模电典型例题分析
第一章
题1.1
1、对某放大电路进行测试，u s=15mv,Rs=1kΩ，R L=12 kΩ。若测得ui=12 mv,则可知该放大电路的输入电阻Ri= kΩ。若当开关S断开时，测得uo=1.5v, 当开关S闭合时，测得uo=1.2v，则可知该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。
2、对某放大电路进行测试，当接入一个内阻等于零的电压信号源时，测得输出电压为5V，在信号源内阻增大到1Ω
k，其它条件不变时，测得输出电压为4V，
k负载电阻时，测得输说明该放大电路的输入电阻Ri= ______kΩ。若在接有2
出电压为3V，在输入电压不变的情况下断开负载电阻，输出电压上升到7.5V，说明该放大电路的输出电阻Ro= kΩ。
3、用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，U OA=U OB；都接入负载电阻R L时，测得U OA
题1.2
某放大电路的对数频率特性如图3所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数＝倍。上限频率f H＝Hz，下限频率f L＝Hz。
第二章
题2.1
1.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,Rw=100k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Uo ＝？V ；
解：14V ,1V ,6（7）V
2.如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±14V ，Ui=1V ；R1＝10k,R2=200k 。请问：
当R2滑动端在最左端、最右端、中点时输出Uo ＝？V ；
最左端时Uo ＝ -14 V ；最右端时Uo ＝ 0 V ；中点时Uo ＝ -10 V 。
题 2.2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，
Ω===k R R R 201096∶
① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；
② 设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u
图A
注：此图A 1的同相端、反相端标反。
图B
解
图A
分析：本题中，运放A 1构成反相比例运用电路，A 2构成同相比例运用。而A 3则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件，又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。
（1）
21111152221
610
10
10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-
=-?=-????
=+=+?= ? ????? 对A 3，
1032222
810202
10203O O O I R u u u u u R R +=
?===++
因为0133079u u u u R R ---=－ 332011
I I u u u u u -+===-
()()903132
12712
20
10
23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=--=---=+
（2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V
u V ===?+?=
图B ：解略
题2.3 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。
u
分析：本题中运放A 构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件，且工作在线性区，可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。此电路的同相和反相端分别有两个输入信号，因此可用叠加原理来分析。
1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1u
F O11
1s R
u u R =- 2s u 单独作用：1s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O2u
F
O222
s R u u R =-
3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u
45
p 3
453////s R R u u R R R =+
N P N O3N
12F //u u u u u
R R R =-∴
=
F
O3N
12
(1)//R u u R R =+
45F
3
12453//(1)////s R R R u R R R R R =++
4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u
35F
O44
12354//(1)////s R R R u u R R R R R =+
+
综合： O1O2O3O4 = u u u u u +++
题2.4 电路如图所示，设1A
、2A 为理想运放，电容的初始电压(0)0c u =。 （1）写出0u 与1s u 、2s u 和3s u 之间的关系式；
（2）写出当电路中电阻123456R R R R R R R ======时，输出电压0u 的表达式。
分析：利用运放工作在线性区满足“虚短”和“虚断”的概念来分析电路功能。1A 是差分
减法器，2A 是两输入的积分电路。
（1）由于1A 是典型的差动减法电路，直接写出01u 与1s u 、2s u 的关系：
344
0112
1123
(1)s s R R R u u u R R R R =-+++
对2A 的分析用叠加原理：
3
s u 单独作用，输出为'
u '0
361
s u u dt
R C =-?
01u 单独作用，输出为''0
u ''
0151
u u dt R C =-?
综合：'
''00
3016511
s u u u u dt u dt
R C R C =+=-?-?
所以
'''
000
3443101615123511
(1)s s u u u R R R u dt u dt u dt R C R R C R R R R C =+=-
?+?-+??+
（2）0312******* ()s s s s s s u u dt u dt u dt
RC R RC u u u dt
RC =-?+?-?=?--
题2.5 在题图所示电路中，已知u I 1＝4V ，u I 2＝1V 。回答下列问题：
图P 7.19
（1）当开关S 闭合时，分别求解A 、B 、C 、D 和u O 的电位； （2）设t ＝0时S 打开，问经过多长时间u O ＝0？ 解：（1）U A ＝7V ，U B ＝4V ，U C ＝1V ，U D ＝－2V ，u O ＝2 U D ＝－4V 。
（2）因为u O ＝2u D －u O 3，2 u D ＝－4V ，所以u O 3＝－4V 时，u O 才为零
。
即
mS
6.284710
10501163A 1O3≈-=????-=??-
=-t t t u C R u
题2.6 图示电路中，A1～A5都是理想运放。 试求：1.当开关S 闭合时，分别计算
、
、
、
及
的值。2.当t ＝0时，将S 打开，问经多少时间，
＝0V ？
解：
1．
，
，
，
，
2．
，
代入数据，求得：t=30ms
题2.7 图示电路中，A1～A4都是理想运放，电源电压VCC=14V 。 试求：
（1） 集成运放A1 、A2 、A3 、A4各组成何种基本应用电路（如反向比例，同向
比例，差动比例，求和，积分，微分，过零比较，滞回比较等等）？
（2） 设U11=U12 =U13=1V ，试分别求出U01 、U02 、U03和U04（T=5S 后）的表达式
和值。
题 2.8在图示的放大电路中，已知
Ω=====k R R R R R 1087521，
Ω===k R R R 201096；
(1)列出1O u 、2O u 和O u 的表达式；
(2)设V u I 3.01=，V u I 1.02=，则输出电压?=O u
解： (1)
21111152221
610
10
10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =-
=-?=-????
=+=+?= ? ?????
