Colloidal Transition-Metal-Doped ZnO Quantum Dots Pavle V.Radovanovic,Nick S.Norberg,Kathryn E.McNally,and Daniel R.Gamelin*
Department of Chemistry,Box351700,Uni V ersity of Washington,Seattle,Washington98195-1700
Received September4,2002
Methods for introducing new magnetic,optical,electronic,
photophysical,or photochemical properties to semiconductor nano-
crystals are attracting intense interest as prospects for nanotech-
nological applications emerge in the areas of spintronics,1opto-
electronics,2,3quantum computing,4photocatalysis,5and lumines-
cence labeling.6An effective method for manipulating the physical
properties of semiconductors involves impurity doping.A great deal
of attention has been paid to doping bulk semiconductors with
magnetic ions such as Mn2+to impart the unusual giant Zeeman,
Faraday rotation,and magnetic polaron effects that characterize this
class of materials,known as diluted magnetic semiconductors
(DMSs).7Advances in vacuum-deposition methods have allowed
preparation of many new nanoscale DMSs that have shown unique
magnetic,magnetooptical,and magnetoelectronic properties.2,3,8,9
These successes have motivated us to develop solution-based
synthetic routes for preparation of high-quality colloidal DMS
quantum dots(DMS-QDs).10The solution compatibility and chemi-
cal flexibility of colloidal semiconductor nanocrystals allow them
to be easily incorporated into glasses or polymers,appended to biomolecules,or assembled into close-packed ordered arrays, providing many opportunities related to materials processing and nanoscale engineering.
To date,solution synthesis of free-standing high-quality DMS-QDs has been limited to II-VI chalcogenides(CdS,CdSe,ZnS, and ZnSe).10-12Access to a wider variety of colloidal doped QDs would substantially increase the range of possible nanotechnological applications.ZnO is an attractive semiconductor for numerous applications because of its hardness,chemical stability,optical transparency,large exciton binding energy,and piezoelectric properties.13ZnO DMS thin films have recently been prepared by vacuum-deposition methods that show large magnetooptical effects and the promise of high-T C ferromagnetism.9In this communication we report the preparation and electronic absorption spectroscopy of colloidal ZnO DMS-QDs.Our procedure14for synthesizing transition-metal-doped ZnO QDs is adapted from literature methods known to yield highly crystalline and relatively monodisperse nanocrystals of pure ZnO.15A major concern in the preparation of DMS nanocrystals from solution is dopant extrusion during growth,3,10,12which may compromise the desired physical properties. We use ligand-field electronic absorption spectroscopy as a dopant-specific optical probe10to monitor incorporation during nanocrystal growth and to verify internal substitutional doping in Co2+:ZnO and Ni2+:ZnO DMS-QDs.
Figure1shows a series of ligand-field electronic absorption spectra collected in situ during the synthesis of Co2+:ZnO QDs.14 In the quantum-confined size regime(diameter e～7nm for ZnO) nanocrystal growth is accompanied by band gap reduction.15Also accompanying nanocrystal growth is the appearance of a structured absorption feature centered at16500cm-1associated with the spin-orbit split4A2f4T1(P)ligand-field transition of tetrahedral Co2+.16From its similarity to that of bulk Co2+:ZnO,17we conclude that the tetrahedral absorption signal in Figure1arises predomi-nantly from Co2+ions that are substitutionally doped at Zn2+sites of the ZnO nanocrystals(vide infra).The inset of Figure1plots the increase in tetrahedral Co2+4A2f4T1(P)absorption intensity and the decrease in ZnO band gap energy measured as a function of time during nanocrystal growth,and demonstrates that tetrahedral Co2+is formed concurrently with nanocrystal growth.Collectively, the data of Figure1provide strong evidence that Co2+is isotropically doped throughout the ZnO nanocrystals.Isotropic substitutional doping was also observed in the synthesis of Co2+: ZnS DMS-QDs from solution,10and in both lattices it is attributed to the compatible tetrahedral ionic radii of Co2+and Zn2+(both ca.0.71?).
Even in the isotropic limit,many dopants are expected to reside on the nanocrystal surfaces due to their high surface-to-volume https://www.doczj.com/doc/3b954094.html,pletely internally doped Co2+:ZnO DMS-QDs can be prepared by the isocrystalline core/shell(ICS)procedure,10in which washed as-prepared nanocrystals are treated with alternating addi-tions of Zn2+and OH-,encapsulating any surface-bound dopants under a ZnO epitaxial shell.Upon shell growth,the ligand-field band narrows slightly and its high-energy tail is diminished (Supporting Information).The resulting spectrum(Figure2a)is essentially identical to that of bulk～0.1%Co2+:ZnO(Figure2b).17 These subtle changes are attributed to internalization of a minor population of surface-bound Co2+ions,which likely have terminal hydroxide or acetate ligation in the as-prepared sample.These conclusions are supported by deliberate binding of Co2+to the surfaces of undoped ZnO QDs,followed by washing and resus-pension,which yields a broad higher-energy spectrum(Figure2c) distinctly different from that of Figure2a and similar to that of [Co(OH)4]2-.16Growth of a ZnO shell in this case again yields the
*To whom correspondence should be addressed.E-mail:gamelin@
https://www.doczj.com/doc/3b954094.html,.
Figure1.300K absorption of Co2+:ZnO DMS-QDs during synthesis.With
nanocrystal growth,Co2+converts from octahedral(4T1g(F)f4T1g(P),
19500cm-1)to tetrahedral(4A2f4T1(P),16500cm-1)geometry.Inset:
Tetrahedral Co2+absorbance at15500cm-1(X)and ZnO band gap energy
(2)vs
time.
Published on Web11/23/2002
151929J.AM.CHEM.SOC.2002,124,15192-1519310.1021/ja028416v CCC:$22.00?2002American Chemical Society
spectrum of internally doped Co 2+(Figure 2d),verifying the efficacy of this procedure in internalizing surface-bound dopants.From the data in Figures 1and 2we conclude that Co 2+:ZnO QDs prepared by the ICS procedure are isotropically doped within their cores and that doping involves substitution at the Zn 2+lattice sites.An overview absorption spectrum of 4.0nm 4.3%Co 2+:ZnO QDs prepared by the ICS procedure is shown in Figure 3a.
This procedure is general and can be applied with other dopant ions.Figure 3b shows an overview absorption spectrum of 4.5nm 0.2%Ni 2+:ZnO DMS-QDs prepared by the ICS procedure.The ligand-field energies are essentially identical to those of bulk Ni 2+:ZnO,17confirming substitutional core doping.The broad shoulder at 24000cm -1has been assigned in bulk as an oxide-to-Ni 2+LMCT transition.17The appearance of a sub-bandgap LMCT transition in Ni 2+:ZnO and not in Co 2+:ZnO reflects the greater electronegativity of Ni 2+.Analogous LMCT transitions have been shown to sensitize photoredox chemistry in related microcrystalline Ni 2+-doped semiconductor photocatalysts.5The colloidal core-doped Ni 2+:ZnO nanocrystals of Figure 3b offer the unique combination of extremely high surface areas and homogeneous Ni 2+speciation,
and their study may lead to a deeper mechanistic understanding of photosensitization in this class of materials.
