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集成电路设计 Ch06集成电路器件及SPICE模型

数字集成电路设计_笔记归纳..

第三章、器件 一、超深亚微米工艺条件下MOS 管主要二阶效应: 1、速度饱和效应:主要出现在短沟道NMOS 管,PMOS 速度饱和效应不显著。主要原因是 TH G S V V -太大。在沟道电场强度不高时载流子速度正比于电场强度(μξν=) ,即载流子迁移率是常数。但在电场强度很高时载流子的速度将由于散射效应而趋于饱和,不再随电场 强度的增加而线性增加。此时近似表达式为:μξυ=(c ξξ<),c s a t μξυυ==(c ξξ≥) ,出现饱和速度时的漏源电压D SAT V 是一个常数。线性区的电流公式不变,但一旦达到DSAT V ,电流即可饱和,此时DS I 与GS V 成线性关系(不再是低压时的平方关系)。 2、Latch-up 效应:由于单阱工艺的NPNP 结构,可能会出现VDD 到VSS 的短路大电流。 正反馈机制:PNP 微正向导通,射集电流反馈入NPN 的基极,电流放大后又反馈到PNP 的基极,再次放大加剧导通。 克服的方法:1、减少阱/衬底的寄生电阻,从而减少馈入基极的电流,于是削弱了正反馈。 2、保护环。 3、短沟道效应:在沟道较长时,沟道耗尽区主要来自MOS 场效应,而当沟道较短时,漏衬结(反偏)、源衬结的耗尽区将不可忽略,即栅下的一部分区域已被耗尽,只需要一个较小的阈值电压就足以引起强反型。所以短沟时VT 随L 的减小而减小。 此外,提高漏源电压可以得到类似的效应,短沟时VT 随VDS 增加而减小,因为这增加了反偏漏衬结耗尽区的宽度。这一效应被称为漏端感应源端势垒降低。

4、漏端感应源端势垒降低(DIBL): VDS增加会使源端势垒下降,沟道长度缩短会使源端势垒下降。VDS很大时反偏漏衬结击穿,漏源穿通,将不受栅压控制。 5、亚阈值效应(弱反型导通):当电压低于阈值电压时MOS管已部分导通。不存在导电沟道时源(n+)体(p)漏(n+)三端实际上形成了一个寄生的双极性晶体管。一般希望该效应越小越好,尤其在依靠电荷在电容上存储的动态电路,因为其工作会受亚阈值漏电的严重影响。 绝缘体上硅(SOI) 6、沟长调制:长沟器件:沟道夹断饱和;短沟器件:载流子速度饱和。 7、热载流子效应:由于器件发展过程中,电压降低的幅度不及器件尺寸,导致电场强度提高,使得电子速度增加。漏端强电场一方面引起高能热电子与晶格碰撞产生电子空穴对,从而形成衬底电流,另一方面使电子隧穿到栅氧中,形成栅电流并改变阈值电压。 影响:1、使器件参数变差,引起长期的可靠性问题,可能导致器件失效。2、衬底电流会引入噪声、Latch-up、和动态节点漏电。 解决:LDD(轻掺杂漏):在漏源区和沟道间加一段电阻率较高的轻掺杂n-区。缺点是使器件跨导和IDS减小。 8、体效应:衬底偏置体效应、衬底电流感应体效应(衬底电流在衬底电阻上的压降造成衬偏电压)。 二、MOSFET器件模型 1、目的、意义:减少设计时间和制造成本。 2、要求:精确;有物理基础;可扩展性,能预测不同尺寸器件性能;高效率性,减少迭代次数和模拟时间 3、结构电阻:沟道等效电阻、寄生电阻 4、结构电容: 三、特征尺寸缩小 目的:1、尺寸更小;2、速度更快;3、功耗更低;4、成本更低、 方式: 1、恒场律(全比例缩小),理想模型,尺寸和电压按统一比例缩小。 优点:提高了集成密度 未改善:功率密度。 问题:1、电流密度增加;2、VTH小使得抗干扰能力差;3、电源电压标准改变带来不便;4、漏源耗尽层宽度不按比例缩小。 2、恒压律,目前最普遍,仅尺寸缩小,电压保持不变。 优点:1、电源电压不变;2、提高了集成密度 问题:1、电流密度、功率密度极大增加;2、功耗增加;3、沟道电场增加,将产生热载流子效应、速度饱和效应等负面效应;4、衬底浓度的增加使PN结寄生电容增加,速度下降。 3、一般化缩小,对今天最实用,尺寸和电压按不同比例缩小。 限制因素:长期使用的可靠性、载流子的极限速度、功耗。

