单通道双通道单通道双通道单通道双通道单通道双通道Samsung SLC 16M K9F2808U0M/A/B/C 1Y Y Y Samsung SLC 16M K9F2816Q0C(x16)1Y Y 1.8v
Samsung SLC 32M K9F5608U0M/A/B/C 1Y Y Y Samsung SLC 32M K9F5616U0C(x16)1Y Y Samsung SLC 32M K9F5616U0B(x16)1Y Y Samsung SLC 64M K9F1208U0M/A/B/C 1Y Y Y Samsung SLC 64M K9F1208Q0C
1Y Y Y 1.8v Samsung SLC 64M K9K1216U0C(x16)1Y Y Samsung SLC 64M K9k1216Q0C(x16)1Y Y 1.8v
Samsung SLC 128M K9K1G08Q0A
1Y Y Y 1.8v
Samsung SLC 128M K9K1G08U0M/A/B 1Y Y Y Samsung SLC 128M K9K1G16U0A(x16)1Y Y Samsung SLC 256M K9E2G08U0M 1Y Y Y Samsung SLC 256M K9E2G08U1M 2Y Y Y Samsung SLC 128M K9F1G08U0M/A 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 128M K9F1G08R0M/A 1Y Y Y Y Y Y 1.8v Samsung SLC 256M K9K2G08U1A
2Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 128M K9F1G16Q0M(x16)1Y Y Y 1.8v
Samsung SLC 128M K9F1G16U0M(x16)1Y Y Y Y Samsung SLC 128M K9F1G08U0A 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 128M K9F1G08R0A 1Y Y Y Y Y Y 1.8v Samsung SLC 256M K9K2G08Q0M/A 1Y Y Y Y Y Y 1.8v
Samsung SLC 256M K9K2G08U0M/A 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 512M K9W4G08U1M
2Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 256M K9K2G16Q0M/A(x16)1Y Y Y 1.8v
Samsung SLC 256M K9K2G16U0M/A(x16)1Y Y Y Y Samsung SLC 512M K9W4G16U1M(x16)2Y Y Y Y Samsung SLC 256M K9F2G08U0M
1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 256M K9F2G16U0M(x16)1Y Y Y Y Samsung SLC 512M K9K4G08U0M 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 1G K9W8G08U1M 2Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 128M K9F1G08U0B
1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 128M K9F1G16Q0B(x16)1Y Y Y 1.8v Samsung SLC 256M K9F2G08U0A 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 256M K9F2G08R0A 1Y Y Y Y Y Y 1.8v
Samsung SLC 512M K9F4G08U0M 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 1G K9K8G08U1M 2Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 1G K9K8G08U0M/A 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 2G K9WAG08U1M/A 2Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 4G K9NBG08U5M/A 4Y Y Y Y Y Y Y
Samsung
SLC
1G
K9F8G08U0M
50nm 1Y Y Y Y Y Y
CE
Pin AU6985AU6987AU6981AU6983 UFD Controller Flash Support List
(SZ 2010-11-02)
Flash
Controller
备注
Brand Type Capacity Flash Name
制程
Samsung SLC2G K9KAG08U0M50nm1Y Y Y Y Y Y Samsung SLC4G K9WBG08U1M50nm2Y Y Y Y Y Y Samsung SLC8G K9NCG08U5M50nm4Y Y Y Y Y Y Samsung MLC256M K9G2G08U0M1Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC512M K9G4G08U0B1Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC512M K9G4G08U0M/A1Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC1G K9L8G08U1M2Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC1G K9G8G08U0M1Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC2G K9LAG08U1M2Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC1G K9G8G08U0A/B1Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC1G K9L8G08U0M/A1Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC2G K9HAG08U1M2Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC4G K9MBG08U5M4Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC2G K9LAG08U0M1Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC4G K9HBG08U1M2Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC8G K9MCG08U5M4Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC2G K9LAG08U0A/B1Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC4G K9HBG08U1A/B2Y Y Y Y Y Y Y Samsung MLC2G K9GAG08U0M50nm1Y Y Y Y Y Y Samsung MLC4G K9LBG08U1M50nm2Y Y Y Y Y Y Samsung MLC8G K9HCG08U5M50nm4Y Y Y Y Y Y Samsung MLC4G K9LBG08U0M50nm1Y Y Y Y Y Y Samsung MLC8G K9HCG08U1M50nm2Y Y Y Y Y Y Samsung MLC16G K9MDG08U5M50nm4Y Y Y Y Y Y Samsung MLC2G K9GAG08U0A50nm1Y Y Y Y Y Y Samsung MLC2G K9GAG08U0D42nm1Y Y Y Y Y Y Samsung MLC4G K9LBG08U1D42nm2Y Y Y Y Y Y Samsung MLC8G K9HCG08U5D42nm4Y Y Y Y Y Y Samsung MLC4G K9LBG08U0D42nm1Y Y Y Y Y Y Samsung MLC8G K9HCG08U1D42nm2Y Y Y Y Y Y Samsung MLC16G K9MDG08U5D42nm4Y Y Y Y Y Y Samsung TLC2G K9AAG08U0M51nm1Y Samsung MLC4G K9GBG08U0M35nm1Y Y Y Samsung MLC8G K9LCG08U1M35nm2Y Y Y Samsung MLC16G K9HDG08U5M35nm4Y Y Y Samsung MLC32G K9PFG08U5M35nm4Y Y Y Samsung MLC1G K9G8G08U0C35nm1Y Y Samsung MLC2G K9GAG08U0E35nm1Y Y Y Samsung MLC4G K9LBG08U0E35nm1Y Y Y Samsung MLC8G K9HCG08U1E35nm2Y Y Samsung MLC4G K9GBG08U0A27nm1Y Y Samsung MLC8G K9LCG08U1A27nm2Y Y Samsung MLC16G K9HDG08U5A27nm4Y Samsung TLC4G K9ABG08U0M42nm1Y
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Samsung TLC4G K9ABG08U0A32nm1Y Y Samsung TLC8G K9BCG08U1A32nm2Y Y Samsung TLC16G K9CDG08U5A32nm4Y Y Micron SLC128M MT29F1G08ABB1Y Y Y Y Y Y 1.8V Micron SLC128M MT29F1G16ABB(x16)1Y Y Y 1.8V Micron SLC128M MT29F1G08ABC1Y Y Y Y Y Y 1.8V Micron SLC128M MT29F1G16ABC(x16)1Y Y Y 1.8V Micron SLC128M MT29F1G08AAC1Y Y Y Y Y Y Y Micron SLC128M MT29F1G16AAC(x16)1Y Y Y Y
Micron SLC128M MT29F1G08AAC1Y Y Y Y Y Y Y Micron SLC256M MT29F2G08AAA1Y Y Y Y Y Y Y Micron SLC256M MT29F2G16AAA(x16)1Y Y Y Y