In summary,high-quality colloidal transition-metal-doped ZnO quantum dots have been synthesized.To our knowledge,these are the first free-standing oxide DMS-QDs reported.The synthesis of colloidal oxide DMS-QDs introduces a new category of magnetic semiconductor materials available for physical study and application in nanotechnology.The magnetic properties of these materials are currently under investigation.
Acknowledgment.This research was supported by The Petro-leum Research Fund,Research Corporation,the UW,and its Center for Nanotechnology.P.V.R.thanks the UW Center for Nanotech-nology and N.S.N.thanks the UW/PNNL Joint Institutes for Nanotechnology for Graduate Research Awards.
Supporting Information Available:Representative powder XRD,HRTEM,selected area diffraction,and absorption data (PDF).This material is available free of charge via the Internet at https://www.doczj.com/doc/3b954094.html,.References
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(14)In a typical preparation,TM 2+:ZnO QDs were synthesized by stirring 50
mL of 0.15M LiOH into 50mL of 0.1M Zn(OAc)2?2H 2O and 0.005M TM(OAc)2?4H 2O in EtOH at 0°C,allowing growth at 25°C for several days.The resulting nanocrystals were washed by repeated precipitation with heptane and resuspension in EtOH to form clear colloid solutions.Absorption data were collected using a Cary 5E spectrophotometer.Nanocrystal diameters were estimated from band gap energies.15Co 2+concentrations ((10%)were determined by atomic emission spectrometry,and Ni 2+concentrations ((20%)were estimated from literature absorption coefficients.17Highly crystalline wurzite ZnO was confirmed by powder XRD and TEM (Supporting Information).
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JA028416V
Figure 2.300K Co 2+4A 2f 4T 1(P)ligand-field absorption of (a)isocrystalline core/shell Co 2+:ZnO QDs in EtOH,(b)bulk Co 2+:ZnO single crystal (ref 17),(c)ZnO QDs in EtOH with Co 2+deliberately surface-bound,and (d)sample (c)following isocrystalline shell
growth.
Figure 3.Overview 300K electronic absorption spectra of EtOH colloid solutions of (a)4.0nm 4.3%Co 2+:ZnO QDs and (b)4.5nm 0.2%Ni 2+:ZnO QDs.Bulk single-crystal spectra of ～0.1%Co 2+:ZnO and ～0.1%Ni 2+:ZnO (dashed,ref 17)are included for comparison.
C O M M U N I C A T I O N S
J.AM.CHEM.SOC.
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VOL.124,NO.51,200215193
计算器的使用方法计算器小知识 普通的计算器如得力计算器与晨光计算器的一些普通功能相信大家都会用，大家经常用来加减乘除，快速计算结果。有些小小的功能键能事半功倍，而这些功能可能有很多人从未使用过，石家庄办公用品批发网小编找了些资料，又根据自己实际经验，把那些个功能键的作用及使用方法给整理了一下。 M+：把目前显示的值放在存储器中，是计算结果并加上已经储存的数，(如屏幕无"M"标志即存储器中无数据，则直接将显示值存入存储器)。 M-：从存储器内容中减去当前显示值，是计算结果并用已储存的数字减去目前的结果，如存贮器中没有数字，按M-则存入负的显示屏数字。 MS：将显示的内容存储到存储器，存储器中原有的数据被冲走。 MR：按下此键将调用存储器内容，表示把存储器中的数值读出到屏幕,作为当前数值参与运算。 MC：按下时清除存储器内容(屏幕"M"标志消除)。 MRC：第一次按下此键将调用存储器内容，第二次按下时清除存储器内容。 GT：GT=Grand Total 意思是总数之和，即按了等号后得到的数字全部被累计相加后传送到GT存储寄存器。按GT后显示累计数，再按一次清空。 MU(Mark-up and Mark-down键)：按下该键完成利率和税率计算，详见例3； CE：清除输入键，在数字输入期间按下此键将清除输入寄存器中的值并显示"0"，可重新输入； AC：是清除全部数据结果和运算符。 