木工机械质量检测
第一章绪论
1.说明产品的定义及其分类。
答：定义：产品是活动或过程的结果。分类：目前一般将产品分为四种类型，分
别是硬件、软件、流程性材料、服务。通过械加工或以机械加工为主要方法生产出来
的产品，称为机械产品。
2.质量与质量特性的概念以及质量特性主要内容有哪些?
答：质量：机械产品质量是指工程机械产品这一实体满足明确和隐含需要的能力
和特性的总和。质量特性：是指产品、过程或体系与要求有关的固有属性。质量特性包括：技术性能指标，可靠性，维修性，安全性，适应性，经济型，时间性，环境符合性。
3.什么是检验?
答：质量检验就是对产品、过程或服务的一种或多个特性进行测量、检查、验、
计量并将这些特性与规定的要求进行比较，做出接收(合格)或拒收(不合格)判别的过程。
4.质量检验的方式和方法有哪些?
答：检验方式有：按检验程序划分：进货检验、过程检验、最终检验；按检验地点划分：固定(集中)检验、就地检验、流动(巡回)检验；按检验目的划分：生产检验、验收检验、复查检验，仲裁检验；按检验数量划分：全数检验、抽样检验；按检验后果性质划分：非破坏性检验、破坏性检验；按检验人员划分：自我检验、互相检验、专职检验；按检验数据性质划分：计量值检验、计数值检验。质量检验方法通常分为：感官检验、器具检验、试验性使用检验三种。
5.产品质量检验的依据有哪些?
答：产品质量检验的依据是：国家法律和法规、技术标准、产品图样、工艺文件、明示担保和质量承诺、订货合同及技术协议。
6.如何提高检验人员的素质?
第二章材料性能检验
1.拉伸试验主要测定材料的哪些指标?
答：拉伸试验可测定材料的屈服极限σs、强度极限σ b、伸长率δ和截面收缩率ψ，这是最具有代表性的材料力学性能的四个指标。
2.以金属为代表的结构材料在拉伸加载下，其力学响应通常包括哪些主要过程；一般用什么曲线来表征这种响应；在典型曲线上的哪些主要强度和变形指标?
答：四个阶段：弹性阶段，屈服阶段，强化阶段，局部径缩阶段。曲线：力-位移曲线，应力-应变曲线
b点对应的应力σe称为弹性极限。其中的oa段表示应变与应力成正比，a点对应的应力称为比例极限σp。屈服极限σs。强化阶段中的最高点e对应的应力是材料所能承受的最大应力，称之为强度极限σb。
3.为什么压缩试验只用于脆性材料，而不用于塑性材料?
答：脆性材料在较小的拉应力下就被拉断，没有屈服和颈缩现象，拉断前的应变很小，延伸率也很小。对于塑性材料，只能压扁不能压破。
4硬度不是物理量，而为什么在工程中还要进行硬度测试?
答：用测量硬度的方法不会破坏零件即可得到该材料的强度数据。所以在工程检测中，测量材料的硬度是材料的力学性能指标测试中不可缺少的，而且也是简易的测试项目。
5.硬度试验分为几类，各类硬度试验的意义是什么?各种硬度试验方法得到的硬度值是否具有可比性，为什么?
答：硬度试验按试验方法的物理意义可分为刻划硬度、回跳硬度和压人硬度三大类。刻划硬度主要表征材料抵抗破裂的能力；回跳硬度(如肖氏硬度)主要表征材料弹性变形功的大小；压入硬度主要表征材料抵抗变形的能力。由此可见，硬度不是一种基本力学性能，对不同类型的硬度试验结果，分别和材料的断裂抵抗力、弹性比功和变形抵抗力相关。工程中应用最多的是压人硬度，其中包括布氏硬度、洛氏硬度、维氏硬度和显微硬度等。
6.HBS=125HBS10/1000/30的意义是什么?
答：HBS或HBW- 压头分别为淬火钢球或硬合金球测得的布氏硬度单位符号。如对某试样材料进行布氏硬度试验，施加的试验力为9.807kN(1000kgf)，钢球压头直
径为10mm，试验力保持时间为30s，测得其硬度值为125.34，则材料的布氏硬度
表达为：HBS=125HBS/1000/30。
7.有一洛氏硬度试验，采用A标尺组合，测得压痕深度变化量e为0.055 mm，则硬度为多少? （A标尺K=100）
答：硬度的计算公式为：HR=K-e。A标尺硬度为HRA，B标尺硬度为HRB， C
标尺硬度为HRC;….
8.冲击试验中通常都采用缺口试样，为什么？试验的性能指标主要反映试材料的什么
性能?
答：试样缺口的尺寸和表面粗糙度对试验结果有显著影响，所以缺口一般应铣削
和磨销加工，以保证试样尺寸。冲击试验所得性能指标没有明确的物理概念，所得性
能数值也不能用于对所测性能做定量评价或设计计算。但冲击试验简单方便，是最容
易获得材料动态性能的试验方法。
9.标准金属夏比冲击试验使用两种缺口试样，它们分别测定什么性能指标，两种缺口
的性能指标是否可比?
答：试样分为夏比U型缺口和夏比V型缺口冲击试样。对于u形缺口试样和V形缺口试样，都规定了两个性能指标，即冲击吸收功A k和冲击韧度a k。冲击吸收功为试样冲断时所吸收的功，U形缺口试样记为A ku，V形缺口试样记为A kv。冲击韧度为冲击吸收功除以试样缺口底部横载面面积的商，u形缺口试样记为a ku，V形缺口试样记为
a kv。
10.什么是疲劳、疲劳寿命、疲劳极限?
答：疲劳：工程结构在服役中，由于承受变动载荷而导致裂纹萌生和扩展以至断
裂失效的全过程称为疲劳；疲劳寿命：构件在变动载荷(应力)下工作时，载荷每重复
变化一次称为一次应力循环，重复变化的次数称为循环次数，材料破坏前经历的循环
次数称为疲劳寿命N；疲劳极限：在疲劳试验中，应力交变循环大至无限次而试样仍不
破损时的最大应力叫疲劳极限。
11.疲劳破坏的垒过程包括哪些阶段，金属材料疲劳破坏的主要特征是什么?
