第一章 半导体基础知识
自测题
一、（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×
二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V
五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE
＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。
六、1、
V
2V mA 6.2 μA
26V C C CC CE B C b
BE
BB B =-====-=
R I U I I R U I β
U O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以
Ω
≈-=
===-=k 4.45V μA 6.28mA
86.2V B
BE
BB b C
B c CES
CC C I U R I I R U I β
七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题
1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3u i 和u o 的波形如图所示。
t
t
1.4u i 和u o 的波形如图所示。
1.5u o 的波形如图所示。
1.6I D ＝（V －U D ）/R ＝
2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
1.9（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
V 33.3I L
L
O ≈?+=
U R R R U
当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10（1）S 闭合。
（2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R
t
t
1.11 波形如图所示。
1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。
1.13选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14
BB O 当V BB ＝1V 时，T 处于放大状态。因为
V 9u mA 3 μA 60C CQ O BQ CQ b BEQ
BB BQ =-====-=
R I V I I
R U V I CC ，，β
当V BB ＝3V 时，T 处于饱和状态。因为
BE C CQ O BQ CQ
b
BEQ
BB BQ mA 8 A μ160U R I V u I I R U V I CC ＜，，-====-=β
1.17取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则
管子饱和。，所以，100 C
b C b C BE CC b BE CC =≥=-=-?
R R
R R R U V R U V βββ
1.18当u I ＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，u O ＝－U Z ＝－5V 。
当u I ＝－5V 时，晶体管饱和，u O ＝0.1V 。因为
mA
24μA 480B C
b BE
I B ===-=I I R U u I β
CC C C CC EC V R I V U ＜-=
1.19（a ）可能（b ）可能（c ）不能（d ）不能，T 会损坏。（e ）可能 1.20 根据方程
2
GS(th)
GS DSS D )1(U u I i -
=
逐点求出确定的u GS 下的i D ，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上u GD ＝U GS （off ）的点连接起来，便为予夹断线。 1.21
1.22 过u DS 为某一确定值（如15V ）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的i D 值；建立i D ＝f （u GS ）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。
1.23 u I ＝4V 时T 夹断，u I ＝8V 时T 工作在恒流区，u I ＝12V 时T 工作在可变电阻区。
1.24 （a ）可能（b ）不能（c ）不能（d ）可能
第二章基本放大电路
自测题
一、（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）× 二、（a ）不能。因为输入信号被V BB 短路。（b ）可能
（c ）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。 （d ）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e ）不能。因为输入信号被C 2短路。
（f ）不能。因为输出信号被V CC 短路，恒为零。 （g ）可能。（h ）不合理。因为G-S 间电压将大于零。 （i ）不能。因为T 截止。
三、（1）3 )
( 565 )(BQ CEQ CC BQ BEQ CC I U V I U V β--；
（2）0.3 120
- '
o L
C L i o U R R R U U ?-＋；
四、（1）A （2）C （3）B （4）B 五、（1）C ，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E ，A D 六、
习题
2.1 e b c 大大中大 c b c 小大大小 b e c 大小小大
2.2（a ）将－V CC 改为＋V CC 。（b ）在＋V CC 与基极之间加R b 。 （c ）将V BB 反接，且加输入耦合电容。
（d ）在V BB 支路加R b ，在－V CC 与集电极之间加R c 。
2.3图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。
2.4空载时：I BQ ＝20μA ，I CQ ＝2mA ，U CEQ ＝6V ；最大不失真输出电压峰值约为5.3V 。
带载时：I BQ ＝20μA ，I CQ ＝2mA ，U CEQ ＝3V ；最大不失真输出电压峰值约为2.3V 。 2.5（1）×（2）×（3）×（4）√（5）×（6）×（7）×（8）√
（9）√（10）×（11）×（12）√
2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V 2.7
Ω
==-≈?+≈Ω≈≈=-≈-=Ω≈++=≈-=≈=≈-
-=
k 5 93 k 3.1 308 k 3.1mV
26)1( V 2.6mA
76.1 A
μ22o 'c u
be
s be
us
be be b i be
c u
EQ
bb be c CQ CC CEQ BQ CQ BEQ b
BEQ
CC BQ R R A r R r A r r R R r R A I r r R I V U I I R
U R U V I Q ∥，空载时：：βββ
47 115 V
3.2)(k 3be
s be
be '
L L c CQ L
c L
CEQ L -≈?+≈-≈-=≈-+=
Ω=u
us
u
A r R r A r R A R R I R R R U R β∥时：
2.8（a ）饱和失真，增大R b ，减小R c 。（b ）截止失真，减小R b 。 （c ）同时出现饱和失真和截止失真，增大V CC 。
2.9（a ）截止失真（b ）饱和失真（c ）同时出现饱和失真和截止失真
Ω
≈-=
===-=k 565μA
20mA
2BQ
BEQ
CC b CQ
BQ c CEQ
CC CQ I U V R I I R U V I β
（2）
Ω==+Ω=-=-=-=k 5.1 111k 1 100L L
c 'L be
'L i o R R R R r R A U U A u u β
2.11 空载时，V 28.32
CES
CEQ om ≈-=
U U U
V 12.22
k 3'
L
CQ om L ≈=
Ω=R I U R 时，
2.12 ②①②①③
③②①③① ③③①③③
2.13（1）静态及动态分析：
Ω
==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++==++-≈≈+=
≈+-==?+≈k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV
26)
1(V
7.5)( A μ101mA 1 V 2c o f be b2b1i f
be L c EQ
bb'be e f c EQ CEQ EQ BQ e f BEQ BQ EQ CC b2b1b1
BQ
R R R r R R R R r R R A I r r R R R I V U I I R R U U I V R R R U u
CC βββββ
∥∥∥
(2) R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A 减小，u
A ≈－1.92。 2.14c BQ CC CEQ BQ CQ c
21BEQ CC BQ )1( )1(:R I V U I I R R R U V I Q βββ+-==+++-=
3
2o 1be i be
32 R R R R r R r R R A u ∥∥∥==-=β
BEQ
c CQ CC CEQ BQ CQ 132BEQ CC 322
BQ ]
)1([)(
U R I V U I I R R R U V R R R I +-==-+=ββ＋＋∥
动态：
4o be 1i be 4 1 R R r R R r R A u =+==β
β∥ 2.16
4
o be132i 2
1be2
4122be12
be2
11
BEQ2BQ2CQ2CEQ2BEQ2
BQ2CEQ1BEQ1
BEQ1CC 2
12
BQ24CQ2CC CQ2BQ1
CQ1CQ23
BEQ12
1BEQ1
CC BQ1 1)( R R r R R R A A A r R A r r A U U U U U U U U U V R R R U R I V U I I I R U R R U V I u u u u u ====+?