ON/C：上电/全清键，按下该键表示上电，或清除所有寄存器中的数值。 使用举例： 例1. 先按32×21，得数是672。然后按下“M+”,这样就可以把这个答案保存下来，然后我们按“8765-”，再按“MR”就可以把刚才的672调出来了，最后我们就可以得到答案8093。 例2. 在计算时使用记忆键能够使操作简便，例如计算5.45×2+4.7×3可以这样做：按5、.、4、5、×、2、=，会显示出10.9，按M+（记忆10.9），按4、.、7、×、3、=，会显示出14.1，按M+（记忆14.1），按MR 会显示出25（呼出记忆的两个数相加后的结果）。 例3、 MU(Mark-up and Mark-down键):按下该键完成利率和税率计算. 关于"MU"的加减乘除四项功能用法如下: 乘法A×B MU 相当于A+(A+B%) 用途1、知道本年数额与增长率，求预计明年数额。如今年销售收入100，预计增长率为2.5%，求明年数。按100 X 2.5 MU 即出结果为102.5 用途2、计算增值税，由不含税价计算含税价。如不含税销售收入3500元，计算含税销售收入，假定税率为17%，按3500 X 17 MU 即出结果4095 减法A－B MU 相当于（A-B)/B 的百分比 用途知道当年收入与去年收入求增长率。如今年3000，去年2800，计算增长率，按3000-2800 MU 即出结果7.142857 当然结果是百分比 除法A÷B MU 相当于A/(1-B%) 用途1、求成本为120,销售利润率为25%，求销售收入，按120÷25 MU 即出结果160 （看清了，不是成本利润率，成本利润率公式是A x（1+B%）） 用途2、计算消费税组成计税价格，由不含税计算含税价，如不含税1200，适用税率30%，计算含税，按
/* 日本工业标准JIS标准—代号名称对照表【中文版】 招聘(广告) 管理提醒： 本帖被tuzi123 执行锁定操作(2007-05-12) JIS B0001 ERRATUM 1-2000 机械工程技术制图(勘误1) JIS B0001-2000 机械工程技术制图 JIS B0002-1-1998 技术制图.螺纹和螺纹部件.第1部分:通用规范 JIS B0002-2-1998 技术制图.螺纹和螺纹部件.第2部分:螺纹嵌镶件 JIS B0002-3-1998 技术制图.螺纹和螺纹部件.第3部分:简化表示 JIS B0003-1989 齿轮的制图室实施规范 JIS B0004-1995 技术制图.弹簧画法 JIS B0005-1-1999 技术绘图.滚动轴承.第1部分:一般简化图解 JIS B0005-2-1999 技术绘图.滚动轴承.第2部分:细节简化图解 JIS B0006-1993 技术制图.花键和锯齿形花键的画法 JIS B0011-1-1998 技术制图.管道的简化表示法.第1部分:通则和正交表示法 JIS B0011-2-1998 技术制图.管道的简化表示法.第2部分:等角投影 JIS B0011-3-1998 技术制图.管道的简化表示法.第3部分:通风和排水系统终端部件 JIS B0021-1998 产品几何量技术规范(GPS).几何公差.形状、方向、位置和偏转公差 JIS B0022-1984 几何公差的基准及基准系统 JIS B0023-1996 技术制图.几何公差.最大和最小的实体公差要求 JIS B0024-1988 技术制图.公差表示的基本原则 JIS B0025-1998 机械制图.几何公差.位置公差 JIS B0026-1998 技术制图.尺寸和公差.非钢性部件 JIS B0027-2000 技术制图.剖面的尺寸和公差表示 JIS B0028-2000 技术制图.尺寸和公差表示.锥形 JIS B0029-2000 技术制图.方向和位置的公差表示.突出公差带 JIS B0031-2003 产品几何量技术规范(GPS).技术产品文献表面结构标注方法 JIS B0041-1999 技术绘图.中心孔简化图解 JIS B0090-10-2001 光学元件和系统图的绘制.第10部分:表示透镜元件数据的表 JIS B0090-11-2001 光学元件和系统图的绘制.第11部分:不包含公差的数据 JIS B0090-1-2001 光学元件和系统图的绘制.第1部分:总则 JIS B0090-12-2001 光学元件和系统图的绘制.第12部分:非球型表面 JIS B0090-2-2001 光学元件和系统图的绘制.第2部分:材料缺陷.应力双折射 JIS B0090-3-2001 光学元件和系统图的绘制.第3部分:材料缺陷.起泡和杂质 JIS B0090-4-2001 光学元件和系统图的绘制.第4部分:材料缺陷.不均匀和擦痕 JIS B0090-5-2001 光学元件和系统图的绘制.第5部分:表面形式公差 JIS B0090-6-2001 光学元件和系统图的绘制.第6部分:中心校正公差 JIS B0090-7-2001 光学元件和系统图的绘制.第7部分:表面缺陷公差 JIS B0090-8-2001 光学元件和系统图的绘制.第8部分:表面结构 JIS B0090-9-2001 光学元件和系统图的绘制.第9部分:表面处理和涂覆 JIS B0100-1984 阀门术语 JIS B0101-1994 螺纹和紧固件.词汇
加工工序名称符号 名称符号名称符号名称符号有机溶剂除油S D化学碱洗A C喷丸S H B 化学除油C D电化学抛光E C P滚光B B 电解除油E D化学抛光C H P刷光B R 化学酸洗C P机械抛光M P磨光G R 电解酸洗E P喷沙S B振动擦光V I 1、A l/E t.E c 铝材，电化学处理，电解着色 2、A l/E t.A(S).C l(B K+R D+G D) 铝材，电化学处理，硫酸阳极氧化，套色颜色顺序为黑、红、金黄 3、A l/E t.A.C l(B K) 铝材，电化学处理，阳极氧化，着黑色，对阳极氧化方法无特定要求 4、A l/E p.N i(80)-C o(20)-P3 铝材，电镀含镍80%，钴20%的镍钴磷合金3u m以上 5、C u/C t.P 铜材，化学处理，钝化 6、C u/E p.S n(60)-P b15.F m 铜材，电镀含锡60%的锡铅合金15u m以上，热熔 7、C u/E p.N i5b C r0.3r 铜材，电镀光亮镍5u m以上，普通铬0.3u m以上 8、C u/E p.N i5A u1~3 铜材，电镀镍5u m以上，金1~3u m 9、C u/E p.A u-C u1~3 铜材，电镀金铜合金1~3u m 10、F e/S D 钢材，有机溶剂除油 11、F e/C t.o 钢材，化学处理，氧化发黑 12、F e/C t.M n P h 钢材，化学处理，磷酸锰盐处理 13、F e/E p.Z n7.c2C 钢材，电镀锌7u m以上,彩虹铬酸盐处理2级C型 14、F e/E p.(C r)25b 钢材，表面电镀铬，组合镀覆层特征为光亮，总厚度25u m以上，中间镀覆层按有关规定执行 15、F e/E p.C u10N i15b C r0.3m c 钢材，电镀铜10u m以上，光亮镍15u m以上，微裂纹铬0.3u m以上 16、F e/E p.C u20A p.N i10C r0.3c f 钢材，电镀铜20u m以上，化学镀镍10u m以上，电镀无裂纹铬0.3u m以上17、T i/E p.A u(99.9)3 钛材，电镀金（纯度达99.9%）3u m以上 18、P L/E p.C u10b N i15b C r0.3 塑料,电镀光亮铜10u m以上，光亮镍15u m以上，普通铬0.3u m以上（符号r 已省略）
