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Wafer Process工艺制造流程

Wafer Process工艺制造流程
Wafer Process工艺制造流程

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵,主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外,对已印有电路图案的图案晶圆成品而言,则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说,图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线,并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除,以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种,而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例,其步骤依序为晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、电镀(plating)及检验(inspection)等。 (1) 晶片切割(die saw) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。举例来说:以0.2微米制程技术生产,每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割,首先必须进行晶圆黏片,而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上,而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mount / die bond) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内,以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线(wire bond) IC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC),此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin),称之为打线,作为与外界电路板连接之用。

生产工艺流程图及说明

(1)电解 本项目电解铝生产采用熔盐电解法:其主要生产设备为预焙阳极电解槽,项目设计采用大面六点进电SY350型预焙阳极电解槽。铝电解生产所需的主要原材料为氧化铝、氟化铝和冰晶石,原料按工艺配料比例加入350KA 预焙阳极电解槽中,通入强大的直流电,在945-955℃温度下,将一定量砂状氧化铝及吸附了电解烟气中氟化物的载氟氧化铝原料溶解于电解质中,通过炭素材料电极导入直流电,使熔融状态的电解质中呈离子状态的冰晶石和氧化铝在两极上发生电化学反应,氧化铝不断分解还原出金属铝——在阴极(电解槽的底部)析出液态的金属铝。 电解槽中发生的电化学反应式如下: 2323497094032CO Al C O Al +?-+℃ ℃直流电 在阴极(电解槽的底部)析出液态的金属铝定期用真空抬包抽出送往铸造车间经混合炉除渣后由铸造机浇铸成铝锭。电解过程中析出的O 2同阳极炭素发生反应生成以CO 2为主的阳极气体,这些阳极气体与氟化盐水解产生的含氟废气、粉尘等含氟烟气经电解槽顶部的密闭集气罩收集后送到以Al 2O 3为吸附剂的干法净化系统处理,净化后烟气排入大气。被消耗的阳极定期进行更换,并将残极运回生产厂家进行回收处置。吸附了含氟气体的截氟氧化铝返回电解槽进行电解。 电解槽是在高温、强磁场条件下连续生产作业,项目设计采用大面六点进电SY350型预焙阳极电解槽,是目前我国较先进的生产设备。电解槽为6点下料,交叉工作,整个工艺过程均自动控制。电解槽阳极作业均由电解多功能机组完成。多功能机组的主要功能为更换阳极、吊运出铝抬包出铝、定期提升阳极母线、打壳加覆盖料等其它作业。 (2)氧化铝及氟化盐贮运供料系统 氧化铝及氟化盐贮运系统的主要任务是贮存由外购到厂的氧化铝和氟化盐 ,并按需要及时将其送到电解车间的电解槽上料箱内。

电子产品制造工艺论文

电子产品制造工艺论文 一、概述 电子产品制造工艺针对电子产品制造企业的技术发展及岗位需求,注重描写电子产品制造流程中的几个主要环节:装配、焊接、调试和质量控制,详细介绍电子制造业技能型人才应该掌握的基本知识;SMT工艺中的印刷、贴片、焊接(包括当前的工艺热点无铅焊接)、检测技术及相关工具(如ICT、AOI、BGA植球器等)的调试与使用;生产过程的防静电问题;作为检验人员应该熟悉的知识与方法;作为工艺人员编写工艺文件、管理技术档案的知识;为企业出口产品而参加各种认证的工作等。 二、电子工艺技术入门 (1)、主要介绍了电子工艺技术的基础知识,在研究电子整机产品制造过程中材料、设备方法、操作者和管理者这几个要素是电子工艺的基本特点,通常用“4m+m”来简化电子产品制造过程的基本要素。 (2)、了解电子工艺学具有涉及众多科学技术领域,形成时间较晚发展迅速的特点及我国电子工业的发展现状及其薄弱环节。 (3)、熟悉了电子产品工艺操作安全的知识,了解电子产品中电路板生产的基本流程如下: 1.生产设备 2.自动贴片 3.再流焊 4.自动插件 5.人工插件 6.波峰焊(浸焊) 7.手工补焊 8.修理 9.检验测试 10.包装 三、从工艺的角度认识电子元器件 通常说来,在电子行业,元件是指电阻器、电容器、电感器、接插件和开关等无源元件:器件是指晶体管、集成电路等有源元件。但在实际工作中,对两者不严格区别,统称电子元件即可。 ( 1)、通过本章的学习熟悉了解电子元器件的型号命名以及标注方法。通常电子元件的名称反映他们的种类、材料、特征、型号、生产序号及区别代号,并且能够表示出主要的电气参数。电子元器件的名称有字母和数字组成。而其型号和各种参数应当尽可能的在元器件的表面上标注出来。常用的标注方法有三种: 直标法: 把元器件的主要参数直接印制在元器件的表面上即直标法。这种方法直观,只能用于体积较大的元器件。例如:电阻器的表面上印有RXYC-50-T-1K5-+10%(-10%),表示其种类为耐潮披釉线绕可调电阻器,额定功率50W,阻值为1.5千欧,允许偏差为正负10%。 文字符号法:

半导体工艺流程

1清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由 于半导体生产污染要求非常严格,清洗工艺需要消耗大量的高纯水; 且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中,硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理,再送入清洗槽,将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗,同时为有更好的清洗效果,通常使用超声波激励和擦片措施,一般在有机溶剂清洗后立即米用无机酸将其氧化去除,最后用超纯水进行清洗,如图1-6所示。 图1-6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体(N2)下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程,产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层,或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为: Si + O2 T SiO2

3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷(B2H6)作为N —源和磷烷(PH3)作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步,典型的化学反应为: 2PH3 —2P+3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质(原子)离子化后,在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速,以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后,注入离子活化,起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程;曝光是使用光刻机,并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照,使部分光刻胶得到光照,另外,部分光刻胶得不到光照,从而改变光刻胶性质;显影是对曝光后的光刻胶进行去除,由于光照后的光刻胶 和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液,这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀 通过光刻显影后,光刻胶下面的材料要被选择性地去除,使用的方法就

【半导体研磨 精】半导体晶圆的生产工艺流程介绍

?从大的方面来讲,晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤,它又可细分为以下几道主要工序(其中晶棒制造只包括下面的第一道工序,其余的全部属晶片制造,所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序): 晶棒成长--> 晶棒裁切与检测--> 外径研磨--> 切片--> 圆边--> 表层研磨--> 蚀刻--> 去疵--> 抛光--> 清洗--> 检验--> 包装 1 晶棒成长工序:它又可细分为: 1)融化(Melt Down) 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内,加热到其熔点1420°C以上,使其完全融化。 2)颈部成长(Neck Growth) 待硅融浆的温度稳定之后,将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中,接着将晶种慢慢往上提升,使其直径缩小到一定尺寸(一般约6mm左右),维持此直径并拉长 100-200mm,以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3)晶冠成长(Crown Growth) 颈部成长完成后,慢慢降低提升速度和温度,使颈部直径逐渐加大到所需尺寸(如 5、6、8、12吋等)。 4)晶体成长(Body Growth) 不断调整提升速度和融炼温度,维持固定的晶棒直径,只到晶棒长度达到预定值。 5)尾部成长(Tail Growth) 1

当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度,使晶棒直径逐渐变小,以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生,最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2 晶棒裁切与检测(Cutting & Inspection) 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分,并对尺寸进行检测,以决定下步加工的工艺参数。 3 外径研磨(Su rf ace Grinding & Shaping) 由于在晶棒成长过程中,其外径尺寸和圆度均有一定偏差,其外园柱面也凹凸不平,所以必须对外径进行修整、研磨,使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4 切片(Wire Saw Sl ic ing) 由于硅的硬度非常大,所以在本工序里,采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5 圆边(Edge Profiling) 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利,硅单晶又是脆性材料,为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒,必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 ? 6 研磨(Lapping) 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损,使晶片表面达到所要求的光洁度。 7 蚀刻(Etching) 1

生产工艺流程简述

生产工艺流程简述 清棉工序 1.主要任务:(1)将紧压的原纤维松解成较小的纤维块或纤维束,以利混合、除杂作用的顺利进行;(2)清除原纤维中的大部分杂质、疵点及不宜纺纱的短纤维。(3)将不同批次的纤维进行充分而均匀地混和,以利棉纱质量的稳定。(4)成卷:制成一定重量、长度、厚薄均匀、外形良好的棉纤维卷。 梳棉工序 1.主要任务 (1)分梳:将纤维分解成单纤维状态,改善纤维伸直平行状态。(2)混合:使纤维进一步充分均匀混合。(4)成条:制成符合要求的棉条。 精梳工序 主要任务: 1.除杂:清除纤维中细小的纤维疵点。 2.梳理:进一步分离纤维,排除一定长度以下的短纤维,提高纤维的长度整齐度和伸直度。 3.牵伸:将棉条拉细到一定粗细,并提高纤维平行伸直度。 4.成条:制成符合要求的棉条。

