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6英寸晶圆流片制造项目可行性研究报告

6英寸晶圆流片制造项目可行性研究报告
6英寸晶圆流片制造项目可行性研究报告

6英寸晶圆流片制造项目可行性研究报告

报告摘要

报告通过对项目的市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等方面的研究调查,在行业专家研究经验的基础上对项目经济效益及社会效益进行科学预测,从而为客户提供全面的、客观的、可靠的项目投资价值评估及项目建设进程等咨询意见。

根据谨慎财务测算,该项目总投资15099.87万元,其中:固定资产投资12845.98万元,占项目总投资的85.07%;流动资金2253.89万元,占项目总投资的14.93%。在固定资产投资中建筑工程投资3264.67万元,占项目总投资的21.62%;设备购置费4266.26万元,占项目总投资的28.25%;其它投资费用5315.05万元,占项目总投资的35.20%。

项目建成投入正常运营后主要生产6英寸晶圆流片制造产品,根据谨慎财务测算,预期达纲年营业收入18161.00万元,总成本费用14500.17万元,税金及附加63.83万元,利润总额3660.83万元,利税总额4256.58万元,税后净利润2745.62万元,达纲年纳税总额1510.96万元;达纲年投资利润率24.24%,投资利税率28.19%,投资回报率18.18%,全部投资

回收期7.00年,提供就业职位358个,达纲年综合节能量27.13吨标准煤/年,项目总节能率20.77%,具有显著的经济效益、社会效益和节能效益。

目录

第一章项目绪论 (7)

一、项目名称及建设性质 (7)

二、项目承办单位 (7)

三、项目建设选址及用地综述 (7)

四、项目土建工程建设指标 (8)

五、设备选型方案 (8)

六、主要能源供应及节能分析 (8)

七、环境保护及清洁生产和安全生产 (9)

八、项目总投资及资金构成 (10)

九、资金筹措方案 (11)

十、项目预期经济效益规划目标 (11)

十一、项目建设进度规划 (12)

十二、综合评价及 (12)

第二章报告编制总体说明 (16)

一、报告编制目的及编制依据 (16)

二、报告编制范围及编制过程 (18)

第三章项目建设背景及必要性 (21)

一、6英寸晶圆流片制造产业发展规划背景 (21)

二、项目建设背景 (24)

三、项目建设的必要性 (26)

第四章建设规模和产品规划方案合理性分析 (29)

一、建设规模及主要建设内容 (29)

二、产品规划方案及生产纲领 (30)

第五章项目选址科学性分析 (31)

一、项目建设选址原则 (31)

二、项目建设区概况 (31)

三、项目用地总体要求 (32)

第六章工程设计总体方案 (33)

一、工程地质条件 (33)

二、工程规划设计 (33)

三、建筑设计方案 (35)

四、辅助设计方案 (36)

五、防水和防爆及防腐设计 (37)

六、建筑物防雷保护 (38)

七、主要材料选用标准要求 (38)

八、采用的标准图集 (39)

九、土建工程建设指标 (39)

第七章原辅材料供应及成品管理 (41)

一、原辅材料供应及质量管理 (41)

二、原辅材料采购及管理 (42)

第八章工艺技术设计及设备选型方案 (43)

一、原料及成品路线原则及工艺技术要求 (43)

二、项目工艺技术设计方案 (44)

三、设备选型方案 (45)

第九章环境保护 (47)

一、项目建设区域环境质量现状 (47)

二、运营期废水影响分析及防治对策 (49)

三、运营期固废影响分析及防治对策 (50)

四、综合评价及建议 (51)

第十章节能分析 (53)

一、节能法规及标准 (53)

二、项目所在地能源消费及能源供应条件 (54)

三、能源消费种类和数量分析 (55)

四、项目节能措施 (56)

第十一章组织机构及人力资源配置 (58)

一、法人治理结构 (58)

二、人力资源配置 (58)

第十二章项目实施进度计划 (60)

一、项目建设期总体设计 (60)

二、项目实施保障措施 (60)

第十三章投资估算与资金筹措 (62)

一、项目总投资估算 (62)

二、资金筹措与投资计划 (63)

第十四章经济评价 (64)

一、基本假设及基础参数选取 (64)

二、经济评价财务测算 (65)

三、项目盈利能力分析 (67)

第十五章项目招投标方案 (69)

一、招标依据和范围 (69)

二、招标组织方式及招投标要求 (71)

三、招标委员会的组织设立 (72)

四、项目招投标要求 (73)

五、项目招标方式和招标程序 (75)

六、招标费用及信息发布 (76)

第十六章综合评价 (78)

第一章项目绪论

一、项目名称及建设性质

(一)项目名称

项目名称:6英寸晶圆流片制造项目。

(二)项目建设性质

本期工程项目属于新建工业项目,主要从事6英寸晶圆流片制造项目的投资建设。

二、项目承办单位

承办单位名称:某某有限公司。

三、项目建设选址及用地综述

(一)项目建设选址

本期工程项目选址在嘉兴,项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期工程项目建设。

(二)项目用地性质

本期工程项目计划在嘉兴建设,用地性质为建设用地。

(三)项目用地规模

项目拟定建设区域属于工业项目建设占地规划区,建设区总用地面积36384.85平方米(折合约54.55亩),净用地面积36384.85平方米(红线

范围折合约54.55亩),土地综合利用率100.00%;项目建设遵循“合理和集约用地”的原则,按照6英寸晶圆流片制造行业生产规范和要求进行科学设计、合理布局,符合6英寸晶圆流片制造制造和经营的规划建设要求。

(四)项目用地控制指标

该工程规划建筑系数63.94%,建筑容积率1.21,建设区域绿化覆盖率7.07%,固定资产投资强度235.49万元/亩,建设场区土地综合利用率100.00%;根据测算,本期工程项目建设完全符合《工业项目建设用地控制指标》(国土资发【2008】24号)文件规定的具体要求。

四、项目土建工程建设指标

本期工程项目净用地面积36384.85平方米,建筑物基底占地面积23264.47平方米,总建筑面积44025.67平方米,其中:规划建设主体工程27461.76平方米,项目规划绿化面积3110.73平方米,土地综合利用面积36384.85平方米。

五、设备选型方案

本期工程项目计划购置生产及检测设备共计106台(套),设备购置费4266.26万元。

六、主要能源供应及节能分析

(一)主要能源供应

1、本期工程项目生产用电为三级负荷,年用电量618462.97千瓦?时,折合76.01吨标准煤。

2、根据测算年总用水量14210.00立方米,折合1.21吨标准煤,主要是生产补给水和办公及生活用水;本期工程项目用水由嘉兴市政管网供给,在项目区内建设的给水管网,采用管径DN250㎜的PE管接入场外预留接口,即可保证项目的日常用水。

(二)项目节能分析

“6英寸晶圆流片制造生产建设项目”在设计过程中,对生产工艺、电气设备、建筑等方面采取有效节能措施,年用电量618462.97千瓦?时,年总用水量14210.00立方米,项目年综合总耗能量(当量值)77.22吨标准煤/年。根据测算,与其他备选生产工艺技术相比,达纲年综合节能量27.13吨标准煤/年,项目总节能率20.77%,因此,该项目属于能源利用效果较好的项目。

七、环境保护及清洁生产和安全生产

(一)环境保护

本期工程项目符合嘉兴发展规划,选用生产工艺技术成熟可靠,符合嘉兴产业结构调整规划和国家的产业发展政策;项目建成投产后,在全面采取各项污染防治措施和加强企业环境管理的前提下,对产生的各类污染物都采取了切实可行的治理措施,严格控制在国家规定的排放标准内,所

