高频放大晶体管（20V,50mA 时的1.5GHz ）
2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K
Features
1）高的过渡频率. （典型值：F
T = 1.5GHz)2）小rbb' Cc 和高增益. （典型值6马力）3）小NF. Packaging
规格和h
FE
T ype Package h F E M arking Code Basic ordering unit
(pieces)
?
Denotes h
FE
Dimensions
（单位：mm ）
2SC5661
2SC5661VM T 3NP AC ?T 2L 8000
2SC4725EM T 3NP AC ?T L 3000
2SC4082UM T 3NP 1C ?T 1063000
2SC3837K SM T 3NP AC ?T 1463000
ROHM : VM T 3
(1) Base (2) Emitter (3) Collector
2SC4725
ROHM : EM T 3EIAJ : SC-75A
(1) Emitter (2) Base (3) Collector
绝对最大额定值
(Ta=25 C)
Param eter
Collector-base v oltage Collector-em itter v oltage Em itter-base v oltage Collector current 2SC5661, 2SC4725Collector pow er dissipation 2SC4082, 2SC3837K
Junction tem perature Storage tem perature
Sy m bol V CBO V CEO V EBO I C P C Tj Tstg
Lim its 30203500.150.2150?55to +150
Unit V V V m A W °C °C
2SC4082
ROHM : UM T 3EIAJ : SC-70
(1) Emitter (2) Base (3) Collector
E ac h lead has s ame dimens ions
2.9
0.4
(3)
1.6
2.8
2SC3837K
1.10.8
(2)(1)
0.95 0.95
ROHM : SM T 3EIAJ : SC-59
0.15
1.9
E ac h lead has s ame dimens ions
Electrical
特点
(Ta=25 C)
Param eter
Collector-base break dow n v oltage Collector-em itter break dow n v oltage Em itter-base break dow n v oltage Collector cutoff current Em itter cutoff current
Collector-em itter saturation v oltage DC current transfer ratio Transition frequency Output capacitance
Collector-base tim e constant Noise factor
Sy m bol BV CBO BV CEO BV EBO I CBO I EBO V CE(sat)h FE f T Cob Min.30203???82600???
Ty p.???????15000.964.5
Max .???0.50.50.5180?1.513?
Unit V V V μA μA V ?MHz pF ps dB
I C =10μA I C =1m A I E =10μA V CB =15V
V EB =2V
I C /I B =20m A/4m A V CE /I C =10V/10m A
V CE =10V , I E = ?10m A , f =200MHz
V CB
=10V , I E =0A , f =1MHz
V CB =10V , I C =10m A , f =31.8MHz V CE
=12V , I
C
=2m A , f =200MHz , Rg
=50Ω
Conditions
rbb'·Cc NF
本产品可能会导致大量带电环境下,芯片的老化和损坏.请考虑设计ESD 保护电路.
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2009.12 - Rev.C
0.3Min.
(1) Emitter (2) Base (3) Collector
Electrical
特性曲线
500
DC CURRENT TRANSFER RATIO :h
F E
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE :V
CE(sat)
(m V)20010050
OUT P UT CA P A CIT A NCE :C
oB
(pF)
FE E DB A CK CA P A CIT A NCE :C
re (pF)Ta=25°C V CE =10V
500
5.0
Ta=25°C I C /I B =5
Ta=25°C f=1MHz I E =0A
20010050
2.0Cob
1.00.5
Cre
20
10
20
10
0.2
0.1
0.1 0.20.512510 20
50
0.1 0.20.512510 20
50
0.1 0.20.512510 20
50
COLLECTOR CURRENT : I C
(m A)COLLECTOR CURRENT : I C
(m A)COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
Fig.1 DC current gain vs . collector current
Fig.2 Collector-emitter s aturation voltage
vs . collector current
Fig.3 Capacitance vs . revers e bias voltage
5000COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT : C
c
rbb' (ps)
TRANSITION FREQUENCY : f
T
(MHz)
Ta=25°C V CE =10V
50INSERTION GAIN : IS 21el
(dB)
25Ta=25°C V CE =10V I C =10m A
20001000
500
2020105
2
15
10
5
200100
21
?0.1 ?0.2?0.5 ?1 ?2?5?10 ?20
?50
Ta=25°C
V CE =10V f=31.8MHz
0.10.20.512510
0.1 0.20.512510 20
50
EMITTER CURRENT : I E
(m A)
FREQUENCY : f (GHz)
COLLECTOR CURRENT : I C
(m A)
Fig.4 Gain bandwidth product vs . emitter current
Fig.6 Ins ertion gain vs . frequency
Fig.5 Collector to bas e time cons tance
vs . collector current
25INSERTION GAIN : IS 21el
(dB)
INSERTION GAIN : IS
21el
(dB)20
Ta=25°C V CE =12V f=200MHz
3025
20
15
10
50
Ta=25°C I C =2m A f=200MHz
Ta=25°C V CE =12V f=200MHz
15
10
NOISE FIGURE : NF(dB)
2
20
2
10
50
0.51251020500246810
12
0.1 0.20.512510 20
50
COLLECTOR CURRENT : Ic (m A)COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V CE
(V)
COLLECTOR CURRENT : I C
(m A)
Fig.7 Ins ertion gain vs . collector current Fig.8 Ins ertion gain vs . collector voltage Fig.9 Nois e factor vs . collector current
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2009.12 - Rev.C
3025Ta=25°C
I C =2m A f=200MHz
NOISE FIGURE : NF(dB)2015
10
50
0246810
12
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
Fig.10 Nois e factor vs . collector voltage
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2009.12 - Rev.C
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R0039A