微电子工艺名词解释集
作者：不详来源：转载发布时间：2008-7-15 7:25:07
影响工厂成本的主要因素有哪些？
答：Direct Material 直接材料,例如:蕊片 Indirect Material间接材料,例如气体… Labor 人力 Fixed Manufacturing机器折旧,维修,研究费用……等 Production Support其它相关单位所花费的费用
在FAB内，间接物料指哪些？
答：Gas 气体 Chemical 酸,碱化学液 PHOTO Chemical 光阻,显影液 Slurry 研磨液Target 靶材 Quartz 石英材料 Pad & Disk 研磨垫 Container 晶舟盒(用来放蕊片) Control Wafer 控片 Test Wafe r测试,实验用的蕊片
什幺是变动成本(Variable Cost)?
答：成本随生产量之增减而增减.例如:直接材料,间接材料
什幺是固定成本(Fixed Cost)?
答：此种成本与产量无关,而与每一期间保持一固定数额.例如:设备租金,房屋折旧及檵器折旧
Yield(良率)会影响成本吗?如何影响?
答：Fab yield= 若无报废产生,投入完全等于产出,则成本耗费最小CP Yield:CP Yield 指测试一片芯片上所得到的有效的IC数目。当产出芯片上的有效IC数目越多,即表示用相同制造时间所得到的效益愈大.
生产周期(Cycle Time)对成本(Cost)的影响是什幺?
答：生产周期愈短,则工厂制造成本愈低。正面效益如下: (1) 积存在生产线上的在制品愈少 (2) 生产材料积存愈少 (3) 节省管理成本 (4) 产品交期短,赢得客户信赖,建立公司信誉
FAC
根据工艺需求排气分几个系统?
答：分为一般排气（General）、酸性排气（Scrubbers）、碱性排气（Ammonia）和有机排气（Solvent）四个系统。
高架地板分有孔和无孔作用?
答：使循环空气能流通，不起尘，保证洁净房内的洁净度; 防静电；便于HOOK-UP。
离子发射系统作用
答：离子发射系统，防止静电
SMIC洁净等级区域划分
答：Mask Shop class 1 & 100Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000
什幺是制程工艺真空系统(PV)
答：是提供厂区无尘室生产及测试机台在制造过程中所需的工艺真空;如真空吸笔、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。该系统提供一定的真空压力(真空度大于 80 kpa)和流量，每天24小时运行
什幺是MAU(Make Up Air Unit),新风空调机组作用
答：提供洁净室所需之新风，对新风湿度，温度，及洁净度进行控制，维持洁净室正压和湿度要求。
House Vacuum System 作用
答：HV(House Vacuum)系统提供洁净室制程区及回风区清洁吸取微尘粒子之真空源，其真空
度较低。使用方法为利用软管连接事先已安装在高架地板下或柱子内的真空吸孔，打开运转
电源。此系统之运用可减低清洁时的污染。
Filter Fan Unit System(FFU)作用
答：FFU系统保证洁净室内一定的风速和洁净度，由Fan和Filter(ULPA)组成。
什幺是Clean Room 洁净室系统
答：洁净室系统供应给制程及机台设备所需之洁净度、温度、湿度、正压、气流条件等环境
要求。
Clean room spec:标准
答：Temperature 23 °C ± 1°C(Photo:23 °C ± 0.5°C)Humidity 45%± 5%(Photo:45%± 3% )Class 100Overpressure +15paAir velocity 0.4m/s ± 0.08m/s
Fab 内的safety shower的日常维护及使用监督由谁来负责
答：Fab 内的 Area Owner（若出现无水或大量漏水等可请厂务水课（19105）协助）
工程师在正常跑货用纯水做rinse或做机台维护时，要注意不能有酸或有机溶剂（如IPA
等）进入纯水回收系统中，这是因为：
答：酸会导致conductivity(导电率)升高，有机溶剂会导致TOC升高。两者均会影响并降
低纯水回收率。
若在Fab 内发现地面有水滴或残留水等，应如何处理或通报
答：先检查是否为机台漏水或做PM所致，若为厂务系统则通知厂务中控室（12222）
机台若因做PM或其它异常，而要大量排放废溶剂或废酸等应首先如何通报
答：通知厂务主系统水课的值班（19105）
废水排放管路中酸碱废水/浓硫酸/废溶剂等使用何种材质的管路?
答：酸碱废水/高密度聚乙烯(HDPE)浓硫酸/钢管内衬铁福龙(CS-PTFE)废溶剂/不琇钢管(SUS) 若机台内的drain管有接错或排放成分分类有误，将会导致后端的主系统出现什幺问题? 答：将会导致后端处理的主系统相关指标处理不合格，从而可能导致公司排放口超标排放的
事故。
公司做水回收的意义如何?
答：(1) 节约用水，降低成本。重在环保。 (2) 符合ISO可持续发展的精神和公司环境保
护暨安全卫生政策。
何种气体归类为特气(Specialty Gas)?
答：SiH2Cl2
何种气体由VMB Stick点供到机台?
答：H2
何种气体有自燃性?
答：SiH4
何种气体具有腐蚀性?
答：ClF3
当机台用到何种气体时，须安装气体侦测器?
答：PH3
名词解释 GC, VMB, VMP
答：GC- Gas Cabinet 气瓶柜VMB- Valve Manifold Box 阀箱，适用于危险性气体。VMP- Valve Manifold Panel 阀件盘面，适用于惰性气体。
标准大气环境中氧气浓度为多少？工作环静氧气浓度低于多少时人体会感觉不适？
答：21%19%
什幺是气体的 LEL? H2的LEL 为多少？
答：LEL- Low Explosive Level 气体爆炸下限H2 LEL- 4%.
当FAB内气体发生泄漏二级警报（既Leak HiHi），气体警报灯（LAU）会如何动作？FAB 内工作人员应如何应变？
答：LAU红、黄灯闪烁、蜂鸣器叫听从ERC广播命令，立刻疏散。
化学供应系统中的化学物质特性为何?
答：(1) Acid/Caustic 酸性/腐蚀性(2) Solvent有机溶剂(3) Slurry研磨液
有机溶剂柜的安用保护装置为何?
答：(1) Gas/Temp. detector;气体/温度侦测器(2) CO2 extinguisher;二氧化碳灭火器中芯有那几类研磨液(slurry)系统?
答：(1) Oxide (SiO2) (2) Tungsten (W)鵭
设备机台总电源是几伏特?
答：208V OR 380V
欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,可以无限制使用延长线吗?
答：不可以
如何选用电器器材?
答：使用电器器材需采用通过认证之正规品牌
机台开关可以任意分/合吗?
答：未经确认不可随意分/合任何机台开关,以免造成生产损失及人员伤害.
欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,也不能无限制使用延长线,对吗? 答：对
假设断路器启断容量为16安培导线线径2.5mm2,电源供应电压单相220伏特,若使用单相5000W电器设备会产生何种情况?
答：断路器跳闸
当供电局供电中断时,人员仍可安心待在FAB中吗?
答：当供电局供电中断时,本厂因有紧急发电机设备,配合各相关监视系统,仍然能保持FAB 之Safety,所以人员仍可安心待在FAB中.
MFG
什幺是WPH?
答：WPH(wafer per hour) 机台每小时之芯片产出量
如何衡量 WPH ?
答：WPH 值愈大,表示其机台每小时之芯片产出量高,速度快
什幺是 Move?
答：芯片的制程步骤移动数量.
什幺是 Stage Move?
答：一片芯片完成一个Stage之制程,称为一个Stage Move
什幺是Step Move?
答：一片芯片完成一个Step 之制程, 称为一个Step Move.
Stage 和 step 的关系?
答：同一制程目的的step合起来称为一个stage; 例如炉管制程长oxide的stage, 通常要经过清洗,进炉管,出炉管量测厚度3道step
AMHS名词解释?
答：Automation Material Handling System; 生产线大部份的lot是透过此种自动传输系统来运送
SMIF名词解释?
答：Standard Mechanic InterFace (确保芯片在操作过程中; 不会曝露在无尘室的大环境中;所需的界面) 所需使用的器具有FOUP/Loadport/Mini-environment等;
为什幺SMIF可以节省厂务的成本?
答：只需将这些wafer run货过程中会停留的小区域控制在class 1 下即可,而其它大环境洁净度只要维持在class 100 或较低的等级);在此种界面下可简称为"包货包机台不包人";对于维持洁净度的成本是较低的;操作人员穿的无尘衣可以较高透气性为优先考量,舒适性较佳
为什幺SMIF可以提高产品的良率?
答：因为无尘室中的微尘不易进入wafer的制程环境中
Non-SMIF名词解释
答：non-Standard mechanic InterFace;芯片在操作的过程中会裸露在无尘室的大环境中,所以整个无尘室洁净度要维持在class1的等级;所以厂务的成本较高且操作人员的无尘衣要以过滤性为优先考量,因此是较不舒适的
SMIF FOUP名词解释?
答：符合SMIF标准之WAFER container,Front Opening Unit FOUP
MES名词解释?
答：Manfaucture Execution System; 即制造执行系统; 该系统掌握生产有关的信息,简述几项重点如下(1) 每一类产品的生产step内容/规格/限制(2) 生产线上所有机台的可使用状况;如可run那些程序,实时的机台状态(可用/不可用)(3) 每一产品批的基本资料与制造过程中的所有数据(在那些机台上run过/量测结果值/各step的时间点/谁处理过/过程有否工程问题批注…等(4) 每一产品批现在与未来要执行的step等资料
EAP名词解释?
答：(1) Equpiment Automation Program;机台自动化程序;(2) 一旦机台有了EAP,此系统即会依据LOT ID来和MES与机台做沟通反馈及检查, 完成机台进货生产与出货的动作;另外大部份量测机台亦可做到自动收集量测资料与反馈至后端计算机的自动化作业
EAP的好处
答：(1) 减少人为误操作 (2) 改善生产作业的生产力 (3) 改善产品的良率
为什幺EAP可以减少人为操作的错误
答：(1) 避免机台RUN错货 (2) 避免RUN错机台程序
为什幺EAP可以改善机台的生产力?
答：(1) 機台可以自動Download程式不需人為操作 (2) 系統可以自動出入帳,減少人為作帳錯誤 (3) 系統可以自動收集資料減少人為輸入錯誤
为什幺EAP可以改善产品的良率?
答：(1) 在Phot/etch/CMP区中,可自动微调制程参数 (2) 当机台alarm时,可以自动hold 住货 (3) 当lot内片数与MES系统内的片数帐不符合时,可自动hold 住货
GUI名词解释?
答：Graphical User Interface of MES;将MES中各项功能以图形界面的呈现方式使得user 可以方便执行
EUI名词解释?功能是什麼?
答：EAP User Interface; 机台自动化程序的使用者界面,透過EUI可以看到機台目前的狀
態及貨在機台內的情形
SORTER 分片机的功能?
答：可对晶舟内的wafer(1) 进行读刻号(2) 可将wafer的定位点(notch/flat)调整到晶舟槽位(slot)的指定方位(3) 依wafer号码重新排列在晶舟内相对应的槽位号码上(4) 执行不同晶舟内wafer的合并(5) 将晶舟内的wafer分批至多个晶舟内
OHS名词解释?
答：Over Head Shuttle of AMHS (在AMHS轨道上传送FOUP的小车)
FAB内的主要生产区域有那些?（有7个）
答：黄光, 蚀刻, 离子植入, 化学气象沉积, 金属溅镀, 扩散, 化学机械研磨
Wafer Scrap规定?
答：Wafer由工程部人员判定机台、制程、制造问题，已无法或无必要再进行后续制程时，则于当站予以報廢缴库，Wafer Scrap时请填写“Wafer Scrap处理单”
Wafer经由工程部人员判定机台、制程、制造问题已无法或无必要再进行后续制程时应采取何种措施?
答：SCRAP（报废，定义请参照Wafer Scrap规定）
TERMINATE规定？
答：工程试验产品已完成试验或已无法或无必要再进行后续制程时，则需终止试验产品此时就需将产品终止制程，称之为TERMINATE
WAFER经由客户通知不需再进行后续制程时应采取何种措施?
答：TERMINATE
FAB疏散演练规定一年需执行几次?
答：为确保FAB内所有工作人员了解并熟悉逃生路径及方式，MFG将不定期举行疏散演练。演习次数之要求为每班每半年一次。
何时应该填机台留言单及生产管理留言单？
答：机台留言单：机台有部分异常需暂时停止部分程序待澄清而要通知线上人员时生产留言单：有特殊规定需提醒线上人员注意时
填写完成的机台临时留言单应置放于那里?