以,本期工程项目建设不会对区域生态环境产生明显的影响。

(二)清洁生产

本期工程项目设计中采用了清洁生产工艺,应用清洁原材料,生产清洁产品,同时采取完善和有效的清洁生产措施,能够切实起到消除和减少污染的作用;因此,本期工程项目建成投产后,各项环境指标均符合国家和地方清洁生产的标准要求。

(三)安全生产

本期工程项目采用了先进、成熟、可靠的6英寸晶圆流片制造生产技术,在设计中严格执行国家有关劳动安全卫生政策,并根据实际情况采取完善的安全卫生措施,预计本期工程项目在建成后将有效防止火灾、雷电、静电、触电、机械伤害、噪声危害等事故的发生。

本期工程项目主体工程火灾危险类别为丙类,建筑耐火等级为二级;项目设计中除了各专业严格按照有关规范进行消防措施设计外,还按规范要求设置了各类消防设施,主要包括消防给水管网、消火栓、干粉灭火器等,因此,本期工程项目消防系统具有较高的安全可靠性。

八、项目总投资及资金构成

按照《投资项目可行性研究指南》的要求,本期工程项目总投资包括固定资产投资和流动资金两部分,根据谨慎财务测算,本期工程项目预计总投资15099.87万元,其中:固定资产投资12845.98万元,占项目总投

资的85.07%;流动资金2253.89万元,占项目总投资的14.93%。

九、资金筹措方案

该项目投资均由企业自筹。

十、项目预期经济效益规划目标

(一)达纲年经济效益目标值

1、项目达纲年预期营业收入(SP):18161.00万元(含税)。

2、年总成本费用(TC):14500.17万元。

3、税金及附加:63.83万元。

4、达纲年利税总额:4256.58万元。

5、项目达纲年利润总额(PFO):3660.83万元。

6、项目达纲年净利润(NP):2745.62万元。

7、项目达纲年纳税总额:1510.96万元。

(二)达纲年收益增益目标

1、达纲年投资利润率:24.24%。

2、达纲年投资利税率:28.19%。

3、达纲年投资回报率:18.18%。

(三)经济效益评价目标

1、全部投资回收期(所得税后)(Pt):7.00年(含建设期)。

2、产投资回收期:7.00年。

十一、项目建设进度规划

“6英寸晶圆流片制造生产建设项目”按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设,本期工程项目建设期限规划12个月,即从2018年8月开始至2021年8月正式投产止,包含:项目建设前期准备工作、勘察设计、土建施工、设备采购安装和调试、人员培训及竣工验收等工作阶段。目前,某某有限公司已经完成前期的各项准备工作,包括:市场调研、建设规模确定、项目选址、用地预审、资金筹措等项事宜,现在正在办理项目备案工作。

本期工程项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间,自2018年8月开始进行项目备案、环境影响评价、节能评估、安全评价、土建施工、设备安装调试、试生产到竣工验收,至2021年8月正式投产止;项目申报、土建工程等前期筹备工作从2018年8月开始实施,待资金到位后开始正式动工建设。

十二、综合评价及

1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求,符合嘉兴及嘉兴6英寸晶圆流片制造行业布局和结构调整政策;项目的建设对促进嘉兴6英寸晶圆流片制造产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。

2、“6英寸晶圆流片制造生产建设项目”属于《产业结构调整指导目

录(2011年本)》(2013年修正)鼓励类发展项目,符合国家产业发展政策导向;项目的实施有利于加速我国6英寸晶圆流片制造的国产化进程,推动6英寸晶圆流片制造制造产业调整和行业振兴;有助于提高某某有限公司自主创新能力,增强企业的核心竞争力;因此,本期工程项目的实施是必要的。

3、某某有限公司为适应国内外市场需求,拟建“6英寸晶圆流片制造生产建设项目”,本期工程项目的建设能够有力促进嘉兴经济发展,为社会提供就业职位358个,达纲年纳税总额1510.96万元,可以促进嘉兴区域经济的繁荣发展和社会稳定,为地方财政收入做出积极的贡献,由此可见,本期工程项目的实施具有显著的社会效益。

4、项目拟建设在嘉兴内,工程选址符合嘉兴土地利用总体规划,保证项目用地要求,而且项目建设区域交通运输便利,可利用现有公用工程设施,水、电、气等能源供应有保障。

5、项目场址周围大气、土壤、植物等自然环境状况良好,无水源地、自然保护区、文物景观等环境敏感点;某某有限公司对建设期和生产经营过程中产生的“三废”进行综合治理达标排放,对环境影响程度较小,职工劳动安全卫生措施有保障。

6、本期工程项目采用国内先进的生产、环境、检测控制装备,对节约能源、环境保护、生产优质6英寸晶圆流片制造均可得到有力支撑,成熟的工艺技术及先进的生产设备为项目的实施提供了强力的技术保障,同

时,生产过程符合环境保护、清洁生产、节能减排等标准要求。

7、项目配套条件成熟。本期工程项目在嘉兴内组织实施,实施地周边道路四通八达,原料及产品运输方便,项目建设区域内配套建有完善的水、电、气、通讯工程设施等有利条件。

8、根据谨慎财务测算,本期工程项目达纲年投资利润率24.24%,投资利税率28.19%,全部投资回报率18.18%,全部投资回收期7.00年(含建设期12个月),固定资产投资回收期7.00年(含建设期),因此,本期工程项目经营非常安全,说明项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。

9、本期工程项目利用现有土地,计划总建筑面积44025.67平方米(计容建筑面积44025.67平方米);购置先进的技术装备共计106台(套),项目建设规模合理、经济技术实施方案可行。

10、本期工程项目通过对主要生产工艺和设备从投资经济性和先进性两方面进行综合比较、分析,选用的设备均具有当今国内外先进水平,具有生产效率高、性能稳定可靠等优点。

11、本期工程项目总投资15099.87万元,其中:固定资产投资12845.98万元,,流动资金2253.89万元;经测算分析,项目建成投产后达纲年营业收入18161.00万元,总成本费用14500.17万元,年利税总额4256.58万元,其中:税后净利润2745.62万元;纳税总额1510.96万元,其中:增值税531.92万元,税金及附加63.83万元,年缴纳企业所得税915.21万元;年利润总额3660.83万元,全部投资回收期7.00年,固定资产投资

回收期7.00年,本期工程项目可以取得较好的经济效益。

综上所述,通过本章上述所做的技术、经济、环境保护、安全等方面分析结果表明,“6英寸晶圆流片制造生产建设项目”技术上可行、经济上合理;本报告认为:该项目所提供的6英寸晶圆流片制造市场前景良好,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良,经济效益突出且财务比率好,有利于第三方投资或融资及招商引资;因此,本期工程项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益还是环境保护、清洁生产都是积极可行的。

第二章报告编制总体说明

依据国家有关项目建设的法律、法规、技术规范和嘉兴等当地政府的有关政策、规定文件的要求,对本期工程项目的投资建设进行了全面、详细的研究分析论证,结合嘉兴的自然条件、资源条件、基础设施条件和建设环境要求,依据某某有限公司对本期工程项目总体规划设想方案,认真编制《6英寸晶圆流片制造生产建设项目可行性研究报告》,现将报告编制情况说明如下。

一、报告编制目的及编制依据

(一)报告编制目的

本报告编制的目的是对“6英寸晶圆流片制造生产建设项目”进行技术可靠性、经济合理性及实施可能性的方案分析和论证,在此基础上选用科学合理、技术先进、投资费用省、运行成本低的建设方案,最终使得某某有限公司建设项目所产生的经济效益和社会效益达到协调、和谐统一。