-=+==+-+≈
-==≈-
+-≈
∥∥－－ ββββ
2.17 1 12
1+≈-≈u u A A 图略。 2.18（1）求解Q 点：
V
17.7mA 61.2)1(A
μ3.32)1(e EQ CC CEQ BQ EQ e
b BEQ CC BQ ≈-=≈+=≈++-=
R I V U I I R R U V I ββ
（2）求解电压放大倍数和输入电阻：
992
.0)
)(1()
)(1( k 76)])(1([k 3996
.0)1()1( k 110])1([L e be L e L e be b i L e
be e
e be b i L ≈+++=Ω≈++=Ω=≈+++=Ω≈++=∞=R R r R R A R R r R R R R r R A R r R R R u
u
∥∥∥∥：∥：ββββββ
（3）求解输出电阻：Ω≈++=371be
s e o β
r R R R R b ∥∥
Ω
==-≈-=Ω≈=Ω≈++==+-≈≈=≈++-=
k 3 95)( 952 952mV
26)
1( V 56.4)( A
86.1 A μ31)1(c o be L c be b i EQ
bb'be e c EQ CC CEQ BQ CQ e
b BEQ CC BQ R R r R R A r R R I r r R R I V U m I I R R U V I Q u
∥∥：ββββ
(2)
mV 4.14mV
6.95.1k 3.51])1([C mV 304mV
2.3i o i
s i
i e L c e be b i e i o i
s i
i ≈=≈?+=
-=-≈Ω≈++=≈=≈?+=
U A U U R R R U R R R A R r R R U A U U R R R U u s u
u s ∥∥开路，则
若β 2.20（a ）源极加电阻R S 。（b ）输入端加耦合电容，漏极加电阻R D 。
（c ）输入端加耦合电容（d ）在R g 支路加－V GG ，＋V DD 改为－V DD
2.21（1）在转移特性中作直线u GS ＝－i D R S ，与转移特性的交点即为Q 点；读出坐标值，得出I DQ ＝1mA ，U GSQ ＝－2V 。
在输出特性中作直流负载线u DS ＝V DD －i D （R D ＋R S ），与U GSQ ＝－2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点，U DSQ ≈3V 。 （2）mA/V 12DQ DSS GS(off)
GS
D m DS
==
??=
I I U u i g U
Ω==Ω=-=-=k R R R R g A u 5 M 1 5D
o i D m 2.22（1）求Q 点：U GSQ ＝V GG ＝3V
从转移特性查得，当U GSQ ＝3V 时，I DQ ＝1mA ，U DSQ ＝V DD －I DQ R D ＝5V （2）求电压放大倍数：
20V
mA 32)
(-=-===
D
m u DO DQ th GS m R g A I I U g
D
i L D m u R R R R R R R R g A =+=-=0213)(∥∥
2.24（a ）×（b ）×（c ）NPN 型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。 （d ）×（e ）×（f ）PNP 型管，上-发射极，中-基极，下-集电极。 （g ）NPN 型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
第三章多级放大电路
自测题
一、（1）×（2）√√（3）√×（4）×（5）√ 二、（1）A A （2）D A （3）B A （4）D B （5）C B 三、（1）B D （2）C （3）A （4）A C （5）B （6）C 四、（1）I C3＝（U Z －U BEQ3）/ R e3＝0.3mA I E1＝I E2＝0.15mA
（2）减小R C2。
当u I ＝0时u O ＝0，I CQ4＝V EE / R C4＝0.6mA 。
Ω≈++=Ω
≈++=Ω
≈+==-=k 74.2mV
26)
1(k 7.10mV
26)1(k 14.7mA 14.0EQ4
bb'be4EQ2
bb'be2
BEQ4
E4E4C2B4C2C2
C4I r r I r r I U R I R I I I R R ββ {}29718
)1( 5.16 2])1([2
1e4
be4c4
2
be2e4be4c21
≈?=-≈++-=-≈++-=u u u u u A A A R r R A r R r R A ββββ∥
习题
3.1 （a ）共射，共基（b ）共射，共射（c ）共射，共射（d ）共集，共基
（e ）共源，共集（f ）共基，共集
3.2图（a ）
{}2
2be23o be11i 32be232be1132be2211)1()1(])1([βββββ++=+=+++?+++-=R r R R r R R R r R r R R r R A u
∥
∥
图（b ）
4
o be2321be11i be2
42be2321be1be2321)])(1([)
())(1()1(R R r R R r R R r R
r R R r r R R A u
=++=-?+++-=∥∥∥∥∥∥∥ββββ
{}3
o be11i 2be23
2be112be221])1([)1([R R r R R r r R r R r r R A D
D u
=+=++-?+++=ββββ∥
图（d ）
8
o 213i 2be 82be2
764m )()]([R R R R R R r R r R R R g A u =+=-?-=∥∥∥∥β
3.3（1）（d ）（e ）（2）（c ）（e ）（3）（e ） 3.4图（a ）
Ω
==Ω≈=-≈?===+?
