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2017年华南理工大学 912半导体物理 硕士研究生考试大纲及参考书目

2017年华南理工大学 912半导体物理 硕士研究生考试大纲及参考书目
2017年华南理工大学 912半导体物理 硕士研究生考试大纲及参考书目

912半导体物理考试大纲

一、 考试目的

本课程考试的目的是考察考生对半导体物理的基本概念、基本理论和基本分析方法的理解和掌握程度以及利用其解决半导体物理领域相关问题的能力。

二、考试的性质与范围

该入学考试是为微电子学与固体电子学硕士学位招收硕士研究生而设置的。它的评价标准是高等学校优秀本科毕业生能达到的及格或及格以上水平,以保证被录取者具有较好的半导体物理基础理论知识,考试范围详见考试内容。

三、考试基本要求

要求考生系统掌握半导体物理学的基础理论,对基本概念有深刻的理解,并且能灵活应用,具有较强的分析问题和解决问题的能力。

四、考试形式

复试选考课程,笔试、闭卷

五、考试内容

1、半导体晶体结构和半导体的结合性质;

2、半导体中的电子状态:半导体能带的形成,Ge、Si、GaAs能带结构,有效质量、空穴、杂质和缺陷能级;

3、热平衡下半导体载流子的统计分布:状态密度、费米能级、本征半导体和杂质半导体的载流子浓度,简并半导体和重掺杂效应;

4、半导体的导电性:半导体导电原理,载流子的漂移运动、迁移率、散射机构,半导体电阻率(电导率)随温度和杂质浓度的变化规律,强电场效应、热载流子,负阻效应;

5、非平衡载流子:非平衡载流子与准费米能级,非平衡载流子注入与复合,复合理论,非平衡载流子寿命,爱因斯坦关系,载流子漂移、扩散运动,缺陷效应,连续性方程;

6、pn结:平衡与非平衡pn结特点及其能带图,pn结的I-V特性、电容特性、开关特性、击穿特性;

7、 金属和半导体接触:半导体表面态,表面电场效应,金属与半导体接触特性、MIS结构电容-电压特性,

8、半导体异质结:异质结的形成机理、能带图;

9、半导体的光学性质及光电效应:半导体的光吸收,半导体光电导,半导体光生伏特效应,半导体发光及半导体激光器;

10、半导体热电、磁电及压阻效应:半导体热传导及热电效应,半导体的霍耳效应,半导体的压阻效应。

六、考试题型

概念题、分析论述题、推导题、作图题、计算题

七、参考书目

1、《半导体物理学》,刘恩科等编,国防工业出版社。

2、《半导体物理学基础教程》,冯文修等编,国防工业出版社

华工大学考博辅导班:2019华南理工大学电力学院考博难度解析及经验分享

华工大考博辅导班:2019华南理工大学电力学院考博难度解析及 经验分享 华南理工大学2019年实行公开招考、申请考核、直接攻博以及硕博连读四种考试方式招收攻读博士学位研究生。对于学术型博士研究生,除马克思主义学院、公共管理学院和工商管理学院不实行“申请考核制”外,其他招生学院均实行上述四种招考方式同时进行选拔录取博士研究生。对于工程类专业学位博士研究生,各学院全部采用“申请考核制”考试方式。 下面是启道考博辅导班整理的关于华南理工大学电力学院考博相关内容。 一、院系简介 华南理工大学电力学院成立于1994年12月30日,其办学历史可追溯到建国前的中山大学工学院的电机工程系。1952年华南工学院建校时设有电机工程系,1970年原广东工学院电力系统专业并入华南工学院,组成电力系,设有电机电器、发电厂及电力系统、工业企业电气化三个专业。1994年经国家教育委员会和广东省政府批准,华南理工大学与广东省电力工业局以董事会的方式“联合共建”成立电力学院,将华南理工大学的电力系、造船系的热能动力专业和广东省电力高等专科学校合并组成华南理工大学电力学院。广东省电力工业局先后投入2千多万元支持电力学院为广东电力行业培养高质量的电力人才和开展高水平的科学研究,在全国首创高校与地方政府企业“联合共建”的办学模式,使电力学院得到了快速、长足地发展,已成为华南地区电力行业高层次人才培养和高水平科学研究的排头兵。 学院拥有电气工程、动力工程及工程热物理2个一级学科博士学位授权点和博士后科研流动站,2个一级学科都是“双一流”重点建设学科和广东省优势重点学科;有电气工程及其自动化、能源与动力工程、核工程与核技术3个本科专业,其中,核工程与核技术专业是国家级特色专业,还办有电气工程及其自动化卓越班、中澳班。设有电力工程系、电力电子工程系、动力工程系和电工理论与新技术中心4个教学科研单位,有风电控制与并网技术国家地方联合工程实验室、广东省绿色能源技术重点实验室、广东省能源高效清洁利用重点实验室、广东省智能网微自动化工程技术研究中心、广东省电力工程技术研究开发中心等8个省部级以上科研平台和电气信息及控制国家级实验教学示范中心、新能源微电网、高电压环境气候多功能实验和智能能源网动态物理模拟等19个教学科研实验室。在“智能能源网及其自动化”、“输电线路在线监测与增容技术”、“交直流混联电网的运行、控制及保护

专升本招生考试大纲-华南理工大学继续教育学院

华南理工大学网络教育学院 2013年春季专科起点本科生入学考试 《高等数学》复习大纲 一、考试性质:华南理工大学网络教育学院大专起点本科生的招生入学考试 二、(1)考试方式:机考 (2)考试用时:60分种 (3)卷面分数:100分 (4)题 型:单选题、判断题两种 三、考试内容及要求 第一章 函数、极限、连续 第一节:函数 (1)函数概念 ①函数定义, ②函数符号运算, ③函数定义域, ④函数值域, ⑤分段函数, ⑥复合函数; (2)函数的简单性质 ①单调性, ②奇偶性, ③周期; (3)基本初等函数的性质,以及它们图象的特点。 第二节:极限 (1)极限的四则运算法则, (2)函数在某点有定义与此点极限值的关系, (3)用 1sin lim 0=→x x x 的结论求极限, (4)用 或e x x x =+∞→)11(lim e x x x =+→10)1(lim 的结论求极限, (5)无穷小与无穷大的概念,它们的性质,它们相互关系。 第三节:连续 (1)函数在一点连续的概念, (2)连续函数的性质, ①零点定理, ②最值定理。 第二章 一元函数微分学 第一节:导数与微分 (1)导数概念及其几何意义, (2)曲线的切线方程, (3)函数在一点处有定义、连续、有极限和该点导数存在的关系, (4)利用导数四则运算法则求导数,

(5)求含一个中间变量的复合函数的导数, (6)求二阶导数, (7)微分概念、微分与导数的关系, (8)会求函数的微分。 第二节:导数的应用 (1)用洛必达法则求 ]00 [、][∞ ∞ 两种未定式的极限, (2)函数的单调性、单调区间, (3)函数的极值及最值, (4)曲线的凹凸弧、曲线的拐点。 第三章 不定积分 第一节:原函数与不定积分的概念 (1)原函数的定义与性质, (2)不定积分定义与性质(加、减、数乘微分、求导的运算法则) (3)原函数与不定积分关系。 第二节:换元积分法 (1)凑微分法, (2)第二换元法(仅限简单的根式代换)。 第三节:分部积分法 求下面常见三种类型的积分 ?,dx x n 指数函数?,dx x n 三角函数?,dx x n 对数函数)2(≤n 第四章 定积分 第一节: 定积分概念 (1)定义 (2)几何意义 (3)基本性质:①??-=a b b a dx x f dx x f )()( ②???+=c b b c b a dx x f dx x f dx x f )()()( ③?-=a a dx 0奇函数 ④?-=a a dx 2偶函数? a dx 0偶函数 第二节:变上限函数的导数,牛顿—莱布尼兹公式 第三节:用凑微分法,等二换元法。分部积分法求定积分(它们的要求和不定积分相同) 求简单的有理函数的定积分。 第四节:定积分应用 (1)用定积分计算平面封闭图形的面积。 (2)用定积分计算平面封闭图形绕x 轴旋转所生成的旋转体的体积。 四、复习用书 因考试内容比一般教科书都少,所以复习时可找任何一本微积分教材,根据复习大纲

华工半导体物理期末总结

一、p-n结 1.PN结的杂质分布、空间电荷区,电场分布 (1)按照杂质浓度分布,PN 结分为突变结和线性缓变结 突变结--- P区与N区的杂质浓度都是均匀的,杂质浓度在冶金结面处(x = 0)发生突变。 单边突变结---一侧的浓度远大于另一侧,分别记为PN+ 单边突变结和P+N 单边突变结。后面的分析主要是建立在突变结(单边突变结)的基础上 突变结近似的杂质分布。

线性缓变结--- 冶金结面两侧的杂质浓度均随距离作线性变化,杂质浓度梯 a 为常数。在线性区 () N x ax =- () 常数 = - = dx N N d a a d 线性缓变结近似的杂质分布。

空间电荷区:PN结中,电子由N区转移至P区,空穴由P区转移至N区。电子和空穴的转移分别在N区和P区留下了未被补偿的施主离子和受主离子。它们是荷电的、固定不动的,称为空间电荷。空间电荷存在的区域称为空间电荷区。 (2)电场分布 2.平衡载流子和非平衡载流子 (1)平衡载流子--处于非平衡状态的半导体,其载流子浓度为n0和p0。 (2)非平衡载流子--处于非平衡状态的半导体,其载流子浓度也不再是n0和p0(此处0是下标),可以比他们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子 3. Fermi 能级,准Fermi 能级,平衡PN结能带图,非平衡PN结能带图 (1)Fermi 能级:平衡PN结有统一的费米能级。 (2)当pn结加上外加电压V后,在扩散区和势垒区范围内,电子和空穴没有统一的费米能级,分别用准费米能级。 (3)平衡PN结能带图

(4)非平衡PN结能带图

半导体物理器件期末考试试题(全)

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 2015半导体物理器件期末考试试题(全) 半导体物理器件原理(期末试题大纲)指导老师:陈建萍一、简答题(共 6 题,每题 4 分)。 代表试卷已出的题目1、耗尽区:半导体内部净正电荷与净负电荷区域,因为它不存在任何可动的电荷,为耗尽区(空间电荷区的另一种称呼)。 2、势垒电容:由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应,即反偏 Fpn 结的电容。 3、Pn 结击穿:在特定的反偏电压下,反偏电流迅速增大的现象。 4、欧姆接触:金属半导体接触电阻很低,且在结两边都能形成电流的接触。 5、饱和电压:栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。 6、阈值电压:达到阈值反型点所需的栅压。 7、基区宽度调制效应:随 C-E 结电压或 C-B 结电压的变化,中性基区宽度的变化。 8、截止频率:共发射极电流增益的幅值为 1 时的频率。 9、厄利效应:基带宽度调制的另一种称呼(晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压的变化而变化的一种现象) 10、隧道效应:粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。 11、爱因斯坦关系:扩散系数和迁移率的关系: 12、扩散电容:正偏 pn 结内由于少子的存储效应而形成的电容。 1/ 11