(二)报告编制依据

1、《某某有限公司6英寸晶圆流片制造生产建设项目可行性研究报告》编制委托书。

2、《中华人民共和国国民经济和社会发展第十三个五年规划》。

3、《中华人民共和国土地管理法》。

4、《中华人民共和国环境保护法》。

5、《中华人民共和国安全生产法》。

6、《限制用地项目目录(2012年本)》。

7、《禁止用地项目目录(2012年本)》。

8、《产业结构调整指导目录(2011年本)》(2013年修正)。

9、《投资项目可行性研究指南(试用版)》。

10、《建设项目经济评价方法与参数(第三版)》。

11、《建设项目经济评价细则》(2010年本)。

12、《建设项目可行性研究报告编制内容深度规定》。

13、《国民经济行业分类》(GB/T4754-2002)。

14、《国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》。

15、《工业项目建设用地控制指标》(国土资发【2008】24号)

16、《嘉兴工业和信息化发展“十三五”规划》。

17、《嘉兴技术改造投资导向目录(2016-2018年)》。

18、《嘉兴“十三五”战略性新兴产业暨高技术产业发展专项规划》。

19、《嘉兴“十三五”发展总体规划》。

20、《嘉兴工业项目规划设计条件》。

21、国家现行的有关法律、法规、产业发展政策及相关设计规范、标准和规定等。

22、某某有限公司提供的《项目投资计划书》以及与本期工程项目有关的工艺技术资料、财务数据等基础资料。

23、某某有限公司现场勘察及市场调查收集的有关资料。

24、报告编制人员调查收集嘉兴的社会经济、交通运输及自然条件等资料。

25、某某有限公司提供的其他与项目相关的基础数据以及对《6英寸晶圆流片制造生产建设项目可行性研究报告》的具体要求等。

二、报告编制范围及编制过程

(一)报告编制范围

1、项目建设背景和必要性分析:依据国家产业发展政策、6英寸晶圆流片制造行业“十三五”发展规划、地方经济发展状况和产业发展趋势,同时,根据某某有限公司已经具体的资源条件、建设条件并结合企业发展战略,阐述本期工程项目建设的背景及必要性。

2、市场供需分析:根据我国6英寸晶圆流片制造行业市场需求的变化趋势,分析本期工程项目6英寸晶圆流片制造的发展前景,论证6英寸晶圆流片制造的国内外市场需求并确定项目的目标市场、价格定位,以此分析市场风险,确定风险防范措施等。

3、项目建设方案:根据6英寸晶圆流片制造市场分析并结合某某有限公司资金、技术和经济实力确定项目的生产纲领和建设规模;分析选择项目的技术工艺并配置生产设备,同时,分析原辅材料消耗及供应情况是否合理。

4、项目工程方案:初步了解项目建设区域范围、面积、工程地质状况、外围基础设施等条件,对项目建设条件进行分析,提出项目工程建设方案,内容包括:场址选择、总图布置、土建工程、辅助工程、配套公用工程、环境保护工程及安全卫生、消防工程等。

5、项目节能、环境保护与安全卫生:针对项目的特点,分析本期工程项目能源消费情况,计算能源消费量并提出节能措施;分析项目的环境污染、安全卫生情况,提出建设与运营过程中拟采取的环境保护和安全防护措施。

6、项目组织管理和实施进度计划:根据项目实际情况,提出项目组织、建设管理、竣工验收、经营管理等初步方案;结合项目特点提出合理的总体及分年度实施进度计划。

7、项目投资估算:根据项目工程量及投资估算指标,按照国家和嘉兴及嘉兴的有关规定,对拟建工程投资进行初步估算,编制项目总投资表,按工程建设费用、工程建设其他费用、预备费、建设期固定资产借款利息等列出投资总额的构成情况,并提出各单项工程投资估算值以及与之相关的测算值。

8、资金筹措方案:根据项目建设进度及某某有限公司能够提供的资本金等情况,提出建设项目资金筹措方案,编制建设投资估算筹措表和分年度资金使用计划表。

9、项目经济效益分析:根据项目的经营特点,对项目进行定量的财

务分析,测算项目投产期、达纲年营业收入和总成本费用,计算项目财务效益指标,结合融资方案进行偿债能力分析,并开展项目不确定性分析等。

晶圆制造工艺流程和处理工序

晶圆制造工艺流程和处理工序 晶圆制造工艺流程 1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical Vapor deposiTIon) 法沉积一层Si3N4 (Hot CVD 或LPCVD) 。(1)常压CVD (Normal Pressure CVD) (2)低压CVD (Low Pressure CVD) (3)热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) (4)电浆增强CVD (Plasma Enhanced CVD) (5)MOCVD (Metal Organic CVD) 分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) (6)外延生长法(LPE) 4、涂敷光刻胶(1)光刻胶的涂敷(2)预烘(pre bake) (3)曝光(4)显影(5)后烘(post bake) (6)腐蚀(etching) (7)光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子(B+3) 透过SiO2 膜注入衬底,形成P 型阱 7、去除光刻胶,放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层,掺杂磷(P+5) 离子,形成N 型阱 9、退火处理,然后用HF 去除SiO2 层 10、干法氧化法生成一层SiO2 层,然后LPCVD 沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术,保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化,生长未有氮化硅保护的SiO2 层,形成PN 之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅,然后用HF 溶液去除栅隔离层位置的SiO2 ,并重新生成品质更好的SiO2 薄膜, 作为栅极氧化层。 14、LPCVD 沉积多晶硅层,然后涂敷光阻进行光刻,以及等离子蚀刻技术,栅极结构,并氧化生成SiO2 保护层。 15、表面涂敷光阻,去除P 阱区的光阻,注入砷(As) 离子,形成NMOS 的源漏极。用同样的方法,在N 阱区,注入B 离子形成PMOS 的源漏极。 16、利用PECVD 沉积一层无掺杂氧化层,保护元件,并进行退火处理。

(完整版)项目可行性研究报告结构框架

每个可研项目的内容均有差异,下面是一个通常的框架。可行性研究报告标准框架 第1章项目总论6 §1.1 项目背景6 §1.1.1 项目名称6 §1.1.2 项目承办单位6 §1.1.3 项目主管部门6 §1.1.4 项目拟建地区、地点6 §1.1.5 承担可行性研究工作的单位和法人代表7 §1.1.6 研究工作依据7 §1.1.7 研究工作概况7 §1.2 可行性研究结论7 §1.2.1 市场预测和项目规模8 §1.2.2 原材料、燃料和动力供应8 §1.2.3 厂址8 §1.2.4 项目工程技术方案8 §1.2.5 环境保护8 §1.2.6 工厂组织及劳动定员8

§1.2.7 项目建设进度9 §1.2.8 投资估算和资金筹措9 §1.2.9 项目财务和经济评论9 §1.2.10 项目综合评价结论9 §1.3 主要技术经济指标表9 §1.4 存在问题及建议9 第2章项目背景和发展概况10 §2.1 项目提出的背景10 §2.1.1 国家或行业发展规划10 §2.1.2 项目发起人和发起缘由10 §2.2 项目发展概况10 §2.2.1 已进行的调查研究项目及其成果10 §2.2.2 试验试制工作情况11 §2.2.3 厂址初勘和初步测量工作情况11 §2.2.4 项目建议书的编制、提出及审批过程11§2.3 投资的必要性11 第3章市场分析与建设规模12 §3.1 市场调查12 §3.1.1 拟建项目产出物用途调查12