浅谈现代集成制造系统发展

浅谈现代集成制造系统发展 本文结合我国国情,论述了我国现代集成制造系统的技术构成和发展策略及途径,希望为我国制造业的发展做些有益的探索。 标签:现代集成制造系统技术虚拟制造 0 引言 信息技术的发展引起的革命使我们进入了信息时代。信息革命不仅引起人们的思想观念、生活方式的变化,而且导致了生产方式和制造哲理的巨大变化,可以说近十年来提出的新的制造哲理都离不开信息技术提供的支撑,以信息化制造技术为代表的先进制造技术正使制造业处于重要的历史性变革时期。 1 制造技术的发展过程 人类的文明进步与制造技术的发展是分不开的,据统计,世界发达国家60%的社会财富和45% 的国民收入,都是由制造业创造的。世界各国经济的竞争,主要是制造技术的竞争。在各国企业生产力的构成中,制造技术的作用一般占55%~65%。制造技术是国民经济发展的支柱。回顾制造技术的发展,从蒸汽机出现到今天,主要经历了三个发展阶段。 1.1 用机器代替手工,以作坊形成工厂20世纪初,各种金属切削加工工艺方法陆续形成,近代制造技术已成体系。但是机器(包括汽车)的生产方式是作坊式的单件生产。它产生于英国,在19世纪先后传到法国、德国和美国。并在美国首先形成了小型的机械工厂,使这些国家的经济得到了发展,国力大大增强。 1.2 从单件生产方式发展成大量生产方式推动这种根本变革的是两位美国人——泰勒和福特。泰勒首先提出了以劳动分工和计件工资制为基础的科学管理,成为制造工程科学的奠基人。福特首先推行所有零件都按照一定的公差要求来加工。1913年建立了具有划时代意义的汽车装配流水线,实现了以刚性自动化为特征的大量生产方式,它对社会结构、劳动分工、教育制度和经济发展,都产生了不可想象的作用,50年代发展到了顶峰。生产力发生了飞跃,社会物质财富迅速增长。面对科学技术的迅速发展,大量生产方式,严重影响产品的更新换代,妨碍采用高新技术,产品在国际市场上缺乏竞争力。因此,必须寻求新的制造模式。 1.3 制造的柔性化、集成化和智能化现代制造技术沿着4个方向发展、传统制造技术的革新、拓展;精密工程;非传统加工方法;制造系统的柔性化、集成化、智能化。本世纪末,机械产品将向大型化、高参数和高可靠性发展,技术密集度及附加值将有大幅度提高。产品更换新代加快,用户的各种需求不断增加。质量、价格、交货期这市场三要素的竞争越来越激烈。在激烈的市场竞争中,制造企业为了增强自身的应变能力,必须建立柔性化、集成化和智能化的生产模式。

Spice基本语法

?无源器件:电阻、电感、电容 1、电阻 RXXX n1 n2 resistance 电阻值可以是表达式。 例:R1 1 2 10K Rac 9 8 1 AC=1e10 Rterm input gnd R=’sqrt(HERTZ) ’ 2、电容 CXXX n1 n2 capacitance 例:C1 1 2 1pF 3、电感 LXXX n1 n2 inductance 例:L1 1 2 1nH ?有源器件:Diode、BJT、JEFET、MOSFET 1、Diode(二极管) DXXX N+ N- MNAME 可选项:AREA是面积因子,OFF是直流分析所加的初始条件,IC=VD 是瞬态初始条件 注:模型中的寄生电阻串联在正极端 2、BJT(双极性晶体管) QXXX NC NB NE MNAME NC、NB、NE、NS分别是集电极、基极、发射极和衬底节点,缺省时NS 接地。后面与二极管相同。 3、JFET(结型场效应晶体管) JXXX ND NG NS MNAME 4、MOSFET(MOS场效应晶体管) MXXX ND NG NS NB MNAME M为元件名称,ND、NG、NS、NB分别是漏、栅、源和衬底节点。MNAME 是模型名,L沟道长,W为沟道宽。

?子电路 1、子电路定义开始语句 .SUBCKT SUBNAM 其中,SUBNAM为子电路名,node1…为子电路外部节点号,不能为零。子电路中的节点号(除接地点),器件名,模型的说明均是局部量,可以和外部的相同。 例: .SUBCKT OPAMP 1 2 3 4 2、子电路终止语句 .ENDS 若后有子电路名,表示该子电路定义结束;若没有,表示所有子电路定义结束。 例: .ENDS OPAMP / .ENDS 3、子电路调用语句 X***** SUBNAM 在Spice中,调用子电路的方法是设定以字母X开头的伪元件名,其后是用来连接到子电路上的节点号,再后面是子电路名。 例:…… .SUBCKT INV IN OUT wn=1.2u wp=1.2u Mn out in 0 0 NMOS W=wn L=1.2u Mp out in vdd vdd PMOS W=wp L=1.2u .ENDS X1 IN 1 INV WN=1.2U WP=3U X2 1 2 INV WN=1.2U WP=3U X3 2 OUT INV WN=1.2U WP=3U 激励源:独力源和受控源 独立源:直流源(DC Sources)交流小信号源(AC Sources)瞬态源(Transient Sources)脉冲源指数源正弦源分段线性源1、直流源(DC Sources )

