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电子科技大学网络教育考卷（A1卷）
(2013年至2014学年度第1 学期)
考试时间 年 月 日(90分钟) 课程 计算机应用基础（本科） 教
师签名_____
姓名__________________ 专业名称__________________ 班号________________学号__________________教学中心_________________
…………………… …… … … … … …密………………… …… … … … … ……封……………… …… … … …线… … … …… … … ……………………
一、选择题(每小题2分，共50题，共100分。每小题只有一个正确的答案。)
1. Intel推出微处理器4004，从而宣布第四代计算机问世是在( )
A：1946年 B：1958年 C：1964年 D：1971年
2、既可以接收、处理和输出模拟量，也可以接收、处理和输出数字量的计算机是( ) A：电子数字计算机 B：电子模拟计算 C：数模混合计算机 D：专用计算机
3、计算机的通用性使其可以求解不同的算术和逻辑问题，这主要取决于计算机的( ) A：高速运算 B：存储功能 C：可编程性 D：指令系统
4、办公自动化属于计算机应用中的( )
A：人工智能 B：科学计算 C：数据处理 D：实时控制
5、在计算机的多种技术指标中，决定计算机的计算精度的是( )
A：运算速度 B：字长 C：存储容量 D：进位数制
6、计算机系统中的硬件系统包括主机和外设。下面关于主机错误的说法是( )
A：主机由CPU、RAM及ROM组成 B：主机不包括外存
C：主机箱内有的硬件不在主机的构成之中 D：主机有时也包括多媒体设备
7、下列英文中，可以作为计算机中数据单位的是( )
A：bite B：byte C：bout D：band
8、计算机软件分为两大类，即( )
A：公用软件和专用软件 B：系统软件和应用软件
C：基础软件和高级软件 D：工业软件和商业软件
9、控制器是冯·诺依曼计算机五大组成部分之一。它在计算机中的作用是( )
A：只控制主机内部的相应操作 B：只控制主机外部的相应操作
C：只将数据从外存读入到内存 D：控制计算机各部分自动、连续并协调动作10、运算器、控制器和寄存器属于( )
A：算术逻辑单元 B：主板 C：CPU D：寄存器
11.计算机网络的目标是实现( )
A.数据处理
B.文献检索
C.资源共享和信息传输
D.信息传输
12.时至今日，计算机仍采用程序内存或称存储程序原理，原理的提出者是( )
A.莫尔
B.比尔盖茨
C.冯诺依曼
D.科得
13.在Windows中，“写字板”是一种( )
A.字处理软件
B.画图工具
C.网页编辑器
D.造字程序
14.在Windows中，“回收站”是( )
A.内存中的一块区域
B.硬盘中的特殊文件夹
C.软盘上的文件
D.高速缓存中的一块区域
15.在Word编辑状态下，绘制一文本框，应使用的下拉菜单是( )
A.“插入”
B.“表格”
C.“编辑”
D.“工具”
16.Word的替换功能所在菜单是( )
A.“视图”
B.“编辑”
C.“插入”
D.“格式”
17.在Word编辑状态下，若要进行字体效果的是指，首先应该打开( )下拉菜单。
A.“编辑”
B.“视图”
C.“格式”
D.“工具”
18.在Word的默认状态下，不用打开“文件”对话框就能直接打开最近使用过的文档方法是( )
A.工具栏上的“打开”按钮
B.选择“文件”菜单中的“打开”命令
C.快捷键 Ctrl+O
D.选择“文件”菜单底部文件列表中文件
19.在Word的编辑状态，为文档设置页码，可以使用( )菜单中的命令。
A.“工具”
B.“编辑”
C.“格式”
D.“插入”
20.在Word的编辑状态，利用( )菜单中的命令可以选定单元格。
A.“表格”
B.“工具”
C.“格式”
D.“插入”
21.当前的计算机一般被称为第四代计算机，它采用的逻辑元件是( )
A.晶体管
B.大规模集成电路
C.电子管
D.集成电路
22.计算机内部用于处理数据和指令的编码是( )
A.十进制
B.二进制
C.ASCII码
D.汉字编码
23.当向Excel工作薄文件中插入一张电子工作表时，表标签中的英文单词为( )
A.Sheet
B.Book
C.Tabale
D.List
24.在具有常规格式的单元中输入数值后，其显示方式是( )
A.左对齐
B.右对齐
C.居中
D.随机
25.在Excel的“单元格格式”对话框中，不存在的选项卡是( )
A.“货币”选项卡
B.“数字”选项卡
C.“对齐”选项卡
D.“字体”选项卡
26.在创建Excel图表的过程中，第一步是选择图标的( )
A.源数据
B.类型
C.选项
D.插入位置
27.在Excel图表中，能反映出数据变化趋势的图表类型是( )
A.柱形图
B.折线图
C.饼图
D.气泡图
28.在Excel中，能够选择和编辑图表中任何对象的工具栏是( )
A.“常用”工具栏
B.“格式”工具栏
C.“图表”工具栏
D.“绘图”工具栏
29.PowerPoint中选择了某种“设计模板”，幻灯片背景显示( )
A.不能改变
B.不能定义
C.不能忽略模板
D.可以定义
30.演示文稿中，超链接所链接的目标可以是( )
A.幻灯片中的图拍案
B.幻灯片中的文本
C.幻灯片中的动画
D.同一演示文稿的某一张幻灯片
31.在PowerPoint中，停止幻灯片播放的快捷键是( )
A.Enter
B.Shift
C.Ctrl
D.Esc
32.PowerPoint的页眉可以( )
A.用作标题
B.将文本放置在讲义打印页的顶端
C.将文本放置在每张幻灯片的顶端
D.将图片放置在每张幻灯片的顶端
33.在PowerPoint中，在( )状态下可以复制幻灯片。
A.幻灯片浏览
B.预留框
C.幻灯片播放
D.注释页
34.在幻灯片切换中，可以设置幻灯片切换的( )
A.方向
B.强调效果
C.退出效果
D.换片方式
35.在PowerPoint自定义动画中，可以设置( )
A.隐藏幻灯片
B.动作
C.超链接
D.动画重复次数
36.在Internet中，主机的IP地址与域名的关系是( )
A.IP地址是域名中部分信息的表示
B.域名是IP地址中部分信息的表示
C.IP地址和域名等价
D.IP地址和域名分别表示不同的含义
37.计算机网络最突出的优点是( )
A.运算速度快
B.联网的计算机能够相互共享资源
C.运算精度高
D.内存容量大
38.提供不可靠传输的传输层协议是( )
A.TCP
B.IP
C.UDP
D.PPP
39.IP地址唯一能确定Internet上每台计算机与每个用户的( )
A.距离
B.费用
C.位置
D.时间
40.网上共享的资源有( ) 、( ) 和( )
A.硬件软件数据
B.软件数据信道
C.通信子网资源子网信道