-=k 3k 93.012512513i be121i 2
1be2
322
be1
2
be2
11
R R r R R R A A A r R A r r A u u u u u ∥∥ βββ
图（b ）
Ω
==Ω≈+=≈?=-≈=-≈?-=k 1k 2.1)(21004250)(4i be1325i 2
1be2
422
be1be2111
R R r R R R R A A A r R A r r R A u u u u u ∥∥∥ ββ
3.5图（c ）
Ω
==Ω≈=≈?=-≈=-≈?-=k 2k 5.1663410762)(4i be11i 21be2
422
be1be2311
R R r R R A A A r R A r r R A u u u u u ∥∥ ββ
{}Ω
≈++=Ω==-≈?=≈+++=-≈-≈++-=431M 1061
)1()1(6])1([2
be 4o 1i 214
be 4
2
24be 21β
βββR r R R R R A A A R r R A R g R r R g A u u u u m m u ∥
∥
3.6
be
W
c I
O
d C2C1O I
be
c
C2I be
W c C1be
W
c I
O
d )2
( 2 2)
( )2()2
( )1(r R R u u A u u u u r R u u r R R u r R R u u A +
-=??=
?-?=???-
=???+-
=?+
-=??=
ββββ
3.7
Ω
≈++=-≈++-
=Ω
≈++=≈-==+?+k 4.10)1(2972
)
1( k 66.2mV
26)1(mA
517.022
22
W be i W
be c
d EQ bb'b
e e W BEQ EE EQ EE e EQ W
EQ BEQ R r R R r R A I r r R R U V I V R I R I U ββββ＋， 3.8
V
67.067
2 mV 10mV 152
Id d O be
c
d I2I1Id I2
I1IC -≈=?-≈-
==-==+=u A u r R A u u u u u u β
3.9 （1）V 5 k 67.6CC L
c L
'
CC L c 'L =?+=
Ω≈=V R R R V R R R ∥
V
15V 23.3mA
265.02CC CQ2'
L CQ 'CC CQ1e
BEQ
EE EQ ==≈-==-≈
V U R I V U R U V I
（2）△u O ＝u O －U CQ1≈－1.23V
V
9.2V 327.0mV 6.377
.32)
(2 k 1.5mA
26)1(O 1O I d O d
O
I be b '
L
d EQ 'bb b
e ≈?+=-≈=?≈?=
-≈+-=Ω≈++=u U u u A u A u u r R R A I r r CQ ββ
3.10
]
)1([2)1()2(be21be1i be2
11be L
c 21
d r r R r r R R A ββββ++=++-≈∥
3.11 A d ＝－g m R D ＝－40 R i ＝∞ 3.12 1600 2
1
D m d -=?-=R g A βR i ＝∞ 3.13
{}{}5
6
be57o 2217
5be5753
1be 54be4642
be1
54be4211
1)1()1(2)1([2)1([βββββββ++==+++=++-=++=R r R R A A A A R r R A r R r R A r R r R A u u u u u u u ∥
∥∥
3.14（1）
mV
8.77V
78.72
o i CEQ
CC o ≈=≈-=
u
A
U
U U V U
（2） 若U i ＝10mV ，则U o ＝1V （有效值）。
若R 3开路，则u o ＝0V 。若R 3短路，则u o ＝11.3V （直流）。
第四章集成运算放大电路
自测题
一、（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、（1）×（2）√（3）√（4）√（5）× 三、μA 100BE1
BE2CC C2=--=
≈R
U U V I I R
四、（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。
（2）第一级：采用共集-共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载（T 5、T 6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。
第二级共射放大电路以T 7、T 8构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载，增大放大倍数。
第三级加偏置电路，利用D 1、D 2消除交越失真。 五、（1）①（2）③（3）⑦（4）②（5）⑥（6）⑤（7）④
习题
4.1输入级、中间级、输出级和偏置电路。
输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。
对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数即可能大。 对中间级的要求：放大倍数大。
对输出级的要求：带负载能力强，最大不失真输出电压即可能大。 4.2。
，5
od od 10dB 100lg 20==A A u O 1V 10V 14V 14V -1V -10V -14V -14V 4.3 A 1－通用型，A 2－高精度型，A 3－高阻型，A 4－高速型。 4.4
。
时，＞＞当A μ1003)1( 3)1( 313μA
100C2C122C C C B C0B4C00
BE BE4CC =≈=+?+++=++
=++=+==--=
R R
R R I I I I I I I I
I I I I R
U U V I βββββββββ
4.5
A
μ3202A μ160 A μ1601 V)7.0(μA 200C0C2C0C1C0C0C0B C EB EB
CC =====+=
+=+===-=
I I I I I I I
I I I I U R
U V I R
R R β
ββ
其中
4.6)()
(DS2DS1m I
DS2DS1D I
O
r r g u r r i u u A u ∥∥-=??-=
??=
4.7在图（a ）（b ）所示电路中
)
(2I21I O 1D 1D 2D O 4D 3D 2D 1D u u i g i i i i i i i i m -??-
=?-=?-?=??=?=?-=?，
图（a ）中：
)
(- )
()( )
(DS4DS2m I2I1DS4DS2O I2I1r r g u u r r i u u u A O
u ∥∥=-??=-??=
图（b ）中：)(- DS4DS2m r r g A u ∥=
4.8（1）T 1和T 2、组成的复合管为放大管，T 5和T 6为有源负载，双端输入、单端输出的差分放大电路。 （2）ββ)1(I
O
+=??=
i i A i 4.9 同题4.8。 4.10（1）
2
1be3
c22be1
3be c112
u u u u u A A A r R A r r R A ?=?