现代集成制造系统(CIMS)简介

当今世界已进入信息时代,并迈向知识经济时代。以信息技术为主导的高技术为制造业的发展提供了极大的支持,并推进着制造业的变革与发展,现代集成制造系统(Contemporary Integrated Manufacturing Systems,简称CIMS)技术的应用及其产业化是其中最重要的组成部分。 CIMS—现代集成制造系统,是基于CIM理念的集成优化的制造系统。将信息技术、现代管理技术和制造技术相结合,并应用于企业产品全生命周期(从市场需求分析到最终报废处理)的各个阶段。通过信息集成、过程优化及资源优化,实现物流、信息流、价值流的集成和优化运行,达到人(组织、管理)、经营和技术三要素的集成。以加强企业新产品开发的时间(T)、质量(Q)、成本(C)、服务(S)、环境(E),从而提高企业的市场应变能力和竞争能力。 一、CIMS的总体结构 CIMS建设的目标是在统一的数据库和网络支持下,建立生产经营管理分系统和工程技术(CAD/CAM/CAPP/PDM)分系统,实现企业信息的全面集成。为实现这个总体目标,CIMS 由两个功能分系统和两个支撑分系统组成。两个功能分系统为生产经营管理分系统和工程技术分系统;两个支撑分系统为计算机网络和数据库分系统。整个系统将以关系型数据库为核心,并由各应用系统通过INTERNET/INTRANET/EXTRANET访问数据库,这样就使得几个服务器上的数据在逻辑上成为一个整体,以保证整个系统的数据共享和数据的唯一性。CIMS的总体结构如图1.2-1所示。 图1 CIMS的总体结构 二、CIMS的技术构成 工程技术分系统:可简称为TIS分系统,即技术信息系统。通常包括CAD、CAPP、CAM 和PDM等部分。

芯片设计和生产流程

芯片设计和生产流程 大家都是电子行业的人,对芯片,对各种封装都了解不少,但是你 知道一个芯片是怎样设计出来的么?你又知道设计出来的芯片是 怎么生产出来的么?看完这篇文章你就有大概的了解。 复杂繁琐的芯片设计流程 芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样,先有晶圆作为地基,再层层往上叠的芯片制造流程后,就可产出必要的IC芯片(这些会在后面介绍)。然而,没有设计图,拥有再强制造能力都没有用,因此,建筑师的角色相当重要。但是IC设计中的建筑师究竟是谁呢?本文接下来要针对IC设计做介绍。 在IC生产流程中,IC多由专业IC设计公司进行规划、设计,像是联发科、高通、Intel等知名大厂,都自行设计各自的IC芯片,提供不同规格、效能的芯片给下游厂商选择。因为IC是由各厂自行设计,所以IC设计十分仰赖工程师的技术,工程师的素质影响着一间企业的价值。然而,工程师们在设计一颗IC芯片时,究竟有那些步骤?设计流程可以简单分成如下。

设计第一步,订定目标 在IC设计中,最重要的步骤就是规格制定。这个步骤就像是在设计建筑前,先决定要几间房间、浴室,有什么建筑法规需要遵守,在确定好所有的功能之后在进行设计,这样才不用再花额外的时间进行后续修改。IC设计也需要经过类似的步骤,才能确保设计出来的芯片不会有任何差错。 规格制定的第一步便是确定IC的目的、效能为何,对大方向做设定。接着是察看有哪些协定要符合,像无线网卡的芯片就需要符合IEEE802.11等规範, 不然,这芯片将无法和市面上的产品相容,使它无法和其他设备连线。最后则是

确立这颗IC的实作方法,将不同功能分配成不同的单元,并确立不同单元间连结的方法,如此便完成规格的制定。 设计完规格后,接着就是设计芯片的细节了。这个步骤就像初步记下建筑的规画,将整体轮廓描绘出来,方便后续制图。在IC芯片中,便是使用硬体描述语言(HDL)将电路描写出来。常使用的HDL有Verilog、VHDL等,藉由程式码便可轻易地将一颗IC地功能表达出来。接着就是检查程式功能的正确性并持续修改,直到它满足期望的功能为止。 ▲32bits加法器的Verilog范例。 有了电脑,事情都变得容易 有了完整规画后,接下来便是画出平面的设计蓝图。在IC设计中,逻辑合成这个步骤便是将确定无误的HDL code,放入电子设计自动化工具(EDA tool),让电脑将HDL code转换成逻辑电路,产生如下的电路图。之后,反

大型冶炼企业现代集成制造系统的开发与实施

大型冶炼企业现代集成制造系统的开发与实施 摘要:本文对大型铝冶炼联合企业现代集成制造系统的开发背景、技术路线、总体结构、分系统设计、数据库设计、关键技术和特点进行了分析和介绍。 关键词:冶炼企业,集成,制造系统,开发 一、PGL-CIMS系统开发背景 中国铝业股份XXXX分公司(原平果铝业公司)是一个具有国际先进水平的特大型现代化铝冶炼联合生产企业,设计规模为年产65万吨精矿、30万吨氧化铝、10万吨电解铝,第一期工程投资42.56亿元,是中国有色金属工业以及XX建国以来一次性投资最大的建设项目。平果铝作为我国新兴的现代化铝冶炼企业,引进法国、德国、美国、瑞典、荷兰、丹麦、日本等七个工业发达国家的先进技术和设备,同时拥有我国铝工业的最新科研成果,是我国有色金属行业走向世界的重要基地。1995年9月企业投产后,为了适应公司长期的战略发展需要,解决生产经营与企业管理过程中的信息瓶颈问题,面对生产经营的复杂性与管理手段的落后性之间的矛盾日益尖锐,公司决策层提出了采用CIMS技术,实现企业信息化的目标。为此,成立了以公司领导亲自挂帅的CIMS工作领导小组,制定了以“总体规划、重点突破、分步实施、全面集成”方针,开发与应用大型铝冶炼联合企业现代集成制造系统(PGL-CIMS)的实施策略。 在系统规划之初,企业与开发单位紧密合作,进行广泛的调查研究,获得了大量国内外CIMS工程建设的经验和教训,编制了《PGL-CIMS初步设计报告》和《PGL-CIMS可行性分析报告》,1998年3月报告通过国家CIMS专家组的评审。 1998年7月PGL-CIMS一期工程正式启动,2000年4月经营管理分系统、设备能源管理分系统和档案管理子系统投入运行。同年1月通过国家863/CIMS专题组的验收,平果铝业公司获得95期间国家863/CIMS应用示X企业称号。