对A 3，1032222
810202
10203O O O I R u u u u u R R +=?===++
因为0133079u u u u R R ---=－ 332011
I I u u u u u -+===-
()()9031321271220
10
23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=-
-=---=+ (2)
120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V u V
===?+?=
第三章
题3.1 电路如题图所示，试判断图中二极管是导通还是截止，并求出ＡＯ两端的电压ＵＡＯ。
设二极管是理想的。
解：
分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。正偏时硅管的导通压降为0.6～0.8V 。锗管的导通压降为0.2～0.3V 。理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。
分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P 端）与阴极（N 端）的电位差。若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管处于反偏而截止。如果电路中存在两个以上的二极管，由于每个二极管的开路时的电位差不等，以正向电压较大者优先导通，其二端电压为二极管导通压降，然后再用上述“开路法”法判断其余二极管的工作状态。一般情况下，对于电路中有多个二极管的工作状态判断为：对于阴极（N 端）连在一起的电路，只有阳极（P 端）电位最高的处于导通状态；对于阳极（P 端）连在一起的二极管，只有阴极（N 端）电位最低的可能导通。
图（a ）中，当假设二极管的VD 开路时，其阳极（P 端）电位P U 为-6V ，阴极（N 端）电位
N U 为-12V 。VD 处于正偏而导通，实际压降为二极管的导通压降。理想情况为零，相当
于短路。所以
V U AO 6-=；
图（b ）中，断开VD 时，阳极电位V U P 15
-=，阴极的电位V U N 12-=，
∵ N P
U U < ∴ VD 处于反偏而截止
∴ V
U
AO 12-=； 图（c ），断开VD1,VD2时
∵ V U P 01= V U N 121
-= 11N P U U > V U P 152-= V U N 122-= 22N P U U
<
∴ VD1处于正偏导通，VD2处于反偏而截止
V U AO 0=；
或，∵ VD1，VD2的阴极连在一起
∴ 阳极电位高的VD1就先导通，则A 点的电位
V U AO 0=，
而 A N P U U
V U =<-=22
15
∴ VD2处于反偏而截止 图（d ），断开VD1、VD2，
∵ V U P 121-= V U N 01
= 11N P U U < V U P 122-= V
U N 62-= 22N P U U <；
∴ VD1、VD2均处于反偏而截止。
U O1≈1.3V ，U O2＝0，U O3≈－1.3V ，U O4≈2V ，U O5≈1.3V ， U O6≈－2V 。
题 3.2 电路如题图所示，稳压管ＤＺ的稳定电压ＵＺ=8V ，限流电阻Ｒ=Ωk 3，设
)(sin 15V t u I ω=，试画出o u 的波形。
解：
分析：稳压管的工作是利用二极管在反偏电压较高使二极管击穿时，在一定的工作电流限制下，二极管两端的的电压几乎不变。其电压值即为稳压管的稳定电压Uz 。而稳压管如果外加正向偏压时，仍处于导通状态。
设稳压管具有理想特性，即反偏电压只有达到稳压电压时，稳压管击穿。
正偏时导通压降为零，则t u i ωsin 15=(V)
Uz=8V
当≥i u Uz 时，稳压管击穿而处于稳定状态，u O =Uz ；
而0
第四、五章
题4.1 测得工作在放大电路中几个半导体三极管三个电极电位1U 、2U 、3U 分别为下列各组数值，试判断它们是ＮＰＮ型还是ＰＮＰ型？是硅管还是锗管？并确定e 、b 、c 。
① V U 5.31=，V U 8.22=，V U 123=； ② V U 31=，V U 8.22=，V U 123=； ③ V U 61=，V U 3.112=，V U 123=； ④ V U 61=，V U 8.112=，V U 12
3= 解：
分析：工作在放大电路中的三极管应满足发射结正偏，集电结反偏的条件。且有PN 节正偏特性可知，其正偏结电压不会太大。硅管的5.0=BE U ～V 0.7，锗管的1.0=BE U ～
V 0.3。所以首先找出电位差在0.1～0.3V 或0.5～0.7V 的两个电极，则其中必定一个为发
射极，一个为基极，另一个电位相差较大的必定为集电极。由PN 结反偏特性可知，若集电极电位最高，则该管必定为NPN 型三极管；若集电极电位最低，则该管必定为PNP 型三极管。若为NPN 型三极管，则发射极电位必定为最低电位；若为PNP 型三极管，则发射极电位必定为最高电位。由此即可确定发射极。电位值处于中间的一个电极必定为基极。由此可知：
(1). ,5.31V U = V U 8.22=, V U 123
=，
结论：硅NPN 型三极管（V U U U 7.08.25.32112=-=-=）
b U →1， e U →2，
c U →3
(2). ,31V U = V U 8.22=, V U 123
=，
结论： 锗NPN 型三极管（V U U U 2.08.232112=-=-=）
b U →1， e U →2，
c U →3
(3). ,61V U = V U 3.112=， V U 123
=
结论：硅PNP 型三极管（
V U U U 7.0123.113223-=-=-=）
c U →1， b U →2， e U →3
(4). ,61V U = V U 8.112=， V U 123
=
结论：锗PNP 型三极管（V U U U 2.0128.113223-=-=-=）
c U →1， b U →2， e U →3
题4.2 已知题图(a)—(f)中各三极管的β均为50，V U BE 7.0=，试分别估算各电路中三极
管的C I 和CE U ，判断它们各自工作在哪个区(放大区，截止区或饱和区)，并将各管子的工作点分别画在题图 (g)的输出特性曲线上。
解：
分析：三极管在发射结正偏时，管子可能工作在放大区或者饱和区，取决于其基极电流是否超过基极临界饱和电流
BS I ，若BS B I I >，则三极管工作在饱和区；若BS B I I <，则三
极管工作在放大区，且B C
I
I β=。 若三极管发射结反偏或者零偏，则该三极管一定工作在截止区。 对图（a ），发射结正偏，且
A mA K I
B μ65065.0207
.02==-=
A
mA K U I CEB BS μβ1001.025010210==?≈?-= ∵ BS B I I < ∴ 三极管工作在放大区 且 mA I I B C 3.3065.050=?==β
