的坏帐准备—管理费用—销售费用＋长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息＋投资收益—EVA税收调整 注：之所以要加上长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息是因为sternstewart公司在计算长期负债的利息支出时，所用的长期负债中包含了其实不用付利息的长期应付款，其他长期负债和住房公积金。即，高估了长期负债的利息支出，所以需加回。 （2）主营业务利润＝主营业务收入—销售折扣和折让—营业税金及附加—主营业务成本 注: 主营业务利润已在sternstewart公司所提供的原始财务数据中直接给出 (3)EVA税收调整=利润表上的所得税＋税率×（财务费用＋长期应
半导体存储器（解说） ——分类、结构和性能—— 作者：Xie M. X. (UESTC ，成都市) 计算机等许多系统中都离不开存储器。存储器就是能够存储数据、并且根据地址码还可以读出其中数据的一种器件。存储器有两大类：磁存储器和半导体存储器。 （1）半导体存储器的分类和基本结构： 半导体存储器是一种大规模集成电路，它的分类如图1所示。半导体存储器根据其在切断电源以后能否保存数据的特性，可区分为不挥发性存储器和易挥发性存储器两大类。磁存储器也都是不挥发性存储器。 半导体存储器也可根据其存储数据的方式不同，区分为随机存取存储器（RAM ）和只读存储器（ROM ）两大类。RAM 可以对任意一个存储单元、以任意的次序来存/取（即读出/写入）数据，并且存/取的时间都相等。ROM 则是在制造时即已经存储好了数据，一般不具备写入功能，只能读出数据（现在已经发展出了多种既可读出、又可写入的ROM ）。 半导体存储器还可以根据其所采用工艺技术的不同，区分为MOS 存储器和双极型存储器两种。采用MOS 工艺制造的称为MOS 存储器；MOS 存储器具有密度高、功耗低、输入阻抗高和价格便宜等优点，用得最多。采用双极型工艺制造的，称为双极型存储器；双极型存储器的优点就是工作速度高。 半导体存储器的基本结构就是存储器阵列及其它电路。存储器阵列（memory array ）是半导体存储器的主体，用以存储数据；其他就是输入端的地址码缓存器、行译码器、读出放大器、列译码器和输出缓冲器等组成。 各个存储单元处在字线（WL ，word line ）与位线（BL ，bit line ）的交点上。如果存储器有N 个地址码输入端，则该存储器就具有2N 比特的存储容量；若存储器阵列有2n 根字线，那么相应的就有2N n 条位线（相互交叉排列）。 在存储器读出其中的数据时，首先需通过地址码缓存器把地址码信号送入到行译码器、并进入到字线，再由行译码器选出一个WL ，然后把一个位线上得到的数据（微小信号）通过读出放大器进行放大，并由列译码器选出其中一个读出放大器，把放大了的信号通过多路输出缓冲器而输出。 在写入数据时，首先需要把数据送给由列译码器选出的位线，然后再存入到位线与字线相交的存储单元中。当然，对于不必写入数据的ROM （只读存储器）而言，就不需要写入电路。 图1 半导体存储器的分类
1.1 半导体基础知识概念归纳 本征半导体定义：纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 电流形成过程：自由电子在外电场的作用下产生定向移动形成电流。 绝缘体原子结构：最外层电子受原子核束缚力很强，很难成为自由电子。 绝缘体导电性：极差。如惰性气体和橡胶。 半导体原子结构：半导体材料为四价元素，它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚，也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧。 半导体导电性能：介于半导体与绝缘体之间。 半导体的特点： ★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。 ★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。 晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。 共价键结构：相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。 自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。 空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。 电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。 空穴电流：价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。 本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。 载流子：运载电荷的粒子称为载流子。 导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。 本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。 本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。 复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，