并条工序 主要任务 1.并合:一般用6-8根纤维条进行并合,改善棉条长片段不匀。2.牵伸:把纤维条拉长抽细到规定重量,并进一步提高纤维的伸直平行程度。3.混合:利用并合与牵扯伸,使纤维进一步均匀混合,不同唛头、不同工艺处理的纤维条,在并条机上进行混和。4.成条:做成圈条成型良好的熟条,有规则地盘放在棉条桶内,供后工序使用。 粗纱工序 主要任务: 1.牵伸:将熟条均匀地拉长抽细,并使纤维进一步伸直平行。2.加捻:将牵伸后的须条加以适当的捻回,使纱条具有一定的强力,以利粗纱卷绕和细纱机上的退绕。 细纱工序 主要任务: 1.牵伸:将粗纱拉细到所需细度,使纤维伸直平行。 2.加捻:将须条加以捻回,成为具有一定捻度、一定强力的细纱。3.卷绕:将加捻后的细纱卷绕在筒管上。4.成型:制成一定大小和形状的管纱,便于搬运及后工序加工。

生产工艺流程图和工艺描述

生产工艺流程图和工艺描述 香肠工艺流程图 辅料验收原料肉验收 原料暂存肥膘解冻 精肉解冻水切丁辅料暂存分割热水漂洗1 漂洗2 加水绞肉 肠衣验收、暂存(处理)灌装、结扎 (包括猪原肠衣和蛋白肠衣) 咸水草、麻绳验收、暂存浸泡漂洗3 冷却 内包装 装箱、入库 出货

香肠加工工艺说明 加工步骤使用设备操作区域加工工艺的描述与说明 原料肉验收、暂存化验室、仓库 按照原料肉验收程序进行,并要求供应商 提供兽药残留达标保证函及兽医检疫检 验证明 辅料验收、暂 存 化验室、仓库按验收规程进行验收肥膘验收、暂 存 化验室、仓库按验收规程进行验收肠衣验收化验室按验收规程进行验收 肠衣处理腊味加工间天然猪肠衣加工前需用洁净加工用水冲洗,人造肠衣灌装前需用洁净加工用水润湿 咸水草、麻绳 验收 化验室按验收规程进行验收暂存仓库 浸泡腊味加工间咸水草、麻绳加工前需用洁净加工用水浸泡使之变软 解冻解冻间肉类解冻分 割间 ≤18℃、18~20h恒温解冻间空气解冻 分割分割台、刀具肉类解冻分 割间 将原料肉筋键、淋巴、脂肪剔除、并分割 成约3cm小肉块 加工步骤使用设备操作区域加工工艺的描述与说明 漂洗2 水池肉类解冻分 割间 加工用水漂洗,将肉的污血冲洗干净 绞肉绞肉机肉类解冻分 割间 12℃以下,采用Φ5mm孔板 肥膘切丁切丁机肉类解冻分 割间 切成0.5cm长的立方

漂洗1 水池肉类解冻分 割间 水温45-60℃,洗去表面游离油脂、碎肉 粒 灌装、结扎灌肠机香肠加工间按产品的不同规格调节肠体长度,处理量800~1200kg/h ,温度≦12℃ 漂洗3 水池香肠加工间水温45~60℃,清洗肠体表面油脂、肉碎 冷却挂肠杆预冷车间12℃下冷却0.5~1小时,中心温度≦25℃ 内包装真空机、电子 秤、热封口机 内包装间 将待包装腊肠去绳后按不同规格称重,装 塑料袋、真空包装封口 装箱、入库扣扎机、电子 秤 外包装间、成 品仓库 将真空包装的产品装彩袋封口,按不同规 格装箱、核重、扣扎放入成品库并挂牌标 识。

电子产品生产工艺流程

电子产品生产工艺流程

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产品生产总流程 接到订单 SMT 组装 包装 BOM 工艺 研发输 订单评审 输出给采购 不合格入库通 PMC(计订单要求 订购 物料回IQC 抽检 合格计划安 仓库 SMT 备好相关SMT 贴片品质检查 不合格入库,计划安 备好组装相 物料加工处IPQC 合格不 AOI 测试 外观检查 升级测试 PWB 后加 PWB 测试 IPQC 巡检 首 内核程

DPF 组装生产 品质 软件升产线测 根据具体需要进行 不合格返 合 机器老 品质删除不要清洁机器 入成品库 计划安排品质品质QC 合 不合格返包装备料 生产(根据订单数、加工、包装难度决定) 机器称产品整箱称重、QA 不合格返 合合 品质PASS 客户验货 合不合 出 品质通知返工, 首

生产工艺检验规程 1.0目的: 为了规范确保产品实现过程中各个环节的检验,以确保产品达到质量要求,特制定并执行本规程。 2.0适用范围: 适用本公司生产过程的工艺控制。 3.0工作程序: 3.1进货检验 原材料及外加工件上线之前的检验参照《来料检验规范》进行。 3.2 生产过程控制及检验 3.2.1 PCB (1)上线前需在烘烤箱里以100℃的设定温度烘烤6小时。 (2)烘烤前PCB在烘烤箱里的摆放必须确保被烘烤后不会变弯曲。 (3)烘烤时间到后不可马上打开烤箱门,需让PCB在箱内冷却后方可取用。 (4)生产时PCB不可一次性从烤箱内取出,每次取用25大片。 3.2 .2印刷 (1)锡膏的使用依照《锡膏管制、使用、回收规范》进行作业。 (2)印刷出来的每一片PCB,需在放大镜下检查无误后方可流到下一工序. (3)生产中印刷不良的PCB,需清洗干净、进行烘烤后方可再次上线。 (4)印刷机作业时依照《全自动印刷机作业指导书》。 3.2.3 贴片 (1)每片经过贴片的PCB,需在放大镜下检查无误后方可流到下一工序。 (2)贴片中如有拆掉密封包装的BGA/CSP需进行烘烤后方可上线。 (3)拆封后的BGA/CSP烘烤时间表如下: BGA/CSP厚度烘烤温度烘烤时间 ≤1.4MM100℃14小时 ≤2.0MM100℃36小时 ≤3.0MM100℃48小时 (4)回流炉的温度设定依照后页的温度曲线要求。 3.2.6 焊接 焊接操作的基本步骤: (1)、准备施焊;左手拿焊丝,右手握烙铁,进入备焊状态。要求烙铁头保持干净,无焊渣等氧化物,并在表面

半导体的生产工艺流程

半导体的生产工艺流程 微机电制作技术,尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术 (silicon-basedmicromachining),原本就肇源于半导体组件的制程技术,所以必须先介绍清楚这类制程,以免沦于夏虫语冰的窘态。 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(cleanroom)的,因为加工分辨率在数十微米以上,远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界,空间单位都是以微米计算,因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上,便有可能影响到其上精密导线布局的样式,造成电性短路或断路的严重后果。为此,所有半导体制程设备,都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中,这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级,有一公认的标准,以class10为例,意谓在单位立方英呎的洁净室空间内,平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小,洁净度越佳,当然其造价也越昂贵。为营造洁净室的环境,有专业的建造厂家,及其相关的技术与使用管理办法如下: 1、内部要保持大于一大气压的环境,以确保粉尘只出不进。所以需要大型 鼓风机,将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定,大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统 中。换言之,鼓风机加压多久,冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主,尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆 放调配,使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出,都必须经过空气吹浴(airshower)的程序,将表面粉尘 先行去除。 6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源,为此务必严格要求进出使用人 员穿戴无尘衣,除了眼睛部位外,均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内,工作人员几乎穿戴得像航天员一样。)当然,化妆是在禁绝之内,铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外,水的使用也只能限用去离子水(DIwater,de-ionizedwater)。 一则防止水中粉粒污染晶圆,二则防止水中重金属离子,如钾、钠离子污染金氧半(MOS)晶体管结构之带电载子信道(carrierchannel),影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率(resistivity)来定义好坏,一般要求至 17.5MΩ-cm以上才算合格;为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与 UV紫外线杀菌等重重关卡,才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂,其在半导体工业之使用量极为惊人! 8、洁净室所有用得到的气源,包括吹干晶圆及机台空压所需要的,都得使 用氮气(98%),吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮!以上八点说明是最基本的要求,另还有污水处理、废气排放的环保问题,再再需要大笔

电子产品生产工艺流程

产品生产总流程 接到订单 SMT 方案组装方案包装方案 BOM 工艺方案 研发输出方案 订单评审 输出给工程 采购 不合格入库通知采购退货 PMC(计划) 订单要求订购数量 订购 物料回仓 IQC 抽检 合格入库 计划安排SMT 仓库 SMT 备好相关物料(1天) SMT 贴片(3天) 品质检查(1天) 不合格入库,计划安排返工 计划安排组装 备好组装相关物料 物料加工处理(1天)IPQC 巡检 合格入库 合格 不合格 AOI 测试 外观检查升级测试 PWB 后加 PWB 测试 IPQC 巡检 首件 内核程序烧录

生产工艺检验规程 DPF 组装生产 品质IPQC 巡检软件升级 产线测试根据具体需要进行 不合格返工处理 合格机器老化 品质IPQC 巡检删除不要内容 清洁机器装袋 入成品库 计划安排包装 品质IPQC 巡检品质QC 抽检 合格 不合格返工处理 包装备料(半天) 生产(根据订单数、加工、包装难度决定) 机器称重、装箱 产品塑封 整箱称重、封箱 QA 抽检 不合格返工处理 合格 合格 品质PASS 入成品库 客户验货 合格不合格 出货品质通知返工,计划安排时间 首件

1.0目的: 为了规范确保产品实现过程中各个环节的检验,以确保产品达到质量要求,特制定并执行本规程。 2.0适用范围: 适用本公司生产过程的工艺控制。 3.0工作程序: 3.1进货检验 原材料及外加工件上线之前的检验参照《来料检验规范》进行。 3.2 生产过程控制及检验 3.2.1 PCB (1)上线前需在烘烤箱里以100℃的设定温度烘烤6小时。 (2)烘烤前PCB在烘烤箱里的摆放必须确保被烘烤后不会变弯曲。 (3)烘烤时间到后不可马上打开烤箱门,需让PCB在箱内冷却后方可取用。 (4)生产时PCB不可一次性从烤箱内取出,每次取用25大片。 3.2 .2印刷 (1)锡膏的使用依照《锡膏管制、使用、回收规范》进行作业。 (2)印刷出来的每一片PCB,需在放大镜下检查无误后方可流到下一工序. (3)生产中印刷不良的PCB,需清洗干净、进行烘烤后方可再次上线。 (4)印刷机作业时依照《全自动印刷机作业指导书》。 3.2.3 贴片 (1)每片经过贴片的PCB,需在放大镜下检查无误后方可流到下一工序。 (2)贴片中如有拆掉密封包装的BGA/CSP需进行烘烤后方可上线。 (3)拆封后的BGA/CSP烘烤时间表如下: BGA/CSP厚度烘烤温度烘烤时间 ≤1.4MM100℃14小时 ≤2.0MM100℃36小时 ≤3.0MM100℃48小时 (4)回流炉的温度设定依照后页的温度曲线要求。 3.2.6 焊接 焊接操作的基本步骤: (1)、准备施焊;左手拿焊丝,右手握烙铁,进入备焊状态。要求烙铁头保持干净,无焊渣等氧化物,并在表面镀有一层焊锡。 (2)、加热焊件;烙铁头靠在两焊件的连接处,加热整个焊件全体,时间大约1~2秒钟。对于在印制板上焊接件来说,要注意使烙铁同时接触焊盘的元器件的引线。 (3)、送入焊丝;焊接的焊接面被加热到一定温度时,焊锡丝从烙铁对面接触焊件。 (4)、移开焊丝;当焊锡丝熔化一定量后,立即向左上450 方向移开焊锡丝。 (5)、移开烙铁;焊锡浸润焊盘的焊部位以后,向右上450方向移开烙铁,结束焊接。从第三步开始到第五步结束,时间大约1~3秒钟。 正确的防静电操作 (1)、操作 E S D元件时必须始终配戴不良好的接地的手带,手带须与人的皮肤相触。

