电力电子技术复习2011
一、选择题（每小题10分,共20分）
1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A度。
A、180°，
B、60°， c、360°， D、120°
2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A，0度， B，60度， C，30度， D，120度，
3、晶闸管触发电路中，若改变 B 的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压，
B、控制电压，
C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为A。
A、三相半波可控整流电路，
B、三相半控桥整流桥电路，
C、单相全控桥接续流二极管电路，
D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理A。
A、30o-35o，
B、10o-15o，
C、0o-10o，
D、0o。
6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种BCD。
A、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
7、在有源逆变电路中，逆变角的移相范围应选B为最好。
A、=90o∽180o，
B、=35o∽90o，
C、=0o∽90o，
8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于 C。
A、U相换相时刻电压u
U ， B、V相换相时刻电压u
V
，
C、等于u
U +u
V
的一半即：
9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉
冲间距相隔角度符合要求。请选择B。
=0，改变C的大小，可使直流电10、晶闸管触发电路中，若使控制电压U
C
=0，使触发角α=90o。达到调定移相控制范围，实现整流、动机负载电压U
d
逆变的控制要求。
B、同步电压， B、控制电压，
C、偏移调正电压。
11、下面哪种功能不属于变流的功能（C）
A、有源逆变
B、交流调压
C、变压器降压
D、直流斩波
12、三相半波可控整流电路的自然换相点是( B )
A、交流相电压的过零点；
B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；
C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；
D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。
13、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，
则该晶闸管的额定电压应为（B）
A、700V
B、750V
C、800V
D、850V
14、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D )
A、0o-90°
B、0o-120°
C、0o-150°
D、0o-180°
15、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差A度。
A 、180度； B、60度； C、360度； D、120度；
16、可实现有源逆变的电路为A。
A、单相全控桥可控整流电路
B、三相半控桥可控整流电路
C、单相全控桥接续流二极管电路
D、单相半控桥整流电路
选 A 时系统工作才17、由晶闸管构成的可逆调速系统中，逆变角β
min
可靠。
A、300~350
B、100~150
C、00~100
D、00
18、α= B度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，输出负载电压波
形处于连续和断续的临界状态。
A、0度；
B、60度；
C、30度；
D、120度；
19、变流装置的功率因数总是C。
A、大于1；
B、等于1；
C、小于1；
20、变流器工作在逆变状态时，控制角α必须在 D 度。
A、0°-90°；
B、30°-120°；
C、60°-150°；
D、90°-150°；
21、三相半波可控整流电阻性负载电路，如果三个晶闸管采用同一相触发脉冲，
α的移相范围 D。
A、0o--60o；
B、0o--90o；
C、0o--120o；
D、0o--150o；
22、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有
关A。
A、α、I
d 、 X
L
、U
2φ
； B、α、I
d
；
C、α、U
2； D、α、U
2
、 X
L
；
23、在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是 A。
A、0°～90°
B、0°～180°
C、90°～180°
24、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0o时，输出的负载电压平均值为D。
A、0.45U
2； B、0.9U
2
；
C、1.17U
2； D、2.34U
2
；
25、变流装置的功率因数总是C。
A、大于1；
B、等于1；
C、小于1；
26、三相全控桥式整流电路带大电感负载时，控制角α的有效移相范围是A度。
A、0°-90°；
B、30°-120°；
C、60°-150°；
D、90°-150°；
27、三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置来触发，α
的移相范围是D。
A、0o--60o；
B、0o--90o；
C、0o--120o；
D、0o--150o；
28、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关A。
A、α、I
d 、 X
L
、U
2φ
； B、α、I
d
；
C、α、U
2； D、α、U
2
、 X
L
；
29、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几
种 BCD。
A、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
30、在晶闸管触发电路中，若使控制电压U
C
=0，改变C的大小，可使直流
电动机负载电压U
d
=0，使触发角α=90o。达到调定移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
C、同步电压， B、控制电压， C、偏移调正电压
二、判断题（每题2分,共20分）（正确的打√、错误的打×）
1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现
失控现象。（√）
2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×）
3晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（×）
4、逆变角太大会造成逆变失败。（×）
5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。（√）
6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（×）
7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（×）
8、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（×）
9、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。（×）
10、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。
（√）11、两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电