-=?-=ββ∥
（2）当有共模输入电压时，u O =0。
R c1＞＞r D ，△u C1＝△u C2，因此△u BE3＝0，故u O =0。 4.11 （1）C （2）C （3）B （4）A
4.12因为U BE3＋U CE1＝2U D ，U BE1≈U D ，U CE1≈U D ，所以U CB ≈0，反向电路为零，因此I CBO
对输入电流影响很小。
4.13（1）因为β＞＞2，所以i C2≈i C1≈i I2。 （2）i B3＝i I1－i C2≈i I1－i I2
（3）
c
3B3O I2I1O c B33c C3O )(
R i u i i u A R i R i u ui ββ-=??≈-??=?-=?-=?
4.14图（a ）所示电路中，D 1、D 2使T 2、T 3微导通，可消除交越失真。
R 为电流采样电阻，D 2对T 2起过流保护。当T 2导通时，u D3＝u BE2＋i O R － u D1，未过流时i O R 较小， u D3因小于开启电压而截止；过流时u D3因大于开启电压而导通，为T 2基极分流。D 4对T 4起过流保护，原因与上述相同。
图（b ）所示电路中，T 4、T 5使T 2、T 3微导通，可消除交越失真。
R 2为电流采样电阻，T 6对T 2起过流保护。当T 2导通时，u BE6＝u BE2＋i O R － u BE4，未过流时i O R 较小，因u BE6小于开启电压T 6截止；过流时6因大于开启电压T 6导通，为T 2基极分流。T 7对T 3起过流保护，原因与上述相同。
4.15（1）为T 1提供静态集电极电流、为T 2提供基极电流，并为T 1的有源负载。 （2）T 4截止。因为u B4＝u C1＝u O ＋u R ＋u B2＋u B3，u E4＝u O ，u B4＜u E4。 （3）T 3的射极电流，在交流等效电路中等效为阻值非常大的电阻。
（4）保护电路。u BE5＝i O R ，未过流时T 5电流很小；过流时使i E5＞50μA ，T 5更多地为T 5的基极分流。
4.16 T 1－共射电流的放大管，T 2和T 3－互补输出级，T 4、T 5、R 2－消除交越失失真。 4.17（1）u 11为反相输入端，u 12为同相输入端。
（2）为T 1和T 2管的有源负载，将T 1管集电极电路变化量转换到输出，使单端输出的放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。
（3）为T 6设置静态电流，且为T 6的集电极有源负载。 （4）消除交越失真。
4.18（1）由T 10、T 11、T 9、T 8、T 12、T 13、R 5构成。 （2）三级放大电路：
T 1～T 4－共集-共基差分放大电路，T 14～T 16－共集-共射-共集电路，T 23、T 24－互补输出级。
（3）消除交越失真。U BE23＋U BE24＝U BE20＋U BE19
第五章放大电路的频率响应
自测题
一、（1）A （2）B A （3）B A （4）C C
二、（1）静态及动态分析估算：
∥178)(A mA/V
2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV
26)
1(V 3mA 8.1)1(A
μ6.22c be
e b'i s i
us T
EQ b be i e b'bb'be EQ
bb'e b'c CQ CC CEQ BQ EQ b
BEQ
CC BQ -≈-?+=
≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈++=≈-=≈+=≈-=
R g r r R R R U I g R r R r r r I r r R I V U I I R U V I m m ββ
（2）估算‘
πC ：
pF
1602)1(pF
214π2)
(π2μc m 'μT
e b'0μπe b'0
T ≈++=≈-≈
+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ
（3）
Hz
14)π(21
kHz 175π21
567)()(i s L '
π
H s b b'e b'b s b b'e b'≈+=
≈=Ω≈+≈+=C
R R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥
（4）dB 45lg 20sm ≈u A ，频率特性曲线略。
三、（1）60 103
（2）10 10
（3）)
10
j 1)(10j 1)(10j 1(j 100)10j 1)(10j 1)(j 101(1054543f f f f
f f f ++++++或
习题
5.1（1）
1
)π(21
C r R R be b S ∥+①①
（2）
'
'')](π[21
π
C R R r r S b bb e b ∥∥+①①①③ 5.2 )
10
j 1)(10j 1( 3.2j )10j 1)(j 101(3255f f f A f f A u
u
++-=++-= 或 5.3
)
105.2j 1)(10j 1)(j 1(10)105.2j 1)(j 101)(j 11(1005
2
5?+++=
?+++=f f f f A f f f A u u
－或 5.4（1）直接耦合；
（2）三级；
（3）当f ＝104Hz 时，φ’＝－135o ；当f ＝105Hz 时，φ’＝－270o 。
5.5 kHz 13131.1 )105.21(10'H H 35
3
≈≈?+=f f f j A u
5.6（1）
Hz
10Hz 10100
)10j 1)(10j
1(10
j 1005H L m
5==-=++?-=f f A f f f
A u u （2）图略。
第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？
模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时, 发射结为____ 偏置, 集电结为_____偏置; 工作在饱和区时发射结为___偏置, 集电结为____偏置。3．当输入信号频率为fL和fH时, 放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍, 或者是下降了__dB, 此时与中频时相比, 放大倍数的 附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈; 为降低放大电路输出电阻, 应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到_____, 但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中, 引入了——负反馈; 为了正常稳压, 调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V, -9.3 V, 则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示, 该管为 ( )。