§3.1.2 产品现有生产能力调查12§3.1.3 产品产量及销售量调查12§3.1.4 替代产品调查13 §3.1.5 产品价格调查13 §3.1.6 国外市场调查13 §3.2 市场预测13 §3.2.1 国内市场需求预测13 §3.2.2 产品出口或进口替代分析14§3.2.3 价格预测14 §3.3 市场推销战略14 §3.3.1 推销方式14 §3.3.2 推销措施15 §3.3.3 促销价格制度15 §3.3.4 产品销售费用预测15 §3.4 产品方案和建设规模15 §3.4.1 产品方案15 §3.4.2 建设规模15 §3.5 产品销售收入预测16 第4章建设条件与厂址选择17

某工程项目可行性研究报告

第一部分项目建议书 第二部分项目实施计划书

目录(一) 第一章项目开发的依据 (3) 1.1项目概况 (3) 1.2项目开发的依据 (3) 第二章项目建设背景 (4) 2.1项目建设的背景 (4) 第三章项目的建设条件 (5) 3.1 项目建设的条件 (5) 3.2项目建设的经济条件 (5) 第四章项目开发的总体构想和规划 (7) 4.1项目开发的总体构想和规划 (7) 4.2主要工程量汇总 (8) 4.3接待室主要装置装修情况 (9) 第五章项目的组织结构 (10) 5.1华科分校接待大楼”项目组织结构图 (10) 5.2“华科分校接待大楼”项目组织结构图 (11) 第六章项目的宣传 (12) 6.1项目的宣传 (12) 第七章投资估算 (12) 7.1投资估算 (12) 7.2投资估算的依据 (12) 7.3编制方法和估算指标 (12) 第八章效益分析 (14) 第九章结论 (15)

第一章项目开发的依据 1.1项目概况 1、项目名称:华中科技大学武昌分校接待大楼 2、建设地址:华中科技大学武昌分校 3、承办单位:华中科技大学武昌分校项目办 4、项目负责人:*** 5、建设内容:在华中科技大学武昌分校内建设一栋聚展览、接待、会议、休息、 住宿为一体的接待大楼。 1.2项目开发的依据 1、本工程招标文件,初步设计说明书及初步设计纸图。 2、国家和行业现行的施工验收规范,主要有: 《土方与爆破工程施工及验收规范》(GBJ201-83) 《地基与基础工程施工及验收规范》(GBJ202-83) 《地下工程防水技术规范》(GBJ108-87) 《砼结构工程施工及验收规范》(GB50204-92) 《钢结构工程施工及验收规范》(GB50205-95) 《地面与楼面工程施工及验收规范》(GBJ209-83) 《屋面工程施工及验收规范》(GBJ50207-94) 《建筑装饰工程施工及验收规范》(JGJ73-91) 《网架结构工程质量检验评定标准》(JGJ7-91) 《网架结构设计与施工规范》(JGJ-91) 《钢筋焊接及验收规程》(JGJ18-96) 《焊工技术考核规程》(D2161-81) 《金属焊缝射线检验规程》(DJ60-79) 《磁粉探伤标准》(EJ187-80) 《性能试验取样规定》(GB2975-82) 《金属布氏磁度试验方法》(GB231-84) 《拉力试验系统K值的测定》(GB261-81) 3、地方和企业现行的施工工艺及工法和我公司自行编制的《房屋建筑中三间一台防渗漏对策施工标准》(QJ/CJY-03-6-92)等。

2017年中国十大半导体公司排名

2017年中国十大半导体公司排名 2017年已接近尾声,接下来就让小编带你看看最新的中国十大半导体公司排名吧!1、环旭电子(601231)环旭电子股份有限公司是全球ODM/EMS领导厂商,专为国内外品牌电子产品或模组提供产品设计、微小化、物料采购、生产制造、物流与维修服务。环旭电子成立于2003年,现为日月光集团成员之一,于2012年成为上海证券交易所A股上市公司。环旭电子股份有限公司以信息、通讯、消费电子及汽车电子等高端电子产品EMS、JDM、ODM为主,主要产品包括WiFi ADSL、WiMAX、WiFi AP、WiFi Module、Blue-Tooth Module、LED LighTIng & Inverter、Barcode Scanner、DiskDrive Array、网络存储器、存储芯片、指纹辨识器等。2、长电科技(600584)成立于1972年,2003年在上交所主板成功上市。历经四十余年发展,长电科技已成为全球知名的集成电路封装测试企业。长电科技面向全球提供封装设计、产品开发及认证,以及从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。长电科技致力于可持续发展战略,崇尚员工、企业、客户、股东和社会和谐发展,合作共赢之理念,先后被评定为国家重点高新技术企业,中国电子百强企业,集成电路封装技术创新战略联盟理事长单位,中国驰名商标,中国出口产品质量示范企业等,拥有国内唯一的高密度集成电路国家工

程实验室、国家级企业技术中心、博士后科研工作站等。由江阴长江电子实业有限公司整体变更设立为股份有限公司,是中国半导体第一大封装生产基地,国内著名的晶体管和集成电路制造商,产品质量处于国内领先水平。长电科技拥有目前体积最小可容纳引脚最多的全球顶尖封装科技,在同行业中技术优势十分突出。3、歌尔股份(002241)有限公司成立于2001年6月,2008年5月在深交所上市,主要从事微型声学模组、传感器、微显示光机模组等精密零组件,虚拟现实/增强现实、智能穿戴、智能音响、机器人/无人机等智能硬件的研发、制造和销售,目前已在多个领域建立了全球领先的综合竞争力。自上市以来,歌尔保持高速成长,年复合增长率达44.5%。4、中环股份(002129)天津中环半导体股份有限公司成立于1999年,前身为1969年组建的天津市第三半导体器件厂,2004年完成股份制改造,2007年4月在深圳证券交易所上市,股票简称“中环股份”,代码为002129。是生产经营半导体材料和半导体集成电路与器件的高新技 术企业,公司注册资本482,829,608元,总资产达20.51 亿。天津中环股份有限公司致力于半导体节能和新能源产业,是一家集半导体材料-新能源材料和节能型半导体器件-新能 源器件科研、生产、经营、创投于一体的国有控股企业。5、三安光电(600703)三安光电股份有限公司(以下简称“三安光电”或公司,证券代码:600703)是具有国际影响力的全色系

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵,主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外,对已印有电路图案的图案晶圆成品而言,则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说,图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线,并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除,以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种,而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例,其步骤依序为晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、电镀(plating)及检验(inspection)等。 (1) 晶片切割(die saw) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。举例来说:以0.2微米制程技术生产,每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割,首先必须进行晶圆黏片,而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上,而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mount / die bond) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内,以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线(wire bond) IC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC),此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin),称之为打线,作为与外界电路板连接之用。

项目可行性分析报告(模板)

项目可行性分析报告 第一部分:项目总论 一、项目概况 二、可行性研究结论 三、主要技术经济指标表 四、项目存在问题与建议 第二部分项目背景 一、项目提出背景 二、项目发展概况 三、项目投资的必要性 第三部分项目投资所在城市的基本概况 一、城市基本发展情况 二、城市地理位置、交通、 三、城市气候与生态环境 四、城市的人文环境 五、城市经济状况 六、城市的人口结构及人均经济状况 七、城市整体发展规划及功能布局 八、城市对项目的影响与建议措施 第四部分市场分析 一、整体房地产市场发展状况分析 二、项目区域市场分析 第五部分地块分析 一、地块概况 二、地块分析 三、土地价格 四、土地升值潜力初步评估 五、项目取得用地的法律及政策性风险分析