压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。（√）
12、逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相，或是逆变
角太小造成的。（√）
13、变流装置其功率因数的高低与电路负载阻抗的性质，无直接关系。（√）
14、并联与串联谐振式逆变器属于负载换流方式，无需专门换流关断电路。（√）
15、触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。（×）
16、三相半波可控整流电路，不需要用大于60o小于120o的宽脉冲触发，也不需
要相隔60o的双脉冲触发，只用符合要求的相隔120o的三组脉冲触发就能正常工作。
（√）
17、变频调速装置是属于无源逆变的范畴。（√）
18、有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。（√）
19、双向晶闸管额定电流的定义，与普通晶闸管的定义相同（×）
20、用稳压管削波的梯形波给单结晶体管自激振荡电路供电，目的是为了使触发
脉冲与晶闸管主电路实现同步。（√）
21、三相桥式半控整流电路，带大电感性负载，有续流二极管时，当电路出故障
时会发生失控现象。（×）
22、晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。（×）
23、供电电源缺相、逆变桥元件损坏、逆变换流失败等故障。也会引起逆变失败。
（√）
24、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量，必须在电力开关器件上
反并联反馈二极管。（√）
25、用多重逆变电路或多电平逆变电路，可以改善逆变电路的输出波形，使它更
接近正弦波。（√）
。（×）26、三相桥式全控整流电路，输出电压波形的脉动频率是150H
Z
27、在普通晶闸管组成的全控整流电路中，带电感性负载，没有续流二极管时，
导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。（√）28、在桥式半控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形
中没有负面积。
（×）
29、提高电力电子装置的工作频率，可以使电力电子装置的体积和重量减小。（√）
30、无源逆变电路，是把直流电能逆变成交流电能，送给电网，（×）
31、晶闸管串联使用时，必须注意均流问
题。（×）
32、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。（×）
33、直流斩波电路只能实现降低输出直流电压的作用（×）
。
34、在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为倍相电压U
2（×）
35、逆变角太小会造成逆变失败。（×）
36、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。（√）
37、在单相全控桥电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（×）
38、三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，则α的移
相范围只有120o。（√）
39、三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。（×）
40、KP2—5表示的是额定电压200V，额定电流500A的普通型晶闸管。（×）
41、在单结晶体管触发电路中，稳压管削波的作用是为了扩大脉冲移相范围。（×）
42、在三相桥式全控整流电路中，采用双窄脉冲触发晶闸管元件时，电源相序还
要满足触发电路相序要求时才能正常工作。（√）43、双向晶闸管与普通晶闸管一样，额定电流也用通态电流平均值表示（×）
44、双向晶闸管的结构与普通晶闸管一样，也是由四层半导体（P1N1P2N2）材料
构成的。
（×）45、电流型并联谐振逆变电路负载两端电压波形是很好的正弦波（×）
46、变频器总是把直流电能变换成50Hz交流电能。（×）
47、只要采用双窄脉冲触发三相桥式全控整流电路的晶闸管，电路就能正常工作。
（√）
48、KP10—5表示的是额定电压1000V，额定电流500A的普通型晶闸管。（×）
49、双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是用电
流有效值来表示的。（√）
50、并联谐振逆变电路采用负载换流方式时，谐振回路不一定要呈电容性。（×）
51、双向晶闸管的结构与普通晶闸管不一样，它是由五层半导体材料构成的。
（√）52、电压型并联谐振逆变电路，负载电压波形是很好的正弦波（√）
53、有源逆变电路是把直流电能变换成50Hz交流电能送回交流电网。（√）
54、无源逆变电路是把直流电能逆变成交流电能送给交流电网（×）
55、在变流装置系统中，增加电源的相数也可以提高电网的功率因数。（×）
56、KP100—5表示的是额定电压100V，额定电流500A的普通型晶闸管。（×）
三、填空（每空1分,共30分）
1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET
和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥
而不流经负载的电流。环流可在电路中加电抗器来限制。为了减小环流一般采用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、
接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可）
10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。
11、双向晶闸管的触发方式有：
接负电I+ 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T
2
压；门极G接正电压，T2接负电压。
I- 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接
负电压，T2接正电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压,门极G接
正电压，T2接负电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接负
电压，T2接正电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源
逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管； 200
表示表示200A，9表示900V。
15、单结晶体管产生的触发脉冲是 尖脉冲 脉冲；主要用于驱动 小 功
率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为 强触发脉冲 脉冲；可以触发 大 功率的晶闸管。
16、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V ，流过晶闸管的电流
有效值为15A ，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为
()
V 220225.1倍- ；晶闸管的额定电流可选 为
()A
57
.115
25.1倍- 。
17、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为 零电压电路 与 零电流电路 两大类。 18、对异步电动机实施变频调速控制，通常的控制方式有 恒压频控制 、 转差频率控制 、 矢量控制 、 直接转矩控制 等四种。 19、PWM 逆变电路的控制方法有 计算法 、 调制法 、 跟踪控制法 三种。其中调制法又可分为 异步调控法 、 同步调控法 两种。 20、通常变流电路实现换流的方式有器件换流 、 电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 四种。