答：疲劳破坏的全过程包括：微裂纹的萌生、宏观裂纹的形成、裂纹的稳定发展、裂纹的失稳扩展直到破坏；主要特征：①导致疲劳破坏的应力水平低，疲劳极限低于
抗拉强度，甚至低于屈服强度，并且须经过多次应力循环，一般须经历数千次以至数
百万次后才失效。；②疲劳断裂后，不产生明显的塑性变形，而断裂； ③疲劳破坏对缺陷具有很大的敏感性，疲劳裂纹一般起源于零件高度应力集中的部分或表面缺陷处，如表面裂纹、软点、夹杂、急剧的转角过渡及刀痕等。
12.在图2-28中，σ0=575.5MPa ，σ1=546.7MPa ，σ2=519.4MPa ，
σ3=492.1MPa ，σ4=464.8MPa ，求其疲劳极限σ-1。
答： 13.什么是应力集中，应力集中对构件有什么影响?
答：因构件外形突然变化而引起局部应力急剧增大的现象，称为应力集中。用塑性材料制成的零件在静载作用下，可以不考虑应力集中的影响。对于脆性材料制成的零件，应力集中的危害性显得严重。截面尺寸改变得越急剧、角越尖、孔越小．应力集中的程度就越严重。因此，零件上应尽可能地避免带尖角的孔和槽，在阶梯轴的轴肩处要用圆弧过渡，而且在结构允许的范围内．应尽量使圆弧半径大一些。缺口的存在会引起应力集中而导致材料向脆性状态转化，从而使材料的力学性能发生变化。
14.简述残余应力产生的原因及残余应力对产品质量的影响?
答：机件或构件由于加工、装配和冷热的变化的影响，使机件或构件内部产生不容易消失的应力-残余应力。残余应力的存在对材料性能有一定的影响，其影响有好有坏。工程中可充分利用好的方面，消除有害的方面，使材料性能做到优化。残余应力影响机电产品精度的持久性。
15.断裂形式的三种基本类型是什么?哪种断裂最危险?
答：三种基本类型分别是I 型(张开型)断裂、Ⅱ型(滑开型)断裂和lll 型(撕开型)断裂；在这三种基本类型中，以I 型断裂最危险也最常见
16.断裂韧性测试中主要测试哪些指标?
答：常规力学性能指标如强度极限、比例(弹性)极限、伸长率和冲击韧性。
∑=-=+++=m i i i n n V n V V V n 1
221111)...(1σσσσσ
第一章 物理化学的定义，相变化（物质在熔点沸点间的转化） 物理化学的基本组成：1化学热力学（方向限度）2化学动力学（速率与机理）3结构化学 物理化学的研究方法、热力学方法、动力学方法、量子力学方法 系统、环境的定义。系统的分类：开放系统，封闭系统，隔离系统 系统的性质：强度性（不可加），广延性（可加）。系统的状态 状态函数及其性质：1单值函数2仅取决于始末态3全微分性质。 热力学能、热和功的定义 热分：潜热，显热。功分：膨胀功、非膨胀功。 热力学第一定律的两类表述：1第一类永动机不可制成。2封闭体系：能量可从一种形式转变为另一种形式，但转变过程中能量保持不变。、 恒容热、恒压热，焓的定义。PV U H def +≡ 恒容热：①封闭系统② W f =0 ③W e =0 恒压热：①封闭系统②W f =0 ③d p =0 理想气体的热力学能和焓是温度的函数。 C, C V , C V ,m ， C P , C P,m 的定义。 △u =n C V ,m (T 2-T 1) △H=n C P,m (T 2-T 1) C V ,m =a+bT+cT 2+…/ a+bT -1+cT -2 +… 单原子分子C V ,m = 23R C P ,m =25R 双原子分子C V ,m =25R C P ,m =2 7R γ单= 35 γ双=5 7 C P,m - C V ,m =R R=8.3145J ·mol -1·k -1 可逆过程定义及特点：①阻力与动力相差很小量②完成一个循环无任何功和热交换③膨胀过程系统对环境做最大功，压缩过程环境对系统做最小功 可逆过程完成一个循环 △u=0 ∑=0W ∑=0Q W 、 Q 、△u 、△H 的计算 ①等容过程：W =0 Q =△u △u=n C V ,m (T 2-T 1) △H=n C P,m (T 2-T 1) ②等压过程：W =-Pe(V 2-V 1) Q=△H △u=n C V ,m (T 2-T 1) △H=n C P ,m (T 2-T 1) ③等温过程：W=-nRTln 1 2V V Q=－W △u=△H=0 ④绝热可逆过程：W=n C V ,m (T 2-T 1) /?? ? ???? ?-??? ? ??--1112111γγv v v p Q=0 △u=n C V ,m (T 2-T 1) △H=n C P ,m (T 2-T 1) 21p p =(12v v )γ 21T T =(12v v )1-γ 21T T =(2 1p p ) γ γ1 - 相变化过程中△H 及△u 的计算△u=△H-P △V=△H-nRT 见书1-10 化学计量系数ν 化学反应进度??= B νB n ?（必与指定的化学反应方程对应） 化学反应热效应定义， 盖斯定律：一个化学反应，不管是一步完成或是经数步完成，反应的总标准摩尔焓变是相同的，即盖斯定律。 标准摩尔反应焓变：)(H m T r θ ?= ∑B B θν m H （B ，,β T ） 化学反应θ m H r ?的计算：1 )(H m T r θ ?= ∑?B B θν m f H （B ，,β T ） θ m f H ?：在温度为T ，
Allegro元件封装(焊盘)制作方法总结 ARM+Linux底层驱动 2009-02-27 21:00 阅读77 评论0 字号：大中小 https://www.doczj.com/doc/235783438.html,/html/PCBjishu/2008/0805/3289.html 在Allegro系统中，建立一个零件（Symbol）之前，必须先建立零件的管脚（Pin）。元件封装大体上分两种，表贴和直插。针对不同的封装，需要制 作不同的Padstack。 Allegro中Padstack主要包括以下部分。 1、PAD即元件的物理焊盘 pad有三种： 1. Regular Pad，规则焊盘（正片中）。可以是：Circle 圆型、S quare 方型、Oblong 拉长圆型、Rectangle 矩型、Octagon 八 边型、Shape形状（可以是任意形状）。 2. Thermal relief 热风焊盘（正负片中都可能存在）。可以是： Null（没有）、Circle 圆型、Square 方型、Oblong 拉长圆型、 Rectangle 矩型、Octagon 八边型、flash形状（可以是任意形 状）。 3. Anti pad 抗电边距（负片中使用），用于防止管脚与其他的网 络相连。可以是：Null（没有）、Circle 圆型、Square 方型、 Oblong 拉长圆型、Rectangle 矩型、Octagon 八边型、Shape形 状（可以是任意形状）。 2、SOLDERMASK：阻焊层，使铜箔裸露而可以镀涂。 3、PASTEMASK：胶贴或钢网。 4、FILMMASK：预留层，用于添加用户需要添加的相应信息，根据需要使用。 表贴元件的封装焊盘，需要设置的层面及尺寸： Regular Pad： 具体尺寸根据实际封装的大小进行相应调整后得到。推荐使用《IPC-SM-78 2A Surface Mount Design and Land Pattern Standard》中推荐的尺寸进行尺寸设计。同时推荐使用IPC-7351A LP Viewer。该软件包括目前常用的大多数S
? ? +?? ? +?? ?? c??-?? ??c J? ? ?? tc-? ?? ? -? ""1*? t ???" ? ? ( ) ? ) ? d e ? -? t ? ? " ? ? "" $ ? ) " ? -?) ?? ?? ?$ ? - $ - + 8 -? " ? ? ? Z ? - ) ? ? )? c (??? 1 +?? $ ) 6? t +-? ? ? ?) ( ǎ ?- ? ? - ? ? ? ? ??? ? ? ? J ? ? +Χ ? ? ? ! ??? ? ? +Χ? ( + " ? ( ? " # $ ? ? ? ? "? ( ? ?/_ ?? ??? _ L % ń & "L8 " & "? ' ?? ( ń ? /? ī 2 ? ( ?- ? ?? ? ? ???? ??ǒ- ? b ? P ? ? ?