集成电路设计基础复习

1、解释基本概念:集成电路,集成度,特征尺寸 参考答案: A、集成电路(IC:integrated circuit)是指通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互连,“集成”在一块半导体晶片(如硅或砷化镓)上,封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能的集成块。 B、集成度是指在每个芯片中包含的元器件的数目。 C、特征尺寸是代表工艺光刻条件所能达到的最小栅长(L)尺寸。 2、写出下列英文缩写的全称:IC,MOS,VLSI,SOC,DRC,ERC,LVS,LPE 参考答案: IC:integrated circuit;MOS:metal oxide semiconductor;VLSI:very large scale integration;SOC:system on chip;DRC:design rule check;ERC:electrical rule check;LVS:layout versus schematic;LPE:layout parameter extraction 3、试述集成电路的几种主要分类方法 参考答案: 集成电路的分类方法大致有五种:器件结构类型、集成规模、使用的基片材料、电路功能以及应用领域。根据器件的结构类型,通常将其分为双极集成电路、MOS集成电路和Bi-MOS 集成电路。按集成规模可分为:小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路。按基片结构形式,可分为单片集成电路和混合集成电路两大类。按电路的功能将其分为数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路。按应用领域划分,集成电路又可分为标准通用集成电路和专用集成电路。 4、试述“自顶向下”集成电路设计步骤。 参考答案: “自顶向下”的设计步骤中,设计者首先需要进行行为设计以确定芯片的功能;其次进行结构设计;接着是把各子单元转换成逻辑图或电路图;最后将电路图转换成版图,并经各种验证后以标准版图数据格式输出。 5、比较标准单元法和门阵列法的差异。 参考答案:

导入spice模型方法

我从器件厂商那儿得到的spice模型文件是:T506.TXT *************************************************************** * SIEMENS Discrete & RF Semiconductors * GUMMEL-POON MODEL CHIP PARAMETERS IN SPICE 2G6 SYNTAX * V ALID UP TO 6 GHZ * >>> T506 <<< (CHIP) * Extracted by SIEMENS Semiconductor Group HL HF SI CDB * (C) 1998 SIEMENS AG * Version 1.0 December 1998 *************************************************************** .MODEL T506 NPN( + IS =1.5E-17 NF =1 NR =1 + ISE=2.5E-14 NE =2 ISC=2E-14 + NC =2 BF =235 BR =1.5 + V AF=25 V AR=2 IKF=0.4 + IKR=0.01 RB =11 RBM=7.5 + RE =0.6 RC =7.6 CJE=2.35E-13 + VJE=0.958 MJE=0.335 CJC=9.3E-14 + VJC=0.661 MJC=0.236 CJS=0 + VJS=0.75 MJS=0.333 FC=0.5 + XCJC=1 TF=1.7E-12 TR=5E-08 + XTF=10 ITF=0.7 VTF=5 + PTF=50 XTB=-0.25 XTI=0.035 + EG=1.11) *************************************************************** 在ads中新建一个schematic,选择file,选择import,就是上面贴得图了!

现代制造系统试题

2010年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 现代制造系统试卷 一、单项选择题(20分) 1.根据制作的产品的数量和批量的不同,一般将制造的生产类型划分为三类,即【D】 A.单件生产、中批生产、大量生产B单件生产、中批生产、大批生产 C.小批生产、中批生产、大批生产D单件生产、成批生产、大量生产 2.借助于辨别和研究现有系统的现状,导出实际系统一般解的分析设计方法为【C】 A.推断设计法B演绎设计法 C.归纳设计法D创造性求解设计法 3.异步传输的优点是【C】 A.运行平稳B噪声小 C.柔性好,利于自动线平衡D速度快、能传输大型工件 4.刚性自动化是指顺序地布置设施及设备的自动化,其工艺流程是根据下列哪项原则进行的【D】 A.可变的原则B多变的原则C变化的原则D不变的原则 5.成组技术的基础是【A】 A.相似性B相关性C一致性D互换性 6.在编码系统中各码位之间是递阶隶属关系,即除第一码位内的特征码外,其后各码位的特征含义都要根据前一位确定的结构称为【B】 A.网式结构B树式结构C图式结构D链式结构 7.非回转体零件实现成组工艺的最重要的基本原则是【A】 A.调整的统一B刀具的统一C机床的统一D夹具的统一 8.点位控制系统的要求是【D】 A.必须采用增量坐标控制方式B必须采用绝对坐标方式 C.必有确保刀具沿各坐标轴的运动之间有确定的函数关系 D.仅控制刀具相对于工件的位置精度,不规定刀具运动轨迹 9.用APT语言动编程是指【A】 A.从零件图纸到制作控制介质的全过程都由计算机完成 B.从零件图纸到制作控制介质的过程中,除后置处理外,全由计算机完成 C.人工用数控语言编写零件加工的源程序,由计算机自动生成NC代码 D.人工编写目标程序 10.插补的主要任务是确定刀具相对于工件的【A】 A.运动轨迹B运动速度C位移量D加速度 11.采用FMS的主要效益是降低加工成本、减少生产面积、减少在制品和【C】 A.减少机床台数B提高加工精度C减少非加工时间D提高生产率 12.FMS中的加工工作站是指【B】 A.工业机器人B CNC机床C有轨运输小车D无轨自动导向小车