Micron SLC512M MT29F4G08BBC1Y Y Y Y Y Y 1.8V Micron SLC512M MT29F4G16BBC(x16)1Y Y Y 1.8V Micron SLC256M MT29F2G08AAB1Y Y Y Y Y Y Y Micron SLC256M MT29F2G16AAB(x16)1Y Y Y Y
Micron SLC512M MT29F4G08BAB1Y Y Y Y Y Y Y Micron SLC512M MT29F4G16BAB(x16)1Y Y Y Y
Micron SLC1G MT29F8G08FAB2Y Y Y Y Y Y Y Micron SLC256M MT29F2G08ABD1Y Y Y Y Y Y 1.8v Micron SLC256M MT29F2G16ABD(x16)1Y Y Y 1.8v Micron SLC256M MT29F2G08AAD1Y Y Y Y Y Y Y Micron SLC256M MT29F2G16AAD(x16)1Y Y Y Y
Micron SLC512M MT29F4G08ABA/C1Y Y Y Y Y Y 1.8v Micron SLC512M MT29F4G16ABA/C(x16)1Y Y Y 1.8v Micron SLC512M MT29F4G08AAA/C1Y Y Y Y Y Y Y Micron SLC512M MT29F4G16AAA/C(x16)1Y Y Y Y
Micron SLC1G MT29F8G08DAA2Y Y Y Y Y Y Y Micron SLC1G MT29F8G08BAA1Y Y Y Y Y Y Y Micron SLC1G MT29F8G16BAA(x16)1Y Y Y Y
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Micron SLC1G MT29F8G08ADBDAH4M60A1Y Y Y Y Y Y 1.8v Micron SLC1G MT29F8G16ADBDAH4(x16)M60A1Y Y Y 1.8v Micron SLC1G MT29F8G08ADADAH4M60A1Y Y Y Y Y Y Micron SLC1G MT29F8G16ADADAH4(x16)M60A1Y Y Y
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Micron SLC256M MT29F2G16ABBEA(x16)M69A1Y Y Y 1.8v
Micron SLC256M MT29F2G08ABAEA M69A1Y Y Y Y Y Y
Micron SLC256M MT29F2G16ABAEA(x16)M69A1Y Y Y
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Micron TLC16G MT29F64G08EBAAA25nm1Y34pin,39pin接vcc3.3v
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25pin,48pin接GND Spectek MLC1G FxxL41BxxK3xG1Y Y Y Y Y Y
Spectek MLC1G FxxL51AxxK3xG1Y Y Y Y Y Y
Spectek MLC2G FxxL41BxxK3x22Y Y Y Y Y Y
Spectek MLC4G FxxL41BxxK3x42Y Y Y Y Y Y
Spectek MLC2G FxxL52AxxK3xG50nm1Y Y Y Y Y Y
Spectek MLC4G FxxL52AxxK3x250nm2Y Y Y Y Y Y
Spectek MLC8G FxxL52AxxK3x450nm2Y Y Y Y Y Y
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Spectek MLC4G FxxL63BxxK3xG34nm1Y Y Y Y Y Y34pin,39pin接vcc3.3v
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Spectek MLC8G FxxL63BxxK3x234nm2Y Y Y Y Y Y34pin,39pin接vcc3.3v
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Spectek MLC16G FxxL63BxxK3x434nm2Y Y Y Y Y Y34pin,39pin接vcc3.3v
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Spectek MLC4G FxxL73AxxK3xx2xnm1Y Y Y Y34pin,39pin接vcc3.3v
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Spectek MLC8G FxxL73AxxK3xx2xnm2Y Y Y Y34pin,39pin接vcc3.3v
25pin,48pin接GND Spectek MLC8G FxxL74A61K3Bxx25nm1Y Y
Spectek MLC16G FxxL74A71K3Fxx25nm2Y Y
Spectek MLC32G FxxL74A81K3Jxx25nm2Y Y
Renesas AG-N32M HN29V25611T-501Y Y Y
Renesas AG-N64M HN29V51211T-501Y Y Y
Renesas AG-N64M DFT512W08B-P11Y Y Y
Renesas AG-N128M HN29V1G91T-301Y Y Y Y
Renesas AG-N512M R1FV04G13RSA-31Y Y Y Y
PowerFlash SLC64M PF79AL12081Y Y Y
PowerFlash SLC64M PF79BL12081Y Y Y
PowerFlash SLC256M ASU2GA30GT1Y Y Y Y Y Y Y Y
PowerFlash SLC512M ASU4GA30GT1Y Y Y Y Y Y Y Y
PowerFlash MLC512M A1U4GA30GT1Y Y Y Y Y Y Y
PowerFlash MLC1G A1U8GA30GT1Y Y Y Y Y Y Y Hynix SLC16M HY27US08281A1Y Y Y
Hynix SLC16M HY27US16281A(x16)1Y Y
Hynix SLC32M HY27US08561M/A1Y Y Y
Hynix SLC32M HY27US16562M/A(x16)1Y Y
Hynix SLC32M HY27SS08561M/A1Y Y 1.8v
Hynix SLC32M HY27SS16561M/A(x16)1Y 1.8v
Hynix SLC64M HY27US08121M/A1Y Y Y
Hynix SLC64M HY27US16121M/A(x16)1Y Y
Hynix SLC64M HY27SS08121M/A1Y Y 1.8v
Hynix SLC64M HY27SS16121M/A(x16)1Y 1.8v
Hynix SLC128M HY27UA081G4M2Y Y Y
Hynix SLC128M HY27(U/S)A081G1M1Y Y 3.3v/1.8v
Hynix SLC128M HY27(U/S)A161G1M(x16)1Y 3.3v/1.8v
Hynix SLC256M HY27(U/S)B082G4M2Y Y 3.3v/1.8v
Hynix SLC256M HY27(U/S)B162G4M(x16)2Y 3.3v/1.8v
Hynix SLC128M HY27SS081G1X1Y Y 1.8v
Hynix SLC128M HY27UF081G2M1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC128M HY27SF081G2M(x16)1Y Y Y 1.8v
Hynix SLC256M HY27UF082G2M1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC256M HY27SF082G2M1Y Y Y Y Y Y 1.8v
Hynix SLC256M HY27UF162G2M(x16)1Y Y Y Y
Hynix SLC256M HY27SF162G2M(x16)1Y Y Y 1.8v Hynix SLC512M HY27UG084G2M1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC512M HY27SG084G2M1Y Y Y Y Y Y 1.8v Hynix SLC512M HY27UG164G2M(x16)1Y Y Y Y
Hynix SLC512M HY27SG164G2M(x16)1Y Y Y 1.8v Hynix SLC1G HY27UH088G2M1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC128M HY27UF081G2A1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC256M HY27UF082G2A1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC256M HY27UF162G2A(x16)1Y Y Y Y
Hynix SLC256M HY27SF162G2A(x16)1Y Y Y 1.8v Hynix SLC512M HY27UF084G2M1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC1G HY27UG088G5M2Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC1G HY27UG088G2M1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC2G HY27UH08AG5M2Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC4G HY27UK08BGFM4Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC256M HY27UF082G2B1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC256M HY27SF082G2B(x16)1Y Y Y 1.8v Hynix SLC512M HY27UF084G2B1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC512M HY27UF164G2B(x16)1Y Y Y Y