??? ?Ρ) ??? ? ( ? ?? ? /? ? ??? / ? $?? ? ? 2 ?ū ě? ?/? <ī $?? ??ǒ-? ?) ?? ? ( ?? ? ? _ ! ? ?/?? /? ?? ?? $ #? +ǒ- ? %W ? ? ? ?? Z ? " # /? ? Z J ? ?/?? 8 -? ? ? $ ?? ? %! ?? ?? Z Z ?ǒ- ??s ǒ-Φ #??s w 2 ?? Z ? -ǎ2" # & " '& "< "!??? ?? s ǒ- ? -? ? -s ǒ- ? - -ǎ? ? ( - ?/ / $ ?-?? ? ?-? %W ? ) ?- ?? ? * )) _
protel99se常用元件封装总结 1. 标准电阻：RES1、RES2；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 两端口可变电阻：RES3、RES4；封装：AXIAL-0.3到AXIAL-1.0 三端口可变电阻：RESISTOR TAPPED，POT1，POT2；封装：VR1-VR5 2.电容：CAP（无极性电容）、ELECTRO1或ELECTRO2（极性电容）、可变电容CAPVAR 封装：无极性电容为RAD-0.1到RAD-0.4，有极性电容为RB.2/.4到RB.5/1.0. 3.二极管：DIODE（普通二极管）、DIODE SCHOTTKY（肖特基二极管）、DUIDE TUNNEL（隧道二极管）DIODE VARCTOR （变容二极管）ZENER1~3（稳压二极管） 封装：DIODE0.4和DIODE 0.7;（上面已经说了，注意做PCB时别忘了将封装DIODE的端口改为A、K） 4.三极管：NPN，NPN1和PNP，PNP1；引脚封装：TO18、TO92A（普通三极管）TO220H（大功率三极管）TO3（大功率达林顿管） 以上的封装为三角形结构。T0-226为直线形，我们常用的9013、9014管脚排列是直线型的，所以一般三极管都采用TO-126啦！ 5、效应管：JFETN（N沟道结型场效应管），JFETP（P沟道结型场效应管）MOSFETN（N沟道增强型管）MOSFETP（P 沟道增强型管） 引脚封装形式与三极管同。 6、电感：INDUCTOR、INDUCTOR1、INDUCTOR2（普通电感），INDUCTOR VAR、INDUCTOR3、INDUCTOR4（可变电感） 8.整流桥原理图中常用的名称为BRIDGE1和BRIDGE2，引脚封装形式为D系列，如D-44，D-37，D-46等。 9.单排多针插座原理图中常用的名称为CON系列，从CON1到CON60，引脚封装形式为SIP系列，从SIP-2到SIP-20。 10.双列直插元件原理图中常用的名称为根据功能的不同而不同，引脚封装形式DIP系列， 不如40管脚的单片机封装为DIP40。 11.串并口类原理图中常用的名称为DB系列，引脚封装形式为DB和MD系列。 12、晶体振荡器：CRYSTAL；封装：XTAL1 13、发光二极管：LED；封装可以才用电容的封装。（RAD0.1-0.4） 14、发光数码管：DPY；至于封装嘛，建议自己做！ 15、拨动开关：SW DIP；封装就需要自己量一下管脚距离来做！ 16、按键开关：SW-PB：封装同上，也需要自己做。 17、变压器：TRANS1——TRANS5；封装不用说了吧？自己量，然后加两个螺丝上去。 最后在说说PROTEL 99 的原理图库吧！ 常用元器件都在protel DOS schematic Libraries.ddb里 此外还有protel DOS schematic 4000 CMOS (4000序列元件) protel DOS schematic Analog digital (A/D,D/A转换元件) protel DOS schematic Comparator （比较器，如LM139之类） protel DOS schematic intel (Intel 的处理器和接口芯片之类) 电阻：RES1，RES2，RES3，RES4；封装属性为axial系列 无极性电容：cap; 封装属性为RAD-0.1到rad-0.4 电解电容：electroi; 封装属性为rb.2/.4到rb.5/1.0
物理化学实验（南京大学出版社）课后思考题总结——网络收集仅供参考液体饱和蒸汽压的测定----静态法 课内思考题： 1答：分情况，测定过程中溶剂挥发溶液的浓度发生变化，则不能测;但是对于难溶物的饱和溶液或者恒沸物等可以使用本方法测定。 2答：蒸汽温度越高相对的测量器具温度同样会升高从而改变测量器具的物理特性使测量器具内部金属硬度降低延展性增加等等从而使 测量值改变 燃烧热的测定 1实验中哪些是体系？哪些是环境？实验过程中有无热损耗？这些热损耗对实验结果有无影响？ 答：内桶和氧弹作为体系，而外桶作为环境。实验过程中有热损耗，有少量热量从内桶传到外桶，使得内桶水温比理论值低，而使得燃烧焓偏低。 2水桶中的水温为什么要选择比外筒水温低？低多少合适？为什么？答案：为了减少热损耗，因反应后体 系放热会使内筒的温度升高，使体系与环境的温度差保持较小程度，体系的热损耗也就最少。低1度左右合适，因这个质量的样品燃烧后，体系放热会使内筒的温度升高大概2度左右，这样反应前体系比环境低1 度，反应后体系比环境高1 度，使其温差最小，热损耗最小。 3找找总会有。（1）实验过程中搅拌太慢或太快；（2）引火丝和药片之间的距离; (3)药片没有干燥；（4）搅拌时有摩擦；（5）压片时或松或紧 应从以上方面考虑，实验过程中匀速搅拌，引火丝和药片之间的距离要小于5mm或接触，但不能碰到燃烧皿，记住药片一定要干燥，保证燃烧完全，搅拌式不能有摩擦，而且压片时，压力要适中等等。 T----X图 1蒸馏器中收集气相冷凝液的袋状部的大小对结果有何影响？ 