集成电路设计答案 王志功版

第一章 1.按规模划分,集成电路的发展已经经历了哪几代?它的发展遵循了一条业界著名的定律,请说出是什么定律? 晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律 2.什么是无生产线集成电路设计?列出无生产线集成电路设计的特点和环境。 拥有设计人才和技术,但不拥有生产线。特点:电路设计,工艺制造,封装分立运行。 环境:IC产业生产能力剩余,人们需要更多的功能芯片设计 3.多项目晶圆(MPW)技术的特点是什么?对发展集成电路设计有什么意义? MPW:把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上,然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义:降低成本。 4.集成电路设计需要哪四个方面的知识? 系统,电路,工具,工艺方面的知识 第二章 1.为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用? 原材料来源丰富,技术成熟,硅基产品价格低廉 2.GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11 3.怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触?怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触? 接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触,金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触 4.说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。P13 5.列出你知道的异质半导体材料系统。 GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6.SOI材料是怎样形成的,有什么特点? SOI绝缘体上硅,可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点:电极与衬底之间寄生电容大大减少,器件速度更快,功率更低 7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点? 肖特基接触:阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触:载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。 8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21 第三章 1.写出晶体外延的意义,列出三种外延生长方法,并比较各自的优缺点。 意义:用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长,气相外延生长,金属有机物气相外延生长 2.写出掩膜在IC制造过程中的作用,比较整版掩膜和单片掩膜的区别,列举三种掩膜的制造方法。P28,29 3.写出光刻的作用,光刻有哪两种曝光方式?作用:把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。 4.X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点? X 射线(X-ray)具有比可见光短得多的波长,可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子

现代集成制造系统的技术构成精

现代集成制造系统的技术构成 先进制造技术是传统制造技术不断吸收机械、电子、信息、材料、能源和现代管理等方面的成果,并将其综合应用于产品设计、制造、检测、管理、销售、使用、服务的制造全过程,以实现优质、高效、低耗、清洁、灵活的生产,并取得理想技术经济效果的制造技术的总称。它具有如下一些特点: 从以技术为中心向以人为中心转变,使技术的发展更加符合人类社会的需要;从强调专业化分工向模糊分工、一专多能转变,使劳动者的聪明才智能够得到充分发挥;从金字塔的多层管理结构向扁平的网络化结构转变,减少层次和中间环节;从传统的顺序工作方式向并行工作方式转变,缩短工作周期,提高工作质量;从按照功能划分部门的固定组织形式向动态的自主管理的小组工作方式转变。在先进制造技术中,现代集成制造系统在吸收计算机集成制造系统的优秀成果的基础上,继续推动并行工程、虚拟制造、敏捷制造和动态联盟的研究工作深入进行,并不断吸收先进制造技术中的成功经验和先进思想,将它们进行推广应用,由此使现代集成制造系统成为先进制造技术的核心,具体说明如下: 1、并行工程(C E -C o n c u r r e n t Engineering 并行工程是集成地、并行地设计产品及其相关过程(包括制造过程和支持过程的

系统方法。它要求产品开发人员在一开始就考虑产品整个生命周期中从概念形成到产品报废的所有因素,包括质量、成本、进度计划和用户要求。为了达到并行的目的,必须建立高度集成的主模型,通过它来实现不同部门人员的协同工作;为了达到产品的一次设计成功,减少反复,它在许多部分应用了仿真技术;主模型的建立、局部仿真的应用等都包含在虚拟制造技术中,可以说并行工程的发展为虚拟制造技术的诞生创造了条件,虚拟制造技术将是以并行工程为基础的,并行工程的进一步发展就是虚拟制造技术。同时,并行工程是在C A D、C A M、C A P P等技术支持下,将原来分别进行的工作在时间和空间上交叉、重叠,充分利用了原有技术,并吸收了当前迅速发展的计算机技术、网络技术的优秀成果,使其成为先进制造技术中的基础。由于并行工程所处的基础性地位及我国研究工作的不足,就决定了必须将它作为现代集成制造系统的基础 现代集成制造系统技术及发展探讨 武书彦郑州牧业工程高等专科学校 江道节河南中原总机厂石油设备有限公司 性研究工作不断深入地进行。 2、虚拟制造(V M -V i r t u a l Manufacturing 虚拟制造利用信息技术、仿真技术、计算机技术对现实制造活动中的人、物、 信息及制造过程进行全面的仿真,以发现制造中可能出现的问题,在产品实际生产前就采取预防措施,从而达到产品一次性制造成功,来达到降低成本、缩短开发周期,增强产品竞争力的目的。国内的研究刚刚起步,主要集中在三个方面: (1产品虚拟设计技术