V K I U C CE 4.323.310210=?-=?-=
图（b ），∵ A
mA U I CES BS μβ1001.025010210==?≈?-=
A mA I
B μ5.460465.02007
.010==-=
∵ BS B I I <
∴ 三极管工作在放大区 且：mA I I B C 3.20465.050≈?==β
V U CE 4.523.210=?-=
图（c ），∵ A
mA U I CES BS μβ1001.025010210==?≈?-=
A mA I
B μ465465.0207
.010==-=
∵ BS B I I > ∴ 三极管工作在饱和区
mA I I I BS CS C 5===β V U U CES CE 0≈=
图（d ），∵发射结反偏，∴三极管处于截止状态
V V U I CC CE C 100
===
图（e ），∵三极管发射结零偏，0=B I ∴ 三极管处于截止状态
V V U I CC CE C 100
===
图（f ），∵∞
→BS I , A mA I B μ5.460465.02007
.010==-=
∴ 三极管工作在放大区
且 V V U mA
I I CC CE B C 103.2====β
题4.3
电路如图所示，晶体管导通时的U BE ＝0.7V ，晶体管的饱和管压降UCES ＝0.3V ，
β=50。试分析：当V BB =0V 时，T 的工作状态处在 区；当V BB =1V 时，T 的工作状态处在 区；当V BB =2V 时，T 的工作状态处在 区。
题4.4
放大电路及晶体管输出特性如图所示。设晶体管的U BEQ ＝0.7V ，U CES ≈0.5V ；
1. 利用图解法分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时的静态工作点和最大不失真输出电压幅值U o m 。
2. 利用小信号模型分析法求电压放大倍数)/(s o s U U A u 、输入电阻i
R 、输出电阻o R 解：1.空载时：I B Q ＝20μA ，I C Q ＝2mA ，U C E Q ＝6V ；最大不失真输出电压峰
值约为5.5V 。
带载时：I B Q ＝20μA ，I C Q ＝2mA ，U C E Q ＝3V ；最大不失真输出电压峰值约为2.5V 。
如解图所示 2. )()//(be b L c i o r R R R βA +?-
==
v v v ； be b i
i i r R i R +==v
；R o = R c ；
题4.5 题图所示放大电路中，
（1）输入正弦信号i u ，输出波形出现失真，如题图(b)、(c)所示，问分别是什么失真？怎样才能消除失真？
（2）已知晶体管β＝100，当R b 分别为560K Ω和100K Ω时，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V C C ＝12V ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.5V 。 解：（1）分析：因为该放大电路是由NPN 管构成的共射组态电路，对图（b ）所示输出信号波形出现了顶部失真。表明在三极管的集电极电压到了可能的最大值。显然，共射组态中，集电极电位可能的最大值是电源电压V CC ，意味着出现失真时集电极电位等于电源电压。此时集电极电阻R C 中没有电流流过。而集电极电流为零表明三极管工作在截至状态，所以图（b ）的顶部失真为截至失真。 由三极管输出特性曲线可知，出现截至失真表明电路的工作点设置过低，即I CQ 较小而引起的。消除截至失真可提高工作点电流I CQ ，电路上可通过改变基极偏置电阻R B ，当
R B 减小时，基极电流CC BEQ
BQ B
V U I R -=
增大，所以CQ BQ CEQ I I I β=+也将增大。 同理分析图（c ）所示输出波形表明集电极电位已经升到了可能的最低电位，而电
路中集电极可能的最低电位即为饱和压降CES U ，所以此时三极管出现的失真为饱和失真。 显然饱和失真是由于三极管的静态工作点设置偏高而造成的，所以可以通过增大R B 而使BQ I 减小，从而使CQ I 变小，来消除饱和失真。
（2）当R b 为560K Ω时，因为：Ω
≈-=
==
=-=
k 565μA
20mA
2BQ
BEQ
CC b CQ
BQ c CEQ
CC CQ I U V R I I R U V I β
故U C E Q ＝6V
当R b 100K Ω时：因为：临界饱和基极电流 mA 045.0 c
CES
CC BS ≈-=R U V I β
而实际基极电流 mA 12.0 BE
CC B ≈-=
b
R U V I
由于I B ＞I BS ，故T 饱和，U C ＝U CES ＝0.5V 。
题4.6 电路如图所示，已知晶体管β＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V C C ＝12V ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.5V 。
（1）正常情况 （2）R b 1短路 （3）R b 1开路
（4）R b 2开路 （5）R C 短路
解：设U B E ＝0.7V 。则 （1） 基极静态电流
V
4.6mA 022.0c C CC C b1BE
b2BE CC B ≈-=≈--=
R I V U R U R U V I
（2）由于U B E ＝0V ，T 截止，U C ＝12V 。 （3）临界饱和基极电流 mA 045.0 c
CES
CC BS ≈-=
R U V I β
实际基极电流
mA
22
.0
b2
BE
CC
B
≈
-
=
R
U
V
I
由于I B＞I B S，故T饱和，U C＝U C E S＝0.5V。
（4）T截止，U C＝12V。
（5）由于集电极直接接直流电源，U C＝V C C＝12V
题4.7题图电路的两个输出端分别接负载L1
R、
L2
R。若三极管的80
=
β，试求：
①静态工作电流CQ
I；
②电压放大倍数i
o1
u1
/u
u
A=及
i
o2
u2
/u
u
A=；
③两个输出端的输出电阻o1
R及
o2
R。
分析：该电路分别接有两个输出n o1和n o2，而输入信号均在基极，u o1为发射级输出，构成共集电路组态，而u o2在集电极输出，构成共射极组态。
（1）静态工作点与输出端的接法无关。因为输出均有隔直电容。其直流通路如图所示：
B
U
V
V
R
R
R
CC
B
B
B7.4
12
47
73
47
2
1
2=
?
+
=
?
+
＝
≈
∴
CQ
I
mA
R
U
U
I
E
BEQ
B
EQ
2
2
7.0
7.4
=
-
=
-
=
A
I
I EQ
BQ
μ
β
25
80
2
=
=
=
)
(
E
C
CQ
CC
CEQ
R
R
I
V
U+
-
=
V
2
)2
2(
2
10=
+
?
-
=
(2)交流通路及微变等
效电路如图：
K
I
r
EQ
b b
be
25
.1
2
26
)
80
1(
200
26
)
1(
r
＝
?