半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程 N型硅:掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅:掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结: 半导体元件制造过程可分为 前段(FrontEnd)制程 晶圆处理制程(WaferFabrication;简称WaferFab)、 晶圆针测制程(WaferProbe); 後段(BackEnd) 构装(Packaging)、 测试制程(InitialTestandFinalTest) 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件(如电晶体、电容体、逻辑闸等),为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程,以微处理器(Microprocessor)为例,其所需处理步骤可达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵,动辄数千万一台,其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘(Particle)均需控制的无尘室(Clean-Room),虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关;不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗(Cleaning)之後,接著进行氧化(Oxidation)及沈积,最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤,以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後,晶圆上即形成一格格的小格,我们称之为晶方或是晶粒(Die),在一般情形下,同一片晶圆上皆制作相同的晶片,但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品;这些晶圆必须通过晶片允收测试,晶粒将会一一经过针测(Probe)仪器以测试其电气特性,而不合格的的晶粒将会被标上记号(InkDot),此程序即称之为晶圆针测制程(WaferProbe)。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程(Packaging):利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的:是為了製造出所生產的電路的保護層,避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺: A在元器件间要做电隔离区(PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离)ECL(不掺金)(非饱和型)、TTL/DTL(饱和型)、STTL(饱和型)B在元器件间自然隔离 I2L(饱和型) 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺: 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程 A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵,主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外,对已印有电路图案的图案晶圆成品而言,则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说,图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线,并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除,以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种,而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例,其步骤依序为晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、电镀(plating)及检验(inspection)等。 (1) 晶片切割(die saw) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。 举例来说:以0.2微米制程技术生产,每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M 微量。

欲进行晶片切割,首先必须进行晶圆黏片,而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上,而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mount / die bond) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内,以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线(wire bond) IC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC),此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin),称之为打线,作为与外界电路板连接之用。 (4) 封胶(mold) 封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热,再将框架置于压模机上的构装模上,再以树脂充填并待硬化。 (5) 剪切/成形(trim / form) 剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开,并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除(dejunk)。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状,以便于装置于电路板上使用。剪切与成形主要由一部冲压机配上多套不同制程之模具,加上进料及出料机构所組成。 (6) 印字(mark)及电镀(plating) 印字乃将字体印于构装完的胶体之上,其目的在于注明商品之规格及制造者等资讯。

电子产品生产工艺

电子产品生产工艺 1 电子工艺工作 1.1 工艺工作概述 什么叫工艺工作呢?工艺工作是对时间、速度、能源、方法、程序、生产手段、工作环境、组织机构、劳动管理、质量监控等生产因素科学研究的总结。 工艺工作的内容又可分为工艺技术和工艺管理两大类。 1.2 电子产品工艺工作程序 1 电子产品工艺工作流程图 电子产品从研究到生产的整个过程可划分为四个阶段,即方案论证阶段、工程研制阶段、设计定型阶段和生产定型阶段。在各阶段中都存在着工艺方面的工艺规程,图3.1是电子产品工艺工作流程图 搜集有关技术文献,调查实际使用的技术要求 编制研究任务书,拟定研究方案 专项研究课题分析计算 论证设计方案,下达设计任务书,提出产品设计的主要技术性能指标 进行初步设计和理论计算 进行技术设计和样机制造 现场实验与鉴定,编写技术说明书,修改设计文件 审查工艺方案和工艺文件,并加以修改与补充 样机试生产 召开设计定型会 编制和完善全套工艺文件,制订批量生产的工艺方案 培训人员,组织指导批量生产 工艺标准化和工艺质量审查 召开生产定型会 方案论证阶段 工程研制阶段设计定型阶段生 产定型阶段

1 电子产品工艺工作流程图 2 方案论证阶段的工艺工作 3 工程设计阶段的工艺工作 4 设计定型阶段的工艺工作 5 生产定型阶段的工艺工作 2 电子产品制造工艺技术 2.1 电子产品制造工艺技术的种类 对电子产品制造来讲,工艺技术有很多种,工厂生产规模、设备、技术力量和生产产品的不同,工艺技术种类也不同。以下简要介绍几种一般工艺技术。 1. 机械加工工艺 电子产品很多结构件是通过机械加工而成的,机械类工艺包括车、钳、刨、铣、镗、磨、插齿、冷作、铸造、锻打、冲裁、挤压、引伸、滚齿、轧丝等。其主要功能是改变材料的几何形状,使之满足产品的装配连接。 2. 表面加工工艺 表面加工包括刷丝、抛光、印刷、油漆、电镀、氧化、铭牌制作等工艺。其主要功能是提高表面装饰性,使产品具有新颖感,同时也起到防腐抗蚀的作用。 3. 连接工艺 电子设备在生产制造中有许多连接方法,实现电气连接的工艺主要是焊接(手工和机器焊接)。除焊接外,压接、绕接、胶接等连接工艺也越来越受到重视。 4. 化学工艺 化学工艺包括电镀、浸渍、灌注、三防、油漆、胶木化、助焊剂、防氧化等工艺。其主要功能是防腐抗蚀、装饰美观等。 5. 塑料工艺 塑料工艺主要分为压塑、注塑及部分吹塑。 6. 总装工艺 总装工艺包括总装配、装联、调试、包装以及总装前的预加工工艺和胶合工艺。

(工艺流程)2020年半导体硅片生产工艺流程及工艺注意要点

硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始,到清洁的抛光片结束,以能够在绝好的环境中使用。期间,从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外,整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始,最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类:能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能;能减少不期望的表面损伤的数量;或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的,因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中,每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查

15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片(class 500k) 硅片加工的介绍中,从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗,也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片,硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小,对硅片的损伤也最小,并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程,可以描述为一个研磨的过程,这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后,所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中,很重要的一点就是保持硅片的顺序,因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后,硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码,因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的,用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的,因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深,从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后,即使硅片有遗漏,也能追溯到原来位置,而且如果趋向明了,那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面,尽管正面通常会被用到。

电子产品生产工艺

电子产品生产工艺 1 电子工艺工作 1.1 工艺工作概述 什么叫工艺工作呢?工艺工作是对时间、速度、能源、方法、程序、生产手段、工作环境、组织机构、劳动管理、质量监控等生产因素科学研究的总结。 工艺工作的内容又可分为工艺技术和工艺管理两大类。 1.2 电子产品工艺工作程序 1 电子产品工艺工作流程图 电子产品从研究到生产的整个过程可划分为四个阶段,即方案论证阶段、工程研制阶段、设计定型阶段和生产定型阶段。在各阶段中都存在着工艺方面的工艺规程,图3.1是电子产品工艺工作流程图 ,

1 电子产品工艺工作流程图 2 方案论证阶段的工艺工作 3 工程设计阶段的工艺工作 4 设计定型阶段的工艺工作 5 生产定型阶段的工艺工作 2 电子产品制造工艺技术 2.1 电子产品制造工艺技术的种类 对电子产品制造来讲,工艺技术有很多种,工厂生产规模、设备、技术力量和生产产品的不同,工艺技术种类也不同。以下简要介绍几种一般工艺技术。 1. 机械加工工艺 电子产品很多结构件是通过机械加工而成的,机械类工艺包括车、钳、刨、铣、镗、磨、插齿、冷作、铸造、锻打、冲裁、挤压、引伸、滚齿、轧丝等。其主要功能是改变材料的几何形状,使之满足产品的装配连接。 2. 表面加工工艺 表面加工包括刷丝、抛光、印刷、油漆、电镀、氧化、铭牌制作等工艺。其主要功能是提高表面装饰性,使产品具有新颖感,同时也起到防腐抗蚀的作用。 3. 连接工艺 电子设备在生产制造中有许多连接方法,实现电气连接的工艺主要是焊接(手工和机器焊接)。除焊接外,压接、绕接、胶接等连接工艺也越来越受到重视。 4. 化学工艺 化学工艺包括电镀、浸渍、灌注、三防、油漆、胶木化、助焊剂、防氧化等工艺。其主要功能是防腐抗蚀、装饰美观等。 5. 塑料工艺 塑料工艺主要分为压塑、注塑及部分吹塑。 6. 总装工艺 总装工艺包括总装配、装联、调试、包装以及总装前的预加工工艺和胶合工艺。

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

A.晶圆封装测试工序 一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵,主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外,对已印有电路图案的图案晶圆成品而言,则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说,图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线,并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除,以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种,而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例,其步骤依序为晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、电镀(plating)及检验(inspection)等。 (1) 晶片切割(die saw) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。举例来说:以0.2微米制程技术生产,每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割,首先必须进行晶圆黏片,而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上,而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mount / die bond) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内,以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线(wire bond) IC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC),此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin),称之为打线,作为与外界电路板连接之用。

生 产 工 艺 流 程

适用产品:大班台、会议台、书柜类 一、主要用材要求: 1.贴面用材:胡桃木、柚木、花梨木、榉 木等高级进口木皮,厚度0.6mm。 2.封边用材:与贴面种类相同或由客户指 定的,与之相搭配的实木木材。 3.基材:优等品级中密度纤维板MDF。 4.油漆:易涂宝“IDOPA”牌雅光聚脂油漆。 5.五金配件:德国产海蒂斯“HETTICH” 海福乐“HEFELE”。 二、主要生产工艺流程: 1.木皮贴面加工 ○1、木皮拼缝(见图○1) 使用机械:拼缝机。 质量要求:拼缝齐整,无断线,脱线、漏拼等现象 ○2、木皮贴面(见图○2) 使用机械:热压机。 质量要求:基材平整,涂胶均匀,成品无起泡