D.硬件软件服务
41.中国教育科研网的缩写为( )
A.ChinaNet
B.CERNET
https://www.doczj.com/doc/441157013.html,NIC
D.ChinaEDU
42.IPv4地址有( )位二进制组成。
A.16
B.32
C.64
D.128
43.以下域名表示中，错误的是( )
https://www.doczj.com/doc/441157013.html,
https://www.doczj.com/doc/441157013.html,
https://www.doczj.com/doc/441157013.html,
D.Sh163,net,cn
44.要打开IE窗口，可以双击桌面上的图标是( )
A.Internet Explorer
B.网上邻居
C.Outlook Express
D.我的电脑
45.如果想要控制计算机在Internet上可以访问的内容类型，可以使用IE的( )功能。
A.病毒查杀
B.实时监控
C.分级审查
D.远程控制
46.接入Internet并且支持FTP协议的两台计算机，对于它们之间的文件传输，下列说法正确的是( )
A.只能传输文本文件
B.不能传输图形文件
C.所有文件均能传输
D.只能传输几种类型的文件
47.电子邮件从本质上来说就是( )
A.浏览
B.电报
C.传真
D.文件交换
48.下面( )是FTP服务器地址。
A.http://192.168.113.23
B.ftp://192.168.113.23
https://www.doczj.com/doc/441157013.html,
D.C:\windows
49.利用FTP最大的优点是可以实现( )
A.同一操作系统之间的文件传输
B.异种机上同一操作系统间文件传输
C.异种机和异种操作系统之间的文件传输
D.同一机型上不同操作系统之间的文件传输
50.下面关于计算机病毒说法正确的是( )
A.是生产计算机硬件时不注意产生的
B.是人为制造的
C.必须清除，计算机才能使用
D.是人们无意中制造的
《计算机应用基础》A1
一、选择题
1. D
2. C
3. C
4. C
5. B
6. D
7. B
8. B
9. D 10.C 11.C 12. C 13. A 14. B 15. A 16. B 17. C 18. D 19. D 20.A 21. B 22. B 23. A 24. B 25. A 26. B 27. B 28. C 29. D 30. D 31. D 32. B 33. A 34. D 35. D 36. C 37. B 38. C 39. C 40.A 41. B 42. B 43. D 44. A 45. C 46. C 47. D 48. B 49. C 50.B
电子科技大学 二零零七至二零零八学年第一学期期末考试 模拟电路基础课程考试题A卷（120分钟）考试形式：开卷 课程成绩构成：平时10分，期中30分，实验0分，期末60分 一（20分）、问答题 1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小？ 2．（4分）在集成运算放大器中，为什么输出级常用射极跟随器？为什么常用射极跟随器做缓冲级？ 3．（4分）电流源的最重要的两个参数是什么？其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载？在集成电路中采用有源负载有什么好处？ 4．（4分）集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级？ 5．（4分）在线性运算电路中，集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式？
二（10分）、电路如图1所示。已知电阻R S=0，r be=1kΩ，R1∥R2>>r be。 1．若要使下转折频率为10Hz，求电容C的值。 2．若R S≠0，仍保持下转折频率不变，电容C的值应该增加还是减小？ 图1 三（10分）、电路如图2所示。已知差模电压增益为10。A点电压V A=-4V，硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V，R C=10kΩ。求电阻R E和R G。 图2 四（10分）、电路如图3所示。已知三极管的β=50，r be=1.1kΩ，R1=150kΩ，R2=47k Ω，R3=10kΩ，R4=47kΩ，R5=33kΩ，R6=4.7kΩ，R7=4.7kΩ，R8=100Ω。 1．判断反馈类型； 2．画出A电路和B电路； 3．求反馈系数B； 4．若A电路的电压增益A v=835，计算A vf，R of和R if。
电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题卷（ 120分钟）考试形式：闭卷考试日期200 7年 1 月 14日 注：1、本试卷满分70分，平时成绩满分15分，实验成绩满分15分； 2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。 课程成绩构成：平时分，期中分，实验分，期末分 一、选择填空（含多选题）（2×20=40分） 1、锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。 A. 金刚石型和直接禁带型 B. 闪锌矿型和直接禁带型 C. 金刚石型和间接禁带型 D. 闪锌矿型和间接禁带型 2、简并半导体是指（ A ）的半导体。 A、(E C -E F )或(E F -E V )≤0 B、(E C -E F )或(E F -E V )≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015cm-3，则该半导体为（ B ）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。 A. 本征， B. n型， C. p型， D. 1.1×1015cm-3, E. 9×1014cm-3 4、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（ B ），并且该乘积和（E、F ）有关，而与（ C、D ）无关。 A、变化量； B、常数； C、杂质浓度； D、杂质类型； E、禁带宽度； F、温度 5、在一定温度下，对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（ C ）靠近中间能级E i ；如果增加掺杂浓度，有可能使得（ C ）进入（ A ），实现重掺杂成为简并半导
