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2011-2012-2 单片机原理与应用复习提纲 (10级)

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《单片机原理与应用》复习提纲第一章

第二章MCS-51系列单片机的硬件结构

1. MCS-51单片机的总体结构

MCS-51单片机的内部结构

?8位的CPU;

?128个字节的片内RAM;

?4K字节的片内ROM程序存储器(8031无)

?外部的RAM和ROM的寻址范围为64K

?21个字节的专用寄存器

?4个8位并行I/O口

?1个全双工的串行口

?2个16位的定时器/计数器

?5个中断源、2个中断优先级

MCS-51单片机的总线结构

微处理器又称为CPU,是单片机内部的核心部件,它决定了单片机的重要功能特性。它由运算器和控制器两大部分组成。

对CPU的使用就是对CPU中的寄存器的使用。

?累加器ACC

?寄存器B

?程序状态字PSW

?布尔处理器C

?程序计数器PC

?数据指针DPTR DPTR寄存器中存放外部数据存储器地址

?堆栈指针SP

?

2.程序存储器

程序存储器通常存放程序指令、常数及表格等,系统在运行过程中不能修改其中的数据。.程序的几个特殊地址:

?复位0000H

?外部中断0 0003H

?定时器/计数器0溢出000BH

?外部中断1 0013H

?定时器/计数器1溢出001BH

?串行口中断0023H

3.数据存储器

?数据存储器则存放缓冲数据,系统在运行过程中可修改其中的数据。

?包括:

?1)编址与访问

?2)片内数据存储器

?3)特殊功能寄存器块

片内128字节数据存储器

要求熟悉4个工作寄存器区的使用方法RS0,RS1。

如:RS1,RS0=10 , R1的直接地址为11H。

00H~1FH :内部RAM的寄存器区共有32个单元,分为4组,每组8单元。

?20H~2FH:128位寻址区,128位寻址区的字节地址范围是20H~2FH。

?30H~7FH:通用寄存器区或数据缓冲区。

?

?堆栈:

?使用片内RAM、初始化时SP=07H

?51系列单片机的堆栈是向上生长的

?一般程序中堆栈的开始:

?MOV SP,#60H

4.单片机的复位电路

高电平复位,一般高电平保持2个机器周期以上有效复位

5.时序

?(1)振荡周期

?(2)状态周期

?(3)机器周期

?(4)指令周期

?外部晶振的2分频是MCS-51单片机的内部时钟周期,6个时钟周期构成了单片机的1个机器周期。即1个机器周期是外部晶振频率的12分频。

例:单片机的晶振频率为6MHz,执行下列程序需要203 个机器周期和406 微秒时间。

(下列程序中注释的数字为执行该指令所需的机器周期数)

MOV R3,#50 ;1

LOOP:NOP ;1

NOP ;1

DJNZ R3,LOOP ;2

?RET ;2

?

第三章MCS-51系列单片机指令系统

1.寻址方式

1)概述

2)寻址就是寻找指令中操作数或操作数所在的地址。

3)所谓寻址方式就是如何找到存放操作数的地址,把操作数提取出来的方法。它是计算机的重要性能指标之一,也是汇编语言程序设计中最基本的内容之一。

寻址方式说明

立即寻址

寄存器寻址

直接寻址

寄存器间接寻址

基寄存器加变址寄存器间接寻址

相对寻址

位寻址

2.数据传送类

共29条。

按其操作方式,又可把它们分为三种:数据传送、数据交换和栈操作。

助记符:MOV、MOVX、MOVC、

XCH、XCHD、SWAP、

PUSH、POP。

应用举例:

