NAND Flash Code Information(1/3)
Last Updated : August 2009
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1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G GG : 384G NG : 96G
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6. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND P : moviMCP Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 6 : x16
1 : Normal (x16) D : DDR N : moviNAND FAB T : Premium eSSD
8 : x8
8. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation
16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G HG : 512G ZG : 48G
28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G FG : 256G LG : 24G 00 : NONE
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Part Number Decoder
NAND Flash Code Information(2/3)
Last Updated : August 2009
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14. Customer Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample K : Special Handling L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)
11. "─" 12. Package 8 : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) 9 : 56TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) A : COB B : FBGA (Halogen-Free, Lead-Free) D : 63-TBGA E : ISM (Lead-Free, Halogen-Free) F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA H : BGA (Lead-Free, Halogen-Free) I : ULGA (Lead-Free) (12*17) J : FBGA (Lead-Free) K : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (12*17) L : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (14*18) M : 52-ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (13*18) P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : 56-TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) S : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) T : WSOP (Lead-Free, Halogen-Free) U : COB (MMC) V : WSOP W : Wafer Y : TSOP1 Z : WELP (Lead-Free) 13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)
15. Pre-Program Version 0 : None Serial (1~9, A~Z)
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Part Number Decoder
NAND Flash Code Information(3/3)
Last Updated : August 2009
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16. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately) Divide Component Packing Type TAPE & REEL Other ( Tray, Tube, Jar ) Stack Module MODULE TAPE & REEL MODULE Other Packing T 0 ( Number) S P M New Marking
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17~18. Customer "Customer List Reference"
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Part Number Decoder
zhangshengheng@https://www.doczj.com/doc/1c13053733.html,
三星 flash 命名规则
如何根据 Samsung 的 Nand Flash 的芯片型号(Part Number)读懂芯片详细信息 + 举例 K9GAG08U0M 说明 【Samsung ：NAND Flash Code Information】 三星的 NAND Flash Code Information： https://www.doczj.com/doc/1c13053733.html,/global/business/semiconductor/productInfo.do?fmly_id=672&partnum=K9 GAG08U0M 中的 Part Number Decoder
拷贝出来如下：
NAND Flash Code Information
1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP
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R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density（注：实际单位应该是 bit，而不是 Byte） 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G DG : 128G EG : 256G FG : 256G GG : 384G HG : 512G LG : 24G NG : 96G ZG : 48G 00 : NONE 6. Technology 0 : Normal (x8) 1 : Normal (x16) C : Catridge SIP D : DDR M : moviNAND N : moviNAND FAB P : moviMCP T : Premium eSSD Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 8 : x8 6 : x16 8. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation
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B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation 11. "─" 12. Package 8 : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) 9 : 56TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free, CU) A : COB B : FBGA (Halogen-Free, Lead-Free) D : 63-TBGA E : ISM (Lead-Free, Halogen-Free) F : WSOP (Lead-Free) G : FBGA H : BGA (Lead-Free, Halogen-Free) I : ULGA (Lead-Free) (12*17) J : FBGA (Lead-Free) K : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (12*17) L : ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (14*18) M : 52-ULGA (Lead-Free, Halogen-Free) (13*18) P : TSOP1 (Lead-Free) Q : TSOP2 (Lead-Free) R : 56-TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) S : TSOP1 (Lead-Free, Halogen-Free) T : WSOP (Lead-Free, Halogen-Free) U : COB (MMC) V : WSOP W : Wafer Y : TSOP1 Z : WELP (Lead-Free) 13. Temp C : Commercial I : Industrial S : SmartMedia B : SmartMedia BLUE 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code) NAND Flash Code Information(2/3) K 9 X X X X X X X X - X X X X X X X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 14. Customer Bad Block B : Include Bad Block D : Daisychain Sample K : Special Handling L : 1~5 Bad Block N : ini. 0 blk, add. 10 blk S : All Good Block 0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception
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handling code) 15. Pre-Program Version 0 : None Serial (1~9, A~Z) 16. Packing Type - Common to all products, except of Mask ROM - Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately
17~18. Customer "Customer List Reference" 【举例说明】 K 9 G A G 0 8 U 0 M P C B 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 K9GAG08U0M 详细信息如下: 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) G : MLC Normal 4~5. Density AG : 16G (Note: 这里单位是 bit 而不是 byte， 因此实际大小是 16Gb=2GB) 6. Technology 0 : Normal (x8) 7. Organization 0 : NONE 8 : x8 8. Vcc U : 2.7V~3.6V 9. Mode 0 : Normal 10. Generation M : 1st Generation 11. "─" 12. Package P : TSOP1 (Lead-Free) 13. Temp C : Commercial
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14. Customer Bad Block B : Include Bad Block 15. Pre-Program Version 0 : None 整体描述就是： K9GAG08U0M 是，三星的 MLC Nand Flash，工作电压为 2.7V~3.6V，x8（即 I/O 是 8 位），大小是 2GB （16Gb），TSOP1 封装。
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Hynix 海力士
H 2 7 X X X X X X X X X - X X (1) HYNIX (2) PRODUCT FAMILY (4) POWER SUPPLY(VCC) (8) NAND CLASSIFICATION (7) ORGANIZATION (14) BAD BLOCK (11) PACKAGE TYPE 2 : Flash S: SLC + Single Die + Small Block A: SLC + Double Die + Small Block B: SLC + Quadruple Die + Small Block F: SLC + Single Die + Large Block G: SLC + Double Die + Large Block H: SLC + Quadruple Die + Large Block J: SLC + ODP + Large Block K: SLC + DSP + Large Block T: MLC + Single Die + Large Block U: MLC + Double Die + Large Block V: MLC + Quadruple Die + Large Block W: MLC + DSP + Large Block Y: MLC + ODP + Large Block C: Included Bad Block E: 1~5 Bad Block Included M: All Good Block I: TSOP1 B: WSOP S: USOP P: LSOP1 T: FBGA V: LGA S: WLGA N: VLGA F: ULGA X: Wafer M: PGD1 (chip) Y: KGD U: PGD2 W: 1st C: 2nd K: 3rd D: 4th