答：若冷凝管下方的凹形贮槽体积过大，则会贮存过多的气相冷凝液，其贮量超过了热相平衡原理所对应的气相量，其组成不再对应平衡的气相组成，因此必然对相图的绘制产生影响。 2该实验中，测定工作曲线时折射仪的恒温温度与测 定样品时折射仪的恒温温度是否需要保持一致？为 什么？ 答：因溶液的折射率是温度的函数，温度不同，折射率不同，因此，二者的温度必须一致。 3过热现象对实验产生什么影响？如何在实验中尽可能避免？ 答：如果产生过热现象，会使液相线上移，相区变窄；可通过 加入沸石的方法消除，加入时，应少量多次，防止沸石失效。 成。另外，气相和液相取样量较多，也影响溶液的组成。 4本实验的误差主要来源有哪些？ 答：组成测量：(1)工作曲线；(2)过热现象、分馏效应；(3)取样量。 温度测量：(1)加热速度；(2)温度计校正。蔗糖水解速率常数的测定 1蔗糖的转化速率常数k 与哪些因素有关？ 答：温度、催化剂浓度。 2在测量蔗糖转化速率常数的，选用长的旋光管好？还是短的旋光管好？ 答：选用较长的旋光管好。根据公式〔α〕＝α×1000/Lc，在其它条件不变情况下，L越长，α越大，则α的相对测量误差越小。 3如何根据蔗糖、葡萄糖和果糟的比旋光度计算α0和α∞? 答：α0＝〔α蔗糖〕D t℃L[蔗糖]0/100 α∞＝〔α葡萄糖〕D t℃L[葡萄糖]∞/100＋〔α果糖〕D t℃L[果糖]∞/100 式中：[α蔗糖]D t℃，[α葡萄糖]D t℃，[α果糖]D t℃分别表示用钠黄光作光源在t℃时蔗糖、葡萄糖和果糖的比旋光度，L(用dm表示)为旋光管的长度，[蔗糖]0为反应液中蔗糖的初始浓度，[葡萄糖]∞和[果糖]∞表示葡萄糖和果糖在反应完成时的浓度。 设t＝20℃L=2 dm [蔗糖]0=10g/100mL 则： α0＝66.6×2×10/100＝13.32° α∞＝×2×10/100×（52.2-91.9）＝－3.94° 4、试分析本实验误差来源？怎样减少实验误差？ 答：温度、光源波长须恒定、蔗糖溶液要现用现配。 1、实验中，为什么用蒸馏水来校正旋光仪的零点？在 蔗糖转化反应过程中，所测的旋光度αt 是否需要零 点校正？为什么？ 答：(1)因水是溶剂且为非旋光性物质。 (2)不需，因作lg(αt-α∞)～t 图，不作零点校正，对计算反应速度常数无影响。 2、蔗糖溶液为什么可粗略配制？ 答：因该反应为(准)一级反应，而一级反应的速率常数、半衰期与起始浓度无关，只需测得dC/dt 即可。 4、试分析本实验误差来源？怎样减少实验误差？ 答：温度、光源波长须恒定、蔗糖溶液要现用现配。 BZ振荡 1．影响诱导期的主要因素有哪些？ 答：影响诱导期的主要因素有反应温度、酸度和反应物的浓度。温度、酸度、催化剂、离子活性、各离子的浓度2．本实验记录的电势主要代表什么意思？与Nernst方程求得的电位有何不同？ 答：本实验记录的电势是Pt丝电极与参比电极（本实验是甘汞电极）间的电势,而Nernst方程求得的电位是电极相对于标准电极的电势，它反映了非标准电极电势和标准电极电势的关系。 ()℃ 果糖 ℃ 葡萄糖 〕 α 〕 〔α 蔗糖 t D t D 0[ 100 ] L[ 2 1 + =
填空题 第一章 第二章 常用的通用机制。 的系统功能的模型图。 (5) 并 且它是独立的对象为中心进行描述。 第三章 (1)Rational Rose默认支持的目标语言主要包括C++，C#） ,它是为了便于理解系统如何在一组处 (3)使用R ational Rose 库、执行文件、运行库和其他构件等信息。 (3)在UML 第五章 1 （2）包的可见性关键字包括 （3 （4
三层结构。 （5 第六章 (1) 例图。 (3) (4) 第七章 (1)在UML时 (2) (4) (5) 第八章 表示一个程序或工作流，常用于计算机流程和工作流程建模。 每一组表示一个特定的类、人或部门、他们完成组内的活动。 第九章 1.uml的交互图中，强调对象之间关系和消息传递的是（协作图）。 2.（结构图）的作用体现在显示对象及其交互关系的空间组织结构。 3.在协作图中的（链）是两个或多个对象之间的（连接）关联的实例。 4.uml中，对象行为是对象间为完成某一目的而进行的一系列消息传递，消息序列可用（顺序号）和（消息的名称）来表示。 5. uml中的协作图强调的是交互对象的整体结构，是按照（空间结构）进行布图。 第十章 2 4在uml中 的图。
第十一章 1.填空题 理实现。 （2）在UML （3 （4 资源建模。 第十二章 1.填空题 的集合。 (2)Rational在每一次迭代中以不同的重点和强度重复。 (3) 解决方案的软件开发方式。 (5)Rational 选择题 第一章 (1) 对象程序的基本特征是（ABCD） A.抽象 B.封装 C.继承 D.多态 (2)类包含的要素有（ABC） A.名字 B.属性 C.操作 D.编号 (3)下列关于类与对象的关系说法不正确的是（A） A.有些对象是不能被抽象成类的
物理化学上册公式总结 第一章.气体 一、理想气体适用 ①波义耳定律：定温下，一定量的气体，其体积与压力成反比 pV=C ②盖·吕萨克定律：对定量气体，定压下，体积与T成正比 V t=C`T ③阿伏伽德罗定律：同温同压下，同体积的各种气体所含分子数相同。 ④理想气体状态方程式 pV=nRT 推导：气体体积随压力温度和气体分子数量改变，即： V=f（p,T,N） 对于一定量气体，N为常数dN=0，所以 dV=（?V/?p）T,N dp+（?V/?T）p,N dT 根据波义耳定律，有V=C/P，∴（?V/?p）T,N=-C/p2=-V/p 根据盖·吕萨克定律，V=C`T，有（?V/?T）p,N=C`=V/T 代入上式，得到 dV/V=-dp/p+dT/T 积分得 lnV+lnp=lnT+常数