答：使用机台临时留言单应将留言单置放于LOGSHEET或粘贴于机台上
机台临时留言单过期后应如何处理?
答：机台临时留言单過期后应由MFG On-line人員清除回收, 讯息若需长期保存则请改用生产管理留言单。
生产管理留言单的有效期限是多久?
答：三个月
何时该填写芯片留言单？
答：芯片有问题时或是芯片有特殊交待事项需让线上人员知道则可使用芯片留言单
芯片留言单的有效期限是多久?
答：三个月
填写完成的芯片留言单应置放于何处?
答：FOUP 上之套子内
芯片留言单需何人签名后才可生效?
答：MFG 的 Line Leader或Supervisor
何谓Hold Lot?
答：芯片需要停下来做实验或产品有问题需工程师判断时的短暂停止则需HOLD LOT;帐点上的状态为Hold,如此除非解決hold住的原因否则无法继续run货
PN（Production Note，制造通报）的目的?
答：(1) 为公布FAB内生产管理的条例。(2) 阐述不清楚和不完善的操作规则。
PN的范围?
答：(1) 强调O.I.或TECN之规定, 未改变(2) 更新制造通报内容(3) 请生产线协助搜集数据(4) O.I.未规定或未限制, 且不改变RECIPE、SPEC及操作程序
何谓MONITOR?
答：对机台进行定期的检测或是随产品出机台时的检测称之为MONITOR，如测微粒子、厚度等
机台的MONITOR项目暂时变更时要填何种文件?
答：Tempory Engineering Change Notice （TECN，暂时工程变更）
暂时性的MONITOR频率增加时可用何种表格发布至线上?
答：Production Note（PN，制造通知）
新机台RELEASE但是OI尚未生效时应填具何种表格发布线上?
答：Tempory Engineering Change Notice （TECN，暂时工程变更）
控片的目的是什幺?(Control wafer)
答：为了解机台未来的run货结果是否在规格内,必须使用控片去试run,并量测所得结果如厚度,平坦度,微粒数…控片使用一次就要进入回收流程。
挡片(Dummy wafer)的目的是什幺?
答：用途有2种：(1) 暖机 (2) 补足机台内应摆芯片而未摆的空位置。挡片可重复使用到限定的时间﹝RUN数、厚度…﹞后，再送去回收.例如可以同时run150片wafer的炉管,若不足150片时必须以挡片补足,否则可能影响制程平坦度等…; High current 机台每次可同时run17片,若不足亦须以挡片补足挡片的
Raw wafer(原物料wafer)有不同的阻值范围吗?
答：是的;阻值范围愈紧的,成本愈贵;例如8~12欧姆用于当产品的原物料,0~100的可能只能用当监控机台微尘的控片
機台狀態的作用?
答：為能清楚地評量機台效率,並告訴線上人員機台當時的狀況
機台狀態可分為那兩大類?
答：(1) UP(2) Down
机台状态定义为availabe可用的状态有那些?
答：RUN : 机台正常,正在使用中BKUP : 机台正常,帮其它厂RUN货IDLE : 机台正常,待料或缺人手TEST : 机台正常,借工程师做工程实验或调整RECIPETEST_CW : 机台正常,正在RUN 控檔片
机台状态定义为SCHEDULE NON-AVAILABLE的有那些?
答：MON_R : 机台正常,依据OI规定进行检查,如每shift/daily/monthlyMON_PM : 机台正常,机台定期维护后的检查PM : OI规定之例行维修时机及项目;如汽车5000KM保养HOLD_ENG : 机台正常,制程工程师澄清与确认产品异常原因,停止机台RUN LOT
在机台当机处理完后;交回制造部时应挂何种STATUS?
答：WAIT_MFG
在工程师借机检查机台调整RECIPE时应挂何种STATUS?
答：TEST
若是机台MONITOR异常工程师借机检查机台时应挂何种STATUS?
答：DOWN
线上发现机台异常时通知工程师时应挂何种STATUS?
答：WAIT_ENG
线上在要将机台交给工程师做PM前等待工程师的时间应挂何种STATUS?
答：WAIT_ENG
工程在将机台修复后交给制造部等制造部处的这段时间应挂何种STATUS?
答：WAIT_MFG
年度维修时应挂何种STATUS?
答：OFF
Muti-Chamber的机台有一个Chamber异常时制造部因为派工ISSUE无法交出Chamber该挂何种STATUS?
答：HOLD_MFG
制程工程师澄清或确认产品异常原因停止机台RUN货时应挂何种STATUS?
答：HOLD_ENG
因工程部ISSUE而成机台不能正常RUN货时应挂何种STATUS?
答：HOLD_ENG
MES或电脑等自动化系统相关问题造成死机要挂何种STATUS?
答：CIM
因为厂务水电气的问题而造成机台死机的问题要挂何种STATUS?
答：FAC
生產線因電力壓降、不穩定造成生產中斷時,機台狀態應掛為?
答：FAC
生產線因MES中斷或EAP連線中斷而造成生產停止,此時機台將態為何?
答：CIM
机台状态EQ status定义的真正用意何在?
答：(1) 机台非常贵重,所以必须知道时间都用到何处了,最好是24小时都用来生产卖钱的产品;能清楚知道时间用到何处,就能进行改善(2) 责任区分,各个状态都有不同的责任单位,如制造部/设备工程师/制程工程师…等
什幺是 T/R?
答：Turn Ratio, 芯片之移动速度; 即1天内移动了几个制程stage
如何衡量 T/R ?
答：一片芯片在1天内完成一个Stage Move,其 T/R值为 1. T/R 值愈大,表示其移动速度愈快,意谓能愈快完成所有制程.
什幺是 EAR ?
答：Engineer Abnormal Report(工程异常报告);通常发生系统性工程问题或大量的报废时,必须issue EAR.异常事件是否issue EAR 主要依据EAR OI 定义
EAR 之目的为何 ?
答：在于记录Wafer生产过程中异常现象的发生与解决对策，及探讨异常事件的真正原因进而建立有效的预防及防止再发措施，以确保生产线之生产品质能持续改善
什幺是 MO ?
答：MO (Mis-Operation)指未依工作准则之作业,而造成的生產損失.
MO 有何之可能影响?
答：(1) 产品制程重做(REWORK)。(2) 产品报废。(3) 客户要求退还产品，并要求赔偿. 如何防止 MO 之产生 ?
答：依工作准则作业.
什幺是 Waferout ?
答：完成所有制程后并可当成产品卖出之芯片.
什幺是 clean room (洁净室)?
答：指空气中浮尘被隔离之操作空间
为何要有 clean room ?
答：避免空气中的微浮尘掉入产品,进而破坏产品的品质
clean room 有何等级 ?
答：class 1, calss 10, class 100, class 1000, class 10000,…等级愈高(class 1) 则表示要求环境之洁净度就愈高.如医院开刀房之环境为 class 1000.
FOUP回收清洗流程?
答：(1) 线上各大区将所使用过的FOUP送回Wafer Start 清洗。(2) 下线MA将回收待清洗的FOUP.底盘逐一拆下。(3) Cassette 须量测有无问题.(全新的也须量测) 。(4) 拆下的Door& 底盘须用IPA擦拭干净。(5) 拆下FOUP 放置Cleaner清洗。
FOUP回收清洗时间?
答：回收清洗时间为每三个月一次. 然而RF ID 在每次清洗完Issue时会同时将下一次清洗的时间Updata上。
FOUP各部门领用流程?
答：各部门的领用人至W/S领取物品时,须填写”FOUP & 塑料封套领料记录表”填上领取的件数以及部门.名字.工号即可
FAB 制造通报(Production Notice)responsibility?
答：(1) 制造部负责通报的管理与执行，Fab相关部门因工程与生产需要可制作制造通报经单位主管及制造部同意后进线执行。(2) 制造通报涉及工程限制（Constrain）时需由工程部门负责工程师在MES上设定/修改完成后交由制造部审核确认及生效后，此通报才能进线执行。
FAB 制造通报(Production Notice)规定和禁令?
答：(1) 通报被取消则此通报将视为无效.(2) 通报内容新旧版本相冲突时以新版本为主，initiator 需告知前份作废PN ,以便MA立取出(3) 通报最长期限为一个月.如果通报想延长期限,必须重新提出申请与签核,但以一次为限.(4) 至截止期后通报将自动失效.
FAB 制造通报(Production Notice)管理?
答：(1) 如果此通报由制造部主管直接公布,签署过程即省略(2) 通报内容应尽量言简意赅,避免繁琐冗长的陈述 (3) 制造部各区文件管理人负责将取消或无效之生产通告传回
Key-in Center 以避免被错误使用(4) 通报应盖上Key-in center 有效公章.
WHAT’S "Bank In"?
答：各部门依据规定执行Hold 货或设Future Hold，并下Bank In之制式Comment后，货到站后由当区MA/LL负责于MES作帐，Wafer存入Stocker。
WHAT’S "Bank Out"?
答：各部门于Hold Comment下Bank Out之制式Comment并通知当区主管，于MFG确认Hold Comment无误后，于MES作帐，Wafer依Comment处理。
WHAT’S ’Bank Period"?
答：每批存入Bank的Lot自Bank In起，至Bank out止，累积之时间
Bank 适用时机?
答：(1) 客户通知暂停流程/放行之Wafer。(2) 新制程开发，于重点层次预留/放行之Wafer。
(3) 经WAT检查后，有问题之Wafer。(4) 经QE检查后，有问题之Wafer。(5) FAB预先生产，且需暂存之Wafer。(6) 特殊原因且经MFG P&Q Section Manager同意之Wafer Bank Quota?limit?
答：(1) 各部门申请的Bank有一定数量限制，依制造部与各部门讨论而定(2) PC部门则由PC与客户协议，依PC相关规定处理
Bank period规定?
答：(1) PC要求之Bank最长可存放六个月；但若Customer有特殊需求，且经PC与MFG P&Q Manager同意者，则不在此限。(2) Lot Type 为L/T/LF/C/D/Z/V者，存放期限为60天。
(3) Lot Type 为P/R/M/E1~9/B者，若非PC所要求，则存放期限为7天且申请时需PC 同意。
FAB內空的FOUP應存放在那些指定位置上?
答：(1) 放在指定的暂存货架上。(2) 放在机台旁的待Run Wip货架上(3) Stocker內
为什幺FOUP 放在STOCK 入口而长时间不进去？
答：Stocker 已满，或不能读取RF ID。
为什幺FOUP会被送至WaferStart出口?
答：RF ID上的FOUP Clean Time 过期，或格式不正确。
何谓Bullet lot?
答：(1) 就是优先权最高的lot (priority 1); (2) lot本身带有特别重要的目的;如客户大量投产前的试run产品,工程部特别重要的实验货,与其它重要目的.
Bullet Lot Management Rule?
答：(1) Priority 皆为1(2) 面交下一站，不得用AMHS System传送。(3) 需提前通知下一站备妥机台。(4) 有工程问题工程部必须优先解决此种lot
列出所有的Lot Priority，并说明其代表的含义
答：Priority 等级从1~5 优先权以1最大5最小Priority 1 :bullet lot(字义"子弹般快的lot";此lot拥有特殊目的如重要实验,客户大量投片前试run货等..)priority 2 : hot lot (依MFG/MPC 定义而定;通常为试run货pilot lot, 验证光罩设计的实验lot..
等)priority 3 : delay lot(需要加把劲否则无法准时交给客户的lot)priority 4 : normal lot(按预定进度进行的lot)priority 5 : control wafer(生产线上的控片面)
将Lot 分pirority 优先权的生产管理意义?
答：生产线上众多的lot(可能有2000以上),各有不同的交期与目的,透过操控每批LOT的优先权数字设定来让所有MA知道产品安排的优先级
什幺是RF ID?
答：用来记录FOUP ID與MES對應的芯片ID、刻號、机台的EAP亦是透过RF ID 来和MES 沟通了解当站该RUN那一种程序
什幺是stocker?
答：生产线上用来存放FOUP容器的仓储(FOUP有装载芯片和光罩两种)
为什幺FOUP 放在stocker 入口而长时间不进去？
答：(1) Stocker已滿(2) 不能讀取RF ID
什幺FOUP 会被自动传输系统HOLD?
