文档标题
512K X16位低功耗和低电压全CMOS静态RA M 修订History2.1
版本号
0.0
历史
初稿草案
从生产代码变化
EM681FV16U-45LL到
EM681FV16U-45LF
从生产代码变化
EM681FV16U-45LF至
EM681FV16AU-45LF
产品代码表更新
修正错字错误
草案日期
年10月26日,2006年
备注
初稿
0.10.1版本年1月18个,2007年
0.2
0.3 0.40.2版本
0.3版本
0.4版本
四月. 10,2007
二零零七年六月十五日
11月12个,2007年
特征
??????工艺技术：0.15μm全CMOS
组织：512K×16位
电源电压：2.7V?3.6V
低数据防护持电压：1.5V（最低）
三态输出和TTL兼容
封装类型：44-TSOP2
概述
该EM681FV16AU由EMLSI制造
先进全CMOS工艺技术.这些家庭
支持工业级温度范围和芯片级
包装系统设计用户灵活性.这些家庭还支持低数据防护
持电压低数据防护持当前电池备份操作.
产品系列
功耗
产品
家庭
EM681FV16AU-45LF EM681FV16AU-55LF EM681FV16AU-70LF
操作
温度
工业（-40?85o C)
工业（-40?85o C)
工业（-40?85o C)
VCC范围Speed
支持
(I SB1,典型值）.
2μA
2μA
2μA
操作
(I CC1.Max)
4mA
4mA
4mA
PKG类型
2.7V~
3.6V
2.7V~
3.6V
2.7V~
3.6V
45ns
55ns
70ns
44-TSOP2
44-TSOP2
44-TSOP2
引脚说明功能框图
Pre-charge Circuit
Row Select Memory Array 2048 x 4096
I/O Circuit Column Select
44 TSOP2：俯视图
Control Logic
Name CS OE WE A0~A18
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
Name
V cc
V ss
UB
LB
NC
功能
电源
地面
高字节（I / O8~15)
低字节（I / O0~7)
没有连接
I/O0~I/O15数据输入/输出
2
绝对最大额定值 *
参数任何引脚相对于VSS电压供应相对Vss电压Vcc
功耗
工作温度符号
V IN, V OUT
V CC
P D
T A
起码
-0.2 to 4.0V
-0.2 to 4.0V
1.0
-40到85
Unit
V
V
W
o C
*强调超过上述"绝对最大额定值"可能会对设备造成永久性损坏.功能一般
通货膨胀应限制在推荐工作条件.暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响其可靠性.功能说明
CS H X L L L L L L L OE
X
X
H
L
L
L
X
X
X
WE
X
X
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
H
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
H
X
H
L
L
H
L
L
I/O0-7
高阻
高阻
高阻
数据输出
高阻
数据输出
数据在
高阻
数据在
I/O8-15
高阻
高阻
高阻
高阻
数据输出
数据输出
高阻
数据在
数据在
Mode
取消选择
取消选择
输出禁用
低字节读
上字节读
字读
低字节写
上字节写
字写
Power
支持
支持
活性
活性
活性
活性
活性
活性
活性
注：X表示不关心. （必须是高或低状态）
3
推荐直流工作条件1)
参数电源电压地面
输入高电压输入低电压
1.
2.
3.
4.符号
V CC
V SS
V IH
V IL
Min
2.7
2.2
-0.23)
Typ
3.3
-
-
Max
3.6
V CC+ 0.22)
0.6
Unit
V
V
V
V
T A= -40 to 85o C,另有说明
过冲：V CC在情况下脉冲宽度20ns+ 2.0V
冲：-2.0 V情况下,脉冲宽度为20ns
过高和过低采样,而不是100％测试.电容1)(f =1MHz, T A=25o C)
Item
输入电容
输入/输出继电器电容
1.电容进行采样,而不是100％测试符号
C IN
C IO
测试条件
V IN=0V
V IO=0V
Min
-
-
Max
8
10
Unit
pF
pF
DC及经营特色
参数输入漏电流
输出漏电流
工作电源符号
I LI
I LO I C C I C C1
平均工作电流
I C C2
输出低电压
输出高电压
待机电流（TTL）V OL
V OH
I SB
V IN=V SS到V CC
CS=V IH或OE = V IH或WE = V IL或LB = UB = V IH
V IO=V SS到V CC
I IO=0毫安,CS = V IL我们= V IH, V IN=V IH或V IL
周期时间=1μs,100％关税,I IO=0mA,
CS0.2V,LB0.2V或/和UB0.2V,
V IN IN V CC-0.2V
周期时间=最小,I IO=0毫安,100％关税,
CS=V IL, LB=V IL或/和UB = V IL ,
V IN=V IL或V IH
I OL= 2.1mA
I OH= -1.0mA
CS=V IH,其他输入= V IH或V IL
CSV CC-0.2V
测试条件Min
-1
-1
-
-
45ns
55ns
70ns
Typ
-
-
-
-
Max
1
1
2
4
45
35
25
0.4
-
0.5
Unit
uA
uA
mA
mA
-
-
2.2
-
-
-
-
-
mA
V
V
mA
待机电流（CMOS）I SB1其他输入= 0?V CC
（典型值条件：V CC=3.3V @ 25o C)
（最大条件：V CC=3.6V @ 85o C)
LF-215uA
4
AC 工作条件
测试条件（测试
负载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平：0.4?2.4V 输入上升和下降时间为5ns 输入和输出参考电压：1.5V 输出负载（见右）：CL
1)= 100pF 电容+ 1 TTL （70nsec ）CL 1)= 30pF+ 1 TTL （为45nS / 55ns ）
1.包括范围和夹具电容
2.R 1= 3070欧姆,R 2= 3150欧姆
3.V TM =2.8V
4,CL = 5pF+ 1 TTL （测量与T
LZ , t HZ , t OLZ , t OHZ , t WHZ )
R 12)
V TM 3)
CL 1)
R 22)
读周期
(V cc = 2.7至3.6V,GND = 0V,T
A
= -40o C 至+ 85o C)
参数
Read cycle time Addres s acces s time Chip s elect to output Output enable to valid output UB, LB acces s time Chip s elect to low-Z output UB, LB enable to low-Z output Output enable to low-Z output Chip dis able to high-Z output UB, LB dis able to how-Z output Output dis able to high-Z output
Output hold from addres s change
符号
t R C t AA t co t OE t BA t LZ t BLZ t OLZ t H Z t BH Z t OH Z t OH
45ns Min 45---Max -45453045
55500010
---202020-
55500010
Min 55---
55ns
Max -55553555
---202020-55500010Min 70---70ns
Max -70703570---252525-Unit
ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns
写周期
(V cc = 2.7至3.6V,GND = 0V,T
A
= -40o C 至+ 85o C)
参数
写周期时间片选到写结束地址建立时间地址有效写结束
UB,LB 有效写结束
把脉冲宽度写恢复时间写入输出中高Z 数据写入时间重叠从写入时间数据防护持结束写入输出低Z
符号
t W C t C W t As t AW t BW t W P t W R t W H Z t D W t D H t OW
45ns Min 45450454545002505
--Max -------20
Min 554504545450030
05
55ns
Max -------20
Min 706006060550030
-05
70ns
Max -------25
Unit
ns ns ns ns ns ns ns ns ns --ns ns
5