A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中, 若uI = 20 mV, 则电路的( )。 A．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路, 这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻, RS为常数, 为使下限频率fL 降低, 应( )。 A．减小C, 减小Ri B．减小C, 增大Ri C．增大C, 减小Ri D．增大C, 增大 Ri 6．如图所示复合管, 已知V1的 b1 = 30, V2的 b2 = 50, 则复
电磁学第二版习题答案2
电磁学 第二版 习题解答 电磁学 第二版 习题解答 (2) 第一章 .............................................................. 2 第二章 ............................................................ 18 第三章 ............................................................ 27 第四章 ............................................................ 36 第五章 ............................................................ 40 第六章 ............................................................ 48 第七章 (54) 第一章 1．2．2 两个同号点电荷所带电荷量之和为Q 。在两者距离一定的前提下，它们带电荷量各为多少时相互作用力最大？ 解答： 设一个点电荷的电荷量为1q q =，另一个点电荷的电荷量为 2()q Q q =-，两者距离为r ，则由库仑定律求得两个点电荷之间的作用力为 2 0() 4q Q q F r πε-= 令力F 对电荷量q 的一队导数为零，即
20()04dF Q q q dq r πε--== 得 122 Q q q == 即取 122 Q q q == 时力F 为极值，而 22 2 02 204Q q d F dq r πε== < 故当122 Q q q ==时，F 取最大值。 1．2．3 两个相距为L 的点电荷所带电荷量分别为2q 和q ，将第三个点电荷放在何处时，它所受的合力为零？ 解答： 要求第三个电荷Q 所受的合力为零，只可能放在两个电荷的连线中间，设它与电荷q 的距离为了x ，如图1.2.3所示。电荷Q 所受的两个电场力方向相反，但大小相等，即 22 00204()4qQ qQ L x x πεπε-=- 得 22 20x Lx L +-= 舍去0x <的解，得 21)x L =- L x L -q Q 2
第一部分 习题 第一章 静电场基本规律 1．2．1在真空中有两个点电荷，设其中一个所带电量是另一个的四倍，它们个距2510-?米时，相互排斥力为牛顿。问它们相距0.1米时，排斥力是多少两点电荷的电量各为多少 解：设两点电荷中一个所带电量为q ，则另一个为4q ： （1） 根据库仑定律：r r q q K F ?22 1 =? 得：21 2221r r F F = （牛顿）） （） （4.01010560.12 12 2222112=??==--r r F F (2) 21 2 24r q K F = ∴ 21 9 4221 211109410560.14）（）（????±=± =-K r F q =±×710- （库仑） 4q=±×810- （库仑） 1．2．2两个同号点电荷所带电量之和为 Q ，问它们带电量各为多少时，相互作用力最大 解： 设其中一个所带电量为q ，则一个所带电量为 Q-q 。 根据库仑定律知，相互作用力的大小： 2 ) (r q Q q K F -= 求 F 对q 的极值 使0='F 即：0)2(=-q Q r K ∴ Q q 2 1 =。 1．2．3两个点电荷所带电量分别为2q 和q ，相距L ，将第三个点电荷放在何处时，它所受合力为零 解：设第三个点电荷放在如图所示位置是，其受到的合力为零。 图 1．2．3
即： 41πε 2 0x q q = 041 πε )(220x L q q - =2 1x 2)(2x L - 即：0222=-+L xL x 解此方程得： )()21(0距离的是到q q X L x ±-= （1） 当为所求答案。时，0)12(>-=x L x （2） 当不合题意，舍去。时，0)12(<--=x L x 1．2．4在直角坐标系中，在（0，），（0，）的两个位置上分别放有电量为1010q -=（库）的点电荷，在（，0）的位置上放有一电量为810Q -=（库）的点电荷，求Q 所受力的大小和方向（坐标的单位是米） 解：根据库仑定律知： 121 1?r r Q q K F =? )?sin ?(cos 1121 1j i r Q q K αα-= 2 28 1092.01.010 10109+???= --???? ? ?????+-++2 1222122)2.01.0(?1.0)2.01.0(?2.0j i =j i ?100.8?1061.187--?-? 如图所示，其中 2 1 21211 1) (cos y x x += α 2121 211 1) (sin y x y += α 同理：)?sin ?(cos 2222 12j i r Q q K F αα+?= ? 2281092.01.01010109+???=--×???? ? ?????+-++2 1222122)2.01.0(?1.0)2.01.0(?2.0j i
一、填空（30分，每空1分） 1、半导体中存在两种载流子，分别为 电子和 空穴 。杂质半导体分为两种，分别为 N 型半导体 和 P 型半导体 。 2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度 高；基区做得 很薄 ，且掺杂浓度 低 。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏 ；而集电结 反偏 。 3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的 发射结 正向偏置，三极管的 集电结 反向偏置，以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为 微变等效法 和 图解法 。 4、基本放大电路有三种组态，即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的 代数乘积 。 13、电压负反馈使输出电压 稳定 ，因而降低了放大电路的 输出电阻；电流负反馈使输出电流 稳定 ，因而提高了电路的 输出电阻 。串联负反馈增大 放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。 二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分） 1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷 2、在三极管的基本组态电路中(B) A 、共集组态的电压增益最大 B 、共集组态的电压增益最小 C 、共发组态的电压增益最小 D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器，它(D) A 、只能放大直流信号 B 、只能放大交流信号 C 、不能放大交流信号 D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有（C ） A 、负反馈深度较大的两级放大电路； B 、环路增益的幅值 1 AF ； 得分 评卷人