答：有同名的Lot.可根据Hold Reason 找出两个同名Lot 的位置。
当GUI显示说Mapping的片数和MES上的片数不匹配时如何处理？
答：请检查MES上LOT的片数和机台内Mapping出来的片数，若两者不同，请找PE/EE解决；若两者相同，请CALL EAP ENGINEER。
Process完成后GUI显示实际RUN的片数和MES上的数量不匹配时如何处理？
答：请检查MES上LOT的片数和机台内Process完成的片数，若两者不同，请找PE/EE解决；
若两者相同，请CALL EAP ENGINEER
GUI显示“FOUP due day is expired”或“FOUP clean due day is empty“时如何处理？答：检查SmartRF ID中清洗FOUP的时间是否已经过期或时间是空值：若已过期，请换一个FOUP。若是空值，请先做IssueRF ID，
何谓Bank Lot?
答：若芯片有客户要求需要长时间的停止时则需使用BANK LOT;即帐点上的状态为BANK;除非客户再次通知后解除,否则无法往下RUN货
何谓future hold?
答：MES 上的一个功能; 对于未来制程中的某一歩骤,若需要停下来执行实验或检查..等目的时,可预先提早下future hold
生产线那些地方,可以感测FOUP上的RF ID并回传此FOUP的位置?
答：Stocker 与机台
HOLD住待处理的问题芯片;必须放在何处?
答：放置在指定之HOLD LOT货架上
工程师使用的芯片、控挡片;必须放在何处?
答：放置在工程师芯片专用货架上
待run产品 ,必须放在何处?
答：放入STOCKER内或放置在机台旁之货架（推车上）
Fab通常如何定义产品的复杂度?
答：必须经过几道photo layer,有几层poly, 有几层metal越多层越复杂
假设一种产品的制程共有20次photo layer,103个stage 的产品,从投片到出货的周期时间(cycle time)为22天;试问此LOT 的平均T/R是多少?
答：103 stage/22天=4.7
假设一种产品的制程共有20次photo layer,103个stage 的产品,从投片到出货的周期时间(cycle time)为22天;试问平均C/T per layer (每一photo layer的cycle time)是多少?
答：22天/20=1.1
Signal Tower 的功能为何?
答：用以提醒操作者,机台的实时状况,实时处理,增加机台的使用率
Signal Tower有那几种灯号颜色?
答：红/黄/绿三种颜色
Signal Tower的红灯亮(ON)起来时,代表何意义?
答：机台的主要功能当掉讯息出现时
Signal Tower的红灯闪烁(flash)时,代表何意义?
答：机台有任何Alarm的讯息出现时
Signal Tower的绿灯亮(ON)起来时,代表何意义?
答：机台是在run货状态;且所有进货端都摆满了货
Signal Tower的绿灯闪烁(flash)时,代表何意义?
答：机台是在run货状态;但有某一个以上的进货端有空档,用以提醒操作人员进货(MIR; move in request)
Signal Tower的黄灯闪烁(flash)时,代表何意义?
答：机台是在可使用状态;但有某一个以上的出货端有货run完,等着出货,用以提醒操作人员把货拿走(MOR; move Out request)
光罩产品有哪两种材料组成?
答：(1) BLANK;玻璃主体;使得光容易透过 (2) PELLICLE;一种高分子材料,用来保护玻璃上的电路图,避免particle影响
简单分类光罩可分为哪两种？
答：Binary光罩(一般光罩) & PSM光罩(相位移光罩); PSM光罩一般用于窄线宽或某几个最重要的PHOTO 层如Poly/Contact/Metal 1 photo layer
现行工厂内有哪两种PELLICLE(光罩的鉻膜)？
答：I-line (365光源用) DUV（248光源用）
I-line pellicle的光罩可否用于DUV的曝光机?
答：不能;因为DUV光源的能量Energy较强,会将pellicle 烧焦
DUV pellicle的光罩可否用于I-line的曝光机?
答：可以
光罩上PATTERN或玻璃面有刮伤可否修补?
答：不能
PELLICLE毁损能否修补?
答：若没伤到pellicle下的电路图形，可撕除pellicle,重新贴上新的PELLICLE
何谓cycle time,周期时间?
答：wafer 从投片wafer start 到WAT电性测试结束这段生產时间(如早上出门.搭车到达公司所需经过的时间)
cycle time 周期时间是由那些时间所构成
答：(1) Process time 所有步骤的制程时间总和 (2) waiting time : 所有步骤中所耗费的等待时间,如等人或等机台有空 (3) hold time:所有步骤因为异常等原因,被扣留下来检查的时间
如何降低cycle time 周期时间?
答：cycle time是process time(机台run货时间),waiting time(等候时间), hold time(等待澄清问题时间);所以任何有助于降低三者的活动皆有帮助
如何减少process time 总和?
答：(1) 由制程整合工程师检讨流程中是否有步骤可以去除不做;如一些检查站点或清洗站点等(2) 由工程部制程工程师研究改善缩短每一步骤的制程时间(需经过实验测试是否影响品质,此项达成度较难)
如何减少waiting time总和?
答：waiting time 是因为少人少机台所造成;所以有下列几种方法(1) 加人买机台(此方法必须说服老板人和机台都已充份利用最大化了)(2) 改善人的能力;如每一MA有多种操作技能,加强派货能力等(3) 改善机台的能力;如增加WPH每小时的产出量,设备工程师将机台维持在高的UP time等(4) 检讨减少生产线上的wafer 数目;检讨是否有太早下线的wafer或不必要的实验货,过多少片数的LOT(例如透过公运输或多人共乘减少)路上的车辆
如何减少hold time 总和?
答：hold time 来自制程不稳定与机台不稳定和实验测试所致;与发生hold time后的后续处理时间;所以必须针对这几项来着手
如何简单地评定一个代工厂的能力?
答：(1) 良率维持在稳定的高点(2) 周期时间cycle tiem愈短愈好(3) 製造成本愈低愈好工厂准时交货率(On-Time Delivery Order)
答：值越高表示工厂准时交货的能力越好，对于客户的服务也越佳
工厂产量完成率(On-Time Delivery for Volume)
答：衡量工厂满足客户需求的能力是否良好，但并不评估是否按照预定日程交货，值越高越
好
控/挡片使用率(Control/Dummy Usage)
答：平均每生产一片芯片所需使用的控/挡片数量由于控/挡片可以重复使用，因此当生产线系统越稳定，技术员操作越熟练，则控/挡片寿命也越长，生产成本也因而降低。
何谓OI?
答：Operation Instruction操作指导手册；每一型号的机台都有一份OI。OI含括制程参数、机台程序、机器简介、操作步骤与注意事项。其中操作步骤与注意事项是我们该熟记的部分
何谓Discipline
答：简单称之为『纪律』。泛指经由训练与思考，对群体的价值观产生认同而自我约束，使群体能在既定的规范内达成目标，与一般的盲从不同。
如何看制造部的纪律好不好?
答：制造部整体纪律的表现，可以由FAB执行6S够不够彻底和操作错误多寡作为衡量标准！如何看整个FAB纪律好不好?
答：FAB内整体的纪律表现，可以反应在Yield上。
公司的企业文化为何?
答：重操守（integrity）诚实（honesty）团队合作（team work）注重效能（effectiveness）永续经营和不断改进（PDCA——plan/do/check/action）
那些是对外不可说的事?
答：(1) 产品良率(Yield)(2) 订单数量(3) 客户名字(4) 公司组织(5) 主管手机号码(6) 公司人数(7) 其它厂商Vendor的资料(8) 生产线的机台台数及种类。
那些是对外不可做的事?
答：(1) 与Vendor聚餐,需经过部门主管的同意(2) 收佣金,有价证券(3) 收受礼物 (礼物价值>15RMB )(4) 接受招待旅游(5) 出入不正当场所
Fab4的工作精神为何?
答：OwnershipHands OnTeamwork&CooperateCall for helpFollow up;Discipline
何谓Ownership?
答：主人翁精神;对待处理公事如己之私事般完善; 把事情做好而不是把事情做完
何谓Hands On ?
答：亲力亲为;总裁Richard要求所有人尤其是主管必须对自己的业务了若指掌
何谓Call for help ?
答：请求支持; 任务过程中遇困难,必须寻求同事或主管帮忙,否则会误了大事
为什幺沟通时必须使用"精准"的字眼?,避免使用"好象", "可能";"大概" ,"差不多" 等模糊字眼
答：因为团队的其它人必须根据你的话来下决定与做判断,一旦用了模糊字眼,就必须一来一往才能澄清问题,泿费时间,所以不了解的事,就直接回答不清楚
为什幺开会描述问题时,必须先讲结果或别人必须配合的AR (action request),然后再讲问题发生的原因?
答：因为开会时间有限,参与的人太多(如全厂的生产晨会);先讲结果或AR可以让人快速抓住重点,如果时间不足原因可以简略说明即可
为什幺会议中要避免某些人"开小会"(小组自行讨论)的现象?
答：因为你不是主持人,开小会使得议程被打断,讨论主题发散,会议时间冗长,泿费大家时间为什幺开会,上台进行演示文稿时,要力求大声?
答：因为所有人必须跟据你的说明下判断或决定,而且小声讲也显得自己没有自信
什幺是6S运动?
答：在自己的工作区内彻底执行整理/整顿/清扫/清洁/纪律/安全6项作业准则标准
整理与整顿的意含差异?
答：整理为保管要的东西,丢掉不要的东西,整顿为针对要的东西进行定位/标示/归位的动作清扫与清洁的意含差异?
答：清除为清除脏乱污垢,清洁为保持整理/整顿/清扫的成果
6S运动推广重点区域?
答：办公区与洁净室是两大重点
为何无尘室中的任何地板开孔都必须以警示围篱区隔?
答：为了安全考量;任何小洞都可能造成人员拌倒,芯片摔破
为何无尘室中的中间走道高架地板上要铺设钢板?
答：为防止move-in 机台所用的拖板车刮伤地板
无尘室中间走道高架地板上的钢板,如何铺设?
答：先铺设塑料垫,再铺设钢板,每一片钢板的接鏠边必须以胶带贴合,避免人员或芯片推车拌倒
无尘室中有那些地板必须以颜色胶带做定位?
答：中间走道,各Bay信道,机台安装前的定位标示,逃生信道,货架定位,零附件暂存区定位无尘室中的最大发尘源为何?
答：无尘室中走动的人
那些会发尘的物品不得带入无尘室?
答：通常属于天然类的物质都会发尘,如一般纸张,木箱,铅笔,等
无尘室中施工时必须参考的layout 图,如何带入无尘室?
答：请以无尘纸影印人后带入
可在无尘室中做地板切割作业?
答：不行,因为会产生微尘,所以请将地板携出进行作业
可在无尘室中做地板钻孔作业?
答：可以,但钻孔时必须同时以吸尘器清除这些铁屑(必须2人同时作业)
货架不能挡住那些紧急设施?
答：冲身洗眼器,灭火器,机台的紧急按钮(EMO)
手套上写字记事情,为什幺违反6S规定?
答：因为笔墨会到处沾粘;是微尘的来源
口罩必须如何戴才不违反6S规定?
答：完全盖住口鼻;且全程保持标准,不得拉下口罩,露出鼻子
制程或设备工程师review 完问题货,如果不放回定位,hold lot 货架或stocker内会有何影响?
答：制造部MA,将大海捞针式地搜索此LOT,因为只有在Stocker和机台上才能感测RFID,回传该LOT的位置
如何从自身执行公司的机密文件管制?
答：机密文件档案严禁任意放置在档案柜内或桌面上,必须放入有锁的抽里。
办公区域内不可吃饮料类以外的食物属于那一种要求?
答：办公区的工作纪律
办公区域内不得任意喧哗属于那一种要求?
答：办公区的工作纪律
办公区域内严禁打电子游戏属于那一种要求?
答：办公区的工作纪律
有独立办公室的同仁在离开办公室时，必须关上门属于那一种要求?
答：办公区的工作纪律
下班时请将桌面上所有文件清除属于那一种要求?
答：办公区的整理整顿
桌面下方物品堆放整齐，不可有杂物属于那一种要求?
答：办公区的整理整顿
何谓OCAP?
答：Out of Control Action Plan, 即产品制程结果量测值或机台监控monitor量测值,违反统计制程管制规则后的因应对策
制造部人员如何执行品质监控系统OCAP?
答：遇产品或机台monitor量测值OOC或OOS时,必须Follow 相对应的检查流程(有厚度/微尘/CD/Overlay…等OCAP 窗体);并通知工程师检查工程上的问题
工程部人员(制程或设备工程师)如何执行品质监控系统OCAP?