若所取气体为1mol，则体积为V m，常数记作lnR，即得 pV m=RT 上式两边同时乘以物质的量n，则得 pV=nRT ⑤道尔顿分压定律：混合气体的总压等于各气体分压之和。 ⑥阿马格分体积定律：在一定温度压力下，混合气体的体积等于组成该气体的各组分分体积之和。 ⑦气体分子在重力场的分布 设在高度h处的压力为p，高度h+dh的压力为p-dp，则压力差为 dp=-ρgdh 假定气体符合理想气体状态方程，则ρ=Mp/RT，代入上式， -dp/p=Mgdh/RT 对上式积分，得lnp/p0=-Mgh/RT ∴p=p0exp（-Mgh/RT） ρ=ρ0exp（-Mgh/RT）或n=n0exp（-Mgh/RT） 二、实际气体适用 ①压缩因子Z Z=pV m/RT 对于理想气体，Z=1，对实际气体，当Z大于1，表明同温度同压力下，实际气体体积大于理想气体方程计算所得结果，即实际气体的可压缩性比理想气体小。当Z小于1，情况则相反。 ②范德华方程式
常用电子元件封装、尺寸、规格汇总 贴片电阻规格 贴片电阻常见封装有9种，用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA(美国电子工业协会)代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。我们常说的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。下表列出贴片电阻封装英制和公制的关系及详细的尺寸： 贴片元件的封装 一、零件规格: (a)、零件规格即零件的外形尺寸，SMT发展至今，业界为方便作业，已经形成了一个标准零件系列，各家零件供货商皆是按这一标准制造。 标准零件之尺寸规格有英制与公制两种表示方法，如下表 英制表示法1206 0805 0603 0402 公制表示法3216 2125 1608 1005 含义 L:1.2inch(3.2mm)W:0.6inch(1.6mm) L:0.8inch(2.0mm)W:0.5inch(1.25mm) L:0.6inch(1.6mm)W:0.3inch(0.8mm) L:0.4inch(1.0mm)W:0.2inch(0.5mm) 注： a、L（Length）：长度；W（Width）：宽度；inch：英寸 b、1inch=25.4mm
（b）、在(1)中未提及零件的厚度，在这一点上因零件不同而有所差异，在生产时应以实际量测为准。 （c）、以上所讲的主要是针对电子产品中用量最大的电阻（排阻）和电容（排容），其它如电感、二极管、晶体管等等因用量较小，且形状也多种多样，在此不作讨论。 （d）、SMT发展至今，随着电子产品集成度的不断提高，标准零件逐步向微型化发展，如今最小的标准零件已经到了0201。 二、常用元件封装 1）电阻： 最为常见的有0805、0603两类，不同的是，它可以以排阻的身份出现，四位、八位都有，具体封装样式可参照MD16仿真版，也可以到设计所内部PCB库查询。 注： ABCD四类型的封装形式则为其具体尺寸,标注形式为L X S X H 1210具体尺寸与电解电容B类3528类型相同 0805具体尺寸：2.0 X 1.25 X 0.5（公制表示法） 1206具体尺寸：3.0 X 1.5 0X 0.5（公制表示法） 2）电阻的命名方法 1、5%精度的命名：RS – 05 K 102 JT 2、1％精度的命名：RS – 05 K 1002 FT R －表示电阻 S －表示功率 0402是1/16W、 0603是1/10W、 0805是1/8W、 1206是1/4W、 1210是1/3W、 1812是1/2W、 2010是3/4W、 2512是1W。 05 －表示尺寸(英寸)： 02表示0402、 03表示0603、 05表示0805、 06表示1206、 1210表示1210、 1812表示1812、 10表示1210、 12表示2512。 K －表示温度系数为100PPM。 102 －5％精度阻值表示法： 前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝1000Ω＝1KΩ。1002 是1％阻值表示法：
物化实验总结与心得 闽江学院化学与化学工程系120101202242 朱家林 时间过的很快，一个学期的物化实验已经结束了。经过一个学期的物化实验的学习，学到了很多专业知识和实验基本操作，以及很多做人做事的技巧和态度。物化实验是有用的，也是有趣的，物理化学实验涉及到了化学热力学、化学动力学、电化学、表面化学。一下，简单的回顾一下本学期的十四个物化实验。 实验一、燃烧热的测定 用氧弹卡计测定萘的燃烧热；了解恒压燃烧热与恒容燃烧热的区别；了解卡计中主要部分的作用。掌握卡计的实验技术；学会用雷诺图解法校正温度变化。热是一个很难测定的物理量，热量的传递往往表现为温度的改变。而温度却很容易测量。如果有一种仪器，已知它每升高一度所需的热量，那么，我们就可在这种仪器中进行燃烧反应，只要观察到所升高的温度就可知燃烧放出的热量。根据这一热量我们便可求出物质的燃烧热。试验中要注意：压片时应将Cu-Ni合金丝压入片内；氧弹充完氧后一定要检查确信其不漏气，并用万用表检查两极间是否通路；将氧弹放入量热仪前，一定要先检查点火控制键是否位于“关”的位置。点火结束后，应立即将其关上。氧弹充氧的操作过程中，人应站在侧面，以免意外情况下弹盖或阀门向上冲出，发生危险。 实验二、液体饱和蒸汽压的测定 明确纯液体饱和蒸气压的定义和气液两相平衡的概念，深入了解纯液体饱和蒸气压和温度的关系棗克劳修斯-克拉贝龙方程式；用等压计测定不同温度下苯的饱和蒸气压。初步掌握真空实验技术；学会用图解法求被测液体在实验温度范围内的平均摩尔气化热与正常沸点。测定前必须将平衡管a,b段的空气驱赶净。冷却速度不应太快，否则测得的温度将偏离平衡温度。如果实验过程中，空气倒灌，则实验必须重做。在停止实验时，应该缓慢地先将三通活塞打开，使系统通大气，再使抽气泵通大气（防止泵中油倒灌），然后切断电源，最后关闭冷却水，使装置复原