第7章半导体存储器 内容提要 半导体存储器是存储二值信息的大规模集成电路，本章主要介绍了（1）顺序存取存储器（SAM）、随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）的工作原理。 （2）各种存储器的存储单元。 （3）半导体存储器的主要技术指标和存储容量扩展方法。 （4）半导体存储器芯片的应用。 教学基本要求 掌握： （1）SAM、RAM和ROM的功能和使用方法。 （2）存储器的技术指标。 （3）用ROM实现组合逻辑电路。 理解SAM、RAM和ROM的工作原理。 了解： （1）动态CMOS反相器。 （2）动态CMOS移存单元。 （3）MOS静态及动态存储单元。 重点与难点 本章重点： （1）SAM、RAM和ROM的功能。
（2）半导体存储器使用方法（存储用量的扩展）。 （3）用ROM实现组合逻辑电路。 本章难点：动态CMOS反相器、动态CMOS移存单元及MOS静态、动态存储单元的工作原理。 7.1 半导体存储器及分类 半导体存储器是存储二值信息的大规模集成电路，是现代数字系统的重要组成部分。半导体存储器分类如下： 按制造工艺分，有双极型和MOS型两类。双极型存储器具有工作速度快、功耗大、价格较高的特点。MOS型存储器具有集成度高、功耗小、工艺简单、价格低等特点。 按存取方式分，有顺序存取存储器（SAM）、随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）三类。 （1）顺序存取存储器（简称SAM）：对信息的存入（写）或取出（读）是按顺序进行的，即具有“先入先出”或“先入后出”的特点。 （2）随机存取存储器（简称RAM）：可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。根据所采用的存储单元工作原理的不同，又将
经济增加值(eva)计算方式 (四)（Economic value added (EVA) calculation (four)） Next, the calculation method of economic value added is introduced The calculation model of EVA is given below. Computational model of 1 and EVA Economic value added = net operating profit after tax - cost of capital = net operating profit after tax - total capital * weighted average cost of capital Among them: Net operating profit after tax net profit after tax interest expense + = + + minority income this year amortization of goodwill + deferred tax credit balances increase reserve balances increased + + other capitalized research and development costs, capitalized research and development costs in the years of amortization Total capital = common equity + minority interests + deferred tax credit (debit balance is negative) + + (cumulative amortization of goodwill reserve inventory impairment provision for bad debts, etc.) + + + capitalization amount of short-term loans for research and development costs of long term loan + short-term long-term loans due in part