答：制造部MA通知必须Follow的OCAP ; 必须依流程判断LOT或机台有工程间题
什幺是OOS?
答：out of spec;制程结果超出允收规格
什幺是OOC?
答：out of control; 制程结果在允收规格内但是违反统计制程管制规则;用以警讯机台或制程潜在可能的问题
发现Fab内地板有如水的不明液体要如何处理?
答：请先假设它可能为强酸强碱, 以酸碱试纸检测PH值后再以无尘布或吸酸棉吸收后丢入分类垃圾桶中
Fab内的灭火器为那一类?
答：CO2 类
为什幺FAB必须使用CO2类的灭火器?
答：因为CO2无干粉灭火器产尘的顾忌
如果不依垃圾分类原则来丢垃圾会有什幺后果?
答：可能造成无尘室的火灾危机,因为酸碱中和,产生热后可能引起火灾
无尘室的正下方我们称为什幺?
答：sub-fab
Sub-fab的功能主要为何?
答：生产机台所需的供酸供气等需求,主要由此处来供应上来
Fab内的空气和外界进行交换的比例为何?
答：约20%~25%
Fab生产区域内最在意静电(ESD)效应的区域为何?
答：PHOTO 黄光区(低能量静电放电导致光罩的破坏)
PHOTO 区如何消除静电效应
答：(1) 机台接地(2) 使用导电或防静电的材质(3) 使用静电消除装置
PHOTO 区的静电消除器安置在那些地方?
答：(1) 天花板(2) 机台scanner上方 (3) Stocker内
静电效应主要造成那些破坏?
答：(1) 使得wafer表面易吸附particle (2) 堆积的静电荷一旦有放电作用,即会因产生的电流造成组件的破坏
何谓冲身洗眼器?/何处可以找到?
答：无尘室中各区域皆会有;是一可紧急使用冲淋身体与眼睛的地方
遇到什幺状况时,需要使用冲身洗眼器
答：当碰到酸碱或任何其它溶剂时,请立即进入冲淋间,以大量清水冲淋15分钟,然后赶急至医护室进行下一步处理
为何要配合海关进行资产盘点?(机台/芯片/原物料)
答：因为进口的大部份资产都有关税优惠;海关为了解企业确实将这些进口的材料加工成品后卖钱;而不是转手卖掉.这一盘点对公司来说是非常重要的
PHOTO区域若发生miss operaton ; 可进行rework将光阻去除后重新来过;所以不用太紧张对吗?
答：错! 重做多次将影响良率
PEL-STEL(short term exposure limit) 短时间(15分钟)时量平均容许浓度
答：劳工在短时间之内可以连续暴露，而不会遭受刺激，慢性或不可逆的组织损害，或在每天之暴露没有超过工作日时量平均容许浓度时不致因昏迷以致于会增加意外事故，损害自我救援能力，或实质地降低工作效率。
PEL-Ceiling最高容许浓度：
答：在工作期间之任何时间暴露，均不可以超过的浓度。
LEL & UEL (Lower(Upper) Explosion Limit)
答：.爆炸下限 & 爆炸上限;可燃性气体分子在空气中混合后的气体百分率,达爆炸范围时，可引起燃烧或爆炸，此爆炸范围的下限及上限称为LEL及UEL例如 SiH4 1.4%-96%
TLV (THRESHOLD LIMIT VALUE ) 国际标准阈限值、恕限量
答：空气中的物质浓度，在此情况下认为大多数人员每天重复暴露，不致有不良效应。在此浓度每天呼吸暴露8小时不致有健康危害。但因每人体质感受性差异很大，因此，有时即使低于TLV之浓度方可能导致某些人之不舒服、生病或使原有情况加剧。
PEL-TWA(time-weighted average) 工作日时量平均容许浓度：各国家对同要物质可能有不同 TWA;例如AsH3 在 USA:20ppb Taiwan:50ppb
答：正常8小时一个工作天,40小时一工作周之时间加权的平均浓度下，大部份的劳工都重复一天又一天的曝露，而无不良的反应。
PHOTO
PHOTO 流程?
答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測
何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？
答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?
答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?
答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？
答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓 Photo?
答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?
答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake等。何谓PHOTO区之前处理?
答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS等过程。其中通过Bake 将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。何谓上光阻?
答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。
何谓Soft Bake?
答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
何谓曝光?
答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。
何谓PEB(Post Exposure Bake)?
答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
何谓显影?
答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。
何谓Hard Bake?
答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。
何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺？
答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC 是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。
何谓 I-line？
答：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。
何谓 DUV？
答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。
I-line与DUV主要不同处为何?
答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV则用在先进制程的Critical layer上。
何为Exposure Field?
答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域
何谓 Stepper? 其功能为何?
答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去
何谓 Scanner? 其功能为何?
答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field.
何为象差？
答：代表透镜成象的能力,越小越好.
Scanner比Stepper优点为何？
答：Exposure Field大，象差较小
曝光最重要的两个参数是什幺？
答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。
何为Reticle?
答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
何为Pellicle?
答：Pellicle是Reticle上为了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层保护膜。
何为OPC光罩？
答：OPC (Optical Proximity Correction)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。
何为PSM光罩？
答：PSM (Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contact layer以及较小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。
何為CR Mask？
答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不Critical 的layer 光罩编号各位代码都代表什幺？
答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表产品号，00代表Special code,156代表layer,A 代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,则代表I-line),A 代表ASML机台（如果是C，则代表Canon机台）
光罩室同时不能超过多少人在其中？
答：2人，为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩。
存取光罩的基本原则是什幺？
答：(1) 光罩盒打开的情况下，不准进出Mask Room,最多只准保持2个人(2) 戴上手套(3) 轻拿轻放
如何避免静电破坏Mask？
答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。
光罩POD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？
答：不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod而损坏光
罩。
何谓 Track?
答：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，Coating(上光阻)，和Develop(显影)等过程。
In-line Track机台有几个Coater槽，几个Developer槽？
答：均为4个
机台上亮红灯的处理流程？
答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时Call E.E进行处理。若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。
何谓 WEE? 其功能为何?
答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。
何为PEB？其功能为何？
答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到质量较好的图形。（消除standing waves）PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻
答：目前正负光阻都有，SMIC FAB内用的为负光阻。
RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject？
答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject记录。
何谓 Overlay? 其功能为何?
答：迭对测量仪。由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成整个电路不能完成设计的工作。因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整process condition.
何谓 ADI CD?
答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。曝光过后，它的图形也被复制在Wafer 上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。
何谓 CD-SEM? 其功能为何?
答：扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。
PRS的制程目的为何？
答：PRS (Process Release Standard)通过选择不同的条件（能量和焦距）对Wafer曝光，以选择最佳的process condition。
何为ADI？ADI需检查的项目有哪些？
答：After Develop Inspection，曝光和显影完成之后，通过ADI机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect
何为OOC, OOS，OCAP？
答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan
当需要追货的时候，是否需要将ETCH没有下机台的货追回来？
答：需要。因为通常是process出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减少损失，必须把还没有ETCH的货追回来，否则ETCH之后就无法挽回损失。
PHOTO ADI检查的SITE是每片几个点？
答：5点，Wafer中间一点，周围四点。
PHOTO OVERLAY检查的SITE是每片几个点？
答：20
PHOTO ADI检查的片数一般是哪几片？
答：#1，#6，#15，#24; 统计随机的考量
何谓RTMS，其主要功能是什幺？
答：RTMS (Reticle Management System) 光罩管理系统用于trace光罩的
History,Status,Location,and Information以便于光罩管理
PHOTO区的主机台进行PM的周期？
答：一周一次
PHOTO区的控片主要有几种类型
答：(1) Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測前需小於10顆(2) Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3) Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4) CD :做為photo區daily monitor CD穩定度的wafer(5) PR thickness :做為光阻厚度測量的wafer(6) PDM :做為photo defect monitor的wafer
当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？
答：有少量光阻
当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？
答：有少量光阻
WAFER SORTER有读WAFER刻号的功能吗？
答：有
光刻部的主要机台是什幺? 它们的作用是什幺?
答：光刻部的主要机台是: TRACK(涂胶显影机), Sanner(扫描曝光机)
为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相技术
答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机. 光罩上的电路图形就是"人物". 通过对准,对焦,打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗掉, 图形就显现出来了.
光刻技术的英文是什幺
答：Photo Lithography
常听说的.18 或点13 技术是指什幺?
答：它是指某个产品,它的最小"CD" 的大小为0.18um or 0.13um. 越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数.
从点18工艺到点13 工艺到点零9. 难度在哪里?
答：难度在光刻部, 因为图形越来越小, 曝光机分辨率有限.
曝光机的NA 是什幺?
答：NA是曝光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜张开的角度的正玹值. 最大是1; 先进的曝光机的NA 在0.5 ---0.85之间.
曝光机分辨率是由哪些参数决定的?
答：分辨率=k1*Lamda/NA. Lamda是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径; k1是标志工艺水准的参数, 通常在0.4--0.7之间.
如何提高曝光机的分辨率呢?
答：减短曝光的光波长, 选择新的光源; 把透镜做大,提高NA.
现在的生产线上, 曝光机的光源有几种, 波长多少?
答：有三种: 高压汞灯光谱中的365nm 谱线, 我们也称其为I-line; KrF 激光器, 产生248 nm 的光; ArF 激光器, 产生193 nm 的光;
下一代曝光机光源是什幺?
答：F2 激光器. 波长157nm
我们可否一直把波长缩短,以提高分辨率? 困难在哪里?
答：不可以. 困难在透镜材料. 能透过157nm 的材料是CaF2, 其晶体很难生长. 还未发现能透过更短波长的材料.
为什幺光刻区采用黄光照明？
答：因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光; 就象洗像的暗房采用暗红光照明.
什幺是SEM
答：扫描电子显微镜(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也称道CD SEM. 用它来测量CD
如何做Overlay 测量呢?
答：芯片(Wafer)被送进Overlay 机台中. 先确定Wafer的位置从而找到Overlay MARK. 这个MARK 是一个方块 IN 方块的结构.大方块是前层, 小方块是当层;通过小方块是否在大
方块中心来确定Overlay的好坏.
生产线上最贵的机器是什幺
答：曝光机;5-15 百万美金/台
曝光机贵在哪里?
答：曝光机贵在它的光学成像系统 (它的成像系统由15 到20 个直径在200 300MM 的透镜组成.波面相位差只有最好象机的5%. 它有精密的定位系统(使用激光工作台)
激光工作台的定位精度有多高?
答：现用的曝光机的激光工作台定位的重复精度小于10nm
曝光机是如何保证Overlay<50nm
答：曝光机要保证每层的图形之间对准精度<50nm. 它首先要有一个精准的激光工作台, 它把wafer移动到准确的位置. 再就是成像系统,它带来的图像变形<35nm.
在WAFER 上, 什幺叫一个Field?
答：光罩上图形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一块(这一块就叫一个Field),激光工作台把WAFER 移动一个Field的位置，再曝一次光，再移动再曝光。直到覆盖整片WAFER。所以，一片WAFER 上有约100左右Field.
什幺叫一个Die?
答：一个Die也叫一个Chip;它是一个功能完整的芯片。一个Field可包含多个Die;
为什幺曝光机的绰号是“印钞机”
答：曝光机很贵；一天的折旧有3万-9万人民币之多;所以必须充份利用它的产能,它一天可产出1600片WAFER。
Track和Scanner内主要使用什幺手段传递Wafer：
答：机器人手臂(robot), Scanner 的ROBOT 有真空(VACCUM)来吸住WAFER. TRACK的ROBOT 设计独特, 用边缘HOLD WAFER.
