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半导体硅片抛光液项目可行性研究报告

半导体硅片抛光液项目可行性研究报告
半导体硅片抛光液项目可行性研究报告

专业编写

半导体硅片抛光液项目可行性研究报告

《十三五规划》

核心提示:半导体硅片抛光液项目投资环境分析,半导体硅片抛光液项目背景和发展概况,半导体硅片抛光液项目建设的必要性,半导体硅片抛光液行业竞争格局分析,半导体硅片抛光液行业财务指标分析参考,半导体硅片抛光液行业市场分析与建设规模,半导体硅片抛光液项目建设条件与选址方案,半导体硅片抛光液项目不确定性及风险分析,半导体硅片抛光液行业发展趋势分析

提供国家发改委(甲、乙、丙)级资质

中投信德——专业编写各类商务报告

【主要用途】发改委立项、政府批地、贷款融资、环评、申请国家补助资金等【交付方式】特快专递、E-mail

【交付时间】2-3个工作日

【报告格式】Word格式、PDF格式

【报告价格】此报告为委托项目报告,具体价格根据具体的要求协商

【工程师】高建(先生)会给您满意的答复

【报告说明】

本报告是针对行业投资可行性研究咨询服务的专项研究报告,此报告为个性化定制服务报告,我们将根据不同类型及不同行业的项目提出的具体要求,修订报告目录,并在此目录的基础上重新完善行业数据及分析内容,为企业项目立项、批地、融资提供全程指引服务。

可行性研究报告是在制定某一建设或科研项目之前,对该项目实施的可能性、有效性、技术方案及行业政策进行具体、深入、细致的技术论证和经济评价,以求确定一个在技术上合理、经济上合算的最优方案和最佳时机而写的书面报告。可行性研究报告主要内容是要求以全面、系统的分析为主要方法,经济效益为核心,围绕影响项目的各种因素,运用大量的数据资料论证拟建项目是否可行。对整个可行性研究提出综合分析评价,指出优缺点和建议。为了结论的需要,往往还需要加上一些附件,如试验数据、论证材料、计算图表、附图等,以增强可行性报告的说服力。

可行性研究是确定建设项目前具有决定性意义的工作,是在投资决策之前,对拟建项目进行全面技术经济分析论证的科学方法,在投资管理中,可行性研究是指对拟建项目有关的自然、社会、经济、技术等进行调研、分析比较以及预测建成后的社会经济效益。在此基础上,综合论证项目建设的必要性,财务的盈利性,经济上的合理性,技术上的先进性和适应性以及建设条件的可能性和可行性,从而为投资决策提供科学依据。

投资可行性报告咨询服务分为政府审批核准用可行性研究报告和融资用可

行性研究报告。审批核准用的可行性研究报告侧重关注项目的社会经济效益和影响;融资用报告侧重关注项目在经济上是否可行。具体概括为:政府立项审批,产业扶持,银行贷款,融资投资、投资建设、境外投资、上市融资、中外合作,股份合作、组建公司、征用土地、申请高新技术企业等各类可行性报告。

报告通过对项目的市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等方面的研究调查,在行业专家研究经验的基础上对项目经济效益及社会效益进行科学预测,从而为客户提供全面的、客观的、可靠的项目投资价值评估及项目建设进程等咨询意见。

可行性研究报告大纲(具体可根据客户或法改委大纲进行调整)

为客户提供国家发委(甲乙丙)级资质

专业编写:

半导体硅片抛光液项目建议书

半导体硅片抛光液项目申请报告

半导体硅片抛光液项目环评报告

半导体硅片抛光液项目商业计划书

半导体硅片抛光液项目资金申请报告

半导体硅片抛光液项目节能评估报告

半导体硅片抛光液项目规划设计咨询

半导体硅片抛光液项目可行性研究报告

第一章半导体硅片抛光液项目总论

第一节半导体硅片抛光液项目背景

一、半导体硅片抛光液项目名称

二、半导体硅片抛光液项目承办单位

三、半导体硅片抛光液项目主管部门

四、半导体硅片抛光液项目拟建地区、地点

五、承担可行性研究工作的单位和法人代表

六、半导体硅片抛光液项目可行性研究报告编制依据

七、半导体硅片抛光液项目提出的理由与过程

第二节可行性研究结论

一、市场预测和项目规模

二、原材料、燃料和动力供应

三、选址

四、半导体硅片抛光液项目工程技术方案

五、环境保护

六、工厂组织及劳动定员

七、半导体硅片抛光液项目建设进度

八、投资估算和资金筹措

九、半导体硅片抛光液项目财务和经济评论

十、半导体硅片抛光液项目综合评价结论

第三节主要技术经济指标表

第四节存在问题及建议

第二章半导体硅片抛光液项目投资环境分析

第一节社会宏观环境分析

第二节半导体硅片抛光液项目相关政策分析

一、国家政策

二、半导体硅片抛光液行业准入政策

三、半导体硅片抛光液行业技术政策

第三节地方政策

第三章半导体硅片抛光液项目背景和发展概况

第一节半导体硅片抛光液项目提出的背景

一、国家及半导体硅片抛光液行业发展规划

二、半导体硅片抛光液项目发起人和发起缘由

第二节半导体硅片抛光液项目发展概况

一、已进行的调查研究半导体硅片抛光液项目及其成果

二、试验试制工作情况

三、厂址初勘和初步测量工作情况

四、半导体硅片抛光液项目建议书的编制、提出及审批过程

第三节半导体硅片抛光液项目建设的必要性

一、现状与差距

二、发展趋势

三、半导体硅片抛光液项目建设的必要性

四、半导体硅片抛光液项目建设的可行性

第四节投资的必要性

第四章市场预测

第一节半导体硅片抛光液产品市场供应预测

一、国内外半导体硅片抛光液市场供应现状

二、国内外半导体硅片抛光液市场供应预测

第二节产品市场需求预测

一、国内外半导体硅片抛光液市场需求现状

二、国内外半导体硅片抛光液市场需求预测

第三节产品目标市场分析

一、半导体硅片抛光液产品目标市场界定

二、市场占有份额分析

第四节价格现状与预测

一、半导体硅片抛光液产品国内市场销售价格

二、半导体硅片抛光液产品国际市场销售价格

第五节市场竞争力分析

一、主要竞争对手情况

二、产品市场竞争力优势、劣势

三、营销策略

第六节市场风险

第五章半导体硅片抛光液行业竞争格局分析

第一节国内生产企业现状

一、重点企业信息

二、企业地理分布

三、企业规模经济效应

四、企业从业人数

第二节重点区域企业特点分析

一、华北区域

二、东北区域

三、西北区域

四、华东区域

五、华南区域

六、西南区域

七、华中区域

第三节企业竞争策略分析

一、产品竞争策略

二、价格竞争策略

三、渠道竞争策略

四、销售竞争策略

五、服务竞争策略

六、品牌竞争策略

第六章半导体硅片抛光液行业财务指标分析参考第一节半导体硅片抛光液行业产销状况分析

第二节半导体硅片抛光液行业资产负债状况分析

第三节半导体硅片抛光液行业资产运营状况分析

第四节半导体硅片抛光液行业获利能力分析

第五节半导体硅片抛光液行业成本费用分析

第七章半导体硅片抛光液行业市场分析与建设规模第一节市场调查

一、拟建半导体硅片抛光液项目产出物用途调查

二、产品现有生产能力调查

三、产品产量及销售量调查

四、替代产品调查

五、产品价格调查

六、国外市场调查

第二节半导体硅片抛光液行业市场预测

一、国内市场需求预测

二、产品出口或进口替代分析

三、价格预测

第三节半导体硅片抛光液行业市场推销战略

一、推销方式

二、推销措施

三、促销价格制度

四、产品销售费用预测

第四节半导体硅片抛光液项目产品方案和建设规模

一、产品方案

二、建设规模

第五节半导体硅片抛光液项目产品销售收入预测

第八章半导体硅片抛光液项目建设条件与选址方案第一节资源和原材料

一、资源评述

二、原材料及主要辅助材料供应

三、需要作生产试验的原料

第二节建设地区的选择

一、自然条件

二、基础设施

三、社会经济条件

四、其它应考虑的因素

第三节厂址选择

一、厂址多方案比较

二、厂址推荐方案

第九章半导体硅片抛光液项目应用技术方案

第一节半导体硅片抛光液项目组成

第二节生产技术方案

一、产品标准

二、生产方法

三、技术参数和工艺流程

四、主要工艺设备选择

五、主要原材料、燃料、动力消耗指标

六、主要生产车间布置方案

第三节总平面布置和运输

一、总平面布置原则

二、厂内外运输方案

三、仓储方案

四、占地面积及分析

第四节土建工程

一、主要建、构筑物的建筑特征与结构设计

二、特殊基础工程的设计

三、建筑材料

四、土建工程造价估算

第五节其他工程

一、给排水工程

二、动力及公用工程

三、地震设防

四、生活福利设施

第十章半导体硅片抛光液项目环境保护与劳动安全

第一节建设地区的环境现状

一、半导体硅片抛光液项目的地理位置

二、地形、地貌、土壤、地质、水文、气象

三、矿藏、森林、草原、水产和野生动物、植物、农作物

四、自然保护区、风景游览区、名胜古迹、以及重要政治文化设施

五、现有工矿企业分布情况

六、生活居住区分布情况和人口密度、健康状况、地方病等情况

七、大气、地下水、地面水的环境质量状况

八、交通运输情况

九、其他社会经济活动污染、破坏现状资料

十、环保、消防、职业安全卫生和节能

第二节半导体硅片抛光液项目主要污染源和污染物

一、主要污染源

二、主要污染物

第三节半导体硅片抛光液项目拟采用的环境保护标准

第四节治理环境的方案

一、半导体硅片抛光液项目对周围地区的地质、水文、气象可能产生的

影响

二、半导体硅片抛光液项目对周围地区自然资源可能产生的影响

三、半导体硅片抛光液项目对周围自然保护区、风景游览区等可能产生

的影响

四、各种污染物最终排放的治理措施和综合利用方案

五、绿化措施,包括防护地带的防护林和建设区域的绿化

第五节环境监测制度的建议

第六节环境保护投资估算

第七节环境影响评论结论

第八节劳动保护与安全卫生

一、生产过程中职业危害因素的分析

二、职业安全卫生主要设施

三、劳动安全与职业卫生机构

四、消防措施和设施方案建议

第十一章企业组织和劳动定员

第一节企业组织

一、企业组织形式

二、企业工作制度

第二节劳动定员和人员培训

一、劳动定员

二、年总工资和职工年平均工资估算

三、人员培训及费用估算

第十二章半导体硅片抛光液项目实施进度安排第一节半导体硅片抛光液项目实施的各阶段

一、建立半导体硅片抛光液项目实施管理机构

二、资金筹集安排

三、技术获得与转让

四、勘察设计和设备订货

五、施工准备

六、施工和生产准备

七、竣工验收

第二节半导体硅片抛光液项目实施进度表

一、横道图

二、网络图

第三节半导体硅片抛光液项目实施费用

一、建设单位管理费

二、生产筹备费

三、生产职工培训费

四、办公和生活家具购置费

五、勘察设计费

六、其它应支付的费用

第十三章投资估算与资金筹措

第一节半导体硅片抛光液项目总投资估算

一、固定资产投资总额

二、流动资金估算

第二节资金筹措

一、资金来源

二、半导体硅片抛光液项目筹资方案

第三节投资使用计划

一、投资使用计划

二、借款偿还计划

第十四章财务与敏感性分析

第一节生产成本和销售收入估算

一、生产总成本估算

二、单位成本

三、销售收入估算

第二节财务评价

第三节国民经济评价

第四节不确定性分析

第五节社会效益和社会影响分析

一、半导体硅片抛光液项目对国家政治和社会稳定的影响

二、半导体硅片抛光液项目与当地科技、文化发展水平的相互适应性

三、半导体硅片抛光液项目与当地基础设施发展水平的相互适应性

四、半导体硅片抛光液项目与当地居民的宗教、民族习惯的相互适应性

五、半导体硅片抛光液项目对合理利用自然资源的影响

六、半导体硅片抛光液项目的国防效益或影响

七、对保护环境和生态平衡的影响

第十五章半导体硅片抛光液项目不确定性及风险分析

第一节建设和开发风险

第二节市场和运营风险

第三节金融风险

第四节政治风险

第五节法律风险

第六节环境风险

第七节技术风险

第十六章半导体硅片抛光液行业发展趋势分析

第一节我国半导体硅片抛光液行业发展的主要问题及对策研究

一、我国半导体硅片抛光液行业发展的主要问题

二、促进半导体硅片抛光液行业发展的对策

第二节我国半导体硅片抛光液行业发展趋势分析

第三节半导体硅片抛光液行业投资机会及发展战略分析

一、半导体硅片抛光液行业投资机会分析

二、半导体硅片抛光液行业总体发展战略分析

第四节我国半导体硅片抛光液行业投资风险

一、政策风险

二、环境因素

三、市场风险

四、半导体硅片抛光液行业投资风险的规避及对策

第十七章半导体硅片抛光液项目可行性研究结论与建议

第一节结论与建议

一、对推荐的拟建方案的结论性意见

二、对主要的对比方案进行说明

三、对可行性研究中尚未解决的主要问题提出解决办法和建议

四、对应修改的主要问题进行说明,提出修改意见

五、对不可行的项目,提出不可行的主要问题及处理意见

六、可行性研究中主要争议问题的结论

第二节我国半导体硅片抛光液行业未来发展及投资可行性结论及建议

第十八章财务报表

第一节资产负债表

第二节投资受益分析表

第三节损益表

第十九章半导体硅片抛光液项目投资可行性报告附件

1、半导体硅片抛光液项目位置图

2、主要工艺技术流程图

3、主办单位近5年的财务报表

4、半导体硅片抛光液项目所需成果转让协议及成果鉴定

5、半导体硅片抛光液项目总平面布置图

6、主要土建工程的平面图

7、主要技术经济指标摘要表

8、半导体硅片抛光液项目投资概算表

9、经济评价类基本报表与辅助报表

10、现金流量表

11、现金流量表

12、损益表

13、资金来源与运用表

14、资产负债表

15、财务外汇平衡表

16、固定资产投资估算表

17、流动资金估算表

18、投资计划与资金筹措表

19、单位产品生产成本估算表

20、固定资产折旧费估算表

21、总成本费用估算表

22、产品销售(营业)收入和销售税金及附加估算表

服务流程:

1.客户问询,双方初步沟通;

2.双方协商报告编制费、并签署商务合同;

3.我方保密承诺(或签保密协议),对方提交资料。

专家答疑

一、可行性研究报告定义

可行性研究报告,简称可研报告,是在制订生产、基建、科研计划的前期,通过全面的调查研究,分析论证某个建设或改造工程、某种科学研究、某项商务活动切实可行而提出的一种书面材料。

可行性研究报告主要是通过对项目的主要内容和配套条件,如市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等,从技术、经济、工程等方面进行调查研究和分析比较,并对项目建成以后可能取得的财务、经济效益及社会影响进行预测,从而提出该项目是否值得投资和如何进行建设的咨询意见,为项目决策提供依据的一种综合性分析方法。可行性研究具有预见性、公正性、可靠性、科学性的特点。

一般来说,可行性研究是以市场供需为立足点,以资源投入为限度,以科学方法为手段,以一系列评价指标为结果,它通常处理两方面的问题:一是确定项目在技术上能否实施,二是如何才能取得最佳效益。

二、可行性研究报告的用途

项目可行性研究报告是项目实施主体为了实施某项经济活动需要委托专业

研究机构编撰的重要文件,其主要体现在如下几个方面作用:

1. 用于向投资主管部门备案、行政审批的可行性研究报告

根据《国务院关于投资体制改革的决定》国发(2004)20号的规定,我国对不使用政府投资的项目实行核准和备案两种批复方式,其中核准项目向政府部门提交项目申请报告,备案项目一般提交项目可行性研究报告。