第一章思考题 1． 1一个点电荷受到另一个点电荷的静电力是否会因其它电荷的移近而改变？当“另一个点电荷”被一个带电导体代替时，情况又如何？ 答：根据静电力的叠加原理，一个点电荷受到另一个点电荷的作用力，不论周围是否存在其它电荷，总是符合库仑定律的，如果这两个点电荷都是静止的固定的，则它们间距不发生变化，其相互作用力不会因其它电荷的移近而改变（反之若这两个点电荷是可动的，则当其它电荷移近，此二点电荷因受其它电荷作用而发生移动，其间距离变化，则相互作用力也变） 1． 2有一带电的导体，为测得其附近P 点的场强，在P 点放一试探电荷0q （0q >0），测得它所受的电场力为F 。如果0q 很大，F/0q 是 否等于P 点的场强E ？比E 大还是比E 小？ 答：若0q 很大，受它影响，带正电的导体的电荷分布，由于静电感应，导体上的正电荷受到排斥要远离P 点，因此在P 点放上0q 后，场强要比原来小，而测得的F/0q 是导体上电荷重新分布后测得的P 点的场强，故F/0q 要比P 点原来的场强E 小 1、 3场强的定义式为E=F/0q ，可否认为场强E 与F 成正比，与0q 成反比？当0 q →0时，场强是无限大还是为零？还是与0q 无关？ 答：不能，电场中某点的场强，它是由产生电场的电荷决定的，电场中某点的电场强度是客观存在的，是具有确定的值，当某点放上0q 后，所受的力F 与0q 成正比，比值F/0q 是个确定的值，其大小与F ，0q 均无关系，成以当0q →0时，其所受的力F →0，其比值→确定 值，与0q 无关 1． 4判断对错。（1）闭合曲面上各点场强为零时，面内必没有电荷；（2）闭合曲面内电量为零时，面上各点场强必为零；（3）闭合曲面 的电通量为零时，面上各点的场强必为零；（4）通过闭合曲面的电通量仅决定于面内电荷；（5）闭合曲面上各点的场强是仅由面内电荷产生的；（6）应用高斯定理求场强的条件是电荷分布具有一定的对称性；（7）如果库仑定律中r 的幂不是-2，则高斯定理不成立 答：（1）（2）（3）（5）（6）不对；（4）（7）对‘ 1． 5一个点电荷放在球形高斯面的球心，试问下列情况下电通量是否改变（1）如果这球面被任意体积的立方体表面所代替，而点电荷仍 位于立方体中心；（2）如果此点电荷被移离原来的球心，但仍在球内；（3）如果此点电荷被放到高斯球面之外；（4）如果把第二个点电荷放到高斯球面外的某个地方；（5）如果把第二个电荷放在高斯球面内 答：（1）与曲面形状无关，所以电通量不改变；（2）与面内电荷所在位置无关，所以电通量不改变；（3）面内电荷改变（减少）所以电通量改变→0；（4）面内电荷不变，所以电通量不改变；（5）面内电荷改变（增加），所以电通量改变→增加 1． 6图中已知S 1面上的电通量为1 S Φ，问S 2面，S 3面及S 4面上的电通量2 S Φ，3 S Φ，4 S Φ各等于多少？ 答：S 1面与S 3面组成闭合曲面1 S Φ+3 S Φ= 1 εq ，3 S Φ= 1 εq -1 S Φ； S 4与S 3组成闭合曲面3 S Φ+4 S Φ=0，4 S Φ=-3 S Φ=1 S Φ-0 1 εq ； S 2与S 3组成闭合曲面2 S Φ+3 S Φ= 2 1εq q +；2 S Φ=-3 S Φ+ 2 1εq q +=1 S Φ-0 1 εq + 2 1εq q +=1 S Φ+ 2 εq 1． 7（1）将初速度为零的电子放在电场中时，在电场力作用下，这电子是向电位高处运动，还是向电位低处运动？为什么？（2）说明 无论对正负电荷来说，仅在电场力作用下移动时，电荷总是从电位能高的地方移向电位能低的地方。 答：（1）总是向高电位处运动，受力方向逆着电力线，在初速为零，逆着电力线方向运动，电场中各处的电位永远逆着电力线方向升高。（2）仅在电场力作用下移动时，电场力方向与正负电荷位移方向一致，电场力作正功，使电荷的电位能减小,所以电荷总是从电位能高处向低处移动 1． 8可否任意将地球的电位规定为100伏，而不规定为零？这样规定后，对测量电位，电位差的数值有什么影响？ 答：可以，对电位差的数值无影响，对电位的数值有影响，提高了 1． 9判断对错（1）场强大的地方，电位一定高。（2）电位高的地方，场强一定大。（3）带正电的物体的电位一定是正的。（4 ）电位等于
程稼夫电磁学篇第一章《静电场》课后习题 1-1设两个小球所带净电荷为q，距离为l，由库仑定律： 由题目，设小球质量m，铜的摩尔质量M，则有： 算得 1-2 取一小段电荷，其对应的圆心角为dθ： 这一小段电荷受力平衡，列竖直方向平衡方程，设张力增量为T： 解得 1-3（1）设地月距离R，电场力和万有引力抵消： 解得： （2）地球分到，月球分到，电场力和万有引力抵消： 解得：
1-4 设向上位移为x，则有： 结合牛顿第二定律以及略去高次项有： 1-5由于电荷受二力而平衡，故三个电荷共线且q3在q1和q2之间： 先由库仑定律写出静电力标量式： 有几何关系： 联立解得 由库仑定律矢量式得： 解得 1-6（1）对一个正电荷，受力平衡：
解得，显然不可能同时满足负电荷的平衡 （2）对一个负电荷，合外力提供向心力： 解得 1-7（1）设P限制在沿X轴夹角为θ的，过原点的直线上运动（θ∈[0,π)），沿着光滑直线位移x，势 能： 对势能求导得到受力： 小量近似，略去高阶量： 当q＞0时，；当q＜0时， （2）由上知 1-8设q位移x，势能： 对势能求导得到受力： 小量展开有：，知
1-9（1）对q受力平衡，设其横坐标的值为l0：，解得 设它在平衡位置移动一个小位移x，有： 小量展开化简有： 受力指向平衡位置，微小谐振周期 （2） 1-10 1-11 先证明，如图所示，带相同线电荷密度λ的圆弧2和直线1在OO处产生的电场强度相等.取和θ. 有： 显然两个电场强度相等，由于每一对微元都相等，所以总体产生的电场相等. 利用这一引理，可知题文中三角形在内心处产生的电场等价于三角形内切圆环在内心处产生的电场.由对称性，这一电场强度大小为0. 1-12（1）
《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联
电子信息学院电磁场与电磁波第一章复习题练习 姓名 学号 班级 分数 1-7题，每题5分；8-15题，每题5分，16题10分，17题15分。 8: 解：不总等于，讨论合理即可 9. 已知直角坐标系中的点P 1(-3，1，4)和P 2（2，-2,3）： (1) 在直角坐标系中写出点P 1、P 2的位置矢量r 1和r 2； (2) 求点P 1到P 2的距离矢量的大小和方向； (3) 求矢量r 1在r 2的投影； 解：（1）r1=-3a x +a y +4a z ; r2=2a x -2a y +3a z (2)R=5a x -3a y -a z (3) [（r1?r2）/ │r2│] =（17）? 10.用球坐标表示的场E =a r 25/r 2，求： （1） 在直角坐标系中的点（-3,4，-5）处的|E |和E z ； （2） E 与矢量B =2a x -2a y +a z 之间的夹角。 解：（1）0.5；2?/4; (2)153.6 11.试计算∮s r ·d S 的值，式中的闭合曲面S 是以原点为顶点的单位立方体，r 为 空间任一点的位置矢量。 解：学习指导书第13页 12.从P （0,0,0）到Q （1,1,0）计算∫c A ·d l ，其中矢量场A 的表达式为 A =a x 4x-a y 14y 2.曲线C 沿下列路径： （1） x=t ，y=t 2； （2） 从（0,0,0）沿x 轴到（1,0,0），再沿x=1到（1,1,0）； （3） 此矢量场为保守场吗？ 解：学习指导书第14页 13.求矢量场A =a x yz+a y xz+a z xy 的旋度。 A ??=x a （x -x ）+y a （y -y ）+z a （z -z ）=0 14.求标量场u=4x 2y+y 2z-4xz 的梯度。 u ?=x a u x ??+y a u y ??+z a u z ??=x a (8xy-4z)+y a (42x +2yz)+z a (2y -4x)