计算器使用说明书目录 取下和装上计算器保护壳 (1) 安全注意事项 (2) 使用注意事项 (3) 双行显示屏 (7) 使用前的准备 (7) k模式 (7) k输入限度 (8) k输入时的错误订正 (9) k重现功能 (9) k错误指示器 (9) k多语句 (10) k指数显示格式 (10) k小数点及分隔符 (11) k计算器的初始化 (11) 基本计算 (12) k算术运算 (12) k分数计算 (12) k百分比计算 (14) k度分秒计算 (15) kMODEIX, SCI, RND (15) 记忆器计算 (16) k答案记忆器 (16) k连续计算 (17) k独立记忆器 (17) k变量 (18) 科学函数计算 (18) k三角函数／反三角函数 (18) Ch。6 k双曲线函数／反双曲线函数 (19) k常用及自然对数／反对数 (19) k平方根﹑立方根﹑根﹑平方﹑立方﹑倒数﹑阶乘﹑ 随机数﹑圆周率（π）及排列／组合 (20) k角度单位转换 (21) k坐标变换（Pol（x, y）﹐Rec（r, θ）） (21) k工程符号计算 (22) 方程式计算 (22) k二次及三次方程式 (22) k联立方程式 (25) 统计计算 (27)
标准偏差 (27) 回归计算 (29) 技术数据 (33) k当遇到问题时 (33) k错误讯息 (33) k运算的顺序 (35) k堆栈 (36) k输入范围 (37) 电源（仅限MODEx。95MS） (39) 规格（仅限MODEx。95MS） (40) 取下和装上计算器保护壳 ?在开始之前 (1) 如图所示握住保护壳并将机体从保护壳抽出。 ?结束后 (2) 如图所示握住保护壳并将机体从保护壳抽出。 ?机体上键盘的一端必须先推入保护壳。切勿将显示屏的一端先推入保护壳。 使用注意事项 ?在首次使用本计算器前务请按5 键。 ?即使操作正常﹐MODEx。115MS/MODEx。570MS/MODEx。991MS 型计算器也必须至少每3 年更换一次电池。而MODEx。95MS/MODEx。100MS型计算器则须每2 年更换一次电池。电量耗尽的电池会泄漏液体﹐使计算器造成损坏及出现故障。因此切勿将电量耗尽的电池留放在计算器内。 ?本机所附带的电池在出厂后的搬运﹑保管过程中会有轻微的电源消耗。因此﹐其寿命可能会比正常的电池寿命要短。 ?如果电池的电力过低﹐记忆器的内容将会发生错误或完全消失。因此﹐对于所有重要的数据﹐请务必另作记录。 ?避免在温度极端的环境中使用及保管计算器。低温会使显示画面的反应变得缓慢迟钝或完全无法显示﹐同时亦会缩短电池的使用寿命。此外﹐应避免让计算器受到太阳的直接照射﹐亦不要将其放置在诸如窗边﹐取暖器的附近等任何会产生高温的地方。高温会使本机机壳褪色或变形及会损坏内部电路。 ?避免在湿度高及多灰尘的地方使用及存放本机。注意切勿将计算器放置在容易触水受潮的地方或高湿度及多灰尘的环境中。因如此会损坏本机的内部电路。 双行显示屏
计算器按键的使用说明 . 1、电源开关键： ON、 OFF 2、输入键： 0— 9、. +/ —：正负转换键 3、运算功能键： + - * / ( 注意 : 加、减、乘、除键在计算时都可能代替等号键 ) √：开平方键，用来进行开平方运算。先输入数字，再按下此键，不必按等号键即可得 出结果。 4、等号键：＝ 5、清除键： ①C：清除键。在数字输入期间 , 第一次按下此键将清除除存储器内容外的所 有数值 . 如果是太阳能计算器，在计算器关闭状态下，按此键则开启电源，显示 屏显示出“ 0”。 ②AC或 CA键：全部清除键，也叫总清除键，作用是将显示屏所显示的数 字全部清除。 ③→：右移键。其功能是荧屏值向右位移，删除最右边的尾数。 ④CE：部分清除键，也叫更正键。其功能是清除当前输入的数字，而不是清除 以前输入的数。如刚输入的数字有误，立即按此键可清除，待输入正确的数字后，原运算继续进行。如 5+13，这时发现“ 13”输入错了，则按“ CE”键就可以清除 刚才的“ 13”，但还保留“ 5”这个数。值得注意的是，在输入数字后，按“ +”、“- ”、“/ ”、“* ”键的，再按“ CE”键，数字不能清除。 ⑤MC：累计清除键，也叫记忆式清除键。其功能是清除储存数据，清除存储 器内容，只清除存储器中的数字，内存数据清除，而不是清除显示器上的数字。 6、累计显示键： （1）M+：记忆加法键，也叫累加键。是计算结果并加上已经储存的数；用 作记忆功能，它可以连续追加，把目前显示的值放在存储器中（也就是将显示的 数字与内存中已有的任何数字相加，结果存入存储器，但不显示这些数字的和）。 如先输入“ 5×1.6 ”→按“ M+”键（把“ 5×1.6 ”的结果计算出来并储存起来）→然后输入“10×0.8 ”→按“M+”键（把“10×0.8 ”的结果计算出来并和前面储存的数相加）→接着输入“15×0.4 ”→按“M+”键（把“15×0.4 ”的结果计算出来并和前面储存的数相加）→最后按“MR”键（把储存的数全部取出来）→则出结果“ 22” （2）M-：记忆减法键，也叫累减键。是计算结果并用已储存的数字减去目前 的结果；从存储器内容中减去当前显示值（也就是将显示的数字与内存中已有 的任何数字相减，结果存入存储器，但不显示这些数字的差）. 计算“ 50- （23+4）”时→先输入“ 50”→按“ M+”（把“ 50”储存起来）→再输入“ 23+4”→按“ M-”键（计算结果是“ 27”）→再按“ MR”（用储存的“ 50”减去目前的结果“ 27”）→则出结果“ 23” 7、存储读出键： MR MRC GT ①MR：存储读出键。表示用存储器中数值取代显示值。按下此键后，可使存储在“ M+”或“ M－”中的数字显示出来或同时参加运算，数字仍保存在存储器中，在未按“ MC”键以前有效。 MR调用存储器内容，读取储存的数据。如有三组数字不连续在一起相加的时候，则用这个“ MR”键。举例：如输入“ 3+2”时，按“ M+”键，再输入“ 6+7”时，按“ M+”键，再输入“8+9”时按“ M+”键，然后再按“MR”，则三组数字的总和“ 35”就出来了。 ②MRC：MR和 MC功能的组合，即存储读出和清除键。按一次为 MR功能， 即显示存储数，按第二次为 MC功能，即清除存储数。