适用产品:办公沙发类 一、主要用材要求: 1.软包饰面用材 ○1、意大利进口牛皮 ○2、进口麻绒或布艺布 2.海绵:高密度海绵 3.弹簧:¢5mm高强度蛇形弹簧 4.木架用材:含水率低于9%的硬木木方及5mm以上多层夹板 二、主要生产工艺流程: 1.选料(皮制品)见图○1) 使用设备:手工操作 质量要求:标明烙印、穿孔、 折痕等天然瑕疵以便将其别 除出裁剪范围 2.车缝(见图○2) 使用设备:工业用重型缝纫机 质量要求:线路均匀,顺畅, 针距均匀 3.扪面料(见图○3) 使用设备:气动钉枪 质量要求:整体感观流畅、外型 符合要求,左右对齐 4.组装后全面测试(见图○4)

生产工艺流程适用产品:各类高低间隔用屏风 一、主要用材要求: 1.框架用材: ○1、热拉伸铝材,厚度1.5mm以 上(厚度视品种设计而定) ○2、冷轨钢板1.5mm以上 2.基材:优等品级中密度纤维板 MDF 3.饰边用材:进口绒布或布艺布 料等,视客户要求而定。 二、主要生产工艺流程(以铝制屏风 为例) 1.开料(见图○1) 使用设备:开料锯 质量要求:切口直角成90° 斜口成45°,规格符合图 纸要求。 2.冲孔(见图○2) 使用设备:冲床 质量要求:冲口齐整,位置 符 合图纸要求。 3.制框架(见图○3) 使用设备:手提气动工具 质量要求:锣丝紧固,框架 牢固 4.贴面料—绒布或布艺(见图○4) 使用设备:喷枪及手工操作 质量要求:胶水分布均匀,无 漏胶、渗胶、印绒布松驰等现象。 5.组装 使用设备:手工操作 质量要求:成品规格符合图纸 要求,产品无碰伤起泡等瑕疵

电子产品生产工艺概述资料

郑州轻工业学院 校外实习报告 实习名称:电子产品生产工艺概述 姓名:曹磊 院(系):电气学院 专业班级:电信09-2班 学号:540901030201 指导教师:路立平 主要实习单位:新天智能表公司 成绩: 时间:2012 年12 月10 日至2012 年12 月23 日

电子产品生产工艺概述 电子产品系统是由整机、整机是由部件、部件是由零件、元器件等组成。由整机组成系统的工作主要是连接和调试,生产的工作不多,所以我们这里讲的电子产品生产工艺是指整机的生产工艺。 电子产品的装配过程是先将零件、元器件组装成部件,再将部件组装成整机,其核心工作是将元器件组装成具有一定功能的电路板部件或叫组件(PCBA)。本书所指的电子工艺基本上是指电路板组件的装配工艺。 在电路板组装中,可以划分为机器自动装配和人工装配两类。机器装配主要指自动铁皮装配(SMT)、自动插件装配(AI)和自动焊接,人工装配指手工插件、手工补焊、修理和检验等。 生产准备是将要投入生产的原材料、元器件进行整形,如元件剪脚、弯曲成需要的形状,导线整理成所需的长度,装上插接端子等等。这些工作是必须在流水线开工以前就完成的。 自动贴片是将贴片封装的元器件用SMT技术贴装到印制板上,经回流焊工艺固定焊接在印制板上。经装贴有表面封装元器件的电路板,送到自动插件机上,机器将可以机插的元器件插到电路板上的相应位置,经机器弯角初步固定后就可转交到手工插接线上去了。 人工将那些不适合机插、机贴的元器件插好,经检验后送入波峰焊机或浸焊炉中焊接,焊接后的电路板个别不合格部分由人工进行补焊、修理,然后进行ICT 静态测试,功能性能的检测和调试,外观检测等检测工序,完成以上工序的电路板即可进入整机装配了。 电子工业从来都既是技术密集型,又是劳动密集型的行业。生产电子产品,采用流水作业的组织形式,生产线是最合适的工艺装备。生产线的设计、订购、制造水平,将直接影响产品的质量及企业的经济效益。生产线的布局也是企业的场地工艺布局。目前各电子企业的规模、产品结构、技术水平、资金状况及场地大小不同,对场地的利用和布局大不一样,但场地的工艺布局的好坏,直接影响到企业的生产组织、场地的利用效率、物流的通畅、生产的效率和效益。提高生产场地布局的设计水平已经成为有关专家和工程技术人员必须面对的问题。

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