21、在单相交流调压电路中，负载为电阻性时移相范围是 π→0 ，负载是阻感性时移相范围是 π?→ 。
22、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有 避雷器 ； 阻容吸收 ； 硒堆；压敏电阻 和整流式阻容吸收等几种。
23、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、 增加整流相数 、 采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容几种。
24、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 GTO 、 GTR 、 MOSFET 、 IGBT 几种。
25、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是 阳极A ， 阴极
K 和 门极G
晶闸管的导通条件是阳极加正电压，
阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通；关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流I
H
时，导通的晶闸管关断.。
26、可关断晶闸管的图形符号是；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是；电力晶体管的图形符号是；
27、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极作为栅极，以
电力晶体管集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。
28、在电力晶闸管电路中，常用的过电流保护有快速熔断器；电路串电抗器；过流时快速移相；和直流快速开关等几种。
29、晶闸管的换相重叠角与电路的触发角α、变压器漏抗
X B 、平均电流I
d
、电源相电压U
2
等到参数有关。
30、双向晶闸管的图形符号是，三个电极分别是第一阳极T1，第二阳极T2和门极G
；双向晶闸管的的触发方式有 I
+、 I
-
、III
+
、 III
31、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2
2
U
2
。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为6U2。（电源相电压为U2）
32、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用大于60o小于120o的宽脉冲触发；二是用脉冲前沿相差60o的双窄脉冲触发。
33、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达240o度；
实际移相
才能达0o-180o度。
34、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有恒压频比控制、转差劲频率控制、矢量控制、直接转矩控制。
35、软开关电路种类很多，大致可分成零电压电路、零电流电路两大类。
36、
37、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角，用
a 表示。
38、一般操作引起的过电压都是瞬时尖峰电压，经常使用的保护方法是阻容保护而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有压敏电阻和硒堆。
39、交流零触发开关电路就是利用过零触发方式来控制晶闸管导通与关断的。
40、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压
为800伏、额定电流为100安。
41、实现有源逆为的条件为要有一个直流逆变电源，它的极性方向与晶闸管的导通方向一致，其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均电压和逆变桥必须工作在β<90o（即α>90o）区间，使输出电压极性与整流时相反，才能把直流能量逆变成交流能量反送到交流电网。
42、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装
置分别工作在正组整流状态、逆变状态、反组整流状态、逆变状态。
43、有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量后送
给电网的装置。
44、给晶闸管阳极加上一定的正向电压；在门极加上正向门
极电压，并形成足够的门极触发电流，晶闸管才能导通。
45、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时单相桥式半控整流桥
与三相桥式半控整流桥电路会出现失控现象。46、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率
为150 H
；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动
Z
；这说明三相桥式全控整流频率为300H
Z
桥电路的纹波系数比三相半波可控流电路电路要小。
47、造成逆变失败的原因有逆变桥晶闸管或元件损坏、供电电源缺相、逆变角太小、
触发脉冲丢失或未按时到达等几种。
48、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于掣住电流之前，如去掉触发脉冲，晶闸管又会关断。
49、对三相桥式全控变流电路实施触发时，如采用单宽脉冲触发，单宽脉冲的宽度一般
取90 度较合适；如采用双窄脉冲触发时，双窄脉冲的间隔应为 60度。
50、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围 0--150，三
相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围 0--120 ，三相半控桥电阻性负载时，电路的移相范围0--180。
51、锯齿波触发电路的主要环节是由同步环节、锯齿波形成、脉冲形成、
整形放大、强触发及输出环节组成。
52、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型逆变器
和电流型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧
用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是
120 度。
53、SPWM脉宽调制型变频电路的基本原理是：对逆变电路中开关器件的通断进
行有规律的调制，使输出端得到等高不等宽脉冲列来等效正弦波。
54、直流斩波电路在改变负载的直流电压时，常用的控制方式有定频调宽控制、
定宽调频控制、脉宽和频率同时控制三种。
55、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为I
Tn
等于 1.57倍
I
T（AV），如果I
T（AV）
=100安培，则它允许的有效电流为 1.57安培。通
常在选择晶闸管时还要留出 1.5--2倍的裕量。
56、晶闸管的维持电流I
H
是指在标准室温温度条件下，门极断开时，晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小阳极电流。
57、带平衡电抗器的双反星形电路，变压器绕组同时有两相导电；晶闸管
每隔60
度换一次流，每只晶闸管导通120度，变压器同一铁心柱上的两个绕组同名端相反，所以以两绕组的电流方向也相反，因此变压器的铁心不会被磁化。
58、三相桥式全控整流电路是由一组共阴极三只晶闸管和一组
共阳极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。每隔60°换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通 120 度。要使电路工作正常，必须任何时刻要有两只晶闸管同时导通，，一个是共阴极的，另一个是共阳