1)把片内RAM 6AH单元中的内容传送到片外RAM 3000H单元。

MOV A, 6AH

MOV DPTR, #3000H

MOVX @DPTR, A

2)把片外I/O口地址为2000H的数据读入片内RAM 40H单元中。

MOV DPTR, #2000H

MOVX A, @DPTR

MOV 40H, A

3)把片外I/O口地址为2000H的数据写入片外RAM 4000H单元中。

MOV DPTR, #2000H

MOVX A, @DPTR

MOV DPTR, #4000H

MOV @DPTR, A

4)把外部数据存储器2040H单元内容和片外RAM 2230H单元互换。

MOV DPTR, #2040H

MOVX A, @DPTR

MOV R1, A

MOV DPTR,#2230H

MOVX A, @DPTR

MOV DPTR,#2040H

MOVX @DPTR,A

MOV DPTR,#2230H

MOV A,R1

MOVX @DPTR,A

5)已知片内RAM 50H单元中存放数据为0AAH,把此数据值压入堆栈,然后再弹回到40H 单元中,设堆栈指针为60H。

MOV SP, #60H

MOV 50H, #0AA H

PUSH 50H

POP 40H

3.算术运算类(24条)

加、减、乘、除基本四则运算和增量(加1)、减量(减1)运算。

助记符:ADD、ADDC、INC、DAA

SUBB、DEC、

MUL、DIV共8种操作助记符

应用举例:

1)将片内RAM 40H和41H单元内容相加,结果放42H。

MOV A,40H

ADD A, 41H

MOV 42H,A

2)将片外RAM 2000H和2001H两单元中的BCD码相加,结果放2002H。

MOV DPTR, #2000H

MOVX A, @DPTR

MOV R1, A

MOV DPTR,#2001H

MOVX A, @DPTR

ADD A, R1

DA A

MOV DPTR,#2002H

MOVX @DPTR,A

3)设被加数存入片内RAM30H~32H单元中,加数存入片内RAM40H~42H,低位在前,高位在后,各单元中均为压缩的BCD码。将结果之和分别存入50H~52H单元中。

MOV A,30H

ADD A, 40H

DA A

MOV 50H ,A

MOV A,31H

ADDC A, 41H

DA A

MOV 51H ,A

MOV A,32H

ADDC A, 42H

DA A

MOV 52H ,A

RET

4)把R1R0和R3R2中的两个4位BCD码数相加,结果送R5R4中,如有进位,则进

位位存入位地址20H中。

MOV A, R0

ADD A, R2

DA A

MOV R4,A

MOV A, R1

ADDC A, R3

DA A

MOV R5,A

CLR 20H

JNC L1

SETB 20H

L1: SJMP L1

4. 逻辑运算类(24条)

包括清除、求反、移位及与、或、异或等操作。

这类指令有:CLR、CPL、RL、RLC、RR、RRC、ANL、ORL、XRL,共9种操作助记符。

应用举例:

1)把累加器A中低4位(高4位清0)送入外部数据存储器的3000H单元。

MOV DPTR,#3000H

ANL A, #0FH

MOVX @DPTR, A

2)将累加器A的低4位的状态通过P1口的高4位输出。

ANL A, #0FH

SWAP A

ANL P1, #0FH

ORL P1,A

3)编程将片内RAM 21H单元的低3位和20H单元的低5位合并为一个字节送片内RAM

30H,要求21H的低3位放在高位上。

MOV 30H, 20H

ANL 30H, #1FH

MOV A, 21H

SWAP A

RL A

ANL A, #0E0H

ORL 30H,A

5. 控制转移类(17条)

计算机在运行过程中,有时因为操作的需要或程序较复杂,程序指令往往不能按顺序逐条执行,需要改变程序运行的方向。MCS-51的控制转移类指令包括无条件转移、条件转移、调用和返回指令等。

指令有AJMP、LJMP、SJMP、JMP A+@DPTR、JZ、JNZ、CJNZ、DJNZ、ACALL、

LCALL、RET、RETI、NOP共13种操作助记符。

LJMP、SJMP的转移范围

应用举例

1)将累加器A的低4位取反4次,高4位不变,每变换一次从P1口输出。

方法1: MOV R0, #0

LL: XRL A, #0FH

INC R0

MOV P1, A

CJNE R0, #04H,LL

RET

方法2: MOV R0, #04H

LL: XRL A, #0FH

MOV P1, A

DJNZ R0,LL

RET

6. 位操作类(17条)