现代计算机存储介质材料的相关介绍以及发展 摘要： 主要介绍了存储介质的发展过程，以及目前存储介质的分类，最后简述了根据各种存储介 质的特性而衍生出的新的存储介质材料，并从其性价比进行了分析。 关键字： 存储介质，闪存，混合硬盘，磁光盘存储介质，强电介质存储，双向一致存储器，光学体 全息存储 引言： 存储介质的评测和分析对构建文件系统过程如何选取存储设备具有重要的指导作用，对文件系统的研究也有参考价值，所以分析存储介质材料，对从价格、容量、读写速度方面选 择存储设备以及存储体系结构的发展起着十分重要的作用。例如软盘、光盘、DVD、硬盘、闪存、U盘、CF卡、SD卡、MMC卡、SM卡、记忆棒（Memory Stick）、xD卡等都属于存储介质。而目前最流行的存储介质是基于闪存的，比如U盘、CF卡、SD卡、SDHC卡、MMC 卡、SM卡、记忆棒、xD卡等。 正文： 计算机存储介质是计算机存储器中用于存储某种不连续物理量的媒体，是存储数据的载 体。 1、存储介质的发展史： 不可否认软盘在很长的一段时间内成为了无可替代的移动存储介质，但进入20世纪90年代，软盘相对较小的容量已经无法满足日益庞大的数据存储需求，人们开 始寻找一种可以取代软盘的移动存储方案。 1994年，美国Iomega公司开始推出一种名为“ZIP”的驱动器，就容量而言，ZIP 盘片100MB的容量已经足以满足当时的移动存储需求，极有可能取代 3.5英寸软盘长达十数年的统治地位，成为主流的移动存储介质。然而，Iomega并没有成功地抓住这一次机会。 直到1996年，M-Systems、Trek、朗科等公司抓住了USB（通用串行总线）标准发展的契机，推出了一个由USB接口和闪存（Flash Memory）组成的移动存储装置， 也就是如今广泛流行的闪存盘。这种无论是体积还是容量都比软盘好许多的新产品 很快取代了 3.5英寸软盘的地位。 在闪存盘迅速占领市场的同时，许多的公司开始为争夺闪存盘的发明权争论和打官司。他们无不声称是自己第一个设想、设计或者生产出了类似闪存盘的产品，而 且，他们当中的某些公司分别在不同的国家申请了相关的专利，相关的争论一直没 有结束，或许，未来也不会得出任何结果。 移动存储介质的研究仍然在继续着。1998年，两个德国科学家发现数据还可以被存储在胶带之中，相关的技术目前主要用于全息影像图鉴定领域。而1999年发布的SD存储卡则彻底地颠覆了消费类电子产品世界。Iomega也在2003年再次推出了新 的移动存储装置REV移动硬盘，但这一次仍旧是未能获得成功。 总的来说，当前使用最为广泛的移动存储介质仍旧是CD-R、DVD-R(±)以及闪存盘2、存储介质的分类: 1）半导体存储器 利用双稳态触发器存储信息（动态存储器除外）速度快，信息易丢失（只读存储器 除外）。常用作主存、高速缓存器。 2)磁芯存储器
我们知道，电子电路是由晶体管组成，而晶体管是由半导体制成的。所以我们在学习电子电路之前， 一定要了解半导体的一些基本知识。 这一章我们主要学习二极管和三极管的一些基本知识，它是本课程的基础，我们要掌握好在学习时我们把它的内容分为三节，它们分别是： 1、1 半导体的基础知识 1、2 PN结 1、3 半导体三极管 1、1 半导体的基础知识 我们这一章要了解的概念有：本征半导体、P型半导体、N型半导体及它们各自的特征。一:本征半导体 纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有：硅和锗。它们都是四价元素，原子结构的最外层轨道上有四个价电子，当把硅或锗制成晶体时，它们是靠共价键的作用而紧密联系在一起。 共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。我们用晶体结构示意图来描述一下；如图（1）所示：图中的虚线代表共价键。 在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流； 同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。 因此，在晶体中存在两种载流子，即带负电自由电子和带正电空穴，它们是成对出现的。二：杂质半导体 在本征半导体中两种载流子的浓度很低，因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性，这种半导体被称为杂质半导体。 1.N型半导体 在本征半导体中，掺入5价元素，使晶体中某些原子被杂质原子所代替，因为杂质原子最外层有5各价电子，它与周围原子形成共价键后，还多余一个自由电子，因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是，电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数，与掺杂无关。在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 2.P型半导体 在本征半导体中，掺入3价元素，晶体中的某些原子被杂质原子代替，但是杂质原子的最外层只有3个价电子，它与周围的原子形成共价键后，还多余一个空穴，因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中，自由电子是少数载流子，空穴使多数载流子。 1、2 P—N结