同时,根据《国务院对确需保留的行政审批项目设定行政许可的决定》,对某些项目仍旧保留行政审批权,投资主体仍需向审批部门提交项目可行性研究报告。

2. 用于向金融机构贷款的可行性研究报告

我国的商业银行、国家开发银行和进出口银行等以及其他境内外的各类金融机构在接受项目建设贷款时,会对贷款项目进行全面、细致的分析平谷,银行等金融机构只有在确认项目具有偿还贷款能力、不承担过大的风险情况下,才会同意贷款。项目投资方需要出具详细的可行性研究报告,银行等金融机构只有在确认项目具有偿还贷款能力、不承担过大的风险情况下,才会同意贷款。

3. 用于企业融资、对外招商合作的可行性研究报告

此类研究报告通常要求市场分析准确、投资方案合理、并提供竞争分析、营销计划、管理方案、技术研发等实际运作方案。

4. 用于申请进口设备免税的可行性研究报告

主要用于进口设备免税用的可行性研究报告,申请办理中外合资企业、内资企业项目确认书的项目需要提供项目可行性研究报告。

5. 用于境外投资项目核准的可行性研究报告

企业在实施走出去战略,对国外矿产资源和其他产业投资时,需要编写可行性研究报告报给国家发展和改革委或省发改委,需要申请中国进出口银行境外投资重点项目信贷支持时,也需要可行性研究报告。

6. 用于环境评价、审批工业用地的可行性研究报告

我国当前对项目的节能和环保要求逐渐提高,项目实施需要进行环境评价,项目可行性研究报告可以作为环保部门审查项目对环境影响的依据,同时项目可行性研究报告也作为向项目建设所在地政府和规划部门申请工业用地、施工许可证的依据。

三、可行性研究报告的编制依据

——国家有关的发展规划、计划文件。包括对该行业的鼓励、特许、限制、禁止等有关规定;

——项目主管部门对项目建设要请示的批复;

——项目审批文件;

——项目承办单位委托进行详细可行性分析的合同或协议;

——企业的初步选择报告;

——主要工艺和装置的技术资料;

——拟建地区的环境现状资料;

——项目承办单位与有关方面签订的协议,如投资、原料供应、建设用地、运输等方面的初步协议;

——国家和地区关于工业建设的法令、法规。如“三废”排放标准、土地法规、劳动保护条例等;

——国家有关经济法规、规定。如中外合资企业法、税收、外资、贷款等规定;国家关于建设方面的标准、规范、定额资料等。

在项目可行性研究报告编制过程中,尤其是对项目做财务、经济评价时,还需要参考如下相关文件:

1、《中华人民共和国会计法》,[主席令第24号],2000年1月1日起实施;

2、《企业会计准则》,[财政部令第5号],2007年1月1日起实施;

3、《中华人民共和国企业所得税法实施条例》,[国务院令第512号],2008年1月1日起实施;

4、《中华人民共和国增值税暂行条例实施细则》,[财政部、国家税务总局令

第50号]2009年1月1日起实施;

5、《建设项目经济评价方法与参数(第三版)》,国家发展与改革委员会2006年审核批准施行;

6、项目必须遵守的国内外其他工商税务法律文件等。

四、可研报告编制收费标准及时间

1、收费标准

序号

投资额

(亿元)

报告编制费

(万元)

资质盖章费

(万元)

项目收费

(万元)

1 0.0—10 0.5 1.3(甲级) 1.8

0.5 0.7(乙级) 1.2

0.5 0.3(丙级)0.8 2 10—100 0.8 1.3(甲级) 2.1

0.8 0.7(乙级) 1.5

0.8 0.3(丙级) 1.1 3 100亿以上 1 2(甲级) 3

1 1(乙级) 2

1 0.6(丙级) 1.6

2、业务流程

3、付款方式

客户提供资料,签署商务合同后,支付50%预付款,报告编制时间为2-3个工作日,报告完成后,客户收到电子版确认没问题后,支付余款50%,报告修改免费,时效6个月。

五、提供国家发改委工程咨询资质(甲乙丙)级

包括专业:公路、铁路、城市轨道交通、民航、水电、核电、核工业、火电、煤炭、石油天然气、石化、化工、医药、建筑材料、机械、电子、轻工、纺织、化纤、钢铁、有色冶金、农业、林业、通信信息、广播电影电视、水文地质、工程测量、岩土工程、港口、河海工程、生态建设和环境工程、市政公用工程、建筑、城市规划、综合经济、其他

证书样本

六、我们的优势

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2、专业的咨询团队

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3、丰富案例经验

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4、精准的数据库支持

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中投信德产业研究中心的权威投资分析专家一定会给予您满意的答复。

可研报告客户提供材料清单

以下资料,能提供的尽量提供,提供不了的,空着即可。

1、项目简介

2、项目规模投资额

3、项目场址:地理位置、当地优惠政策、占地面积、土地使用情况

4、工程建设:建设面积、主要建筑物、规划结构

5、项目主要设施:设施名称、规格、来源、数量

6、能源(水、电等)使用量、价格

7、工作人员:人员组织机构、人员配置

8、项目建设工期

9、项目建筑工程费用、设备清单、设施费用

10、项目营销方案

11、资金筹措措施

12、公司近3-5年的财务状况

13、规划部门、土地管理部门对本项目的审批意见

注:

1、关于以上部分内容可参照下面表格填写。

2、对于新建项目或对相关信息不能做出正确答复的,请咨询我公司进行解决。

一、项目的基本信息

项目名称

项目承办单位

项目

承办单位概况

法人代表介绍

主要股东

持股情况

主营业务介绍

近几年财务状况(企业资产、营业收入、

利润等)

3-5年发展规划

项目拟建设地点

项目占地面积

项目性质(新建/扩建/技改等)

项目实施时间安排

(是否分期实施/项目实施起止时间)

项目总投资

项目资金来源

(是否有银行贷款,

如有,贷款金额或者比例)

项目年产量、年销售收入

项目目前的进展情况

项目发起的缘由

二、项目的主要产品

产品名称及规格

(多种产品时应逐一列出)

产品生产采用标准

产品价格的制定

产品优势概括

三、项目的生产资源

原辅料

项目所需原、辅料名称

(应逐一列出)

项目每年所需原、辅料数量

项目所需原辅料来源

能耗

项目所用燃料品种

单晶硅片从切片到抛光清洗的工艺流程

一、硅片生产主要制造流程如下: 切片→倒角→磨片→磨检→CP→CVD→ML→最终洗净→终检→仓入 二、硅片生产制造流程作业实习 1.硅棒粘接:用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接,以利于牢固的 固定在切割机上和方位角的确定。 2.切片(Slice):主要利用内圆切割机或线切割机进行切割,以 获得达到其加工要求的厚度,X、Y方向角,曲翘度的薄硅片。 3.面方位测定:利用X射线光机对所加工出的硅片或线切割前 要加工的硅棒测定其X、Y方位角,以保证所加工的硅片的X、 Y方位角符合产品加工要求。 4.倒角前清洗:主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进 行表面清洗,以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。 5.倒角(BV):利用不同的砥石形状和粒度来加工出符合加工要 求的倒角幅值、倒角角度等,以减少后续加工过程中可能产 生的崩边、晶格缺陷、处延生长和涂胶工艺中所造成的表面 层的厚度不均匀分布。 6.厚度分类:为后续的磨片加工工艺提供厚度相对均匀的硅片 分类,防止磨片中的厚度不均匀所造成的碎片等。 7.磨片(Lapping):去除切片过程中所产生的切痕和表面损伤

层,同时获得厚度均匀一致的硅片。 8.磨片清洗:去除磨片过程中硅片表面的研磨剂等。 9.磨片检查:钠光灯下检查由于前段工艺所造成的各类失效模 式,如裂纹、划伤、倒角不良等。 10.ADE测量:测量硅片的厚度、曲翘度、TTV、TIR、FPD等。 11.激光刻字:按照客户要求对硅片进行刻字。 12.研磨最终清洗:去除硅片表面的有机物和颗粒。 13.扩大镜检查:查看倒角有无不良和其它不良模式。 14.CP前洗:去除硅片表面的有机物和颗粒。 15.CP(Chemical Polishing):采用HNO3+HF+CH3COOH溶液腐蚀去 除31um厚度,可有效去除表面损伤层和提高表面光泽度。 16.CP后洗:用碱和酸分别去除有机物和金属离子。 17.CP检查:在荧光灯和聚光灯下检查表面有无缺陷和洗污,以 及电阻率、PN判定和厚度的测量分类。 18.DK(Donar Killer):利用退火处理使氧原子聚为基团,以稳 定电阻率。 19.IG(Intrinsic Gettering):利用退火处理使氧原子形成二次 缺陷以吸附表面金属杂质。 20.BSD(Back Side Damage):利用背部损伤层来吸附金属杂质。 21.CVD前洗:去除有机物和颗粒。 22.LP-CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition):高温分 解SiH4外延出多晶硅达到增强型的外吸杂。

硅片生产工艺流程与注意要点说明

硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始,到清洁的抛光片结束,以能够在绝好的环境中使用。期间,从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外,整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始,最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类:能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能;能减少不期望的表面损伤的数量;或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的,因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中,每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查

15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片(class 500k) 硅片加工的介绍中,从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗,也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片,硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小,对硅片的损伤也最小,并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程,可以描述为一个研磨的过程,这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后,所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中,很重要的一点就是保持硅片的顺序,因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后,硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码,因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的,用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的,因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深,从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后,即使硅片有遗漏,也能追溯到原来位置,而且如果趋向明了,那么就可以采

2020半导体材料系列报告(6)-硅片:集成电路大厦之基石

半导体材料系列报告(6)硅片:集成电路大厦之基石 发布日期:2020 年06 月24 日

硅片是半导体行业基石,摩尔定律不断催生大尺寸硅片需求 在七种主要半导体材料中,硅片作为半导体集成电路/器件的载体,是当之无愧 的产业基石。硅片制造属于半导体制造的上游环节,是后续的芯片前道工艺与 后道工艺的基础,以单晶硅为主流晶圆材料,直拉法和区熔法为主要的单晶工艺技术路线。半导体硅片制造难度高、下游应用广,是核心的硅片市场。受摩尔定 律影响,硅片为适应芯片制程的进步正朝大尺寸方向发展,硅片尺寸越大,单位 芯片制造的成本越低,边角浪费的硅片越少。 原材料和设备供应商深度参与,行业供给内在逻辑复杂 硅片行业上游是以高纯多晶硅为主的原材料厂商和硅片设备厂商,前者曾一度面临短缺,目前通过国产替代缓解供给压力;后者则深度参与硅片研制,在硅片制造公司的发展过程中起到重要协同作用。目前大硅片制造设备长期被美日韩德等国厂商控制,其中尤以日本厂商为甚。硅片行业内在逻辑较为复杂,下游需求和芯片制程保持同步,大尺寸配合先进制程商用步伐,终端应用结构决定硅片需求层次。短期供需关系、设备厂商提供的资源、投资回报率等一同影响着硅片制造厂商的发展潜力。 海外龙头高度垄断国际市场,大陆厂商逐步奋起直追 硅片行业集中度高,目前被日本、台湾地区、韩国、欧洲厂商高度垄断。2019 年全球大硅片市场日本信越化学市场份额29%、日本SUMCO 集团市场份额23%、中国台湾环球晶圆市场份额16%、德国世创Siltronic AG 市场份额12%、韩国SK Siltron 市场份额12%,前五大厂商总体市场占有率高达92%。行业壁垒较 高,技术为显性壁垒,下游客户的认证为隐性壁垒。大陆硅片厂商于2019 年启动扩产潮,有望切入全球硅片供应链,实现份额和业绩双增厚。本土受益标的包 括大陆规模最大的硅片企业沪硅产业、技术领先的单晶硅供应商中环股份和神工 股份,以及正在上市受理中的立昂微电子等。 产业基金聚焦半导体材料,内生与外延赋能国产硅片进口替代 大基金二期有望聚焦半导体材料,占据产业龙头地位的大硅片企业将受益于资本和技术的集聚效应,进入新一轮强劲增长期。硅片国产化势在必行,国产替代亟 待上游和下游集成电路产业的共同突破,在此过程中,海内外并购重组将为国产硅片行业提供外延动力。另一层面,在供需和库存的共同影响下,大硅片已进 入涨价周期。5G 技术的革新以及芯片制程的快速进步,将继续提升硅片整体价格。投资建议 我们认为国产大硅片将迎来突破,行业领先的厂商值得重点关注,重点关注沪 硅产业、中环股份、神工股份、立昂微电等。 风险提示

半导体材料的抛光

半导体材料的抛光 摘要 磨削和研磨等磨料处理是生产半导体晶片必要方式,然而磨削和研磨会导致单晶硅晶片的表面完整性变差。因此抛光和平面化对生产微电子原件来说是十分重要的。这次讲座将会介绍到寄出的抛光过程以及不同的过程模型。另外也会对硅、砷化镓等不同的半导体衬底材料进行讨论。 关键字:化学机械抛光(CMP)三轴抛光机床半导体抛光 1简介 半导体基片的结构厚度已经被降低到0.35微米,但抛光和平展化任然是制备微电子原件的必要准备。因此,抛光半导体基底材料的任务将在集成电路的制造过程中的角度来限定。本次讲座的主要重点放在工艺技术,原材料和结构性晶圆化学机械抛光(CMP),以及在其上进行抛光硅片等开发的模型。此外,对于软、脆的半导体材料的研磨也将会进行讨论。 硅的制造加工仍然是今天的关键技术之一。可以预料每年生产的芯片表面积将会稳定增长,这将伴随着集成组件的增度(图1)[1,2,3,4]。 为了实现这一点,降低结构的宽度则是十分必要的。目前运用的最小宽度为0.35微米,但是如果下降到0.15微米,可以预测的是接下来将会有11 Gbit DRAM 的芯片产出。 在光刻过程中,只有有限的取决于光源波长的焦点深度(DOF)可用于所属的晶片曝光。波长为248纳米的光波,焦点深度为0.7微米,对应加工0.35微米的结构宽度。为了尽可能的降低成本,这些光波的对应焦点深度频谱则应该得到充分利用。因此,将0.3微米分摊到晶片总厚度变化(TTV)上,0.26微米至步进表,其用于提高在光掩模下移动晶片的定位精度。剩余的0.14微米则被分配到晶片形貌上来。这是对由几个氧化物层和金属层(英特尔奔腾微处理器:3?4层)所组成的晶片有决定性的影响,因为它们必须被重复曝光。 2半导体材料的抛光 图2描述了抛光的任务和在硅晶片抛光中应用的技术。 1.硅衬底的抛光是在研磨和磨削之后,为了除去其表面层中的缺陷,并且为了以后的抛光实现了完美的反射面。通常,一层大约5-30微米厚度被除去。

日本硅材料产业发展现状

引言 目前伴随着国内代工行业的兴起,在产业链的前端材料行业,大直径硅片的国产化迫在眉睫。为了国内半导体产业做到自主可控,我们必须发展大直径硅片材料产业。 日本在半导体材料方面的全球份额占比很高,最近发生的日本禁止向韩国出口半导体材料事件,导致韩国半导体行业不得不转向其他渠道解决难题,这从侧面反映了日本作为半导体材 料的大国,一举一动都会牵扯到全行业产业链的神经。 中国的硅材料产业:起了大早,未赶上班车 在国际贸易冲突频发的今天,半导体已经成为了“重灾区”。广为人知的有两个事件导火索, 一个是中兴事件,一个是华为风波。还有一例就是日本禁止向韩国出口半导体材料举措。2019年200mm硅片需求显著下降,而300mm硅片需求却维持坚挺,月需求量超过600万片。 我国大硅片主要依赖进口。因为我们的大硅片产业还处于一个起步阶段。1997年中国拉制成 功直径300mm硅单晶棒,大硅片研发项目启动时间并未比国外晚太多。后期研发由于产业 投入不足,市场环境尚未形成。 目前,国内近100万片的月需求量主要依赖进口。张果虎形象的比喻说,“中国的300mm硅 材料,起了大早,未赶上班车。” 中国正在全力发展大硅片产业,如何突破并形成产业竞争力,如何掌握“杀手锏”?日本的经 验值得我们参考和研究。 日本大硅片的现状 半导体硅材料起步于欧美,日本起步落后于欧美,但今天实现了反超,并取得绝对领先地位,占据全球60%以上份额。2019年全球半导体市场下降,日本信越等却维持良好营收和利润增长。 日本的半导体材料核心企业主要有两家:信越Shinetsu和胜高SUMCO。信越的主要产品是 在PVC、硅片、电子功能材料三个领域,并占据全球第一的市场份额。其中硅片为信越化学 的一个事业部业务。胜高SUMCO是由Mistsubishi M. Silicon、SumitomoSiTix、KomatsuElec.等多家公司合并而成。 全球300mm硅片出货量最大的是信越,其次是胜高。两家的月出货量合计超过350万片,远远超出第三家Globalwafer的月出货量90万片。日本这两家300mm硅片出货量占全球比例达到55%,占据主导地位近20年。(来源:SEMI数据)