《浙江大学优秀实习总结汇编》 电子封装技术岗位工作实习期总结 转眼之间，两个月的实习期即将结束，回顾这两个月的实习工作，感触很深，收获颇丰。这两个月，在领导和同事们的悉心关怀和指导下，通过我自身的不懈努力，我学到了人生难得的工作经验和社会见识。我将从以下几个方面总结电子封装技术岗位工作实习这段时间自己体会和心得： 一、努力学习，理论结合实践，不断提高自身工作能力。 在电子封装技术岗位工作的实习过程中，我始终把学习作为获得新知识、掌握方法、提高能力、解决问题的一条重要途径和方法，切实做到用理论武装头脑、指导实践、推动工作。思想上积极进取，积极的把自己现有的知识用于社会实践中，在实践中也才能检验知识的有用性。在这两个月的实习工作中给我最大的感触就是：我们在学校学到了很多的理论知识，但很少用于社会实践中，这样理论和实践就大大的脱节了，以至于在以后的学习和生活中找不到方向，无法学以致用。同时，在工作中不断的学习也是弥补自己的不足的有效方式。信息时代，瞬息万变，社会在变化，人也在变化，所以你一天不学习，你就会落伍。通过这两个月的实习，并结合电子封装技术岗位工作的实际情况，认真学习的电子封装技术岗位工作各项政策制度、管理制度和工作条例，使工作中的困难有了最有力地解决武器。通过这些工作条例的学习使我进一步加深了对各项工作的理解，可以求真务实的开展各项工作。 二、围绕工作，突出重点，尽心尽力履行职责。 在电子封装技术岗位工作中我都本着认真负责的态度去对待每项工作。虽然开始由于经验不足和认识不够，觉得在电子封装技术岗位工作中找不到事情做，不能得到锻炼的目的，但我迅速从自身出发寻找原因，和同事交流，认识到自己的不足，以至于迅速的转变自己的角色和工作定位。为使自己尽快熟悉工作，进入角色，我一方面抓紧时间查看相关资料，熟悉自己的工作职责，另一方面我虚心向领导、同事请教使自己对电子封装技术岗位工作的情况有了一个比较系统、全面的认知和了解。根据电子封装技术岗位工作的实际情况，结合自身的优势，
Cadence 封装尺寸总结 1、 表贴IC a ）焊盘 表贴IC 的焊盘取决于四个参数：脚趾长度W ，脚趾宽度Z ，脚趾指尖与芯片中心的距离D ，引脚间距P ，如下图： 焊盘尺寸及位置计算：X=W+48 S=D+24 Y=P/2+1，当P<=26mil 时 Y=Z+8，当P>26mil 时 b ）silkscreen 丝印框与引脚内边间距>=10mil ，线宽6mil ，矩形即可。对于sop 等两侧引脚的封装，长度边界取IC 的非引脚边界即可。丝印框内靠近第一脚打点标记，丝印框外，第一脚附近打点标记，打点线宽视元件大小而定，合适即可。对于QFP 和BGA 封装（引脚在芯片底部的封装），一般在丝印框上切角表示第一脚的位置。 c ）place bound 该区域是为防止元件重叠而设置的，大小可取元件焊盘外边缘以及元件体外侧+20mil 即可，线宽不用设置，矩形即可。即，沿元件体以及元件焊盘的外侧画一矩形，然后将矩形的长宽分别+20mil 。 d ）assembly 该区域可比silkscreen 小10mil ，线宽不用设置，矩形即可。对于外形不规则的器件，assembly 指的是器件体的区域（一般也是矩形），切不可粗略的以一个几乎覆盖整个封装区域的矩形代替。 PS ：对于比较确定的封装类型，可应用LP Wizard 来计算详细的焊盘尺寸和位置，再得到焊盘尺寸和位置的同时还会得到silkscreen 和place bound 的相关数据，对于后两个数据，可以采纳，也可以不采纳。
2、通孔IC a）焊盘 对于通孔元件，需要设置常规焊盘，热焊盘，阻焊盘，最好把begin层，internal层，bottom 层都设置好上述三种焊盘。因为顶层和底层也可能是阴片，也可能被作为内层使用。 通孔直径：比针脚直径大8-20mil，通常可取10mil。 常规焊盘直径：一般要求常规焊盘宽度不得小于10mil，通常可取比通孔直径大20mil （此时常规焊盘的大小正好和花焊盘的内径相同）。这个数值可变，通孔大则大些，比如+20mil，通孔小则小些，比如+12mil。 花焊盘直径：花焊盘内径一般比通孔直径大20mil。花焊盘外径一般比常规焊盘大20mil （如果常规焊盘取比通孔大20mil，则花焊盘外径比花焊盘内径大20mil）。这两个数值也是可以变化的，依据通孔大小灵活选择，通孔小时可取+10-12mil。 阻焊盘直径：一般比常规焊盘大20mil，即应该与花焊盘外径一致。这个数值也可以根据通孔大小调整为+10-12mil。注意需要与花盘外径一致。 对于插件IC，第一引脚的TOP（begin）焊盘需要设置成方形。 b) Silkscreen 与表贴IC的画法相同。 c) Place bound 与表贴IC的画法相同。 d) Assembly 与表贴IC的画法相同。 3、表贴分立元件 分立元件一般包括电阻、电容、电感、二极管、三极管等。 对于贴片分立元件，封装规则如下： a）焊盘 表贴分立元件，主要对于电阻电容，焊盘尺寸计算如下：
物化实验心得 大三上个学期快接近尾声了，物化实验已结束两周了。回想起物化实验的日子，感慨颇多，感觉自己也收获了不少。 物化实验让我学到了在课堂上学不到的知识。打个譬如吧，在每次做完物化实验之后，我们都要对实验数据进行处理，在处理数据时，我们要用到Origin 软件，通过物化这一系列的实验，我们初步地掌握了常用的Origin软件的知识，对我们日后使用Origin软件打下了基础。同时，在处理数据时，还要用到Excel 软件，Word软件。通过对这些软件的操作，对我们日后更快捷、准确地处理数据，提高工作效率奠定了基础。 物化实验让我认识到了团队合作的重要性。这一点，我感慨颇深。打个譬如吧，在物化实验中，我们班的全体同学就相当于一个团队。每次实验，我们班的同学不是做同一个实验，而是每个小组各有各的实验。在开学刚开始，我们每个小组被安排了一个要负责的实验，在每次做实验时，有不同的组要做我们负责的实验，这时，在他们做我们这个实验之前，一些注意事项，实验流程就要求我们给他们讲解，这样，