模拟电子技术（第四版）童诗白 课后习题答案 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈ U O2＝0 U O3≈－ U O4≈2V U O5≈ U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β
七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 （1）A C （2）A （3）C （4）A 不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端 电压为时管子会因电流过大而烧坏。 u i 和u o 的波形如图所示。 u i 和u o 的波形如图所示。 u o 的波形如图所示。 I D ＝（V －U D ）/R ＝，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 （1）两只稳压管串联时可得、、和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得和6V 等两种稳压值。 t t t t
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。
第一章 习题一 1、电量Q 相同的四个点电荷置于正方形的四个顶点上，0点为正方形中心，欲使每个顶点的电荷所受电场力为零，则应在0点放置一个电量q ＝－(1+2√2)Q/4 的点电荷。 2、在点电荷系的电场中，任一点的电场强度等于各点电荷单独在该点产生场强的矢量和，这称为电场强度叠加原理。 3、一点电荷电场中某点受到的电场力很大，则该点的电场强度E ：( C ) (A)一定很大 (B)一定很小 (C)可能大也可能小 4、两个电量均为+q 的点电荷相距为2a ，O 为其连线的中点，求在其中垂线上场强具有极大值的点与O 点的距离R 。 解法一：2 2 02 02141 41 a R q πεr q πεE E += = = 21E E E +=，θE θE θE E cos 2cos cos 121=+= 2 2 2 2 042 a R R a R q πε++= ( ) 2 /322 02a R R πεq += E 有极值的条件是： () 0222 /52 2220=+-= a R R a πεq dR dE 即 022 2=-R a ，解得极值点的位置为：a R 2 2= ∵ ( ) 2 /722 2 202 2 3223a R a R πεqR dR E d +-= ，而 03984 02 /222 <- == a πεq dR E d a R ∴ 中垂线上场强具有极大值的点与O 点的距离为a R 2 2= 且 () 2 02 /3220m a x 332/2 / 2a πεq a a a πεq E = += 解法二：θa q πεr q πεE E 2 2 02 021sin 4141= = =，21E E E += +q +q
模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可
视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压6Z U V =，最小稳定电流 min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。 (1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值； (2)若35I U V =时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？ 解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。 ∴V U I 10=时，V U R R R U I L L O 3.3=+= ； V U I 15=时，5L O I L R U U V R R = =+； V U I 35=时，11.7L O I Z L R U U V U R R = ≈>+，∴V U U Z O 6==。 (2)当负载开路时，mA I mA R U U I Z Z I Z 2529max =>=-=，故稳压管将被烧毁。 1.7 在图Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压 U D =1.5V ，正向电流在5~15mA 时才能正常工作。
模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷一专升本试卷及其参考答案 试卷一（总分150分） （成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一） 一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（ ） a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（ ） a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏 图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（ ） a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（ ） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定 图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（ ）
a.L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'- C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为（ ） a. R g +(R g1//R g2) b. R g //(R g1+R g2) c. R g //R g1//R g2 d. [R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S 7. 直流负反馈是指（ ） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ ） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（ ） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（ ） a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10