一文看懂半导体硅片所有猫腻

一文看懂半导体硅片所有猫腻 半导体单晶硅片的生产工艺流程 单晶硅片是单晶硅棒经由一系列工艺切割而成的,制备单晶硅的方法有直拉法(CZ 法)、区熔法(FZ 法)和外延法,其中直拉法和区熔法用于制备单晶硅棒材。区熔硅单晶的最大需求来自于功率半导体器件。 单晶硅制备流程 直拉法简称CZ 法。CZ 法的特点是在一个直筒型的热系统汇总,用石墨电阻加热,将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化,然后将籽晶插入熔体表面进行熔接,同时转动籽晶,再反转坩埚,籽晶缓慢向上提升,经过引晶、放大、转肩、等径生长、收尾等过程,得到单晶硅。 区熔法是利用多晶锭分区熔化和结晶半导体晶体生长的一 种方法,利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区,再熔接单晶籽晶。调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动,通过整根棒料,生长成一根单晶,晶向与籽晶的相同。区熔法又分为两种:水平区熔法和立式悬浮区熔法。前者主要用于锗、GaAs 等材料的提纯和单晶生长。后者是在气氛或真空的炉室中,利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触处产生熔区,然后使熔区向上移动进行单晶生长。由于硅熔体完全依靠其表面张力和高频电磁力的支托,悬浮于多

晶棒与单晶之间,故称为悬浮区熔法。 巨头垄断硅片市场进口替代可能性高 直拉法和区熔法的比较 单晶硅是从大自然丰富的硅原料中提纯制造出多晶硅,再通过区熔或直拉法生产出区熔单晶或直拉单晶硅,进一步形成硅片、抛光片、外延片等。直拉法生长出的单晶硅,用在生产低功率的集成电路元件。而区熔法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。直拉法加工工艺:加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长,长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出,即完成一次生长周期。 悬浮区熔法加工工艺:先从上、下两轴用夹具精确地垂直固定棒状多晶锭。用电子轰击、高频感应或光学聚焦法将一段区域熔化,使液体靠表面张力支持而不坠落。移动样品或加热器使熔区移动。这种方法不用坩埚,能避免坩埚污染,因而可以制备很纯的单晶,也可采用此法进行区熔。 半导体单晶硅片加工工艺流程 工业生产中对硅的需求主要来自于两个方面:半导体级和光伏级。半导体级单晶硅和光伏级单晶硅在加工工艺流程中存在着一些差异,半导体级单晶硅的纯度远远高于光伏级单晶硅。半导体级单晶硅片的加工工艺流程:单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V 型槽处理→切片,倒角→研磨,腐蚀--抛光→清洗→包装。

半导体晶片抛光

半导体晶片抛光 利用化学抛光、机械抛光或化学机械抛光去除晶片表面的机械损伤层并呈镜面的半导体晶片加工的重要工序。化学抛光是利用化学非选择性腐蚀达到表面抛光的目的,晶片表面残留的机械损伤层少,但表面状态和几何尺寸的精度较差。机械抛光是靠机械摩擦达到表面抛光目的,易于得到光亮如镜的晶片表面,晶片几何尺寸精度较高,但残留的机械损伤层的深度受抛光种类、粒度粗细的影响。化学机械抛光是使晶片表面与抛光料发生化学反应,生成水溶性化合物,并通过受控的机械摩擦把化学反应物擦去,以达到抛光的目的。二氧化硅胶体碱性化学机械抛光是用于硅单晶片表面抛光的最常用方法。采用该方法可以获得光亮如镜的表面。二氧化硅化学机械抛光对硅单晶片表面的抛光机理如下:抛光液中的氢氧化钠首先在硅 表面发生化学反应,使硅片表面的硅原子形成硅酸钠盐: 51+ZNaOH+HZO一NaZSIO3+ZH。个51+ZNaOH+ZH:O一一NaZSIO,干3H:个并通过微细柔软的二氧化硅胶体微粒对硅片表面进行机械摩擦,使反应产物不断地进入抛光液中。化学腐蚀与抛光液的pH值有关,并随pH值的增大而加剧;同时,当pH值超过n 时,会使510:胶体溶解,从而使化学腐蚀作用大于机械摩擦作用,表面出现腐蚀坑;pH值小于8.5时,抛光速度减慢。因此抛光液的pH值一般在9.5~n之间较为适宜。二氧化硅胶体溶液在添加适量的次氯酸钠后常用于l一V族化合物半导体材料如砷化稼、碑化稼等晶片的抛光。对于锢化合物的抛光也有在二氧化硅胶体溶液中添加

澳化合物的。由于化合物晶片材料相对地软和脆,机械强度不如硅晶片强,以及其晶体学解理特性等原因,在抛光的处理过程中应选择较软的抛光垫(布)、较轻的正向压力,以保证不损坏晶片。同时应注…意澳和氯对大气污染和对人体损害的防护和治理。良好的抛光过程应使化学腐蚀作用与机械摩擦作用趋于平衡。晶片抛光在专用的抛光机上完成。晶片一般进行单面抛光。操作时,把晶片用石蜡粘贴在载片板上,或用特殊的衬垫靠表面张力效应使晶片吸附在载片板上,加工表面与抛光机的抛光盘接触,抛光盘表面贴有丝绒、毛呢、绒面革或聚氨醋类毛纺布,向旋转的抛光盘表面注入一定流量的抛光液,经化学机械加工过程完成晶片的抛光加工。抛光晶片的控制质量参数有:厚度、厚度公差、总厚度偏差、表面平整度,表征损伤层去除程度的氧化层错密度,表征表面抛光质量的“雾状”缺陷,以及清洁程度、表面颗粒度、桔皮、丘台和坑等。(尤重远)

中国半导体硅片外延片行业发展概述

中国半导体硅片外延片行业发展概述 1.1 半导体硅片、外延片行业概述 (1)半导体硅片、外延片定义及分类 在半导体制造业中广泛使用各种不同尺寸与规格的硅片,目前12英寸硅片的出货量占比超过60%,是目前主流的硅片尺寸。18英寸晶园世代的技术和机台设备有不少方针已开始确立,但依目前半导体业的态势观察,现在还很难取得实质性的进展。 硅片是生产集成电路的主要原材料。硅片尺寸越大则每片硅片上可以制造的芯片数量就越多,从而制造成本就越低。硅片尺寸的扩大和芯片线宽的减小是集成电路行业技术进步的两条主线。目前12英寸硅片的出货量占比超过60%,是目前主流的硅片尺寸。 半导体硅片通常由高纯度的多晶硅锭釆用查克洛斯法(CZ Method)为主拉成不同电阻率的硅单晶锭,然而经过晶体定向→外园滚磨→加工主、副参考面→切片→倒角→热

处理→研磨→化学腐蚀→抛光→清洗→检测→包装等工序。 根据硅纯度的不同要求,可分为太阳能等级6个“9”纯度,以及半导体等级11个“9”纯度。 (2)半导体硅片、外延片市场结构分析 1)行业产品结构分析 在半导体制造业中广泛使用各种不同尺寸与规格的硅片,通常包括4英寸、5英寸、6英寸、8英寸及12英寸,它们的基本规格如下表所示。 图表 1 半导体硅片分类情况(单位:毫米,微米,平方厘米,克,英寸)