习题集名词解释 1.冲击韧性：材料抵抗冲击载荷而不破坏的能力称为冲击韧性，以在冲击力作用下材料破坏时单位面积所吸收的能量a k表示。 2.布氏硬度：是压入法硬度试验之一，所施加的载荷与压痕表面积的比值即为布氏硬度值。 3.洛氏硬度：是压入法硬度试验之一，它是以压痕深度的大小来表示硬度值。 4.韧脆转变温度：材料的冲击韧性随温度下降而下降，在某一温度范围内a k值发生急剧下降的现象称为韧脆转变，发生韧脆转变的温度范围称为韧脆转变温度。 5.工艺性能：表示材料加工难易程度的性能。 6.金属键：金属离子通过正离子和自由电子之间引力而相互结合，这种结合键称为金属键。 7.晶格：为了研究方便，将构成晶体的原子抽象为平衡中心位置的纯粹几何点，称为结点或阵点。用一些假想的空间直线将这些点连接起来，构成一个三维的空间格架，称为空间点阵，简称为晶格或点阵。 8.晶胞：反映晶格特征的最小几何单元来分析晶体中原子排列的规律，这个最小的几何单元称为晶胞。 9.致密度：晶胞中原子本身所占有的体积与晶胞体积之比称为致密度。 10.晶体和非晶体：原子在三维空间作有规律的周期性重复排列的物质称为晶体，否则为非晶体。 11.空位：空位是指在正常晶格结点上出现了空位，空位的产生是由某些能量高的原子通过热振动离开平衡位置引起的。 12.间隙原子：间隙原子是指个别晶格间隙中存在的多余原子。间隙原子可以是基体金属原子，也可以是外来原子。 13.位错：当晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体沿某一晶面发生局部滑移时，滑移面上滑移区与未滑移区的交界线称为位错。 14.各向异性：晶体中，由于各晶面和各晶向上的原子排列的密度不同，因而同一晶体的不同晶向和晶面上的各种性能不同，这种现象称为各向异性。 15.晶粒和晶界：多晶体中每个外形不规则的小晶体称为晶粒，晶粒之间的交界面就是晶界。 16.合金：合金是指由两种或两种以上金属元素、或金属元素与非金属元素组成的具有金属特性的物质。 17.相：金属或合金中，凡成分相同、结构相同，并与其他部分有界面分开的均匀组成部分称为相。 18.固溶体：合金的组元之间相互溶解，形成一种成分及性能均匀的、且结构与组成元素之一的晶体结构相同的固相称为固溶体。 19.固溶强化：随溶质含量增加，固溶体的强度、硬度增加，塑性、韧性下降的现象称为固溶强化，这是金属强化的重要方法之一。 20.凝固和结晶：物质从液态到固态的转变过程称为凝固。材料的凝固分为两种类型:一种是形成晶体，我们称之为结晶；另一种是形成非晶体。 21.过冷和过冷度：实际结晶温度低于理论结晶温度的现象称为过冷。理论结晶温度T0与实际结晶温度T1之差称为过冷度。 22.非自发形核：结晶过程中，依靠液体中存在的固体杂质或容器壁形核，则称
名词解释 铝热焊：焊接时，预先把待焊两工件的端头固定在铸型内，然后把铝粉和氧化铁粉混合物（称铝热剂）放在坩埚内加热，使之发生还原放热反应，成为液态金属（铁）和熔渣(主要为Al2O3)，注入铸型。液态金属流入接头空隙，形成焊缝金属，熔渣则浮在表面上。 砂型铸造：在砂型中生成铸件的铸造方法，基本原料：铸造砂，型砂粘结剂，铸型由外砂型和型芯组合而成。为了提高铸件的表面质量，常在砂型和型芯表面刷一层涂料。涂料的主要成分是耐火度高、高温化学稳定性好的粉状材料和粘结剂。 注射成型：塑料在注塑机加热料筒中塑化后，由柱塞或往复螺杆注射到闭合模具的模腔中形成制品的塑料加工方法。此法能加工外形复杂、尺寸精确或带嵌件的制品，生产效率高。屈服强度：大于此极限的外力作用，将会使零件永久失效，没法恢复。这个压强叫做屈服强度。 退火：将金属构件加热到高于或低于临界点，保持一定时间，随后缓慢冷却，从而获得接近平衡状态的组织与性能的金属热处理工艺。 回火：将淬火后的钢，在AC1以下加热、保温后冷却下来的热处理工艺。 Q195：是一种碳素结构钢。屈服强度195MPA。 45：优质碳素结构钢，平均含碳量为0.45% 9CrSi：含碳量为0.9%，铬、硅含量均小于15%的合金工具钢 胶合板：是由木段旋切成单板或由木方刨切成薄木，再用胶粘剂胶合而成的三层或多层的板状材料，通常用奇数层单板，并使相邻层单板的纤维方向互相垂直胶合而成。 纤维板：采用木材加工的废料或植物纤维做原料，经过破碎、浸泡、制浆、成型、干燥和热压等工序制成的一种人造板材。 熔模铸造又称失腊法。通常是指在易熔材料制成模样，在模样表面包覆若干层耐火材料制成型壳，再将模样熔化排出型壳，从而获得无分型面的铸型，经高温焙烧后即可填砂浇注的铸造方案。 压力铸造：实质是在高压作用下，使液态或半液态金属以较高的速度充填压铸型(压铸模具)型腔，并在压力下成型和凝固而获得铸件的方法。 金属型铸造：又称硬模铸造，它是将液体金属浇入金属铸型，以获得铸件的一种铸造方法。特点：铸型一般由金属制成，铸件重量和形状都会有所限制。 点焊：是焊件在接头处接触面的个别点上被焊接起来。点焊要求金属要有较好的塑性。碳化焰：在燃烧过程中，可燃气体乙炔过量，火焰中有黑烟。游离的碳会渗入到熔池，增加焊孔的含碳量。如果有过多的氢气进入熔池会产生气孔裂纹。 中性焰：在燃烧过程中，氧量的供给量恰好等于气体完全燃烧的需氧量，燃料后的产物中既没有多余的氧气也没有因缺氧而生成的一氧化碳等还原性气体的火焰。 脱模斜度：也就是拔模斜度，是为了方便出模而在模膛两侧设计的斜度。脱模斜度的取向要根据塑件的内外型尺寸而定。 加强筋：在结构设计过程中，可能出现结构体悬出面过大，或跨度过大的情况，在这样的情况下，结构件本身的连接面能承受的负荷有限，则在两结合体的公共垂直面上增加一块加强板，俗称加强肋（在工程上念JIN筋），以增加结合面的强度。 榫结合：材料设计成互相扣紧的凹凸，不需要钉子胶水等连接，只需敲打。 胶结合：是木制品常用的一种结合行式，主要用于实木板的拼接及榫头和榫孔的胶合，其特点是制作简便、结构牢固、外形美观，产品形式不受手工工艺的局限。
习题集名词解释 1.30. 奥氏体：碳在γ-Fe中的间隙固溶体称为奥氏体。 2.52. 奥氏体化：将钢加热到临界温度以上使组织完全转变为 奥氏体的过程。 3. B 2.布氏硬度：是压入法硬度试验之一，所施加的载荷与压 痕表面积的比值即为布氏硬度值。 4. B 3 5.变质处理：变质处理又称孕育处理，是一种有意向液 态金属中加入非自发形核物质从而细化晶粒的方法。 5. B 43.变形织构：由于塑性变形的结果而使晶粒具有择优取 向的组织叫做“变形织构”。 6. B 53.本质晶粒度：在规定条件下（930±10℃，保温3～8h） 奥氏体的晶粒度称为奥氏体本质晶粒度，用以评定刚的奥氏体晶粒长大倾向。 7. C 1.冲击韧性：材料抵抗冲击载荷而不破坏的能力称为冲击 韧性，以在冲击力作用下材料破坏时单位面积所吸收的能量ak表示。 8. C 54.残余奥氏体：多数钢的Mf点在室温以下，因此冷却到 室温时仍会保留相当数量未转变的奥氏体，称之为残余（留）奥氏体，常用′或A′来表示。 9. C 57.淬火：所谓淬火就是将钢件加热到Ac3（对亚共析钢） 或Ac1（对共析和过共析钢）以上30～50℃，保温一定时间后快速冷却（一般为油 10.冷或水冷）以获得马氏体（或下贝氏体）组织的一种工艺操 作。 11.C 59.淬透性：指钢在淬火时获得淬硬层（也称淬透层）深 度的能力。 12.C 60.淬硬性：淬硬性是指钢淬火后所能达到的最高硬度， 即硬化能力。它主要取决于马氏体的硬度和马氏体、碳化物和残余奥氏的相对量及其组织形态。马氏体的硬度取决于马氏体的含碳量。 13.D 58.等温淬火：将加热的工件放入温度稍高于Ms点的硝盐 浴或碱浴中，保温足够长的时间使其完成贝氏体转变，获得下贝氏体组织。 14.E 70二次硬化：含W、Mo和V等元素的钢在回火加热时由 于析出细小弥散分布的碳化物以及回火冷却时残余奥氏体 转变为马氏体，使钢的硬度不仅不降低，反而升高的现象。 15.E 33.二次渗碳体：从奥氏体中析出的渗碳体，称为二次渗碳 体。二次渗碳体通常沿着奥氏体晶界呈网状分布。 16.F 22.非自发形核：结晶过程中，依靠液体中存在的固体杂质 或容器壁形核，则称为非自发形核，又称非均匀形核。17.G 26.杠杆定律：即合金在某温度下两平衡相的重量比等于 该温度下与各自相区距离较远的成分线段之比。在杠杆定律中，杠杆的支点是合金的成分，杠杆的两个端点是所求的两平衡相（或两组织组成物）的成分。这种定量关系与力学中的杠杆定律完全相似，因此也称之为杠杆定律。 18.G 28.共晶转变：在恒温下一定成分的液体同时结晶出两种 成分和结构都不相同的固相的转变过程。 19.G 82.固溶处理：经加热保温获得单一固溶体，再经快速冷
1．晶体结构—指晶体中的原子、离子或分子的具体排列。它.们能组成各种类型的排列，即不同的原子即使排列相同仍属不同的晶体结构，相同原子的不同排列方式晶体结构是不同的，因此，存在的晶体结构可能是无限多种的。 2． 空间点阵—由几何点在三维空间作周期性的规则排列所形成的三维阵列。构成空间点阵的每一个点称为阵点或结点。 3． 晶带—相交和平行于某一晶向直线的所有晶面的组合，此直线叫晶带轴。 4．固溶体——以合金中某一组元为溶剂，其它组元为溶质，所形成的与溶剂有相同晶体结构、常数稍有变化的固相。 5．两组元A 和B 组成合金时，除了可形成以A 为基或一B 为基体的固溶体（端际固溶体）外，还可能形成晶体结构与A 、B 两组元不相同的新相。由于它们在二元相图上的位置总是位于中间，故通常把这些相称为中间相。 6．置换固溶体中溶质与溶剂可以是有限互溶，也可以是无限互溶。 7.只有原子半径接近溶剂晶格某些间隙半径的溶质原子，才有可能进入溶剂晶格的间隙中而形成间隙固溶体。 8．扩展位错——有两个不全位错，中间夹一层错的位错组态。 9．单滑移：当只有一个滑移系统上的分切应力最大并达到c τ时，只发生单滑移，其位错在滑移过程中不会与其它位错交互作用，故加工硬化也很弱。 10．多滑移：当有几个滑移系统上的分切应力最大并达到c τ时，就发生多滑移。比如fcc 中，{111}为滑移面,<110>为滑移方向,4个{111}面构成八面体,当拉力轴为[001]时,就有8个滑移系具有相同的施密特因子，故可同时达到 c τ ，同时动作。 11．交滑移：当螺位错在某一滑移面上运动受阻，会转到另一滑移面上继续滑移，滑移方向不变。 12．固溶强化机理 由于溶质原子与位错相互作用的结果，溶质原子不仅使晶格发生畸变，而且易被吸附在位错附近形成柯氏气团，使位错被钉扎住，位错要脱钉，则必须增加外力，从而使变形抗力提高。 13．二次再结晶：再结晶完成后继续加热超过一定温度或保温时间较长时，则会有少数晶粒吞并周围其他小晶粒而急剧长大，它的尺寸可以达到几厘米，而其他晶粒仍然保持细小，最后小晶粒被大晶粒吞并，整个金属晶粒都变得比较粗大，超过原始晶粒几十倍至上百倍，这种晶粒称为异常晶粒长大或二次再结晶。 14．当初相较多，当发生共晶反应时，与初相相同的一相优先形核，将另一相推到最后处形成，失去了共晶形貌，即组织为离异组织。 15．由于固溶体合金在凝固过程中界面前沿的液体成分变化而产生了一个过冷区，称为成分过冷（或组分过冷）。 16．对于在一个晶粒内部或一个枝晶的枝干和枝晶间的不同部位间化学成分不均匀，称为晶内偏析 17.通常把围绕位错而形成的溶质原子聚集物，称为“柯氏气团”，它可以阻碍位错运动，产生固溶强化效应 18.原子排列情况相同在空间位向不同（即不平行）的晶向统称为晶向族。 19.有共晶反应的合金中，如果成分离共晶点较远，由于初晶相数量较多，