体。 A 、E c ； B 、E v ； C 、E F ； D 、 E g ； E 、E i 。 67、如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（C ）。 A 、变大，变大 B 、变小，变小 C 、变小，变大 D 、变大，变小 8、最有效的复合中心能级的位置在（D ）附近，最有利于陷阱作用的能级位置位于（C ）附近，并且常见的是（ E ）陷阱。 A 、E A ； B 、E B ； C 、E F ； D 、 E i ； E 、少子； F 、多子。 9、一块半导体寿命τ=15μs ，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。 A 、1/4 B 、1/e C 、1/e 2 D 、1/2 10、半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（ A ）。 A 、散射机构； B 、复合机构； C 、杂质浓度梯度； C 、表面复合速度。 11、下图是金属和n 型半导体接触能带图，图中半导体靠近金属的表面形成了（D ）。 A 、n 型阻挡层 B 、p 型阻挡层 C 、p 型反阻挡层 D 、n 型反阻挡层 12、欧姆接触是指（ D ）的金属－半导体接触。 A 、W ms =0 B 、W ms ＜0 C 、W ms ＞0 D 、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性 13、MOS 器件中SiO 2层中的固定表面电荷主要是（ B ），它能引起半导体表面层中的能带（ C ）弯曲,要恢复平带，必须在金属与半导体间加（ F ）。 A ．钠离子； B 硅离子.；C.向下；D.向上；E. 正电压；F. 负电压 二、证明题：（8分） 由金属－SiO 2－P 型硅组成的MOS 结构，当外加的电压使得半导体表面载流子浓度n s 与内部多数载流子浓度P p0相等时作为临界强反型层条件，试证明：此时半导体的表面势为： 证明：设半导体的表面势为V S ，则表面的电子浓度为： 200exp()exp()S i S s p p qV n qV n n KT p KT == （2分） 当n s =p p0时，有：20exp( ),S p i qV p n KT = （1分）
………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期中考试 模拟电路基础课程考试题 A 卷（ 120 分钟）考试形式：开卷考试日期 2006 年 11月 11日课程成绩构成：平时 10 分，期中 30 分，实验 0 分，期末 60 分 一（14分）、问答题 1．（2分）从载流子的运动角度和伏安特性方程两个方面，分别简述PN结的单向导电性。 2．（2分）试说明由稳压二极管构成的最简稳压电路中为什么需要限流电阻。 3．（2分）以NPN型BJT单级共射放大器为例，试简要叙述确定动态范围的过程。 4．（2分）以单级稳基压偏置放大器为例，当环境温度降低时，试简要叙述稳定静态工作点的原理。5．（2分）在多级电压放大器中，为什么常常采用射极跟随器（或源极跟随器）作为输出级（最末级）？6．（2分）计算放大器的电压增益时，为什么通常需要计算静态工作点？ 7．（2分）什么是多级放大器中的零点漂移现象？
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二（8分）、电路如图1所示，已知β= 100，V BE = 0.7V，V A = ∞，r be = 5.6kΩ。 1．求输入电阻R i； 2．求小信号源电压增益A vs = v o/v s； 3．求输出电阻R o。 图1
………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 三（8分）、在下图所示的分压式电路中，设三极管的电流放大系数为 ，三极管b、e之间的等效电阻为r be=3.5kΩ，电路中Vcc、V s、R1、R2、R C、R L，R E，R s均为已知， 1）试估算该电路的静态工作点，写出I BQ，I CQ，U CEQ的表达式。 2）画出中频段的交流小信号等效电路。 3）根据微变等效电路写出电压放大倍数A v及输入电阻Ri 和输出电阻Ro的表达式。 4）写出输出电压vo与提供的输入电压vs之间 （1）的比值，即A VS的表达式。 图2
电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试 半导体物理 课程考试题 B 卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日 一、填空题: （共16分，每空1 分） 1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体，这时用不可忽略。 3. 5. 在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有 杂质补偿 的作用， 在制造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能。 6. ZnO 是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位， 存在氧空位的ZnO 半导体为 N/电子 型半导体。 9. 有效质量 概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来
测量。 10. 某N 型Si 半导体的功函数W S 是，金属Al 的功函数W m 是 eV ， 该半导体和 金属接触时的界面将会形成 反阻挡层接触/欧姆接触 。 11. 有效复合中心的能级位置靠近 禁带中心能级/本征费米能级/E i 。 12. MIS 结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度， 13. 金属和n 型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体 二、选择题（共15分，每题1 分） 1. 如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是 D 。 A. 禁带变宽 B. 少子迁移率增大 C. 多子浓度减小 D. 简并化 2. 已知室温下Si 的本征载流子浓度为310105.1-?=cm n i 。处于稳态的某掺杂Si 半导体中电子浓度315105.1-?=cm n ，空穴浓度为312105.1-?=cm p ，则该半导体 A 。 A. 存在小注入的非平衡载流子 B. 存在大注入的非平衡载流子 C. 处于热平衡态 D. 是简并半导体