极的元件，且要求不是在同一桥臂上的两个元件。
59、PWM逆变电路的控制方式有正弦波、单项正弦波、双极性正弦波。
60、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降
压斩波电路；升压斩波电路；升降斩波电路。
61、
62、
四、计算题（每小题10分,共20分）
1、一台工业炉原由额定电压为单相交流220∨供电，额定功率为10千瓦。现改
用双向晶闸管组成的单相交流调压电源供电，如果正常工作时负载只需要5千瓦。试问双向晶闸管的触发角α应为多少度？试求此时的电流有效值，以及电源侧的功率因数值。
2、已知自耦变压器基本绕组为1-0，调整绕组1-3与1-2之间的匝数是1-0
的10％。试分析图示两组反并联晶闸管组成的电路，是如何实现在输入电压波动时，使输出电压∪0保持稳定？
3、在图示交流调压电路中，已知U2＝220V负载电阻R L＝10Ω，当触发角α＝
90°时，计算R
L 吸收的交流电功率是多少？并画出R
L
上的电压波形图。导通
区用阴影线表示。
4、在图示升压斩波电路中，已知E=50V，负载电阻R=20Ω，L值和C值极大，
采用脉宽调制控制方式，当T=40μs，t
on =25μs时，计算输出电压平均值U
，
输出电流平均值I
。
5、三相桥式全控整流电路，U
2
=100V，带电阻电感性负载，R=5Ω，L值极大。当控制角α=60o时，求：
A、画出u
d 、i
d
、i
VT1
、的波形。
B、计算负载平均电压U
d 、平均电流I
d
、流过晶闸管平均电流I
dVT
和有
效电流I
VT
的值。
6、指出下图中①～⑦各保护元件及VD、Ld的名称和作用。
7、三相桥式全控整流电路，L
d 极大，R
d
=4Ω，要求U
d
从0—220V之间变化。试
求：
（1）不考虑控制角裕量时，整流变压器二次相电压。
（2）计算晶闸管电压、电流平均值，如电压、电流裕量取2倍，请选择晶闸管型号。
（3）变压器二次电流有效值I
2
。
（4）计算整流变压器二次侧容量S
2
8．在图示升压斩波电路中，已知E=50V，负载电阻R=20Ω，L值和C值极大，
采用脉宽调制控制方式，当T=40μs，t
on =25μs时，计算输出电压平均值U
，
输出电流平均值I
。
9、三相半波整流电路，如图所示：将变压器二次侧绕组等分为二段，接成曲折
接法，每段绕组电压为100V。试求：
（1）晶闸管承受的最大反压是多少？
（2）变压器铁心有没有直流磁化？为什么？
10、用红笔或用阴影面积标出三相全控桥电路在α＝30°时，电阻性负载的直流
输出电压的波形图，同时要对应画出其所用的双窄脉冲（α＝30°），并标出序号。如V，计算此时的直流输出电压U d。
南通大学电气工程学院电力电子技术 题 库
第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。） 2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。（√） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。（×） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。（×） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。（√） 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。（×） 6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。（×） 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。（√） 8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（×） 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。（×） 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。（√） 三、选择题 1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有（ ad ） A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么？ 答：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流或脉冲（uak＞0且ugk＞0）。
电子技术复习题 一、填空 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波 3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。 4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。 5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。 6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。 8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。 9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V 10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。 11．稳压管工作在 反向击穿 区。 12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。 13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。 14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。 15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。 16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。 17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。 18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。 19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。 20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。 21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。 22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。 23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。 24．最常用的绝缘栅场效应管为 金属—氧化物—半导体（或MOS ） 场效应管 25．绝缘栅场效应管按工作状态可分为增强型和 耗尽 型两类。 26．在多级直接耦合放大电路中，即使把输入端短路，在输出端也会出现电压波动，使输出电压偏离零值，这种现象称为 零点漂移（或零漂） 。 27． 温度 对晶体管参数的影响是产生零漂的主要因素。 28．差动放大电路有两个输入端，在有信号输入时，其输入类型有：共模输入、差模输入和 两个任意信号 的输入。 29．通常采用 共模抑制 比来描述差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。 30．集成运算放大电路通常由输入级、中间级和 输出级 三部分组成。 31．理想运放的两个重要特性为： 输入电流为零 和两个输入端子间的电压为零。 32．带负反馈的放大电路的输入电阻取决于反馈网络与基本放大电路输入端的 连接方式 ，与取样对象无关。 33．自激振荡的起振时应满足 AF>1 33．交流电源变换成直流电源的电路一般由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路等四部分组成。 34．晶体管作为开关使用，是指它的工作状态处于饱和导通状态和截止状态。 35.TTL 逻辑门电路的典型高电平值是3.6V ，典型低电平值是0.3V 。 36.逻辑代数中的基本运算关系是与、或、非 37.十进制数513对应的二进制数1000000001，对应的十六进制数是201。 38.CMOS 门电路的闲置输入端不能悬空，对于与门应当接到高电平，对于或门应当接到低电平。 39.JK 触发器的特性方程为n n n Q K Q J Q +=+1 40.根据用途分，存储器分为两大类。一类是RAM 另一类是ROM 。