图表来源:本研究中心整理 由于缺乏统一定义,硅片尺寸的过渡时间无法达成共识,其中有一种观点认为累积硅片的出货量超过100万片时,表示该硅片尺寸应进入下一阶段。实际上如英特尔等总是领先其他业者,率先采用更大尺寸的硅片。 现将SEMI于2006年的说法,全球硅片尺寸的过渡时间表列于如下:4英寸硅片于1986年;6英寸于1992年;8英寸于1997年及12英寸于2005年。而如果依英特尔的芯片生产线建设(见intel’s all fab list),它的3英寸生产线建于1972年FAB2;4英寸生产线建于1973年FAB4;6英寸生产线建于1978年FAB5;8英寸生产线建于1992年FAB15;第一条12英寸生产线建于2002年FAB12 in Hillsboro,与IBM同步。 业界较为公认的说法是,1980年代是4英寸硅片占主流,1990年代是6英寸占主流,2000年代是8英寸占主流,到2002年时英特尔与IBM率先建12英寸生产线,到2005年12英寸硅片已占总硅片的20%,到2008年占30%,而那时

光电倍增管和半导体光电器件新应用举例

光电倍增管(PMT)研究进展及应用 ——记2004年北京HAMAMATSU技术交流会 前言 “2004年北京HAMAMATSU技术交流会”于2004年10月27日~2004年10月29日在浙江杭州召开的。北京HAMAMATSU技术交流会是由北京滨松光子技术有限公司承办的技术交流活动,每年举办一次,邀请各个科研机构和生产单位的专家和技术人员参加,主要介绍滨松公司的产品和研究进展,解答用户的技术问题,交流讨论光电器件在科研和生产中的应用问题。我代表西安交通大学生物医学与分子光子学研究室和西安天隆科技有限公司有幸参加了这次交流活动。 HAMAMATSU(滨松)是总部设在日本的一家主要生产光器件的跨国公司。它在亚洲、欧洲和北美设有七家分支机构。日本滨松下设四个生产部门:电子管事业部,主要生产以光电倍增管为主的各种真空探测器,真空光源等相关仪器设备。半导体事业部,主要生产以光电二极管为主的各种半导体光电器件。系统事业部,主要生产以滨松公司自产器件为中心的各种分析和测量仪器,应用在半导体芯片,生物工程和医疗等各种领域。激光器事业部,主要生产科研和产业用的大功率半导体激光器。北京滨松光子技术有限公司是1988年由中国核工业总公司北京核仪器厂与日本滨松光子学株式会社共同投资成立的。 在2004年交流会中来自日本滨松总部、电子管事业部、半导体事业部的五位专家做了五场专题报告,分别是大冢副社长做的“HPK(滨松)与光产业的现状和未来”,夸田敏一先生做的“PMT新产品介绍”,久米英浩先生做的“PMT应用技术产品及应用领域”,伊藤先生做的“半导体光检测新产品介绍”和石原繁树做的“光源产品介绍”。会议过程中还穿插有技术交流活动,为来自各个科研院所和生产单位的技术人员提供了一个交流的平台。 光电倍增管技术的进展 图1 滨松生产的PMT

世界著名半导体(芯片)公司--详细

世界半导体公司排名———详细 25大半导体厂商排名(2006年统计数据): 1. 英特尔,营收额313.59亿美元 2. 三星,营收额192.07亿美元 3. 德州仪器,营收额128.32亿美元 4. 东芝,营收额101.66亿美元 5. 意法半导体,营收99.31亿美元 6. Renesas科技,营收82.21亿美元 7. AMD,营收额74.71亿美元 8. Hynix,营收额73.65亿美元 9. NXP,营收额62.21亿美元 10.飞思卡尔,营收额60.59亿美元 11. NEC,营收额56.96亿美元 12. Qimonda,营收额55.49亿美元 13. Micron,营收额52.90亿美元 14. 英飞凌,营收额51.95亿美元 15. 索尼,营收额48.75亿美元 16. 高通,营收额44.66亿美元 17. 松下,营收额41.24亿美元 18. Broadcom,营收额36.57亿美元 19. 夏普,营收额34.76亿美元 20. Elpida,营收额33.54亿美元 21. IBM微电子,营收额31.51亿美元

22. Rohm,营收额29.64亿美元 23. Spansion,营收额26.17亿美元 24. Analog Device,营收额25.99亿美元 25. nVidia,营收额24.75亿美元 飞思卡尔介绍: 飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司,为汽车、消费、工业、网络和无线市场设计并制造嵌入式半导体产品。这家私营企业总部位于德州奥斯汀,在全球30多个国家和地区拥有设计、研发、制造和销售机构。 产品领域: 嵌入式处理器 汽车集成电路 集成通信处理器 适用于2.5G 和3G无线基础设施的射频功率晶体管 基于StarCore? 技术的数字信号处理器(DSP) 下列领域处于领先地位: 8位、16位和32位微控制器 可编程的DSP 无线手持设备射频微处理器 基于Power Architecture?技术的32位嵌入式产品 50多年来,飞思卡尔一直是摩托罗拉下属机构,2004年7月成为独立企业开始了新的生活。此后,公司在董事长兼首席执行官Michel Mayer的领导下,努力提高财务业绩,打造企业文化,构筑全球品牌。 意法半导体(ST)集团介绍

天津半导体项目可行性研究报告

天津半导体项目可行性研究报告 规划设计/投资分析/产业运营

报告摘要说明 半导体行业具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点,产业链呈垂直化分工格局。半导 体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节,半导体材料和设备属于芯 片制造、封测的支撑性行业,位于产业链最上游。 半导体材料主要应用于集成电路,我国集成电路应用领域主要为计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业控制等,前三者合计占比达83%。近年来,随着我国大陆地区集成电路产业持续快速发展,我国大陆地区的 半导体材料市场上升最快,2016年及2017年分别增长7.3%和12%。 该半导体材料项目计划总投资12743.27万元,其中:固定资产投 资10165.71万元,占项目总投资的79.77%;流动资金2577.56万元,占项目总投资的20.23%。 本期项目达产年营业收入22274.00万元,总成本费用17398.11 万元,税金及附加243.64万元,利润总额4875.89万元,利税总额5792.07万元,税后净利润3656.92万元,达产年纳税总额2135.15万元;达产年投资利润率38.26%,投资利税率45.45%,投资回报率 28.70%,全部投资回收期4.98年,提供就业职位400个。 材料和设备是半导体产业的基石,是推动集成电路技术创新的引擎。 一代技术依赖于一代工艺,一代工艺依赖一代材料和设备来实现。

半导体材料是指电导率介于金属与绝缘体之间的材料,半导体材料的电导率在欧/厘米之间,一般情况下电导率随温度的升高而增大。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要材料。半导体材料市场可以分为晶圆材料和封装材料市场。其中,晶圆材料主要有硅片、光掩膜、光刻胶、光刻胶辅助设备、湿制程、溅射靶、抛光液、其他材料。封装材料主要有层压基板、引线框架、焊线、模压化合物、底部填充料、液体密封剂、粘晶材料、锡球、晶圆级封装介质、热接口材料。

硅片腐蚀和抛光工艺

硅片腐蚀和抛光工艺 链接:https://www.doczj.com/doc/0711137032.html,/baike/2275.html 硅片腐蚀和抛光工艺 硅片腐蚀工艺的化学原理 硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀,硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池,腐蚀电流较大,一般超过100A/cm 2,但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污染的要求,目前主要使用氢氟酸(HF),硝酸(HNO3)混合的酸性腐蚀液,以及氢氧化钾(KOH)或氢氧化钠(NaOH)等碱性腐蚀液。现在主要用的是HNO3-HF腐蚀液和NaO H腐蚀液。下面分别介绍这两种腐蚀液的腐蚀化学原理和基本规律。 1.HNO3-HF腐蚀液及腐蚀原理 通常情况下,硅的腐蚀液包括氧化剂(如HNO3)和络合剂(如HF)两部分。其配置为:浓度为70%的HNO3和浓度为50%的HF以体积比10~2:1,有关的化学反应如下: 3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑ 硅被氧化后形成一层致密的二氧化硅薄膜,不溶于水和硝酸,但能溶于氢氟酸,这样腐蚀过程连续不断地进行。有关的化学反应如下: SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O 2.NaOH腐蚀液 在氢氧化钠化学腐蚀时,采用10%~30%的氢氧化钠水溶液,温度为80~90℃,将硅片浸入腐蚀液中,腐蚀的化学方程式为 Si+H2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2↑ 对于太阳电池所用的硅片化学腐蚀,从成本控制,环境保护和操作方便等因素出发,一般用氢氧化钠腐蚀液腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度,约为20~30um。 原文地址:https://www.doczj.com/doc/0711137032.html,/baike/2275.html 页面 1 / 1