义乌工商职业技术学院 模拟电子技术测验 试卷一 一、填空题：将正确的答案填入空格中。 （本大题分15小题，每小题2分，共30分） 1、在P 型半导体中，__________是多数载流子，__________是少数载流子。 2、下图所示电路中，设二极管导通时正向电压为0.7V ，则二极管处于__________状态，电流I D =__________。 3、 振荡器的振幅平衡条件为__________，而起振时，则要求__________。 4、 两个电流放大系数分别为β1和β2的BJT 复合，其复合管的β值约为__________。 5、 一个由NPN 型BJT 组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点 偏低，则随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真。 6、 在低频段，当放大电路增益下降到中频增益的__________倍时，所对应的频率 称为下限频率。 7、 放大电路对不同频率的信号具有不同的增益而引起的输出波形失真称为 ____________________。 8、 理想运算放大器的差模输入电阻等于__________，开环增益等于__________。 9、 差动放大电路的共模抑制比定义为______________________________（用文字 或数学式子描述均可）；在电路理想对称情况下，双端输出差动放大电路的共模抑制比等于__________。 10、单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V ，则整流后的输出电压平 均值等于__________。 11、如下图(a)所示电路的输入v i 为正弦交流电压，其输出v o 的波形如下图(b)所示， 则可知功放管__________工作不正常。 2kΩ 10V 5V 3kΩ D I D
电子科技大学二零零九至二零一零学年第 二 学期期 末 考试 数字逻辑设计及应用 课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：闭卷 考试日期2010年7月12日 课程成绩构成：平时 20 分， 期中 20 分， 实验 0 分， 期末 60 分 一、To fill your answers in the blanks （1’×25） 1. If [X]10= - 110, then [X]two's-complement =[ 10010010 ]2, [X]one's-complement =[ 10010001 ]2. (Assumed the number system is 8-bit long) 2. Performing the following number system conversions: A. [10101100]2=[ 000111010010 ]2421 B. [1625]10=[ 0100100101011000 ]excess-3 C. [ 1010011 ]GRAY =[ 10011000 ]8421BCD 3. If ∑=C B A F ,,)6,3,2,1(, then F D ∑=C B A ,,( 1，4，5，6 )=C B A ,,∏(0，2，3，7 ). 4. If the parameters of 74LS-series are defined as follows: V OL max = 0.5 V , V OH min = 2.7 V , V IL max = 0.8 V , V IH min = 2.0 V , then the low-state DC noise margin is 0.3V ,the high-state DC noise margin is 0.7V . 5. Assigning 0 to Low and 1 to High is called positive logic. A CMOS XOR gate in positive logic is called XNOR gate in negative logic. 6. A sequential circuit whose output depends on the state alone is called a Moore machine. 7. To design a "001010" serial sequence generator by shift registers, the shift register should need 4 bit as least. 8. If we use the simplest state assignment method for 130 sates, then we need at least
1 画出BJT管输出特性曲线，简述各个区域的特点及偏置条件 截止区：ic几乎为0，电路不工作。发射结电压小于开启电压；集电结反偏； 放大区：ic=βib，ic几乎只与ib有关，与uCE无关，表现出ib对ic的控制作用。 发射结电压大于开启电压；集电结反偏。 饱和区：ic不仅与ib有关，还随uCE增大而明显增大，ic＜βib。 发射结和集电结正偏。 BJT输出特性曲线表现的是IB为常数时ic与管压降UCE的关系。 2为什么BJT称为双极性晶体管，而FET称为单极晶体管，他们各自是哪种控制型器件。BJT管工作时两种载流子都参与导电；FET管仅有多数载流子参与导电；BJT管是电流控制器件；FET管是电压控制器件。 3 BJT管输出电压产生截止失真（饱和失真）的原因是什么，如何减小。 产生失真的原因是静态工作点Q设置不合理或者外加信号过大。 输出电压产生截止失真的原因是Q点过低，负半周期时IB过小导致BJT管进入截止区；适当减小RB以增大IB即可； 输出电压产生饱和失真的原因是Q点过高，正半周期时IC饱和导致BJT管进入饱和区；适当增大RB以减小IB即可 Q点位置适中的时候如果外加输入信号过大，产生双向失真。通过输入端接分压电路或者适当增大直流偏置电压。 4 直流电源在放大电路的作用是什么 ①为晶体管正常工作提供偏置电压； ②为电路提供能源 5 为什么要稳定静态工作点，有哪些方法 静态工作点不但决定电路是否会产生失真，还会影响到电压放大倍数、输入电阻等动态参数。引入直流负反馈或者使用温度补偿（靠温度敏感器件直接对IB产生影响）。 6 BJT管稳定静态工作点电路引入了哪种反馈，简述稳Q过程。 见6 7 有哪些耦合方式，各有什么特点？ 直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。 直接耦合：可放大直流信号、低频特性好、利于集成；静态工作点相互影响，存在零点漂移现象。 阻容耦合：各级静态工作点相互独立；只能放大交流信号、低频特性差、耦合过程有损耗，不利于集成。 变压器耦合：同阻容耦合，可实现阻抗变换。 光电耦合：实现电气隔离，抑制电干扰。
电子科技大学二零一零至二零一一学年第一学期期末考试 1．对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（D ） A. 平衡载流子浓度成正比 B. 非平衡载流子浓度成正比 C. 平衡载流子浓度成反比 D. 非平衡载流子浓度成反比 2．有3个硅样品，其掺杂情况分别是： 甲．含铝1×10-15cm-3乙.含硼和磷各1×10-17cm-3丙.含镓1×10-17cm-3 室温下，这些样品的电阻率由高到低的顺序是（C ） A.甲乙丙 B. 甲丙乙 C. 乙甲丙 D. 丙甲乙 3．题2中样品的电子迁移率由高到低的顺序是（ B ） 4．题2中费米能级由高到低的顺序是（ C ） 5. 欧姆接触是指（ D ）的金属一半导体接触 A. W ms = 0 B. W ms < 0 C. W ms > 0 D. 阻值较小且具有对称而线性的伏安特性 6．有效复合中心的能级必靠近( A ) A.禁带中部 B.导带 C.价带 D.费米能级 7．当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（C ） A.1/n0 B.1/△n C.1/p0 D.1/△p 8．半导体中载流子的扩散系数决定于其中的( A ) A.散射机构 B. 复合机构 C.杂质浓变梯度 D.表面复合速度 9．MOS 器件绝缘层中的可动电荷是（ C ） A. 电子 B. 空穴 C. 钠离子 D. 硅离子 10．以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（ D ） A. Si B. Ge C. GaAs D. GaN 二、解释并区别下列术语的物理意义（30 分，7+7+8+8，共4 题） 1. 有效质量、纵向有效质量与横向有效质量（7 分） 答：有效质量：由于半导体中载流子既受到外场力作用，又受到半导体内部周期性势场作用。有效概括了半导体内部周期性势场的作用，使外场力和载流子加速度直接联系起来。在直接由实验测得的有效质量后，可以很方便的解决电子的运动规律。(3分) 纵向有效质量、横向有效质量：由于k空间等能面是椭球面，有效质量各向异性，在回旋共振实验中，当磁感应强度相对晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰。我们引入纵向有效质量跟横向有效质量表示旋转椭球等能面纵向有效质量和横向有效质量。(4分) 2. 扩散长度、牵引长度与德拜长度（7 分） 答：扩散长度：指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离。由扩散系数
电子科技大学物理电子学院团队介绍 目录 物电学院“超宽带电子学及应用”团队介绍 (2) 物理电子学院“大功率毫米波行波管研究”团队介绍 (3) 物理电子学院“高功率毫米波”团队介绍 (4) 物理电子学院“毫米波电路与系统”团队介绍 (5) 物理电子学院“计算电磁学及其应用”团队介绍 (6) 物理电子学院“理论物理”团队介绍 (8) 物理电子学院“理论与计算机模拟”团队介绍 (8) 物理电子学院“强辐射实验室”团队介绍 (10) 物理电子学院“太赫兹”团队介绍 (10) 物理电子学院“微波仿真”团队介绍 (12) 物理电子学院“微纳光学研究”团队介绍 (12) 物理电子学院“先进材料制备及其物理性质研究”团队介绍 (13) 物理电子学院“真空微电子及微波能应用研究”团队介绍 (15) 注：团队排列先后按照团队名称首字母。
物电学院“超宽带电子学及应用”团队介绍 一、团队简介 超宽带电子学及应用现有教师机工程技术人员8名，其中，教授1名，副教授3名，讲师3名，工程技术人员1名；有博士学位的教师3名，正在攻读博士学位的教师2名；50-60岁教师2名，40-50岁教师3名，30-40岁教师2名。 超宽带电子学团队的主要研究方向包括： (1) 新型光控光电导器件 研究激光与半导体相互作用理论与技术，新型光控光电导器件工作机理、研制工艺及应用。 (2) 电波传输与天线 研究瞬态电磁脉冲传输理论与技术，超宽带天线理论与技术。 (3) 生物电磁学 研究肿瘤电穿孔疗法的机理及应用，电穿孔效应在污水治理等领域的应用。(4) 微波电路与系统 研究高功率微波电路与系统在冲击雷达、探地雷达等领域中的应用。 二、团队导师介绍 三、毕业学生就业去向 团队培养的硕士研究生就业情况较好，主要去向包括国内一些研究所(如南京14所、成都29所、中国工程物理研究院等)和一些知名公司、企业(贝尔、华为、中兴等)。
电子科技大学网络教育 一、 选择题 （每小题2，共10分 ） 1． BJT 依靠（ ）控制漏极电流íc 的器件。 A 电 压 B 电 流 C 电 阻 D 电 场 2.电流求和负反馈使输人电阻（ ）。 A 增加 B 不变 C 减少 D 不清楚 3. NPN 管放大偏值电路中，若V C 增加，则 I B （ ）。 A 略有增加 B 略有减小 C 几乎不变 D 不定 4. 集成运放采用有源负载的目的是（ ）。 A 提高电压增益 B 减少温度漂移 C 稳定工作点 D 提高电流强度 5.若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将( ) 。 A.R c 增大 B.R c 减小 C.V C C 减小 D V C C 增大 二、判断题（每题2分，共20分） 1、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。（ ） 2、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（ ） 3、晶体三极管具有放大作用时，发射结反偏，集电结正偏。（ ） 4、三极管放大电路共有三种组态共射极、共集电极、共基集放大电路。（ ） 5、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用直流负反馈，为了减小输出电阻采用电压负反馈。（ ） 6、差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号 。（ ） 7、共模信号是大小相等，极性不同的两个信号。（ ） 8、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（ ） 9、用低频信号去改变高频信号的频率称为调频，低频信号称为调制信号，高频信号称高频载波。（ ） 10、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而升高。共基极电路比共射极电路高频特性好。（ ） 三、填空题 （每空2分，共20分） 1．差动放大器两个输入端的增益电压分别是1mV 和-1mV ，则输入的共模电压是 mV 。 2.反馈方程式AB A A f +=1中，A 、 B 符号 时为负反馈，A ，B 符号 时，为正反馈 。 3．在画放大电路的直流通路时，应该将电路中的电容 。 4. 运算放大器的输入级是 。 5．一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将 。