光学显微部分 1.图像分析法主要用于研究材料结构特征分析。 2.衍射法主要用于研究材料的结晶相及晶格常数。 3.成分谱分析主要用于研究测定材料的化学成分。 4.光学显微镜按照成像原理可分为几何光学显微镜，物理 光学显微镜，信息转换显微镜。 5.光的波粒二象性：按照量子理论，光能量是由一束具有 极小能量的微粒即“光子”不连续的输送着，表明光具有微粒与波动的双重性，即波粒二象性。 6.自然光（普通光源发出的光波）振动方式：垂直于光的 传播方向的平面内任意振动 7.偏振光振动方式：只在垂直于光的平面内的某一方向振 动（自然光经过某些物质的反射、折射、吸收或其他方 法，使它只保留某一固定方向的光振动） 8.光性均质体：光波在各向同性介质中传播时，其速度与 振动方向均不会改变，因而只有一个折射率值 9.光性非均质体：传播速度随振动方向不同而改变，因而 折射率值有多个，一般发生双折射现象，即自然光分解成两束偏振光。 10.等轴晶系矿物和非晶质物质属于光性均质体。 11.中级晶族和低级晶族矿物属于光性非均质体。 12.数值孔径为N.A. = n sin θ（n：镜头介质折射率θ：光 圈半角孔径），数值孔径表征了物镜的聚光能力，放大 倍数越高的物镜数值孔径越大；对于同一放大倍数的物镜，数值孔径越大则分辨率越高 13.正交偏光镜：下偏光镜和上偏光镜联合使用，并且两偏 光镜的振动面处于相互垂直位置。 14.如果在正交偏光镜的物台上不放置任何晶体光片时，视 域是黑暗的，为什么？ 因为：光通过下偏光镜，其振动方向被限制在下偏光镜的振动面PP内，当PP方向振动的光到达上偏光镜AA时，由于两振动方向互相垂直，光无法通过上偏光镜，所以视场暗。 15.消光现象：晶体在正交偏光镜下呈现黑暗的现象，称为 消光现象。 16.全消光现象：均质体以及非均质体垂直光轴切片，不改 变偏振方向 17.四次消光：非均质光率体切面均为椭圆，则椭圆长、短 半径四次重合消光，其余则有部分光通过。 18.四次消光是非均质体的特征。 19.偏光显微镜属于透射显微镜，用于透明晶体的观察。 20.金相显微镜属于反射式显微镜，用于不透明物体的研 究。 21.光学显微镜分辨率的极限 22.显微分析分辨率：仪器分辨两个物点的本领。仪器能分 辨两个物点间的距离或角度越小，则分辨率越大。 23.分辨率极限：最临近两个物点间的距离以及角度 24.瑞利判据 瑞利判据相邻物体的距离为r 25.提高分辨率的途径：更短的波长、更大的折射率、增大 孔径角 衍射部分 5、X射线的产生原理：凡是高速运动的电子流或其他高能辐射流（如γ射线、X射线、中子流）被突然减速时均能产生X射线。 6、X射线管原理：钨丝发热释放电子，电子在电场作用下加速，高速轰击阳极靶，电子突然减速，产生X射线及热能，X射线通过窗口射出为实验所用。 7、X射线谱由两部分叠加而成，即连续谱和特征谱。 8、连续谱的产生：由于阴极产生的电子数量巨大，这些能量巨大的电子撞向阳极靶的撞击条件和碰撞时间不一致，因而所产生的电磁辐射各不相同，所以产生了各种波长的连续谱。 9、连续谱的强度随波长连续变化。 10、特征谱的波长一定、强度很大。 11、特征谱的产生：当管电压超过一定值V k（激发电压）时才会产生，只取决于光管的阳极靶材料，不同的靶材具有其特有的特征谱线。特征谱线又称为标识谱，即可以来标识物质元素。 12、为什么特征X射线的波长为一定值？对于某一固定物质，各原子能级所具有的能量是固定的，跃迁时所转化成的光子能量为一定值，根据原子结构壳层理论，所产生的特征X射线的波长也为一定值。 15、吸收限：μm与λ关系曲线中出现的跃增，是原子所俘获的光子量恰好等于该原子某壳层(K，L，M…)电子的结合能，光子被物质大量吸收，吸收系数就发生突增。在曲线的突变点处的波长称为吸收限。 7、外标法原则上只适用于两相物质系统的含量测试；内标法适用于多相体系。 电子显微部分 8、电磁透镜的分辨本领主要由衍射效应和球差决定。 9、电磁透镜的几何像差：由于透镜磁场几何形状上的缺陷而造成的像差。又可分为球差与像散。 色差：由于电子波的波长或能量发生一定幅度的改变而造成的像差。 10、球差：是由于电磁透镜磁场的近轴区与远轴区对电子束的会聚能力的不同而造成的。一个物点散射的电子束经过具有球差的电磁透镜后并不聚在一点，所以像平面上得到一个弥散圆斑，在某一位置可获得最小的弥散圆斑，成为弥散圆。还原到物平面上，则半径为 rs=1/4 Cs α3 rs 为半径，Cs为透镜的球差系数，α为透镜的孔径半角。所以减小透镜的孔径半角可减少球差。 像散：是由于透镜磁场不是理想的旋对称磁场而引起的。可减小孔径半角来减少像散。 电磁透镜的聚焦原理：通电的短线圈就是一个简单的电磁透镜，它能造成一种轴对称不均匀分布的磁场。穿过线圈的电子在磁场作用下将作圆锥螺旋近轴运动。而一束平行于主轴的入射电子通过电磁透镜时将被聚焦在主轴的某一点。 1、透射电镜主要由电子光学系统、电源系统、真空系统、 操作控制系统四部分组成。 2、透射电镜中电子枪的作用是产生电子束 3、透射电镜中聚光镜的作用是会聚电子束。 透射电镜的分辨本领取决于物镜的分辨本领。 4、电子衍射基本公式的推导 5、选区电子衍射：是指在物镜像平面上放置一个光阑(选 区光阑)限定产生衍射花样的样品区域，从而分析该微 区范围内样品的晶体结构特性。 6、扫描电镜的特点 7、扫描电镜成像的六种物理信号概念 8、背散射电子随样品原子序数增大而增多 9、二次电子形貌像中图像显示亮的部分对应试样的凸起 处。 10、二次电子形貌像中图像显示暗的部分对应试样的凹处。 11、吸收电子随样品原子序数增大而减少。 12、样品的质量厚度越大，透射系数越小，吸收系数越大。 13、扫描电镜的构造：六个系统组成：电子光学系统（镜筒）、 扫描系统、信号收集系统、图像显示和记录系统、真空 系统和电源系统。
谢建军材料制备工艺与设备 名词解释（未收录各种成型工艺的定义） 材料工艺：材料的生产工艺就是把天然原料（包括人造原料）经过物理和化学变化而变成工程上有用的原材料的工艺技术。（将任何一种材料从原料到成品的整个过程称为材料工艺过程） 材料工艺过程：任何一种材料从原料→成品的整个过程。 材料设备？ 材料：人类赖以生存的物质基础。人类社会生产力水平的标志。 材料工艺任务：通过改变和控制材料的外部形态和内部结构把材料加工成人类社会所需的各种部件和成品。 材料的加工性能：即材料被加工的能力。 单晶材料液相法：直接从气体凝固或利用气相化学反应制备单晶体的方法 单晶材料固相法：在固态条件下，使异常晶粒不断长大吞并其他小晶粒而得到单晶的方法。 材料工艺性能：是指材料适应工艺而获得规定性能和外形的能力。 工艺性能的表征方法——相关法：将材料的工艺性能与一些简单的物理、化学、力学参量联系起来。 热工：就是指关于热（加热、保温和降温制度）的工程技术。 无机非金属材料：是以某些元素的氧化物、碳化物、氮化物、卤素化合物、硼化物以及硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、硼酸盐等物质组成的材料。 材料科学：就是研究有关材料的组成、结构与工艺流程对于材料性能与用途的影响。 水泥磨：水泥磨是指在水泥熟料中添加石膏（调节水泥的硬化时间和硬化强度）、混合料（火山灰、粉煤灰等）后进行混合均匀的简单球磨过程。 喷火口：是挡火墙与燃烧室上部窑墙之间的空间。 陶瓷（广义）：用陶瓷生产方法制造的的无机非金属固体材料和产品的通称。 陶瓷（狭义）：以粘土、长石、石英为主要原料，经过粉碎、混炼、成型、煅烧等工艺过程制得的产品。 普通（传统）陶瓷：以粘土及其他天然矿物（长石、石英等）为原料经粉碎、混合、成型、焙烧等工艺过程而制得的制品。
1．刚度材料抵抗弹性变形的能力。 2．抗拉强度材料抵抗最大均匀塑性变形的能力。3．屈服强度材料抵抗微量塑性变形的能力；或材料在屈服（开始产生明显塑性变形）时的应力。 4．塑性断裂前材料产生塑性变形的能力。5．疲劳（疲劳断裂）工件在交变应力作用下，其工作应力往往低于屈服强度，所产生的脆性断裂现象。 6．硬度材料表面抵抗局部微量塑性变形的能力。 晶体结构 1．晶胞晶胞是能代表晶格中原子排列规律的最小几何单元。 2．晶格晶格是描述晶体中原子排列规律的空间格子。 3．致密度晶胞中原子体积与晶胞体积的比值。4．多晶体多晶体是由许多晶格方位彼此不同的小晶体（晶粒）组成的晶体。5．晶体各向异性晶体中不同晶面或晶向上的原子密度不同，从而造成晶体不同方向上的性能不同的现象。 合金 1．．同素异构转变固态金属的晶格结构随温度改变而改变的现象。 2．过冷度理论结晶温度与实际结晶温度之差。3．相在合金中，具有同一化学成分、同一晶体结构，且有界面与其它部分分开的均匀组成部分。 4．固溶体溶质原子溶入溶剂晶格中所形成的固相。 5．间隙固溶体溶质原子溶入溶剂晶格的间隙中形成的固溶体。 6．置换固溶体溶质原子代替溶剂晶格结点上的某些原子所形成的固溶体。 7．间隙相D非/D金小于0.59，具有简单晶格的金属化合物。 8．晶内偏析（枝晶偏析）固溶体合金冷速较快时，形成在一个晶粒内化学成分不均匀的现象。9．相图（平衡图）相图是表示不同成分的合金在不同温度下各相之间平衡存在的关系图解。 10．固溶强化通过溶入溶质元素形成固溶体，从而使材料的强度、硬度提高的现象，称为固溶强化。 11．细晶强化金属的晶粒愈细小，其强度、硬度愈高，这种现象称为细晶强化。塑性变形 1．滑移在切应力作用下，晶体中的一部分沿着一定晶面、晶向相对于另一部分的滑动。 2．滑移系晶体中的一个滑移面及其上的一个滑移方向构成一个滑移系。3．加工硬化金属经冷塑性变形后，强度、硬度升高，塑性、韧性降低的现象。4．再结晶冷变形金属加热到再结晶温度以上，通过形核长大，使畸变晶粒变成 无畸变等轴晶粒的过程 5．形变织构金属 经大量塑性变形后，由于晶体转 动造成各个晶粒中的某些位向 大致趋向一致的现象。 6．热加工纤维组织金属 中的夹杂物及枝晶偏析经塑性 变形后沿变形方向分布，呈纤维 状，这种组织称纤维组织 7．热（压力）加工金属 在再结晶温度以上进行的压力 加工。 8．冷（压力）加工金属 在再结晶温度以下进行的压力 加工。 铁碳相图 1．铁素体碳溶 于α铁中形成的间隙固容体 2．渗碳体具有 复杂晶格的间隙化合物。 3．奥氏体碳溶 于γ－Ｆｅ中的间隙固溶体。 4．珠光体由铁 素体与渗碳体两相组成的片层 状机械混合物。 5．高温莱氏体由奥 氏体与渗碳体两相组成的机械 混合物。 6．热脆性钢中 FeS与Fe 形成的低熔点共晶体 （在Ａ晶界上）在锻压时熔化而 导致钢材沿晶界开裂的现象。 7．冷脆性磷溶 入铁素体中,产生固溶强化的同 时急剧降低钢室温下的韧性和 塑性的现象. 9．碳钢含碳量 小于2.11%,并且含少量硅,锰,磷, 硫等杂质元素的铁碳合金. 热处理 1．奥氏体的实际晶粒度在 具体加热条件下（温度、时间） 奥氏体的晶粒大小。 