+
+
=
+
+
=
'
β
C
R
CC
V
E
R
1
B
R
2
B
R
73
47K
2
K
2
V
12
+
C
R
L
R
12
||
B B
R R
i
u
E
R1L
R
2
o
u
1o
u
)||)(1()||)(1(11
L E be L E i o u R R r R R u u A ββ+++== 99.0)10||2()801(25.1)10||2)801(=?++?+=（
E
be C
i o u R r R u u A '++'-==)1(22
ββ
99
.0)10||2()801(25.1)
10||2(80-=?++?-
= 1u A 与2u A 模值相等，但相位相反！
（3）
β++'=1||
1be
s E O r r R R ，本题中因无信号源内阻，若将u i 短路，则s r '＝0
题4.8 如题图所示为两级放大电路： ①画出放大器微变等效电路； ②求电压增益
u A 、输入电阻i R 和输出电阻o R 。
)
题图 4.2
解：①放大器的微变等效电路为：
②由图可得，两级放大电路的第一级为共集电极放大电路，它的电压放大倍数
1u A 接近于1，
整个放大器的电压放大倍数取决于它的第二级，也就是共发射级放大电路的电压放大倍数。放大器的静态工作点为：
()0111111=+---E Q B BEQ Q B B CC R I U I R V β
uA I Q B 8.91=，
mA
I Q E 5.01=
V
V R R R U CC B B B B 26.83
23
2=?+=
mA
R R U U I E E BEQ B Q E 96.03
222=+-=
()
Ω=++=K I r Q
E be 85.226
1200111β
()
Ω
=++=K I r Q
E be 58.1261200222β
由微变等效电路可知它的电压放大倍数为：
()1
.1812
2222222-≈++-
=E b b be C
b u R i i r R i A ββ
所以放大电路的电压增益
1.1821-≈?=u u u A A A
放大电路第二级的输入阻抗为：
()()Ω≈++=K R r R R R E be B B i 141////222322β
把放大电路第二级的输入阻抗作为第一级的负载，整个放大电路的输入电阻为：
()()[]Ω=++=K R R r R R i E be B i 321//1//21111β
放大电路的输出电阻为：Ω=≈K R R C o 10
题 4.9题图所示放大电路中，场效应管跨导mS 2m =g ，Ω=k 50ds r ，三极管的
100=β，Ω=k 1be r ，∞=ce r ，电容1C 、2C 、3C 、4C 可视为交流短路：
①画出放大器的微变等效电路； ②计算放大器的中频电压增益
u A 、输入电阻i R 和输出电阻o R 。
解：
（1） 其交流通路和微变等效电路如图所示：
（2）
22.
212(1)1120o B ds be
m gs b m gs o gs i o
m i
i O u i R r r g u i g u u R u u u Au g R u R R M R R K ββββ
=-?>>∴=+∴=-?=
+=∴=
=-=-==Ω==Ω
又分析：本题为一共源组态放大电路与共基组态放大电路的组态。二级放大电路之间采用了直接耦合的方式。由于第一级的漏极电流与第二级的射极电流相同。所以在电阻R2中流过的电流近似为场效应管的漏极电流。这与一单级共源组态放大电路很相似。所以这一电路的电压放大倍数与单级共源组态放大电路的放大倍数应近似相同。
题5.1 电路如图所示，T 的输出特性如图P1.22所示，分析当u I ＝4V 、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
解：根据图P1.22所示T 的输出特性可知，其开启电压为5V ，根据图P1.23所示电路可知所以u GS ＝u I 。
当u I ＝4V 时，u GS 小于开启电压，故T 截止。
当u I ＝8V 时，设T 工作在恒流区，根据 输出特性可知i D ≈0.6mA ，管压降
u DS ≈V DD －i D R d ≈10V
因此，u GD ＝u GS －u DS ≈－2V ，小于开启电压，
图P1.23
说明假设成立，即T 工作在恒流区。
当u I ＝12V 时，由于V DD ＝12V ，必然使T 工作在可变电阻区。
题5.2分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
图P1.24
解：（a ）可能 （b ）不能 （c ）不能 （d ）可能
题5.3 题图场效应管放大电路中，FET 的()V 2off G S -=U ，mA 1DSS =I ：
① 为使静态时
mA
64.0D Q =I ，源极电阻
S R 应选多大？
② 求电压放大倍数u A ，输入电阻i R ，输出电阻o R ；
③ 若
3C 虚焊开路，则u A 、i R 、o R 为多少？
解：
首先求静态工作点，确定U GSQ 和I DQ
DQ
S S DQ DD Q Q Q GQ I R R I V R R R U 54.02)(212
12-=+-?+=
22
)()
21(6)1(GSQ off GS GS DSS DQ U U U I I +?=-
=
① mA I
V U DQ
GSQ 3.432.0=-= ②
mA I V
U DQ GSQ 8.129.4=-=
由电路
可
知
，漏
极
极
限
电
流
为
mA
R R R V I S S D DD
D 65.52
1max =++=
所以第二组数据不合题意。
)1(2)()(off GS GS off GS DSS GS D
m U u U I U I g --=??=
+u
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 ２、在P 型半导体中,自由电子浓度 Ｃ 空穴浓度。A ．大于 B.等于 C ．小于 ３、本征半导体温度升高以后， Ｃ 。 A.自由电子增多,空穴数基本不变 B ．空穴数增多,自由电子数基本不变 C ．自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 Ｄ.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。A ．电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5、ＰN 结加正向电压时,空间电荷区将 Ａ 。 Ａ. 变窄 Ｂ． 基本不变 C. 变宽 D ． 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 Ｃ 。A. 正向导通 B ．反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 Ｂ. 前者正偏、后者反偏 Ｃ. 前者正偏、后者也正偏 D ． 前者反偏、后者正偏 ８、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。Ａ． 增大 B ． 不变 C. 减小 D. 都有可能 ９、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到２2μA 时，I Ｃ从1m Ａ变为２mA ，那么它的β约为 C 。Ａ. 83 B. ９1 C. 10０ D ． 1０ １0、晶体管是 A 器件。Ａ.电流控制电流 B.电流控制电压 Ｃ．电压控制电压 D.电压控制电流 1１、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。图1为 Ｄ ；图２为 A 。[基极电位总是处于中间］ A.ＮＰN 硅管 B.P ＮP 硅管 C ．ＮP Ｎ锗管 D.P ＮP 锗管 12、场效应管是 Ｄ 器件。 A ．电流控制电流 B.电流控制电压 C ．电压控制电压 D.电压控制电流 13、基本共射放大电路中,基极电阻R ｂ的作用是 A 。 Ａ.限制基极电流,使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路 Ｂ.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C ．保护信号源 D.防止输出电压被短路 １4、基本共射放大电路中,集电极电阻Ｒc 的作用是 Ｂ 。 A ．限制集电极电流的大小 B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量 C.防止信号源被短路 D.保护直流电压源E Ｃ 15、基本共射放大电路中，输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o 和晶体管集电极电压u c 的波形,二者相位 A 。A.相同 B ．相反 C.相差90° Ｄ.相差270° 16、NP Ｎ管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小R b 失真消除, 这种失真一定 ① 0V 5.7V 图 1 ① 9V 2.3V 图2
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 3．差分放大电路中，若u I1 = 100 μV，u I 2 = 80 μV则差模输入电压u Id= 20μV；共模输入电压u Ic = 90μV。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可 选用 高通滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通滤波器。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC =0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到78.5%，但这种功放有交越失真。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（A）。A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。 A．P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 6.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。 A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（A）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C)。 a．不用输出变压器b．不用输出端大电容c．效率高d．无交越失真 9．稳压二极管稳压时，其工作在( C)，发光二极管发光时，其工作在( A)。 a．正向导通区b．反向截止区c．反向击穿区 三、放大电路如下图所示，已知：V CC 12 V，R S 10kΩ， R B1 120 kΩ，R B2 39 kΩ，R C 3.9 kΩ， R E 2.1 kΩ，R L 3.9 kΩ，r bb’ Ω，电流放大系 数 β 50，电路中电容容量足够大，要求： 1．求静态值I BQ ，I CQ 和U CEQ ( 设U BEQ 0.6 V )； u I u o R L
