MOS 管驱动电流的估算
第一种:
可以使用如下公式估算：
Ig=Qg/Ton
其中：
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
td(on)：MOS 导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS 下降到其幅值90%的时间。 Tr ：上升时间。输出电压VDS 从90%下降到其幅值10%的时间
Qg=（CEI ）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet 中找到）
第二种：（第一种的变形）
密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/Ig ；
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg ；
Ig ：MOS 栅极驱动电流；Vb ：稳态栅极驱动电压；
第三种：
以IR 的IRF640为例，看DATASHEET 里有条Total Gate Charge 曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）假定你希望在0.2us 内使管子开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为0.4us ，由Qg=67nC 和0.4us 可得：67nC/0.4us=0.1675A ，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各0.2us 里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变慢。
主要内容转自 世纪电源网