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M A B C (5), (6) DENSITY 1: 1 nCE & 1 R/nB; Sequential Row Read Enable 2: 1 nCE & 1 R/nB; Sequential Row Read Disable 4: 2 nCE & 2 R/nB; Sequential Row Read Enable 5: 2 nCE & 2 R/nB; Sequential Row Read Disable D: Dual Interface; Sequential Row Read Disable F: 4 nCE & 4 R/nB ; Sequential Row Read Disable
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micron镁光nand命名规则
https://www.doczj.com/doc/1c13053733.html,/support/designsupport/documents/png Standard NAND Flash Part Numbering System Micron's part numbering system is available at Standard NAND Flash* MT 29F 2G 08 A A A WP - xx xx xx xx ES : A Micron Technology Design Revision (shrink) A = 1st design revision
1. Single-Supply Flash
29F = Single-Supply NAND Flash Production Status 29H = High Speed NAND Blank = Production ES = Engineering samples
2. Density QS = Qualification samples
1G = 1Gb MS = Mechanical samples 2G = 2Gb 4G = 4Gb Operating Temperature Range 8G = 8Gb Blank = Commercial (0°C to +70°C) 16G = 16Gb ET = Extended (–40°C to +85°C) 32G = 32Gb WT = Wireless (–25°C to +85°C) 64G = 64Gb 128G = 128Gb Block Option (Reserved for use) 256G = 256Gb Blank = Standard device
3. Device Width Flash Performance
08 = 8 bits Blank = Full specification 16 = 16 bits
4. Speed Grade (MT29H Only)
Classification 15 = 133 MT/s 12 = 166 MT/s
5. Mark Bit/cell Die RnB
A SLC 1 1 Package Code B SLC 2 1 WP = 48-pin TSOP I (CPL version) (Pb-free) C SLC 2 1 WC = 48-pin TSOP I (OCPL version) (Pb-free) D SLC 2 2 H1 = 100-ball VFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.0 E SLC 2 2 H2 = 100-ball TFBGA (Pb-free), 12 x 18 x 1.2 F SLC 4 2 HC = 63-ball VFBGA, 10.5 x 13 x 1.0 G SLC 4 2 C2 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.4 (use TBD) J SLC 4 + 4 2 + 2 C3 = 52-pad ULGA, 12 x 17 x 0.65 K SLC 8 4 C4 = 52-pad VLGA, 12 x 17 x 1.0 (SDP/DDP/QDP) Z SLC 1 NA C5 = 52-pad VLGA, 14 x 18 x 1.0 (SDP/DDP/QDP) C6 = 52-pad LLGA, 14 x 18 x 1.47 (8DP, QDP, DDP) M MLC 1 1 C7 = 48-pad LLGA, 12 x 20 x 1.47 (8DP) N MLC 2 1 SWC = 48-pin Stacked TSOP (OCPL version) (Pb-free)
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P Q R T U V W Y
MLC MLC MLC MLC MLC MLC MLC MLC
2 2 2 4 4 4 8 8
1 2 2 2 2 + 4 4
SWP = 48-pin Stacked TSOP (CPL version) (Pb-free) Generation (M29 only)/Feature Set A = 1st set of device features B = 2nd set of device features (rev only if different than 1st set) 4 2 + 2 C = 3rd set of device features (rev only if different) D = 4th set of device features (rev only if different) etc.
6. Operating Voltage Range
A = 3.3V (2.70–3.60V), VccQ 3.3V (2.70–3.60V) B = 1.8V (1.70–1.95V) C = 3.3V (2.70–3.60V), VccQ 1.8V (1.70–1.95V) *Contact Micron for help differentiating between standard and next-generation NAND offerings.
intel nand code name