以进位标志C作为累加器C

在使用位操作类指令时要和字节操作类指令区别开来,因为它们的助记符是相同的。

这类指令的助记符有:MOV、CLR、CPL、SETB、ANL、ORL、JC、JNC、JB、JNB、JBC,共11种操作助记符。

应用举例:

1)将累加器的ACC.5与00H位相与后,通过P1.4输出。

MOV C, ACC.5

ANL C,00H

MOV P1.4, C

7. 伪指令

汇编程序对用汇编语言写的源程序进行汇编时,还要提供一些汇编用的指令,例如要指定程序或数据存放的起始地址;要给一些连续存放的数据确定单元等等。但是,这些指令在汇编时并不产生目标代码,不影响程序的执行,所以称为伪指令。

ORG定位伪指令

DB定义字节伪指令

DW定义字伪指令

EQU赋值伪指令

END汇编结束伪指令

说明以下指令的意义:

1.MOV P1, #82H

2.SW AP A

3.ANL 30H,#20H

4.DEC @R0

5.CJNE A, #60H, NEG

6.SETB C

7.RL A

8.MOVX A,@DPTR

9.ORL 30H,A

10.MOV 30H, 20H

第四章汇编语言程序设计

1.顺序结构的程序

应用举例:

1)将片外I/O口1000H数据读入片内RAM 30H单元中。

2)把二个外部数据存储器2000H单元和2010H单元内容互换。

3)将31H、30H和41H、40H中的两个4位BCD码数相加,结果送31H、30H中,

(低位在低字节,高位在高字节)

4) 将片内RAM 20H单元中的数拆成两段,每段4位,并将其分别存入21H、22H单

元中。低4位存在21H单元,高4位存在22H单元

2.分支结构的程序

分支结构程序是利用条件转移指令,使程序执行到某一指令时,根据条件是否满足,来改变程序执行的顺序。

编写分支结构的程序主要在于正确使用转移指令。

编写分支结构的程序的关键是确定好分支条件。

应用举例:

1)从片内RAM 60H开始存放100个数据,试统计正数、负数及零的个数,并将

结果存放在50H/51H/52H单元中。

2)从20H单元开始有一无符号数据块,其长度在20H单元。求出数据块中的最

小值并存入21H单元中。

3.循环结构的程序

1. 将内部RAM30H开始的连续8个字节单元的无符号数求和,假设和不超过256。

2.将内部RAM20H开始的连续16个工作单元清0。

4.查表程序:参看实验六(1),(2)程序

5.子程序设计:参看实验六(1),(2)程序

通常将这种可以被调用的程序段称为子程序。

调用子程序的程序称为主程序。

使用子程序的过程称为调用子程序;

子程序执行完毕后返回主程序的过程称为子程序返回。

第五章MCS-51单片机硬件资源的应用

1.I/O口的应用

在MCS-51单片机内部包含有四个并行的I/O口P0口、P1口、P2口和P3口。

PO口既可以作为通用的I/O口进行数据的输入/输出,也可以作为单片机系统的地址/数据线使用。

P2口既可以作为通用的I/O口使用也可以作为地址总线使用。

P2口作为一般的I/O口使用时记作P2.7~P2.0;作为地址口使用时是地址的高8位,记作A15~A8。

I/O口应用举例

例5.1;例5.2;实验三

2.MCS-51单片机的中断系统

中断源中断控制中断优先级中断响应

?中断服务程序入口地址:

?外部中断0 0003H

?定时器/计数器0溢出000BH

?外部中断1 0013H

?定时器/计数器1溢出001BH

?串行口0023H

?中断系统应用举例例5.4

?

? 3. MCS-51的定时器/计数器

?计数功能是指对外部事件进行计数,计数信号来自T0、T1引脚。

?定时功能也是通过计数器的计数功能来完成的,不过此时的计数脉冲来自单片机内部的机器周期。

?定时和计数范围:

?方式1:

?16位计数器的计数值范围是:1~65536。

?当为计数器工作方式时:

?计数器的初值范围为:0~216 -1

?当为定时工作方式时:

?定时时间= (216

-计数初值)×定时周期

若晶振频率为12MHz,其定时周期1μs,则最短定时时间为:

Tmin=[216

-(2

16

-1)] ×1μs =1(μs)

最长定时时间为:

Tmax=(216

-0) ×1μs =65536(μs)

?方式2:

?二个8位计数器,可自动重装数

?定时器/计数器应用举例

?例5.9;例5.10;实验四

?