计算器按键的使用说明. 1、电源开关键：ON、OFF 2、输入键：0—9、. +/—：正负转换键 3、运算功能键：+ - * / (注意:加、减、乘、除键在计算时都可能代替等号键) √：开平方键，用来进行开平方运算。先输入数字，再按下此键，不必按等号键 即可得出结果。 4、等号键：＝ 5、清除键： ①C：清除键。在数字输入期间,第一次按下此键将清除除存储器内容外的所 有数值.如果是太阳能计算器，在计算器关闭状态下，按此键则开启电源，显示 屏显示出“0”。 ②AC或CA键：全部清除键，也叫总清除键，作用是将显示屏所显示的数字 全部清除。 ③→：右移键。其功能是荧屏值向右位移，删除最右边的尾数。 ④CE：部分清除键，也叫更正键。其功能是清除当前输入的数字，而不是清 除以前输入的数。如刚输入的数字有误，立即按此键可清除，待输入正确的数字后，原运算继续进行。如5+13，这时发现“13”输入错了，则按“CE”键就可 以清除刚才的“13”，但还保留“5”这个数。值得注意的是，在输入数字后，按“+”、“-”、“/”、“*”键的，再按“CE”键，数字不能清除。 ⑤MC：累计清除键，也叫记忆式清除键。其功能是清除储存数据，清除存储 器内容，只清除存储器中的数字，内存数据清除，而不是清除显示器上的数字。6、累计显示键： （1）M+：记忆加法键，也叫累加键。是计算结果并加上已经储存的数；用 作记忆功能，它可以连续追加，把目前显示的值放在存储器中（也就是将显示的 数字与内存中已有的任何数字相加，结果存入存储器，但不显示这些数字的和）。 如先输入“5×1.6”→按“M+”键（把“5×1.6”的结果计算出来并储存起来）→然后输入“10×0.8”→按“M+”键（把“10×0.8”的结果计算出来并和 前面储存的数相加）→接着输入“15×0.4”→按“M+”键（把“15×0.4”的结 果计算出来并和前面储存的数相加）→最后按“MR”键（把储存的数全部取出来）→则出结果“22” （2）M-：记忆减法键，也叫累减键。是计算结果并用已储存的数字减去目 前的结果；从存储器内容中减去当前显示值（也就是将显示的数字与内存中已有 的任何数字相减，结果存入存储器，但不显示这些数字的差）. 计算“50-（23+4）”时→先输入“50”→按“M+”（把“50”储存起来）→ 再输入“23+4”→按“M-”键（计算结果是“27”）→再按“MR”（用储存的“50”减去目前的结果“27”）→则出结果“23” 7、存储读出键：MR MRC GT ①MR：存储读出键。表示用存储器中数值取 代显示值。按下此键后，可使存储在“M+”或“M－”中的数字显示出来或同时 参加运算，数字仍保存在存储器中，在未按“MC”键以前有效。MR调用存储器 内容，读取储存的数据。如有三组数字不连续在一起相加的时候，则用这个“MR”键。举例：如输入“3+2”时，按“M+”键，再输入“6+7”时，按“M+”键，再 输入“8+9”时按“M+”键，然后再按“MR”，则三组数字的总和“35”就出来了。 ②MRC：MR和MC功能的组合，即存储读出和清除键。按一次为MR功能，即 显示存储数，按第二次为MC功能，即清除存储数。
我们使用到的计算模式只有2种： COMP ：基本算术运算 SD ：标准差 下列介绍中一至八使用的是COMP 模式，九使用的是SD 模式 模式选择按键过程： MODE CLR 1 (此时选择的是COMP ：基本算术运算模式) MODE CLR 2 (此时选择的是SD ：标准差模式) 一、分数：需使用 ab/c 健 1、例如计算：5 231+ 按键过程为：1 ab/c 3 + 2 ab/c 5 = 2、例如计算：5 231? 按键过程为：1 ab/c 3 ? 2 ab/c 5 = 二、小数换成分数 1、例如0.68换成分数 按键过程为：0.68 = ab/c = 三、指数 1、例如计算5 8 按键过程为： 8 =∧5 2、例如计算()42- 按键过程为：（ （-）2 ）=∧4 3、例如计算2 3-
按键过程为：3∧ （ （-）2 ）= (注：此时结果显示的是小数，按ab/c 转换成分数) 4、例如计算3227 按键过程为：27∧（ 2 ab/c3 ）= 四、对数：常规计算器只有g l 即以10为底的对数，在计算时需用到换地公式 b a b c c a log log log = 例如计算：2log 8 按键过程为：log2 ÷ log8 = (注：此时结果显示的是小数，按ab/c 转换成分数) 五：开方 1、 计算 9 按键过程为： 9= 2、 计算38 按键过程为：SHIFT 3 8 = 3、 计算416 按键过程为：4 SHIFT x 16= 六、计算组合数：使用nCr 健 1、计算4 10c 按键过程为：10 nCr 4=
表面粗糙度符号及意义表面粗糙度高度参数的标注 符号意义及说明 R a R z、R y 代号意义 代号 意义 基本符号，表示表面可用任何方法获得。当不加注粗糙度参数值或有关说明（例如：表面处理、局部热处理状况等）时，仅适用于简化代号标注 用任何方法 获得的表面粗 糙度，R a的上限 值为3.2μm 用任何方法获 得的表面粗糙 度,R y的上限值 为3.2μm 用去除材料 方法获得的表 面粗糙度，R a 的上限值为3.2 μm 用不去除材料 方法获得的表面 粗糙度，R z的上 限值为200μm 基本符号加一 短划，表示表面是用去除材料的方法获得。例如：车、铣、钻、磨、剪、切、抛光、腐蚀、电火花加工、气剖等 用不去除材 料方法获得的 表面粗糙度，R a 的上限值为3.2 μm 用去除材料方 法获得的表面粗 糙度，R z的上限 值为3.2μm，下 限值为1.6μm 基本符号加一 小圆，表示表面是用不去除材料的方法获得。例如：铸、锻、冲压变形、热轧、冷轧、粉末冶金等。或者是用于保持原供应状况的表面（包括保持上道工序的状况） 用去除材料 方法获得的表 面粗糖度，R a 的上限值为3.2 μm，R a的下限 值为1.6μm 用去除材料方 法获得的表面粗 糙度，R a的上限 值为3.2μm，R y 的上限值为12.5 μm 用任何方法 获得的表面粗 糙度，R a的最大 值为3.2μm 用任何方法获 得的表面粗糙 度，R y的最大值 为3.2μm 在上述三个符 号的长边上均可加一横线，用于标注有关参数和说明 用去除材料 方法获得的表 面粗糙度，R a 的最大值为3.2 μm 用不去除材料 方法获得的表面 粗糙度，R y的最 大值为200μm
一、计算器使用的状态 对于两类计算器来说，使用的是数值计算，所采用的状态是十进制状态： 1、学生计算器（KDT科灵通科学计算器）：按模式键 第一次屏幕显示 第二次屏幕显示 按2次，再按1，则进入十进制计算状态，这时在屏幕上会出现D的标志。 2、普通计算器（价格10元以内）：按键 直接按键，依次在屏幕上会分别显示：DEG、RAD、GRAD，表示十进制、弧度、百分率。要选择DEG，即在屏幕上看到DEG的标志。 二、角度的输入与计算 两种计算器都可以进行角度的运算以及转换： 1、学生计算器（KDT （1 例如输入129°59′26″，操作如下： 输入1295926