《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为8421BCD 码时，它相当于 十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F =（ ） 。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. ）；Y 3 ＝（ ）。
12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。 13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。
11级电子技术基础期末复习资料 一．概念填空： 1．电路由电源负载中间环节三部分组成。 2．电路中电流数值的正或负与参考方向有关，参考方向设的不同，计算结果也不同。 3．理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关，流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4．由电路中某点“走”至另一点，沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5．相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6．电阻并联分流与分流电阻值成反比，即电阻值大者分得的电流小，且消耗的功率也小。 7．串联电阻具有分压作用，大电阻分得的电压大，小电阻分得的电压小功率也小。 8．实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9．在电路分析中，应用戴维南或诺顿定理求解，其等效是对外电路而言。 11 ．常用的线性元件有电阻、电容、电感，常用的非线性元件有二极管和三极管。 12．二极管正向偏置，是指外接电源正极接二极管的阳（或正）极，外接电源负极接二极管 的阴（或负）极。 13．P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素，其多数载流子是 自由电 子 ，少数载流子是 空穴 。 14．若三极管工作在放大区，其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ；三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则，如果电路在t=0时刻发生换路，则电容的电压u c(0+)= uc(0-) , 电感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时，有三种可能的工作状态，它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38．3个输入的译码器，最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器，最多可译出 __16___（2×2×2×2）______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同，可将数字电路分为___组合______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A —— (B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20．两个电压值不同的理想电压源并联，在实际电路中将 不允许（或不存在） 。 33．两个电流值不同的理想电流源串联，在实际电路中将 不允许（或不存 在） 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。
电力电子技术期末考试 试题及答案 Coca-cola standardization office【ZZ5AB-ZZSYT-ZZ2C-ZZ682T-ZZT18】
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。 7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力
电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低
C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（ ） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（ ） A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（ ） A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17．多谐振荡器有（ ） A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态，一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度 （ ） A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）
电工电子技术试题 一、填空题(共133题，每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点，参考点的电位为 0伏 2、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 3、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律，说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比，而与回路中的 及之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆，简称欧，用符号表示，而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E，电源的内阻压降为U0，则电源的端电压U= E-U O。 7、有一照明线路，电源端电压为２２０伏，负载电流为１０安，线路的总阻抗为０.2欧姆，那么负载端电 压为 218 伏。 8、串联电路中的处处相等，总电压等于各电阻上之和。 9、一只２２０伏１５瓦的灯泡与一只２２０伏１００瓦的灯泡串联后，接到２２０伏电源上，则 15 瓦灯 泡较亮，而 100 瓦灯泡较暗。 10、１度电就是１千瓦的功率做功１小时所消耗的电量，所以它的单位又叫千瓦时。 11、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流，频率为５０赫，最大值为２０安，初相位为－４０°，此正弦交流电的瞬时值表达式 为 u=20sin(314t- ４０°) ，相量式为。 