EVA 计算方法 说明: 经济增加值(EV A)＝税后净营业利润（NOPA T ）－资本成本（cost of capital ） 资本成本＝资本×资本成本率 由上知，计算EV A 可以分做四个大步骤： （1）税后净营业利润（NOPA T ）的计算; (2)资本的 计算； (3)资本成本率的计算； （4）EV A 的计算。下面列出EV A 的计算步骤，并以深万科（0002）为例说明EV A （2000年）的计算。 深万科（0002）简介： 公司名称：万科企业股份有限公司 公司简称：深万科Ａ 上市日期：1991-01-29 上市地点：上海证券交易所 行业：房地产业 股本结构：A 股398711877股，B 股121755136 股，国有股、境内法人股共110504928股，股权合计数：630971941股。 一、税后净营业利润（NOPA T ）的计算 1． 以表格列出的计算步骤 下表中，最左边一列（以IS 开头）代表损益表中的利润计算步骤，最右边一列（以NOPA T 开头）代表计算EV A 所用的税后净营业利润（NOPA T ）的计算步骤。空格代表在计算相应指标（如NOPA T ）的步骤中不包含该行所对应的项。 损益表中的利润计算步骤 税后净营业 利润 （NOPA T ）的计算步骤 主营业务收入 - 销售折扣和折让 - - 主营业务税金及附加 - - 主营业务成本 - 主营业务利润 - 管理费用 - - 销售费用 - = 营业利润/调整后的营业利润 + 投资收益 + = 总利润/税前营业利润 - EVA 税收调整* - = 净利润/税后净营业利润
2.计算公式：(蓝色斜体代表有原始数据，紫色下划线代表此数据需由原始数据推算出) （1）税后净营业利润=主营业务利润＋其他业务利润＋当年计提或冲销的坏帐准备—管理费用—销售费用＋长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息＋投资收益—EV A 税收调整 注：之所以要加上长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息是因为sternstewart公司在计算长期负债的利息支出时，所用的长期负债中包含了其实不用付利息的长期应付款，其他长期负债和住房公积金。即，高估了长期负债的利息支出，所以需加回。 （2）主营业务利润＝主营业务收入—销售折扣和折让—营业税金及附加—主营业务成本注: 主营业务利润已在sternstewart公司所提供的原始财务数据中直接给出 (3)EV A税收调整=利润表上的所得税＋税率×（财务费用＋长期应付款，其他长期负债 和住房公积金所隐含的利息＋营业外支出－营业外收入－补贴收入） (4)长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息＝长期应付款，其他长期负债 和住房公积金×3～5 年中长期银行贷款基准利率 长期应付款，其他长期负债和住房公积金=长期负债合计—长期借款—长期债券 税率=0.33（从1998年，1999年和2000年） 说明：上面计算公式所用数据大多直接可以在sternstewart公司所提供的原始财务数据中找到（主营业务利润已直接给出）。而长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息需由原始财务数据推算得出。 3. 计算深万科的税后净营业利润（NOPAT 2000年） 首先计算出需由其他原始财务数据推算的间接数据项－长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息和EV A税收调整，然后利用计算结果及其他数据计算出NOPA T. （1）长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息的计算； 单位：元 长期负债合计123895991.54 减：长期借款80000000.00 减：长期债券 ――――――――――――――――――――――――――――― 长期应付款，其他长期负债和住房公积金43895991.54 乘：3～5 年中长期银行贷款基准利率 6.03％ 长期应付款，其他长期负债2646928.29 和住房公积金所隐含的利息 （2）EV A税收调整的计算； 财务费用1403648.37 加：长期应付款，其他长期负债2646928.29 和住房公积金所隐含的利息 加：营业外支出6595016.31 减：营业外收入23850214.53
半导体存储器及发展趋势 □于纪波 (山西经济管理干部学院,山西太原030024) 【摘 要】半导体存储器的容量和速度决定着计算机系统运行速度。目前CPU 芯片18个月一更新,为 了赶上这个速度,半导体存储器的发展也日新月异。 【关键词】半导体存储器;大容量;高速;低功耗 【中图分类号】TH866.5 【文献标识码】A 【文章编号】1008-9101(2002)02-0048-02 目前半导体存储器性能的发展还远远落后于CPU 性能的发展速度,今后存储器技术和市场仍将继续发展和繁荣,特别是在市场需求的驱动下,为了满足各种系统所提出的不同要求,科学家还在寻找和开发新的存储原理,发展新型的存储器。另一方面半导体存储器在大容量、高速度、低功耗和方便使用等方面有了突飞猛进的发展。 一、技术现状 半导体存储器是计算机中最重要的部件之一,冯.诺依曼计算机程序存储原理就是利用存储器的记忆功能把程序存放起来,使计算机可以脱离人的干预自动地工作。它的存取时间和存取容量直接影响着计算机的性能。随着大规模集成电路和存储技术的长足发展,半导体存储器的集成度以每三年翻两番的速度在提高,相同容量的存储器在计算机中的体积和成本所占用的比例已越来越小。 从使用功能角度看,半导体存储器可以分为两大类:随机存储器RAM (Random Access Memory )只读存储器ROM (Read only Memory )。根据工作原理和条件不同,RAM 又分别称为静态读写存储器SRAM (Static RAM )和动态读写存储器DRAM (Dynamic RAM )。 