这时屏幕的第二行显示：129°59°26°，说明已经将角度输入 （2）角度经过三角函数的计算之后，显示的角度是十进制，即129°59′26″屏幕上显示129.353336，这时需要将十进制的角度转换回六十进制。 按129.353336→129°59°26°。 2 （1）角度的输入：输入角度要以六十进制输入，度和分秒以小数点隔开， 可将六十进制的角度值转换成十进制，用于角度计算或三角函数计算。 具体操作如下：输入129.5926 这时屏幕上显示结果129.9905556，可以进行角度的加减或三角函数计算。 （2）计算结果显示：当角度计算完毕后，需要显示角度的结果，即六十进制的角度结果， 按 具体操作如下：129.9905556→按 这时屏幕上显示计算结果129.592600，可以将成果记录下来。 三、测量误差的精度评定（统计计算） 两种计算器都可以进行标准偏差统计计算： 1、学生计算器（KDT科灵通科学计算器）：在标准偏差统计模式下 （1）进入标准偏差统计计算模式：按 显示 ） 其中n x x2m，即中误差。
日本工业标准J I S标准—代号名称对照表【中文版】 招聘(广告) 管理提醒： 本帖被tuzi123执行锁定操作(2007-05-12) JISB0001ERRATUM1-2000机械工程技术制图(勘误1) JISB0001-2000机械工程技术制图 JISB0002-1-1998技术制图.螺纹和螺纹部件.第1部分:通用规范 JISB0002-2-1998技术制图.螺纹和螺纹部件.第2部分:螺纹嵌镶件 JISB0002-3-1998技术制图.螺纹和螺纹部件.第3部分:简化表示 JISB0003-1989齿轮的制图室实施规范 JISB0004-1995技术制图.弹簧画法 JISB0005-1-1999技术绘图.滚动轴承.第1部分:一般简化图解 JISB0005-2-1999技术绘图.滚动轴承.第2部分:细节简化图解 JISB0006-1993技术制图.花键和锯齿形花键的画法 JISB0011-1-1998技术制图.管道的简化表示法.第1部分:通则和正交表示法JISB0011-2-1998技术制图.管道的简化表示法.第2部分:等角投影 JISB0011-3-1998技术制图.管道的简化表示法.第3部分:通风和排水系统终端部件 JISB0021-1998产品几何量技术规范(GPS).几何公差.形状、方向、位置和偏转公差 JISB0022-1984几何公差的基准及基准系统 JISB0023-1996技术制图.几何公差.最大和最小的实体公差要求 JISB0024-1988技术制图.公差表示的基本原则 JISB0025-1998机械制图.几何公差.位置公差 JISB0026-1998技术制图.尺寸和公差.非钢性部件 JISB0027-2000技术制图.剖面的尺寸和公差表示 JISB0028-2000技术制图.尺寸和公差表示.锥形 JISB0029-2000技术制图.方向和位置的公差表示.突出公差带 JISB0031-2003产品几何量技术规范(GPS).技术产品文献表面结构标注方法JISB0041-1999技术绘图.中心孔简化图解 JISB0090-10-2001光学元件和系统图的绘制.第10部分:表示透镜元件数据的表JISB0090-11-2001光学元件和系统图的绘制.第11部分:不包含公差的数据JISB0090-1-2001光学元件和系统图的绘制.第1部分:总则 JISB0090-12-2001光学元件和系统图的绘制.第12部分:非球型表面 JISB0090-2-2001光学元件和系统图的绘制.第2部分:材料缺陷.应力双折射JISB0090-3-2001光学元件和系统图的绘制.第3部分:材料缺陷.起泡和杂质JISB0090-4-2001光学元件和系统图的绘制.第4部分:材料缺陷.不均匀和擦痕JISB0090-5-2001光学元件和系统图的绘制.第5部分:表面形式公差 JISB0090-6-2001光学元件和系统图的绘制.第6部分:中心校正公差 JISB0090-7-2001光学元件和系统图的绘制.第7部分:表面缺陷公差 JISB0090-8-2001光学元件和系统图的绘制.第8部分:表面结构
日本工业标准JIS标准—代号名称对照表【中文版】 招聘(广告) 管理提醒： 本帖被tuzi123执行锁定操作(2007-05-12) JISB0001ERRATUM1-2000机械工程技术制图(勘误1) JISB0001-2000机械工程技术制图 JISB0002-1-1998技术制图.螺纹和螺纹部件.第1部分:通用规范JISB0002-2-1998技术制图.螺纹和螺纹部件.第2部分:螺纹嵌镶件 JISB0002-3-1998技术制图.螺纹和螺纹部件.第3部分:简化表示JISB0003-1989齿轮的制图室实施规范 JISB0004-1995技术制图.弹簧画法 JISB0005-1-1999技术绘图.滚动轴承.第1部分:一般简化图解JISB0005-2-1999技术绘图.滚动轴承.第2部分:细节简化图解JISB0006-1993技术制图.花键和锯齿形花键的画法 JISB0011-1-1998技术制图.管道的简化表示法.第1部分:通则和正交表示法 JISB0011-2-1998技术制图.管道的简化表示法.第2部分:等角投影 JISB0011-3-1998技术制图.管道的简化表示法.第3部分:通风和排水系统终端部件 JISB0021-1998产品几何量技术规范(GPS).几何公差.形状、方
向、位置和偏转公差 JISB0022-1984几何公差的基准及基准系统 JISB0023-1996技术制图.几何公差.最大和最小的实体公差要求JISB0024-1988技术制图.公差表示的基本原则 JISB0025-1998机械制图.几何公差.位置公差 JISB0026-1998技术制图.尺寸和公差.非钢性部件 JISB0027-2000技术制图.剖面的尺寸和公差表示 JISB0028-2000技术制图.尺寸和公差表示.锥形 JISB0029-2000技术制图.方向和位置的公差表示.突出公差带JISB0031-2003产品几何量技术规范(GPS).技术产品文献表面结构标注方法 JISB0041-1999技术绘图.中心孔简化图解 JISB0090-10-2001光学元件和系统图的绘制.第10部分:表示透镜元件数据的表 JISB0090-11-2001光学元件和系统图的绘制.第11部分:不包含公差的数据 JISB0090-1-2001光学元件和系统图的绘制.第1部分:总则JISB0090-12-2001光学元件和系统图的绘制.第12部分:非球型表面 JISB0090-2-2001光学元件和系统图的绘制.第2部分:材料缺陷.应力双折射 JISB0090-3-2001光学元件和系统图的绘制.第3部分:材料缺陷.