半导体管理细则

工程、生产管理工作细则 (适用于半导体事业部) 为了便于协调处理半导体事业部与有关职能部门在管理工作中的关系,使管理更好地为生产一线服务,特制定本办法细则。 一、销售合同的传递 半导体事业部签定销售合同或填写《产品销售登记单(无合同情况下适用)》后,将合同(包括合同正本、附件等)或《产品销售登记单》原件1份,合同(包括合同正本、附件等)或《产品销售登记单》复印件3份,交市场营销部。市场营销部将合同(包括合同正本、附件等)或《产品销售登记单》复印件3份交管理规划部。管理规划部将合同(包括合同正本、附件等)或《产品销售登记单》复印件1份交财务金融部。财务金融部将依据合同接收货款。 二、计划的申报 1.半导体事业部根据市场需求预测、传动事业部的产品需求、销售合同以及库存情况,按季度提出产品产量计划(包括各种产品的规格、数量、预计入库日期及产成品率),并报管理规划部。 半导体事业部根据审核批准后的产品产量计划,制定材料需求计划,并报管理规划部。 硅片的需求计划应提前3个月至4个月报管理规划部;钼片的需求计划应提前45天报管理规划部;管壳的需求计划应提前45天报管理规划部;其他辅助物料的需求计划按月报管理规划部。 散热器、结构件的计划管理见金自天正管临发00—01文件——《工程、生产管理工作细则》。 2.半导体事业部报送管理规划部的计划,都应由半导体事业部主管负责人审核并签字方才有效。 如遇特殊情况,没有申报计划而又急需的物料,物料金额在一万元以下的由半导体事业部主管负责人和管理规划部主管负责人共同审核批准并签字即可;物料金额在一万元以上的须由公司主管领导审核批准并签字。

计划内用款金额的审批权限,按有关财务规定处理。 三、物料的采购、入库、出库 半导体事业部上报管理规划部的物料需求计划,经管理规划部和公司领导审核批准后,由管理规划部计划室下达委托采购计划,半导体事业部根据委托采购计划,签定采购合同,采购物料。物料的入库、出库办法见《库房管理制度》。 四、产成品的入库、出库 半导体事业部生产的各种产品,经质量检验合格后,根据库房管理制度办理入库手续。 半导体事业部生产的产成品出库分三种情况:第一种情况传动事业部需要的,经管理规划部综合计划室下达计划的产成品,凭管理规划部计划人员和半导体事业部主管负责人签字的《出库单》办理产成品出库;第二种情况销往公司外部并有销售合同的半导体事业部的产成品,管理规划部计划人员根据销售合同审核《出库单》,库房人员根据经管理规划部计划人员和半导体事业部主管负责人签字的《出库单》办理产成品出库;第三种情况销往公司外部并且没有销售合同,销售人员须填写《产品销售登记单(无合同情况适用)》,管理规划部计划人员根据《产品销售登记单》审核《出库单》。库房管理员根据经过管理规划部计划人员和半导体事业部主管负责人签字的《出库单》办理产成品出库。 五、各类统计报表的报送 1.半导体事业部向管理规划部报送的各类统计报表包括: ①在产品结存情况月报表 ②工时利用情况统计表 ③产成品入库数量报表 ④无合同销售情况统计报表⑤物料消耗情况统计表。 2.以上统计报表在每月25日报送管理规划部综合计划室。 3.每月27日管理规划部将库存材料、库存产成品情况报半导体事业部。

2020年半导体硅片专题研究:12英寸、8英寸硅片迎来黄金机会、从日本半导体产业发展看我国崛起之路

2020年半导体硅片专题研究:12英寸、8英寸硅片迎来黄金机会、从日本半导体产业发展看我国崛起之路

目录 1.万丈高楼从地起,半导体产业始于硅片 (4) 1.1 半导体硅片生产 (5) 1.1.1 单晶硅生长技术是关键技术之一 (5) 1.1.2 从“锭”到“片” (6) 1.2 半导体硅片持续进化 (7) 1.2.1 硅片向大尺寸迭代 (7) 1.2.2 各尺寸硅片满足各种需求 (9) 2.终端市场回暖,需求沿产业链传导 (9) 2.1 12英寸硅片需求增长势头强劲 (10) 2.1.1 存储芯片成12英寸硅片需求增长重要推力之一 (11) 2.1.2 半导体行业持续景气,12英寸硅片需求强劲 (11) 2.2 8英寸硅片再次迎来黄金机会 (12) 2.2.1新能源汽车、车联网等拉动汽车电子增长 (13) 2.2.2工业物联网 (14) 2.2.3 8英寸晶圆代工厂需求持续增大 (15) 3.硅片扩产长路漫漫,硅片产能利用率将保持在高位 (16) 3.1 12英寸硅片产能从过剩到紧缺 (17) 3.2 8英寸硅片扩产面临限制 (18) 4.从日本半导体产业发展看我国崛起之路 (18) 4.1 产业转移成就日本半导体产业发展 (18) 4.2 我国硅片产业目标明确,走出坚定步伐 (20) 5.新冠疫情已成为最大X因素 (24) 6.投资建议 (24) 7.风险提示 (25) 插图目录 图 1:2016-2018全球晶圆制造材料市场结构(单位:亿美元) (5) 图 2:2018年全球晶圆制造材料细分产品拆解 (5) 图 3:硅片生产流程 (5) 图 4:直拉单晶硅生长示意图 (6) 图 5:各种类硅片 (7) 图 6:硅片尺寸发展历史 (8) 图 7:2015-2021年全球12寸硅片市场占比情况及预测 (8) 图 8:2007年至2019年全球硅片面积出货量(百万平方英寸) (9) 图 9:2020年半导体出货量占比情况 (9) 图 10:半导体出货量 (10) 图 11:NAND闪存应用份额 (11) 图 12:2018年12英寸硅片下游应用占比 (11) 图 13:12英寸硅片需求预测(百万片/月) (12) 图 14:2018年8英寸硅片下游应用占比 (13) 图 15:中国新能源汽车销售量(2014-2019) (14) 图 16:车联网示意图 (14) 图 17:工业互联网产值预测(单位:十亿美元) (15) 图 18:8英寸晶圆厂产能展望 (16)

硅片生产流程

硅片生产流程 小组成员:吴国栋徐浩王汉杰王超 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始,到清洁的抛光片结束,以能够在绝好的环境中使用。期间,从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外,整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始,最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类:能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能;能减少不期望的表面损伤的数量;或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的,因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中,每一步骤都会得到详细介绍。 硅片加工过程步骤 1. 切片 2. 激光标识 3. 倒角 4. 磨片 5. 腐蚀 6. 背损伤 7. 边缘镜面抛光 8. 预热清洗 9. 抵抗稳定——退火 10. 背封 11. 粘片 12. 抛光 13. 检查前清洗 14. 外观检查 15. 金属清洗