13、如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为３８０伏，此交流电压的最大值为 537 伏。 14、把一个１００欧的电阻元件接到频率为５０赫、电压为１０伏的正弦交流电源上，其电流为 0.1A 安。 15、有一电感Ｌ为０．０８亨的纯电感线圈，通过频率为５０赫的交流电流，其感抗X L＝ 25.12 欧。如 通过电流的频率为10000赫，其感抗X L＝ 5024 欧。 16、一个１０微法的电容接在５０赫的交流电源上，其容抗X C＝ 318 欧，如接在2000赫的交流电源上， 它的容抗X C＝ 7.95 欧。 17、某正弦交流电流为ｉ＝100sin（6280t- π／4）毫安，它的频率ｆ＝ 1000Hz ，周期Ｔ＝ 0.001 秒， 角频率ω＝ 6280 ，最大值Im= 100mA ，有效值Ｉ＝ 100/1.414 mA ，初相位φ＝π／4 。 18、已知两交流电流分别为i１＝15sin(314t＋45°)安，i２＝10sin(314t－３0°）安，它们的相位差为75 °。 19、在纯电感交流电路中，电感元件两端的电压相位超前电流 90 度。 20、在纯电容交流电路中，电容元件两端的电压相位滞后电流 90 度。 21、在纯电阻交流电路中，电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号 P 表示，其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号 Q 表示，其单位是 VAR 。 24、交流电路中的视在功率用符号 S 表示，其单位是 VA 。 25、三相正弦交流电的相序，就是三相交流电到达最大值的顺序。 26、如三相对称负载采用星形接法时，则负载的相电压等于电源的相电压，线电流等于相电流的 1 倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时，则负载的相电压等于电源的线电压， 倍。 28、在三相对称电路中，已知线电压Ｕ、线电流Ｉ及功率因数角φ，则有功功率Ｐ＝ＵＩCOSφ，无功功率 Ｑ＝ＵＩSINφ，视在功率Ｓ＝ＵＩ 29伏。 30、当三相发电机的三相绕组联成星形时，其线电压为３８０伏，它的相电压为 220 伏。 31、有一台三相异步电动机，额定电压为３８０伏，三角形联接，若测出线电流为３０安，那么通过每相绕
电工与电子技术试题 一、填空题（每空1分） 1、若各门电路的输入均为A和B，且A=0，B=1；则与非门的输出为_________，或非门 的输出为_________。 2、一个数字信号只有________种取值，分别表示为________ 和________ 。 3、模拟信号是在时间与幅值上________ 的，数字信号在时间与幅值上是________的。 4、根据逻辑功能的不同特点，逻辑电路可分为两大类: ________ 和________。 5、二进制数A=1011010；B=10111，则A-B=＿＿＿＿。 6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的________ 有关，而与________ 无关。 7、将________变成________ 的过程叫整流。 8、在单相桥式整流电路中，如果负载平均电流是20A，则流过每只晶体二极管的电流是 ______A。 9、单相半波整流电路，已知变压器二次侧电压有效值为22V，负载电阻RL=10Ω，则整 流输出电压的平均值是______；流过二极管的平均电流是______；二极管承受的最高反向 电压是______。 10、三极管是________控制元件，场效应管是________控制元件。 11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为_______。 12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。 13、作放大作用时，场效应管应工作在区。 14、放大电路的静态工作点通常是指__、和_。 15、某三级放大电路中，测得Av1=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数是_。
一、填空题(每空1分，共５０分) 1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。 2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。 3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。 4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。 5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。 6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。 7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。 8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。 9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。 11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。 12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。 13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。 14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：___________________________________________________________________________________________。 16、晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压U DRm和反向重复峰值电压U RRm中较________________的规化值。 17、普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用___________________标定。 18、晶闸管的导通条件是：晶闸管_________________和阴极间施加正向电压，并在______________和阴极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。 19、温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而__________，正反向漏电流随温度升高而__________，维持电流I H会____________________，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而_________________。 导通后流过晶闸管的电流由_____________________决定，负载上电压由______________________决定。 20、晶闸管的派生器件有： ____________ 、 ____________ 、 ____________ 、 ____________等。 21、功率场效应管在应用中的注意事项有： （1）_________________________________________，（2）______________________________________，（3）_________________________________________，（4）_____________________________________。22、整流就是把交流电能转换成直流电能，而将直流转换为交流电能称为__________________________，它是对应于整流的逆向过程。 23、____________________________________________与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。
