SFH 313
SFH 313 FA
.N eu: NPN-Silizium-Fototransistor
New: Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 313)
und bei 880 nm (SFH 313 FA)
q Hohe Linearit?t
q 5 mm-Plastikbauform
Anwendungen
q Computer-Blitzlichtger?te
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q Industrieelektronik
q“Messen/Steuern/Regeln”
Features
q Especially suitable for applications from
460 nm to 1080 nm (SFH 313) and of
880 nm (SFH 313 FA)
q High linearity
q 5 mm plastic package
Applications
q Computer-controlled flashes
q Photointerrupters
q Industrial electronics
q For control and drive circuits
SFH 313
SFH 313 FA Ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
f
e
x
f
6
6
2
6
f
e
x
6
6
2
6
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 313SFH 313-2SFH 313-3Q62702-P1667Q62702-P1751Q62702-P1752SFH 313 FA SFH 313 FA-2SFH 313 FA-3
Q62702-P1674Q62702-P1753Q62702-P1754
Bezeichnung Description
Symbol Symbol
Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range T op ; T stg – 55...+ 100°C L?ttemperatur bei Tauchl?tung L?tstelle ≥ 2 mm vom Geh?use,L?tzeit t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s T S
260
°C
L?ttemperatur bei Kolbenl?tung L?tstelle ≥ 2 mm vom Geh?use,L?tzeit t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom t ≤ 3 s T S
300°C
Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage V CE 70V Kollektorstrom Collector current
I C 50mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 μs Collector surge current I CS 100mA Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage V EC 7V Verlustleistung, T A = 25 °C Total power dissipation P tot 200mW W?rmewiderstand Thermal resistance R thJA
375
K/W
Kennwerte (T A = 25 °C, λ = 950 nm)Characteristics Bezeichnung Description
Symbol Symbol
Wert Value
Einheit Unit
SFH 313
SFH 313 FA Wellenl?nge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity
λS max 850
870
nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von S max
Spectral range of sensitivity S = 10 % of S max
λ
460...1080740...1080nm
Bestrahlungsempfindliche Fl?che Radiant sensitive area A 0.550.55mm 2Abmessung der Chipfl?che Dimensions of chip area
L ×B L ×W 1×11×1mm ×mm Abstand Chipoberfl?che zu Geh?useober-fl?che
Distance chip front to case surface H
5.1...5.7
5.1...5.7
mm
Halbwinkel Half angle
?±10±10Grad deg.Kapazit?t, V CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0Capacitance C CE 1515pF Dunkelstrom Dark current
V CE = 10 V, E = 0
I CEO
10 (≤ 200)
10 (≤ 200)
nA
Fotostrom Photocurrent
E e = 0.5 mW/cm 2, V CE = 5 V
E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,V CE = 5 V
I PCE I PCE
≥ 2.530≥ 2.5–mA mA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. 1)I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe 1)
I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics S rel = f (?)
Bezeichnung Description
Symbol
Wert Value
Einheit Unit
-1
-2
-3
-4
Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent
E e = 0.5 mW/cm 2, V CE = 5 V I PCE 2.5...54...8 6.3...12.5 ≥ 10mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time I C = 1 mA, V CC = 5 V, R L = 1 k ?
t r , t f
8
10
12
14
μs
Kollektor-Emitter-S?ttigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I C = I PCEmin 1)×0.3,E e = 0.5 mW/cm 2
V CEsat
150150150150mV
T A = 25°C, λ =950 nm
Rel.spectral sensitivity SFH 313,S rel =f (λ)
Photocurrent I PCE =f (T A ),V CE = 5 V, normalized to 25o C
Photocurrent I PCE =f (V CE )E = parameter
Rel.spectr.sensitivity SFH 313FA ,S rel =f (λ)Photocurrent
I PCE =f (E e ),V CE = 5 V
Dark current
I CEO =f (T A ), V CE = 10 V, E = 0
λ
OHF02332
rel S 4001020304050607080%
100
500600700800900nm 1100
T OHF01524
A
0-25
0.20.40.60.81.01.21.41.60
25
50
75100ΙPCE PCE Ι25
C V OHF02336
CE
PCE
Ι0
100
10
20
30
40
50
V 70101
mA
0.5mW cm 2
2
cm mW 12
cm
mW 0.250.1
mW cm 2
210λ
OHF02331
rel S 400
1020
304050
6070
80%100
500600700800900nm 1100
E OHF02337
e
PCE
Ι100
-21010-1
1
10
mA
10
-3
-2
100
10mW/cm 2
102T OHF02342
A
0CEO
Ι-2
1010-1
100
10
1
102nA
204060
80100?C Dark current , I CEO =f (V CE ), E = 0
Collector-emitter capacitance C CE =f (V CE ),f = 1 MHz
Total power dissipation P tot =f (T A )
V OHF02341
CE
CEO
Ι-2
1010-1
100
101
102nA
10
20
30
40
50
70V V OHF02344
CE
CE C 010
-2-1
100
101
10102
V 10
20
30
40
pF
50
T OHF02340
A
tot
P 0204060
80?C 10050
100
150
200
250mW