16. 擦片 17. 激光检查 18. 包装/货运 切片(class 500k) 硅片加工的介绍中,从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗,也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片,硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小,对硅片的损伤也最小,并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程,可以描述为一个研磨的过程,这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后,所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中,很重要的一点就是保持硅片的顺序,因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后,硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码,因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的,用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的,因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深,从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后,即使硅片有遗漏,也能追溯到原来位置,而且如果趋向明了,那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面,尽管正面通常会被用到。 倒角 当切片完成后,硅片有比较尖利的边缘,就需要进行倒角从而形成子弹式的光滑的边缘。倒角后的硅片边缘有低的中心应力,因而使之更牢固。这个硅片边缘的强化,能使之在以后的硅片加工过程中,降低硅片的碎裂程度。图1.1举例说明了切片、激光标识和倒角的过程。 磨片(Class 500k) 接下来的步骤是为了清除切片过程及激光标识时产生的不同损伤,这是磨片过程中要完成的。在磨片时,硅片被放置在载体上,并围绕放置在一些磨盘上。硅片的两侧都能与磨盘接触,从而使硅片的两侧能同时研磨到。磨盘是铸铁制的,边缘锯齿状。上磨盘上有一系列的洞,可让研磨砂分布在硅片上,并随磨片机运动。磨片可将切片造成的严重损伤清除,只留下一些均衡的浅显的伤痕;磨片的第二个好处是经磨片之后,硅片非常平整,因为磨盘是极其平整的。 磨片过程主要是一个机械过程,磨盘压迫硅片表面的研磨砂。研磨砂是由将氧化铝溶液延缓煅烧后形成的细小颗粒组成的,它能将硅的外层研磨去。被研磨去的外层深度要比切片造成的损伤深度更深。

半导体设备和材料国产化机遇(上)

半导体设备和材料国产化机遇(上) 一、设备和材料是半导体产业的上游核心环节 集成电路占半导体总市场的八成,是半导体的主要构成部分。美国半导体产业协会(SIA) 最新发布的数据显示,2015年全球半导体市场规模为3,352亿美元,比2014年略减0.2%。半导体可以分为四类产品,分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。其中规模最大的是集成电路,达到2,753亿美元,占半导体市场的81%。由于半导体产品中大部分是集成电路,因此二者常常被混为一谈,在此特别说明二者的异同,以免混淆。 1、设备和材料在半导体产业链中位于上游,是半导体制造所需的工具和原料 经过50多年的发展,如今的半导体产业已经高度专业化。我们以集成电路(IC)产业为例来说明产业的分工。集成电路产业经过了几十年不断的发展与演变,在1970年代以前,由系统厂商(System)和IDM厂商主导,之后演变为IC设计、晶圆代工和封装测试为主导的垂直分工模式。随着IC产业规模的壮大,产业竞争加剧,分工模式进一步细化,从封装测试环节中分出测试,从IC设计环节分出了专门提供IP的厂商(如ARM)。 半导体设备和材料处于IC产业的上游,为IC产品的生产提供必要的工具和原料。当前IC 产业的商业模式可以简单描述为,IC设计公司根据下游客户(系统厂商)的需求设计芯片,然后交给晶圆代工厂进行制造,之后再由封装测试厂进行封装测试,最后将性能良好的IC产品出售给系统厂商。IC设计、晶圆制造、封装测试是IC产业的核心环节,除此之外,IC设计公司需要从IP/EDA公司购买相应的IP和EDA工具,而IC制造和封装测试公司需要从设备和材料供应商购买相应的半导体设备和材料化学品。因此, 在核心环节之外,集成电路产业链中还需IP/EDA、半导体设备、材料化学品等上游供应商。 2、半导体生产工艺复杂,对半导体设备和材料的要求极高 集成电路产业按照摩尔定律持续发展,制程节点不断缩小,今年将量产10纳米。摩尔定律是由英特尔(Intel)创始人之一戈登?摩尔(Gordon Moore)于1965年提出来的。其内容为:当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。几十年来,集成电路产业沿着摩尔定律发展,1971年集成电路的制程节点是10微米(百分之一毫米),今年台积电将开始量产10纳米(十万分之一毫米),技术节点缩小 到千分之一,意味着晶体管面积缩小百万分之一。 82平方毫米的集成电路产品中有超过十亿颗晶体管,制造工艺极其复杂。英特尔在2015年CES展会上发布的第五代酷睿处理器系列,采用14nm 3D三栅极晶体管技术打造,U系列核心面积相比采用 22nm 3D三栅极集体管技术的第四代酷睿U系列处理器缩小了37%,但所集成的晶体管数量提升了35%,达到13亿个!这使得第五代酷睿处理器与同级别第四

半导体硅片项目投资计划书2020

半导体硅片项目 投资计划书 投资计划书参考模板,仅供参考

摘要 该半导体硅片项目计划总投资19013.48万元,其中:固定资产投 资13731.90万元,占项目总投资的72.22%;流动资金5281.58万元,占项目总投资的27.78%。 达产年营业收入41530.00万元,总成本费用31348.46万元,税 金及附加381.24万元,利润总额10181.54万元,利税总额11967.13 万元,税后净利润7636.16万元,达产年纳税总额4330.98万元;达 产年投资利润率53.55%,投资利税率62.94%,投资回报率40.16%,全部投资回收期3.99年,提供就业职位569个。 报告从节约资源和保护环境的角度出发,遵循“创新、先进、可靠、实用、效益”的指导方针,严格按照技术先进、低能耗、低污染、控制投资的要求,确保投资项目技术先进、质量优良、保证进度、节 省投资、提高效益,充分利用成熟、先进经验,实现降低成本、提高 经济效益的目标。 本半导体硅片项目报告所描述的投资预算及财务收益预评估基于 一个动态的环境和对未来预测的不确定性,因此,可能会因时间或其 他因素的变化而导致与未来发生的事实不完全一致。

半导体硅片项目投资计划书目录 第一章半导体硅片项目绪论 第二章半导体硅片项目建设背景及必要性 第三章建设规模分析 第四章半导体硅片项目选址科学性分析 第五章总图布置 第六章工程设计总体方案 第七章风险应对评价分析 第八章职业安全与劳动卫生 第九章项目实施进度 第十章投资估算与经济效益分析

第一章半导体硅片项目绪论 一、项目名称及承办企业 (一)项目名称 半导体硅片项目 (二)项目承办单位 xxx有限公司 二、半导体硅片项目选址及用地规模控制指标 (一)半导体硅片项目建设选址 项目选址位于某经济开发区,地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,建设条件良好。 (二)半导体硅片项目用地性质及规模 项目总用地面积53179.91平方米(折合约79.73亩),土地综合 利用率100.00%;项目建设遵循“合理和集约用地”的原则,按照半导体硅片行业生产规范和要求进行科学设计、合理布局,符合规划建设 要求。 (三)用地控制指标及土建工程

硅片生产技术工艺

硅片生产工艺 硅片的生产工艺可以分成两个阶段, 拉单晶硅棒和切片抛光 多晶硅材(天然的) 拉单晶硅棒(CZ法) (译者注:直拉法(CZ)培育硅单晶) 在(CZ法)拉棒的过程中,天然多晶硅被放置在晶体拉制炉里面的石英坩埚里面,该石英坩埚被放置在石墨加热器环绕的石墨坩埚的.这些天然多晶硅在惰性气体或者真空里面被加热融化,然后用种子晶慢慢的拉出来. 单晶硅棒 一个完整的单晶硅棒长成之后就是这样的形状,一个直径D=200mm的单晶硅棒的重量在60到100公斤. 硅棒的外径滚磨 硅棒被切成一定的长度,同时外围被磨制成达到技术要求的外径. 一个方向标记或者一个奥痕添加在外围来表示晶体的生长方向. (译者注:我见到的晶棒多数都是在顶端打个标记, 周围有四根棱线,晶向为100). 这就是一个磨制完成的硅棒,周围磨制的痕迹可以通过直径和左顶端(这个图显示硅棒上面有个凹槽)

硅棒放在石墨架上面,硅片一片一片用内园切割机旋转钻石刀片.线切割通常用于直径200mm或者以上硅棒的切片. 倒角 硅片的周围用钻石工具区磨制达到产品直径的要求,进一步磨制将切割成的晶片税利边修整成圆弧形。 研磨 硅片放在一个两边都有纤维的旋转盒体里面,硅片两侧表面都进行磨制. 腐蚀(双面化学抛光) 硅片放在一个化学腐蚀的盒子里面旋转,用酸化的方式去除来自上一道工序的表面缺陷。 热处理,去处不稳定因素 热处理在扩散炉中进行,使在拉棒过程中带来的氧得以扩散,从而达到想要得电阻率. 抛光(有一面为镜面抛光) 指单晶硅片表面需要改善微缺陷,从而获得高平坦度晶片的抛光。 清洗 在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗,这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。

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