六、地块SWOT分析 七、项目评价 第六部分项目定位 一、项目目标设置 二、项目整体定位策略 三、项目定位建议 第七部分项目整体规划分析 一、项目规划设计可行性分析 二、项目规划设计的主题及概念 第八部分项目开发建设进度安排与销售节点 一、项目分期开发设置 二、工程计划 三、销售节点 第九部分投资估算与资金筹措 一、成本预测 二、税务分析 三、资金筹措 四、资金投放使用计划 第十部分销售收入测定 一、销售收入测算 二、销售利润测算 第十一部分财务与敏感性分析 一、项目盈利能力分析 二、项目盈亏平衡分析 三、项目敏感性分析 第十二部分综合评价 一、经济评价(定性) 二、社会评价(定性) 三、环境评价 四、市场预测

五、存在问题与建议 六、总体结论及建议 第十三部分竞拍和投标方式取得土地需要增加和完善的内容 一、主要指标测算 二、竞争对手分析 三、制定策略 第十四部分附件 第一部分:项目总论 一、项目概况

某道路工程可行性研究报告

某道路工程可行性研究报告

目录 第一章总论 (2) 1.1项目概述 (2) 1.2可行性研究依据 (2) 1.3可行性研究范围 (2) 1.4可行性研究概括及成果 (2) 第二章项目背景 (4) 2.1项目由来 (4) 2.2项目实施必要性 (4) 第三章施工方法及技术措施 (7) 3.1施工工艺流程 (7) 3.2施工方法 (7) 3.3道路工程 (7) 3.4 项目建设设计、造价及工程项目组建 (11) 第四章环境保护与安全、卫生 (12) 4.1环境影响分析 (12) 4.2劳动安全与卫生 (17) 第五章实施进度、投资及资金筹措 (19) 5.1项目实施进度 (19) 5.2项目建设与运行管理 (19) 5.3投资估算 (19) 5.4资金来源 (19) 5.5资金安排 (19) 第六章项目评价与建议 (21) 6.1项目评价 (21) 6.2结论与建议 (21) 附件

第一章总论 1.1项目概述 1.1.1项目名称:XX乡XX村民间大道修建工程 1.1.2项目承办单位:XX县XX乡XX村民委员会 1.1.3项目负责人: 1.1.4 项目建设地址:XX乡XX村 1.1.5可行性研究报告编制单位:温州振邦工程项目管理有限公司 1.2 可行性研究依据 1.2.1 浙移领办[2007]23号《关于印发浙江省大中型水库移民后期扶持规划实施管理暂行办法的通知》; 1.2.2苍移办[2011]7号《关于下达XX县大中型水库库区与移民安置区结余资金项目预算额度的通知》; 1.2.3苍财社[2010]42号《关于下达大中型水库移民后期扶持急补助资金的通知》; 1.2.4XX县XX乡XX村民委员会提供的有关资料。 1.3 可行性研究范围 本项目在XX县XX乡总体规划指导下,分析、研究项目的建设背景和必要性;落实项目建设的设计方案;分析、研究XX乡XX村民间大道修建工程的可行性;落实项目建设的设计方案;分析、研究项目安全管理措施;估算项目投资及资金筹措;项目实施意见和实施进度安排;明确项目评价和结论,为下阶段工作提供决策依据。 1.4可行性研究概括及成果

LED芯片的制造工艺流程简介

LED芯片的制造工艺流程简介 LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test andFi nal Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序,而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。 1、晶圆处理工序 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序 经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品;但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则舍弃。 3、构装工序 就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接,以作为与外界电路板连接之用,最后盖上塑胶盖板,用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色,两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。 4、测试工序 芯片制造的最后一道工序为测试,其又可分为一般测试和特殊测试,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片,依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需

可行性研究报告评估报告要点

一、容提要 1、项目评估原则、评估工作实施概况等。 2、评估报告得出的结论及主要问题和建议。 二、项目及项目法人概况 (一)项目概况 (1)项目建设单位、建设地点。 (2)建设必要性、建设目标、功能及建设规模。 (3)建设容、规划案主要技术经济指标。 (4)投资及资金筹措情况。 (二)业主基本情况 (三)项目规划背景 三、评估依据 1.咨询评估委托书 2.有资质单位编制的项目可行性研究报告(含项目招标案) 3.建设项目用地预审意见 4.城市规划部门提供的建设项目规划意见 5. 当地环保部门提供的建设项目环境影响评价意见 6. 规划部门批准的建设总体规划 7。相关行业建设依据的引用是否合理

四、评估意见 (一)项目建设必要性评估 分析拟建项目是否符合建设针。从项目实际情况出发,分析是否符合项目发展目标和建设总体规划要求,分析建设规模的确定原则和依据是否正确有据,对项目的必要性提出具体意见。 (二)文件编制依据和深度的评估 (1)编制依据的评估 检查项目是否具有立项批复文件,编制容与投资规模是否在批准围之;民用建筑工程是否有当地规划部门批复的规划要点,是否符合规划要求,是否有重大变更,其变更是否合理,是否经主管部门批准。 (2)对报告文件完整性及编制深度评估 可研报告应包括报告文件、建设地点位置图、总平面图、建筑设计案图、投资分析情况等容。各项容的编制深度应达到有关部门的规定。评估报告应明确指出可行性研究报告的编制是否有漏项、是否有不符合要求的容,并提出建议。 (三)项目建设目标、规模和功能的评估 项目建设目标是否符合我国国情,是否满足项目总体规划目标的要求,是否有重复建设项目。建设规模确定的原则和依据是否准确有据,项目建设规模是否经济合理,功能是否合理并满足使用要求,是否充分利用现有建设用地,在满足当前规划的前提下为项目今后一定时期留有发展余地。

某县第一中学改扩建工程可行性研究报告

某县第一中学改扩建工程可行性研究报告

目录 第一章总论 (1) 第二章项目提出的背景和建设必要性 (7) 第三章建设地址与建设条件 (14) 第四章工程技术方案 (18) 第五章环境保护与节能 (38) 第六章项目实施进度计划与工程管理 (41) 第七章投资估算与资金筹措 (44) 第八章效益分析 (46)

附件附图 1、某县人民政府城建工作专题会议纪要 2、某县人民政府县长办公会议纪要 3、收费许可证 4、事业单位法人证书 5、组织机构代码 6、国有土地使用证 7、建设工程规划许可证 8、建筑工程施工许可证 9、供水证明 10、供电证明 11、供暖证明 12、资金证明 13、环境影响登记表 14、山东省建设项目招投标方案 15、区域位置图 16、现状图 17、总平面布置图

第一章总论 一、项目名称及承办单位 1、项目名称: 某县第一中学改扩建工程 2、项目建设性质: 改扩建 3、学校性质 国有事业 4、项目建设单位: 某县国有资产经营有限公司 联系电话:0633——5226142 邮编:262300 通讯地址:某县城光明路5号 5、可研报告编制单位: 山东宏嘉工程造价咨询事务所有限公司 工程造价咨询等级:甲级 证书编号:甲033700579 发证机关:国家建设部 二、可研工作依据 1、某县国有资产经营有限公司与山东宏嘉工程造价咨询事务所有限公司签订的工程咨询委托书与合同书 2、《某县国民经济和社会发展第十一个五年规划纲要》

3、《某县“十一五”教育事业发展规划》 4、《中国教育改革和发展纲要》 5、山东省规范化学校验收标准(普通高中) 6、《建筑设计资料集》;《民用建筑设计通则》;《办公建筑设计规范》;《建筑地面设计规范》;《建筑设计防火规范》 7、有关部门提供的资料及证明文件 三、可研工作概况 山东宏嘉工程造价咨询事务所有限公司在接受山东省某县第一中学编制本工程可行性研究报告的委托后,立即成立可研工作小组,深入现场和有关部门进行搜资调研,对生源、师资及建校条件等进行广泛调查分析。在此基础上,提出规划设计方案,编制本可行性研究报告。 四、单位概况 某县国有资产经营有限公司是2006年2月经某县人民政府批准成立的,公司注册登记日期2006年2月,注册资本7000万元,挂靠县财政局,具有事业法人和企业法人双重性质。公司的主要经营范围为:从事财政信用业务;参与政府投资项目的前期考察、论证、评估及立项工作;负责城市基础设施的建设和经营;负责全县土地储备、拍卖收益,土地租赁收益,矿产资源拍卖收益等;负责国有股权的分红收益、股权转让拍卖收益及其它投资收益的核算和管理;负责政府投资项目投融资、资金回收和贷款还本付息,并对投放资金的使用情况实施全过程管理和监督;专项核算政府投资项目借款及还本付息情况;管理核算政府偿债基金;负

中国 12 吋晶圆厂分布、产能、发展总整理

中国12 吋晶圆厂分布、产能、发展总整理 2016-10-18 10:02 来自: 互联网 导读:从国际大厂英特尔、三星到台湾的联电、力晶和台积电,半导体厂商在中国投资、设厂的消息频频跃上新闻版面,先前国际半导体协会(SEMI)的数据更显示,2016、2017 年新建的晶圆厂至少就有19 座,其中高达10 座都将... 从国际大厂英特尔、三星到台湾的联电、力晶和台积电,半导体厂商在中国投资、设厂的消息频频跃上新闻版面,先前国际半导体协会(SEMI)的数据更显示,2016、2017 年新建的晶圆厂至少就有19 座,其中高达10 座都将落脚中国,产能主力的12 吋晶圆厂近期动土、宣布计画的消息更是不断,目前到底建了几座,几座正在兴建、产能何时开出? 英特尔、三星与SK 海力士大厂早已在中国插旗,并将主力放在记忆体产业,特别的是英特尔大连12 吋晶圆厂在2010 年完工当时,厂房规划用以生产65 奈米製程CPU,但在产能利用率低落下,2015 年10 月英特尔宣布与大连市政府合作,投资55 亿美元转型生产3D-NAND Flash 并在今年7 月底重新宣告投产。中国本土厂商现有12 吋厂的为中芯国际与华力微,两者分别在上海都有厂房,中芯在北京还有B1、B2 两座晶圆厂,其中B2 厂製程已至28 奈米。

而称中国最先进製程晶圆厂的中芯,在近日也发布了动土消息,将在上海兴建新晶圆厂,初期就瞄准14 奈米製程,且产能规划涵盖10/7 奈米,估计2017 年底完工、2018 年正式投产,被视为挑战即将登陆的晶圆代工龙头台积电。台积电在台湾政府法规松绑后,正式在今年中宣布赴中国南京独资建12 吋晶圆厂,并在7 月举行动土,厂房预计2018 年完工,也宣告16 奈米届时将在陆量产。 联电2014 年早已透过与当地政府合资方式,成立厦门联芯率先抢滩中国在厦门建厂,厂房预计将在今年底就能完工。5 月联电宣布与福建晋华集成电路签署技术合作协定,协助晋华集成开发DRAM 相关製程技术,在泉州市建立12 吋晶圆厂,从事利基型DRAM 代工。力晶与合肥市政府合作,成立晶合集成在当地打造12 吋晶圆厂,从事最高90 奈米面板驱动代工服务。 看到众家厂商前仆后继进军中国,晶圆代工二哥格罗方德在 5 月底也宣布与中国重庆市政府签署合作备忘录(MOU),将目前台湾DRAM 厂茂德出售的重庆旧厂房升级为12 吋晶圆厂,厂房预计2017 年完工。

晶圆生产工艺与流程介绍

晶圆的生产工艺流程介绍 从大的方面来讲,晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤,它又可细分为以下几道主要工序(其中晶棒制造只包括下面的第一道工序,其余的全部属晶片制造,所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序) :晶棒成长--> 晶棒裁切与检测--> 外径研磨--> 切片--> 圆边--> 表层研磨--> 蚀刻--> 去疵--> 抛光--> 清洗--> 检验--> 包装 1.晶棒成长工序:它又可细分为: 1).融化( Melt Down ) 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内,加热到其熔点1420°C 以上,使其完全融化。 2).颈部成长( Neck Growth ) 待硅融浆的温度稳定之后,将〈1.0.0 〉方向的晶种慢慢插入其中,接着将晶种慢慢往上提升,使其直径缩小到一定尺寸(一般约6mm 左右),维持此直径并拉长100-200mm ,以消除晶种内的晶粒排列取向差异。3).晶冠成长( Crown Growth ) 颈部成长完成后,慢慢降低提升速度和温度,使颈部直径逐渐加大到所需尺寸(如5、6、8、12 吋等)。4).晶体成长( Body Growth ) 不断调整提升速度和融炼温度,维持固定的晶棒直径,只到晶棒长度达到预定值。 5).尾部成长( Tail Growth ) 当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度,使晶棒直径逐渐变小,以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生,最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的

晶棒。 2.晶棒裁切与检测( Cutting & Inspection ) 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分,并对尺寸进行检测,以决定下步加工的工艺参数。 3.外径研磨( Surface Grinding & Shaping ) 由于在晶棒成长过程中,其外径尺寸和圆度均有一定偏差,其外园柱面也凹凸不平,所以必须对外径进行修整、研磨,使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4.切片( Wire Saw Slicing ) 由于硅的硬度非常大,所以在本工序里,采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5.圆边( Edge Profiling ) 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利,硅单晶又是脆性材料,为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒,必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 6.研磨( Lapping ) 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损,使晶片表面达到所要求的光洁度。 7.蚀刻( Etching ) 以化学蚀刻的方法,去掉经上几道工序加工后在晶片表面因加工应力而产生的一层损伤层。 8.去疵( Gettering ) 用喷砂法将晶片上的瑕疵与缺陷感到下半层,以利于后序加工。

编制可行性研究报告

编制可行性研究报告 目录第一篇:房地产集团公司:编制可行性研究报告第二篇:如何编制项目可行性研究报告第三篇:编制可行性研究报告用到的相关法律法规第四篇:编制项目可行性研究报告需要提供的资料第五篇:编制项目可行性研究报告需要提供的资料正文第一篇:房地产集团公司:编制可行性研究报告 编制可行性研究报告 1.作业目的 项目可行性研究按时间和要求的不同分为初步可行性研究和深度可行性研究。项目初步可行性研究是获取开发土地前最重要的技术性工作之一,是投资者进行投资决策的主要依据。在土地使用权正式获取后,项目开发者还需进行更为详尽的深度可行性研究,为随后的项目方案设计提供依据。在市场经济条件下,项目可行性研究报告必须真正体现市场的趋势,遵循市场规律,反映市场现实,为项目的投资寻找到真正的可行之路。 2.作业要求 为保证可行性研究报告的质量,应切实作好编制前的准备工作,占有充分信息资料,进行科学分析比选论证,做到编制依据可靠、结构内容完整、文本格式规范、附表附件齐全。报告的表述形式尽可能数字化、图表化,报告深度能满足投资决策和编制初步设计方案的需要。

3.主管部门总师室:组建工作小组,批准工作计划,组织优化和修改报告,审定报告。 协管部门商务部、销售部、营销策划、发展部、财务部:审阅相关专业的章节,提出优化修改意见,协助总师室把关。 主办岗位总工程师:制订工作计划,分配任务,汇总编辑,优化修改督办。 协办岗位:工作小组成员:按各自的专业或专长分头进行调查研究和编写报告章节,并根据总工程师的意见优化修改。 4.紧前工作条件 初步可行性研究:已进行市场调研和现场调查,已取得相关土地技术指标; 深度可行性研究:已获得土地使用权,已有明确的地区控制性详规和相关的经济技术指标。 5.作业描述 总工程师组建工作小组,成员主要来自公司内部各业务部门,并基本固定。有特殊要求的可聘请社会专业人员参加。 本主办岗位制订工作计划,明确可行性研究工作的范围,重点,深度,报告提纲,章节分工,进度安排,费用预算等。工作计划报总经济师批准后,布置安排落实。 各成员按照专业分工调查研究收集资料,必要时再次进行实地调查和市场调查。 小组集体讨论,议题为:

某软件项目可行性研究报告

一. 软件项目可行性研究报告 1.引言 1.1编写目的 该软件项目可行性研究报告是对项目课题的全面通盘考虑,是项目分析员进行进一步工作的前提,是软件开发人员正确成功的开发项目的前提与基础.写软件项目可行性研究报告可以使软件开发团体尽可能早的估计研制课题的可行性,可以在定义阶段较早的认识到系统方案的缺陷,就可以少花费几个月甚至几年的时间和精力,也可以节省成千上万元的资金,并且避免了许多专业方面的困难.所以该软件项目可行性研究报告在整个开发过程中是非常重要的. 1.2项目背景 该项目开发的软件为学生信息管理系统软件,是鉴于目前学校学生人数剧增,学生信息呈爆炸性增长的前提下,学校对学生信息管理的自动化与准确化的要求日益强烈的背景下构思出来的,该软件设计完成后可用于所有教育单位(包括学校,学院等等)的学生信息的管理。 通过一个简化的学生信息管理系统,使学生信息管理系统化、规化,自动化,从而达到提高学生信息管理效率的目的。 1.3缩略词定义 经济可行性---估计开发费用以及最终从开发成功的系统所获得的收入或利益,衡量比较支出的费用和收到的利益. 技术可行性--分析功能,性能以及限制条件,能否是一个技术上可实现的系统. 法律可行性--明确系统开发可能导致的责任,有无问题. 不同的方案--对系统开发的各种方案进行评价. 1.4参考资料 <软件工程导论> 海藩编著清华大学出版

2.可行性研究的前提 2.1要求 a.开发该软件的基本要求与功能是实现学生信息数据包括与学生有关的数据的管理与操作处理. b.基于Microsoft SQL Server 2000数据库系统的数据管理使该软件有更优异的性能. c.软件的基本数据流动为用户数据的输入,学生信息,课程信息,班级信息的输入,以及有关用户提出的对学生信息等等的查询要求所产生的数据输出. d.数据的输入与输出处理流程都依靠数据库的支持. e.数据的安全基本保证SQL Server的安全性能比较令人满意,该软件设计中保持与其他一些数据库的基本兼容. f.与软件相关的其他系统:学生信息管理系统是学校信息管理系统的一个重要组成部分。他为其他系统(如学校图书管理系统、学校档案管理系统、教学管理系统、总务后勤管理系统等)提供学生的基本信息,同时它也需要如教学管理系统提供课程设置数据等。这些系统在具体应用中构成一个大系统,相互调用对方的数据。 2.2目标 该软件的设计目标必须尽量达到人力与设备费用的节省,并且使软件处理数据的速度提高,软件的整个设计过程必须通过生产能力的提高,人员工作效率的提高等等使软件开发成本最小化.实现保证软件质量的前提下的资金投入最小化. 2.3条件、假定和限制 开发该系统的主要资金来源为用户提供的开发资金投入,故在设计开发中最大不能超过该限度,且软件完成交付用户使用后,应保证软件的运行寿命至少达到用户的要求围.且软件开发时间应基本控制在用户提出的要求围. a.. 建议开发软件运行的最短寿命:4年 b. 进行系统方案选择比较的期限:一星期 c.硬件、软件、运行环境和开发环境的条件和限制: 开发工具:C++BuilderX、SQL Server 2000。 开发环境:Windows 2000操作系统 运行环境:Windows 9x 、Windows NT或Windows 2000操作系统 2.4可行性研究方法 实行软件的可行性研究方法主要有:成本效益分析,对估算问题的看法,软件的作用围,软件的成本估算,速度安排等。具体将在下面叙述。

项目投资可行性研究报告

项目投资可行性研究报告 第一章总论 总论作为可行性研究报告的首要部分,要综合叙述研究报告中各部分的主要问题和研究结论,并对项目的可行与否提出最终建议,为可行性研究的审批提供方便。 一、项目背景 (一)项目名称 (二)建设性质:指新建或改扩建 (三)项目建设单位、法人代表、所有制形式 (四)项目拟建设地点 (五)承担可行性研究的单位及法人代表(或负责人) (六)可行性研究报告编制依据:支持该项目的经济政策和产业政策。包括国家产业发展规划、发展产业经营的有关方针政策,我市本项目所属行业的中长期发展规划及城市规划的要求,自治区对项目建议书的审定意见等。可行性研究报告编制依据要引用相关法规、政策、规划的目录和文号。 (七)可行性研究报告编制范围 (八)可行性研究报告编制原则 (九)可行性研究报告编制工作概况 1、项目建设的必要性 2、项目发展及可行性研究工作概况 二、可行性研究报告结论 在可行性研究中,对项目的产品销售、原料供应、生产规模、厂址(建设地址)、技术方案、资金总额及筹措、项目的财务效益和国民经济、社会效益等重大问题,都应得出明确的结论。可行性研究结论包括。 (一)市场预测和项目建设规模 (二)原材料、燃料和动力供应(或供水、供暖方式) (三)厂址(建设地址) (四)项目工程技术方案 (五)环境保护

(六)项目建成后的组织及劳动定员 (七)项目建设进度 (八)投资估算和资金筹措 (九)项目财务和经济评价 (十)项目综合评价结论 1、综合评价:项目建设的必要性、可行性、技术先进性,经济合理性,环境评价等。 2、论证结论 三、主要技术经济指标表 在总论部分中,可将研究报告中各部分的主要技术经济指标汇总,列出主要技术经济指标表,使审批和决策者对项目全貌有一个综合了解。 四、存在问题及建议 对可行性研究中提出项目的主要问题进行说明并提出解决的建议。 第二章项目背景及必要性 这一部分主要应说明项目的发起过程,提出的理由,前期工作的发展过程,投资者的意向,投资的必要性等可行性研究的工作基础。为此,需将项目的提出背景与发展概况作系统叙述,说明项目提出的背景,投资理由,在可行性研究前已经进行的工作情况及其成果,重要问题的决策和决策过程等情况。在叙述项目发展概况的同时,应能清楚地提出本项目可行性研究的重点和问题。 一、项目提出的背景:阐述项目提出的理由和主要依据,如国家和地区产业政策、行业规划、投资方向、市场因素,政府部门的有关文件和决定等。 二、项目发展概况 项目发展概况是指项目在可行性研究前所进行的工作情况,包括: (一)已进行的调查研究项目及成果 (二)实验、试制工作(项目)情况 (三)建设地址初勘和初步测量工作情况 (四)项目建议书的编制、提出及审批过程 三、项目建设的必要性及目的意义:分析阐述项目建设对调整农业产业结构和农村经济结构,开发利用农业资源,改善农业生产条件和生态环境,培育壮大主导