Hynix SLC512M HY27SF084G2B1Y Y Y Y Y Y 1.8v Hynix SLC512M HY27SF164G2B(x16)1Y Y Y 1.8v Hynix SLC1G HY27UG088G5B2Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC2G HY27UH08AG5B2Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC4G HY27UK08BGFB4Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC128M H27U1G8F2B41nm1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC1GB H27U8G8F2M48nm1Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC2GB H27UAG8G5M48nm2Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC4GB H27UBG8H5M48nm2Y Y Y Y Y Y
Hynix SLC8GB H27UCG8KFM48nm4Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC512M HY27UT084G2M90nm1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC1G HY27UU088G5M90nm2Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC2G HY27UV08AG5M90nm2Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC4G HY27UW08BGFM90nm4Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC1G HY27UT088G2M60nm1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC2G HY27UU08AG5M60nm2Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC4G HY27UV08BGFM60nm4Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC1G Hynix InkDie60nm1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC4G HY27UV08BG5M60nm2Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC8G HY27UW08CGFM60nm4Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC512M HY27UT084G2A57nm1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC1G HY27UT088G2A57nm1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC2G HY27UU08AG5A57nm2Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC4G HY27UV08BGFA57nm4Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC4G HY27UV08BG5A57nm2Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC256M H27U2G8T2M48nm1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC512M H27U4G8T2B48nm1Y Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC1G H27U8G8T2B48nm1Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC2G H27UAG8T2M48nm1Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC4G H27UBG8U5M48nm2Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC8G H27UCG8VFM48nm4Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC8G H27UCG8V5M48nm2Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC16G H27UDG8WFM48nm4Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC2G H27UAG8T2A41nm1Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC4G H27UBG8U5A41nm2Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC8G H27UCG8V5A41nm2Y Y Y Y Y Y
Hynix MLC4G H27UBG8T2M41nm1Y Y
Hynix MLC8G H27UCG8UDM41nm2Y Y
Hynix MLC16G H27UDG8VEM41nm4Y Y
Hynix TLC2G H27UAG8M2MYR41nm1Y Y
Hynix TLC8G H2EUCG8N1MYR48nm2Y
Hynix TLC16G H2EUDG8M1MYR48nm4Y
Hynix TLC4G H27UBG8M2A32nm1Y
Hynix MLC4G H27UBG8T2A32nm1Y Y
Hynix MLC8G H27UCG8U5A32nm2Y Y
Hynix MLC16G H27UDG8VFA32nm4Y Y
Hynix MLC16G H27UDG8V5A32nm2Y Y
Hynix MLC8G H27UCG8T2MYR26nm1Y Y
ST SLC16M NAND128R3A1Y Y 1.8V ST SLC16M NAND128W3A1Y Y Y
ST SLC16M NAND128R4A(x16)1Y 1.8V ST SLC16M NAND128W4A(x16)1Y Y
ST SLC32M NAND256R3A1Y Y 1.8V ST SLC32M NAND256W3A1Y Y Y
ST SLC32M NAND256R4A(x16)1Y 1.8V ST SLC32M NAND256W4A(x16)1Y Y
ST SLC64M NAND512R3A1Y Y 1.8V ST SLC64M NAND512W3A1Y Y Y
ST SLC64M NAND512R4A(x16)1Y 1.8V ST SLC64M NAND512W4A(x16)1Y Y
ST SLC128M NAND01GR3A1Y Y 1.8V ST SLC128M NAND01GW3A1Y Y Y
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ST SLC64M NAND512W3B1Y Y Y Y Y Y Y
ST SLC128M NAND01GW3B2A1Y Y Y Y Y Y Y
ST SLC256M NAND02GW3B2A1Y Y Y Y Y Y Y
ST SLC128M NAND01GR3B2B1Y Y Y Y Y Y 1.8v ST SLC128M NAND01GW3B2B1Y Y Y Y Y Y Y
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ST SLC128M NAND01GR3B2C1Y Y Y 1.8v ST SLC128M NAND01GW3B2C1Y Y Y Y
ST SLC128M NAND01GR4B2C(x16)1Y Y Y 1.8v ST SLC128M NAND01GW4B2C(x16)1Y Y Y Y
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ST SLC256M NAND02GR4B2C(x16)1Y Y Y 1.8v ST SLC256M NAND02GW4B2C(x16)1Y Y Y Y
ST SLC256M NAND02GR3B2D1Y Y Y Y Y Y 1.8v ST SLC256M NAND02GW3B2D1Y Y Y Y Y Y Y
ST SLC256M NAND02GR4B2D(x16)1Y Y Y 1.8v ST SLC256M NAND02GW4B2D(x16)1Y Y Y Y
ST SLC512M NAND04GW3B2B1Y Y Y Y Y Y Y
ST SLC1G NAND08GW3B2A1Y Y Y Y Y Y Y
ST SLC512M NAND04GR3B2D1Y Y Y Y Y Y 1.8v ST SLC1G NAND08GR3B4C2Y Y Y Y Y Y 1.8v ST SLC512M NAND04GW3B2D1Y Y Y Y Y Y Y
ST SLC1G NAND08GW3B4C2Y Y Y Y Y Y Y
ST SLC2G NAND16GW3B6D4Y Y Y Y Y Y Y
ST SLC512M NAND04GR4B2D(x16)1Y Y Y 1.8v ST SLC512M NAND04GW4B2D(x16)1Y Y Y Y
ST SLC1G NAND08GR3B2C1Y Y Y Y Y Y 1.8v ST SLC1G NAND08GW3B2C1Y Y Y Y Y Y Y
ST SLC2G NAND16GW3B4D2Y Y Y Y Y Y Y
ST SLC1G NAND08GR4B2C(x16)1Y Y Y 1.8v ST SLC1G NAND08GW4B2C(x16)1Y Y Y Y
ST SLC1G NAND08GW3F2A1Y Y Y Y Y Y
ST SLC2G NAND16GW3F4A2Y Y Y Y Y Y
ST SLC2G NAND16GW3F2A1Y Y Y Y Y Y
ST SLC4G NAND32GW3F4A2Y Y Y Y Y Y
ST MLC512M NAND04GW3C2A1Y Y Y Y Y Y Y
ST MLC1G NAND08GW3C2A1Y Y Y Y Y Y Y
ST MLC2G NAND16GW3C2A1Y Y Y Y Y Y Y