目前市场上SRAM 主要用于高速缓存Cache ,这种存储器位于CPU 和DRAM 主存储器之间,规模较小,但速度很快。SDRAM 正在淡出历史舞台,DDR (Double Date Rage RAM )在P4已经开始全面采用。DDR 称为双数据率SDRAM ,其特点也是在单个时钟周期的上升沿和下降沿内都传送数据,所以,具有比普通单数据率SDRAM 多1倍的传输速度和内存带宽。对于大型应用程序和复杂的3D 应用很合适。ROM 主要有可电擦除可编程的EEPROM ,在E 2PROM 和EEPROM 芯片技术基础上发展起来的快擦写存储器Flash Memory 、利用铁电材料的极化方向来存储数据的铁电读写存储器FRAM 。 二、存储器发展趋势 微处理器的高速发展使存储器发展的速度远不能满足CPU 的发展要求,而且这种差距还在拉大。目前世界各大半导体厂商,一方面在致力于成熟存储器的大容量化、高速化、 低电压低功耗化,另一方面根据需要在原来成熟存储器的基 础上开发各种特殊存储器。 1、存储器集成度不断提高 由于受到PC 机和办公自动化设备普及要求的刺激,对DRAM 需求量日益激增,再加上系统软件和应用软件对内存有越来越大要求的趋势,特别是新一代操作系统以及很多与图形图象有关的软件包都对内存容量提出了更大的要求,促使各大半导体厂商不断投入数以亿计的巨资发展亚微米集成电路技术,提高存储器的集成度,不断推出大容量化存储器芯片。在半导体领域一直遵循有名的“摩尔(Moore )定律”———集成度以每18月提高一倍的速度在发展。集成电路集成度越高,所需要采用的工艺线宽就越小,当达到半导体线度尺寸小于电子波长时,就会产生量子效应。为此正在发展一种称为硅量子细线技术和硅量子点技术的新工艺技术,可望把半导体细线做到10nm ,这样就可以进一步提高半导体的集成度,做出更大容量的存储器芯片。 2、高速存储器的发展 随着微处理器速度的飞速发展,存储器的发展远不能跟上微处理器速度的提高,而且两者的差距愈来愈大,这已经制约了计算机性能的进一步提高。目前一般把访问时间小于35ns 的存储器称为高速存储器。随着时间的推移,高速存储器访问的时间将越来越小。至今SRAM 与DRAM 比较,速度仍然快不少。80年代末起,随着G aAs 和BICMOS 工艺技术的长足发展,世界各大半导体公司都在开发利用G aAs 和BICMOS 工艺技术来提高SRAM 的速度。 为了适应高速CPU 构成高性能系统的需要,高速DRAM 技术在不断发展。发展高速DRAM 的途径目前一般是把注意力集中在存储器芯片的片外附加逻辑电路上,试图在片外组织连续数据流来提高单位时间内数据流量即增加存储器的带宽。 3、存储器的低工作电压低功耗化 随着用电池供电的笔记本式计算机和各种便携式带微处理器的电子产品的问世,要求尽量减少产品的体积、重量和功耗,还要求产品耐用。减小系统体积和重量很重要的方 收稿日期:2002.4.3 作者简介:于纪波(1959-),男,山东牟平人,1982年毕业于东北大学,学士,现工作于山西经济管理干部学院,高级工程师。 8 4June ,2002Vol.10 No.2 山西经济管理干部学院学报JOURNAL OF SHANXI INSTITU TE OF ECONOMIC MANAGEMENT 2002年6月 第10卷第2期
第一章半导体基础知识 〖本章主要内容〗 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。〖本章学时分配〗 本章分为4讲，每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 一、主要内容 1、半导体及其导电性能 根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能 本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象 当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。
半导体存储器分类介绍 § 1. 1 微纳电子技术的发展与现状 §1.1.1 微电子技术的发展与现状 上个世纪50年代晶体管的发明正式揭开了电子时代的序幕。此后为了提高电子元器件的性能，降低成本，微电子器件的特征尺寸不断缩小，加工精度不断提高。1962年，由金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）组装成的集成电路（IC）成为微电子技术发展的核心。 自从集成电路被发明以来[1,2]，集成电路芯片的发展规律基本上遵循了Intel 公司创始人之一的Gordon Moore在1965年预言的摩尔定律[3]：半导体芯片的集成度以每18个月翻一番的速度增长。按照这一规律集成电路从最初的小规模、中规模到发展到后来的大规模、超大规模（VLSI），再到现在的甚大规模集成电路（ULSI）的发展阶段。 随着集成电路制造业的快速发展，新的工艺技术不断涌现，例如超微细线条光刻技术与多层布线技术等等，这些新的技术被迅速推广和应用，使器件的特征尺寸不断的减小。其特征尺寸从最初的0.5微米、0.35 微米、0.25 微米、0.18 微米、0.15 微米、0.13 微米、90 纳米、65 纳米一直缩短到目前最新的32纳米，甚至是亚30纳米。器件特征尺寸的急剧缩小极大地提升了集成度，同时又使运算速度和可靠性大大提高，价格大幅下降。随着微电子技术的高速发展，人们还沉浸在胜利的喜悦之中的时候，新的挑战已经悄然到来。微电子器件等比例缩小的趋势还能维持多久？摩尔定律还能支配集成电路制造业多久？进入亚微米领域后，器件性能又会有哪些变化？这一系列的问题使人们不得不去认真思考。20世纪末