某水库补水工程项目可行性研究报告

某水库补水工程项目可行性研究报告

第一章总论 第一节项目名称及建设地点 一、项目名称 XX水库补水工程项目 二、项目建设单位 XX市城市管理局 三、项目承办单位 XX市城市管理局 四、项目建设地点 北二路以北,西五路以西,XX村西侧 五、可行性研究报告编制单位 1、单位名称:XX市XX房地产评估咨询有限责任公司 2、工程咨询资格证书编号: 3、资格等级: 4、发证机关:国家发展和改革委员会

第二节可行性研究的依据和范围 一、可行性研究的依据 1、国家有关法律、法规、方针 2、国家发改委有关项目可行性研究报告的内容和要求 3、国家发改委、建设部颁发的《建设项目经济评价方法与参数》(第三版) 4、项目所在地政府有关部门文件 5、XX市城市管理局2011-2015年发展规划 6、XX市城市管理局提供的有关部技术基础资料 二、编制原则 1、严格执行国家有关设计标准、规范和规定 2、精心设计,保证质量,切合实际,经济合理 3、因地制宜,充分利用已有设施,节约用地,节省投资 三、可行性研究的范围 根据国家发展和改革委关于项目可行性研究报告编制内容的要求,本项目可行性研究报告研究范围主要包括: 1、项目提出的背景和建设的必要性 2、建设地点及建设条件 3、工程技术方案

4、环境保护和节能 5、施工进度安排 6、组织管理 7、投资估算及资金筹措 第三节建设单位概况 2009年12月30日,根据《中共XX市委、XX市人民政府关于XX市人民政府机构改革的实施意见》(东发〔2009〕25号),设立XX市城市管理局(挂XX市城市管理行政执法局牌子),为市政府工作部门。将原市城市管理行政执法局的职责和原市市政公用事业管理局的行政管理职责整合划入市城市管理局,不再保留市城市管理行政执法局、市市政公用事业管理局。 新成立的XX市城市管理局主要承担市政公用事业行业管理、城市市政基础设施建设、市政公用事业运行和城市综合行政执法四方面职能。 第四节可行性研究结论 XX水库补水工程项目由XX市城市管理局负责承建,该项目共分两个工程段:1、XX水库引水设施维修工程,2、XX水库至五六干合排补水工程。

目前中国大陆晶圆厂分布

目前中国大陆晶圆厂分布、产能及生产项目(8寸12寸,最全) Date: 2018-06-05 中国大陆正在成为全球半导体产业扩张宝地。继大陆最大晶圆代工厂中芯国际近一个月接连在上海、深圳建12寸厂后,晶圆代工厂联电16日也宣布,厦门12寸合资晶圆厂联芯集成电路制造(厦门)开始营运。

从上表中可以看出,中芯国际扩张可谓明显。那么,中芯国际启动此次大幅扩张策略的信心来自哪里呢?首先,中芯国际是国内芯片制造业的领头羊。其次,中芯国际股价大幅上扬。再次,中芯国际2020年有望进入全球代工前三。最后,中芯国际的产能扩充效果明显。因此,现阶段对中芯国际而言,可能扩充产能是提高销售额的有效方法之一,销售额的提升将有利于中芯国际的折旧能力提高,可以使其负担更大的投资。” 台积电(TSMC)是晶圆代工产业的2015年销售业绩龙头,去年销售额达到了264亿美元;从12英寸计,目前台积电的月产能约是100万片,但是依然供不应求,产能相当吃紧。台积电在南京市建设的12寸生产线,产能规划为2万片/月,预计于2018年量产16纳米制程,但是理论上来说,这样的产能扩充,似乎还不能满足大陆客户日益增长的市场需求,据称后续产能可能会扩到4万片。 联电晶圆代工厂,于11月16日宣布,厦门12寸合资晶圆厂联芯集成电路制造(厦门)开始营运(加入中国大陆现有12寸晶圆厂之列),这是首座两岸合资12寸晶圆厂。 英特尔、三星与SK 海力士大厂早已在中国插旗,并将主力放在存储产业。特别的是英特尔大连12 寸晶圆厂在2010 年完工当时,厂房规划用以生产65 纳米制程CPU ,但在产能利用率低落下,2015 年10 月英特尔宣布与大连市政府合作,投资55 亿美元转型生产3D-NANDFlash 并在今年7 月底重新宣告投产。中国本土厂商现有12 寸厂的为中芯国际与华力微,两者分别在上海都有厂房,中芯在北京还有B1、B2 两座晶圆厂,其中 B2 厂制程已至28纳米。 5月联电宣布与福建晋华集成电路签署技术合作协定,协助晋华集成开发DRAM 相关制程技术,在泉州市建立12 寸晶圆厂,从事利基型DRAM 代工,早在台积电之前,走“联电模式”在中国建厂的还有力晶,力晶与合肥市政府合作,成立晶合集成在当地打造12 寸晶圆厂,从事最高90 纳米面板驱动代工服务。 今年6月份GlobalFoundries公司与重庆政府签署了合作协议,联合建设一座12英寸晶圆厂,但是现在这个合作恐怕要黄了,GF公司只原意二手设备升级晶圆厂,但要占51%的股份,重庆政府认为他们的二手设备不值这么多,导致合作搁浅。 长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础,继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局,并着力发展大规模存储器。 士兰集成作为国内第一条民营8寸线落户杭州下沙,淮安德科玛则是图像传感器芯片项目,将填补我国自主产权CIS的空白。

集成电路制造工艺流程之详细解答

集成电路制造工艺流程之详细解答 1.晶圆制造( 晶体生长-切片-边缘研磨-抛光-包裹-运输 ) 晶体生长(Crystal Growth) 晶体生长需要高精度的自动化拉晶系统。 将石英矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达0.99999999999。 采用精炼石英矿而获得的多晶硅,加入少量的电活性“掺杂剂”,如砷、硼、磷或锑,一同放入位于高温炉中融解。 多晶硅块及掺杂剂融化以后,用一根长晶线缆作为籽晶,插入到融化的多晶硅中直至底部。然后,旋转线缆并慢慢拉出,最后,再将其冷却结晶,就形成圆柱状的单晶硅晶棒,即硅棒。 此过程称为“长晶”。 硅棒一般长3英尺,直径有6英寸、8英寸、12英寸等不同尺寸。 硅晶棒再经过研磨、抛光和切片后,即成为制造集成电路的基本原料——晶圆。 切片(Slicing) /边缘研磨(Edge Grinding)/抛光(Surface Polishing) 切片是利用特殊的内圆刀片,将硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶圆。 然后,对晶圆表面和边缘进行抛光、研磨并清洗,将刚切割的晶圆的锐利边缘整成圆弧形,去除粗糙的划痕和杂质,就获得近乎完美的硅晶圆。 包裹(Wrapping)/运输(Shipping) 晶圆制造完成以后,还需要专业的设备对这些近乎完美的硅晶圆进行包裹和运输。 晶圆输送载体可为半导体制造商提供快速一致和可靠的晶圆取放,并提高生产力。 2.沉积 外延沉积 Epitaxial Deposition 在晶圆使用过程中,外延层是在半导体晶圆上沉积的第一层。 现代大多数外延生长沉积是在硅底层上利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法生长硅薄膜。外延层由超纯硅形成,是作为缓冲层阻止有害杂质进入硅衬底的。 过去一般是双极工艺需要使用外延层,CMOS技术不使用。 由于外延层可能会使有少量缺陷的晶圆能够被使用,所以今后可能会在300mm晶圆上更多

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