数字集成电路知识点整理

Digital IC:数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统 第一章引论 1、数字IC芯片制造步骤 设计:前端设计(行为设计、体系结构设计、结构设计)、后端设计(逻辑设计、电路设计、版图设计) 制版:根据版图制作加工用的光刻版 制造:划片:将圆片切割成一个一个的管芯(划片槽) 封装:用金丝把管芯的压焊块(pad)与管壳的引脚相连 测试:测试芯片的工作情况 2、数字IC的设计方法 分层设计思想:每个层次都由下一个层次的若干个模块组成,自顶向下每个层次、每个模块分别进行建模与验证 SoC设计方法:IP模块(硬核(Hardcore)、软核(Softcore)、固核(Firmcore))与设计复用Foundry(代工)、Fabless(芯片设计)、Chipless(IP设计)“三足鼎立”——SoC发展的模式 3、数字IC的质量评价标准(重点:成本、延时、功耗,还有能量啦可靠性啦驱动能力啦之类的) NRE (Non-Recurrent Engineering) 成本 设计时间和投入,掩膜生产,样品生产 一次性成本 Recurrent 成本 工艺制造(silicon processing),封装(packaging),测试(test) 正比于产量 一阶RC网路传播延时:正比于此电路下拉电阻和负载电容所形成的时间常数 功耗:emmmm自己算 4、EDA设计流程 IP设计系统设计(SystemC)模块设计(verilog) 综合 版图设计(.ICC) 电路级设计(.v 基本不可读)综合过程中用到的文件类型(都是synopsys): 可以相互转化 .db(不可读).lib(可读) 加了功耗信息

中国集成电路设计行业概况研究-行业概述

中国集成电路设计行业概况研究-行业概述 (一)行业概述 1、集成电路设计行业概况 集成电路系采用特种电路设计及加工工艺,集成于半导体晶片上的微型电子电路产品。集成电路相比传统的分立电路,通过降低体积减小材料耗用量,大幅降低了制造成本,同时,其微小的体积及元件的紧密排布提高了信息的切换速度并降低了能耗,使得集成电路比分立电路在成本及效率上均有较大的优势。自1958 年第一块集成电路于德州仪器问世以来,集成电路产品发展迅速,广泛用于各种电子产品,成为信息时代中不可或缺的部分。 伴随现代信息技术产业的快速发展,集成电路产业作为现代信息技术产业的基础和核心,已成为关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业,在推动国家经济发展、社会进步、提高人们生活水平以及保障国家安全等方面发挥着广泛而重要的作用,是当前国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志之一。随着国内经济不断发展以及国家对集成电路行业的大力支持,中国集成电路产业快速发展,产业规模迅速扩大,技术水平显著提升,有力推动了国家信息化建设。 完整的集成电路产业链包括设计、芯片制造、封装测试等环节,各环节具有各自独特的技术体系及特点,已分别发展成独立、成熟的子行业。

其中,集成电路设计系根据终端市场的需求设计开发各类芯片产品,集成电路设计水平的高低决定了芯片的功能、性能及成本; 集成电路制造通过版图文件生产掩膜,并通过光刻、掺杂、溅射、刻蚀等过程,将掩膜上的电路图形复制到晶圆基片上,从而在晶圆基片上形成电路; 集成电路封装测试包括封装和测试两个环节,封装是保护芯片免受物理、化学等环境因素造成的损伤,增强芯片的散热性能,实现电气连接,确保电路正常工作;测试主要是对芯片产品的功能、性能测试等,将功能、性能不符合要求的产品筛选出来。 2、集成电路行业产品分类 集成电路产品依其功能,主要可分为模拟芯片(Analog IC)、存储器芯片(Memory IC)、微处理器芯片(Micro IC)、逻辑芯片(Logic IC)。 模拟芯片是处理连续性的光、声音、速度、温度等自然模拟信号,按技术类型可分为只处理模拟信号的线性芯片和同时处理模拟与数字信号的混合芯片;按应用分类可分为标准型模拟芯片和特殊应用型模拟芯片。标准型模拟芯片包括放大器、信号界面、数据转换、比较器等产品。特殊应用型模拟芯片主要应用于通

集成电路设计基础 课后答案

班级:通信二班姓名:赵庆超学号:20071201297 7,版图设计中整体布局有哪些注意事项? 答:1版图设计最基本满足版图设计准则,以提高电路的匹配性能,抗干扰性能和高频工作性能。 2 整体力求层次化设计,即按功能将版图划分为若干子单元,每个子单元又可能包含若干子单元,从最小的子单元进行设计,这些子单元又被调用完成较大单元的设计,这种方法大大减少了设计和修改的工作量,且结构严谨,层次清晰。 3 图形应尽量简洁,避免不必要的多边形,对连接在一起的同一层应尽量合并,这不仅可减小版图的数据存储量,而且版图一模了然。 4 在构思版图结构时,除要考虑版图所占的面积,输入和输出的合理分布,较小不必要的寄生效应外,还应力求版图与电路原理框图保持一致(必要时修改框图画法),并力求版图美观大方。 8,版图设计中元件布局布线方面有哪些注意事项? 答:1 各不同布线层的性能各不相同,晶体管等效电阻应大大高于布线电阻。高速电路,电荷的分配效应会引起很多问题。 2 随器件尺寸的减小,线宽和线间距也在减小,多层布线层之间的介质层也在变薄,这将大大增加布线电阻和分布电阻。 3 电源线和地线应尽可能的避免用扩散区和多晶硅布线,特别是通过