ST MLC512M NAND04GW3C2B1Y Y Y Y Y Y Y
ST MLC1G NAND08GW3C2B1Y Y Y Y Y Y Y
ST MLC2G NAND16GW3C4B2Y Y Y Y Y Y Y
ST MLC2G NAND16GW3C2B1Y Y Y Y Y Y Y
ST MLC1G NAND08GW3D2A1Y Y Y Y Y Y
ST MLC2G NAND16GW3D2A1Y Y Y Y Y Y
ST MLC4G NAND32GW3D4A2Y Y Y Y Y Y
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Toshiba SLC16M TC58DVM72A1FT001Y Y Y
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Toshiba SLC128M TC58NVG0S3AFT051Y Y Y Y Y Y Y Y
Toshiba SLC128M TC58NVG0S3BTG001Y Y Y Y Y Y Y Y
Toshiba SLC256M TH58NVG1S3AFT051Y Y Y Y Y Y Y Y
Toshiba SLC64MB TC58NVM9S3BTG001Y Y Y Y Y
Toshiba SLC64MB TC58NVM9S8CTA00(x16)1Y Y Y Y Y Y Y
Toshiba SLC128MB TC58NVG0S3BTGI01Y Y Y Y Y Y Y Y
Toshiba SLC256M TC58NVG1S3BFT001Y Y Y Y Y Y Y Y
Toshiba SLC256M TC58NVG1S3BFT001Y Y Y Y Y Y Y Y
Toshiba SLC256M TC58NVG1S8BFT00(x16)1Y Y Y Y
Toshiba SLC256M TC58NVG1S8BFT00(x16)1Y Y Y Y
Toshiba SLC512M TH58NVG2S3BFT001Y Y Y Y Y Y Y Y
Toshiba SLC128M TC58NVG0S3ETA0043nm1Y Y Y Y Y Y Y１pin,24pin,34pin,38pin接vcc3.3v
2pin,23pin,25pin,48pin接GND
Toshiba SLC256M TC58NVG1S3ETA0043nm1Y Y Y Y Y Y Y１pin,24pin,34pin,38pin接vcc3.3v
2pin,23pin,25pin,48pin接GND Toshiba SLC1G TC58NVG3S0DTG0056nm1Y Y Y Y Y Y
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Toshiba MLC64M TC58DVM94B1FT001Y Y
Toshiba MLC128M TC58DVG04B1TG001Y Y
Toshiba MLC256M TC58DVG14B1TG001Y Y
Toshiba MLC512M TH58DVG24B1TG001Y Y
Toshiba MLC256M TC58NVG1D4BTG001Y Y Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC512M TC58NVG2D4BTG001Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC512M TC58NVG2D9BTG00(x16)1Y Y Y Y
Toshiba MLC1G TH58NVG3D4BTG001Y Y Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC1G TC58NVG3D4CTG001Y Y Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC1G TC58NVG3D9CTG00(x16)1Y Y Y Y
Toshiba MLC2G TH58NVG4D4CTG001Y Y Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC2G TH58NVG4D9CTG00(x16)1Y Y Y Y
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Toshiba MLC8G TC58NVG6D4CTG202Y Y Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC512M TC58NVG2D1DTG0056nm1Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC1G TC58NVG3D1DTG0056nm1Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC2G TH58NVG4D1DTG0056nm1Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC2G TC58NVG4D1DTG00(x16)56nm1Y Y Y
Toshiba MLC4G TH58NVG5D1DTG2056nm2Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC8G TH58NVG6D1DTG8056nm4Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC4G TH58NVG5D1DTG0056nm1Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC8G TH58NVG6D1DTG2056nm2Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC8G TH58NVG6D1DTG0056nm1Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC16G TH58NVG7D1DTG2056nm2Y Y Y Y Y Y
Toshiba MLC1G TC58NVG3D2ETA0043nm1Y Y Y Y１pin,24pin,34pin,38pin接vcc3.3v
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Toshiba MLC4G TH58NVG5D2ETA0043nm1Y Y Y Y１pin,24pin,34pin,38pin接vcc3.3v
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Toshiba MLC8G TH58NVG6D2ETA2043nm2Y Y Y Y１pin,24pin,34pin,38pin接vcc3.3v
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Toshiba MLC8G TH58NVG6D2ETA0043nm1Y Y Y Y１pin,24pin,34pin,38pin接vcc3.3v
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2pin,23pin,25pin,48pin接GND SanDisk MLC8G SDZNMMBHER-008G43nm2Y Y Y52pin LGA SanDisk MLC16G SDZNMMCHER-016G43nm4Y Y Y52pin LGA SanDisk MLC32G SDZNMMDHER-032G43nm4Y Y Y52pin LGA
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SanDisk TLC16G SDTNMNCHEM-016G43nm1Y１pin,24pin,34pin,38pin接vcc3.3v
2pin,23pin,25pin,48pin接GND Infineon SLC64M HYF33DS512800ATC1Y Y Y
Infineon SLC64M HYF33DS512800BTC1Y Y Y
Infineon SLC64M HYF33DS512804(5)BTC/I1Y Y Y
Infineon SLC128M HYF33DS1G800CTI1Y Y Y Y Y Y Y Y
Spansion SLC64M S39MS512R65nm1Y Y Y Y Y Y 1.8v
Spansion SLC128M S39MS01GR65nm1Y Y Y Y Y Y 1.8v
Spansion SLC256M S39MS02GR65nm1Y Y Y Y Y Y 1.8v
Spansion SLC64M S30MS512R65nm1Y Y Y Y Y Y 1.8v
Spansion SLC128M S30MS01GR65nm1Y Y Y Y Y Y 1.8v
Spansion SLC256M S30MS02GR65nm1Y Y Y Y Y Y 1.8v
Spansion SLC512M S30MS04GR65nm1Y Y Y Y Y Y 1.8v
Spansion MLC32M S19MN256P3090nm1Y Y Y Y Y Y Y Y
Spansion MLC64M S19MN512P3090nm1Y Y Y Y Y Y Y Y
Spansion MLC128M S19MN01GP3090nm1Y Y Y Y Y Y Y Y
Spansion MLC256M S19MN02GP3090nm1Y Y Y Y Y Y Y Y
Spansion MLC128M S19MN01GR65nm1Y Y Y Y Y Y Y Y
Spansion MLC256M S19MN02GR65nm1Y Y Y Y Y Y Y Y
SMIC SLC256M SM90U-256MB1Y Y
注:红色Y表示只有速度优先才支持
半导体行业：芯片设计企业的光罩成本大幅上升 本周重点 面板级扇出型封装技术(FO on substrate)在异质整合趋势下的投资机遇 透过台积电看半导体趋势-成也萧何,败也萧何 核心观点 虽然SoC 将更多的功能整合到单颗芯片,在大幅提升芯片性能的同时降低了功耗,但是缺点就是需要更加先进制程工艺的支撑。随着芯片制程向 7nm,5nm 甚至3nm 发展,芯片设计企业的光罩成本大幅上升。而通过系统级封装技术如面板级扇出型封装可以在提升芯片性能的同时大大降低企业的设计 和制造成本,这种异质整合的封装技术有望成为芯片行业新的发展趋势。为了 满足电子产品轻薄短小的发展趋势,未来对于基板的要求更薄,因此封装材料中 的薄基板技术(coreless,ETS 和embedded)值得关注。另外在高性能性能的封装中会大量采用TSV(硅通孔)工艺,这种工艺在封装过程中芯片容易出现细微的 损坏,因此未来细微缺陷检测设备也是行业值得关注的一个发展方向在所有苹果产业链公司从去年11 月初陆续下修其营收预期后,台积电 终于挡不住大趋势,公布低于市场预期的一季度销售环比衰退21.9%-22.9%,43- 45%的毛利预期(vs. 市场预期的47.5%),及31-33%的营业利润率预期(vs. 市场预期的36.8%)。台积电提出2019 年全球晶圆代工达0%同比成长,我们预估证券分析师对世界先进,华虹,长电科技,通富微电,华天科技2019 年营收同比成长的预估将明显下修到0%,+/-5%。虽然7 纳米短期需求不振,但台积电公布其2019 资本开支同比持平,维持100-110 亿美元,其中80%是用在7/5/3 纳米(大多用在5 和3 纳米),另外超过10%用在光掩片及先进封装的投资,剩下的用在特 殊制程。这对全球及中国半导体设备大厂而言,相对有利。