电子科技大学计算机网络期末试题 .单项选择题（10分）： 1. 在OSI参考模型中，数据链路层的数据服务单元是（ A.帧 B.报文 C.分组 D.比特序列 2. 下列各项中数据单元关系描述错误的是（ A. (N+1 ) _PDU W( N) _SDU< (N-1 ) _SDU B.B. ( N+1 ) _PDU< ( N) _PDU< ( N-1 ) _PDU C. (N+1 ) _SDU< (N) _PDU W( N-1 ) _SDU D.D. (N+1 ) _PDU< ( N ) _PCI< ( N-1 ) _PCI 3. 若信道的复用是以信息在一帧中的时间位置（时隙）来区分，不需要另外的 信息头来标志信息的身份，则这种复用方式为（ A.异步时分复用 B.频分多路复用 C.同步时分复用 D.码分多路复 4. 下列不属于应用层协议的是（ A.UD P B. SNMP C. TELNET D. HTT P 5. 下列叙述错误的是（ A.路由器可以分割冲突域 B.路由器和网桥均能扩展工作站平均带宽 C.网桥可以分割广播域 D.共享式集线器一个端口只能支持一个MAC 地址 二.填空题（24分）： 1. 计算机网络的两大基本功能是 2. 计算机网络从逻辑上划分为 3. 网络协议三要素分别为: 4. 计算机网络中常用的信道分为两大类，其中有线信道所用的传输介质主要是 ，另一类无线信道包括
5. 调制解调器把 为调制，而把 称为解调。 6」Pv6 对IPv4的改进主要在 7.在OSI模型中，端到端的四层是: 三.简答题（20分）： 1.请按照TCP/IP参考模型简述该模型的层次结构及各层的基本功能。 2.简述无连接服务和面向连接服务及其优缺点。
实验一 一．实验名称： 范德瓦尔斯方程分析 二．实验目的： 熟练运用Mathcad, 对理想气体方程和范德瓦尔斯方程比较分析。 三．实验原理： 理想气体物态方程只适用于压强不太大，温度不太低的气体。但当气体压强比较大，温度比较低即气体分子的数密度n 比较大时，气体分子间的实际间距没有理想气体间距那么大，分子间的相互作用力和分子本身的体积就加以考虑，所以需要找出实际气体的物态方程。 荷兰物理学家范德瓦耳斯改进了气体的状态方程，把分子间的作用力和分子的有限体积放进方程中去。他论证了，分子间距离较远时，它们间必定存在吸引力，这一作用附加到容器壁施加的压强上去。他进一步提供论据，假设附加产生的压强反比于气体比容的平方。还有，由于分子占有体积，它们可利用的空间必须减少，或者说，减少的总体积就正比于分子在相互接触时所占有的体积。于是一摩尔真实气体的状态方程变成 2V V m m a b RT p --= 或 RT b m a p V V m =-+))(2（ 这简单方程包含两个常数，即 a 和 b ，对于每一种物质它们可由
实验确定。R 是普适气体数学。后来人们称之为范德瓦耳斯方程。他还导出了b 是分子体积的4 倍。这个方程不仅能解释安德纽斯的实验结果及J ．汤姆生的见解，而且能从常数a 、b 值计算出临界参数。 范德瓦尔斯方程的引出，是从理论分析出发导出气体状态方程的一个典型例子。范德瓦尔斯方程只不过是用两个常数很粗略地考虑了气体内分子运动的行为，所以还不能精确地表述气体的p-v-t 关系。但是，它为用理论方法研究状态方程开拓了道路。特别是它在定性上能反映出物质气—液相变的性质。按照范德瓦尔斯状态方程在p-v 图上作出的定温线称为范德瓦尔斯定温线。因为该方程可以展开成摩尔体积V m 的三次方程: 0)(2 3=-++-ab a m RT pb m p V V V m 将范德瓦尔斯方程代入式 式中T c ,p c 是临界点的温度和压力值，称为物质的临界温度和压力
数据结构试卷（一） 一、单选题（每题2 分，共20分） 1.栈和队列的共同特点是( A )。 A.只允许在端点处插入和删除元素 B.都是先进后出 C.都是先进先出 D.没有共同点 2.用方式存储的队列，在进行插入运算时( D ). A. 仅修改头指针 B. 头、尾指针都要修改 C. 仅修改尾指针 D.头、尾指针可能都要修改 3.以下数据结构中哪一个是非线性结构？( D ) A. 队列 B. 栈 C. 线性表 D. 二叉树 4.设有一个二维数组A[m][n]，假设A[0][0]存放位置在644(10)，A[2][2]存放位置在 676(10)，每个元素占一个空间，问A[3][3](10)存放在什么位置？脚注(10)表示用10进制表示。C A．688 B．678 C．692D．696 5.树最适合用来表示( C )。 A.有序数据元素 B.无序数据元素 C.元素之间具有分支层次关系的数据 D.元素之间无联系的数据 6.二叉树的第k层的结点数最多为( D ). A．2k-1 B.2K+1 C.2K-1 D. 2k-1 7.若有18个元素的有序表存放在一维数组A[19]中，第一个元素放A[1]中，现进行二 分查找，则查找A［3］的比较序列的下标依次为( D ) A. 1，2，3 B. 9，5，2，3 C. 9，5，3 D. 9，4，2，3 8.对n个记录的文件进行快速排序，所需要的辅助存储空间大致为C A. O（1） B. O（n） C. O（1og2n） D. O（n2） 9.对于线性表（7，34，55，25，64，46，20，10）进行散列存储时，若选用H（K） =K %9作为散列函数，则散列地址为1的元素有（ D ）个 A．1 B．2 C．3 D．4 10.设有6个结点的无向图，该图至少应有( A )条边才能确保是一个连通图。 A.5 B.6 C.7 D.8 二、填空题（每空1分，共26分） 1.通常从四个方面评价算法的质量：正确性易读性强壮性和_高效率。 2.一个算法的时间复杂度为(n3+n2log2n+14n)/n2，其数量级表示为___0(n)_____。 3.假定一棵树的广义表表示为A（C，D（E，F，G），H（I，J）），则树中所含的结点数 为_____9_____个，树的深度为_____3____，树的度为_____3____。 4.后缀算式9 2 3 +- 10 2 / -的值为___-1_____。中缀算式（3+4X）-2Y/3对应的后缀算式 为_______4X*+2X*3/-________________________。 5.若用链表存储一棵二叉树时，每个结点除数据域外，还有指向左孩子和右孩子的两个指 针。在这种存储结构中，n个结点的二叉树共有__2n______个指针域，其中有___n-1_____个指针域是存放了地址，有______n+1__________个指针是空指针。 6.对于一个具有n个顶点和e条边的有向图和无向图，在其对应的邻接表中，所含边结点 分别有____e___个和____2e____个。 7.AOV网是一种_____有向无回路__的图。 8.在一个具有n个顶点的无向完全图中，包含有___n(n-1)/2_____条边，在一个具有n个 顶点的有向完全图中，包含有____n(n-1)____条边。 9.假定一个线性表为(12,23,74,55,63,40)，若按Key % 4条件进行划分，使得同一余数的元