2．过冷奥氏体当 奥氏体冷至临界点以下，尚未开 始转变的不稳定的奥氏体。 3．残余奥氏体过 冷奥氏体向马氏体转变时，冷至 室温或Mf点，尚未转变的奥氏 体。 4．索氏体是 过冷奥氏体在A1 ~ 650℃之间 形成的，由铁素体与渗碳体两相 组成的细片状机械混合物。 5．屈氏体是 过冷奥氏体在650~600℃之间 形成的，由铁素体与渗碳体两相 组成的极细片状机械混合物。 6．马氏体由 过冷奥氏体在Ms~Mf 间形成 的，碳在α－Ｆｅ中的过饱和固 溶体。 7．退火将 钢加热至适当温度、保温后，缓 慢冷至室温，以获得接近平衡状 态组织的热处理工艺。 8．正火将 钢加热至Ac3或Accm以上， 保温后空冷的热处理工艺。 9．淬火将 钢加热至Ac3或Ac1以上,保温 后以>Vk的速度快冷，使过冷 Ａ转变成Ｍ的热处理工艺。 10．回火将 淬火钢加热至A1以下某一温 度，保温后一般空冷至室温的热 处理工艺。 11．回火马氏体淬 火马氏体经低温回火形成的，由 已分解的马氏体与分布其上的 细小片状ε碳化物组成的混合 物。 12．回火屈氏体由 马氏体经中温回火得到的铁素 体与极细粒状碳化物组成的两 相混合物。 13．回火索氏体由 马氏体经高温回火得到的铁素 体与细粒状碳化物组成的两相 混合物。 14．调质处理淬 火＋高温回火工艺的总称。 15．冷处理淬 火钢冷至室温后继续冷却至 -70~-80℃或更低的温度,使更多 的奥氏体转变成马氏体的热处 理工艺. 16．时效硬化经 固溶处理（淬火）的合金在室温 停留或低温加热时，随时间延长 强度、硬度升高的现象。 17．钢的淬透性在 规定条件下，钢在淬火时获得淬 硬层（或称淬透层）深度的能力。 18．钢的淬硬性钢 在淬火后（马氏体组织）所能达 到的最高硬度。 19．临界（淬火）冷却速度临 界淬火速度（临界冷却速度）获 得全部马氏体组织的最小冷却 速度。 20．表面淬火仅 将钢件表层快速加热至奥氏体 化，然后迅速冷却，不改变心部 组织的淬火方法。 21．渗碳向 低碳钢表面渗入碳原子，增加其 表层含碳量的化学热处理工艺。 1．合金钢为 了改善钢的某些性能，在炼钢 时，有意加入合金元素所炼制的 钢叫合金钢。 2．第二类回火脆性对 含有锰、铬、镍等元素的合金调 质钢，淬火后在450~650℃回火, 保温后缓冷时钢的韧性下降的 现象. 3．回火稳定性（回火抗力）淬 火钢在回火过程中抵抗硬度下 降的能力，或称抗回火软化的能 力。 4．二次硬化含 有强碳化物形成元素的高合金 钢，淬火后较高温度回火，由于 析出弥散的特殊碳化物使其硬 度升高的现象。 5．固溶处理将 合金加热至高温单相区恒温保 持，使过剩相充分溶解到固溶体 中后快速冷却，以得到过饱和固 溶体的工艺。 铸铁 1．铸铁的孕育处理浇 注前往铁水中加入孕育剂，促进 石墨化，细化石墨，以提高铸铁 的机械性能。 2．可锻铸铁白 口铸铁通过石墨化（可锻化）退 火，使渗碳体分解成团絮状石 墨，而获得的铸铁。
材料工程基础复习资料 一、 题型介绍 1.填空题（15/15） 2.名词解释（4/16） 3.简答题（3/21） 4.计算题（4/48） 二、复习内容 1.名词解释（Chapters 2-4） 热传导：两个相互接触的物体或同一物体的各部分之间，由于温差而引起的热量传递现象，称为热传导。（依靠物体微观粒子的热运动而传递热量） 热对流：指流体不同部分之间发生相对位移，把热量从一处传递到另一处的现象。（依靠流体质点的宏观位移而传热） 热辐射：物体通过电磁波向外传递能量并能明显引起热效应的辐射现象称为热辐射。（不借助于媒介物，热量以热射线的形式从高温物体传向低温物体） 温度场：某瞬时物体内部各点温度的集合，称为该物体的温度场。 稳态温度场：温度不随时间变化的温度场。 等温面：温度场中同一瞬间同温度各点连成的面。 导热系数：在一定温度梯度下，单位时间内通过单位垂直面积的热量。 热射线：能被物体吸收并转变成热能的部分电磁波。 光谱辐射强度（E λ）：单位时间内物体单位辐射面积表面向半球空间辐射从d λλλ+到波长间隔内的能量。 辐射力（E ）：单位时间内物体单位辐射面积向半球空间辐射的全波段的辐射能，称为辐射力。 立体角：以球面中心为顶点的圆锥体所张的球面角。 角系数：任意两表面所组成的体系，其中一个表面（如F 1）所辐射到另一表面 上的能量占其总辐射能量的百分数，称为第一表面对第二表面的角度系数，简称角系数，记为12?。
有效辐射：本身辐射和反射辐射之和称为物体的有效辐射。 照度：到达表面单位面积的热辐射通量。 黑度：实际物体的辐射力和同温度下黑体的辐射力之比。 空间热阻：由于物体的尺寸形状和相对位置的不同，以致一物体发射的辐射能不可能全部到达另一物体的表面上，相对于全部接受辐射能来说，有热阻的存在，称为空间热阻。 表面热阻：由于物体表面不是黑体，所以它不可能全部吸收投射到它表面上的辐射能，相对于黑体来说，可以看成是热阻，称为表面热阻。 光带：把具有辐射能力的波长范围称为光带。 绝对湿度：单位体积湿空气所含水蒸气的质量称为湿空气的绝对湿度。 相对湿度：指湿空气的绝对湿度与同温度下饱和空气的绝对湿度之比。 含湿量：1Kg的干空气所携带的水蒸气的质量。 湿球温度计：在普通温度计外包裹湿纱布，湿纱布的一端浸入水中，使得纱布保持湿润，这种温度计称为失球温度计。 露点：当未饱和湿空气中水蒸气分压或含湿量不变时，湿空气冷却到饱和状态的温度称为露点。 平衡水分：当物料表面水蒸气分压与湿空气水蒸气分压达到平衡时，物料的含水量不再随与空气接触时间的延长而变化，此时物料的含水量就是该空气状态下的该物料的平衡含水量。 恒定干燥条件：是指干燥过程中空气的湿度、温度、速度以及与湿物料的接触状况都不变。 发热量（热值）：单位质量或体积的燃料完全燃烧，当燃烧产物冷却到燃烧前的温度时所放出的热量。 结渣性：煤在燃烧的高温状态下灰分的粘结能力。 闪点：当有火源接近时，若出现蓝色的闪光，此时的油温称为闪点。 燃点：油温继续升高，用火源接近油表面时在蓝色闪光后能持续燃烧，此时的油温称为燃点。 着火点：油温达到一定程度，油表面蒸气自燃，此时的油温称为着火点。 爆炸浓度极限：当空气中燃料油蒸气达到一定浓度时，遇到明火或温度升高到一
1.生产过程：指把原材料转变为成品的全过程。 2.工艺过程：机器生产过程中，改变生产对象的形状、尺寸、相对位置和物理、力学性能等使其成为成 品或半成品的过程。 3.热处理工艺过程：在热处理车间，对机器零件的半成品通过各种热处理方法，直接改变它们的材料性 质的过程，称为热处理工艺过程。 4.装配工艺过程：将合格的机器零件和外购件，标准件装配成组件，部件和机器的过程，则称为装配工 艺过程。 5.机械加工工艺过程：用机械加工方法逐步改变毛坯的形态，使其成为合格零件所进行的全部过程。 6.生产纲领：机器产品在计划期内应当生产的产品产量和进度计划称为该产品的生产纲领。 7.生产批量：指一次投入或产出的同一产品或零件的数量。 8.生产类型：单件生产、成批生产、大量生产（13年、14年） 9.工艺规程：规定产品或零部件机械加工工艺过程和操作方法等的工艺文件。 10.机械加工工艺规程：规定产品或零部件机械加工工艺过程和操作方法等的工艺文件。（14年） 11.基准：在零件图上或实际的零件上，用来确定其它点、线、面的位置时所依据的点、线、面。 12.设计基准：零件工作图上用来确定其它点、线、面位置的基准。 13.工艺基准：加工、测量和装配过程中使用的基准。（13年） 14.工序基准：在工序图上用来确定本工序所加工表面加工后的位置尺寸和位置关系的基准。 15.定位基准：加工中用于定位的基准。（14年） 16.测量基准：工件测量时所用的基准。 17.装配基准：在装配时用来确定零件或部件在机器中的相对位置所采用的基准。 18.工件定位：采取一定的约束措施来限制自由度，通常可用约束点群来描述，而且一个自由度只需要一 个约束点来限制。 19.定位：使工件在机床或夹具中占有正确的位置。 20.装夹：将工件在机床上或夹具中定位，夹紧的过程称为装夹。 21.定位误差：指由于工件定位造成的加工面相对工序基准的位置误差。 22.基准不重合误差：由于定位基准与工序基准不一致所引起的定位误差。 23.基准位置误差：由于工件的定位表面或夹具上的定位元件制作不准确引起的定位误差。 24.六点定位原理：用六个支承点来分别限制工件的六个自由度，从而使工件在空间得到确定定位的方法。 25.完全定位：工件的六个自由度完全被限制的定位。（14年） 26.不完全定位：按加工要求，允许有一个或几个自由度不被限制的定位。（13年） 27.欠定位：按加工要求，工件应限制的自由度未被限制的定位。 28.过定位：工件的同一个自由度被两个或两个以上支承点重复限制的定位。 29.工序：一个或一组工人，在一个工作地点，对一个或同时几个工件所连续完成的那部分工艺过程。（13 年） 30.安装：工件在机床或夹具中定位并夹紧的过程。 31.工位：工件在一次安装后，工件与夹具或设备的可动部分一起相对于刀具或设备的固定部分所占据的 每一个位置上所完成的那一部分工艺过程。 32.工步：在加工表面、切削刀具和切削用量都不变的情况下，所连续完成的那部分工艺过程。 33.行程：有些工步，由于余量较大或其它原因，需要用同一刀具，对同一表面进行多次切削，这样刀具 对工件每切削一次就称为一次行程 34.走刀：攻坚的每一次切削称为一次走刀。 35.零件的结构工艺性：指所设计的零件在能满足使用要求的前提下制造的可行性和经济性。（13年、14 年） 36.精基准：使用已经机械加工的表面作为定位基准。
1·材料的物理性质：指表示材料物理状态特点的性质，主要指材料的重量（质量），水，热，声有关的性质。 2·材料的力学性质：主要指材料在哦外力作用下产生变形的性质和抵抗破坏的能力。 3·耐久性：是材料在长期使用过程中，抵抗其自身及环境因素的长期破坏作用，保持其原有性能而不变质，不破坏的能力，即材料保持工作性能直到极限状态的性质。 4·体积密度：指材料在自然状态下单位体积的质量，也称容量。 5·密度：指材料在绝对密实状态下单位体积的质量。 6·表观密度：也叫视密度，是指直接以排水法求得的体积作为绝对密实状态下体积的近似值，按该体积计算出的密度。7·堆积密度：指散粒材料在规定装填条件下单位体积的质量。8·孔隙率：指材料中孔隙体积与材料在自然状态下的体积之比的百分率。 9·密实度：指材料体积内被固体物质充实的程度，即材料中固体物质的体积占材料在自然状态下的体积的百分率。 10·空隙率：散粒材料在自然堆积状态下，其中的空隙体积与自然堆积状态下的体积之比的百分率。 11·填充率：散粒材料在自然堆积状态下，其中的颗粒体积占自然堆积状态下的体积的百分率。 12·亲水性：材料在空气中与水接触时能被水湿润的性质称为亲水性。具有这种性质的材料称为亲水性材料。 13·憎水性：也称疏水性，材料在空气中与水接触时不能被水 湿润的性质称为憎水性。具有这 种性质的材料称为憎水性材料。 14·吸水性：材料吸收水分的能 力称为吸水性。吸水性大小用吸 水率表示。 15·吸湿性：材料在潮湿的空气 中，吸收空气中水分的能力称为 吸湿性。吸湿性的大小用含水率 表示。 16·质量吸水率：指材料在浸水 饱和状态下吸入水的质量占材 料干燥质量的百分率。 17·体积吸水率：指材料在浸水 饱和状态下吸入水的质量占干 燥材料在自然状态下的体积的 百分率。 18·开口孔隙率：是指材料中能 被水所饱和的孔隙体积与材料 在自然状态下的体积之比的百 分率。其数值等于材料的体积吸 水率。 19·含水率：材料在自然状态下 所含水的质量占材料干燥时质 量的百分率称为材料的含水率。 20.耐水性；材料在水作用下，保 持其原有性质的能力称耐水性。 21.抗渗性：材料抵抗压力渗透的 性质。 22.抗冻性：浸水饱和的材料在 冻，融循环的作用下，保持其原 有性质的能力。 23.导热性：反映材料传递热量的 能力。其大小常用导热系数表 示。 24.热容：是指材料受热时蓄村热 量或冷却时放出热量的性能，其 大小等于比热容与质量的乘积。 25.弹性：材料在外力作用下产生 变形，当外力取消后，能完全恢 复到原来状态的性质称为弹性。 26.塑性：材料在外力作用下产生 变形，当外力取消后，材料仍保 持变形后的形状和尺寸的性质 称为弹性。 27.弹性模量：材料在弹性范围内 应力与应变的比值。 28.强度：材料抵抗在应力作用下 破环的性能称为强度。 29.标号：指按材料强度值的大小 划分的若干等级。 30.比强度：按材料单位质量计算 的强度，其值等于材料的强度值 与其体积密度之比。 31.脆性：材料在外力作用下直至 破坏前并无明显的塑性变形而 发生突然破环的性能称为脆性。 32.冲击韧性：是指材料抵抗冲击 力的能力。 33.硬度：指材料抵抗较硬物体压 入所产生的局部塑性变形的性 能。 34.耐磨性：是材料表面抵抗磨损 的性能，通常用磨损率表示。 1·矿物：是地壳中受各种不同 地质作用所形成的具有一定化 学组成和物理性质的单质或化 合物，如方解石，长石，云母， 石英等。 2·赵岩矿物：用来组成岩石的 矿物。 3·岩石：是由各种不同的地质 作用所形成的天然固态矿物的 集合体。 4·岩石结构：是岩石中矿物的 结晶程度，颗粒大小，形态及组 合方式的特征。 5·岩石构造：指岩石中不同矿 物集合体之间的排列方式和填 充方式。 6·烧结砖：以粘土，页岩，煤 千石或粉煤灰为主要原料，经成 型，干燥及焙烧而成的砖称为烧 结砖。 7·抗风化性：材料抵抗因风， 鱼，冻融等长期作用而引起破坏 的能力。 8·石灰爆裂：是指砖呸中夹杂
工程材料名词解释 强度：强度是指材料抵抗塑性变形和断裂的能力。 抗拉强度：抗拉强度是指试样拉断前承受的最大标称拉应力。 变质处理：在浇注前以少量粉末物质加入金属液中，促进形核以改善金属组织和性能的方法。 相：相是指金属或合金中具有相同成分、相同结构并以界面相互分开的各个均匀组成部分。 组织：组织是指用金相观察方法，在金属及其合金内部看到的涉及相或晶粒的大小、方向、形状、排列情况等组成关系的构造情况. 铁素体：铁素体是指碳溶于α-Fe中而形成的间隙固溶体. 奥氏体：奥氏体是指碳溶于γ-Fe而形成的间隙固溶体。 渗碳体：渗碳体是一种具有复杂晶体结构的间隙化合物，化学式近似于Fe3C。 珠光体：珠光体是指奥氏体从高温缓慢冷却时发生共析转变所形成的，其立体形状为铁素体薄层和碳化物薄层交替重叠的层状复相物。 莱氏体：莱氏体是指高碳的铁基合金在凝固过程中发生共析转变所形成的奥氏体和碳化物所形成的共晶体。 低温莱氏体：低温莱氏体是指在727o以下，由高温莱氏体中的奥氏体转变为珠光体，则由珠光体和渗碳体呈均匀分布的
复相组成的机械化合物。 同素异晶转变：金属在固体状态岁温度的变化从一种晶格转变成另一种晶格的过程叫同素异晶转变。 热脆：当钢材在1000oC-1200oC进行热压力加工时，由于共晶体熔化，从而导致热加工时开裂。这种金属材料在高温时出现脆裂的现象称为“热脆”。 冷脆：一般磷在钢中能全部溶于铁素体中，因此提高了铁素体的强度和硬度，但在室温下却使钢的塑性和韧性急剧下降，产生低温脆性，这种现象称为冷脆。 钢的热处理: 热处理是指将钢在固态下加热、保温盒冷却，以改变钢的组织结构，从而获得所需要性能的一种工艺。马氏体：马氏体(martensite)是黑色金属材料的一种组织名称。马氏体（M）是碳溶于α-Fe的过饱和的固溶体，是奥氏体通过无扩散型相变转变成的亚稳定相。 退火：将金属或合金加热到适当温度，保持一定时间，然后缓慢冷却的热处理工艺称退火。 正火：正火是将钢件或钢材加热到Ac3或Accm以上30oC-50oC，保温适当的时间后在静止的空气中冷却的热处理工艺。 淬火：淬火是指将钢件加热到Ac3或Ac1以上某一温度，包吃一定时间，然后以适当速度冷却获得马氏体组织的热处理工艺。
机械制造工艺学名词解 释 文档编制序号：[KKIDT-LLE0828-LLETD298-POI08]
1.生产过程：指把原材料转变为成品的全过程。 2.工艺过程：机器生产过程中，改变生产对象的形状、尺寸、相对位置和物理、力学性能等使其成为成品或半成品 的过程。 3.热处理工艺过程：在热处理车间，对机器零件的半成品通过各种热处理方法，直接改变它们的材料性质的过程， 称为热处理工艺过程。 4.装配工艺过程：将合格的机器零件和外购件，标准件装配成组件，部件和机器的过程，则称为装配工艺过程。 5.机械加工工艺过程：用机械加工方法逐步改变毛坯的形态，使其成为合格零件所进行的全部过程。 6.生产纲领：机器产品在计划期内应当生产的产品产量和进度计划称为该产品的生产纲领。 7.生产批量：指一次投入或产出的同一产品或零件的数量。 8.生产类型：单件生产、成批生产、大量生产（13年、14年） 9.工艺规程：规定产品或零部件机械加工工艺过程和操作方法等的工艺文件。 10.机械加工工艺规程：规定产品或零部件机械加工工艺过程和操作方法等的工艺文件。（14年） 11.基准：在零件图上或实际的零件上，用来确定其它点、线、面的位置时所依据的点、线、面。 12.设计基准：零件工作图上用来确定其它点、线、面位置的基准。 13.工艺基准：加工、测量和装配过程中使用的基准。（13年） 14.工序基准：在工序图上用来确定本工序所加工表面加工后的位置尺寸和位置关系的基准。 15.定位基准：加工中用于定位的基准。（14年） 16.测量基准：工件测量时所用的基准。 17.装配基准：在装配时用来确定零件或部件在机器中的相对位置所采用的基准。 18.工件定位：采取一定的约束措施来限制自由度，通常可用约束点群来描述，而且一个自由度只需要一个约束点来 限制。 19.定位：使工件在机床或夹具中占有正确的位置。 20.装夹：将工件在机床上或夹具中定位，夹紧的过程称为装夹。 21.定位误差：指由于工件定位造成的加工面相对工序基准的位置误差。 22.基准不重合误差：由于定位基准与工序基准不一致所引起的定位误差。 23.基准位置误差：由于工件的定位表面或夹具上的定位元件制作不准确引起的定位误差。 24.六点定位原理：用六个支承点来分别限制工件的六个自由度，从而使工件在空间得到确定定位的方法。 25.完全定位：工件的六个自由度完全被限制的定位。（14年） 26.不完全定位：按加工要求，允许有一个或几个自由度不被限制的定位。（13年） 27.欠定位：按加工要求，工件应限制的自由度未被限制的定位。 28.过定位：工件的同一个自由度被两个或两个以上支承点重复限制的定位。 29.工序：一个或一组工人，在一个工作地点，对一个或同时几个工件所连续完成的那部分工艺过程。（13年） 30.安装：工件在机床或夹具中定位并夹紧的过程。 31.工位：工件在一次安装后，工件与夹具或设备的可动部分一起相对于刀具或设备的固定部分所占据的每一个位置 上所完成的那一部分工艺过程。 32.工步：在加工表面、切削刀具和切削用量都不变的情况下，所连续完成的那部分工艺过程。 33.行程：有些工步，由于余量较大或其它原因，需要用同一刀具，对同一表面进行多次切削，这样刀具对工件每切 削一次就称为一次行程 34.走刀：攻坚的每一次切削称为一次走刀。 35.零件的结构工艺性：指所设计的零件在能满足使用要求的前提下制造的可行性和经济性。（13年、14年） 36.精基准：使用已经机械加工的表面作为定位基准。 37.粗基准：使用未经机械加工的表面作为定位基准。 38.基准统一原则：整个工艺过程或有关的几道工序采用同一个（或同一组）定位基准来定位。
1.应力：单位面积上所受的内力。 2.应变是用来描述物体内部各质点之间的相对位移。 3.剪切应变：物体内部一体积元上的二个面元之间的夹角的变化。 4.当长方体伸长时，侧向要发生横向收缩,横向变形系数μ，称为泊松比。 5.弹性模量E是重要的材料常数，是原子间结合强度的一个标志；与原子间结合力曲线上任一受力点的曲线斜率有关。 6.屈服应力：当外力超过物体弹性极限，达到某一点后，在外力几乎不增加的情况下，变形骤然加快，此点为屈服点，达到屈服点的应力。 7.塑性：使固体产生变形的力，在超过该固体的屈服应力后，出现能使该固体长期保持其变形后的形状或尺寸，即非可逆性能。 8.塑性形变：指一种在外力移去后不能恢复的形变。 9.材料经受塑性形变而不破坏的能力叫延展性 10.晶体中的塑性形变有两种基本方式：滑移和孪晶。 11.晶体受力时，晶体的一部分相对另一部分发生平移滑动，叫做滑移。 12.晶体受力时，两个晶体或一个晶体的两个部分沿一个公共晶面构成晶面对称的位向关系，叫做孪晶。 13.一些非晶体和多晶体在比较小的应力时，可以同时表现出弹性和粘性，称为粘弹性。 14.如果施加恒定应变ε0，由于弹性模量Er也随时间而降低，此时应力将随时间而减小，这种现象叫驰豫。 15.当对粘弹性体施加恒定应力σ0时，由于弹性模量Ec也随时间而减小，其应变随时间而增加，这种现象叫蠕变。 16.在低于材料断裂韧性的外加应力场强度作用下所发生的裂纹缓慢扩展称为亚临界裂纹生长（SCG)。 17.由外力作用诱发的化学反应导致的裂纹缓慢扩展过程通常称为应力腐蚀裂纹扩展 18.热容：分子热运动的能量随着温度而变化的一个物理量，定义为物体温度升高1K 所需要的能量。 19.将1g质量的物体温度升高1K所需要增加的热量称为物质的比热容，简称比热。 20.物体的体积或长度随温度的升高而增大的现象称为热膨胀。 21.当固体材料一端的温度比另一端高时，热量会从热端自动地传向冷端，这个现象就是热传导。 22.光子在介质中传播的导热过程，称为光子导热。 23.热稳定性指材料承受温度的急剧变化而不致破坏的能力，又称为抗热震性。 24.抗热冲击断裂性：材料抵抗温度急剧变化时瞬时断裂的性能。 25.抗热冲击损伤性：材料抵抗热冲击循环作用下缓慢破坏的性能。 26.热应力指由于材料热膨胀或收缩引起的内应力。 27.折射：本质是由于光的速度的变化而引起的光弯曲的结果。 28.均质介质：光通过时光速不因传播方向改变而变化，材料只有一个折射率 29.介质的光吸收：光透过介质时，会引起电子跃迁或者原子的振动，从而引起能量的损失，这种现象叫做光的吸收。 30.选择吸收：同一物质对某种波长的吸收系数很大，对另一种波长的吸收很小的现象。光的选择性吸收使透明材料呈现不同颜色。 31.均匀吸收：在可见光范围内对各种波长的波的吸收程度相同，称为均匀吸收。随着吸收程度的增加，颜色从灰变为黑色。 32.光波遇到不均匀结构产生的次级波与主波方向不一致，与主波合成出现干涉现象，