工艺制程能力提升计划 一、水刺产品工艺生产流程： 二、工艺生产流程分析及关键工序流程工艺控制提升点： 纤维原料开松混合 1、纤维原料的混合开松，要求混合均匀、配比准确、预开松效果较好；为下道工序的梳理成网做准备。 2、原料的配比要求控制点，按照生产任务单上料记录核对签字确认；开松混合的关键工艺控制点，预开松的效果及连续顺畅供棉的能力。 3、开松混合工艺能力提升，开包机斜帘、均棉打手、剥棉打手速度合理配置优化和均棉打手隔距的要求合理；能够达到开松混棉的效果也能达到稳定供棉的能力。控制点，均棉打手的隔距在稳定供棉的前提下隔距收小；均棉打手的速度配合斜帘输送棉的速度合理
提升相对速度。混棉开松的标准要求开松出来的纤维松散均匀没有块状。 梳理成网 1、梳理成网，要求成网均匀、清晰、无棉结、克重均匀稳定；为下道产品加固定型（水刺缠结加固）做准备。 2、梳理成网的关键控制点，输出的纤维网均匀，无棉结，克重均匀稳定。 3、梳理成网的关键工艺控制点提升，梳理道夫成网布面均匀度纤维网质量的控制。道夫成网的克重稳定性控制前提，气压棉箱喂入部分棉层横向厚度密度的偏差；关键调整方法下棉箱调节挡板的可视化作业指导及最终产品的克重偏差测试数据对比调整。道夫成网均匀度棉结控制工艺提升点，梳理机主锡林和道夫之间隔距的合理性和调整隔距的偏差，校正的工具隔距片；校准的依据隔距紧凑无偏差；校准的周期每月一次，保障道夫成网速度质量不受运行中的气流影响。成网均匀度控制合理优化道夫的输出纤维网速度提升速度的同时稳定纤维质量减少防止纤维网棉结的产生。 水刺缠结 1、水刺缠结，要求缠结紧密、无水针痕、缠结加固平
单通道双通道单通道双通道单通道双通道单通道双通道Samsung SLC 16M K9F2808U0M/A/B/C 1Y Y Y Samsung SLC 16M K9F2816Q0C(x16)1Y Y 1.8v Samsung SLC 32M K9F5608U0M/A/B/C 1Y Y Y Samsung SLC 32M K9F5616U0C(x16)1Y Y Samsung SLC 32M K9F5616U0B(x16)1Y Y Samsung SLC 64M K9F1208U0M/A/B/C 1Y Y Y Samsung SLC 64M K9F1208Q0C 1Y Y Y 1.8v Samsung SLC 64M K9K1216U0C(x16)1Y Y Samsung SLC 64M K9k1216Q0C(x16)1Y Y 1.8v Samsung SLC 128M K9K1G08Q0A 1Y Y Y 1.8v Samsung SLC 128M K9K1G08U0M/A/B 1Y Y Y Samsung SLC 128M K9K1G16U0A(x16)1Y Y Samsung SLC 256M K9E2G08U0M 1Y Y Y Samsung SLC 256M K9E2G08U1M 2Y Y Y Samsung SLC 128M K9F1G08U0M/A 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 128M K9F1G08R0M/A 1Y Y Y Y Y Y 1.8v Samsung SLC 256M K9K2G08U1A 2Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 128M K9F1G16Q0M(x16)1Y Y Y 1.8v Samsung SLC 128M K9F1G16U0M(x16)1Y Y Y Y Samsung SLC 128M K9F1G08U0A 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 128M K9F1G08R0A 1Y Y Y Y Y Y 1.8v Samsung SLC 256M K9K2G08Q0M/A 1Y Y Y Y Y Y 1.8v Samsung SLC 256M K9K2G08U0M/A 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 512M K9W4G08U1M 2Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 256M K9K2G16Q0M/A(x16)1Y Y Y 1.8v Samsung SLC 256M K9K2G16U0M/A(x16)1Y Y Y Y Samsung SLC 512M K9W4G16U1M(x16)2Y Y Y Y Samsung SLC 256M K9F2G08U0M 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 256M K9F2G16U0M(x16)1Y Y Y Y Samsung SLC 512M K9K4G08U0M 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 1G K9W8G08U1M 2Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 128M K9F1G08U0B 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 128M K9F1G16Q0B(x16)1Y Y Y 1.8v Samsung SLC 256M K9F2G08U0A 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 256M K9F2G08R0A 1Y Y Y Y Y Y 1.8v Samsung SLC 512M K9F4G08U0M 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 1G K9K8G08U1M 2Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 1G K9K8G08U0M/A 1Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 2G K9WAG08U1M/A 2Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 4G K9NBG08U5M/A 4Y Y Y Y Y Y Y Samsung SLC 1G K9F8G08U0M 50nm 1Y Y Y Y Y Y CE Pin AU6985AU6987AU6981AU6983 UFD Controller Flash Support List (SZ 2010-11-02) Flash Controller 备注 Brand Type Capacity Flash Name 制程
制程工程师英文Process Engineer简称PE， 制程工程师也叫工艺工程师。 制程工程师是制定整个生产流程，分配各个部门的任务，负责制造过程中的各个细节，并制定WI或OI（标准作业指导书）的制程文件，对制程进行管理和控制。制程工程师掌管整个生产各种装配元件及辅助材料的选型与验证，工治具的发明与制作。 制程工程师提高生产效率以及生产良率，降低报废率以及耗材与人力成本。属于整个制造过程的核心人物。 工作内容 一、制作及更新新产品的BOM,并为新产品准备相应的物料； 二、制作新产品的生产工艺流程,标准工时的计算帮助PES安装和调试新产品所需要的设备； 三、对IQC（进料检验）抽检不良的料件进行评审，然后对不良的料件或图纸提出ECR，并且对ECN的发行及追踪； 四、整机的安装，然后通过做各种评估测试（设备和物料方面），使其达到性能最佳； 五、不断改善工艺流程，提高产品的产量及质量，降低生产周期； 六、每天统计产品的良率，及时发现良率低的原因并提出解决方案； 七、各个部门进行沟通，了解产品的最新状况及各个部门遇到的问题，并帮助解决问题； 八、发明制作各种生产辅助工治具，提高作业效率良率。 九、撰写作业指导书（OI或WI），用以指导产线作业； 撰写SOP（标准作业程式）以及各类制程管控文件，用以明确生产流程步骤，保证稳定生产，逐步提高。 发展前景 一个好的PE是很需要耐心和吃苦精神的，当然，还有很多很基础的知识。如果一个公司正常的话，PE是很累的，很累的话也就意味着要解决很多问题，所以还是有很大的成长性的。 制程与工艺是PROCESS翻译成中文的两种不同说法，其实一样，不过涉及很多方面，从新产品导入，Bom与工艺文件制作，工艺的控制与改善，直到成品半成品的出货。应该说做这个职位能为以后更高层次的发展能够打下很好的基础，很多经理（Managers）都是从制程工程师（Process Engineer）出身的。
PCBA制程能力技术规范 ____________________________________________________________________________________
修订信息表
目录 前言 (4) 1.目的 (5) 2.适用范围 (5) 3.引用/参考标准或资料 (5) 4.名词解释 (5) 4.1 一般名词 (5) 4.2 等级定义 (5) 5.规范简介 (6) 6.规范内容 (6) 6.1 通用要求 (6) 6.1.1 文件处理 (6) 6.1.2 工艺材料 (6) 6.1.2.1 指定材料 (6) 6.1.2.2 推荐材料 (7) 6.1.3 常规测试能力 (7) 6.1.4 可靠性测试能力 (7) 6.2 工序工艺能力 (8) 6.2.1 器件成型 (8) 6.2.2 烘板 (9) 6.2.3 印刷 (9) 6.2.4 点涂 (9) 6.2.5 贴片 (9) 6.2.6 自动插件 (11) 6.2.7 回流焊 (11) 6.2.8 波峰焊 (12) 6.2.9 手工焊 (14) 6.2.10 压接、铆接 (14) 6.2.11 超声波焊接 (14) 6.2.12 超声波清洗（可选） (14) 6.2.13 清洁 (14) 6.2.14 点固定胶 (14) 6.2.15 Bonding (14) 6.2.16 返修 (15) 6.2.17 表面涂覆 (15) 6.2.18 分板 (15) 6.2.19 灌封 (17) 6.2.20 磁芯粘结能力 (17) 6.2.21 检验 (18) 6.3 成品性能 (18) 6.3.1 抽样检验 (18) 6.3.2 技术指标 (18)