表面处理 零件或构件在工作过程中，由于其表面的磨损、腐蚀和疲劳造成了十分惊人的经济损失，因而我们技术工作者用物理、化学、机械等方法来改变零构件表面的组织成分，即表面处理，获得要求的性能，以提高产品的可靠性或延长其寿命。 另外通过表面处理还可以充分发挥材料的潜力和节约能源，降低生产成本。所以设计者在进行零件、构件设计时应充分合理的选择各种表面处理。 今天在这里介绍常用金属的镀覆、化学、电化学处理层的表示方法，包括内容有：镀锌、镀铜、镀镍、镀镉、氧化、磷化、钝化等，按GB/T13911-1992的统一规定。技术工作者一定要注意到国家正处在向国际通行标准接轨，旧的标准不断修订，新的标准不断颁布。所以我们的图纸和技术文件努力把现行的最新国家标准贯彻到图中去，以跟上时代发展的步伐。 1、金属镀覆和化学处理表面方法用的各种符号 1）基体材料表示符号（常用基体材料） 材料名称符号 铁、铜Fe 铜、铜合金Cu 铝、铝合金Al 锌、锌合金Zn
镁、镁合金Mg 钛、钛合金Ti 塑料PL（国际通用缩写）金属材料化学元素符号表示：合金材料用其主要成分的化学元素符号表示，非金属材料用国际通用缩写字母表示。 2）镀覆方法处理方法表示符号： 方法名称符号（英文缩写） 电镀Ep 化学镀Ap 电化学处理Et 化学处理Ct 3）化学和电化学处理名称的表示符号 处理名称符号 钝化P（不能理解为元素符号磷） 氧化O 电解着色Ec 磷化Ph 阳极氧化 A 电镀锌铬酸盐处理 C a.电镀锌光亮铬酸盐处理C1A b.电镀锌彩虹铬酸盐处理C1B （漂白型）常用 c.电镀锌彩虹铬酸盐处理C2C （彩虹型）常用 d.电镀锌深色铬酸盐处理C2D (符号-C；分级1、2；类型:A.B.C.D） 2、金属镀覆和化学、电化学的表示方法（在图纸上的标记）
S H A R P科学计算器操作 手册 Final approval draft on November 22, 2020
SHARP科学计算器操作手册 介绍 感谢您购买SHARP型号为EL-W531/W531G/W531H/W531HA/W535的科学计算器。 关于一些计算示例(包括一些公式和表格)，可参阅手册背面。 使用时可查阅标题右侧的数字。 本手册使用后，请放置在方便的地方，以便以后参考。 注意： ·手册述及的某些型号可能未在某些国家销售。 ·本产品数字用点分节。 操作注意 ·不要在后面的衣袋里携带计算器，你坐下的时候有可能会折断它。显示屏是用易碎的玻璃制成的。 ·使计算器远离热源，诸如汽车仪表板、加热器。避免暴露在过分潮湿或尘埃的环境中。 ·本产品不防水，不要在水或其它液体可溅落到的地方使用或存放。 雨滴、喷雾、果汁、咖啡、蒸汽、汗液等，也有可能导致故障。 ·用干净柔软的织物擦拭，请勿使用湿布或溶剂。 ·勿抛掷或重压。 ·勿把电池掷于火中。 ·电池远离儿童可触及的地方。 。不要使用易碎或锋利的物品。注意，按压RESET开关后将会清除存储器中的所有数据。 ·首次使用时 ·更换电池后 ·为了清除所有存储内容时 ·当因意外情况导致所有按键不起作用时 如果计算器需要维修时，只能求助SHARP经销商、SHARP认定的维修工具或SHARP 当地售后服务点。 外盖 握住下图所示位置移除外盖。 显示 ·实际使用时，并非所有的符号都会同时显示。
·手册中的计算示例中只有指令用到的符号才会显示。 ：指示箭头所指方向还有内容没有显示出来。 ：当被按下时显示，表示橙色字体功能被激活。 ：指示被按下并且双曲线功能被激活。如果按下， “”显示，指示反双曲线功能被激活。 ：指示，或被按下，输入(调出)存储内容并且执行调出的统计表。 ：指示角度单位。 ：执行计算期间显示。 ：指标选择了WriteView编辑方式。 ：指示独立存储器中存储有一个数字值(M)。 ：通过SET UP菜单显示一个值并且可以改变，对应符号会显示出来。如设定为“NORM1”时显示屏上显示，设定为“NORM2”时显示。 计算器使用前 首次使用时，用笔尖或类似物品按压RESET开关(在背面)。 调节显示对比度 按下，然后用或调节对比度。按下退出调节。电源开关 按下电源打开。上次电源关闭时的数据会显示在显示屏上。按下关闭电源。 手册中用到的键盘符号 本手册中，键盘操作如下所述： 指定x e： 指定ln：
表面处理表示方法及选择应用 零件或构件在工作过程中，由于其表面的磨损、腐蚀和疲劳造成了十分惊人的经济损失，因而我们技术工作者用物理、化学、机械等方法来改变零构件表面的组织成分，即表面处理，获得要求的性能，以提高产品的可靠性或延长其寿命。 另外通过表面处理还可以充分发挥材料的潜力和节约能源，降低生产成本。所以设计者在进行零件、构件设计时应充分合理的选择各种表面处理。 今天在这里介绍常用金属的镀覆、化学、电化学处理层的表示方法，包括内容有：镀锌、镀铜、镀镍、镀镉、氧化、磷化、钝化等，按GB/T13911-1992的统一规定。技术工作者一定要注意到国家正处在向国际通行标准接轨，旧的标准不断修订，新的标准不断颁布。所以我们的图纸和技术文件努力把现行的最新国家标准贯彻到图中去，以跟上时代发展的步伐。 1、金属镀覆和化学处理表面方法用的各种符号 1）基体材料表示符号（常用基体材料） 材料名称符号 铁、钢Fe 铜、铜合金Cu 铝、铝合金Al 锌、锌合金Zn
镁、镁合金Mg 钛、钛合金Ti 塑料PL（国际通用缩写）金属材料化学元素符号表示：合金材料用其主要成分的化学元素符号表示，非金属材料用国际通用缩写字母表示。 2）镀覆方法处理方法表示符号： 方法名称符号（英文缩写） 电镀Ep 化学镀Ap 电化学处理Et 化学处理Ct 3）化学和电化学处理名称的表示符号 处理名称符号 钝化P（不能理解为元素符号磷）氧化O 电解着色Ec 磷化Ph 阳极氧化 A 电镀锌铬酸盐处理C a.电镀锌光亮铬酸盐处理C1A b.电镀锌彩虹铬酸盐处理C1B （漂白型）常用 c.电镀锌彩虹铬酸盐处理C2C （彩虹型）常用 d.电镀锌深色铬酸盐处理C2D (符号-C；分级1、2；类型:A.B.C.D）2、金属镀覆和化学、电化学的表示方法（在图纸上的标记）
取下和装上计算器保护壳 ?在开始之前 (1) 如图所示握住保护壳并将机体从保护壳抽出。 ?结束后 (2) 如图所示握住保护壳并将机体从保护壳抽出。 ?机体上键盘的一端必须先推入保护壳。切勿将显示屏的一端先推入保护壳。 使用注意事项 ?在首次使用本计算器前务请按5 键。 ?即使操作正常﹐MODEx。115MS/MODEx。570MS/MODEx。991MS 型计算器也必须至少每3 年更换一次电池。而MODEx。95MS/MODEx。100MS型计算器则须每2 年更换一次电池。电量耗尽的电池会泄漏液体﹐使计算器造成损坏及出现故障。因此切勿将电量耗尽的电池留放在计算器内。 ?本机所附带的电池在出厂后的搬运﹑保管过程中会有轻微的电源消耗。因此﹐其寿命可能会比正常的电池寿命要短。 ?如果电池的电力过低﹐记忆器的内容将会发生错误或完全消失。因此﹐对于所有重要的数据﹐请务必另作记录。 ?避免在温度极端的环境中使用及保管计算器。低温会使显示画面的反应变得缓慢迟钝或完全无法显示﹐同时亦会缩短电池的使用寿命。此外﹐应避免让计算器受到太阳的直接照射﹐亦不要将其放置在诸如窗边﹐取暖器的附近等任何会产生高温的地方。高温会使本机机壳褪色或变形及会损坏内部电路。 ?避免在湿度高及多灰尘的地方使用及存放本机。注意切勿将计算器放置在容易触水受潮的地方或高湿度及多灰尘的环境中。因如此会损坏本机的内部电路。 目录 取下和装上计算器保护壳 (1) 安全注意事项 (2) 使用注意事项 (3) 双行显示屏 (7) 使用前的准备 (7) k模式 (7) k输入限度 (8) k输入时的错误订正 (9) k重现功能 (9) k错误指示器 (9) k多语句 (10) k指数显示格式 (10) k小数点及分隔符 (11) k计算器的初始化 (11) 基本计算 (12) k算术运算 (12) k分数计算 (12) k百分比计算 (14) k度分秒计算 (15) kMODEIX, SCI, RND (15) 记忆器计算 (16)