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电容的型号命名 1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成： 第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 2）电容的标志方法： （1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 （2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。 （3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰 耐压4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V 15）安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级（IEC664） X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ X2 ≤2.5kV Ⅱ X3 ≤1.2kV —— 16）安规电容安全等级绝缘类型额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘≥250V Y2 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y3 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y4 基本绝缘或附加绝缘<150V Y电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外，还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义 安规电容的参数选择 X电容，聚苯乙烯（薄膜乙烯）电容，从上面的贴子里也可以看到，聚苯乙烯的耐电压较高，适合EMI 电路的高压脉冲吸收作用。 2.容量计算：一般两级X电容，前一级用0.47uF,第二基用0.1uF；单级则用0.47uF.目前还没有比较方便的计算方法。（电容容量的大小和电源的功率无直接关系） 电容的型号命名：
MAXIM命名规则 AXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。 MAX×××或MAX×××× 说明：1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。 2 后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。 3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护 MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）说明 E指抗静电保护 MAXIM数字排列分类 1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关 4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准 7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器 三字母后缀： 例如：MAX358CPD C = 温度范围 P = 封装类型 D = 管脚数 温度范围： C = 0℃ 至70℃（商业级） I = -20℃ 至+85℃ （工业级） E = -40℃ 至+85℃ （扩展工业级） A = -40℃ 至+85℃ （航空级） M = -55℃ 至+125℃ （军品级） 封装类型： A SSOP(缩小外型封装) B CERQUAD C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) D 陶瓷铜顶封装 E 四分之一大的小外型封装 F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插) K TO-3 塑料接脚栅格阵列 L LCC (无引线芯片承载封装) M MQFP (公制四方扁平封装) N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插
命名规则 烷烃的命名 普通命名法： 碳原子数目+烷 碳原子数为1~10用天干（甲、乙、丙、……壬、癸）表示 不同的异构体用词头“正”、“异”和“新”等区分 碳原子数为10以上时用大写数字表示 IUPAC命名法（系统命名法）： 1.选择主链（母体） （1）选择含碳原子数目最多的碳链作为主链，支链作为取代基。 （2）分子中有两条以上等长碳链时，则选择支链多的一条为主链。 2.碳原子的编号 （1）从最接近取代基的一端开始，将主链碳原子用1、2、3……编号 （2）从碳链任何一端开始，第一个支链的位置都相同时，则从较简单的一端开始编号。 （3）若第一个支链的位置相同，则依次比较第二、第三个支链的位置，以取代基的系列编号最小（最低系列原则）为原则。 3．烷烃名称的写出 A将支链（取代基）写在主链名称的前面 B取代基按“次序规则”小的基团优先列出烷基的大小次序：甲基<乙基<丙基<丁基<戊基<己基<异戊基<异丁基<异丙基。 C相同基团合并写出，位置用2，3……标出,取代基数目用二,三……标出。
D表示位置的数字间要用逗号隔开，位次和取代基名称之间要用“半字线”隔开。 烷烃的命名归纳为十六个字：最长碳链，最小定位，同基合并，由简到繁。 环烷烃的命名 普通环烷烃的命名 以环为母体，名称用“环”开头。 环外基团作为环上的取代基。 取代基位置数字取最小 若取代基碳链较长，则环可作为取代基（称环基） 相同环连结时，可用词头“联”开头。联环丙烷 2'环烷烃的顺反异构：假定环中碳原子在一个平面上，以环平面为 2参考11' 平面，两取代基在同一边的叫顺式（cis-)，否则叫反式（trans-) 桥环烃的命名 3'3 桥头碳：几个环共用的碳原子 环的数目：断裂二根C—C键可成链状烷烃为二环；断裂三根C—C键可成链状烷烃为三环桥头碳原子数：不包括桥头C，由多到少列出 环的编号方法：从桥头开始，先长链后短链 环的数目【桥头碳原子数多到少列出用.隔开】组成桥环的碳原子总数 螺环烃的命名
三星电容例：CL10B104KA8NNNC 规格说明：CL=积层陶瓷电容 03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520) 05=0402(1005) 31=1206(3216) 43=1812(4532) 10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750) 14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220) II类:A=X5R F=Y5V B=X7R X=X6S Y=X7S 电容容量用三位数表示，前面两位为有效数字，第三位为有效数字后"O"的位数如：104 = 10 0000 （单位pF）如果中间一位为R 则表示"." 如：3R3 = 3.3pF 误差： B=±0.1pf F=±1% K=±10% C=±0.25pf G=±2% M=±20% D=±0.5pf J=±5% Z=+80/-20% 承受的耐压： Q=6.3V P=10V O=16V A= 25V B= 50V C=100V D=200V E=250V G=500V H=630V 厚度： 3=0.30毫米 A=0.65毫米 M=1.15毫
米 I=2.00毫米 Q=1.25毫米 5=0.50毫米C=0.85毫米F=1.25毫米J=2.50毫米V=2.50毫米8=0.80毫米D=1.00毫米H=1.60毫米 L=3.20毫米 端头类别： A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡100% N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100% G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100% L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100% 产品： A =阵列(2-元素) B =阵列(4-元素) C=高频 L =LICC N =常规 P =自动 预留的用途包装方式： B=散装 O=纸版箱料带,10英寸料盘 E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea) F=压花纸版箱,13英寸料盘 C=纸版箱料带,7英寸料盘 L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea) S=压花纸版箱
空调知识大全：什么是变频空调？、什么是定速空调？、变频空调和定频空调的区别？、数字直流空调与交流空调的区别？、窗式空调？分体挂壁式空调？分体立拒式空调？吊顶式空调？嵌入式空调？ 1、什么是变频空调？ 答:变频空调：变频空调开机后，为迅速达到设定温度会高频率运转，快速制冷。当房间温度达到设定温度后，开始以低频率运行，柔和送风，低噪音运转，保持房间安静、温度稳定。变频空调没有频繁启动造成对压缩机和整机系统的影响，有效延长使用寿命。 2、什么是定速空调？ 答:定速空调：定速空调开机后，频率固定不变，制冷速度较慢。温度达到设定温度即停止运转，待温度变化超出一定的范围，定速空调再次启动，如此反复，温度在一定范围内波动变化。频繁的启停对压缩机和整机系统影响较大。 3、变频空调和定频空调的区别？ 答:(1)变频空调高功率启动运转，迅速达到设定温度，低功率维持，室温平衡，因而制冷制热迅速、省电、室温波动小。(2)定频空调以固定功率运转，通过频繁开关机维持室内温度，因而制冷制热速度缓慢，对家庭电网冲击大，室温波动大。 4、数字直流空调与交流空调的区别？ 答:交流空调改变的是压缩机的供电频率，从而改变压缩机工作速度及供电频率10HZ—150HZ；直流空调改变的是压缩机的供电电压，从而改变压缩机的工作速度供电电压150V—260V。 5、窗式空调？分体挂壁式空调？分体立拒式空调？吊顶式空调？嵌入式空调？>
窗式空调:室内外机合为一体，适用于小面积房间，安装方便且价格便宜，但噪音大。 分体挂壁式空调:不受安装位置限制，更易与室内装饰搭配，噪音小，需要安装质量较高。 分体立拒式空调:功率大、风力强、适合大面积房间，但噪音大。 吊顶式空调:占地面极小，送风距离远，制冷效果好，但受安装位置限制，不易清洁。 嵌入式空调:占地面极小，美观大方，送风面积广，制冷效果好，但造价高。 小型中央空调:美观大方，质量好，制冷速度快，占地面积小，维护周期长。 6、单冷型空调？冷暖型空调？什么是热泵式？什么是电热式？什么是电辅助加热型？ 单冷型空调:只制冷，适用于夏天较热而冬季较暖的地区，或冬季供热充足的地区。 冷暖型空调:既制冷又制热，适用于夏季炎热冬季寒冷的地区。购买时应注意选择制热量大于 制冷量的空调以确保制热效果。 什么是热泵式:依靠专门装置，使空调器的制冷循环向实现一机两用，夏季制冷，冬季制热。 什么是电热式:在单冷型空调器上增设一组电热丝的加热装置达到制热的目的。 什么是电辅助加热型:将电热式、热泵式结合起来的空调器。在热泵式机身内增加了电辅助加 热部件，确保冬季制热强劲。不过，在冬季供暖比较充足的北京似乎并无必要。电辅助加热功能一般只应用于大功率柜式空调。 7、空调的”匹”是什么意思？
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。
空调型号的含义 对于空调命名来说，我们用一个产品为例为大家做简单介绍，我们以具体型号为KFR-50LW/BP3DN1Y-C的空调为例。下面我们就简要为大家介绍一些这款立柜空调的命名方法，也希望以此为基础，让各位了解更多的空调命名规则。 KFR-50LW/BP3DN1Y-C K：空调或表示房间空调器 F：分体式 R：冷暖型，单冷型无此标识 50：制冷量为5000瓦 L：立式柜机（G:壁挂型空调） W：外机 BP：变频式 3：三级能效 D：电辅热功能 N1：R410A环保冷媒 Y：遥控控制 C：型号区别码，即此机为变频系列里C款机型。 一、空调的主要参数 制冷量和制热量：空调调节室内气温的能量。例如50机的制冷量5000W，制热量5800W。 二、制冷功率和制热功率：空调的耗电量。例如50机的制冷功率1860W，制热 功率1810W + 辅助电加热功率1500W=3310 W。 三、能效比：空调制冷量与制冷功率的比值。例如50机的能效比是5000÷1860 ＝2.69 四、卖场所称空调的“匹”数，例如“1匹”、“1.5匹”、“2匹”等等，是一种约定俗成 的说法，指空调的制冷量。 五、空调主要机型的型号标识及其含义： 1. KFR-25GW，简称25机； 2. KFR-35GW，简称35机； 3. KFR-50LW，简称50机； 4. KFR-60LW，简称60机； 5. KFR-70LW，简称70机; 6. KFR-120LW，简称120机。 六、25、35、50、60、70、120：表示制冷量。分别为2500瓦、3500瓦、5000 瓦、6000瓦、7000瓦、12000瓦。其他数值的制冷量以此类推。空调型号字母中有“R”的为冷暖空调；没有“R”的是单冷空调。在上述型号字母之后标有“BP”的，表示变频空调；没有“BP”的，表示定速空调；标有“ZBP”的，表示直流变频空调。其他的字母数字是空调的系列号。三、空调主要机型对应的匹数： 1. 25机：1匹； 2. 35机：1.5匹； 3. 50机：2匹； 4. 60机：2.5匹； 5. 70机：3匹； 6. 120机：5匹。 七、卖场习惯将以上6种标称，称为“正* 匹”；大于以上标称的称为“大* 匹”；小于以上标称的称为“小* 匹”。
电子元件分类与编码标准 为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的电脑化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1 总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方 式且统一为9位. 具体以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6 位数字或字母表示器件的具体规格或型号，第7位是附加的备注或特 殊的识别标记（除电容的命名方式外） 1.2 对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3 对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外 形相同则不同厂家的产品也可采用统一编号. 1.4 对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件 的外形尺寸, 主要规格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5 电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6 对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的 电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编 号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使 用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明： ＸＸ－ＸＸ－ＸＸＸＸＸＸ－ＸＸＸ－Ｘ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ 空位（环保区分时备 用） ｜ ｜ ｜ ｜ 误差/封装信息/引脚 数/修正编号/空位 ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ 元件种类/电气参数/型号 ｜ ｜ 供应商名代码 ｜ 物品代码 注：编码长度一至，编码中间的“—”不纳入ERP系统，例： RE0120000061280 2.1、电子元器件物品（电子元器件的命名字母缩写）: 器件名称字母缩写器件名称字母缩写器件名称字母缩写 电阻RE混合厚膜电路HB 导线WR 电阻阵列、 RA /RG传感器SN磁珠FR 可变 电容CP继电器RL 线圈CL
o Part Numbering (Part Number)Safety Standard Certified Ceramic Capacitors t Capacitance Expressed by three figures. The unit is pico-farad (pF). The first and second figures are significant digits, and the third figure expresses the number of zeros which follow the two numbers. o Individual Specification Code In case part number cannot be identified without "Individual Specification", it is added at the end of part number. Expressed by three-digit alphanumerics. three digits (q Product ID and w Series Category) express "Series Name". In case of Safety Certified Capacitors, first three digits express product code. The following fourth figure expresses certified type shown in r Safety Standard Certified Type column. t 102y M q DE u N3r KH e E3w 2i A o q Product ID w Series Category e Temperature Characteristics r Rated Voltage/Safety Standard Certified Type y Capacitance Tolerance u Lead Style i Packaging
IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC 命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。 一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分： ◆.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品 ◆.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量） ◆.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等 ◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它容： ◆.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示 ◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等 ◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等 ◆.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本 ◆.该产品的状态 举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品 详细的型号解说请到相应公司查阅。 IC命名和封装常识 IC产品的命名规则： 大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT 为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。ALTERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。Lattice一般以M4A，LSP，LSIG为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里就不一一做介绍了。 紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C 表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级 下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下： AMD公司FLASH常识：
电子元器件命名- - （资料是刚工作时前辈们留给我的，仅供参考。需要更多资料请咨询https://www.doczj.com/doc/1c13053733.html,掌柜） 电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上. 封装形式: 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好. 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装. DIP Double In-line Package 双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点. PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.