理论物理（理论物理（100100100） ）
庆邮电大学、湖南科技大学、北京交通大学、温州大学、上海师范大学、中国人民大学、东北大学、华南师范大学、山东师范大学、中国矿业大学、重庆大学、东北师范大学、贵州大学、安徽师范大学、徐州师范大学、广州大学、四川师范大学、湘潭大学 C等(20个)：名单略 2626）） 粒子物理与原子核物理（26 粒子物理与原子核物理（ 3333）） 原子与分子物理（ 原子与分子物理（33
1414））等离子体物理（14等离子体物理（
C 等(3个)：名单略 凝聚态物理（凝聚态物理（116116116） ）
B+等(35个)：南开大学、西北工业大学、同济大学、苏州大学、湘潭大学、北京工业大学、北京理工大学、西安交通大学、华东师范大学、哈尔滨工业大学、中南大学、燕山大学、湖南师范大学、东南大学、河南大学、河北师范大学、厦门大学、东北师范大学、电子科技大学、山西大学、华中师范大学、天津大学、北京化工大学、广西大学、大连海事大学、武汉理工大学、兰州理工大学、西北大学、浙江师范大学、中国人民大学、聊城大学、温州大学、河南师范大学、华南师范大学、暨南大学 B等(34个)：宁夏大学、陕西师范大学、首都师范大学、哈尔滨理工大学、宁波大学、南京师范大学、四川师范大学、西南科技大学、广州大学、内蒙古科技大学、华南理工大学、曲阜师范大学、扬州大学、西南大学、云南大学、哈尔滨师范大学、西北师范大学、东北大学、湖北大学、西南交通大学、长春理工大学、吉首大学、中国矿业大学、上海理工大学、长沙理工大学、北京交通大学、南京理工大学、三峡大学、青岛大学、天津理工大学、内蒙古大学、福建师范大学、吉林师范大学、河海大学 C等(24个)：名单略 声学（ 1515）） 声学（15
先说说英语，简单的列个表： 参考用书： 单词推荐《一本单词》 真题推荐《木糖英语真题手译版》 因为英语考试时间是在下午，最好坚持每天下午都进行英语练习，将《一本单词》这本书至少得背四遍，其中较好的考研真题的句子也进行背诵。然后就是重复做真题，把真题多复印几份，一遍遍的做。在其中也不能放弃对长难句的学习，结合买的，弄懂语法和长难句。到了九月十月的时候就开始背作文，并且掌握写作的套路。我还推荐使用木糖英语考研微信公众号与蛋核英语考研微信公众号，这里面的资源很多，也很方便去查找自己想要的资料。 可能英语在很多考研生中是一道障碍，是很难的部分，但是你一定要相信自己可以的，一定要认真的去做，去努力。给自己制定英语学习计划，背单词，做阅读，练写作，相信你一定可以学好英语的。对，还有，可以去听一下蛋核英语课程，英语并不是你的绊脚石，你的心态，你的态度才是你学习英语的绊脚石。相信自己，调整心态，按部就班，勤练勤读勤记，可以的。 我是一名理科生，说起来政治就有一种难以言表的痛苦。今年A区政治分数线为55，我考了56，真的是好险。由于一直担心自己的政治不过线，所以从七月份开始就一直看政治，一天都没有落过。其实现在想一下政治也不难的。我用的书基本上是李凡老师的《政治新时器》那一套的。这书都是必看的吧。我政治基础不好，看的比较慢，看了两遍左右。但是书上的大题是一定一定必须要背的。那种很疯狂的背。 专业课笔记的整理。 确定“对考试有用”的内容，在做笔记之前，我先广泛收集了历年真题，并对真题做了分析，然后才看书做笔记。 分析真题的目的，是要使备考具有针对性，那么，怎样分析真题？ 第一，将真题按照年份排列，近几年的题反映了出题的方向和考察的重点，需要重点掌握。 第二，分析题型。客观题和主观题的复习策略是不一样的。客观题可能更看重不同选项之间的比较，复习时须着重把握。如果知识点从来都只考小题，那么
1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分) （1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（A ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷 (2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( B ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态 (3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型锗管 D.PNP 型硅管 (4 )温度上升时，半导体三极管的( A ) A.β和I CEO 增大，u BE 下降 B.β和u BE 增大,I CEO 减小 C.β减小，I CEO 和u BE 增大 D.β、I CEO 和u BE 均增大 (5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，u o 与u i 相位相反、|A u |>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路 C.共漏极放大电路 D.共射极放大电路 (6 )在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输入电阻的负反馈是( ) A.电压并联负反馈 B.电压串联负反馈 C.电流并联负反馈 D.电流串联负反馈 (7 )关于多级放大电路下列说法中错误的是( ) A.A u 等于各级电压放大倍数之积 B.R i 等于输入级的输入电阻 C.R o 等于输出级的输出电阻 D.A u 等于各级电压放大倍数之和 (8 )用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的( ) A.|A ud | B.|A uc | C.R id D.K CMR (9 )电路如图2所示，其中U 2=20V ,C=100μf 。变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电流均可忽略，该电路的输出电压U o ≈( )。 A.24V B.28V C.-28V D.-18V (10 )在下列四种比较器中，抗干扰能力强的是 ( )。A.迟滞比较器 B.零比较器C.三态比较器 D.窗口比较器 2.填充题 (每格1分，共20分) (11 )当放大电路输入非正 弦信号时，由于放大电路 对不同频率分量有不同的 放大倍数而产生的输出失 真为 ＿＿＿＿ 失真，由于相位落后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为 ＿＿＿失真，这两种失真统称为 ＿＿＿＿＿失真或 ＿＿＿＿＿＿失真。 (12 )半导体三极管属 ＿＿＿＿＿控制器件，而场效应管属于＿＿＿＿＿控制器件。 (13按结构不同场效应管分为＿＿＿＿＿ 型和＿＿＿＿＿＿型两大类。 (14 )集成运放内部电路实际是一个 ＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿ 、＿＿＿＿＿＿ 放大电路。 + _ + D 4 TR D 3 Uo D 2 U 2 + C D 1 U 1 （图2） _ _ －2V －8V －2.2V ① ② ③ 图1