一.选择题（本大题15小题，每题2分） 第一章、第二章 1.在静电场中，下列说法中哪一个是正确的 [ ] (A)带正电荷的导体，其电位一定是正值 (B)等位面上各点的场强一定相等 (C)场强为零处，电位也一定为零 (D)场强相等处，电位梯度矢量一定相等 2.在真空中的静电场中，作一封闭的曲面，则下列结论中正确的是［］ (A)通过封闭曲面的电通量仅是面内电荷提供的 (B) 封闭曲面上各点的场强是面内电荷激发的 (C) 应用高斯定理求得的场强仅是由面内电荷所激发的 (D) 应用高斯定理求得的场强仅是由面外电荷所激发的 3.关于静电场下列说法中正确的是 [ ] (A)电场和试探电荷同时存在和消失 (B)由E＝F/q知道，电场强度与试探电荷成反比 (C)电场强度的存在与试探电荷无关 (D)电场是试探电荷和场源电荷共同产生的 4.下列几个说法中正确的是： [ ] (A)电场中某点场强的方向，就是将点电荷放在该点所受电场力的方向 (B)在以点电荷为中心的球面上，由该点电荷所产生的场强处处相同 (C)场强方向可由E=F/q定出，其中q为试验电荷的电量，q可正、可负， F为试验电荷所受的电场力 (D)以上说法全不对。 5.一平行板电容器中充满相对介电常数为的各向同性均匀电介质。已知介 质两表面上极化电荷面密度为，则极化电荷在电容器中产生的电 场强度的大小为 [ ]
(A) 0εσ' (B) 02εσ' (C) 0εεσ' (D) ε σ' 6. 在平板电容器中充满各向同性的均匀电介质，当电容器充电后，介质中 D 、 E 、P 三矢量的方向将是 [ ] (A) D 与E 方向一致，与P 方向相反 (B) D 与E 方向相反，与P 方向一致 (C) D 、E 、P 三者方向相同 (D) E 与P 方向一致，与D 方向相反 7. 在一不带电荷的导体球壳的球心处放一点电荷，并测量球壳内外的场强分 布，如果将此点电荷从球心移到球壳内其它位置，重新测量球壳内外的场强分布，则将发现： [ ] (A) 球壳内、外场强分布均无变化 (B) 球壳内场强分布改变，球壳外的不变 (C) 球壳外场强分布改变，球壳内的不变 (D) 球壳内、外场强分布均改变 8. 一电场强度为E 的均匀电场，E 的方向与x 轴正向平行，如图所示，则通过 图中一半径为R 的半球面的电场强度通量为 [ ] (A) 2R E π；(B) 21 2 R E π； (C) 22R E π；(D ) 0。 9. 在静电场中，电力线为均匀分布的平行 直线的区域内，在电力线方向上任意两点的电场强度E 和电势U 相比较 [ ] (A) E 相同，U 不同 (B) E 不同，U 相同 (C) E 不同，U 不同 (D) E 相同，U 相同
第五章静电场 5 －9若电荷Q均匀地分布在长为L的细棒上.求证：(1) 在棒的延长线，且离棒中心为r处的电场强度为 2 2 4 π 1 L r Q ε E - = (2) 在棒的垂直平分线上，离棒为r处的电场强度为 2 2 04 π2 1 L r r Q ε E + = 若棒为无限长(即L→∞)，试将结果与无限长均匀带电直线的电场强度相比较. 分析这是计算连续分布电荷的电场强度.此时棒的长度不能忽略，因而不能将棒当作点电荷处理.但带电细棒上的电荷可看作均匀分布在一维的长直线上.如图所示，在长直线上任意取一线元d x，其电荷为d q＝Q d x/L，它在点P 的电场强度为 r r q ε e E 2 d π4 1 d ' = 整个带电体在点P的电场强度 ?=E E d 接着针对具体问题来处理这个矢量积分. (1) 若点P 在棒的延长线上，带电棒上各电荷元在点P的电场强度方向相同， ?=L E i E d (2) 若点P 在棒的垂直平分线上，如图(A)所示，则电场强度E沿x轴方向的分量因对称性叠加为零，因此，点P的电场强度就是 ??= = L y E α E j j E d sin d
证 (1) 延长线上一点P 的电场强度?'=L r πεE 202 ，利用几何关系 r ′＝r －x 统一积分变 量，则 ()220 022 204π12/12/1π4d π41L r Q εL r L r L εQ x r L x Q εE L/-L/P -=??????+--=-=? 电场强度的方向沿x 轴. (2) 根据以上分析，中垂线上一点P 的电场强度E 的方向沿y 轴，大小为 E r εq αE L d π4d sin 2 ? '= 利用几何关系 sin α＝r /r ′，2 2 x r r +=' 统一积分变量，则 () 2 2 03 /2222 2041π2d π41L r r εQ r x L x rQ εE L/-L/+= +=? 当棒长L →∞时，若棒单位长度所带电荷λ为常量，则P 点电场强度 r ελL r L Q r εE l 02 20π2 /41/π21lim = +=∞ → 此结果与无限长带电直线周围的电场强度分布相同［图(B)］.这说明只要满足r 2/L 2 ＜＜1，带电长直细棒可视为无限长带电直线. 5 －14 设匀强电场的电场强度E 与半径为R 的半球面的对称轴平行，试计算通过此半球面的电场强度通量. 分析 方法1：由电场强度通量的定义，对半球面S 求积分，即? ?=S S d s E Φ 方法2：作半径为R 的平面S ′与半球面S 一起可构成闭合曲面，由于闭合面内无电荷，由高斯定理
第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t
图2 《模拟电子技术》试题 开卷（ ） 闭卷（√） 考试时长：100分钟 一、单项选择题（10*2=20分） 每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案，按答题卡的要求进 行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时，有（ ） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ） A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（ ） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结正偏，集电结正偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（ ） A 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC 应当（ ） A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ） A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极 管为（ ） A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（ ） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（ ） A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题（25*1=25分） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的门槛电压约为 _ _V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻 ；反向电阻 。