标题:IRC场效应管参数
作者:
日期:2009-02-14 19:34:37
内容:
IRC系列N-CHANNELPOWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换型号厂家方式漏源极电压(V)区分漏极电流(A)最大功耗(W)封装形式
IRC150IRN10030(TO-204AE)
IRC250IRN20029(TO-204AE)
IRC254IRN25022.2(TO-204AE)
IRC350IRN40014.5(TO-204AA)
IRC450IRN50012.2(TO-204AA)
IRC530IRN1001475(TO-220)
IRC531IRN801479TO-220
IRC533IRN601275TO-220
IRC540IRN10028150TO-220
IRC630IRN200974TO-204AA
IRC634IRN2508.774TO-220
IRC640IRN20018125TO-220
IRC644IRN25014125TO-220
IRC730IRN4005.574TO-204AA
IRC740IRN40010125TO-204AA
IRC830IRN5004.574TO-204AA
IRC832IRN5004.074TO-220
IRC833IRN4503.875TO-220
IRC840IRN5008125TO-220
IRCP054IRN6070230TO-247AC
IRCZ24IRN601760TO-204AA
IRCZ34IRN603088TO-204AA
IRCZ44IRN6050150TO-204AA
标题:IRFB系列场效应管参数代换
作者:
日期:2009-02-14 19:50:52
内容:
IRFB系列POWER MOSFET N沟道功率场效应管型号参数查询及代换
型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压Static Drain-Source
On-State Resistance静态漏源
通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃)PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商
VDSSRDS(ON)IDPD
(V)(ohm)欧姆(A)(W)
IRFBC10LC600101.236TO-220AB2SK3067IR
IRFBC206004.42.250TO-220AB2SK3067IR
IRFBC20L6004.42.250TO-2622SK2865IR
IRFBC20S6004.42.250D2PAK2SK2865IR
IRFBC306002.23.674TO-220AB2SK3085IR
IRFBC30L6002.23.674TO-2622SK2777IR
IRFBC30S6002.23.674D2PAK2SK2777IR
IRFBC406001.26.2125TO-220AB2SK2544IR
IRFBC40L6001.26.2130TO-2622SK2777IR
IRFBC40LC6001.26.2125TO-220AB2SK2544IR
IRFBC40S6001.26.2130D2PAK2SK2777IR
IRFBC42R6001.65.4TO-220AB2SK2544Harris
IRFBE208006.51.854TO-220AB2SK2603IR
IRFBE3080034.1125TO-220AB2SK2603IR
IRFBF2090081.754TO-220AB2SK2733IR
IRFBF20L90081.754TO-2622SK2845IR
IRFBF20S90081.754D2PAKIR
IRFBF309003.73.6125TO-220AB2SK2608IR
IRFBG201000111.454TO-220AB2SK1119IR
IRFBG30100053.1125TO-220AB2SK1119IR
标题:IRFD系列场效应管参数及代换
作者:
日期:2009-02-14 19:40:53
内容:
IRFD系列POWER MOSFET P沟道及N沟道功率场效应管型号参数查询及代换
带有"-"号的参数为P沟道场效应管,没注明的均为N沟道场效应管.
型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压Static Drain-Source
On-State Resistance静态漏源
通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃)PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商
VDSSRDS(ON)IDPD
(V)(ohm)欧姆(A)(W)
IRFD014600.21.71.3DIPIR
IRFD014600.21.71.3HEXDIPIR IRFD024600.12.51.3DIPIR
IRFD024600.12.51.3HEXDIPIR IRFD1101000.5411.3DIPIR IRFD1101000.5411.3HEXDIPIR IRFD111(R)800.61DIPHarris IRFD112(R)1000.80.8DIPHarris IRFD113(R)800.80.8DIPHarris IRFD1201000.271.31.3DIPIR IRFD1201000.271.31.3HEXDIPIR IRFD121(R)800.31.3DIPHarris IRFD122(R)1000.41.1DIPHarris IRFD123(R)800.41.1DIPHarris IRFD1Z01002.40.51.3DIPIR IRFD1Z1602.40.5DIPHarris IRFD1Z21003.20.4DIPHarris IRFD1Z3603.20.4DIPHarris IRFD2102001.50.61.3DIPIR IRFD2102001.50.61.3HEXDIPIR IRFD211(R)1501.50.6DIPHarris
IRFD213(R)1502.40.45DIPHarris IRFD21425020.571.3DIPIR IRFD21425020.571.3HEXDIPIR IRFD2202000.80.81DIPIR
IRFD2202000.80.81.3HEXDIPIR IRFD221(R)1500.80.8DIPHarris IRFD222(R)2001.20.7DIPHarris IRFD223(R)1501.20.7DIPHarris IRFD2242501.10.761.3DIPIR IRFD2242501.10.761.3HEXDIPIR IRFD2Z020050.32DIPHarris IRFD2Z115050.32DIPHarris IRFD2Z22006.50.3DIPHarris IRFD2Z31506.50.3DIPHarris IRFD3104003.60.421.3DIPIR IRFD3104003.60.421.3HEXDIPIR IRFD311(R)3503.60.4DIPHarris IRFD312(R)40050.3DIPHarris IRFD313(R)35050.3DIPHarris IRFD3204001.80.61.3DIPIR IRFD3204001.80.61.3HEXDIPIR
IRFD322(R)4002.50.4DIPHarris
IRFD323(R)3502.50.4DIPHarris
IRFD42050030.461.3DIPIR
IRFD42050030.461.3HEXDIPIR
IRFD6206004.40.321.3DIPIR
IRFD9014-600.51.11.3DIP2SJ360IR
IRFD9024-600.281.61.3DIP2SJ377IR
IRFD9110-1001.20.71.3DIPIR
IRFD9113-601.60.6DIPHarris
IRFD9120-1000.611.3DIPIR
IRFD9123-600.80.8DIPHarris
IRFD9210-20030.41DIPIR
IRFD9220-2001.50.561DIPIR
IRFD9223-1502.40.45DIPHarris
IRFDC10LC600100.251.3DIPIR
IRFDC206004.40.321.3HEXDIPIR
标题:IRFI系列场效应管参数代换
作者:
日期:2009-02-14 20:47:25
内容:
IRFI系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换
带有"-"号的参数为P沟道场效应管,没注明的均为N沟道场效应管.
型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压Static Drain-Source
On-State Resistance静态漏源
通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃)PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商
VDSSRDS(ON)IDPD
(V)(ohm)欧姆(A)(W)
IRFI1010G550.144350TO-220ISIR
IRFI1010N550.0124447TO-220ISIR
IRFI1310G1000.042150TO-220IS2SK2466IR
IRFI1310N1000.0362245TO-220ISIR
IRFI3205550.0085648TO-220IS2SK2985IR
IRFI37101000.0252848TO-220ISIR
IRFI4905-550.02-4163TO-220ISIR
IRFI510A1000.45.633I2-PAK2SK2399Samsung
IRFI510G1000.544.527TO-220IS2SK2399IR
IRFI510G1000.544.527TO-220ISIR
IRFI520A1000.29.245I2-PAK2SK2399Samsung
IRFI520G1000.274.237TO-220IS2SK2399IR
IRFI520N1000.27.227TO-220IS2SK2399IR
IRFI5210-1000.06-2048TO-220ISIR
IRFI530A1000.111455I2-PAK2SK2789Samsung
IRFI530G1000.169.742TO-220IS2SK2391IR
IRFI530N1000.111133TO-220IS2SK2391IR
IRFI540A1000.05228107I2-PAK2SK2466Samsung IRFI540G1000.0771748TO-220IS2SK2391IR IRFI540N1000.0521842TO-220IS2SK2466IR IRFI550A1000.0440167I2-PAK2SK2466Samsung IRFI610A2001.53.338I2-PAK2SK2920Samsung IRFI614A25022.840I2-PAKSamsung
IRFI614G25022.123TO-220IS2SK2840IR
IRFI620A2000.8547I2-PAK2SK2920Samsung IRFI620G2000.84.130TO-220IS2SK2381IR
IRFI624A2501.14.149I2-PAKSamsung
IRFI624G2501.13.430TO-220IS2SK2840IR
IRFI630A2000.4972I2-PAK2SK2401Samsung IRFI630G2000.45.935TO-220IS2SK2350IR
IRFI634A2500.458.174I2-PAK2SK2598Samsung IRFI634G2500.455.635TO-220IS2SK2417IR
IRFI640A2000.1818139I2-PAK2SK2401Samsung IRFI640G2000.189.840TO-220IS2SK2382IR
IRFI644A2500.2814139I2-PAK2SK2598Samsung IRFI644G2500.287.940TO-220IS2SK2508IR
IRFI710A4003.6236I2-PAK2SK2838Samsung IRFI720A4001.83.346I2-PAK2SK2838Samsung IRFI720G4001.82.630TO-220IS2SK2679IR
IRFI730A40015.573I2-PAK2SK2838Samsung IRFI730G40013.735TO-220IS2SK2679IR
IRFI734G4501.23.435TO-220IS2SK2543IR
IRFI740A4000.5510134I2-PAK2SK2949Samsung IRFI740G4000.555.440TO-220IS2SK2952IR IRFI740GLC4000.55640TO-220IS2SK2952IR IRFI744G4500.634.940TO-220IS2SK2952IR IRFI820A50032.549I2-PAKSamsung
IRFI820G50032.130TO-220IS2SK2862IR
IRFI830A5001.54.573I2-PAK2SK2991Samsung IRFI830G5001.53.135TO-220IS2SK2662IR
IRFI840A5000.858134I2-PAK2SK2776Samsung IRFI840G5000.854.640TO-220IS2SK2543IR IRFI840GLC5000.854.840TO-220IS2SK2543IR IRFI9520G-1000.65.237TO-220ISIR
IRFI9530G-1000.37.742TO-220IS2SJ380IR
IRFI9540G-1000.21148TO-220IS2SJ380IR
IRFI9620G-2001.5330TO-220IS2SJ407IR
IRFI9630G-2000.84.335TO-220IS2SJ407IR
IRFI9634G-2501-4.135TO-220IS2SJ512IR
IRFI9640G-2000.56.140TO-220IS2SJ513IR
IRFI9Z14G-600.55.327TO-220IS2SJ438IR
IRFI9Z24G-600.288.537TO-220IS2SJ438IR IRFI9Z24N-550.175-9.529TO-220IS2SJ438IR IRFI9Z34G-600.141242TO-220IS2SJ304IR IRFI9Z34N-550.1-1437TO-220ISIR
IRFIBC20G6004.41.730TO-220IS2SK3067IR IRFIBC30G6002.22.535TO-220IS2SK2750IR IRFIBC40G6001.23.540TO-220IS2SK2545IR IRFIBC40GLC6001.2440TO-220IS2SK2545IR IRFIBE20G8006.51.430TO-220IS2SK2603IR IRFIBE30G80032.135TO-220IS2SK2603IR IRFIBF20G90081.230TO-220IS2SK2733IR IRFIBF30G9003.71.935TO-220IS2SK2700IR IRFIP044600.02843100TO-247IS2SK2233IR IRFIP054600.01464120TO-247IS2SK2313IR IRFIP1401000.07723100TO-247IS2SK2391IR IRFIP1501000.05531120TO-247IS2SK2466IR IRFIP2402000.181483TO-247IS2SK2382IR IRFIP2442500.281183TO-247IS2SK2508IR IRFIP2502000.0852296TO-247IS2SK2995IR IRFIP2542500.141796TO-247IS2SK2995IR IRFIP3404000.55883TO-247IS2SK2952IR IRFIP3504000.31196TO-247IS2SK2917IR
IRFIP4405000.856.483TO-247IS2SK2600IR
IRFIP4485000.67.489TO-247IS2SK2600IR
IRFIP4505000.41096TO-247IS2SK2916IR
IRFIP9140-1000.215100TO-247IS2SJ412IR
IRFIP9240-2000.58.983TO-247IS2SJ513IR
IRFIZ14A600.141030I2-PAK2SK2231Samsung
IRFIZ14G600.2827TO-220IS2SK2231IR
IRFIZ24A600.071744I2-PAK2SK2311Samsung
IRFIZ24E600.0711429TO-220IS2SK2232IR
IRFIZ24G600.11437TO-220IS2SK2232IR
IRFIZ24N550.071326TO-220IS2SK2232IR
经典三极管参数5
2008-12-15 11:57
【CMOS管资料大全】
晶体管型号Vds Id Pd 类型
IRF120 100V 8A 40W NMOS场效应
IRF121 60V 8A 40W NMOS场效应
IRF122 100V 7A 40W NMOS场效应
IRF123 60V 7A 40W NMOS场效应
IRF130 100V 14A 75W NMOS场效应
IRF131 60V 14A 75W NMOS场效应
IRF132 100V 12A 75W NMOS场效应
IRF133 60V 12A 75W NMOS场效应
IRF140 100V 27A 125W NMOS场效应
IRF141 60V 27A 125W NMOS场效应
IRF142 100V 24A 125W NMOS场效应IRF143 60V 22A 125W NMOS场效应
IRF150 100V 40A 150W NMOS场效应
IRF151 60V 40A 150W NMOS场效应
IRF152 100V 33A 150W NMOS场效应
IRF153 60V 33A 150W NMOS场效应
IRF220 200V 5A 40W NMOS场效应
IRF221 150V 5A 40W NMOS场效应
IRF222 200V 4A 40W NMOS场效应
IRF223 150V 4A 40W NMOS场效应
IRF230 200V 9A 75W NMOS场效应
IRF231 150V 9A 75W NMOS场效应
IRF232 200V 8A 75W NMOS场效应
IRF233 150V 8A 75W NMOS场效应
IRF240 200V 18A 125W NMOS场效应
IRF241 150V 18A 125W NMOS场效应
IRF242 200V 16A 125W NMOS场效应
IRF243 150V 16A 125W NMOS场效应
IRF250 200V 19A 150W NMOS场效应低导通电阻
IRF251 150V 19A 150W NMOS场效应低导通电阻
IRF252 200V 16A 150W NMOS场效应低导通电阻
IRF253 150V 16A 150W NMOS场效应低导通电阻
IRF330 400V 5.5A 75W NMOS效应
IRF331 350V 5.5A 75W NMOS场效应
IRF332 400V 4.5A 75W NMOS场效应
IRF333 350V 4.5A 75W NMOS场效应
标题:IRFS系列N沟道功率场效应管型号参数查询代换
作者:
日期:2009-02-14 20:15:47
内容:
N-CHANNELPOWER MOSFET N沟道功率场效应管型号参数查询及代换
型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压Static Drain-Source
On-State Resistance静态漏源
通态电阻Continuous Drain Current连续漏电流(TC=25℃)PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package封装Toshiba Replacement代换东芝型号Note 注意Vender 供应商
VDSSRDS(ON)IDPD
(V)(ohm)欧姆(A)(W)
IRFS140A1000.0522372TO-3PIS2SK2466BSamsung IRFS150A1000.0431100TO-3PIS2SK2466BSamsung IRFS1Z01002.40.823.6SOT-892SK2963AIR
IRFS240A2000.1812.873TO-3PIS2SK2382BSamsung IRFS244A2500.2810.273TO-3PIS2SK2508BSamsung IRFS250A2000.08521.390TO-3PIS2SK2995ASamsung IRFS254A2500.141690TO-3PIS2SK2995ASamsung IRFS340A4000.55885TO-3PIS2SK2952BSamsung IRFS350A4000.311.592TO-3PIS2SK2917ASamsung IRFS440A5000.856.285TO-3PIS2SK2600ASamsung IRFS450A5000.49.696TO-3PIS2SK2916ASamsung IRFS510A1000.44.521TO-220IS2SK2399BSamsung IRFS520A1000.27.228TO-220IS2SK2399BSamsung IRFS530A1000.1110.732TO-220IS2SK2391ASamsung IRFS540A1000.0521739TO-220IS2SK2466ASamsung IRFS550A1000.042146TO-220IS2SK2466ASamsung IRFS610A2001.52.522TO-220IS2SK2381ASamsung IRFS614A25022.122TO-220IS2SK2840ASamsung IRFS620A2000.84.132TO-220IS2SK2381ASamsung IRFS624A2501.13.434TO-220IS2SK2840ASamsung IRFS630A2000.46.538TO-220IS2SK2350ASamsung
IRFS634A2500.455.838TO-220IS2SK2417ASamsung
IRFS640A2000.189.843TO-220ISYTAF630ASamsung IRFS644A2500.287.943TO-220IS2SK2508ASamsung IRFS650A2000.08515.850TO-220ISSamsung
IRFS654A2500.141250TO-220ISSamsung
IRFS710A4003.61.623TO-220IS2SK2862BSamsung IRFS720A4001.82.833TO-220IS2SK2679ASamsung IRFS730A40013.938TO-220IS2SK2679ASamsung IRFS740A4000.555.744TO-220IS2SK2952ASamsung IRFS750A4000.38.449TO-220ISSamsung
IRFS820A50032.133TO-220IS2SK2862ASamsung IRFS830A5001.53.138TO-220IS2SK2662ASamsung IRFS840A5000.854.644TO-220IS2SK2662ASamsung IRFSZ14A600.14819TO-220IS2SK2231BSamsung IRFSZ24A600.071430TO-220IS2SK2232ASamsung IRFSZ34A600.042034TO-220IS2SK2385ASamsung
IRFSZ44A600.0243045TO-220IS2SK2312ASamsung 常用功率场效应管速查表
型号规格
IRFP254 23A 250V 200W
IRFP260 46A 200V 280W
IRFP264 38A 250V 280W
IRFP340 10A 400V 180W
IRFP250 33A 200V 190W
IRFP350 16A 400V 180W
IRFP360 23A 400V 280W
IRFP450 14A 500V 180W
IRFP460 20A 500V 280W
IRFP3710
IRFu120
IRFu9120
IRFD110
IRFD9120
50N06 50A 60V
60N06 60A 60V
70N06 70A 60V
75N06 75A 60V
75N75 75A 75V
80N06 80A60V
SSP3N90 3A 900V 25W
SSP4N60 4A 600V
SSP4N90 4A 900V 140W
SSP5N90 5A 900V 150W
6N60 6A 600V 125W
7N90 7A 900V 150W
IXFH12N90 12A 900V 300W IXFH12N100 12A 1000V 300W IXFH13N80 13A 800V 280W W20N50 20A 500V 180W IXFH20N60 20A 600V 300W MTW24N40 24A 400V 250W IXFH24N50 24A 500V 250W IXFH26N50 26A 500V 300W IXFH32N50 32A 500V 300W IXFH40N30 40A 300V 300W IRF510 5.6A 100V 20W
IRF520 8A 100V 40W
IRF530 14A 100V 79W
IRF540 28A 100V 150W
IRF620 5A 200V 40W
IRF630 9A 200V 75W
IRF834 8.1A 250V 75W
IRF640 18A 200V 125W
IRF644 14A 250V 125W
IRF730 5.5A 400V 75W
IRF740 10A 400V 75W
IRF830 4.5A 500V 75W
IRF840 8A 500V 125W
IRF1010 75A 55V 150W
IRF2807 71A 75V 150W
IRF3205 98A 55V 150W
IRF3710 46A 100V 150W
IRF9530 12A 100V 88W
IRF9540 18A 100V 150W
IRF9610 1.8A 200V 20W
IRF9620 3.5A 200V 40W
IRF9630 6.5A 200V 75W
IRF9640 11A 200V 125W IRFBC30 6.2A 600V 74W IRFBC40 6.2A 600V 125W IRFBE30 4.1A 800V 125W IRFBE40 5A 800V 125W IRFPC50 11A 600V 180W IRFPC60 16A 600V 280W IRFPG50
IRFPF30 3.6A 900V 125W IRFPF40 47A 900V 150W IRFPF50
IRFPE50
IRFZ20 15A 50V 40W
IRFZ40 51A 60V 150W
IRFZ44 50A 60V 190W
IRFZ46 33A 55V 45W
IRFZ48 40A 55V 45W
IRF40N10 40A 100V 100W IXFK48N50 48A 500V 220W IXFH50N20 50A 200V 300W IXFH58N20 58A 200V 300W IXFH74N20 74A 200V 300W IXFH75N10 75A 100V 300W IXFH80N10 80A 100V 300W IXFH80N20 80A 200V 300W IXFK100N10 100A 100V 450W IXFK170N10 170A 100V 450W K413 8A 140V 100W
K534 5A 800V 100W
K559 15A 450V 100W
K560 15A 500V 100W
型号规格
K622 20A 150V 20W
K623 20A 250V 120W
K719 5A 900V 120W
K724 15A 500V 100W
K725 15A 500V 125W
K727 5A 900V 125W
K791 3A 850V 100W K792 3A 900V 100W K793 5A 850V 150W K794 5A 900V 125W K790 15A 500V 150W K822 22A 250V 90W K833 5A 900V 150W K850 40A 100V 125W K851 30A 200V 150W K899 18A 500V 125W K902 20A 250V 150W K940 0.8A 60V 0.9W K956 9A 800V 150W K962 8A 900V 150W K1010 6A 500V 80W K1016 15A 500V 125W K1020 30A 500V 125W K1081 7A 800V 125W K1082 6A 900V 125W K1117 6A 600V 45W K1118 6A 600V 45W K1119 4A 1000V 100W K1120 8A 1000V 150W K1217 8A 900V 100W K1271 5A 1400V 240W K1227 30A 250V 150W K1341 6A 900V 100W K1342 8A 900V 100W K1357 5A 900V 150W K1358 9A 900V 150W K1413 2A 1500V 3W K1414 6A 1500V 3.5W K1457 5A 900V 70W K1507 9A 600V 70W K1512 10A 900V 150W K1520 30A 500V 200W K1521 50A 450V 250W K1522 50A 450V 250W K1527 40A 500V 250W K1544 25A 500V 200W K1723 12A 600V 150W K1745 18A 600V 150W K1796 10A 900V 150W
K1941 12A 600V 125W
K2038 5A 800V 125W
K2039 5A 900V 150W
K2082 9A 900V 150W
K2333 6A 700V 50W
K2485 6A 900V 150W
K2608 3A 900V 100W
K2610 5A 900V 125W
K2611 9A 900V 150W
K2648 9A 800V 150W
K2677 10A 900V 65W
K2700 3A 900V 40W
K2761 10A 600V 50W
K2765 7A 800V 125W
K2850 6A 900V 150W
K2488 10A 900V 150W
GT8Q101 8A 1200V 180W GT15J101 15A 600V 180W GT15Q101 15A 1200V 200W' GT25H101 25A 600V 200W GT25Q101 25A 1200V 200W G40N1500 40A 1500V 250W G20N60 20A 600V 250W
G30N60 30A 600V 220W
G30N120 30A 1200V 250W IRFP064N 110A 55V 200W IXGH17N100 17A 1000V 280W IXGH24N60 24A 600V 250W IXGH32N60 32A 600V 250W IRFP054N 81A 55V 170W IXFPG4BC100D
IRGPC50U
IRGPH50U
IRGPH40U
IRFP054 70A 60V 230W
78455 代IRFP054
IRFP064 70A 60V 300W
IRFP150 40A 100V 200W
标题:IRF系列场效应管参数代换作者:
日期:2009-02-14 19:37:02
内容:
IRF系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换
带有"-"号的参数为P沟道场效应管,带有/的参数的为P沟道,N沟道双管封装在一起的场效应管,没注明的均为N沟道场效应管.
型号Drain-to-Source Voltage漏极到源极电压Static Drain-Source
On-State Resistance静态漏源
通态电阻Continuous Drain Current漏极连续电流(TC=25℃)PD Total Power Dissipation 总功率耗散(TC=25℃）Package 封装Toshiba Replacement 替换东芝型号Vender 供应商
VDSSRDS(ON)IDPD
(V)(ohm)欧姆(A)(W)
IRF4860-50190TO-220AB-IR
IRF02460-1760TO-204AA-IR
IRF03460-3090TO-204AE-IR
IRF03560-2590TO-204AE-IR
IRF04460-30150TO-204AE-IR
IRF04560-30150TO-204AE-IR
IRF05460-30180TO-204AA-IR
IRF120100-8.040TO-3-IR
IRF12160-8.040TO-3-IR
IRF122100-7.040TO-3-IR
IRF12360-7.040TO-3-IR
IRF130100-1475TO-3-IR
IRF13160-1475TO-3-IR
IRF132100-1275TO-3-IR
IRF13360-1275TO-3-IR
IRF140100-27125TO-204AE-IR IRF14160-27125TO-204AE-IR IRF142100-24125TO-204AE-IR IRF14360-24125TO-204AE-IR IRF150100-40150TO-204AE-IR IRF15160-40150TO-204AE-IR IRF152100-33150TO-204AE-IR IRF15360-33150TO-204AE-IR IRF220200-5.040TO-3-IR
IRF221150-5.040TO-3-IR
IRF222200-4.04.0TO-3-IR
IRF223150-4.040TO-3-IR
IRF224250-3.840TO-204AA-IR IRF225250-3.340TO-204AA-IR IRF230200-9.075TO-3-IR
IRF231150-9.075TO-3-IR
IRF232200-8.075TO-3-IR
IRF233150-8.075TO-3-IR
IRF234250-8.175TO-204AA-IR
结型场效应管（ＪＦET)得结构与工作原理1、JＦET得结构与符号 Ｎ沟道JFEＴP沟道ＪFET ２、工作原理（以N沟道JFEＴ为例) N沟道JFET工作时,必须在栅极与源极之间加一个负电压-—VＧS＜0,在D－S间加一个正电压——V DS＞0、 栅极—沟道间得PN结反偏，栅极电流ｉG≈０,栅极输入电阻很高(高达10７Ω以上). Ｎ沟道中得多子(电子)由S向D运动,形成漏极电流iＤ。i D得大小取决于ＶDS得大小与沟道电阻。改变ＶGS可改变沟道电阻，从而改变i D。 主要讨论V GS对i D得控制作用以及VＤS对iＤ得影响。 ①栅源电压ＶGS对i D得控制作用 当VＧS〈0时，PN结反偏,耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大，IＤ减小；ＶＧS更负时，沟道更窄，I D更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断，IＤ≈０。这时所对应得栅源电压V GS称为夹断电压VＰ。
②漏源电压ＶDS对i D得影响 在栅源间加电压V GS<０，漏源间加正电压ＶDS > 0。则因漏端耗尽层所受得反偏电压为V GD＝V GＳ-V DS，比源端耗尽层所受得反偏电压V GS大，(如:VＧS=-2V, V DS =3V，V P=－９Ｖ,则漏端耗尽层受反偏电压为V GD＝—5V,源端耗尽层受反偏电压为－2V）,使靠近漏端得耗尽层比源端宽,沟道比源端窄,故V DS对沟道得影响就是不均匀得,使沟道呈楔形。 当V DS增加到使VＧD=ＶGS－VＤS＝V P时,耗尽层在漏端靠拢,称为预夹断。 当V DＳ继续增加时，预夹断点下移，夹断区向源极方向延伸。由于夹断处电阻很大,使ＶDＳ主要降落在该区，产生强电场力把未夹断区得载流子都拉至漏极,形成漏极电流IＤ.预夹断后I D基本不随VＤＳ增大而变化。
如何理解场效应管的原理，大多数书籍和文章都讲的晦涩难懂，给初学的人学习造成很大的难度，要深入学习就越感到困难，本人以自己的理解加以解释，希望对初学的人有帮助，即使认识可能不是很正确，但对学习肯定有很大的帮助。 场效应管的结构 场效应管是电压控制器件，功耗比较低。而三极管是电流控制器件，功耗比较高。但场效应管制作工艺比三极管复杂，不过可以做得很小，到纳米级大小。所以在大规模集成电路小信号处理方面得到广泛的应用。对大电流功率器件处理比较困难，不过目前已经有双场效应管结构增加电流负载能力，也有大功率场管出现，大有取代三极管的趋势。场效应管具有很多比三极管优越的性能。 结型场效应管的结构 结型场效应管又叫JFET，只有耗尽型。 这里以N沟道结型场效应管为例，说明结型场效应管的结构及基本工作原理。图为N沟道结型场效应管的结构示意图。在一块N型硅，材料(沟道)上引出两个电极，分别为源极(S)和漏极(D)。在它的两边各附一小片P型材料并引出一个电极，称为栅极(G)。这样在沟道和栅极间便形成了两个PN结。当栅极开路时，沟道相当于一个电阻，其阻值随型号而不同，一般为数百欧至数千欧。如果在漏极及源极之间加上电压U Ds，就有电流流过，I D将随U DS的增大而增大。如果给管子加上负偏差U GS时，PN结形成空间电荷区，其载流子很少，因而也叫耗尽区(如图a中阴影区所示)。其性能类似于绝缘体，反向偏压越大，耗尽区越宽，沟道电阻就越大，电流减小，甚至完全截止。这样就达到了利用反向偏压所产生的电场来控制N型硅片(沟道)中的电流大小的目的。 注：实际上沟道的掺杂浓度非常小，导电能力比较低，所以有几百到几千欧导通电阻。而且是PN结工作在反向偏置的状态。刚开机时，如果负偏置没有加上，此时I D是最大的。 特点：1，GS和GD有二极管特性，正向导通，反向电阻很大 2：DS也是导通特性，阻抗比较大 3：GS工作在反向偏置的状态。 4：DS极完全对称，可以反用，即D当做S，S当做D。 从以上介绍的情况看，可以把场效应管与一般半导体三极管加以对比，即栅极相当于基极，源极相当于发射极，漏极相当于集电极。如果把硅片做成P型，而栅极做成N型，则成为P沟道结型场效应管。结型场效应管的符号如图b所示。
场效应管工作原理 MOS场效应管电源开关电路。 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 MOS 场效应管也被称为MOS FET，既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP 型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
为解释MOS场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P 型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。 对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在
实验六 结型场效应管放大电路 一．实验摘要 通过对实验箱上结型场效应管的测试，认识N 沟道JFET 场效应管的电压放大特性和开关特性。给MOS 管放大电路加输入信号为：正弦波，Vpp=200mV-500mV ，f=2Khz 。测量输入电阻时，输入端的参考电阻Rs=680K 。 二．实验主要仪器 三极管，万用表，示波器，信号源及其他电子元件。 三．实验原理 场效应管放大器性能分析 图6－1为结型场效应管组成的共源级放大电路。其静态工作点 2 P GS DSS D )U U (1I I - = 中频电压放大倍数 A V ＝－g m R L ＇＝－g m R D // R L 输入电阻 R i ＝R G ＋R g1 // R g2 输出电阻 R O ≈R D 式中跨导g m 可由特性曲线用作图法求得，或用公式 )U U (1U 2I g P GS P DSS m -- = 计算。但要注意，计算时U GS 要用静态工作点处之数值。 输入电阻的测量方法 场效应管放大器的静态工作点、电压放大倍数和输出电阻的测量方法，与实验二中晶体管放大器的测量方法相同。其输入电阻的测量，从原理上讲，也可采 S D DD g2 g1g1 S G GS R I U R R R U U U -+= -=
用实验二中所述方法，但由于场效应管的R i 比较大，如直接测输入电压U S 和U i ，则限于测量仪器的输入电阻有限，必然会带来较大的误差。因此为了减小误差，常利用被测放大器的隔离作用，通过测量输出电压U O 来计算输入电阻。测量电路如图所示。 输入电阻测量电路 在放大器的输入端串入电阻R ，把开关K 掷向位置1（即使R ＝0），测量放大器的输出电压U 01＝A V U S ；保持U S 不变，再把K 掷向2（即接入R ），测量放大器的输出电压U 02。由于两次测量中A V 和U S 保持不变，故 V S i i i V 02A U R R R U A U += = 由此可以求出 R U U U R 02 O102 i -=
实验六场效应管放大器 一、实验目的 1、了解结型场效应管的性能和特点 2、进一步熟悉放大器动态参数的测试方法 二、实验仪器 1、双踪示波器 2、万用表 3、信号发生器 三、实验原理 实验电路如下图所示：
图6-1 场效应管是一种电压控制型器件。按结构可分为结型和绝缘栅型两种类型。由于场效应管栅源之间处于绝缘或反向偏置，所以输入电阻很高（一般可达上百兆欧）又由于场效应管是一种多数载流子控制器件，因此热稳定性好，抗辐射能力强，噪声系数小。加之制造工艺较简单，便于大规模集成，因此得到越来越广泛的应用。 1、结型场效应管的特性和参数 场效应管的特性主要有输出特性和转移特性。图6－2所示为N 沟道结 图6－2 3DJ6F 的输出特性和转移特性曲线 型场效应管3DJ6F 的输出特性和转移特性曲线。 其直流参数主要有饱和漏极电流I DSS ，夹断电压U P 等；交流参数主要有低频跨导 常数U △U △I g DS GS D m == 表6－1列出了3DJ6F 的典型参数值及测试条件。
表6－1 2、场效应管放大器性能分析 图6－1为结型场效应管组成的共源级放大电路。其静态工作点 2 P GS DSS D )U U (1I I - = 中频电压放大倍数 A V ＝－g m R L ＇＝－g m R D // R L 输入电阻 R i ＝R G ＋R g1 // R g2 输出电阻 R O ≈R D 式中跨导g m 可由特性曲线用作图法求得，或用公式 )U U (1U 2I g P GS P DSS m -- = 计算。但要注意，计算时U GS 要用静态工作点处之数值。 3、输入电阻的测量方法 场效应管放大器的静态工作点、电压放大倍数和输出电阻的测量方法，与实验二中晶体管放大器的测量方法相同。其输入电阻的测量， S D DD g2 g1g1 S G GS R I U R R R U U U -+= -=
常见大中功率管三极管参数 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1402 1500V 5A 120W * * NPN 2SD1399 1500V 6A 60W * * NPN 2SD1344 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1343 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1342 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1941 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1911 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1341 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1219 1500V 3A 65W * * NPN 2SD1290 1500V 3A 50W * * NPN 2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN 2SD1174 1500V 5A 85W * * NPN 2SD1173 1500V 5A 70W * * NPN 2SD1172 1500V 5A 65W * * NPN 2SD1143 1500V 5A 65W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1142 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN 2SD995 2500V 3A 50W * * NPN 2SD994 1500V 8A 50W * * NPN 2SD957A 1500V 6A 50W * * NPN 2SD954 1500V 5A 95W * * NPN 2SD952 1500V 3A 70W * * NPN 2SD904 1500V 7A 60W * * NPN 2SD903 1500V 7A 50W * * NPN 2SD871 1500V 6A 50W * * NPN 2SD870 1500V 5A 50W * * NPN 2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD838 2500V 3A 50W * * NPN 2SD822 1500V 7A 50W * * NPN 2SD821 1500V 6A 50W * * NPN 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD348 1500V 7A 50W * * NPN 2SC4303A 1500V 6A 80W * * NPN 2SC4292 1500V 6A 100W * * NPN 2SC4291 1500V 5A 100W * * NPN 2SC4199A 1500V 10A 100W * * NPN 2SC3883 1500V 5A 50W * * NPN 2SC3729 1500V 5A 50W * * NPN 2SC3688 1500V 10A 150W * * NPN
场效应管原理 场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET）。1.1 1.1.1 MOS场效应管 MOS场效应管有增强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极： D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极； G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极； S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。 增强型MOS(EMOS)场效应管 一、工作原理 1．沟道形成原理 当VGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。 当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。 进一步增加VGS，当VGS＞VGS(th)时（VGS(th) 称为开启电压），由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟 1 线性电子电路教案 道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层（inversion layer）。随着VGS的继续增加，ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS＞VGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。 转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。gm 的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。 跨导的定义式如下：constDS==VGSDVIgmΔΔ (单位mS) 2．VDS对沟道导电能力的控制 当VGS＞VGS(th)，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响。VDS的不同变化对沟道的影响如图3-2所示。根据此图可以有如下关系 VDS=VDG＋VGS= —VGD＋VGS VGD=VGS—VDS 当VDS为0或较小时，相当VGD＞VGS(th)，沟道呈斜线分布。在紧靠漏极处，沟道达到开启的程度以上，漏源之间有电流通过。 当VDS增加到使VGD=VGS(th)时，相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断，此时的漏极电流ID基本饱和。当VDS增加到VGD
场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE
1、结型场效应管的管脚识别 场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 2、判定栅极（红表笔接表内电池的负极，黑表笔接表内电池的正极） 用万用表黑表笔碰触管子的栅极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。若要区分，则可根据在源—漏之间有一个PN结，通过测量PN结正、反向电阻存在差异，识别S极与D极。将万用表拨到R×100档，用交换表笔法测两次电阻，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻。此时黑表笔的是S极，红表笔接D 极。 注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。 3、估测场效应管的放大能力 将万用表拨到R×100档，相当于给场效应管加上1.5V的
电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS 和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。 由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。 本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住金属杆，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。
场效应管工作原理
场效应管工作原理 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 一、场效应管的分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、场效应三极管的型号命名方法 现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D
什么是结型场效应管 场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。 它不仅具有双极型三极管的体积小,重量轻,耗电少,寿命长等优点,而且还具有输入电阻高,热稳定性好,抗辐射能力强,噪声低,制造工艺简单,便于集成等特点.因而,在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用.根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类: 结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。 在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两个P 区连起来，就构成了一个场效应管。从N型区引出的两个电极分别为源极S和漏极D，从两个P区引出的电极叫栅极G，很薄的N区称为导电沟道。 结型场效应管分类：N沟道和P沟道两种。如下图所示为N沟道管的结构和符号。 如右图所示为N沟道结型场效应管的结构示意图。 N沟道结型场效应管正常工作时，在漏-源之间加正向电压，形成漏极电流。 <0，耗尽层承受反向电压，既保证栅-源之间内阻很高，又实现对沟道电流的控制。 ★=0时，对导电沟道的控制作用，如下图所示。
◆=0时，=0，耗尽层很窄，导电沟道很宽。 ◆│增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。 ◆│增大到某一数值时，耗尽层闭合，沟道消失，沟道电阻趋于无穷大，称此时的值为夹断电压。 ★为~0中某一固定值时，对漏极电流的影响 ▲=0，由所确定的一定宽的导电沟道，但由于d-s间电压为零，多子不会产生定向移动，=0。 ▲>0，有电流从漏极流向源极，从而使沟道各点与栅极间的电压不再相等，沿沟道从源极到漏极逐渐增大，造成靠近漏极一边的耗尽层比靠近源极一边的宽。如下图（a）所示。 ▲从零逐渐增大时，=- 逐渐减小，靠近漏极一边的导电沟道随之变窄。电流随线性增大。
第四章场效应管放大电路 本章内容简介 场效应管是利用改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。它具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。场效应管的分类根据结构和工作原理的不同，场效应管可分为两大类：结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。 4.1 结型场效应管 4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 在一块N型半导体材料的两边各扩散 一个高杂质浓度的P+ 区,就形成两个不对 称的PN结，即耗尽层。把两个P+区并联在 一起，引出一个电极g，称为栅极，在N 型半导体的两端各引出一个电极，分别称 为源极s和漏极d。 场效应管的与三极管的三个电极的对应关系： 栅极g—基极b；源极s—发射极e；漏极d—集电极c夹在两个PN结中间的区域称为导电沟道（简称沟道）。 如果在一块P型半导体的两边各扩散一 个高杂质浓度的N+区，就可以制成一个P沟 道的结型场效应管。P沟道结型场效应管的
结构示意图和它在电路中的代表符号
如图所示。 2. 工作原理 v GS对i D的控制作用 为便于讨论，先假设漏－源极间所加的电压v DS=0。 (a) 当v GS=0时，沟道较宽，其电阻较小。 (b) 当v GS<0，且其大小增加时，在这个反偏电压的作用下，两个PN结耗尽层将加宽。由于N 区掺杂浓度小于P+区，因此，随着|v GS| 的增加，耗尽层将主要向N沟道中扩展，使沟道变窄，沟道电阻增大。当|v GS| 进一步增大到一定值|V P| 时，两侧的耗尽层将在沟道中央合拢，沟道全部被夹断。由于耗尽层中没有载流子，因此这时漏－源极间的电阻将趋于无穷大，即使加上一定的电压v DS，漏极电流i D也将为零。这时的栅－源电压v GS称为夹断电压，用V P表示。在预夹断处：V GD=V GS－V DS =V P 上述分析表明: (a)改变栅源电压v GS的大小，可以有效地控制沟道电阻的大小。 (b)若同时在漏源-极间加上固定的正向电压v DS，则漏极电流i D将受v GS的控制，|v GS|增大时，沟道电阻增大，i D减小。 (c)上述效应也可以看作是栅－源极间的偏置电压在沟道两边建立了电场，电场强度的大小控制了沟道的宽度，即控制了沟道电阻的大小，从而控制了漏极电流i D的大小。 v DS对i D的影响 设v GS值固定，且V P 常用场效应管参数大全 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机 场效应管工作原理（1） 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109?）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 一、场效应管的分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 二、场效应三极管的型号命名方法 现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 三、场效应管的参数 场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数： 1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS =0时的漏源电流。 2、U P — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、U T — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、g M — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D 的控制能力，即漏极电流I D 变化量与栅源电压U GS 变化量的比值。g M 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BU DS — 漏源击穿电压。是指栅源电压U GS 一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一 项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BU DS。 结型场效应管 如图XX_01(a)所示，在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的 P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引 出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为 源极（s）和漏极（d）。它们分别与三极管的基极（b）、发射极（e）和集电 极（c）相对应。夹在两个P+N结中间的N区是电流的通道，称为导电沟道（简 称沟道）。这种结构的管子称为N沟道结型场效应管，它在电路中用图XX_01(b) 所示的符号表示，栅极上的箭头表示栅、源极间P+N结正向偏置时，栅极电流的 方向（由P区指向N区）。 实际的JFET结构和制造工艺比上述复杂。N沟道JFET的剖面图如图XX_01(c)所示。图中衬底和中间顶部都是P+型半导体，它们连接在一起（图中未画出）作为栅极g。分别与源极s和漏极d相连的N+区，是通过光刻和扩散等工艺来完成的隐埋层，其作用是为源极s、漏极d提供低阻通路。三个电极s、g、d分别由不同的铝接触层引出。 如果在一块P 型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N +区，就可以制成一个P 沟道的结型场效应管。图XX_02给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。 由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。 N 沟道和P 沟道结型场效应管的工作原理完全相同，现以N 沟道结型场效应管为例，分析其工作原理。 N 沟道结型场效应管工作时，也需要外加如图XX_01所示的偏置电压，即在栅极与源极间加一负电压(v GS ＜0)，使栅、源极间的P +N 结反偏，栅极电流i G ≈0，场效应管呈现很高的输入电阻(高达108 左右)。在漏极与源极间加一正电压(v DS ＞0)，使N 沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成漏极电流i D 。i D 的大小主要受栅源电压v GS 控制，同时也受漏源电压v DS 的影响。因此，讨论场效应管的工作原理就是讨论栅源电压v GS 对漏极电流i D （或沟道电阻）的控制作用，以及漏源电压v DS 对漏极电流i D 的影响 1．v GS 对i D 的控制作用 图XX_02所示电路说明了v GS 对沟道电阻的控制作用。为便于讨论，先假设漏源极间所加电压v DS =0。 当栅源电压v GS =0时，沟道较宽，其电阻较小。当v GS <0，且其大小增加时，在这个反偏电压的作用下，两个P +N 结耗尽层将加宽。由于N 区掺杂浓度小于P +区，因此，随着 的增加，耗尽层将主要向N 沟道中扩展，使沟道变窄，沟道电阻增大，如图XX_02(b)所示。 当 进一步增大到一定值 时，两侧的耗尽层将在中间合拢，沟道全部被夹断，如图XX_02(c)所示。由于耗尽层中没有载流子， 因此这时漏源极间的电阻将趋于无穷大，即使加上一定的v DS ，漏极电流i D 也将为零。这时的栅源电压称为夹断电压，用V P 表示。 2．v DS 对i D 的影响 图XX_01 第三章场效应管放大电路 本章内容简介 场效应管是利用改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。它具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。场效应管的分类根据结构和工作原理的不同，场效应管可分为两大类：结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。 （一）主要内容: ?结型场效应管的结构及工作原理 ?金属-氧化物-半导体场效应管的结构及工作原理 ?场效应管放大电路的静态及动态性能分析 （二）教学要点： ?了解结型场效应管和MOS管的工作原理、特性曲线及主要参数 ?掌握用公式法和小信号模型分析法分析其放大电路的静态及动态性能 ?了解三极管及场效应管放大电路的特点 （三）基本要求: 介绍结型场效应管和MOS管的工作原理、特性曲线，重点介绍用公式法和小信号模型分析法分析其放大电路静态及动态性能。 3.1 结型场效应管 3.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 在一块N型半导体材料的两边各扩散 一个高杂质浓度的P+ 区,就形成两个不对 称的PN结，即耗尽层。把两个P+区并联在 一起，引出一个电极g，称为栅极，在N 型半导体的两端各引出一个电极，分别称 为源极s和漏极d。 场效应管的与三极管的三个电极的对 应关系： 栅极g—基极b；源极s—发射极e；漏极d —集电极c 夹在两个PN结中间的区域称为导电沟道（简称沟道）。 如果在一块P型半导体的两边各扩散一 个高杂质浓度的N+区，就可以制成一个P沟 道的结型场效应管。P沟道结型场效应管的 结构示意图和它在电路中的代表符号 如图所示。 2. 工作原理 v GS对i D的控制作用 为便于讨论，先假设漏－源极间所加的电压v DS=0。 (a) 当v GS=0时，沟道较宽，其电阻较小。 (b) 当v GS<0，且其大小增加时，在这个反偏电压的作用下，两个PN结耗尽层将加宽。由于N区掺杂浓度小于P+区，因此，随着|v GS| 的增加，耗尽层将主要向N沟道中扩展，使沟道变窄，沟道电阻增大。当|v GS| 进一步增大到一定值|V P| 时，两侧的耗尽层将在沟道中央合拢，沟道全部被夹断。由于耗尽层中没有载流子，因此这时漏－源极间的电阻将趋于无穷大，即使加上一定的电压v DS，漏极电流i D也将为零。这时的栅－源电压v GS称为夹断电压，用V P表示。在预夹断处：V GD=V GS －V DS =V P 上述分析表明: (a)改变栅源电压v GS的大小，可以有效地控制沟道电阻的大小。 结型场效应管(JFET)的结构和工作原理 1. JFET的结构和符号 N沟道JFET P沟道JFET 2. 工作原理（以N沟道JFET为例） N沟道JFET工作时，必须在栅极和源极之间加一个负电压——V GS< 0，在D-S间加一个正电压——V DS>0. 栅极—沟道间的PN结反偏，栅极电流i G≈0，栅极输入电阻很高（高达107Ω以上）。 N沟道中的多子（电子）由S向D运动，形成漏极电流i D。i D的大小取决于V DS的大小和沟道电阻。改变V GS可改变沟道电阻，从而改变i D。 主要讨论V GS对i D的控制作用以及V DS对i D的影响。 ①栅源电压V GS对i D的控制作用 当V GS＜0时，PN结反偏，耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大，I D减小；V GS更负时，沟道更窄，I D更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断，I D≈0。这时所对应的栅源电压V GS称为夹断电压V P。 ②漏源电压V DS对i D的影响 在栅源间加电压V GS＜ 0 ，漏源间加正电压V DS > 0。则因漏端耗尽层所受的反偏电压为V GD=V GS-V DS，比源端耗尽层所受的反偏电压V GS大,(如:V GS=-2V, V DS =3V, V P=-9V,则漏端耗尽层受反偏电压为V GD=-5V，源端耗尽层受反偏电压为-2V),使靠近漏端的耗尽层比源端宽，沟道比源端窄，故V DS对沟道的影响是不均匀的，使沟道呈楔形。 当V DS增加到使V GD=V GS-V DS =V P时，耗尽层在漏端靠拢,称为预夹断。 当V DS继续增加时，预夹断点下移，夹断区向源极方向延伸。由于夹断处电阻很大，使V DS主要降落在该区，产生强电场力把未夹断区的载流子都拉至漏极，形成漏极电流I D。预夹断后I D基本不随V DS增大而变化。 * 课程设计报告题目：场效应管放大电路设计 学生姓名：学生学号： *** ******** 系专届别： 业： 别： 电气信息工程院 通信工程 2014届 指导教师：** 电气信息工程学院制 2013年3月 **师范学院电气信息工程学院2014届通信工程专业课程设计报告 场效应管放大电路设计 学生：** 指导教师：** 电气信息工程学院通信工程专业 1、课程设计任务和要求： 1.1 1.2 1.3场效应管电路模型、工作点、参数调整、行为特征观察方法研究场效应放大电路的放大特性及元件参数的计算 进一步熟悉放大器性能指标的测量方法 2、课程设计的研究基础： 2.1场效应管的特点 场效应管与双极型晶体管比较有如下特点： (1)场效应管为电压控制型元件； (2)输入阻抗高(尤其是MOS场效应管)； (3)噪声系数小； (4)温度稳定性好，抗辐射能力强； (5)结型管的源极(S)和漏极(D)可以互换使用，但切勿将栅(G)源(S)极电压的极性接反，以免P N结因正偏过流而烧坏。对于耗尽型MOS管，其栅源偏压可正可负，使用较灵活。 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。场效应管，FET是一种电压控制电流器件。其特点是输入电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中。场效应管的种类很多，按结构可 分为两大类：结型场效应管、JFET和绝缘栅型场效应管IGFET。结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管主要指金属一氧化物—半导体M OS场效应管。MOS管又分为“耗尽型”和“增强型”两种，而每一种又分为N沟道和P沟道。结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流的输入电阻105---1015之间，绝缘栅型是利感应电荷的多少来控制导点沟道的宽窄从而控制电流的大小、其输入 阻抗很高(其栅极与其他电极互相绝缘)以及它在硅片上的集成度高，因此在大规模 集成电路中占有极其重要的地位。由多数载流子参与导电，也称为单机型晶体管。常用场效应管参数大全
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