2.10 在图P2.9所示电路中，设静态时I C Q ＝2mA ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.6V 。试问：当负载电阻R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？ 解：由于I C Q ＝2mA ，所以U C E Q ＝V C C －I C Q R c ＝6V 。 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故 V 82.32 CES CEQ om ≈-= U U U Ω=k 3L R 时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故 V 12.22 ' L CQ om ≈= R I U 2.11 电路如图P2.11所示，晶体管的β＝100，'bb r =100Ω。 （1）求电路的Q 点、u A &、R i 和R o ； （2）若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变 化？ 解：（1）静态分析： V 7.5)( A μ 101mA 1 V 2e f c EQ CEQ EQ BQ e f BEQ BQ EQ CC b2b1b1 BQ =++-≈≈+=≈+-= =?+≈ R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β 动态分析： Ω ==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7 .7)1()(k 73.2mV 26) 1(c o f be b2b1i f be L c EQ bb'be R R R r R R R R r R R A I r r u ββββ∥∥∥& （2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A &减小，e f ' L R R R A u +-≈& 2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的β＝80，r b e =1k Ω。 （1）求出Q 点； （2）分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时电路的u A &和R i ；
模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题（满分100分） 1.N型半导体带负电，P型半导体带正电。（） 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。（） 3.PN结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。（） 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。（） 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。（） 6.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。（） 7.晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。（） 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。（） 9.晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。（） 10.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。（） 11.温度升高后，在纯净的半导体中（）。 A.自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 B.空穴增多，自由电子数目不变 C.自由电子增多，空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则（）。 A.阻当层不变，反向电流基本不变 B.阻当层变厚，反向电流基本不变 C.阻当层变窄，反向电流增大 D.阻当层变厚，反向电流减小
一、习题（满分100分） 1.N型半导体（）。 A.带正电 B.带负电Ｃ.呈中性Ｄ.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大，则该二极管（）。 A.正常 B.断路Ｃ.被击穿Ｄ.短路 3.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）。 A.正向偏置时导通，反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为（）。 A.0.03mA 流出三极管e、c、b B.0.03mA 流进三极管e、c、b C.0.03mA 流出三极管c、e、b D.0.03mA 流进三极管c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态Ｄ.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BＣ.V E >V B> V CＤ.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态，各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA，而i b=40μA时i c=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）。 A.60 B.75 C.80 Ｄ.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V，V2=2.7V，V3=2V，则1，2，3分别为（）。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区Ｄ.击穿区 11.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（） A.输入电阻小，输出电阻大 B.输入电阻小，输出电阻小 C.输入电阻大，输出电阻小 D.输入电阻大，输出电阻大
《模拟电子技术（Ⅱ）》课程试卷 A卷 B卷 2010 ~2011学年 第 1 学期 开课学院： 电气 课程号：15012335 考试日期： 2010-12-30 考试方式：开卷闭卷 其他 考试时间： 120 分钟 题号 一 二 三 总分 11 12 13 14 15 16 分值 20 10 10 12 12 12 12 12 得分 一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题，每空2分，共20分) 1.欲得到电压－电流转换电路，应在集成运算放大电路中引入( )。 (a) 电压串联负反馈 （b ）电流并联负反馈 （c ）电流串联负反馈 2. 图1为正弦波振荡电路，其反馈电压取自（ ）元件。 (a) L 1 (b) L 2 (c) C 1 3. 负反馈对放大器的影响是（ ） A 、减少非线性失真 B 、增大放大倍数 C 、收窄通频带 图1 图2 4. 图2为单相桥式整流滤波电路，u 1为正弦波，有效值为U 1=20V ，f=50H Z 。若实际测 得其输出电压为28.28V ，这是由于（ ）的结果。 (a) C 开路 (b) R L 开路 (c)C 的容量过小 5. 图3为（ ）功率放大电路。 (a)甲乙类OCL (b)乙类OTL (c)甲乙类OTL 6. 共模抑制比K CMR 是（ ）之比。 (a)输入量中的差模信号与共模信号 (b)输出量中的差模信号与共模信号 (c)差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。 7. PNP 管工作在饱和状态时，应使发射结正向偏置，集电结（ ）偏置。 (a ）正向 (b) 反向 (c) 零向 8.如图4电路，设二极管为理想元件，则电压U AB 为（ ）V 。 (a) 0 (b) 5 (c)-8 图3 图4 9.抑制频率为100kHz 以上的高频干扰，应采用（ ）滤波电路。 (a)低通 (b)带通 (c)带阻 10. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管是( ) 。 (a) 结型管 (b) 增强型MOS 管 (c) 耗尽型MOS 管 二、判断下列说法是否正确，凡对者打“ √ ”，错者打“ × ” (每小题2分，共 10分) 1.一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。( ) 2.对于正弦波振荡电路，只要满足自激振荡的平衡条件，就能自行起振。( ) + - 命 题人： 熊兰 组题人： 审题人： 命题时间： 教务处制 学院 专业、班 年级 学号 姓名 公平竞争、诚实守信、严肃考纪、拒绝作弊 封 线 密