13、空间电荷区:冶金结两侧由于 n 区内施主电离和 p 区内受主电离

---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------ 而形成的带净正电荷与净负电荷的区域。 14、单边突变结:冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的 pn 结。 15、界面态:氧化层--半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。 16、平带电压:平带条件发生时所加的栅压,此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。 17、阈值反型点:反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形。 18、表面散射:当载流子在源极和源漏极漂移时,氧化层--半导体界面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用。 19、雪崩击穿:由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大,称为雪崩击穿。 20、内建电场:n 区和 p 区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建电场,方向由正电荷区指向负电荷区,就是由 n 区指向 p 区。 21、齐纳击穿:在重掺杂 pn 结内,反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近,以至于电子可以由 p 区的价带直接隧穿到 n 区的导带的现象。 22、大注入效应:大注入下,晶体管内产生三种物理现象,既三个效应,分别称为:(1)基区电导调制效应;(2)有效基区扩展效应; (3)发射结电流集边效应。 它们都将造成晶体管电流放大系数的下降。 3/ 11

配电网自动化复习指南(华南理工大学电力学院)

《配电网自动化》考试的复习指南,覆盖考试内容的80%。以书本为主,重点把握原理和概念,忽略具体装置设备和系统的说明。考试内容绝大部分内容出自书本,主要是对概念的了解。具体到某部分器件的说明、或者细节可以忽略。 《配电网自动化》复习指南 王子辰制作第一章 1、配电网地理信息系统的组成; 设备管理(Facilities Management, FM)、用户信息系统(Customer Information System, CIS)、停电管理系统(Outage Management System, OMS) 2、需求侧管理的作用; 需求侧管理所涉及的内容主要包括负荷控制与管理(Load Control & Management, LCM)和远方抄表与计费自动化(Automatic Meter Reading, AMR)。 LCM是根据电力系统的负荷特性,以某种方式削减、转移电网负荷高峰期的用电或增加电网负荷低谷期的用电,以达到改变电力需求在时序上的分布,减少日或季节性的电网高峰负荷,以期提高电网运行的可靠性和经济性。对规划中的电网主要是减少新增装机容量和电力建设投资,从而降低预期的供电成本。 AMR是一种不需要人员到达现场就能完成抄表的新型抄表方式。它是利用公共通信网络、负荷控制信道、低压配电线载波或光纤等通信方式,将电能表的数据自动采集到电能计费管理中心进行处理。 3、配电网自动化的基本功能; 安全监视功能,控制功能,保护功能 4、配电网自动化的意义; 1.提高供电可靠性 缩小故障影响范围 缩短事故处理所需的时间 2.提高供电经济性 3.提高供电能力 4.降低劳动强度,提高管理水平和服务质量 5、我国配电网自动化建设的难点和主要存在的问题; 难点 1.测控对象多 2.终端设备工作环境恶劣、可靠性要求高 3.通信系统复杂 4.工作电源和操作电源获取困难 5.我国目前配电网现状落后 存在问题 1.系统功能定位未能反映供电企业的实际需求 ①指标不合理 ②功能设置不合理 2.部分设备和系统的实用化程度不足 3.系统建设和运行维护存在不足 4.缺乏系列行之有效的规范化标准 第二章 6、配电网接线形式分类及其特点; 放射式 单回路放射式(优点:接线简单、投资较小、维护方便;缺点:接线方式较不可靠) 双回路放射式(任何一回路线路事故或检修停电时,可由另一回线路供电;造价高)网络式(供电可靠性很高,每段电缆两端均可不装设熔断器等继电保护装置)

半导体物理期末试卷含部分答案

一、填空题 1.纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质,当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质;相应的半导体称 N 型半导体。 2.当半导体中载流子浓度的分布不均匀时,载流子将做 扩散 运动;在半导体存在外加电压情况下,载流子将做 漂移 运动。 3.n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态,当半导体掺入的杂质含量改变时,乘积n o p o 改变否? 不变 ;当温度变化时,n o p o 改变否? 改变 。 4.非平衡载流子通过 复合作用 而消失, 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ,寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关,对于强p 型和 强n 型材料,小注入时寿命τn 为 ,寿命τp 为 . 5. 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量, 扩散系数 是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量,联系两者的关系式是 q n n 0=μ ,称为 爱因斯坦 关系式。 6.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用,后者在 温度高 下起主要作用。 7.半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ;深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品,其掺杂情况分别是:甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下,这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9.对n 型半导体,如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准,那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件; T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件; 0≤-F C E E 为简并条件。 10.当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时,反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ,其种类为: 雪崩击穿 、和 齐纳击穿(或隧道击穿) 。 11.指出下图各表示的是什么类型半导体? 12. 以长声学波为主要散射机构时,电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上,而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点,因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数,电子占据(E F +kT )能级的几率 B 。 A .等于空穴占据(E F +kT )能级的几率 B .等于空穴占据(E F -kT )能级的几率 C .大于电子占据E F 的几率 D .大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C .价带顶 D .费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体,费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C .经过一极小值趋近E i D .经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零,则该半导体必定_D _。 A .不含施主杂质 B .不含受主杂质 C .不含任何杂质 D .处于绝对零度

2014华南理工大学化学与化工学院研究生复试细则及分数线

复试程序: 2014年3月29日 上午8:30凭复试通知书报到,进行复试资格审查,报到地点: 化学考生:逸夫工程馆108室; 化工及专硕考生:逸夫工程馆105室; 请考生报到时携带以下材料: 应届生:学生证、二代身份证、大学成绩单的原件及所有复印件 往届考生:毕业证、学位证、二代身份证、大学成绩单的原件(或加盖档案单位红章的成绩单复印件)及所有复印件 (报到时间地点若有更改,以招办系统打印的复试通知书为准) 下午2:30-4:30笔试,报到地点如下: 复试笔试科目为《基础化学》的考生:34号楼340501 复试笔试科目为《化工原理》的考生:34号楼340502、340503 复试笔试科目为《物理化学(二)》的考生:34号楼340504 2014年3月30日 上午8:00面试 按照考生初试成绩正态分布,将化工学科、化学学科考生分成若干组,同时进行外语口语听力和专业知识综合面试,地点:学院各办公室,届时具体通知。 晚上7:30左右 一、公布录取排名表,按照录取总成绩排名确定录取名单,同时确定获各等次奖学金及全日制专业学位考生名单。地点:学院工程馆大厅布告栏。 二、拟录取考生持学院“录取成绩小条”,根据张贴的导师招生信息,直接去各位导师办公室进行双向选择,确定导师和专业。材料分发地点:学院工程馆105室。 三、确定好导师、专业的考生请立即返回学院工程馆105室登记并领取《体检表》(体检表上需一张照片及加盖学院公章)。

四、成绩小条收取截止时间:晚上10点。未找到导师签名录取的考生,请第二天上午找好导师签名后将成绩单小条交至逸夫工程馆108室。 2014年3月31日 上午8:00-10:30体检,需携带《复试流程表》、《体检表》及时参加校医院体检。 下午3:00体检通过的拟录取考生至学院工程馆105室交回《复试流程表》,并领取以下材料: 1、《调档函》、(委培与强军计划、少高计划考生除外) 2、《政审表》 复试方式: 1. 专业课笔试 2014年招生专业目录公布的复试笔试科目:《化工原理》、《物理化学(二)》、《基础化学》,时间2小时,满分100分,占复试成绩30%,闭卷考试。 2. 外语口语和听力测试 口语与听力相结合,时间约5分钟,满分100分,占复试成绩10%。 3. 专业知识与综合素质面试 专业知识与综合素质面试时间约15分钟,满分100分,占复试成绩60%。 每位考生面试结束后,由复试小组教师独立为考生当场打分,并填写《华南理工大学硕士研究生复试情况登记表》。 录取原则: 1、本着公平、公开、公正的原则进行研究生录取工作,并严格遵守学校招生办公室制定的硕士研究生录取的原则和要求。 2、复试不及格(小于60分)者,不予录取;体检不合格者不予录取。 3、录取总成绩=初试总分×50%+复试成绩×50%×5。 4、按照“化学工程与技术”、“化学”一级学科组织面试,按录取总成绩从高到低按一级学科录取考生,确定拟录取名单后,“双向选择”导师。 5、实施差额复试,比例约为140%(不含推免生)。

发电厂电气部分·平时作业2020春华南理工大学网络教育答案

作业 一.单项选择题 1.下面所述的电压等级,是指特高压交流输电线路的电压等级(B ) A)330kV;B)1000kV;C)±800kV;D)±500kV 2.下面所述的电压等级,是指特高压直流输电线路的电压等级(D ) A)330kV;B)±500kV;C)1000kV;D)±800kV 3.能源按被利用的程度,可以分为(C ) A)一次能源、二次能源 B)常规能源、新能源 C)可再生能源、非再生能源 D)含能体能源、过程性能源 4.能源按获得的方法分,可以分为(A ) A)一次能源、二次能源 B)常规能源、新能源 C)可再生能源、非再生能源 D)含能体能源、过程性能源 5.隔离开关的控制可分为(A ) A)就地控制与远方控制 B)远方控制与电动控制 C)就地控制与液压控制 D)集中控制与电气控制 6.载流导体三相短路时,电动力计算主要考虑工作条件最恶劣的一相,即(D ) A)A相 B)B相 C)C相 D)中间相 7.对线路停电的操作顺序是(D) A.先分母线隔离开关,再分线路隔离开关,最后分断路器 B.先分线路隔离开关,再分母线隔离开关,最后分断路器 C.先分断路器,再分母线隔离开关,最后分线路隔离开关 D.先分断路器,再分线路隔离开关,最后分母线隔离开关 8.关于备用电源,不正确的描述是(D ) A)明备用是指专门设置一台备用变压器(或线路),它的容量应等于它所代替的厂用工作变中容量最小的一台的容量; B)暗备用是指不另设专用的备用变(或线路),而将每台工作变的容量加大; C)备用电源的两种设置方式: 明备用和暗备用;

D)在大型电厂,特别是火电厂,由于每台机组厂用负荷较大,常采用明备用; E)暗备用运行方式下,正常工作时,每台工作变在欠载下运行,当任一台工作变因故被切除后,其厂用负荷由完好的工作变承担。 9.在电流互感器的选择与检验中,不需选择或校验(C) A)额定电压 B)二次负荷 C)机械负荷 D)动稳定 10.在屋内配电装置中,为避免温度变化引起硬母产生危险应力,一般铝母线长度为多少米 时,就应设置一个伸缩节?(B ) A)10~19 B)20~30 C)35~40 D)30~50 11.输电线路送电的正确操作顺序为(C ) A.先合母线隔离开关,再合断路器,最后合线路隔离开关 B.先合断路器,再合母线隔离开关,最后合线路隔离开关 C.先合母线隔离开关,再合线路隔离开关,最后合断路器 D.先合线路隔离开关,再合母线隔离开关,最后合断路器 12.维持电弧稳定燃烧的因素是( C ) A碰撞游离B高电场发射 C热游离 13.交流电弧过零后不再燃烧的条件是( C ) A工频电源电压小于燃弧电压 B 电弧电压小于熄弧电压 C 恢复电压小于介质强度 14.断路器燃弧的时间是( C ) A 断路器接到分闸命令至电弧熄灭的时间 B断路器接到分闸命令至触头分离的时间 C 断路器触头刚分离至电弧熄灭的时间 二、判断题 1.断路器的开断电流是指在任意的环境温度下,当断路器的绝缘和截流部分不超过其长期 工作的最高允许温度时,断路器允许通过的最大电流值。(√) 2.SF6全封闭组合电器是以绝缘油作为绝缘和来弧介质,以优质环氧树脂绝缘子作支撑元 件的成套高压组合电器。(×)

2017年华南理工大学 951有机化学、无机化学基础 硕士研究生考试大纲及参考书目

951有机化学、无机化学基础知识考试大纲 一、 考试目的 《有机化学、无机化学基础知识》作为全日制生物医学工程专业硕士学位入学考试的专业课考试,其目的是考察考生是否具备进行生物医学工程硕士学习所要求的化学知识。 二、考试的性质与范围 该考试是一种测试应试者单项能力的考试,考试范围包括考生应具备的有机化学和无机化学等方面的技能。 三、考试基本要求 1. 具有化学方面的基础知识 2. 熟悉化学问题的分析,以及实验的设计 四、考试形式 该考试为闭卷考试 五、考试内容(或知识点) 有机化学 1.有机化合物的命名、顺反及对映异构体命名、个别重要化合物的俗名和英文缩写。 2.有机化合物的结构、共振杂化体及芳香性,同分异构与构象。 3.诱导效应、共轭效应、超共轭效应、空间效应、小环张力效应、邻基效应、氢键的概念及上述效应对化合物物理与化学性质的影响。 4.主要官能团(烯键、炔键、卤素、硝基、氨基、羟基、醚键、醛基、酮羰基、羧基、酯基、氰基、磺酸基等)的化学性质及他们之间相互转化的规律。 5.烷烃、脂环烃、烯烃、炔烃、卤代烃、醇、酚、醚、醛、酮、不饱和醛酮、羧酸、羧酸及其衍生物、丙二酸酯、β-丙酮酸酯、氨基酸、硝基化合物、胺、腈、偶氮化合物、磺酸、简单杂环化合物、单糖等的制备、分离、鉴定、物理性质、化学性质及在合成上的应用。 6.常见有机化合物的波谱(红外、核磁) 7.饱和碳原子上的自由基取代,亲核取代,芳环上的亲电与亲核取代,碳碳重键的亲电、自由基及亲核加成,消除反应,氧化反应(烷烃、烯烃、炔烃、醇、醛、芳烃侧链的氧化、烯炔臭氧化及Cannizzaro反应),还原反应(不饱和烃、芳烃、醛、酮、羧酸、羧酸衍生物、硝基化合物、腈的氢化还原及选择性还原反应),缩合反应(羟醛缩合、Claisen缩合、Caisen-Schmidt缩合、Perkin缩合),降级反应(Hofmann 降解,脱羧),重氮化反应,偶合反应,重排反应(频那醇重排、Beckmann重排、Hofmann 重排)的历程及在有机合成中的应用。 8.碳正离子、碳负离子、自由基、苯炔的生成与稳定性及其有关反应的规律。能够从中间体稳定性来判断产物结构。 无机化学

半导体物理学期末复习试题及答案一

一、选择题 1.与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量 ( B )。 A. 比绝缘体的大 B.比绝缘体的小 C. 和绝缘体的相同 2.受主杂质电离后向半导体提供( B ),施主杂质电离后向半 导体提供( C ),本征激发向半导体提供( A )。 A. 电子和空穴 B.空穴 C. 电子 3.对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费 米能级会( B )。 A.上移 B.下移 C.不变 4.在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为 常数,它和( B )有关 A.杂质浓度和温度 B.温度和禁带宽度 C.杂质浓度和禁带宽度 D.杂质类型和温度 5.· 6.MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型 ( B )。 A.相同 B.不同 C.无关 7.空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 8.砷化稼的能带结构是( A )能隙结构。

A. 直接 B. 间接 9. 将Si 掺杂入GaAs 中,若Si 取代Ga 则起( A )杂质作 用,若Si 取代As 则起( B )杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 10. 在热力学温度零度时,能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为 ( D ),当温度大于热力学温度零度时,能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为( A )。 · A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 11. 如图所示的P 型半导体MIS 结构 的C-V 特性图中,AB 段代表 ( A ),CD 段代表(B )。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 12. P 型半导体发生强反型的条件( B )。 A. ???? ??=i A S n N q T k V ln 0 B. ??? ? ??≥i A S n N q T k V ln 20 C. ???? ??= i D S n N q T k V ln 0 D. ???? ??≥i D S n N q T k V ln 20 13. - 14. 金属和半导体接触分为:( B )。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触

华南理工大学物理化学物理化学复习纲要(完整整理版)

物理化学复习提纲 (华南理工大学物理化学教研室葛华才) 第一章气体 一.重要概念 理想气体,分压,分体积,临界参数,压缩因子,对比状态 二.重要关系式 (1) 理想气体:pV=nRT , n = m/M (2) 分压或分体积:p B=c B RT=p y B (3) 压缩因子:Z = pV/RT 第二章热力学第一定律与热化学 一、重要概念 系统与环境,隔离系统,封闭系统,(敞开系统),广延量(加和性:V,U,H,S,A,G),强度量(摩尔量,T,p),功,热,内能,焓,热容,状态与状态函数,平衡态,过程函数(Q,W),可逆过程,节流过程,真空膨胀过程,标准态,标准反应焓,标准生成焓,标准燃烧焓 二、重要公式与定义式 1. 体积功:W= -p外dV 2. 热力学第一定律:U = Q+W,d U =Q +W 3.焓的定义:H=U + pV 4.热容:定容摩尔热容 C v ,m = Q V /dT = (U m/T )V 定压摩尔热容 C p ,m = Q p /dT = (H m/T )P 理性气体:C p,m- C v,m=R;凝聚态:C p,m- C v,m≈0 理想单原子气体C v,m =3R/2,C p,m= C v,m+R=5R/2 5. 标准摩尔反应焓:由标准生成焓 f H B (T)或标准燃烧焓 c H B (T)计算 r H m = v B f H B (T) = -v B c H B (T) 6. 基希霍夫公式(适用于相变和化学反应过程) ?r r r=?r r r r(r1)+∫?r r r,r r2 r1 rr 7. 恒压摩尔反应热与恒容摩尔反应热的关系式 Q p -Q v = r H m(T) -r U m(T) =v B(g)RT 8. 理想气体的可逆绝热过程方程: p 1V 1 ?= p 2 V 2 ?,p 1 V 1 /T1 = p2V2/T2,?=C p,m/C v,m 三、各种过程Q、W、U、H的计算1.解题时可能要用到的内容 (1) 对于气体,题目没有特别声明,一般可认为是理想气体,如N 2,O 2 ,H 2 等。 恒温过程d T=0,U=H=0,Q=W 非恒温过程,U = n C v,m T,H = n C p,m T 单原子气体C v ,m =3R/2,C p,m = C v,m+R = 5R/2 (2) 对于凝聚相,状态函数通常近似认为只与温度有关,而与压力或体积无关,即 U≈H= n C p,m T

(完整版)高电压复习题(完整版)

《高电压技术》综合复习资料 一、填空题(占40分) 1、汤逊理论主要用于解释短气隙、低气压的气体放电。 2、“棒—板”电极放电时电离总是从棒开始的。 3、正极性棒的电晕起始电压比负极性棒的电晕起始电压低,原因是崩头电子被正极性棒吸收, 有利于电子崩的发展。 4、电力系统中电压类型包括工频电压、直流电压、雷电冲击电压和操作冲击电压等4种类型。 5、在r/R等于 0.33 时同轴圆筒的绝缘水平最高。 6、沿面放电包括沿面滑闪和沿面闪络两种类型。 7、电介质的电导包括离子电导和电子电导两种类型,当出现电子电导时电介质已经被击穿。 8、弱极性液体介质包括变压器油和蓖麻油等,强极性液体介质包括水和乙醇(至少写出两种)。 9、影响液体介质击穿电压的因素有__电压形式的影响__、_温度__、_含水量__、_含气量的影响、杂质的影响、油量的影响(至少写出四种)。 10、三次冲击法冲击高电压实验是指分别施加三次正极性和三次负极性冲击电压的实验。 11、变压器油的作用包括绝缘和冷却。 12、绝缘预防性实验包括绝缘电阻、介质损耗角正切、工频高压试验、直流高压试验和冲击高电压试验等。 13、雷电波冲击电压的三个参数分别是波前时间、半波时间和波幅值。 14、设备维修的三种方式分别为故障维修、预防维修和状态维修。 15、介质截至损耗角正切的测量方法主要包括基波法和过零相位比较法两种。 16、影响金属氧化物避雷器性能劣化的主要是阻性泄漏电流。 17、发电厂和变电所的进线段保护的作用是降低入侵波陡度和降低入侵波幅值。 18、小波分析同时具有在时域范围和频域范围内对信号进行局部分析的优点,因此被广泛用于电力系统局部放电的检测中。 19、电力系统的接地按其功用可为工作接地、保护接地和防雷接地三类。 20、线路末端短路时电压反射波为与入射波电压相同,电流反射波为与入射波电流相反。 21、反向行波电压和反向行波电流的关系是 u=-Zi 。

华南理工大学半导体物理试题

华南理工大学半导体物理试题

2006年华南理工大学半导体物理试题 一、解释下列概念:(20分) 1、霍尔效应: 2、共有化运动 3、杂质补偿 4、肖特基势垒 5、非平衡载流子寿命 二、简述硅和砷化镓能带结构的异同。(10分) 三、简述产生半导体激光的基本条件。(10分) 四、简述半导体光吸收的主要物理过程,并在能带示意图上定性表示之。(10分) 五、试述什么是简并、非简并半导体;给出非简并、弱简并及简并半导体的区分标准,并说明其含义。(15分) 六、请解释迁移率概念,并说明对于半导体硅而言影响其迁移率的主要因素。(15分)

七、请定性画出n-n型异质结平衡时能带图,并给予简要解释。(15分) 八、用n型Si衬底制成MOS电容,解释该结构在积累、耗尽、弱反型、强反型下的电容值变化规律,并画出高频、低频的C-V曲线。(15分) 九、在半导体硅材料中掺入施主杂质浓度ND = 1015/cm3,受主杂质浓度NA = p =μn = 1350cm2/(V.S), μ.cm,假设电子和空穴的迁移率分别为Ωi=2.2×105ρ4×1014/cm3;设室温下本征硅材料的电阻率 500cm2/(V.S),不考虑杂质浓度对迁移率的影响,求掺杂样品的电导率。(20分) 十、施主浓度ND = 1016/cm3的n型单晶硅片,求室温下功函数是多少?若忽略表面态的影响,当它同金属Al、Au、Mo接触时,分别形成何种接触?并定性画出该n型硅与金属Al接触前后的能带示意图。已知硅的电子亲和能Xs =4.0eV,NC = 1019/cm3,设金属的功函数分别为Wal = 4.05 eV, WAu = 5.20eV, WMo = 4.21 eV。(20

半导体物理期末考试试卷A参考答案与评分标准

电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 一 学期期 末 考试 一、选择填空(22分) 1、在硅和锗的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带( B ), 对应的有效质量( C ),称该能带中的空穴为( E )。 A. 曲率大; B. 曲率小; C. 大; D. 小; E. 重空穴; F. 轻空穴 2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为( F )。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质 3、在通常情况下,GaN 呈( A )型结构,具有( C ),它是( F )半导体材料。 A. 纤锌矿型; B. 闪锌矿型; C. 六方对称性; D. 立方对称性; E.间接带隙; F. 直接带隙。 4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体,如果甲的相对介电常数εr 是乙的3/4, m n */m 0值是乙的2倍,那么用类氢模型计算结果是( D )。 A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4 B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2,弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9 C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3,弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3 D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9,的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8 5、.一块半导体寿命τ=15μs ,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30μs 后,其中非平衡载流子将衰减到原来的( C )。 A.1/4 ; B.1/e ; C.1/e 2 ; D.1/2 6、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、n i >> /N D -N A / 时,半导体具有 ( B ) 半导体的导电特性。 A. 非本征 B.本征 7、在室温下,非简并Si 中电子扩散系数D n与ND有如下图 (C ) 所示的最恰当的依赖关系: Dn Dn Dn Dn A B C D 8、在纯的半导体硅中掺入硼,在一定的温度下,当掺入的浓度增加时,费米能级向( A )移动;当掺 ND ND ND ND

半导体物理期末试卷(含部分答案

一、填空题 1.纯净半导体Si 中掺错误!未找到引用源。族元素的杂质,当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质;相应的半导体称 N 型半导体。 2.当半导体中载流子浓度的分布不均匀时,载流子将做 扩散 运动;在半导体存在外加电压情况下,载流子将做 漂移 运动。 3.n o p o =n i 2标志着半导体处于 平衡 状态,当半导体掺入的杂质含量改变时,乘积n o p o 改变否? 不变 ;当温度变化时,n o p o 改变否? 改变 。 4.非平衡载流子通过 复合作用 而消失, 非平衡载流子的平均生存时间 叫做寿命τ,寿命τ与 复合中心 在 禁带 中的位置密切相关,对于强p 型和 强n 型材料,小注入时寿命τn 为 ,寿命τp 为 . 5. 迁移率 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量, 扩散系数 是反映有浓度梯度时载 q n n 0=μ ,称为 爱因斯坦 关系式。 6.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射 和 晶格振动散射 。前者在 电离施主或电离受主形成的库伦势场 下起主要作用,后者在 温度高 下起主要作用。 7.半导体中浅能级杂质的主要作用是 影响半导体中载流子浓度和导电类型 ;深能级杂质所起的主要作用 对载流子进行复合作用 。 8、有3个硅样品,其掺杂情况分别是:甲 含铝1015cm -3 乙. 含硼和磷各1017 cm -3 丙 含镓1017 cm -3 室温下,这些样品的电阻率由高到低的顺序是 乙 甲 丙 。样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙 。费米能级由高到低的顺序是 乙> 甲> 丙 。 9.对n 型半导体,如果以E F 和E C 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准,那么 T k E E F C 02>- 为非简并条件; T k E E F C 020≤-< 为弱简并条件; 0≤-F C E E 为简并条件。 10.当P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时,反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 PN 结击穿 ,其种类为: 雪崩击穿 、和 齐纳击穿(或隧道击穿) 。 11.指出下图各表示的是什么类型半导体? 12. 以长声学波为主要散射机构时,电子迁移率μn 与温度的 -3/2 次方成正比 13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的 载流子的浓度梯度 。 14 电子在晶体中的共有化运动指的是 电子不再完全局限在某一个原子上,而是可以从晶胞中某一点自由地运动到其他晶胞内的对应点,因而电子可以在整个晶体中运动 。 二、选择题 1根据费米分布函数,电子占据(E F +kT )能级的几率 B 。 A .等于空穴占据(E F +kT )能级的几率 B .等于空穴占据(E F -kT )能级的几率 C .大于电子占据E F 的几率 D .大于空穴占据 E F 的几率 2有效陷阱中心的位置靠近 D 。 A. 导带底 B.禁带中线 C .价带顶 D .费米能级 3对于只含一种杂质的非简并n 型半导体,费米能级E f 随温度上升而 D 。 A. 单调上升 B. 单调下降 C .经过一极小值趋近E i D .经过一极大值趋近E i 7若某半导体导带中发现电子的几率为零,则该半导体必定_D _。 A .不含施主杂质 B .不含受主杂质 C .不含任何杂质 D .处于绝对零度

