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常见存储器芯片资料(简版)

常见存储器芯片资料(简版)
常见存储器芯片资料(简版)

2716

2716指的是Intel2716芯片,Intel2716是一种可编程可擦写存储器芯片封装:双列直插式封装,24个引脚

基本结构:带有浮动栅的MOS管

封装:直插24脚,

引脚功能:

Al0~A0:地址信号

O7~O0:双向数据信号输入输出引脚;

CE:片选

OE:数据输出允许;

Vcc:+5v电源,

VPP:+25v电源;

GND:地

2716读时序:

2732

相较于2716:

Intel2716存储器芯片的存储阵列由4K×8个带有浮动栅的MOS管构成,共可保存4K×8位二进制信息

封装:直插24脚

引脚功能:

A0~A11地址

E片选

G/VPP输出允许/+25v电源

DQ0~7数据双向

VSS地

VCC+5v电源

2732读时序

2764、27128、27256、27512等与之类似27020

存储空间:256kx8

读写时间:55/70ns

封装:直插/贴片32脚

引脚功能:

A0~A17地址线

I/O0~7数据输入输出

CE片选

OE输出允许

PGM编程选通

VCC+5v电源

VPP+25v电源

GND地

27020读时序:

27040与之类似

RAM--6116

6116是2K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间90/120ns,

封装:24线双列直插式封装.

引脚功能: A0-A10为地址线;

CE是片选线;

OE是读允许线;

WE是写允许线.

操作方式:

RAM—6264

6264是8K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制

造,单一+5V供电,最大功耗450mW,典型存取时间70/100/120ns,

封装:直插式28脚

引脚功能:

A0~A12:地址线

WE写允许

OE读允许

CS片选

NC—Noconnection

I/O1~I/O8数据输入输出操作模式

常见存储器型号规格

常见电源稳压芯片

LM2930T-5.0 5.0V低压差稳压器 LM2930T-8.0 8.0V低压差稳压器 LM2931AZ-5.0 5.0V低压差稳压器(TO-92) LM2931T-5.0 5.0V低压差稳压器 LM2931CT 3V to 29V低压差稳压器(TO-220,5PIN) 线性LM2940CT-5.0 5.0V低压差稳压器 LM2940CT-8.0 8.0V低压差稳压器 LM2940CT-9.0 9.0V低压差稳压器 LM2940CT-10 10V低压差稳压器 LM2940CT-12 12V低压差稳压器 LM2940CT-15 15V低压差稳压器 LM123K 5V稳压器(3A) LM323K 5V稳压器(3A) LM117K 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM317LZ 1.2V to 37V三端正可调稳压器(0.1A) 线性LM317T 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM317K 1.2V to 37V三端正可调稳压器(1.5A) LM133K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(3.0A) LM333K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(3.0A) LM337K 三端可调-1.2V to -37V稳压器(1.5A)

LM337T 三端可调-1.2V to -37V稳压器(1.5A) 线性LM337LZ 三端可调-1.2V to -37V稳压器(0.1A) LM150K 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) LM350K 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) 线性LM350T 三端可调1.2V to 32V稳压器(3A) 线性LM138K 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM338T 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM338K 三端正可调1.2V to 32V稳压器(5A) LM336-2.5 2.5V精密基准电压源 LM336-5.0 5.0V精密基准电压源 LM385-1.2 1.2V精密基准电压源 LM385-2.5 2.5V精密基准电压源 LM399H 6.9999V精密基准电压源 LM431ACZ 精密可调2.5V to 36V基准稳压源 LM723 高精度可调2V to 37V稳压器 LM105 高精度可调4.5V to 40V稳压器 LM305 高精度可调4.5V to 40V稳压器 MC1403 2.5V基准电压源 MC34063 充电控制器

电子竞赛常用CD40系列芯片资料

例:CD4001/74LS02(四双输入或非门)1、简要功能介绍 2、引脚功能图 3、应用实例电路图 图* 4001构成视力保护器

例:CD4011/74LS08(四2输入端与非门) 1、引脚功能图 逻辑表达式:Y = A.B (1)当X=0、Y=0时,将使两个NAND门之输出均为1,违反触发器之功用,故禁止使用。如真值表第一列。 (2)当X=0、Y=1时,由于X=1导致NAND-A的输出为”1”,使得NAND-B的两个输入均为”1”,因此NAND-B的输出为”0”,如真值表第二列。 (3)当X=1、Y=0时,由于Y=0导致NAND-B的输出为”1”,使得NAND-1的两个输入均为””1,因此NAND-A的输出为”0”,如真值表第三列。 (4)当X=1、Y=1时,因为一个””1不影响NAND门的输出,所以两个NAND门的输出均不改变状态,如真值表第四列。 3、应用实例电路图

例:CD4012/74LS20(双4输入端与非门)

例:CD4017/CD4022(十进制计数/分配器) 1、简要功能介绍 CD4017 是5 位Johnson 计数器,具有10 个译码输出端,CP、CR、INH 输入端。时钟输cd4017入端的斯密特触发器具有脉冲整形功能,对输入时钟脉冲上升和下降时间无限制。INH 为低电平时,计数器在时钟上升沿计数;反之,计数功能无效。CR 为高电平时,计数器清零。 2、引脚功能图 CO:进位脉冲输出 CP:时钟输入端 CR:清除端 INH:禁止端 Q0-Q9 计数脉冲输出端 VDD:正电源 VSS:地 3、应用实例电路图

电子设计常用芯片

741 运算放大器 2063A JRC杜比降噪 20730 双功放 24C01AIPB21 存储器 27256 256K-EPROM 27512 512K-EPROM 2SK212 显示屏照明 3132V 32V三端稳压 3415D 双运放 3782M 音频功放 4013 双D触发器 4017 十进制计数器/脉冲分配器4021 游戏机手柄 4046 锁相环电路 4067 16通道模拟多路开关 4069 游戏机手柄 4093 四2输入施密特触发器 4098 41256 动态存储器 52432-01 可编程延时电路 56A245 开关电源 5G0401 声控IC 5G673 八位触摸互锁开关 5G673 触摸调光 5G673 电子开关 6116 静态RAM 6164 静态RAM 65840 单片数码卡拉OK变调处理器7107 数字万用表A/D转换器74123 单稳多谐振荡器 74164 移位寄存器 7474 双D触发器 7493 16分频计数器 74HC04 六反相器 74HC157 微机接口 74HC4053 74HCU04 六反相器 74LS00 与门 74LS00 4*2与非门 74LS00 四2与非门 74LS00 与门 74LS04 6*1非门 74LS08 4*2与门 74LS11 三与门 74LS123 双单稳多谐振荡器 74LS123 双单稳多谐振荡器 74LS138 三~八译码器 74LS142 十进制计数器/脉冲分配器74LS154 4-16线译码器 74LS157 四与或门74LS161 四2计数器 74LS161 十六进制同步计数器 74LS161 四~二计数器 74LS164 数码管驱动 74LS18 射频调制器 74LS193 加/减计数器 74LS193 四2进制计数器 74LS194 双向移位寄存器 74LS27 4*2或非门 74LS32 四或门 74LS32 4*2或门 74LS374 八位D触发器 74LS374 三态同相八D触发器 74LS377 74LS48 7位LED驱动 74LS73 双J-K触发器 74LS74 双D触发器 74LS85 四位比较器 74LS90 计数器 75140 线路接收器 75141 线路接收器 75142A 线路接收器 75143A 线路接收器 7555 时钟发生器 79MG 四端负稳压器 8051 空调单片机 8338 六反相器 A1011 降噪 ACVP2205-26 梳状滤波视频处理 AD536 专用运放 AD558 双极型8位D-A(含基准电压)变换器AD558 双极型8位D-A(含基准电压)变换器AD574A 12比特A/D变换器 AD650 AD670 8比特A/D变换器(单电源)1995s-2、15 AD7523 D-A变换器1994x-125 AD7524 D-A变换器1994x-126 AD7533 模数转换器1994x-141 AD7533 模数转换器1995s-184 ADC0804 8比特A/D变换器1995s-2、20 ADC0809 8CH8比特A/D 1995s-2、23 ADC0833 A/D变换4路转换器1995s-2 ADC80 12比特A/D变换器1995s-2、8 ADC84/85 高速12比特A/D变换器1995s-2 AG101 手掌游戏机1993x-155 AM6081 双极型8位D-A变换器1994x-127 AMP1200 音频功放皇后1993s-104 AN115 立体声解码1991-135 AN2510S 摄象机寻象器1994x-109 AN2661NK 影碟机视频1995s-45

74LS系列芯片资料

74、74HC、74LS系列芯片资料 74、74HC、74LS系列芯片资料 系列电平典型传输延迟ns 最大驱动电流(-Ioh/Lol)mA AHC CMOS 8.5 -8/8 AHCT COMS/TTL 8.5 -8/8 HC COMS 25 -8/8 HCT COMS/TTL 25 -8/8 ACT COMS/TTL 10 -24/24 F TTL 6.5 -15/64 ALS TTL 10 -15/64 LS TTL 18 -15/24 注:同型号的74系列、74HC系列、74LS系列芯片,逻辑功能上是一样的。 74LSxx的使用说明如果找不到的话,可参阅74xx或74HCxx的使用说明。 有些资料里包含了几种芯片,如74HC161资料里包含了74HC160、74HC161、74HC162、74HC163四种芯片的资料。找不到某种芯片的资料时, 可试着查看一下临近型号的芯片资料。 7400 QUAD 2-INPUT NAND GATES与非门 7401 QUAD 2-INPUT NAND GATES OC与非门 7402 QUAD 2-INPUT NOR GATES或非门 7403 QUAD 2-INPUT NAND GATES与非门 7404 HEX INVERTING GATES反向器 7406 HEX INVERTING GATES HV高输出反向器 7408 QUAD 2-INPUT AND GATE与门 7409 QUAD 2-INPUT AND GATES OC与门 7410 TRIPLE 3-INPUT NAND GATES与非门 7411 TRIPLE 3-INPUT AND GATES与门 74121 ONE-SHOT WITH CLEAR单稳态 74132 SCHMITT TRIGGER NAND GATES 触发器与非门 7414 SCHMITT TRIGGER INVERTERS触发器反向器 74153 4-LINE TO 1 LINE SELECTOR四选一 74155 2-LINE TO 4-LINE DECODER译码器 74180 PARITY GENERATOR/CHECKER奇偶发生检验 74191 4-BIT BINARY COUNTER UP/DOWN计数器 7420 DUAL 4-INPUT NAND GATES双四输入与非门 7426 QUAD 2-INPUT NAND GATES与非门 7427 TRIPLE 3-INPUT NOR GATES三输入或非门 7430 8-INPUT NAND GATES八输入端与非门 7432 QUAD 2-INPUT OR GATES二输入或门 7438 2-INPUT NAND GATE BUFFER与非门缓冲器 7445 BCD-DECIMAL DECODER/DRIVER BCD译码驱动器

常用 系列芯片手册

常用74系列芯片手册 7400TTL2输入端四与非门 7401TTL集电极开路2输入端四与非门 7402TTL2输入端四或非门 7403TTL集电极开路2输入端四与非门 7404TTL六反相器 7405TTL集电极开路六反相器 7406TTL集电极开路六反相高压驱动器 7407TTL集电极开路六正相高压驱动器 7408TTL2输入端四与门 7409TTL集电极开路2输入端四与门 7410TTL3输入端3与非门 74107TTL带清除主从双J-K触发器 74109TTL带预置清除正触发双J-K触发器 7411TTL3输入端3与门 74112TTL带预置清除负触发双J-K触发器 7412TTL开路输出3输入端三与非门 74121TTL单稳态多谐振荡器 74122TTL可再触发单稳态多谐振荡器 74123TTL双可再触发单稳态多谐振荡器 74125TTL三态输出高有效四总线缓冲门 74126TTL三态输出低有效四总线缓冲门 7413TTL4输入端双与非施密特触发器 74132TTL2输入端四与非施密特触发器 74133TTL13输入端与非门 74136TTL四异或门 74138TTL3-8线译码器/复工器 74139TTL双2-4线译码器/复工器 7414TTL六反相施密特触发器

74145TTL BCD—十进制译码/驱动器 7415TTL开路输出3输入端三与门 74150TTL16选1数据选择/多路开关 74151TTL8选1数据选择器 74153TTL双4选1数据选择器 74154TTL4线—16线译码器 74155TTL图腾柱输出译码器/分配器 74156TTL开路输出译码器/分配器 74157TTL同相输出四2选1数据选择器74158TTL反相输出四2选1数据选择器7416TTL开路输出六反相缓冲/驱动器74160TTL可预置BCD异步清除计数器74161TTL可予制四位二进制异步清除计数器74162TTL可预置BCD同步清除计数器74163TTL可予制四位二进制同步清除计数器74164TTL八位串行入/并行输出移位寄存器74165TTL八位并行入/串行输出移位寄存器74166TTL八位并入/串出移位寄存器 74169TTL二进制四位加/减同步计数器7417TTL开路输出六同相缓冲/驱动器74170TTL开路输出4×4寄存器堆 74173TTL三态输出四位D型寄存器 74174TTL带公共时钟和复位六D触发器74175TTL带公共时钟和复位四D触发器74180TTL9位奇数/偶数发生器/校验器74181TTL算术逻辑单元/函数发生器 74185TTL二进制—BCD代码转换器 74190TTL BCD同步加/减计数器 74191TTL二进制同步可逆计数器 74192TTL可预置BCD双时钟可逆计数器

主存储器部件的组成与设计.

主存储器部件的组成与设计 主存储器部件的组成与设计 类别:存储器 主存储器概述(1)主存储器的两个重要技术指标◎读写速度:常常用存储周期来度量,存储周期是连续启动两次独立的存储器操作(如读操作)所必需的时间间隔。◎存储容量:通常用构成存储器的字节数或字数来计量。(2)主存储器与CPU及外围设备的连接是通过地址总线、数据总线、控制总线进行连接,见下图主存储器与CPU的连接◎地址总线用于选择主存储器的一个存储单元,若地址总线的位数k,则最大可寻址空间为2k。如k=20,可访问1MB的存储单元。 ◎数据总线用于在计算机各功能部件之间传送数据。◎控制总线用于指明总线的工作周期和本次输入/输出完成的时刻。(3)主存储器分类 ◎按信息保存的长短分:ROM与RAM◎按生产工艺分:静态存储器与动态存储器静态存储器(SRAM):读写速度快,生产成本高,多用于容量较小的高速缓冲存储器。动态存储器(DRAM):读写速度较慢,集成度高,生产成本低,多用于容量较大的主存储器。静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表:静态和动态存储器芯片特性比较SRAMDRAM存储信息触发器电容破坏性读出非是 需要刷新不要需要送行列地址同时送分两次送运行速度 快慢集成度低高发热量大小存储成本高低 动态存储器的定期刷新:在不进行读写操作时,DRAM存储器的各单元处于断电状态,由于漏电的存在,保存在电容CS上的电荷会慢慢地漏掉,为此必须定时予以补充,称为刷新操作。2、动态存储器的记忆原理和读写过程(1)动态存储器的组成:由单个MOS管来存储一位二进制信息。信息存储在MOS管的源极的寄生电容CS中。◎写数据时:字线为高电平,T导通。写“1”时,位线(数据线)为低电平,VDD(电源)将向电容充电写“0时,位线(数据线)为高电平,若电容存储了电荷,则将会使电容完成放电,就表示存储了“0”。◎读数据时:先使位线(数据线)变为高电平,当字线高电平到来时T导通,若电容原存储有电荷(是“1”),则电容就要放电,就会使数据线电位由高变低;若电容没有存储电荷(是“0”),则数据线电位不会变化。检测数据线上电位的变化就可以区分读出的数据是1还是0。注意①读操作使电容原存储的电荷丢失,因此是破坏性读出。为保持原记忆内容,必须在读操作后立刻跟随一次写入操作,称为预充电延迟。②向动态存储器的存储单元提供地址,是先送行地址再送列地址。原因就是对动态存储器必须定时刷新(如2ms),刷新不是按字处理,而是每次刷新一行,即为连接在同一行上所有存储单元的电容补充一次能量。③在动态存储器的位线上读出信号很小,必须接读出放大器,通常用触发器线路实现。④存储器芯片内部的行地址和列地址锁存器分先后接受行、列地址。⑤RAS、CAS、WE、Din、