一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置， 工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器
习题 【2-1】填空、选择正确答案 1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是 A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端； √B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路； C．将输入交流信号加到晶体管的基极。 2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中： A．只有直流； B．只有交流； √ C．既有直流，又有交流。 3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。（I CQ；I CQ） 4．下列说法哪个正确： A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大； √B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率； C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。 5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。 a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变） (1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。（a） (2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻 。（b；a；c） (4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。 （c；b） (5) V cc减少时，直流负载线的斜率。（c） 6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。（越好） 7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。（饱和区） 8．在共射基本放大电路中，若适当增加 ，放大电路的电压增益将（）。（基本不增加） 9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。（增加） 10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。 √ A．放大倍数变大，输出电阻变大 B．放大倍数变大，输出电阻不变 C．放大倍数变小，输出电阻变大 D．放大倍数变小，输出电阻变小 11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。哪个电路的输入电阻大。（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。在负载
电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？ 答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P 区和N 区之间多了一层低掺杂N 区，也称漂移区。低掺杂N 区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N 区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 、I 、I 。 πππ4 π4 π2 5π4a) b)c) 图1-43 图2-27 晶闸管导电波形 解：a) I d1= π21?π πωω4 )(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1= ?π πωωπ 4 2 )()sin (21 t d t I m =2m I π 2143+≈0.4767 I m b) I d2 = π1?π πωω4)(sin t td I m =π m I ( 12 2 +)≈0.5434 I m I 2 = ? π π ωωπ 4 2) ()sin (1 t d t I m = 2 2m I π 21 43+ ≈0.6741I m c) I d3=π21?2 )(π ωt d I m =41 I m I 3 =? 2 2 ) (21π ωπt d I m = 2 1 I m 2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少?这时，相应的电流最大值I m1、I m2、 I m3各为多少? 解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知 a) I m1≈4767.0I ≈329.35， I d1≈0.2717 I m1≈89.48 b) I m2≈ 6741 .0I ≈232.90, I d2≈0.5434 I m2≈126.56 c) I m3=2 I = 314, I d3= 4 1 I m3=78.5 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益 1α和2α， 由普通晶阐管的分析可得， 121=+αα是器件临界导通的条件。1 21＞αα+两个等效晶体管过饱和而导通；
数字电子技术复习题及答案 一、填空题 1、(238)10＝( )2 ＝( EE )16。2＝( )16＝( )10。 2、德?摩根定理表示为 B A +＝( B A ? ) , B A ?＝( B A + )。 3、数字信号只有（ 两 ）种取值，分别表示为（ 0 ）和（ 1 ）。 4、异或门电路的表达式是( B A B A B A +=⊕ )；同或门的表达式是( B A AB B A ?+=⊙ ) 。 5、组成逻辑函数的基本单元是（ 最小项 ）。 6、与最小项C AB 相邻的最小项有( C B A )、( C B A ? ) 和 ( ABC ) 。 7、基本逻辑门有（ 与门 ）、（ 或门 ）和（ 非门 ）三种。复合门有（ 与非门 ）、（ 或非门 ）、（ 与或非门 ） 和（ 异或门 ）等。 8、 9、 10、最简与或式的定义是乘积项的（ 个数最少 ），每个乘积项中相乘的（ 变量个数也最少）的与或表达式。 11、在正逻辑的约定下，“1”表示（ 高电平 ），“0”表示（ 低电平 ）。在负逻辑的约定下，“1”表示（ 低电 平 ），“0”表示（ 高电平 ）。 12、一般TTL 门电路输出端( 不能 )直接相连，实现线与。(填写“能”或“不能”) 13、三态门的三种可能的输出状态是( 高电平 )、( 低电平 )和( 高阻态 )。 14、实现基本和常用逻辑运算的(电子电路)，称为逻辑门电路，简称门电路。 15、在TTL 三态门、OC 门、与非门、异或门和或非门电路中，能实现“线与”逻辑功能的门为（OC 门），能实 现总线连接方式的的门为（三态门）。 16、T TL 与非门的多余输入端不能接（ 低 ）电平。 17、 18、真值表是将输入逻辑变量的（ 所有可能取值 ）与相应的（ 输出变量函数值 ）排列在一起而组成的表格。 19、组合逻辑电路是指任何时刻电路的稳定输出，仅仅只决定于（该时刻各个输入变量的取值）。 20、用文字、符号或者数码表示特定对象的过程叫做（ 编码 ）。把代码的特定含义翻译出来的过程叫（ 译码 ）。 在几个信号同时输入时，只对优先级别最高的进行编码叫做（ 优先编码 ）。 21、两个1位二进制数相加，叫做（半加器）。两个同位的加数和来自低位的进位三者相加，叫做（全加器）。 22、比较两个多位二进制数大小是否相等的逻辑电路，称为(数值比较器)。 23、半导体数码显示器的内部接法有两种形式：共(阳)极接法和共(阴)极接法。对于共阳接法的发光二极管数