对他们解决实验中遇到的问题，顺利完成实验提供了不少帮助，同时，在我们做他们实验之前，他们这组也会跟我们讲做他们实验时要注意的事项，实验流程，这对我们顺利完成实验提供了不少帮助，这样就用不着老师为了解决学生在实验过程中遇到的问题跑来跑去，节省了老师的时间，提高了工作效率。 物化实验让我们培养了动手的能力。在做各个物化实验时，虽然是一个组做一个实验，但是，每次实验，我们每个人还是要自己动手做实验的，在做实验的过程中，我们要学会如何安装仪器，如何使用仪器，这样就逐渐培养了我们动手的能力。 物化实验中存在创新实验环节，让我们学会了如何去发现问题，分析问题，解决问题。如我们那组负责的实验是双液系的气液平衡相图，在做这个实验中，我们发现，气相成分采集的比较少，恒温水浴槽的恒温效果不怎么好，沸点很难把握等一系列的问题，通过分析问题，我们会提出了各种大胆的猜想，尝试着去解决实验中存在的种种问题，以求更好地完善实验。这样，让我们学会了如何去发现问题，分析问题，解决问题。这样，对我们日后更好地解决工作中、生活中存在的问题起到积极的作用。 物化实验让我认识到自己和班上的同学之间还存
常用元器件及元器件封装总结 一、元器件封装按照安装的方式不同可以分成两大类。(1) 直插式元器件封装直插式元器件封装的焊盘一般贯穿整个电路板，从顶层穿下，在底层进行元器件的引脚焊接，如图所示。 典型的直插式元器件及元器件封装如图所示。 (2)表贴式元器件封装。表贴式的元器件，指的是其焊盘只附着在电路板的顶层或底层，元器件的焊接是在装配元器件的工作层面上进行的，如图所示。
典型的表贴式元器件及元器件封装如图所示。在PCB元器件库中，表贴式的元器件封装的引脚一般为红色，表示处在电路板的顶层(TopLayer)。在PCB元器件库中，表贴式的元器件封装的引脚一般为红色，表示处在电路板的顶层（Top Layer）。 二、常用元器件的原理图符号和元器件封装 在设计PCB的过程中，有些元器件是设计者经常用到的，比如电阻、电容以及三端稳压源等。在Protel 99 SE中，同一种元器件虽然相同电气特性，但是由于应用的场合不同而导致元器件的封装存在一些差异。前面的章节中已经讲过，电阻由于其负载功率和运用场合不同而导致其元器件的封装也多种多样，这种情况对于电容来说也同样存在。因此，本节主要向读者介绍常用元器件的原理图符号和与之相对应的元器件封装，同时尽量给出一些元器件的实物图，使读者能够更快地了解并掌握这些常用元器件的原理图符号和元器件封装。(1)、电阻。电阻器通常简称为电阻，它是一种应用十分广泛的电子元器件，其英文名字为“Resistor”，缩写为“Res”。电阻的种类繁多，通常分为固定电阻、可变电阻和特种电阻3大类。固定电阻可按电阻的材料、结构形状及用途等进行多种分类。电阻的种类虽多，但常用的电阻类型主要为RT型碳膜电阻、RJ型金属膜电阻、RX型线绕电阻和片状电阻等。固定电阻的原理图符号的常用名称是“RES1”和“RES2”，如图F1-5（a）所示。常用的引脚封装形式为AXIAL系列，包括AXIAL-0.3、AXIAL-0.4、AXIAL-0.5、AXIAL-0.6、AXIAL-0.7、AXIAL-0.8、AXIAL-0.9和AXIAL-1.0等封装形式，其后缀数字代表两个焊盘的间距，单位为“英寸”，如图F1-5（b）所示。常用固定电阻的实物图如图F1-5（c）所示。
绪言 物理化学是化学与化工专业的一门必修核心基础理论课。化学反应常伴随有物理变化，物理因素也可以引起或影响化学变化过程。物理化学是从物质的物理现象和化学现象的联系入手，应用物理学的基本原理与实验方法，如力、热、光、电、磁等，研究化学变化基本规律的科学。物理化学还为化学的其它分支科学提供基本理论与方法。学习物理化学的目的在于打下扎实的化学理论基础，增强分析和解决实际化学问题的能力，加深对无机化学、有机化学、分析化学等课程的理解，为仪器分析、化工热力学、化工原理、化学反应工程、催化化学、应用电化学等课程的学习提供必要的基础知识。物理化学是化学与化工及某些相关专业硕士研究生入学的必考科目之一。 1物理化学课程的基本内容 物理化学可分成以下三个主要部分：化学热力学、化学动力学、物质结构。其中物质结构已单独设课讲授。主要内容有： （一）热力学第一定律及其应用 核心提示：能量守恒与转化定律在热力学、热化学(主要涉及内能、热与功)中的应用。 主要内容：(1)热力学方法的特点和局限性；(2)体系与环境、强度性质与广度性质、可逆过程与不可逆过程、状态、状态函数、状态方程式、过程方程式、过程、途径、功、热、内能、焓、热容、反应进度、热效应、焦耳(Joule)-汤姆逊(Thomson)效应等热力学基本概念；(3)热力学第一定律、盖斯(Hess)定律、基尔霍夫(Kirchhoff)定律；(4)热力学第一定律对简单状态变化(如理想气体自由膨胀过程、等温过程、等压过程、等容过程、绝热过程、节流膨胀过程等)、相变、化学反应过程(等温与非等温)的分析，热、功、内能变化以及焓变(包括应用生成焓、燃烧焓、键焓等热力学数据)的计算。 （二）热力学第二定律及其应用 核心提示：过程的方向性与限度。 主要内容：(1)熵(S)判据：熵的引出(由卡诺循环出发)，熵增加原理，熵的统计意义，热力学第二定律的表述与数学表达式，物质的规定熵；(2)赫姆霍兹
EAA ISM 课后习题答案 Module 1 ?以下哪一项是结构化数据的示例？ A.映像 B.PDF 文档 C.数据库** D.网页 ?关于大数据，以下哪项是正确的？ A.仅包括非结构化数据 B.包括来自单个源的数据 C.使用传统软件工具高效捕获 D.数据大小超出传统软件的处理能力** ?以下哪一项是以信息为中心的体系结构的功能？ A.内置于服务器之中的存储 B.防止在服务器之间共享存储 C.单个系统中包括服务器、网络和存储 D.存储将得到集中管理且独立于服务器** ?以下哪一项准确描述了虚拟化？ A.提供按需计量服务** B.将物理资源抽象化为逻辑资源 C.共用逻辑资源以提供数据完整性 D.支持跨数据中心的分散式管理 ?以下哪项要求是指存储解决方案能够随业务一同增长？ A.可用性 B.可管理性 C.完整性 D.可扩展性** Module 2 ?以下哪一项是计算虚拟化的好处？ A.支持计算内存交换 B.提高计算利用率** C.将计算内存与应用程序隔离 D.将计算OS 与应用程序隔离 ?哪一项是对虚拟机(VM) 的最佳描述？ A.物理服务器上的所有虚拟机都必须运行同一OS B.当虚拟机关闭时会删除虚拟机文件 C.虚拟机是独立的文件组** D.所有虚拟机平等共享可用资源 ?什么是合并？ A.将多个物理驱动器分组到逻辑驱动器** B.将物理驱动器分为多个逻辑驱动器 C.在逻辑驱动器上写入磁盘元数据的过程