学院___________________ 系别____________ 班次_____________ 学号__________ 姓名________________ ………….……密…..……….封……..……线………..…以………..…内………....答…………...题…………..无…….….效…..……………….. 电子科技大学二零 一零 至二零 一一 学年第 1 学期期 末 考试 模拟电路基础 课程考试题 A 卷 （ 120 分钟） 考试形式： 开卷 考试日期 2011年 1 月 5 日 课程成绩构成：平时 20 分， 期中 20 分， 实验 0 分， 期末 60 分 一、填空题（共30分，共 15个空格，每个空格2 分） 1、共发射极放大器（NPN 管），若静态工作点设置偏高，可能产生_饱和__失真，此时集电极电流会出现 __上___（上、下）削峰失真。 2、某晶体管的极限参数P CM = 200 mW ，I CM = 100 mA ，U (BR)CEO = 30 V ，若它的工作电压U CE 为10 V ，则工作电流不得超过 20 mA ；若工作电流I C = 1 mA ，则工作电压不得超过 30 V 。 4、电路及直流测试结果如图1所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(恒流区、夹断区、可变电阻区)。 图1 (a) 恒流区 ; (b) 可变电阻区 。 5、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图2所示。已知W7805的输出电压为5V ，I Q ＝10 mA ，晶体管的β＝50，|U BE |＝0.7 V ，电路的输入电压U I ＝16 V ，三极管处于 放大 （放大，饱和，截止）状态， R 1上的电压为 5.7 V ，输出电压U o 为 9 V 。 图2
电子科技大学二零零六至二零零七学年第 二学期期末考试 固体电子学课程考试题卷（分钟）考试形式：考试日期200 7 年7 月日 课程成绩构成：平时20 分，期中10 分，实验0 分，期末70 分 一．填空（共30分，每空2分） 1．Si晶体是复式格子，由两个面心立方结构的子晶格沿体对角线位移1/4套构而成；其固体物理学原胞包含8个原子，
其固体物理学原胞基矢可表示)(21k j a a +=，)(22k i a a +=, )(23j i a a +=。假设其结晶学原胞的体积为 a 3，则其固体物理学原胞体积为 341a 。 2． 由完全相同的一种原子构成的格子，每个格点周围环境相同称为布拉菲格子； 倒格子基矢与正格子基矢满足 )(2)(0{2j i j i ij j i b a ==≠==?ππδ ，由倒格子基矢332211b l b l b l K h ++=（l 1, l 2, l 3为整数）,构成的格子，是正格子的傅里叶变换，称为倒格子格子；由若干个布拉菲格子套构而成的格子称为复式格子。最常见的两种原胞是固体物理学原胞和结晶学原胞。 3．声子是格波的能量量子，其能量为?ω，动量为?q 。 二．问答题（共30分，每题6分） 1.晶体有哪几种结合类型？简述晶体结合的一般性质。 答：离子晶体，共价晶体，金属晶体，分子晶体及氢键晶体。 晶体中两个粒子之间的相互作用力或相互作用势与两个粒子的距离之间遵从相同的定性规律。
2.晶体的结合能, 晶体的内能, 原子间的相互作用势能有何区别? 答：自由粒子结合成晶体过程中释放出的能量，或者把晶体拆散成一个个自由粒子所需要的能量称为晶体的结合能；原子的动能与原子间的相互作用势能之和为晶体的内能；在0K时，原子还存在零点振动能，但它与原子间的相互作用势能的绝对值相比小很多，所以，在0K时原子间的相互作用势能的绝对值近似等于晶体的结合能。 3.什么是热缺陷？简述肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷的特点。答：在点缺陷中，有一类点缺陷，其产生和平衡浓度都与温度有关，这一类点缺陷称为热缺陷，热缺陷总是在不断地产生和复合，在一定地温度下热缺陷具有一定地平衡浓度。肖特基缺陷是晶体内部格点上的原子（或离子）通过接力运动到表面格点的位置后在晶体内留下空位；弗仑克尔缺陷是格点上的原子移到格点的间隙位置形成间隙原子，同时在原来的格点位置留下空位，二者成对出现。 4.简述空穴的概念及其性质.
电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试 半导体物理课程考试题卷(1２0分钟) 考试形式：闭卷考试日期2007年1 月14日 注:1、本试卷满分70分,平时成绩满分１5分,实验成绩满分1５分; 2.、本课程总成绩＝试卷分数+平时成绩+实验成绩。 课程成绩构成:平时分，期中分, 实验分, 期末分 一、选择填空(含多选题)(2×20＝4０分） 1、锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。 A. 金刚石型和直接禁带型Ｂ．闪锌矿型和直接禁带型 Ｃ. 金刚石型和间接禁带型D．闪锌矿型和间接禁带型 2、简并半导体是指( A ）的半导体。 Ａ、（E C-EＦ)或(EＦ-E V)≤0 B、(E C-E F)或（ＥＦ－E V)≥0 C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度 D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 3、在某半导体掺入硼的浓度为１014cm-３, 磷为１015 cm-3,则该半导体为( B）半导体;其有效杂质浓度约为( Ｅ）。 A.本征， B. ｎ型，Ｃ．ｐ型, D.１.１×１0１5cm-3, E．９×10１4cm-3 4、当半导体材料处于热平衡时,其电子浓度与空穴浓度的乘积为( B ）,并且该乘积和（Ｅ、 F )有关,而与（C、D )无关。 A、变化量； B、常数; Ｃ、杂质浓度；D、杂质类型；Ｅ、禁带宽度; Ｆ、温度 ５、在一定温度下,对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度,会使得( C ）靠近中间能级E i；如果增加掺杂浓度，有可能使得（C ）进入( A),实现重掺杂成为简并半导体。Ａ、E c; B、Eｖ；C、E F；D、E g; E、Eｉ。 67、如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（C）。Ａ、变大,变大B、变小，变小