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生长氧化锌纳米棒阵列的方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号

CN101428842A

(43)申请公布日 2009.05.13(21)申请号CN200710176926.6

(22)申请日2007.11.07

(71)申请人中国科学院半导体研究所

地址100083 北京市海淀区清华东路甲35号

(72)发明人范海波;杨少延;张攀峰;魏鸿源;刘祥林;朱勤生;陈涌海;王占国

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司

代理人汤保平

(51)Int.CI

C01G9/02;

B82B3/00;

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

生长氧化锌纳米棒阵列的方法

(57)摘要

本发明提供一种生长氧化锌纳米棒阵列的

方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取

一衬底;步骤2:在MOCVD设备中利用载气通入

锌源,在衬底上生长一层锌隔离层;步骤3:在

MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧气,使得在

锌隔离层上得到氧化锌纳米棒阵列外延层。

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