电容的型号的命名： 1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成： 第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 2）电容的标志方法： （1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 （2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。 （3）色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰 耐压4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V 15）安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级（IEC664） X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ X2 ≤2.5kV Ⅱ X3 ≤1.2kV —— 16）安规电容安全等级绝缘类型额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘≥250V Y2 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y3 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y4 基本绝缘或附加绝缘<150V Y电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外，还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义 安规电容的参数选择 X电容，聚苯乙烯（薄膜乙烯）电容，从上面的贴子里也可以看到，聚苯乙烯的耐电压较高，适合EMI 电路的高压脉冲吸收作用。 2.容量计算：一般两级X电容，前一级用0.47uF,第二基用0.1uF；单级则用0.47uF.目前还没有比较方便的计算方法。（电容容量的大小和电源的功率无直接关系）
精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则
电容的型号命名： 1、各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成： 第一部分：用字母表示名称，电容器为C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用数字表示分类。 第四部分：用数字表示序号。 2、电容的标志方法： (1)直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。 (2)文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F——±1pF。 (3)色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示： 颜色黑棕红橙黄绿蓝紫灰 耐压4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V (4)进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。 第一项：用字母表示类别： 第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。 第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示： 序号字母颜色温度系数允许偏差字母颜色温度系数允许偏差 1 A 金+100 R 黄-220 2 B 灰+30 S 绿-330 3 C 黑0 T 蓝-470 4 G ±30 U 紫-750 5 H 棕-30 ±60 V -1000 6 J ±120 W -1500 7 K ±250 X -2200 8 L 红-80 ±500 Y -3300 9 M ±1000 Z -4700 10 N ±2500 SL +350~-1000 11 P 橙-150 YN -800~-5800 备注：温度系数的单位10e -6/℃；允许偏差是% 。 第四项：用数字和字母表示耐压，字母代表有效数值，数字代表被乘数的10的幂。 第五项：标称容量，用三位数字表示，前两位为有效数值，第三为是10的幂。当有小数时，用R或P表示。普通电容器的单位是pF，电解电容器的单位是uF。 第六项：允许偏差。用一个字母表示，意义和国产电容器的相同。 也有用色标法的，意义和国产电容器的标志方法相同。 3、电容的主要特性参数： (1) 容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。在有些情况下，还有0级，误差为±20%。
电子元器件型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、
3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:
电容器（capacitor）简称电容，也是组成电子电路的主要元件。它可以储存电能，具有充电、放电及通交流、隔直流的特性。从某种意义上说，电容器有点像电池。尽管两者的工作方式截然不同，但它们都能存储电能。电池有两个电极, 在电池内部，化学反应使一个电极产生电子，另一个电极吸收电子。而电容器则要简单得多，它不能产生电子——它只是存储电子。它是各类电子设备大量使用的不可缺少的基本元件之一。各种电容器在电路中能起不同的作用，如耦合和隔直流、旁路、整流滤波、高频滤波、调谐、储能和分频等。电容器应根据电路中电压、频率、信号波形、交直流成分和温湿度条件来加以选用。 发展简况 傻瓜相机的闪光灯电容器 最原始的电容器是1745年荷兰莱顿大学P.穆森布罗克发明的莱顿瓶，它是玻璃电容器的雏形。1874年德国M.鲍尔发明云母电容器。1876年英国D.斐茨杰拉德发明纸介电容器。1900年意大利L.隆巴迪发明瓷介电容器。30年代人们发现