D.通过碎片整理向物理驱动器添加更多容量 ?哪些因素决定机械磁盘的总体服务时间？ A.磁盘缓冲时间、全程和旋转延迟 B.内部传输速度、外部传输速度和缓冲时间 C.全程、平均寻道时间和道间寻道时间 D.平均寻道时间、旋转延迟和数据传输速度** ?哪一项是DAS 环境的挑战？ A.性能低 B.可扩展性有限** C.部署复杂性 D.最初投资过多 ?以下关于“文件级虚拟化”的描述中哪一项是正确的？ A.提供了跨文件服务器或NAS设备的不间断的文件移动** B.使用CIFS和NFS将文件的逻辑路径映射到他们的物理路径 C.可以使用户使用物理路径，而不是逻辑路径，来访问文件 D.增加了文件在跨文件服务器或NAS设备传输时的停机时间 Module 3 ?关于软件RAID 实现，以下哪项描述是正确的？ A.操作系统升级不需要验证与RAID 软件的兼容性 B.其成本高于硬件RAID 实现 C.支持所有RAID 级别 D.使用主机CPU 周期执行RAID 计算** ?一个应用程序生成400 个小型随机IOPS，读写比为3:1。用于RAID 5 的磁盘上RAID 更正的IOPS 是多少？ A.400 B.500 C.700 ** D.900 ?用于小型随机I/O 的RAID 6 配置中的写性能损失是多少？ A. 2 B. 3 C. 4 D. 6 ** ?以下哪个应用程序可通过使用RAID 3 获得最大效益？ A.备份** B.OLTP C.电子商务 D.电子邮件 ?一个具有64 KB 条块大小且包含五个磁盘的奇偶校验RAID 5 集的条带大小是多少？ A.64 KB B.128 KB
表格中所写章节以傅献彩五版物理化学为准2007大题汇总 2008大题汇总
2009大题汇总 2010年大题汇总
2011年大题汇总
2012大题汇总 2013年大题汇总
以上列了近几年厦门大学物理化学考试科目大题的主要考点。厦门大学的物理化学不同于其他学校，他考察的题型比较单一。一般12~16分的选择题，然后剩下的大概十道左右的大题。 首先，复习过程中一般使用傅献彩的物理化学课本，据悉厦大本校上课也是使用这本教材。第一章气体的不用看，统计热力学一般就考一个选择，也可舍弃（明确说明只考概念），第十四章胶体近年来也只考选择，也可考虑舍弃。厦大的物化热力学考察并非重点，但热力学函数的关系、麦克斯韦关系要会熟练推导，并要求熟悉各个函数的意义，今年来有向热化学、能源方面考察的趋势。相图每年必考，且分值较大，考察的相图也较为常规，多进行几个典型相图的练习总结规律就行，步冷曲线也一般会要求绘制，杠杆规则的应用，并注意这部分可以和第四章结合考察。化学平衡也几乎年年考，这部分相对简单。电解质这一章本身就比较简单，一般是求电导率以及弱电解质平衡常数。第九十章电化学每年必考大题，能斯特方程要熟练运用，注意超电势的问题以及电解过程中离子浓度的改变。第十一十二章动力学每年考察的比重比较大，常用的反应级数求解、稳态近似平衡假设的使用及其使用条件、过渡态理论中热力学函数与活化能的关系、重要的关系式的推导。第十三章也年年考大题，开尔文公式、毛细现象，都很简单，但要注意浸润与不浸润时方程中R的正负（14年考的汞和玻璃，非常遗憾做错了） 最后，厦大物化最重要的参考书是孙世刚编写的物理化学的学习指导以及物理化学题库，历年真题很多出自上面。要将上面的习题反复练习。
元件封装库总结 元件名称英文名称（搜索名称）封装型号 电阻Resistance（R或Res）AXIAL0.3-AXIAL0.7 无极性电容Capacitor（C或Cap）RAD0.1-RAD0.4 电解电容Capacitor Pol（Cap Pol）RB.1/.2-RB.5/1.0 电位器（可变电阻）Variable Resistor（VR）VR1-VR5 二极管Diode（D）DIODE0.4- DIODE0.7 TO- 三极管Transistor（NPN或PNP或三极管型 号） 电源稳压块78和79系列7805/7812/7820/7905/7912/7820TO- 场效应管MOS 单排多针插座Header（H或Header）CON/SIP 双列直插元件（各种芯片）芯片型号DIP 外部晶振External Crystal Oscillator（XTAL）XTAL 整流桥Bridge Rectifier（Bridge）D－44/D－37/D－46 1、单位： 长度单位： 电容单位： 电阻单位： 电感单位： 1inch（英寸）=2.54cm 1mil（密耳）=1/1000inch=0.0254mm 2、电阻：RES 封装属性为AXIAL系列：AXIAL0.3-AXIAL0.7，其中0.4-0.7指电阻的长度，如AXIAL0.3则表示直插电阻，脚间距为300mil。一般用AXIAL0.4 ； 3、无极性电容：CAP 封装属性为RAD0.1-RAD0.4 ，其中0.1-0.3指电容大小间距同直插电阻，一般用RAD0.1 ； 4、电解电容：Cap Pol 封装属性为RB.1/.2-RB.5/1.0 ，100uF用 RB.1/.2，100uF-470uF用RB.2/.4，470uF用RB.3/.6 。例如RB.2/.4，其中“.2”（前面的数字）表示焊盘间距为200mil，“.4”（后面的数字）表示电容圆筒的外径为400mil；