《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习 填 空 1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。 2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。 3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。 4.N 型半导体主要靠_______导电，P 型半导体主要靠______导电 。 5.PN 结正向偏置是将P 区接电源的______极，N 区接电源的_____极 。 6.PN 结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN 结的______________________________。 7.整流二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。 8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为________V ，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V 。 9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。 10.用指针式万用表的两表棒分别接触一个二极管的两端，当测得的电阻值较小时，黑表笔所接触的一端是二极管的________极 。 11.电路如图所示，试确定二极管是正偏还是反偏。 设二极管正偏时的正向压降为0.7V ，估 算 U A ~ U D 值 。 图 a ：VD 1_______ 偏置 ， U A =_____，U B =_______； 图 b ：VD 2________ 置 ， U C =_____，U D =_______。 12.判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止， 并求出AB 两端电压U AB （设二极管均为理想二极管） 图a ：VD_______，U AB _______。 图b ：VD_______，U AB _______。 图c ：VD_______，U AB _______。 图d ：VD 1_______，VD 2_______， U AB _______ 。 13.硅稳压管是工作在_________状态下的硅二极管，在实际工作中，为了保护稳压管，需在外电路串接 _________。
第二章晶体三极管及其放大电路基础 1、简述三极管制作的结构特点？ 答：基区：很薄且杂质浓度很低；发射区：杂质浓度很高；集电区：面积很大，但杂质浓度远远小于发射区的杂质浓度 2、简述三极管的放大原理。 答： 1、三极管有三个级：发射极E、集电极C、基极B 有三个区：发射区、集电区、基区 有两个结：发射结、集电结 2、三极管用于放大时，首先保证发射结正偏、集电结反偏。 3、分析以NPN型硅三极管为例： ( 1)、BJT内部的载流子传输过程： 因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子，形成了扩散电流IEN 。同 时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小， 可忽略。所以发射极电流I E ≈ IEN 。 发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到空穴后复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ IBN 。大部分到达了集电区的边缘。 因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子（漂移运动），形成电流ICN 。另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO（很小），所以IC ≈ICN （2）、BJT的放大： 集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话）：基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化 满足一定的比例关系：IC= βIB 即电流变化被放大了倍， (β叫做三极管的 放大倍数,一般远大于1）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极 之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了IC很大 的变化。如果集电极电流IC是流过一个电阻RC的，那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的 电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。 3、如何理解三极管是电流控制的有源器件？ 答：这要从三极管的电流放大和开关特性说起! 半导体三极管的结构是在硅片的基区上形成相邻的集电结和发射结!这两个结的电流导通必需通过基区!这有点像两根水管中间要通过一层滤网或是闸门!基区的网栅密度或闸门开闭控制着集,射极间的电流强度! 三极管的基区空穴密度取决于所加电位!而空穴密度又决定着该结的厚度!这个厚度又决定了其导电强度!这就决定了集,射间的电流强度! 三极管的三个极电压是基极很低!集电极很高!发射极是公共端! 我们在基极和发射极间控制一个小电位的变化或通断!就能间接地控制集电极和发射极间的大电流(高电位)变化或是通断!这就是三极管是电流控制的有源器件的原理
试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电________；滤波电路的任务是_滤除脉动直流电中的交流成分_________。 2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__载流子的浓度差________而产生的，漂移运动是_______内电场的电场力___作用下产生的。 3．放大器有两种不同性质的失真，分别是____线性______失真和非线性__________失真。 4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容_______的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容________的影响。 5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_________；引入交流负反馈的作用是___稳定增益、抑制非线性失真、___改变输入输出电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声__。 6．正弦波振荡电路一般由选频网络__________、__放大电路________、正反馈网络__________、__稳幅电路________这四个部分组成。 7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为__100________，总的放大倍数为__________。 8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻R e对__差模输入________信号的放大无影响，对_共模输入_________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比K CMR为_差模增益与共模增益_________之比。 9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。 二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）： 1、（y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 2、（y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。 3、（y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。 4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。 5、（yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。 6、（n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。 7、（y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。 8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。 9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。 10、（y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。 三、选择（本题共20分,每个选择2分）： 1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（ A ） A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管； 2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻R b的值（C ）。 A. 增大 B.不变 C. 减小 3．典型的差分放大电路中Re（ B ）。 A.对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用 4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C ）。 A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V 5．电流源的特点是（ A ）。 A .交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 6．影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。 A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适； C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在； 7．关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。 A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位； C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大 8．有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，I CEO＝200μA；T2的β＝100，I CEO＝10μA；T3的β＝10，I CEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ） A. T1管； B. T2管； C. T3管 9．