华南理工大学分析化学试题A卷

华南理工大学分析化学试题A卷

A. 30.44 B. 30.52 C. 30.48 D. 30.12 4.滴定度是标准溶液浓度的表示方式之一,其表达式为(A为被测 组分,B为标准溶液): A. T A/B = m A/V B B. T B/A = m B/V A C. T A/B = V B / m A D. T B/A = V B / m A 5..在下列各组酸碱组分中,不属于共轭酸碱对的是: A.HCN-NaCN,B.H3PO4- Na3PO4 C.H2CO3 - NaHCO3D.NH4+ - NH3 6.下列物质中,可以直接配成标准溶液的物质是: A.NaOH,B.KMnO4 C.ZnO D.AgNO3 7.有A、B两份不同浓度的有色溶液,A溶液用1.0cm吸收池, B溶液用2.0cm吸收池,在同一波长下测得的吸光度的值相等, 则它们的浓度关系为: A.A是B的1/2; B. A等于B; C.B是A的4倍; D. B是A的1/2 8.液液萃取分离中,同一物质的分配系数K D与分配比D的数值不同,这是因为该物质在两相中的 A.浓度不同; B. 溶解度不同; C.化合能力不同; D. 存在形式不同 9.离子选择性电极的电位选择性系数可用于: A. 估计电极的检测限 B. 估计共存离子的干扰程度 C. 校正方法误差 D. 计算电极的响应斜率 10.电位滴定是以测量电位的变化情况为基础,下列因素影响最大的是: A. 参比电极; B. 液接电位; C. 不对称电位; D. 被测离子活度 11. 若分光光度计的仪器测量误差ΔT=0.5%,在T=50%时,由测量引起 的浓度相对误差为: A.1.0%B. 1.4%C. 1.8% D.2.2%

北工大 10年 半导体物理 期末试卷

半导体物理2010-2011学年(2011.1.5) 一、简答题(8*6’=48’) 1.请填写下表中的数据: 解理面 材料晶格结构布拉伐格子直接/间接 带隙 Si GaAs 2.什么是本征半导体?什么是杂质半导体?示意画出掺杂浓度为Nd的N型半导体样品电子浓度n和本征载流子浓度ni随T变化曲线。 3.“纯净的半导体中,掺入百万分之一的杂质,可以减小电阻率达1百万倍,”是估算说明之。 4.一块杂志补偿的半导体,受主杂质和施主杂质浓度相等。设杂质全部电离,判断当杂质浓度分别为 (a) Na=Nd=1014cm-3(b) Na=Nd=1018cm-3 时,哪种情况的电导率大?简述分析理由。 5.什么是载流子的平均自由时间τ?有两块Si半导体材料1和2,其中τ1>τ2,迁移率哪个大? 如果同一块半导体中,有两种机理的平均自由时间τ1和τ2,其总迁移率如何确定? 6.写出以n型样品为例少子空穴的连续性方程。 由连续性方程写出:不考虑电场的作用、无产生、稳态载流子扩散方程; 7.什么是PN结的势垒电容?定性说明掺杂浓度对势垒电容有何影响。 8.一个p-N异质结接触前能带图见图1。画出平衡状态下能带图。

电阻率为7Ω·cm的p型硅,T=300K。 ⑴试计算室温时多数载流子和少子浓度(可查图)。 ⑵计算该半导体的功函数。 ⑶不考虑界面态,在金属铝(功函数W Al=4.20eV)和金属铂(功函数W Pi=5.3eV)中选择制备肖特基二极管的金属,给出选择理由。 ⑷求金属一侧势垒高度的理论值qΦms和半导体一侧势垒高度qV D 。 三、(16’) 室温下,一个Si的N-P结,N区一侧掺杂浓度为1017cm-3,P区为1015cm-3 ⑴求该N-P结的接触电势差。 ⑵画出平衡PN结、正向偏置PN结、反向偏置PN结空间电荷区中及边界处的载流子分布示意图。 ⑶根据正向和反向少子分布情况,解释PN结正向导通,反向截止的饱和特性。 ⑷写出理想PN结电流-电压关系公式,在对数坐标下,定性画出理想和实际I-V特性示意图。 四、(15’) 一理想的MOS结构的高频测量的C-V曲线如图2. (1)判断该结构中,半导体的导电类型。 (2)说明图中1,2,3,4,5点的半导体一侧的状态,并示意画出每点半导体一侧的能带形状,以及金属和半导体一侧的电荷分布。

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