期，一门新兴的学科应运而生并很快得到应用，这就是纳电子技术。 §1.1.2 纳电子技术的应用与前景 2010年底，一篇报道英特尔和美光联合研发成果的文章《近距离接触25nm NAND闪存制造技术》[4]，让人们清楚意识到经过近十年全球范围内的纳米科技热潮，纳电子技术已逐渐走向成熟。电子信息技术正从微电子向纳电子领域转变，纳电子技术必将取代微电子技术主导21世纪集成电路的发展。 目前，半导体集成电路的特征尺寸已进入纳米尺度范围，采用32纳米制造工艺的芯片早已问世，25纳米制造技术已正式发布，我们有理由相信相信亚20纳米时代马上就会到来。随着器件特征尺寸的减小，器件会出现哪些全新的物理效应呢？ （1）量子限制效应。当器件在某一维或多维方向上的尺寸与电子的徳布罗意波长相比拟时，电子在这些维度上的运动将受限，导致电子能级发生分裂，电子能量量子化，出现短沟道效应、窄沟道效应以及表面迁移率降低等量子特性。 （2）量子隧穿效应。当势垒厚度与电子的徳布罗意波长想当时，电子便可以一定的几率穿透势垒到达另一侧。这种全新的现象已经被广泛应用于集成电路中，用于提供低阻接触。 （3）库仑阻塞效应。单电子隧穿进入电中性的库仑岛后，该库仑岛的静电势能增大e2/2C，如果这个能量远远大于该温度下电子的热动能K B T，就会出现所谓的库仑阻塞现象，即一个电子隧穿进入库仑岛后就会对下一个电子产生很强的排斥作用，阻挡其进入。 以上这些新的量子效应的出现使得器件设计时所要考虑的因素大大增加。目
EV A计算方法 说明: 经济增加值(EV A)＝税后净营业利润（NOPAT）－资本成本（cost of capital） 资本成本＝资本×资本成本率 由上知，计算EV A可以分做四个大步骤： （1）税后净营业利润（NOPAT）的计算; （2）资本的计算； （3）资本成本率的计算； （4）EV A的计算。 下面列出EV A的计算步骤，并以深万科（0002）为例说明EV A（2000年）的计算。 深万科（0002）简介： 公司名称：万科企业股份有限公司公司简称：深万科Ａ上市日期：1991-01-29 上市地点：上海证券交易所行业：房地产业股本结构：A股398711877 股，B股121755136 股，国有股、境内法人股共110504928股，股权合计数：630971941股。一、税后净营业利润（NOPAT）的计算 1．以表格列出的计算步骤 下表中，最左边一列（以IS开头）代表损益表中的利润计算步骤，最右边一列（以NOPA T 开头）代表计算EV A所用的税后净营业利润（NOPA T）的计算步骤。空格代表在计算相 应指标（如NOPA T）的步骤中不包含该行所对应的项。 损益表中的利润计算步骤 税后净营业 利润 （NOPAT） 的计算步骤主营业务收入 - 销售折扣和折让- - 主营业务税金及附加- - 主营业务成本- 主营业务利润 - 管理费用- = 营业利润/调整后的营业利润 + 投资收益+
= 总利润/税前营业利润 = 净利润/税后净营业利润 2.计算公式：(蓝色斜体代表有原始数据，紫色下划线代表此数据需由原始数据推算出) （1）税后净营业利润=主营业务利润＋其他业务利润＋当年计提或冲销的坏帐准备—管理费用—销售费用＋长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息＋投资收益—EV A 税收调整 注：之所以要加上长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息是因为sternstewart公司在计算长期负债的利息支出时，所用的长期负债中包含了其实不用付利息的长期应付款，其他长期负债和住房公积金。即，高估了长期负债的利息支出，所以需加回。 （2）主营业务利润＝主营业务收入—销售折扣和折让—营业税金及附加—主营业务成本注: 主营业务利润已在sternstewart公司所提供的原始财务数据中直接给出 (3)EVA税收调整=利润表上的所得税＋税率×（财务费用＋长期应付款，其他长期负债 和住房公积金所隐含的利息＋营业外支出－营业外收入－补贴收入） (4)长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息＝长期应付款，其他长期负债 和住房公积金×3～5 年中长期银行贷款基准利率 长期应付款，其他长期负债和住房公积金=长期负债合计—长期借款—长期债券 税率=0.33（从1998年，1999年和2000年） 说明：上面计算公式所用数据大多直接可以在sternstewart公司所提供的原始财务数据中找到（主营业务利润已直接给出）。而长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息需由原始财务数据推算得出。 3. 计算深万科的税后净营业利润（NOPAT 2000年） 首先计算出需由其他原始财务数据推算的间接数据项－长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息和EV A税收调整，然后利用计算结果及其他数据计算出NOPA T. （1）长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息的计算； 单位：元 长期负债合计123895991.54 减：长期借款80000000.00 减：长期债券 ――――――――――――――――――――――――――――― 长期应付款，其他长期负债和住房公积金43895991.54 乘：3～5 年中长期银行贷款基准利率 6.03％ 长期应付款，其他长期负债2646928.29 和住房公积金所隐含的利息 （2）EV A税收调整的计算； 财务费用1403648.37