在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介电容器。1921年出现液体铝电解电容器，1938年前后改进为由多孔纸浸渍电糊的干式铝电解电容器。1949年出现液体烧结钽电解电容器，1956年制成固体烧结钽电解电容器。50年代初，晶体管发明后，元件向小型化方向发展。随着混合集成电路的发展，又出现了无引线的超小型片状电容器和其他外贴电容器。 基本原理 电容器是由两个电极及其间的介电材料构成的。介电材料是一种电介质，当被置于两块带有等量异性电荷的平行极板间的电场中时，由于极化而在介质表面产生极化电荷，遂使束缚在极板上的电荷相应增加，维持极板间的电位差不变。这就是电容器具有电容特征的原因。电容器中储存的电量Q等于电容量C与电极间的电位差U的乘积。电容量与极板面积和介电材料的介电常数ε成正比，与介电材料厚度(即极板间的距离)成反比。 电容量的单位是法。容量为1法的电容器可以在1伏特的电压下存储1库仑的电量。1库仑为6.25e18（6.25*10^18，即625 亿亿）个电子。1安培表示每秒钟流过1库仑电子的电子流动速率，因此，容量为1法的电容器可以在1伏特的电压下存储数量为1安培-秒的电子。1法的电容器通常相当大。根据电容器的电压承受能力的不同，它可能会有金枪
空调型号命名规则 (1)K—房间空调器。 (2)结构形式:F—分体式房间空调器；C—窗式房间空调器； (3)功能代号(单冷型无此代号):R—热泵型；D—电热型；RD—热泵辅助电热型。 (4)名义制冷量：用阿拉伯数字表示，其值取制冷量的前两位数。20、22、23代表一匹、25、26、28代表1.25匹、30、31、33、35、36代表1.5匹、40、45、50、60代表2匹、70代表3匹、120代表5匹 (5)分体式室内机组结构代号:L-柜式；G-壁挂式；C-窗式；N-内藏式；F-风管式；Q-嵌入式；D-吊顶式；W-室外机 (6)特殊功能:Y-遥控(仅限窗机)；D-直流；BP-变频(美的: BP、格力:Fd)；J-离子除尘；X-双向换风；F-负离子 如:KC-50/Y代表窗机，单冷，制冷量为5000W，为遥控型； KFR-35GW/BP表示壁挂分体式变频空调器，冷暖，制冷量为3500W。 空调适用面积参考
1P:11-17㎡ 1.25P:18-23㎡ 1.5P:18-25㎡2P:30-33㎡3P:40-45㎡5P:60㎡左右10P:100㎡左右 特推荐：空调器的命名有一套国家统一的标准，产品型号及含义如下： * * * * * * * * 1 2 3 4 5 6 7 8 1—表示产品代号（家用房间空调器用字母K表示） 2—表示气候类型（一般为T1型，T1型气候环境最高温度为43 C，T1型代号省略） 3—结构形式代号（空调器按结构形式分为整体式和分体式，整体式空调器又分为窗式和移动式，代号分别为：分体式—F、窗式—C、移动式—Y） 4—功能代号（空调器按功能主要分为单冷型、热泵型及电热型，单冷型代号省略，热泵型、电热型代号分别R、D） 5—规格代号（额定制冷量，用阿拉伯数字表示，空调器制冷量在10000W以下的，其单位为100W；制冷量大于或等于10000W时，其单位为1000W） 6—整体式结构分类代码或分体式室内机组结构分类代号（室内机组结构分类为吊顶式、挂壁式、落地式、天井式、嵌入式等，其代号分别为D、G、L、T、Q等） 7—室外机组结构代号（室外机组代号为W） 8—工厂设计序号和特殊功能代号等，允许用汉语拼音大写字母或阿拉伯数字表示。 下面以格力空调几个型号作简单说明 KCD-46（4620）其中K表示房间空调器，C表示窗机，D表示电热型，46表示制冷量是4600瓦。 KFR-25GW/E（2551）其中K表示房间空调器，F表示分体式，R表示热泵型，25表示制冷量是2500瓦，G表示挂壁式，W表示室外机代号，E表示冷静王系列产品。 KFR-50LW/E（5052LA）其中K表示房间空调器，F表示分体式，R表示热泵型，50表示制冷量是5000W，L表示落地式，W表示室外机代号。
PCB元件库命名规则 2.1 集成电路（直插） 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路（贴片） 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R 如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装 如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号 如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C 如：6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距 如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径 如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管 命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸 如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如：0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管