常见存储器芯片资料(简版)

2716 2716指的是Intel2716芯片,Intel2716是一种可编程可擦写存储器芯片封装:双列直插式封装,24个引脚 基本结构:带有浮动栅的MOS管 封装:直插24脚, 引脚功能: Al0~A0:地址信号 O7~O0:双向数据信号输入输出引脚; CE:片选 OE:数据输出允许; Vcc:+5v电源, VPP:+25v电源; GND:地 2716读时序:

2732 相较于2716: Intel2716存储器芯片的存储阵列由4K×8个带有浮动栅的MOS管构成,共可保存4K×8位二进制信息 封装:直插24脚 引脚功能: A0~A11地址 E片选 G/VPP输出允许/+25v电源 DQ0~7数据双向 VSS地 VCC+5v电源 2732读时序

2764、27128、27256、27512等与之类似27020 存储空间:256kx8 读写时间:55/70ns 封装:直插/贴片32脚 引脚功能:

A0~A17地址线 I/O0~7数据输入输出 CE片选 OE输出允许 PGM编程选通 VCC+5v电源 VPP+25v电源 GND地 27020读时序: 27040与之类似 RAM--6116 6116是2K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗160mW,典型存取时间90/120ns, 封装:24线双列直插式封装.

引脚功能: A0-A10为地址线; CE是片选线; OE是读允许线; WE是写允许线. 操作方式: RAM—6264 6264是8K*8位静态随机存储器芯片,采用CMOS工艺制 造,单一+5V供电,最大功耗450mW,典型存取时间70/100/120ns, 封装:直插式28脚 引脚功能: A0~A12:地址线 WE写允许 OE读允许 CS片选

交叉存储器设计

计算机组成原理课程设计 多体交叉存储器 一、设计目的 (1)深入了解提高计算机系统效率的一种有效方式——并行性; (2)研究交叉存储器的设计原理和实现方式,采用并行性的设计思想,设计一个简易的采用低位交叉编址的并行结构存储器; (3)复习和回顾译码电路设计、地址、数据和控制电路设计的相关知识;展开研究性教学,拓展大家知识面,提高分析问题解决问题的能力; (4)培养大家独立思考和创新研究的能力,积极营造自主创新的良好氛围; 二、设计内容 本次研究性设计要求为:设计一个容量为64KB 的采用低位交叉编址的8体并行结构存储器。画出CPU 和存储芯片(芯片容量自定)的连接图,并写出图中每个存储芯片的地址范围(用 十六进制数表示)。 三、设计要求 (1)参考教材中关于交叉存储器的原理,给出系统设计方案,包括译码芯片的选择、各个芯片的工作时序设计; (2)注意片选信号的产生电路设计、地址锁存电路设计、数据信号线的电路设计、控制信号线的设计、交叉存储的实现; (3)要了解交叉存储器并行工作原理、各个存储器提的启动信号和地址、数据、片选信号的关系、如何实现1/8存储器周期就能够读取一次数据。 四、设计方案 (1)总线和控制信号确定 设CPU 共有16根地址线,8根数据线,并用IO /M 作为访问存储器或I/O 的控制信号(高电平为访存,低电平为访I/O ),WR (低电平有效)为写命令,RD (低电平有效)为读命令。

要求:设计一个容量为64KB 的采用低位交叉编址的8体并行结构存储器。画出CPU 和存储芯片(芯片容量自定)的连接图,并写出图中每个存储芯片的地址范围(用十六进制数表示)。 所需存储器芯片和138 Ai A0 … CE … WE Dn D0 RAM 存储器芯片 74LS138译码器 (2)设计分析 要设计一个容量为64KB 、采用低位交叉编址的8体并行结构存储器,则每个存储体容量应为64KB/8 = 8KB ,所以,应选择8KB (213B )的RAM 芯片,需要芯片8块、地址线13根(A12-A0)、数据线8根(D7-D0),其中在片选信号的产生时需要用到74LS138译码器。 (3)设计实现 ① 8片8K ×8RAM 芯片对应的二进制编码 第0片:0000、0008、0010、…、FFF8H ,即: A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 … 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 第1片:0001、0009、0011、…、FFF9H ,即: A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 … 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 第2片:0002、000A 、0012、…、FFFAH ,即: A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 … RAM G1 /Y7 /G2A /Y6 /G2B /Y5 /Y4 /Y3 C /Y2 B /Y1 A /Y0

实验五_存储器设计

计算机组成原理 实验五《存储器设计》 实验报告 姓名:吴速碘黄紫微 学号:13052053 13052067 班级:计算机二班 日期2015、5、25

实验五存储器设计 一、实验目的 1、掌握RAM和ROM的Verilog语言描述方法; 2、学习用宏模块的方法定制RAM和ROM。 二、实验任务 1、设计并实现一个128*16 的单端口的RAM; 2、设计并实现一个128*16的ROM; 3、设计并实现一个双端口的128*16的RAM 4、设计并实现一个16*32的FIFO。 5、设计并实现正弦信号发生器,见“正弦信号发生器实验指南”。 三、实验步骤 1 编写Verilog代码(见附页) 2功能仿真 进行分析与综合,排除语法上的错误 建立波形仿真文件,输入激励 生成功能仿真网表 进行功能仿真,观察输出结果 3选择器件 DE2_70开发板的使用者请选择EP2C70F896C6 4绑定管脚 5 下载验证 DE2_70开发板的下载:使用USB-Blaster进行下载 四、实验内容 五、实验思考题 1、分析存储器采用三态输出的原因是什么? 存储器的输出端是连接在数据总线上的。数据总线相当于一条车流频繁的大马路,必须在绿灯条件下,车辆才能进入这条大马路,否则要撞车发生交通事故。同 理,存储器中的数据是不能随意传送到数据总线上的。例如,若数据总线上的数 据是“1”(高电平5V),存储器中的数据是“0”(低电平0V),两种数据若碰到一 起就会发生短路而损坏单片机。因此,存储器输出端口不仅能呈现“l”和“0”两 种状态,还应具有第三种状态“高阻"态。呈“高阻"态时,输出端口相当于断开,对数据总线不起作用,此时数据总线可被其他器件占用。当其他器件呈“高阻”态 时,存储器在片选允许和输出允许的条件下,才能将自己的数据输出到数据总线 上。 2、单端口和双端口的区别是什么? 单端口ram是ram的读写只有一个端口,同时只能读或者只能写。 双端口ram是ram读端口和写端口分开,一个端口能读,另一个端口可以同时写。 3、什么情况下考虑采用双端口存储器?

常用电源芯片手册

常用电源芯片 第1章DC-DC电源转换器/基准电压源 1.1 DC-DC电源转换器 1.低噪声电荷泵DC-DC电源转换器AAT3113/AAT3114 2.低功耗开关型DC-DC电源转换器ADP3000 3.高效3A开关稳压器AP1501 4.高效率无电感DC-DC电源转换器FAN5660 5.小功率极性反转电源转换器ICL7660 6.高效率DC-DC电源转换控制器IRU3037 7.高性能降压式DC-DC电源转换器ISL6420 8.单片降压式开关稳压器L4960 9.大功率开关稳压器L4970A 10.1.5A降压式开关稳压器L4971 11.2A高效率单片开关稳压器L4978 12.1A高效率升压/降压式DC-DC电源转换器L5970 13.1.5A降压式DC-DC电源转换器LM1572 14.高效率1A降压单片开关稳压器LM1575/LM2575/LM2575HV 15.3A降压单片开关稳压器LM2576/LM2576HV 16.可调升压开关稳压器LM2577 17.3A降压开关稳压器LM2596 ,tob_id_4926 18.高效率5A开关稳压器LM2678 19.升压式DC-DC电源转换器LM2703/LM2704 20.电流模式升压式电源转换器LM2733 21.低噪声升压式电源转换器LM2750 22.小型75V降压式稳压器LM5007 23.低功耗升/降压式DC-DC电源转换器LT1073 24.升压式DC-DC电源转换器LT1615

25.隔离式开关稳压器LT1725 26.低功耗升压电荷泵LT1751 27.大电流高频降压式DC-DC电源转换器LT1765 28.大电流升压转换器LT1935 29.高效升压式电荷泵LT1937 30.高压输入降压式电源转换器LT1956 31.1.5A升压式电源转换器LT1961 32.高压升/降压式电源转换器LT3433 33.单片3A升压式DC-DC电源转换器LT3436 34.通用升压式DC-DC电源转换器LT3460 35.高效率低功耗升压式电源转换器LT3464 36.1.1A升压式DC-DC电源转换器LT3467 37.大电流高效率升压式DC-DC电源转换器LT3782 38.微型低功耗电源转换器LTC1754 39.1.5A单片同步降压式稳压器LTC1875 40.低噪声高效率降压式电荷泵LTC1911 41.低噪声电荷泵LTC3200/LTC3200-5 42.无电感的降压式DC-DC电源转换器LTC3251 43.双输出/低噪声/降压式电荷泵LTC3252 44.同步整流/升压式DC-DC电源转换器LTC3401 45.低功耗同步整流升压式DC-DC电源转换器LTC3402 46.同步整流降压式DC-DC电源转换器LTC3405 47.双路同步降压式DC-DC电源转换器LTC3407 48.高效率同步降压式DC-DC电源转换器LTC3416 49.微型2A升压式DC-DC电源转换器LTC3426 50.2A两相电流升压式DC-DC电源转换器LTC3428 51.单电感升/降压式DC-DC电源转换器LTC3440 52.大电流升/降压式DC-DC电源转换器LTC3442 53.1.4A同步升压式DC-DC电源转换器LTC3458 54.直流同步降压式DC-DC电源转换器LTC3703

计算机组成原理课程设计-相联存储器的设计

沈阳航空航天大学 课程设计报告 课程设计名称:计算机组成原理课程设计课程设计题目:相联存储器的设计与实现 院(系):计算机学院 专业:物联网技术方向 班级:物联1305 学号: 姓名: 指导教师: 完成日期:2016年1月15日

目录 第1章总体设计方案 (1) 设计原理 (1) 设计思路 (2) 设计环境 (3) 第2章详细设计方案 (5) 总体方案的设计与实现 (5) 创建顶层图形设计文件 (5) 器件的选择与引脚锁定 (5) 功能模块的设计与实现 (8) 检索寄存器的设计与实现 (8) 屏蔽寄存器的设计与实现 (8) 存储体的设计与实现 (9) 比较器的设计与实现 (10) 与门芯片的设计与实现 (11) 第3章程序调试与结果测试 (12) 程序调试 (12) 程序测试及结果分析 (12) 参考文献附录(源代码) (15)

第1章总体设计方案 1.1设计原理 相联存储器不按地址寻址而按照内容寻址,相联存储器由检索寄存器CR、屏蔽寄存器MR、存储体和结果寄存器SRR构成。设存储器有8个字,8位,则CR 与MR为1字8位,将要检索的内容输入到检索寄存器CR中,用屏蔽寄存器MR 屏蔽掉存储体中不参与比较的位数,其余比较位不变,将这个结果与检索寄存器比较,将结果送入结果寄存器保存,根据结果寄存器的数据可以得到符合检索寄存器的数据所在的存储区域,原理如图1。 图 1 相联存储器原理图

1.2设计思路 检索寄存器(CR):存放要检索的数据,位数与存储器字长一致。 屏蔽寄存器(MR):与CR配合使用,检索位置为1,其余不参与比较的位设为0,位数与存储体字长一致,与存储体里的数据相与,得到的结果送入结果寄存器保存。 存储体:由3-8译码器选择地址输入数据,是8乘8的结构。 结果寄存器:存放检索寄存器和屏蔽寄存器相与的结果。 若存储体存的八个存储单元分别存着数据为: 00100110、、、、01100010、、00101001,CR中存储的数据为00010100,MR存的数据是00011100,经过比较可以发现第三个和第五个存储单元符合CR,所以输出00101000,见图2。 X X X 1 0 1 X X CR SRR 1 1

各种集成电路介绍

第一节三端稳压IC 电子产品中常见到的三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列。故名思义,三端IC是指这种稳压用的集成电路只有三条引脚输出,分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管,TO-220的标准封装,也有9013样子的TO-92封装。 用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少,电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路,使用起来可靠、方便,而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压,如7806表示输出电压为正6V,7909表示输出电压为负9V。 78/79系列三端稳压IC有很多电子厂家生产,80年代就有了,通常前缀为生产厂家的代号,如TA7805是东芝的产品,AN7909是松下的产品。(点击这里,查看有关看前缀识别集成电路的知识) 有时在数字78或79后面还有一个M或L,如78M12或79L24,用来区别输出电流和封装形式等,其中78L调系列的最大输出电流为100mA,78M系列最大输出电流为1A,78系列最大输出电流为1.5A。它的封装也有多种,详见图。塑料封装的稳压电路具有安装容易、价格低廉等优点,因此用得比较多。79系列除了输出电压为负。引出脚排列不同以外,命名方法、外形等均与78系列的相同。 因为三端固定集成稳压电路的使用方便,电子制作中经常采用,可以用来改装分立元件的稳压电源,也经常用作电子设备的工作电源。电路图如图所示。 注意三端集成稳压电路的输入、输出和接地端绝不能接错,不然容易烧坏。一般三端集成稳压电路的最小输入、输出电压差约为2V,否则不能输出稳定的电压,一般应使电压差保持在4-5V,即经变压器变压,二极管整流,电容器滤波后的电压应比稳压值高一些。 在实际应用中,应在三端集成稳压电路上安装足够大的散热器(当然小功率的条件下不用)。当稳压管温度过高时,稳压性能将变差,甚至损坏。 当制作中需要一个能输出1.5A以上电流的稳压电源,通常采用几块三端稳压电路并联起来,使其最大输出电流为N个1.5A,但应用时需注意:并联使用的集成稳压电路应采用同一厂家、同一批号的产品,以保证参数的一致。另外在输出电流上留有一定的余量,以避免个别集成稳压电路失效时导致其他电路的连锁烧毁。 第二节语音集成电路 电子制作中经常用到音乐集成电路和语言集成电路,一般称为语言片和音乐片。它们一般都是软包封,即芯片直接用黑胶封装在一小块电路板上。语音IC一般还需要少量外围元件才能工作,它们可直接焊到这块电路板上。