EVA 计算方法 说明: 经济增加值（EVA ）=税后净营业利润（NOPAT ）—资本成 本（cost of capital ） 资本成本=资本x 资本成本率 由上知，计算EVA 可以分做四个大步骤： （1 ）税后净 营 业利润（NOPAT ）的计算;（2）资本的计算；（3）资本成本率的计算； （4） EVA 的计算。下面列出EVA 的计算步骤，并以深万科（0002 ） 为例说明EVA （2000年）的计算。 深万科（0002 ）简介： 公司名称：万科企业股份有限公司 A 上市日期：1991-01-29 股 398711877 股，B 股 121755136 股共110504928 股，股权合计数：630971941 股 一、税后净营业利润（NOPAT ）的计算 1 .以表格列出的计算步骤 下表中，最左边一列（以IS 开头）代表损益表中的利润计算步骤， 最右边一列（以NOPAT 开头）代表计算EVA 所用的税后净营业利 润（NOPAT ）的计算步骤。空格代表在计算相应指标（如NOPAT ） 的步骤中不包含该行所对应的 公司简称：深万科 上市地点：上海证券交 易所 行业：房地产业 股本结构：A 股，国有股、境内法人
项。
= 总利润/税前营业利润
-EVA税收调整* - 少数股东权益 = 净利润/税后净营业利润 2.计算公式：（蓝色斜体代表有原始数据，紫色下划线代表此数据需 由原始数据推算出） （1）税后净营业利润二主营业务利润+其他业务利润+当年计提或冲销的坏帐准备一管理费用一销售费用+长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息 +投资收益一EVA税收调整 注：之所以要加上长期应付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息是因为sternstewart公司在计算长期负债的利息支出时，所用的长期负债中包含了其实不用付利息的长期应付款，其他长期负债和住房公积金。即，高估了长期负债的利息支出，所以需加回。 （2）主营业务利润=主营业务收入一销售折扣和折让一营业税金及附加一主营业务成本 注：主营业务利润已在sternstewart公司所提供的原始财务数据中直接给出 ⑶EVA税收调整二利润表上的所得税+税率x（财务费用+长期应 付款，其他长期负债和住房公积金所隐含的利息 +营业外支出- 营业外收
半导体存储器的分类 一．ROM只读存储器，英文名为ROM（Read Only Memory）,所谓只读，从字面上理解就是只可以从里面读出数据，而不能写进去，ROM就是单片机用来存放程序的地方。只要让存储器满足一定的条件就能把数据预先写进去（用指令编写好程序，再将程序编译成机器码hex文件，用编程器写入单片机集成电路中。）二．Flash ROM是一种快速存储式只读存储器，这种程序存储器的特点是既可以电擦写，而且掉电后程序还能保存，编程寿命可以达到一千次左右，可以反复烧写的。目前新型的单片机都采用这种程序存储器。 还有两种早期的程序存储器产品：PROM，EPROM和EEPROM。 （1） PROM：被称为可编程只读存储器，只能写一次，不能重新擦写，习惯上我们把带这种程序存储器的单片机称为OTP型单片机。存储器容量单位1KB＝1024B；1MB＝1024KB；1GB＝1024MB。 （2）EPROM；称之为紫外线擦除的可编程只读存储器，它里面的内容写上去之后，如果觉得不满意，可以用一个特殊的方法去掉后重写，就是用紫外线照射，这种芯片可以擦除的次数也是有限的，几十次吧，电脑上的BIOS芯片采用的就是这种结构的存储器。 （3） EEPROM：而这种存储器可以直接用电擦写，比较方便数据的改写，它有点类似以Flash存储器，但比Flash存储器速度要慢，现在新型的外部扩展存储器都是这种结构的。 三．RAM：了解了ROM，我们再来讲另外一种存储器，叫随机存取存储器，也叫内存，英文缩写为RAM（Random Access Memory），它是一种既可以随时改写，也可以随时读出里面数据的存储器，类似以我们上课用的黑板，可以随时写东四上去，也可以用黑板擦随时擦掉重写，它也是单片机的重要组成部分，单片机中很多功能寄存器都与它有关。