芯片制作工艺流程 工艺流程 1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2) 初次氧化 有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化 Si(固) + O2 à SiO2(固) 湿法氧化 Si(固) +2H2O à SiO2(固) + 2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10 -- 10E+11/cm –2 .e V -1 数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1 常压CVD (Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反
.
(二數据分類与數据整理 數据可分為計量值數据和計數值數据兩類: 計量值數据是可以連續取值的:如長度,重量,溫度等. 計數值數据是不可以連續取值的:如不合格品數,缺陷數等. 數据的整理可分為兩種形式:1 整理成能夠反映某些信息的統計量 2整理成反映一定規律的圖形 第三章:統計量与統計圖 (一典型常用的統計量 (1 平均數 Xbar (2 極值 X max;Xmin (3 極差 R=X max-Xmin (4 標准偏差σ (二直方統計圖
直方圖是在統計數据頻率數的基礎上,用圖形表示數据分布情況的一种圖形化方法. (1 直方圖的作法 例:在1-50的范圍內,有如下一組數据(50PCS 文件編號 版本A 名稱日期02/08/02頁號章節 3.0 頁版本 A 小頁號 統計其頻數如下: 作其直方圖如下: (二.直方圖的觀察与分析 (1 對圖形形狀的分析:常見的直方圖有以下幾种 工程能力分析与控制 統計量与統計圖 42282726332918243214342230292224222848124293536303414423862832222536 39241828163836212026208181237 ¤à2?0~5
6~1011~1516~2021~2526~3031~3536~4041~4546~50-ó??1236 10 10 8 7 2 1 1 2 3 6 10 10 8 7 2 1 系列2 正常型
偏向型孤島型雙峰型 1正常型 2孤島型:說明在短時間內有异常因素在作用,如原材料發生變化,有不熟練工人替班等.3偏向型:說明加工中心發生了偏移4雙峰型:是由產品混批造成的 5造成這种情況不是生產上的問題,往往是由于測量誤差或分組不當造成的. 文件編號 版本A 名稱日期02/08/02頁號章節 4.0 頁版本 A 小頁號 (一正態分布( nomal distribution 在計量值數据中,應用最廣的一類連續形概率分布為正態分布.正態分布隨机變量X 的分布函數為 正態分布函數密度曲線為
《芯片制造－半导体工艺制程实用教程》 学习笔记 整理：Anndi 来源：电子胶水学习指南（https://www.doczj.com/doc/0513747480.html,） 本人主要从事IC封装化学材料（电子胶水）工作，为更好的理解IC封装产业的动态和技术，自学了《芯片制造－半导体工艺制程实用教程》，貌似一本不错的教材，在此总结出一些个人的学习笔记和大家分享。此笔记原发在本人的“电子胶水学习指南”博客中，有兴趣的朋友可以前去查看一起探讨之！ 前言及序言（点击链接查看之）-----------------------------------1第1章半导体工业-----------------------------------------2—3第2章半导体材料和工艺化学品---------------------------4—5第3章晶圆制备-----------------------------------------------6第4章芯片制造概述---------------------------------------7—8第5章污染控制-------------------------------------------9—10第6章工艺良品率----------------------------------------11—12第7章氧化-----------------------------------------------13—14第8章基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光------------15—17第9章基本光刻工艺流程—从曝光到最终检验------------18—20第10章高级光刻工艺-------------------------------------21—23第11章掺杂----------------------------------------------24—26第12章淀积----------------------------------------------27—29第13章金属淀积-----------------------------------------30—31第14章工艺和器件评估----------------------------------32—33第15章晶圆加工中的商务因素---------------------------34—35第16章半导体器件和集成电路的形成-------------------------36第17章集成电路的类型----------------------------------37—38第18章封装----------------------------------------------39—41 个人感慨----------------------------------------------------------41
深圳市深联电路有限公司SHEN ZHEN SUN&LYNN CIRCUITS CO.,LTD.版本﹕C 修改号﹕00 页码﹕1 of 31 文件 名称 流程制作工艺能力
深圳市深联电路有限公司 SHEN ZHEN SUN&LYNN CIRCUITS CO.,LTD. 版 本﹕C 修 改 号﹕00 页 码﹕2 of 31 文件 名称 流程制作工艺能力 1.0目的： 总结本公司目前各流程的工艺能力，为PE 提供一个完整的制作工具和制作指示之相关标准,同时也为市场部提供一份公司生产能力的说明。 2.0 范围 本文件适用于PE 的生产前准备和QA 的审批标准，也可用于市场部接受订单的技术参考。 3.0开料 3.1开料房工艺能力： 3.1.1剪床剪板厚度：0.20mm —3.20mm ； 3.1.2分条机：剪板厚度：0.40mm —2.50mm ；生产尺寸：最大1250×1250mm,最小尺寸300×300mm 3.1.3圆角磨边：板厚范围：0.4-3.0mm ；生产尺寸：最大610*610mm,最小300*300mm （板板厚 ≤0.6mm 的板可不需磨边）。 3.2 经纬向 3.2.1芯板经纬方向识别方法：内层芯板的48.5”(或48”、49”)方向为纬向，另一方向为经向 （短边为经向，长边为纬向）。 3.2.2内层芯板，开料时需注意单一方向unit ，即开料后其各边经纬向应一致，或有标记区分。 3.3大料尺寸 3.3.1单、双面板大料尺寸: 1、常用大料：48”×42”、48”×40”、48”×36”； 2、不常用大料：48”×32” 、48”×30”； 3、非正常大料：48.5”×42.5”、48.5”×40.5”、48.5”×36.5”、48.5”×32.5”、 48.5”×30.5”、49”×43”、49 ”×41”、49”×37”、48”×70”、48”×71”、48”×72”、48”×73 “、48”×74”、48”×75”。 3.3.2多层板大料尺寸: 1、常用大料尺寸：48.5”×42.5”、48.5”×40.5”、48.5”×36.5” 2、不常用大料尺寸：49”×43”、49”×41”、49”×37”、48.5”×32.5”、48.5”× 30.5”、48.5”×70”、48.5”×71”、48.5”×72”、48.5”×73”、48.5”×74”、48.5”×75” 3.4控制最大厚度：3.2mm ；精度误差：±1mm 3.5烘板要求; 3.5.1不同Tg 多层板芯板烘板温度及时间规定如下：
LED芯片制程 LED的发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子 （多子）复合而发光，如图1所示。 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm） 式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。
2．芯片： ⑴芯片的结构：芯片的结构为五个部分，分别为正电极、负电极、P 层、N 层和PN 结，如下图： 单電極 P 电极 P 层 P/N 结合层 N 层 N 电极 双电极 ⑵芯片的生产工艺： （１）长晶（CRYSTAL GROWTH ）： 长晶是从硅沙中(二氧化硅)提炼成单晶硅，制造过 程是将硅石(Silica)或硅酸盐 (Silicate) 如同冶金一样，放入炉中熔解提炼，形成冶金级硅。冶金级硅中 尚含有杂质，接下来用分馏及还原的方法将其纯化，形成电子级硅。虽然电子级硅所含的電極 層 接合層 層 電極
附录 附表一生产工艺装置安全检查表 附表二安全生产管理安全检查表 附录三 K公司企业安全文化建设情况调查表附表四 K公司企业安全文化建设问卷统计表
续表二
附录三 K公司企业安全文化建设情况调查表 您的基本情况（为方便统计，请在与您情况相符的选项字母下打“√”） 1、您的性别： A.男 B.女 2、您的年龄： A.20-30岁 B.31-40岁 C.41-50岁 D.50岁以上 3、您在的工作时间： A.1年以下 B.1-2年 C.3-5年 D.5年以上 4、您的学历： A.高中以下 B.高中-大专 C.本科 D.硕、博士 5、您的职位类别是： A.班组长 B.职员 C.厂长/经理 D.其他管理层 E.技术人员 一、请回答以下问题（为方便统计，请在与您情况相符的选项字母下打“√”） 6、公司是否有明确的安全发展方向和目标？ A.有 B.没有 C.制定中 D.不清楚 7、公司是否有比较明确、成熟的管理理念和思路？ A.有且非常明确和成熟 B.有且比较明确和成熟 C.有但不够明确和成熟 D.没有，缺乏明确的管理理念和思路 8、公司的发展您认为如何？ A.很好 B.较好 C.一般 D.不怎么样 E.很差 9、在自身的社会责任和企业形象方面您认为公司是否重视？ A.很重视 B.较重视 C.一般 D.不很重视 E.很不重视 10、公司在客户、服务方面您认为重视吗？ A.很重视 B.较重视 C.一般 D.不很重视 E.很不重视 11、公司的对外信誉您认为如何？ A.很好 B.较好 C.一般 D.较差 E.很差 12、您认为您和同事之间的交流、协作情况如何？ A.很好 B.良好 C.一般 D.较差 E.很差 13、公司内部的人际关系在您看来融洽吗？ A.很融洽 B.较融洽 C.一般 D.较差 E.很差 14、关于公司的决策您发表过意见吗？为什么？ A.从来没有，因为不关心 B.没有，因为没机会 C.没有，因为不知道 D.
晶圆（Wafer）制程工藝學習 晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8吋硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料晶圆片。 光学显影 光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。小尺寸之显像分辨率，更在 IC 制程的进步上，扮演着最关键的角色。由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为黄光区。 干式蚀刻技术 在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。 电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带有电荷。 晶圆系置于带负电的阴极之上，因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时，会以垂直角度撞击到晶圆表面。芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻，而后者也是干式蚀刻的重要角色。 基本上，随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同，蚀刻由下列两种模式单独或混会进行： 1. 电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后，将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面，并透过抽气动作将其排出。 2. 电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键，进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击（sputtering）出来。 化学气相沉积技术 化学气相沉积是制造微电子组件时，被用来沉积出某种薄膜(film)的技术，所沉积出的薄膜可能是介电材料(绝缘体)(dielectrics)、导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时，包含有被沉积材料之原子的气体，会被导入受到严密控制的制程反应室内。当这些原子在受热的昌圆表面上起化学反应时，会在晶圆表面产生一层固态薄膜。而此一化学反应通常必须使用单一或多种能量源(例如热能或无线电频率功率)。 CVD制程产生的薄膜厚度从低于0.5微米到数微米都有，不过最重要的是其厚度都必须足够均匀。较为常见的CVD薄膜包括有： ■二气化硅（通常直接称为氧化层） ■氮化硅
制程 目录 读音 释义 编辑本段读音 zhì chéng 编辑本段释义 专指：事物运作程序的处理过程。常指计算机芯片框架的运算速度量。 (process)，指的是接受输入将它处理而转变成为输出的活动。 过程，是对整个生产流程的管理是制程人员最重要的能力。 中国人原先都叫工艺，业务流程重组(business process reengineering)，ISO9000中的过程, 和生产中所讲的工艺和制程, 在英文中都叫process。 制程能力 所谓的制程能力是指工序在一定时间里，处于控制状态(稳定状态)的实际工作能力。制程能力指数是指制程能力满足产品质量标准要求(规格范围等)的程度，或是工序在一定时间里，处于控制状态(稳定状态)下的实际加工能力。它是工序固有的能力，或者说它是工序保证质量的能力。这里所指的工序，是指操作者、机器、原材料、工艺方法和生产环境等五个基本质量因素综合作用的过程，也就是产品质量的生产过程。产品质量就是工序中的各个质量因素所起作用的综合表现。对于任何生产过程，产品质量总是分散地存在着。若工序能力越高，则产品质量特性值的分散就会越小；若工序能力越低，则产品质量特性值的分散就会越大。 在管理状态的制程上，该制程具有达成品质的能力，称为制程能力。正确地维持作业的条件或标准且在计数上、经济上良好且安定的制程上，量测产品的品质特性，通常以或有时仅以6 来表示。 制程能力指标(process capability indices ( 与))：制程能力指标是一些简洁之数值，用来表示制程符合产品规格之能力。指标之值可视为
制程之潜在能力，亦即当制程平均值可调到规格中心或目标值时，制程符合规格之能力。指标之值与指标类似，但将制程平均值纳入考虑。 制程能力分析(process capability analysis)：在产品生产周期内统计技术可用来协助制造前之开发活动、制程变异性之数量化、制程变异性相对於产品规格之分析及协助降低制程内变异性。这些工作一般称为制程能力分析(process capability analysis)。
COB工艺制程简介 1.芯片的焊线连接： 1.1芯片直接封装简介： 现代消费性电子产品逐渐走向轻、薄、短、小的潮流下，COB（Chip On Board）已成为一种普遍的封装技术。COB的关键技术在于Wire Bonding（俗称打线）及Molding （封胶成型），是指对裸露的集成电路芯片(IC Chip)，进行封装，形成电子组件的制程，其中IC藉由焊线(Wire Bonding)、覆晶接合(Flip Chip)、或卷带接合(Tape Automatic Bonding；简称TAB)等技术，将其I/O经封装体的线路延伸出来。 集成电路芯片必须依照设计和外界的电路连接，方能成为具有一定功能的电子组件就如我们所看到的"IC"就是这种已封装好、有外引脚的封装的集成电路。 1.2芯片的焊线连接方式简介： IC芯片必须与封装基板完成电路连接才能发挥既有的功能，现时市面上流行的焊线连接方式有三类 :打线接合(Wire Bonding)、卷带自动接合(Tape Automated Bonding，TAB)与覆晶接合(Flip Chip，FC)，分述如下： 1.2.1打线接合（Wire Bonding） 打线接合是最早亦为目前应用最广的技术，此技术首先将芯片固定于导线架上，再以细金属线将芯片上的电路和导线架上的引脚相连接。而随着近年来其它技术的兴起，打线接合技术正受到挑战，其市场占有比例亦正逐渐减少当中。但由于打线接合技术之简易性及便捷性，加上长久以来与之相配合之机具、设备及相关技术皆以十分成熟，因此短期内打线接合技术似乎仍不大容易为其它技术所淘汰。 图1.2a打线接合的示意图
1.2.2卷带式自动接合（Tape Automated Bonding，TAB） 卷带式自动接合技术首先于1960年代由通用电子（GE）提出。卷带式自动接合制程，即是将芯片与在高分子卷带上的金属电路相连接。而高分子卷带之材料则以polyamide为主，卷带上之金属层则以铜箔使用最多。卷带式自动接合具有厚度薄、接脚间距小且能提供高输出/入接脚数等优点，十分适用于需要重量轻、体积小之IC产品上。 图1.2a 卷带式基本架构 1.2.3覆晶接合（Flip Chip） 覆晶式接合为IBM于1960年代中首先开发而成。其技术乃于晶粒之金属垫上生成焊料凸块，而于基版上生成与晶粒焊料凸块相对应之接点，接着将翻转之晶粒对准基版上之接点将所有点接合覆晶接合具有最短连接长度、最佳电器特性、最高输出/入接点密度且能缩小IC尺寸，增加单位晶圆产能，已被看好为未来极具潜力之封装方式。 图1.2b 覆晶接合技术示意图 1.3芯片的焊线连接的应用和优点： 封装是指电子产品的生产过程中，将各种电子组件，依需要组装接连的所有制程，其功能在于电源分布，讯号分布，散热功能，保护功能并提供足够的机械强度.
1、目的：规层压工序制程能力的管控。 2、围：适用于层压工序制程能力的管控。 3、职责： 3.1层压工序工艺工程师按规要求管控该工序制程能力； 3.2技术中心负责该规的编制与更新。 5、制程目标 5.1产品能力：详见附件三《层压工序产品能力参数表》 5.2设备能力：详见附件二《层压工序设备能力参数表》 5.3制程能力：详见附件四《层压工序制程能力参数表》 6、工序资源 6.1设备资源：详见附件六《层压工序设备列表》 6.2物料资源：详见附件五《层压工序物料列表》 7、基本原理 7.1棕化 层芯板经过棕化处理后，在铜面形成一层均匀的棕色有机金属膜，可增强铜面与半固化片的结合力，同时在高温压合过程中，阻止铜与半固化片的氨基发生反应。产品实现的基本原理有药水作用原理、设备作用原理等。 7.1.1棕化反应机理 7.1.1.1酸洗 酸洗的主要作用是去除铜表面氧化物，中和残余退膜液，粗化铜面，保证稳定的微蚀、成膜及着色。酸洗段的主要成分为过硫酸钠（NaPS）、H2SO4。其反应机理如下： Cu+CuO+H2SO4+Na2S2O8→2CuSO4+Na2SO4+H2O 影响酸洗效果的因素及影响趋势如下：
7.1.1.2碱洗 碱洗的主要作用是去除铜表面的油污、手指印、轻微氧化物及抗蚀剂残渣。碱式除油剂主要成分为NaOH和H2O。其反应过程是利用热碱溶液对油脂的皂化作用和乳化作用来进行除油。 7.1.1.3水洗 棕化线在酸洗、碱洗、棕化之后均有水洗段，主要目的是去除酸洗、碱洗、棕化缸在板面残留的药水，避免污染下一道工序。 7.1.1.4预浸 预浸的主要作用是活化铜表面以利于棕化处理快速均匀，增强结合力。预浸段的主要成分为活化剂（成分为苯并三唑，乙二醇单异丙基醚和水）。
芯片制程（以 Intel 芯片为例） 如果问及芯片的原料是什么，大家都会轻而易举的给出答案——是硅。这是不假，但硅又来自哪里呢？其实就是那些最不起眼的沙子。难以想象吧，价格昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的芯片竟然来自那根本一文不值的沙子。当然这中间必然要经历一个复杂的制造过程才行。 下面，就让我们跟随芯片的制作流程，了解这从“沙子”到“黄金”的神秘过程吧！ （以 Intel 芯片为例）
芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节，其中晶片片制作过程尤为的复杂。 精密的芯片其制造过程非常的复杂 首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的“图样”1，芯片的原料晶圆晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体需要的晶圆。晶圆越薄，成产的成本越低，但对工艺就要求的越高。2，晶圆涂膜晶圆涂膜能抵抗氧化以及耐温能力，其材料为光阻的一种。3，晶圆光刻显影、蚀刻该过程使用了对紫外光敏感的化学物质，即遇紫外光则变软。通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。这是可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了，
而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。 4、搀加杂质将晶圆中植入离子，生成相应的P、N类半导体。具体工艺是是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中。这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据。简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将这一流程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来。这一点类似所层PCB板的制作制作原理。更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构。 5、晶圆测试经过上面的几道工艺之后，晶圆上就形成了一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，组织一次针测试模式是非常复杂的过程，这要求了在生产的时候尽量是同等芯片规格构造的型号的大批量的生产。数量越大相对成本就会越低，这也是为什么主流芯片器件造价低的一个因素。 6、封装将制造完成晶圆固定，绑定引脚，按照需求去制作成各种不同的封装形式，这就是同种芯片内核可以有不同的封装形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN 等等。这里主要是由用户的应用习惯、应用环境、市场形式等外围因素来决定的。 7、测试、包装经过上述工艺流程以后，芯片制作就已经全部完成了，这一步骤是将芯片进行测试、剔除不良品，以及包装
霍尔元件的晶圆制造的工艺技术 霍尔元件的晶圆，始于薄的圆柱型晶硅，直径一般分150毫米（6英寸）、200毫米（8英寸）、300毫米（12英寸），通过在晶圆上镀上各种材料成为多层膜和几何图形，最终产生出成千上万很小的电子器件。 霍尔IC晶圆的制造过程可划分为前道（Front-end）和后道（Back-end），前道包括晶圆处理工序（Wafer Fabrication）和晶圆针测工序（Wafer Probe），后道包括封装工序（Packaging）和测试工序（Initial Test and Final Test）。晶圆的整个制造过程中会涉及到很多物理、化学过程。 一、霍尔IC元件晶圆制造的前道（Front-end） 1、晶圆处理工序Wafer Fabrication 本工序的主要工作是在晶圆上制作磁路和电路，其处理程序的基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化和物理/化学气相沉积，然后进行镀膜、光刻、刻蚀、回火等反复步骤，最终在晶圆上完成磁性传感器霍尔芯片的加工与制作。
晶圆处理工序 工艺过程注释： 【光刻Lithography】：光刻的过程包括涂胶、曝光和显影。涂胶是在基片表面均匀涂上一层光刻胶。光刻胶主要由对光与能量非常敏感的感光高分子聚合物和有机溶剂（稀释剂）组成，前者是光刻胶的主体，主要成分为脂肪质酰亚胺聚合物、聚酰胺等，后者是光刻胶的介质，主要成分为环戊酮，丙二醇单甲醚等。为使光刻胶牢固附着在基片表面，均匀涂胶后要进行烘干。在烘干过程当中，光刻胶中的有机溶剂挥发成为有机废气，而光刻胶中的高分子聚合物和光敏剂等作为涂层牢固地附着在基片表面。光刻胶对紫外光敏感，被光照过后发生化学变化，从而变得容易被显影液去除，而没有被光照过的光刻胶则不会在显影工序中去掉。曝光就是利用光刻胶的这种特性，使用光刻机将事先设计好的电路通过掩膜版将电路图案转移到基片表面。显影是用显影液将感光的光刻胶去除，在光刻胶上形成沟槽，使下面的基片表面暴露出来，以便于下一道工序进行操作。 【离子刻蚀Ion Milling】：离子刻蚀是用离子轰击的方法去除基片表面所不需要部分的工艺。其具体流程为刻蚀气体通入反应室（通常为氩气），在反应室两端高电压作用下，电场将氩气分解电离，形成正的氩离子和负的电子。正的氩离子在电场的作用下向放置有基片的负极移动，在移动过程中不断加速，最终轰击在基片的表面上，将基片表面的原子吸附并带走，最终实现基片表面材料刻蚀这一步骤。
二极管芯片扩散制程分绍 一、分类： 在扩散制程中，依照产品不同，在供货商无法细分类时，需选择合适之芯 片阻值及厚度，利用球型测量仪及四点探针将其分类后，方可扩散出合适 之电性。 二、清洗：（表面清洗） 1、清洗的目的是为了去除硅晶圆表面上的氧化层及杂质，包括重金 属如铁、铜、油污和尘埃等。不同制程之前，大多需经过一道或 几道的清洗，有些公司用酸类，将芯片表面减薄，即以HNO 3 （硝 酸）、CH 3 COOH（冰醋酸）、HF（氢氟酸）、以5：0：1的配比，有些公司则利用哈摩粉（HAEM-SOL）为清洗材料。 2、在此硝酸与硅芯片起反应生成二氧化硅之氧化硅（SIO 2 ）再由氢氟酸将二氧化硅之氧化层去除，冰醋酸则可降低酸温之反应速 度。尿素则为缓冲用。 3、因此道工序使用的混合酸亦有将芯片表面之厚度蚀刻减薄之作 用，时间上控制及酸温相当重要，清洗后亦需抽测厚度是否属于 正常范围内。（亦可用氢氧化钾-KOH） 4、清洗后应即刻去做完磷扩，以避免芯片表面再度氧化及污染，未 及时进炉，则应置于氮氧柜内，在8小时内，应做完磷硼扩。 5、清洗所用的水为去离子水（D. I. WATER）12M奥姆-18M奥姆-CM 左右。 三、磷扩散（P） 1、将磷纸（主要成分为P 2O 5 和AL 2 O 3 ）和N型基材（RAW. WAFER）之 硅芯片层层堆栈，紧密压重后以１２５００Ｃ之高温，４–１２ＨＲ不等（依产品）时间，磷即可掺入硅芯片表面成为负型硅（N-TYPE），二极管之Ｎ面即在此产生。（磷纸为Ｐ35或P70K）２、Ｎ型半导体中，其主要带电粒子为带负电的电子。纯粹的硅在室温不易导电，加入磷（Ｐ）或硼（Ｂ）取代硅的位置就会产生自由电子或自由电洞，加以偏压后就可轻易导电。 ３、以ＲＧＰ为例，有的公司以磷ˊ硼一次扩散，并在扩散中加入氮气及氧化（４：１）或（５：１）并适当的抽风换气，因硅在扩散氧化时会产生一些缺陷，如空洞，这些缺陷会有助于掺质子硅扩散速度，另外由于驱入是利用原子的扩散，因此其方向是多方均等，甚至有可能从芯片基座向外扩散（OUT–DIFFUSION），通氧气可阻止掺质硅向外扩散。
1.目的 根据现有PCB供应商的设备条件、工艺基础、管理水平，以及研发部PCB设计的工艺需求，规定公司对PCB供应商现在及未来批量生产的制程水准的要求。用于指导PCB的设计、指引PCB供应商制程能力的开发、指导新PCB供应商的开发和认证，同时作为PCB 供应商与我司的一个基本约定，指导合同评审和问题仲裁。 2．引用/参考标准或资料 IEC-60194 印制板设计、制造与组装术语与定义 IPC-6011 印制板通用性能规范 IPC-6012A 刚性印制板鉴定及性能规范 IPC-A-600F 印制板的验收条件 3．名词解释 3.1 一般名词 双面印制板（Double-side printed board）：两面均有导电图形的印制板。本文特指只有两层的PCB板，通常简称“双面板”。 多层印制板（Multilayer printed board）：三层或更多层印制板线路和/或印制电路层由刚性或挠性绝缘材料交替粘合到一起并作电气互连的印制板的通称。简称“多层板”。 金属芯印制板（Metal core printed board）：采用金属芯基材的印制板。通常用铝、铜、铁作为金属芯。 刚性印刷板（Rigid printed board）：仅使用刚性基材的印制板。 挠性印刷板（Flexible printed board）：应用挠性基材的单面、双面或多层印制电路或印刷线路组成的印制板。 铜厚（Copper thickness）：PCB制作要求中所标注的铜厚度为最终铜厚，即：铜箔厚度+镀层铜厚。 厚铜箔印制板（Thick-copper printed board）：任意一层铜厚的设计标称值超过（不包括）2oz/70um的印制板，通称为厚铜箔印制板。简称“厚铜板”。 成品厚度（Production board thickness或Thickness of finished board）：最终成品板的厚度，包括阻焊厚度，不包括蓝胶或其他暂时性的包装物、保护性粘接纸等。简称“板厚”。 3.2 等级定义 进行等级定义的目的： 1、评价和区分PCB供应商的能力，明确对供应商的技术要求，牵引其改善； 2、评价PCB的可生产性，以牵引PCB的设计，降低制造难度，扩大制程的工艺窗口。 工序的技术能力等级有别于最终成品的验收等级，即运用不同能力生产的产品，最终检验标准可能一样。比如不同的线宽、间距能力，最终都不能有短路、断路等缺陷。 技术的发展、新标准的推行、客户要求的提升也在推动PCB的进步，因此规范中的制程能力等级会发生变化，比如新设备的应用、新技术的开发、工艺管制水平提高等，等级会