常用数字芯片大全

产品 型号规格性能说明型号规格性能说明 名称 74LS SN74LSOO四2输入与非门SN74LSO1四2输入与非门 SN74LSO2四2输入与非门SN74LS03四2输入与非门 SN74LS04六反相器SN74LS05六反相器 SN74LS06六反相缓冲器/驱动器SN74LS07六缓冲器/驱动器 SN74LS08四2输入与非门SN74LS09四2输入与非门 SN74LS10三3输入与非门SN74LS11三3输入与非门 SN74LS12三3输入与非门SN74LS13三3输入与非门 SN74LS14六反相器.斯密特触发SN74LS15三3输入与非门 SN74LS16六反相缓冲器/驱动器SN74LS17六反相缓冲器/驱动器 SN74LS20双4输入与门SN74LS21双4输入与门 SN74LS22双4输入与门SN74LS25双4输入与门 SN74LS26四2输入与非门SN74LS27三3输入与非门 SN74LS28四输入端或非缓冲器SN74LS30八输入端与非门 SN74LS32四2输入或门SN74LS33四2输入或门 SN74LS37四输入端与非缓冲器SN74LS38双2输入与非缓冲器 SN74LS40四输入端与非缓冲器SN74LS42BCD-十进制译码器 SN74LS47BCD-七段译码驱动器SN74LS48BCD-七段译码驱动器SN74LS49BCD-七段译码驱动器SN74LS51三3输入双与或非门 SN74LS54四输入与或非门SN74LS55四4输入与或非门 SN74LS63六电流读出接口门SN74LS73双J-K触发器 SN74LS74双D触发器SN74LS754位双稳锁存器 SN74LS76双J-K触发器SN74LS78双J-K触发器 SN74LS83双J-K触发器SN74LS854位幅度比较器 SN74LS86四2输入异或门SN74LS884位全加器 SN74LS904位十进制波动计数器SN74LS918位移位寄存器 SN74LS9212分频计数器SN74LS93二进制计数器 SN74LS965位移位寄存器SN74LS954位并入并出寄存器 SN74LS109正沿触发双J-K触发器SN74LS107双J-K触发器 SN74LS113双J-K负沿触发器SN74LS112双J-K负沿触发器 SN74LS121单稳态多谐振荡器SN74LS114双J-K负沿触发器 SN74LS123双稳态多谐振荡器SN74LS122单稳态多谐振荡器 SN74LS125三态缓冲器SN74LS124双压控振荡器 SN74LS1313-8线译码器SN74LS126四3态总线缓冲器 SN74LS13313输入与非门SN74LS132二输入与非触发器 SN74LS137地址锁存3-8线译码器SN74LS136四异或门 SN74LS139双2-4线译码-转换器SN74LS1383-8线译码/转换器 SN74LS14710-4线优先编码器SN74LS145BCD十进制译码/驱动器SN74LS153双4选1数据选择器SN74LS1488-3线优先编码器 SN74LS155双2-4线多路分配器SN74LS1518选1数据选择器 SN74LS157四2选1数据选择器SN74LS1544-16线多路分配器 SN74LS160同步BDC十进制计数器SN74LS156双2-4线多路分配器

存储器设计:存储器设计课程设计

计算机组成原理实验 实验五存储器设计 专业班级计算机科学与技术 学号0936008 姓名冯帆 学号0936036 姓名张琪 实验地点理工楼901 实验五存储器设计 一、实验目的 1、掌握RAM 和ROM 的Verilog 语言描述方法; 2、学习用宏模块的方法定制RAM 和ROM 。 二、实验内容

1、设计并实现一个8*8 的单端口的RAM ; 2、设计并实现一个128*16的ROM ; 3、设计并实现一个双端口的128*16的RAM 。 4、设计并实现正弦信号发生器,参考“正弦信号发生器实验指南”。 三、实验仪器及设备 PC 机+ Quartus Ⅱ0 + DE2-70 四、实验步骤 打开Quartus 软件,新建工程。 2.分析单端口,双端口,ROM,RAM 的含义。 3.Verilog 程序如下,并简单注释。 ①

module SingleRamTest(read_data, read_address, write_data, write_address, memwrite, clock, reset); output [7:0] read_data; //数据的输出 input [2:0] read_address; //读数据地址的输入 input [7:0] write_data; //写数据地址的输入 input [2:0] write_address; //写数据地址的输入 input memwrite; //若该信号为1,进行写操作,反之,写操作input clock; input reset; //复位和时钟信号 reg [7:0] read_data, mem0, mem1,mem2,mem3,mem4,mem5,mem6,mem7; //设置存储器存储单元 always @(read_address or mem0 or mem1 or mem2 or mem3 or mem4 or mem5 or mem6 or mem7) //若上述信号有一个发生变化,则启动该模块begin

常用的十大电子元器件Datasheet

常用的十大电子元器件Datasheet 元器件数据表(datasheet)是电子工程师项目开发时经常使用到的手册。Datasheet(数据手册)包含了电子芯片的各项参数,电性参数,物理参数,甚至制造材料,使用建议等,一般由厂家编写,内容形式一般为说明文字,各种特性曲线,图表,数据表等。下面介绍一下常用的十大电子元件: 1、DS18B20温度传感器273W百度收录总数 常用指数:★★★★★ DS18B20是Dallas公司生产的数字温度传感器,具有体积小、适用电压宽、经济灵活的特点。它内部使用了onboard专利技术,全部 传感元件及转换电路集成在一个形如三极管的集成电路内。DS18B20有电源线、地线及数据线3根引脚线,工作电压范围为3~5.5 V ,支持单总线接口。 免费下载:DS18B20 2、TL431可控精密稳压源244W 常用指数:★★★★ TL431是由德州仪器生产,所谓TL431就是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准源。它的输出电压用两个电阻就可以任意地 设置到从Vref(2.5V)到36V范围内的任何值(如图1)。该器件的典型动态阻抗为0.2Ω,在很多应用中可以用它代替齐纳二极管,例如, 数字电压表,运放电路、可调压电源,开关电源等等。 免费下载:TL431