经济增加值(EVA)计算方式(四) 八 下介绍经济增加值的计算方式 下面给出EVA的计算模式。 1、EVA的计算模型 经济附加值= 税后净营业利润—资本成本 = 税后净营业利润—资本总额* 加权平均资本成本 其中： 税后净营业利润= 税后净利润+ 利息费用+ 少数股东损益+ 本年商誉摊销+ 递延税项贷方余额的增加+ 其他准备金余额的增加+ 资本化研究发展费用—资本化研究发展费用在本年的摊销 资本总额= 普通股权益+ 少数股东权益+ 递延税项贷方余额（借方余额则为负值）+ 累计商誉摊销+ 各种准备金（坏帐准备、存货跌价准备等）+ 研究发展费用的资本化金额+ 短期借款+ 长期借款+ 长期借款中短期内到期的部分 加权平均资本成本= 单位股本资本成本+ 单位债务资本成本。 2、报表和账目的调整。 由于根据会计准则编制的财务报表对公司绩效的反映存在部分失真，在计算经济附加值时需要对一些会计报表科目的处理方法进行调整。 Stern Stewart财务顾问公司列出了160多项可能需要调整的会计项目，包括存货成本、重组费用、税收、营销费用、无形资产、货币贬值、坏帐准备金、重组费用以及商誉摊销等。但在考察具体企业时，一般一个企业同时涉及的调整科目不超过15项。但由于EVA是Stern Stewart财务顾问公司注册的商标，其具体的账目调整和运算目前尚没有对外公开。 （1）、单位债务资本成本 单位债务资本成本指的是税后成本，计算公式如下： 税后单位债务资本成本=税前单位债务资本成本*（企业所得税税率）
我国上市公司的负债主要是银行贷款，这与国外上市公司大量发行短期票据和长期债券的做法不同，因此可以以银行贷款利率作为单位债务资本成本。 根据有关研究，我国上市公司的短期债务占总债务的90%以上，由于我国的银行贷款利率尚未放开，不同公司贷款利率基本相同。因此，可用中国人民银行公布的一年期流动资金贷款利率作为税前单位债务资本成本，并根据央行每年调息情况加权平均。不同公司的贷款利率实际上存在一定差别，可根据自身情况进行调整。 （2）、单位股本资本成本 单位股本资本成本是普通股和少教股东权益的机会成本。通常根据资本资产价模型确定，计算公式如下： 普通股单位资本成本=无风险收益+β*市场组合的风险溢价 其中无风险利率可采用5年期银行存款的内部收益率。 国外一般以国债收益作为无风险收益表，我国的流通国债市场规模较小，居民的无风险投资以银行存款为主，因此以5年期银行存款的内部收益率代替。随着国债市场发展，将来也可以国债收益率为基准。 β 系数反映该公司股票相对于整个市场（一般用股票市场指数来代替）的系统风险，β系数越大，说明该公司股票相对于整个市而言风险越高，波动越大。 β值可通过公司股票收益率对同期股票市场指数（上证综指）的收益率回归计算得来。 市场组合的风险溢价反映整个证券市场相对于无风险收益率的溢价，目前有一些学者将我国的市场风险溢价定为4%。 （3）、研究发展费用和市场开拓费用 现行会计制度规定，公司必须在研究发展费用和市场开拓费用发生的当年将期间费用一次性予以核销。这种处理方法实际上否认了两种费用对企业未来成长所起的关键作用，而把它与一般的期间费用等同起来。 这种处理方法的一个重要缺点就是可能会诱使经营者减少对这两项费用的投入，这在效益不好的年份和管理人员即将退休的前几年尤为明显。美国的有关研究表明，当管理人员临近退休之际，研究发展费用的增长幅度确实有所降低。
国资委经济增加值考核细则 （详细资料 https://www.doczj.com/doc/4712486924.html,/flfg/2010-01/22/content_1517096.htm） 一、经济增加值的定义及计算公式 经济增加值是指企业税后净营业利润减去资本成本后的余额。 计算公式： 经济增加值=税后净营业利润-资本成本=税后净营业利润-调整后资本×平均资本成本率 税后净营业利润=净利润+（利息支出+研究开发费用调整项-非经常性收益调整项×50%）×（1-25%） 调整后资本=平均所有者权益+平均负债合计-平均无息流动负债-平均在建工程 二、会计调整项目说明 （一）利息支出是指企业财务报表中“财务费用”项下的“利息支出”。 （二）研究开发费用调整项是指企业财务报表中“管理费用”项下的“研究与开发费”和当期确认为无形资产的研究开发支出。对于为获取国家战略资源，勘探投入费用较大的企业，经国资委认定后，将其成本费用情况表中的“勘探费用”视同研究开发费用调整项按照一定比例（原则上不超过50%）予以加回。 （三）非经常性收益调整项包括 1.变卖主业优质资产收益：减持具有实质控制权的所属上市公司股权取得的收益（不包括在二级市场增持后又减持取得的收益）；企业集团（不含投资类企业集团）转让所属主业范围内且资产、收入或者利润占集团总体10%以上的非上市公司资产取得的收益。
2.主业优质资产以外的非流动资产转让收益：企业集团（不含投资类企业集团）转让股权（产权）收益，资产（含土地）转让收益。 3.其他非经常性收益：与主业发展无关的资产置换收益、与经常活动无关的补贴收入等。 （四）无息流动负债是指企业财务报表中“应付票据”、“应付账款”、“预收款项”、“应交税费”、“应付利息”、“其他应付款”和“其他流动负债”；对于因承担国家任务等原因造成“专项应付款”、“特种储备基金”余额较大的，可视同无息流动负债扣除。 （五）在建工程是指企业财务报表中的符合主业规定的“在建工程”。 三、资本成本率的确定 （一）中央企业资本成本率原则上定为5.5%。 （二）承担国家政策性任务较重且资产通用性较差的企业，资本成本率定为4.1%。 （三）资产负债率在75%以上的工业企业和80%以上的非工业企业，资本成本率上浮0.5个百分点。 （四）资本成本率确定后，三年保持不变。 四、其他重大调整事项 发生下列情形之一，对企业经济增加值考核产生重大影响的，国资委酌情予以调整。 （一）重大政策变化； （二）严重自然灾害等不可抗力因素； （三）企业重组、上市及会计准则调整等不可比因素