交流反馈是指（ C ） A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈； C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈； 10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ） A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路； 四、分析与计算（本题共50分）： 1．(本小题10分) 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。 2．(本小题10分) 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值U o的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）R L开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。 3．(本小题12分) 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，R L＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降U CES＝0V，U o＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率P om；（3）估算单个三极管的最大集电极
模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。
A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电
一、判断。 1由于集成运放是直接耦合放大电路，因此只能放大直流信号，不能放大交流信号。（） 2理想运放只能放大差模信号，不能放大共模信号。（） 3不论工作在线性放大状态还是非线性状态，理想运放的反相输入端与同相输入端之间的电位差都为零。（） 4不论工作在线性放大状态还是非线性状态，理想运放的反相输入端与同相输入端均不从信号源索取电流。（） 5 在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（）6电路只要满足│AF│=1，就一定会产生正弦波振荡。 ( ) 7负反馈放大电路不可能产生自激振荡。 ( ) 8为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，就应在其电路中使集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。（） 9输入电压在单调变化的过程中，单限比较器和滞回比较器的输出电压均只可能跃变一次。 ( ) 10单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高（） 二、选择。 1所谓放大器工作在闭环状态，是指（） A. 考虑信号源内阻 B. 有反馈通路 C. 接入负载 D. 信号源短路 2差分放大电路的差模信号是两个输入信号的（）共模信号是两个输入端信号的（）。 A、差 B．和 C．平均值 3在输入量不变的情况下，若引人反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。 A．输入电阻增大 B．输出量增大 C．净输入量增大 D．净输入量减小 4直流负反馈是指（）。 A直接耦合放大电路中所引入的负反馈 B.只有放大直流信号时才有的负反馈 C．在直流通路中的负反馈 5为了实现下列目的，应引入 A．直流负反馈 B．交流负反馈 ①为了稳定静态工作点，应引入（）； ②为了稳定放大倍数，应引入（）； ③为了改变输入电阻和输出电阻，应引入（）； ④为了抑制温漂，应引入（）； ⑤为了展宽频带，应引入（）：6.利用基本放大电路的微变等效电路只可求该放大电路的（） A. 电压放大倍数 B. 输入电阻和输出电阻 C. 静态工作点 D. 电压放大倍数、输入电阻和输出电阻 7.如图一所示电路，输入电压v I = 5mV，输出电压v O = 40mV，则反馈电阻R f为（） A. 80kΩ B. 40 kΩ C. 50 kΩ D. 70 kΩ 8.NPN型和PNP型三极管的区别是（） A. 由两种不同的材料硅或锗构成 B. 掺入的杂质不同 C. P区和N区的位置不同 D. 所加的正负电源不同 9.如图二所示负反馈放大电路的类型是：（） A. 电压并联负反馈电路 B. 电压串联负反馈电路 C. 电流并联负反馈电路 D. 电流串联负反馈电路 10.在单管共射放大器中（） A. i o与v i反相 B. v o与i o同相 C. v o与v i同相 D. v o与v i反相 三.填空题。 ⒈集成运放的输入级电路通常是一个⑴，输出级电路通常是⑵。 ⒉在反馈放大电路中，根据反馈量的引入对净输入量的影响的不同，可将反馈分为⑶和⑷两种类型。 ⒊在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为信号⑸；大小相等、极性或相位相反的两个输入信号称为信号⑹。 ⒋金属—氧化物——半导体场效晶体管简称MOS管，按其导电沟道中用来导电的载流子的类型，可将其分为⑺和⑻两种。 ⒌工作于线性区的理想运放，其净输入端有两个特点：即净输入电压v di = 0和净输入电流i di = 0通常称为⑼和⑽。 图二
试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ C ）。 A.电子 B.三价硼元素 C .五价磷元素 （3）为了减小零点漂移，通用型运放的输入级大多采用（ C ）。 A.共射电路 B.乙类放大电路 C .差动放大电路 （4）高通滤波电路可以用于（ A ）。 A . 滤除低于某一频率的无用信号 B. 滤除高于某一频率的无用信号 C. 让低于某一频率的有用信号通过 （5）长尾式差动放大电路抑制零点漂移的主要原因是（ C ）。 A.采用了双极型电源 B.电路和参数对称性好 C .引入了电流串联型负反馈 （6）、电路如图所示，其输出电压u O 等于（ B ）。 A.i2i1u u - B .i1i2u u - C. i2i1u u + （7）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的0.7倍,即增益下降（ A ）。 A .3d B B.4dB C.5dB （8）( B )运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 A ．同相比例 B ．微分 C ．同相求和 （9）PN 结加正向电压时，空间电荷区将( A )。 A . 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （10）OCL 功率放大电路如图所示，当u i 为正半周时，则( A )。
A. T1导通T2截止 B. T1截止T2导通 C. T1，T2导通 （11）整流的目的是（ A ）。 A. 将交流变为直流 B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波（12）电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为如图所示的三角波，则输出电压u o的最大值为（ B ）。 A. 5 V B. 7 V C. 2 V 二、填空题：（总16 分，每空 2 分） （1）、一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为e 极，B为 b 极，C为 c 极。 （2）工作在放大区的晶体管，当I B从10μA增大到20μA，I C从1mA增大到2mA，它的β为 100 。 （3）由于不易制造大容量电容，集成电路采用直接耦合放大方式。
1.某个处于放大状态的电路，当输入电压为1０mV,输出电压 为6.5Ｖ,输入电压为１5mV时，输出电压为7V(以上均为直 流电压),它的电压增益为( Ｃ) ａ、70０b、6５0 ｃ、100 d、－１０0 2.当输入信号频率为f L或ｆH时,电压增益的幅值约下降为中 频时的( Ｂ） ａ、05. b、0．７c、0．9 ｄ、１ 3.当输入信号频率为fL或ｆH时, 电压增系下降了( B )。 Ａ、2 ｄＢB、3ｄＢC、４ｄＢD、6dB 4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3KΩ 的负载 电阻后输出电压降为３V,这说明放大电路的输出电阻为（C) ａ、１0KΩb、2KΩｃ、1 KΩｄ、0．5KΩ 5.用两个A U相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压 信号进行放大，测试结果输出电压V OＡ>ＶOＢ,由此可知A比B（ B ） a、一样 b、差 c、好 d、无法判别 6.用两个放大电路A和Ｂ分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时Ｖ =V OB,都接入负载R L时，测得V OＡ a、虚短 b、虚断ｃ、虚地d、以上均否 8.如图示,运放Ａ为理想器件,则其输出电压V0为（A ） a、０V b、３V c、6Ｖｄ、9Ｖ 9.如图示,运放Ａ为理想器件，则其输出电压V O为（Ｃ) a、9Ｖｂ、6Vｃ、0V d、3Ｖ 10.设ＶN、V P和Ｖ0分别表示反相输入端、同相输入端和输 出端，则V0与V N、V P分别成( Ｄ) a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相 11.若要将幅度为±Uｍ的矩形波转变为三角波，则应选用( D ) A、反相比例运算电路?Ｂ、同相比例运算电路?C、微分运算电路 D、积分运算电路 半导体 12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( Ｄ)。 ａ、电子b、空穴c、三价硼元素d、五价磷元素 13.半导体中有两种载流子，它们分别是（Ｃ) ａ、电子和受主离子b、空穴和施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子 14.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( B ） a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺ｄ、晶体缺陷 15.