LM358双运算放大器238W 常用指数:★★★★ LM358双运算放大器,适合于电源电压范围很宽的单电源使用,也适用于双电源工作模式,在推荐的工作条件下,电源电流与电源电压无关。它的使用范围包括传感放大器、直流增益模块和其他所有可用单电源供电的使用运算放大器的场合。 免费下载:LM358 4、LM324四路运算放大器236W 常用指数:★★★★ LM324系列是低成本的四路运算放大器,具有真正的差分输入。在单电源应用中,它们与标准运算放大器类型相比具有几个明显的优 势。该四路放大器可以工作于低至3.0 V或高达32 V的电源电压,静态电流是MC1741的五分之一左右(每个放大器)。共模输入范围 包括负电源,因此在众多应用中无需外部偏置元器件。输出电压范围也包括负电源电压。免费下载:LM324 5、DAC0832数模转换芯片157W 常用指数:★★★ DAC0832是8分辨率的D/A转换集成芯片。与微处理器完全兼容。这个DA芯片以其价格低廉、接口简单、转换控制容易等优点,在单 片机应用系统中得到广泛的应用。D/A转换器由8位输入锁存器、8位DAC寄存器、8位D/A转换电路及转换控制电路构成。 免费下载:DAC0832

杭电计算机组成原理存储器设计实验5

杭州电子科技大学计算机学院 课程名称 实验项目 指导教师 实验位置 计算机组成原理 存储器设计实验 实验报告 ______ 姓 ______ 班 名 级 号 期 2015年5月15日

本实验的结果正确,根据自己写的coe 文件中存储的数据进行操作,和实验四 有很多的相似 处,只是进行简单的读写的操作 ,实验的结果正确?能够根据操 作,lED 灯显示具体的数据? 配置管脚: NET "C[0]" LOC = T10; NET "C[1]" LOC = T9; NET "Clk" LOC = C9; ( 接 上) 实验 内容 ( 算 法、 程 序、 步骤 NET "LED[0]" LOC = :U16; NET "LED[1]" LOC = :V16; NET "LED[2]" LOC = :U15; NET "LED[3]" LOC = :V15; NET "LED[4]" LOC = :M11; NET "LED[5]" LOC = :N11; NET "LED[6]" LOC = :R11; NET "LED[7]" LOC = :T11; NET "Mem_Addr[2]" LOC = :V9; NET "Mem_Addr[3]" LOC = :M8; NET "Mem_Addr[4]" LOC = :N8; NET "Mem_Addr[5]" LOC = :U8; NET "Mem_Addr[6]" LOC = :V8; NET "Mem_Addr[7]" LOC = :T5; NET "Mem_Write" L( OC = B8; 实验仿真结果 数据 记录 和计 Objqcti f

常用芯片引脚图[1]

您的数字ID 是:463099 您的密码是:1.8667 附录三 常用芯片引脚图 一、单片机类 1、MCS-51 芯片介绍:MCS-51系列单片机是美国Intel 公司开发的8位单片机,又可以分为多个子系列。 MCS-51系列单片机共有40条引脚,包括32 条I/O 接口引脚、4条控制引脚、2条电源引脚、2条时钟引脚。引脚说明: P0.0~P0.7:P0口8位口线,第一功能作为通用I/O 接口,第二功能作为存储器扩展时的地址/数据复用口。P1.0~P1.7:P1口8位口线,通用I/O 接口无第二功能。P2.0~P2.7:P2口8位口线,第一功能作为通用I/O 接口,第二功能作为存储器扩展时传送高8位地址。 P3.0~P3.7:P3口8位口线,第一功能作为通用I/O 接口,第二功能作为为单片机的控制信号。 ALE/PROG :地址锁存允许/编程脉冲输入信号线(输出信号) PSEN :片外程序存储器开发信号引脚(输出信号) EA/Vpp :片外程序存储器使用信号引脚/编程电源输入引脚 RST/VPD :复位/备用电源引脚 2、MCS-96 芯片介绍:MCS-96系列单片机是美国Intel 公司继MCS-51系列单片机之后推出的16位单 片机系列。它含有比较丰富的软、硬件 资源,适用于要求较高的实时控制场合。 它分为48引脚和68引脚两种,以48引 脚居多。 引脚说明: RXD/P2.1TXD/P2.0:串行数据传出分发 送和接受引脚,同时也作为P2口的两条 口线 HS1.0~HS1.3:高速输入器的输入端 HS0.0~HS0.5:高速输出器的输出端(有 两个和HS1共用) Vcc :主电源引脚(+5V ) Vss :数字电路地引脚(0V ) Vpd :内部RAM 备用电源引脚(+5V ) V REF :A/D 转换器基准电源引脚(+5V ) AGND :A/D 转换器参考地引脚 XTAL1、XTAL2:内部振荡器反相器输 P1.0P1.1P1.2P1.3P1.4P1.5P1.6P1.7RST RXD/P3.0TXD/P3.1INT0/P3.2INT1/P3.3T0/P3.4T1/P3.5WR/P3.6RD/P3.7XTAL2XTAL1V SS

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