SHARP科学计算器操作手册 介绍 感谢您购买SHARP型号为EL-W531/W531G/W531H/W531HA/W535的科学计算器。 关于一些计算示例(包括一些公式和表格)，可参阅手册背面。 使用时可查阅标题右侧的数字。 本手册使用后，请放置在方便的地方，以便以后参考。 注意： ·手册述及的某些型号可能未在某些国家销售。 ·本产品数字用点分节。 操作注意 ·不要在后面的衣袋里携带计算器，你坐下的时候有可能会折断它。显示屏是用易碎的玻璃制成的。 ·使计算器远离热源，诸如汽车仪表板、加热器。避免暴露在过分潮湿或尘埃的环境中。·本产品不防水，不要在水或其它液体可溅落到的地方使用或存放。 雨滴、喷雾、果汁、咖啡、蒸汽、汗液等，也有可能导致故障。 ·用干净柔软的织物擦拭，请勿使用湿布或溶剂。 ·勿抛掷或重压。 ·勿把电池掷于火中。 ·电池远离儿童可触及的地方。
只有在下列情况下，需要用笔尖或类似的物品按压RESET开关(在背面)。不要使用易碎或锋利的物品。注意，按压RESET开关后将会清除存储器中的所有数据。 ·首次使用时 ·更换电池后 ·为了清除所有存储内容时 ·当因意外情况导致所有按键不起作用时 如果计算器需要维修时，只能求助SHARP经销商、SHARP认定的维修工具或SHARP当地售后服务点。 外盖 握住下图所示位置移除外盖。 显示 ·实际使用时，并非所有的符号都会同时显示。 ·手册中的计算示例中只有指令用到的符号才会显示。 ：指示箭头所指方向还有内容没有显示出来。
：当被按下时显示，表示橙色字体功能被激活。 ：指示被按下并且双曲线功能被激活。如果按下， “”显示，指示反双曲线功能被激活。 ：指示，或被按下，输入(调出)存储内容并且执行调出的统 计表。 ：指示角度单位。 ：执行计算期间显示。 ：指标选择了WriteView编辑方式。 ：指示独立存储器中存储有一个数字值(M)。 ：通过SET UP菜单显示一个值并且可以改变，对应符号会显示出来。如设定为“NORM1”时显示屏上显示，设定为“NORM2”时显示。 计算器使用前 首次使用时，用笔尖或类似物品按压RESET开关(在背面)。 调节显示对比度 按下，然后用或调节对比度。按下退出调节。 电源开关 按下电源打开。上次电源关闭时的数据会显示在显示屏上。按下关闭 电源。 手册中用到的键盘符号 本手册中，键盘操作如下所述： 指定x e： 指定ln： 指定E： ·用橙色字体印刷在按键上方的功能，按下此键前需要先按下。当你指定存储器，先按下。输入的数字并非按键数字，而仅仅是普通数字。
表面处理零件或构件在工作过程中，由于其表面的磨损、腐蚀和疲劳造成了十分惊人的经济损失，因而我们技术工作者用物理、化学、机械等方法来改变零构件表面的组织成分，即表面处理，获得要求的性能，以提高产品的可靠性或延长其寿命。 另外通过表面处理还可以充分发挥材料的潜力和节约能源，降低生产成本。所以设计者在进行零件、构件设计时应充分合理的选择各种表面处理。 今天在这里介绍常用金属的镀覆、化学、电化学处理层的表示方法，包括内容有：镀锌、镀铜、镀镍、镀镉、氧化、磷化、钝化等，按GB/T13911-1992的统一规定。技术工作者一定要注意到国家正处在向国际通行标准接轨，旧的标准不断修订，新的标准不断颁布。所以我们的图纸和技术文件努力把现行的最新国家标准贯彻到图中去，以跟上时代发展的步伐。 1、金属镀覆和化学处理表面方法用的各种符号 1）基体材料表示符号（常用基体材料） 材料名称符号 铁、铜Fe 铜、铜合金Cu 铝、铝合金Al 锌、锌合金Zn 镁、镁合金Mg
钛、钛合金Ti 塑料PL（国际通用缩写） 金属材料化学元素符号表示：合金材料用其主要成分的化学元素符号表示，非金属材料用国际通用缩写字母表示。 2）镀覆方法处理方法表示符号： 方法名称符号（英文缩写） 电镀Ep 化学镀Ap 电化学处理Et 化学处理Ct 3）化学和电化学处理名称的表示符号 处理名称符号 钝化P（不能理解为元素符号磷） 氧化O 电解着色Ec 磷化Ph 阳极氧化A 电镀锌铬酸盐处理C a.电镀锌光亮铬酸盐处理C1A b.电镀锌彩虹铬酸盐处理C1B（漂白型）常用 c.电镀锌彩虹铬酸盐处理C2C（彩虹型）常用 d.电镀锌深色铬酸盐处理C2D
中小学生常用科学函数计算器使用说明书 取下和装上计算器保护壳 ?在开始之前 (1) 如图所示握住保护壳并将机体从保护壳抽出。 ?结束后 (2) 如图所示握住保护壳并将机体从保护壳抽出。 ?机体上键盘的一端必须先推入保护壳。切勿将显示屏的一端先推入保护壳。 使用注意事项 ?在首次使用本计算器前务请按 5 键。 ?即使操作正常﹐MODEx。115MS/MODEx。570MS/MODEx。991MS 型计算器也必须至少每3 年更换一次电池。而MODEx。95MS/MODEx。100MS型计算器则须每2 年更换一次电池。 电量耗尽的电池会泄漏液体﹐使计算器造成损坏及出现故障。因此切勿将电量耗尽的电池留放在计算器内。 ?本机所附带的电池在出厂后的搬运﹑保管过程中会有轻微的电源消耗。因此﹐其寿命可能会比正常的电池寿命要短。 ?如果电池的电力过低﹐记忆器的内容将会发生错误或完全消失。因此﹐对于所有重要的数据﹐请务必另作记录。 ?避免在温度极端的环境中使用及保管计算器。低温会使显示画面的反应变得缓慢迟钝或完全无法显示﹐同时亦会缩短电池的使用寿命。
此外﹐应避免让计算器受到太阳的直接照射﹐亦不要将其放置在诸如窗边﹐取暖器的附近等任何会产生高温的地方。高温会使本机机壳褪色或变形及会损坏内部电路。 ?避免在湿度高及多灰尘的地方使用及存放本机。注意切勿将计算器放置在容易触水受潮的地方或高湿度及多灰尘的环境中。因如此会损坏本机的内部电路。 目录 取下和装上计算器保护壳 (1) 安全注意事项 (2) 使用注意事项 (3) 双行显示屏 (7) 使用前的准备 (7) k模式 (7) k输入限度 (8) k输入时的错误订正 (9) k重现功能 (9) k错误指示器 (9) k多语句 (10) k指数显示格式 (10) k小数点及分隔符 (11) k计算器的初始化 (11) 基本计算 (12)