在室温附近，当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加是（C ） a、载流子ｂ、多数载流子c、少数载流子d、正负离子 1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Ｉs将增大,是因为此时ＰN结内部的B 。 [ ] A 多数载流子浓度增大 B 少数载流子浓度增大 C 多数载流子浓度减小 D 少数载流子浓度减小 2. 某只硅稳压管的稳定电压Ｖz = 4v,其两端施加的电压分别为＋５v（正向偏置）和-5v(反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。［］ A +5ｖ和-５v Ｂ－５ｖ和+4v C +４v和-0.7v Ｄ +0．7v和－4v ⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B ＝ -６．３v，ＶＥ＝ -７ｖ，VＣ＝ -４ｖ，可以判定此晶体管是管，处于 B 。 [ ] A ＮPN管，饱和区ＢＰNP管, 放大区 C PNP管，截止区 D NPN管, 放大区 ⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的Ｂ。［］ A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 ⒌在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是: Ｂ。 [ ] A 共发射极电路的A V最大、RＩ最小、R O最小 Ｂ共集电极电路的A V最小、ＲI最大、R O最小 C 共基极电路的AＶ最小、R I最小、R O最大 D 共发射极电路的A V最小、ＲI最大、RＯ最大 ⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是Ｃ。 [ ] A 电阻阻值有误差Ｂ晶体管参数的分散性 Ｃ晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 7.差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比. [ ] A 抑制共模信号； B 抑制差模信号; Ｃ放大共模信号； D 既抑制共模信号又抑制差模信号; 8.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使D。 [ ]Ａ电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 9．集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。[ ] A阻容耦合式 B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有 10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。 [ ]Ａ耦合电容和旁路电容的影响Ｂ晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性Ｄ放大电路的静态工作点设置不合适 11．在输入量不变的情况下,若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。 [ ] A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小 12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 B 的特点以获得较高增益。［ ] A 直流电阻大、交流电阻小Ｂ直流电阻小、交流电阻大 C 直流电阻和交流电阻都小 D 直流电阻大和交流电阻都大 B 选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。每空1分，共14分） 1． 已知常温下26mV T U =,二极管D 正偏电压U D =0.6V ，电流I D =0.8mA ，其交流电阻 r D =（ ）。 A. 750Ω B. 32.5Ω C. 375Ω D. 16.25Ω 2． BJT 放大电路中，测得三个电极①、②、③对地电位分别为12V 、12.2V 、0V ，据此 可判定BJT 为( A )型三极管，其三个电极中①为( D )极。 A. PNP B. NPN C. 发射极 D. 基极, E. 集电极 3． 图1所示共射放大电路，设静态时CQ 5mA I =，晶体管 饱和管压降CES 0.6V U =，当输入信号幅度增大到一定值时，电路将首先出现（ ）失真，其输出波形的( )将削去一部分。 A. 截止 B. 饱和 C. 顶部 D. 底部 4． 在图1所示电路中，已知晶体管的100β=， be 1k r =Ω，i 20mV U =；静态工作时BEQ 0.7V U =，CEQ 5V U =，BQ 20uA I =， 相应的电压增益为（ ）。 A ．u 1003 3001A ?=-=-& B ．u 1001.5 1501 A ?=-=-& C ．u -352502010A =-=-?& D ．u 57.140.7 A =-≈-& 5． 根据不同器件的工作原理，试判断（ ）可以构成复合管。 （A ） （B ）（C ） （D ） 6． 在设计两级放大电路的过程中，要求输入电阻i R 约为150k Ω，电压放大倍数的数值 u A &约为100，第一级电和第二级电路应采用（ ）。 A. 共集电路；共射电路 B ．共基电路；共射电路 C. 共集电路；共基电路 D. 共射电路；共射电路 7． MOS FET 构成的两级放大电路，总电压增益u 2000A =倍，其中第一级的电压增益 模电典型例题分析 第二章 题2．1 如图所示电路，已知集成运放开环差模电压增益为∞，其电源电压±VCC=±１４Ｖ，Ｕｉ=１V;R １＝10k,R ｗ=1０0k 。请问：当Rw 滑动端分别在最下端、最上端和中点时时，输出Ｕo=?V ； 解： 1４V ,1V ,6V 题２．2 在题图所示的放大电路中，已知Ω=====k R R R R R 1087521，Ω===k R R R 201096∶ ① 列出1O u 、2O u 和O u 的表达式； ② 设V u I 3.01=,V u I 1.02=,则输出电压?=O u 注：此图A 1的同相端、反相端标反。 解 分析:本题中,运放A １构成反相比例运用电路,A 2构成同相比例运用。而A ３则构成了一个减法电路，由于可将运放当作理想器件,又在线线场合下使用，所以可使用“虚短”及“虚断”的两个基本概念来对电路进行分析。 (1) 21111152221 610 10 10311202O I I I O I I I R u u u u R R u u u u R =- =-?=-???? =+=+?= ? ????? 对A 3,1032222 810202 10203O O O I R u u u u u R R +=?===++ 因为0133079u u u u R R ---=－ 332011 I I u u u u u -+===- ()()90313212712 20 10 23O I I I I I R u u u u u u u R u u -=- -=---=+ (2）120.3,0.120.330.10.9I I O u V u V u V ===?+?= 题２.３ 加减运算电路如图所示，求输出电压O u 的值。 R u 分析:本题中运放Ａ构成了差分减法电路，由于运放可作理想器件,且工作在线性区,可用“虚短”和“虚断”的基本概念来分析电路。此电路的同相和反相端分别有两个输入信号,因此可用叠加原理来分析。 1s u 单独作用：2s u 、 3s u 、4s u 接地，此时输出为O1u F O11 1s R u u R =- 2s u 单独作用:1s u 、 3s u 、4s u 接地,此时输出为O2u F O222 s R u u R =- 3s u 单独作用：1s u 、 2s u 、4s u 接地，此时输出为O3u 45 p 3 453////s R R u u R R R =+ N P N O3N 12F //u u u u u R R R =-∴ = F O3N 12 (1)//R u u R R =+ 45F 3 12453//(1)////s R R R u R R R R R =++ 4s u 单独作用：1s u 、 2s u 、3s u 接地，此时输出为O4u 35F O44 12354 //(1)////s R R R u u R R R R R =+ + 最新模电题库附答案 1晶体管工作在放大区时，发射结为____，集电结为____，工作在饱和区时，发射结为____，集电结为____。 A、正向偏置， B、反向偏置， C、零偏置 [答案]A|B|A|A 2N型半导体是在纯净半导体中掺入____；P型半导体是在纯净半导体中掺入____。 A、带负电的电子， B、带正电的离子， C、三价元素，如硼等， D、五价元素，如磷等 [答案]D|C 3当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN 结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。 A、大于， B、小于， C、等于， D、变宽， E、变窄， F、不变 [答案]A|E|B|D 4在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 A、增大， B、减小， C、不变 [答案]A|B 5某二极管反向电压为10V时，反向电流为μA。在保持反向电压不变的条件下，当二 极管的结温升高10℃，反向电流大约为____。 A、0.05μA， B、0.1μA， C、0.2μA， D、1μA [答案]C 6在如图所示的电路中，当V＝3V时，测得I＝1mA，。 1．当V调到6V，则I将为____。 A、1mA， B、大于1mA，但小于2mA C、2mA， D、大于2mA 2．保持V＝3V不变，温度升高20℃，则将为____。 A、小于0.7V， B、0.7V不变， C、大于0.7V [答案]D|A 7电路如图所示，，当直流电源电压V增大时，二极管VD的动态电阻 将____。 A、增大， B、减小， C、保持不变 [答案]B 8在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是____，电极②是____，电极③是____（A、发射极，B、基极，C、集电极）；该晶体管的类型是____（A、PNP型，B、NPN型）；该晶体管的共射电流放大系数约为____模电习题课答案版
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