较大电流的那部分电源线和地线。因此集成电路的版图设计电源线和地线多采用梳状布线,避免交叉,或者用多层金属工艺,提高设计布线的灵活性。 4 禁止在一条铝布线的长信号霞平行走过另一条用多晶硅或者扩散区布线的长信号线。因为长距离平行布线的两条信号线之间存在着较大的分布电容,一条信号线会在另一条信号线上产生较大的噪声,使电路不能正常工作。、 5 压点离开芯片内部图形的距离不应少于20um,以避免芯片键和时,因应力而造成电路损坏。

现代集成制造系统

1.先进制造技术的学科内容? ①.先进设计技术 ②.先进制造工艺技术 ③.制造自动化技术 ④.先进生产制造模式和制造系统 2.柔性制造系统主要由哪三部分组成? 柔性制造系统主要由三部分组成,即计算机控制与管理层、以NC为主的多台加工设备和物料运输装置。与此相对应,可将其划分为控制与管理系统、加工系统、物流系统三个子系统。 3.CIMS的五大功能分系统是什么? 即管理信息分系统(MIS)、技术信息分系统(TIS)、制造自动化分系统(MAS)、质量信息分系统(QIS)等应用分系统,以及网络/数据库分系统(NET&DB)。 4.虚拟制造的研究内容是什么? 虚拟制造的主要研究内容可以分为三个方面:虚拟制造的理论体系、虚拟产品设计、虚拟产品制造。 5.PDM所包括的典型能力可以概括为 (1)数据管理。它为管理所有与制造相关的数据以及描述产品结构和加工方法的文件提供了电子手段。一些PDM系统甚至具有管理图象的能力。 (2)过程/工作流管理。它们负责管理与产品开发与制造相关的过程工作流,它是通过对检验/审批以及签发过程进行明确地定义和描述而实现的。 (3)产品结构管理。它提供了控制零件和产品版本的能力,以及对产品结构BOM表和配制方式进行管理的能力。 (4)分类。大多数PDM系统提供了对“对象”(如零件)的属性进行定义,以及通过这些属性搜索/识别零件(或其他对象)的能力。 (5)客户化系统管理。 简答: 6.很多国家特别是美国把制定制造业发展战略列为重中之重,原因是什么? 答: ①世界经济发展的趋势表明,制造业是一个国家经济发展的基石,也是增强国家竞争力的基

础; ②制造业是解决就业矛盾的一个重要领域,也是21世纪提高一个国家整体就业水平的重要基础; ③制造业不仅是高新技术的载体,而且也是高新技术发展的动力。 7.信息化制造的特点是什么? (1)基于Internet/Intranet的网络化。 (2)产品设计、制造进程中的全程数字化。 (3)制造设备的信息化、智能化、柔性化。 (4)制造组织的全球化、敏捷化。 (5)制造资源的分布性、共享性。 (6)制造过程的并行化、协同化。 (7)设计制造各要素全球性的分布和集成化。 (8)设计制造各个环节的并行协作与智能化。 8.什么是计算机仿真? 所谓计算机仿真,又称为计算机模拟或计算机实验,就是建立系统模型(系统包括所有工程和非工程的系统)的仿真模型,进而在计算机上对该仿真模型进行模拟实验(仿真实验)研究,以达到通过模拟实际系统的行为而认识其本质规律的目的的过程。 9.PDM系统的主要模块有哪些? 1)文档管理。 2)模型和工程图管理。 3)零件管理。 4)零件分类。 5)产品结构管理。 6)变型管理(配置管理)。 7)过程管理(工作流管理)。 8)项目管理(进度计划管理和任务计划管理)。 9)通用接口。 10.现代集成制造系统的关键技术包括哪些内容? (1)快速进行产品开发的CAD/CAM/CAE/PDM技术。 (2)促进企业现代化管理的MRPII/ERP技术。 (3)信息技术引入到生产加工,提高生产效率、产品质量、快速响应的数控、快速原型制造、工业机器人技术等。 (4)基于设计过程重组和优化的并行工程技术。 (5)加快产品开发的虚拟制造技术。 (6)基于网络的异地设计、制造的网络化技术、协同生产技术。 (7)基于企业、企业间物流优化的供应链管理技术、电子商务技术。