资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除 《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。 一、填空题： 第一章半导体二极管 Q、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 A2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 Q3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 虫、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ?、PN结具有单向导电特性。 @、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。 △7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类; 食、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极 管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极：反响接法相反。Q0、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 △11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流、最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动 调节本机震荡频率。 只供学习与交流 资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 05、三极管是电流控制元件。 06、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏丿电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 △18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 △20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. △21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12讥增大到22讥时，I c从1mA变为2mA，那么它的B约为100 。 OL2、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结…正向…偏置，集电结正向偏置，贝U三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、0TL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在 输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 &8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为____ 。△29、差分放大电路能够抑制零点漂移。 只供学习与交流
一．单项选择题 1. 图示电路中,电流I＝（A ）。 A.–3 A B. 2 A C. 3 A D. 5 A 2. 图示电路中, 电压U＝（D ）。 A. 2 V B. 4 V C. 6 V D. 8 V 3. 图示电路中, 电流I＝（A ）。 A. 1 A B. 2 A C. 3 A D. 1/2 A 4. 图示电路中, 实际发出功率的元件是（D )。 A. U S 。 B. R C. U S和I S D. I S 5. 图示电路中, 电压U＝（A ）。 A. 8 V B. －8 V C. 16 V D. －16 V 6. 图示无源单口网络电路中, ab间等效电阻R ab =（B ）。 A. R1//R2//R3 B. R1//R3 C. (R1+R2)//R3
D. (R1+R3)//R2 7. 图示电路中, 电流I＝（B ）。 A. 5 A B. －5 A C. 1 A D. 2 A 8 . 图示一阶电路中,开关在t＝0时闭合，电容初始电压u C（0+）= ( C )。 A. -5 V B. 10 V C. 5 V D. 20 V 9. 图示电路中, 电压源单独作用时，电流I＝（B ）。 A. 0 A B. 1 A C. －1 A D. 1.5 A 10. 图示电路中, ab短路线中电流I ab = ( A ）。 A. 1 A B. 2 A C. 3 A D. -1 A 11. 图示电路中, 电流I＝（A ）。 A. –4A B. 4A C. –2A D. –3A 12. 图示电路中, 电压U＝（C ）。 A. 3 V B. -3 V C. -6 V 。。
《电子技术基础》题库 适用班级：2012级电钳3、4、5、6班 备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。一、填空题： 第一章半导体二极管 ○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。 ○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有单向导电特性。 ○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类； ○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。 ★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。 ○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。★12、发光二极管将电信号转换为光信号。 ★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。 第二章半导体三极管及其放大电路 ○15、三极管是电流控制元件。 ○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。 ★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。 Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。 Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小. Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。 ○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。 ★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。 ★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 ★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； ★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 ★27、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 第三章集成运算放大器及其应用 ○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。.Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。