IC设计基础笔试集锦

IC设计基础(流程、工艺、版图、器件)笔试集锦 1、我们公司的产品是集成电路,请描述一下你对集成电路的认识,列举一些与集成电路 相关的内容(如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA 等的概念)。(仕兰微面试题目) 什么是MCU? MCU(Micro Controller Unit),又称单片微型计算机(Single Chip Microcomputer),简称单片机,是指随着大规模集成电路的出现及其发展,将计算机的CPU、RAM、ROM、定时数器和多种I/O接口集成在一片芯片上,形成芯片级的计算机。 MCU的分类 MCU按其存储器类型可分为MASK(掩模)ROM、OTP(一次性可编程)ROM、FLASH ROM等类型。MASK ROM的MCU价格便宜,但程序在出厂时已经固化,适合程序固定不变的应用场合;FALSH ROM的MCU程序可以反复擦写,灵活性很强,但价格较高,适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途;OTP ROM的MCU价格介于前两者之间,同时又拥有一次性可编程能力,适合既要求一定灵活性,又要求低成本的应用场合,尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电子产品。 RISC为Reduced Instruction Set Computing的缩写,中文翻译为精简执令运算集,好处是CPU核心 很容易就能提升效能且消耗功率低,但程式撰写较为复杂;常见的RISC处理器如Mac的Power PC 系列。 CISC就是Complex Instruction Set Computing的缩写,中文翻译为复杂指令运算集,它只是CPU分类的一种,好处是CPU所提供能用的指令较多、程式撰写容易,常见80X86相容的CPU即是此类。 DSP有两个意思,既可以指数字信号处理这门理论,此时它是Digital Signal Processing的缩写;也可以是Digital Signal Processor的缩写,表示数字信号处理器,有时也缩写为DSPs,以示与理论的区别。 2、FPGA和ASIC的概念,他们的区别。(未知) 答案:FPGA是可编程ASIC。 ASIC:专用集成电路,它是面向专门用途的电路,专门为一个用户设计和制造的。根据一 个用户的特定要求,能以低研制成本,短、交货周期供货的全定制,半定制集成电路。与 门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比,它们又具有设计开发周期短、设计 制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点 3、什么叫做OTP片、掩膜片,两者的区别何在?(仕兰微面试题目)otp是一次可编程(one time programme),掩膜就是mcu出厂的时候程序已经固化到里面去了,不能在写程序进去!( 4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种?(仕兰微面试题目) 5、描述你对集成电路设计流程的认识。(仕兰微面试题目) 6、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。(仕兰微面试题目) 7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。(未知) 8、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.(未知) 9、Asic的design flow。(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题) 10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。(威盛) 11、集成电路前段设计流程,写出相关的工具。(扬智电子笔试) 先介绍下IC开发流程: 1.)代码输入(design input) 用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述,生成hdl代码 语言输入工具:SUMMIT VISUALHDL MENTOR RENIOR 图形输入: composer(cadence); viewlogic (viewdraw) 2.)电路仿真(circuit simulation) 将vhd代码进行先前逻辑仿真,验证功能描述是否正确 数字电路仿真工具: Verolog:CADENCE Verolig-XL SYNOPSYS VCS MENTOR Modle-sim VHDL : CADENCE NC-vhdl SYNOPSYS VSS MENTOR Modle-sim 模拟电路仿真工具: AVANTI HSpice pspice,spectre micro microwave: eesoft : hp 3.)逻辑综合(synthesis tools) 逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路;将初级仿真 中所没有考虑的门沿(gates delay)反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再 仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。 12、请简述一下设计后端的整个流程?(仕兰微面试题目) 13、是否接触过自动布局布线?请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元 素?(仕兰微面试题目) 14、描述你对集成电路工艺的认识。(仕兰微面试题目)

集成电路设计基础复习要点

集成电路设计基础复习要点 第一章集成电路设计概述 1、哪一年在哪儿发明了晶体管?发明人哪一年获得了诺贝尔奖? 2、世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的?发明人哪一 年为此获得诺贝尔奖? 3、什么是晶圆?晶圆的材料是什么? 4、晶圆的度量单位是什么?当前主流晶圆尺寸是多少?目前最大晶 圆尺寸是多少? 5、摩尔是哪个公司的创始人?什么是摩尔定律? 6、什么是SoC?英文全拼是什么? 7、说出Foundry、Fabless和Chipless的中文含义。 8、什么是集成电路的一体化(IDM)实现模式? 9、什么是集成电路的无生产线(Fabless)设计模式? 10、目前集成电路技术发展的一个重要特征是什么? 11、一个工艺设计文件(PDK)包含哪些内容? 12、什么叫“流片”? 13、什么叫多项目晶圆(MPW) ?MPW英文全拼是什么? 14、集成电路设计需要哪些知识范围? 15、著名的集成电路分析程序是什么?有哪些著名公司开发了集成电 路设计工具?

16、SSI、MSI、LSI、VLSI、ULDI的中文含义是什么?英文全拼是 什么?每个对应产品芯片上大约有多少晶体管数目? 17、国内近几年成立的集成电路代工厂家或转向为代工的厂家主要有 哪些? 18、境外主要代工厂家和主导工艺有哪些? 第二章集成电路材料、结构与理论 1、电子系统特别是微电子系统应用的材料有哪些? 2、常用的半导体材料有哪些? 3、半导体材料得到广泛应用的原因是什么? 4、为什么市场上90%的IC产品都是基于Si工艺的? 5、砷化镓(GaAs) 和其它III/V族化合物器件的主要特点是什么? 6、GaAs晶体管最高工作频率f T可达多少?最快的Si晶体管能达到多 少? 7、GaAs集成电路主要有几种有源器件? 8、为什么说InP适合做发光器件和OEIC? 9、IC系统中常用的几种绝缘材料是什么? 10、什么是欧姆接触和肖特基接触? 11、多晶硅有什么特点? 12、什么是材料系统?

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