? 4. MCS-51的串行接口

?MCS-51单片机内部的串行接口是全双工的,即它能同时发送和接收数据。这个口既可以用于网络通信,也可以实现串行异步通信,还可以作为同步移位寄存器使用。在串行口中可供用户使用的是它的寄存器。

?熟悉串行控制寄存器SCON各位的功能

?

串行口的应用

第六章单片机的系统扩展技术

系统扩展的寻址方法有:

线译码方式和译码器译码二种方式

1.线译码

2.译码器译码

3.存储器综合扩展举例

?27128的地址空间范围是:0000H~3FFFH

?62128的地址空间范围是:8000H~0BFFFH。4.并行I/O口扩展技术

使用锁存器扩展并行口

使用三态门扩展并行口

利用8255扩展并行I/O口

第7章MCS-51系列单片机接口技术

1.键盘接口技术

(1)独立式按键接口

注意:读按键时要考虑去抖动延时

例如:编程读K0

(2)4×4行列键盘参考实验六(2)程序,熟悉4×4行列键盘编程方法

2. 显示接口技术

(1)LED静态显示

(2)LED动态显示

读程序要求:读懂参考实验六(1)LED动态扫描显示程序;

熟悉动态扫描显示程序的编程方法。

了解LED静态显示和动态显示各自的特点和主要区别。

掌握如下图所示LED动态显示的编程。

编程应用:

1)请设计四个共阴数码管显示的动态扫描显示电路,位驱动采用三极管控制假设待显示的数据已存放在30H开始连续存放的四个单元显示缓冲区中。

2)编写动态扫描显示程序

实验

熟悉单片机实验的步骤

单片机原理及应用期末考试试卷及答案

苏州经贸职业技术学院 2009-2010学年第二学期 《单片机原理及应用》期终试卷(A) 班级:姓名:学号:成绩: 一﹑填空题(将正确答案填在题干的空白处。1分×35=35分) 1、十进制数-47用8位二进制补码表示为:11010001B。 2、89C51含4KB Flash ROM,128B的RAM,在物理上有4个独立的存储器 空间。 3、若8031单片机的晶振频率fosc=12MHz,则振荡周期为1/12us ,状态周期为1/6us ,机器周期为1us ,执行MUL AB指令需要时间为4us 。 4、假定A=85H,R0=20H,(20H)=0AFH。执行指令:ADD A,@R0后,累加器 A的内容34H ,CY的内容1 ,AC的内容1 ,OV的内容1 。 5、假定DPTR的内容为8100H,累加器A的内容为40H,执行下列指令: MOVC A,@A+DPTR 后,送入A的是程序存储器8140H 单元的内容。 6、PSW中RS1 RS0=10H时,R2的地址为12H 。 7、ROM在物理上分为片内ROM 和片外ROM ,在逻辑上两者统一编址。 8、MCS-51单片机当EA=1时,首先使用的是片内程序存储器,存储容量超过4KB时开始使用外部程序存储器;EA=0时,则仅仅使用片外程序存储器。 9、MCS—51单片机访问片外存储器时,利用ALE 信号锁存来自P0 口的低8位地址信号。 10、欲使P1口的高4位输出1,而低4位不变,应执行一条ORL P1,#0F0H指令。 11、12根地址线可选4KB个存储单元,32KB存储单元需要15 根地址线。 12、设80C51 fosc=12MHz,定时器工作在方式0,则最大定时时间为8192μs。 13、异步串行数据通讯有单工、半双工和全双工共三种传送方式。 14、51单片机的中断系统最多可以有 2 个嵌套。 15、8031单片机指令MOV是访问内RAM ,最大范围为256B ,MOVX是访问外RAM ,最大范围为64KB,MOVC是访问ROM ,最大范围为64KB 。 二、单项选择(1分×15=15分) 1、MCS-51上电复位后,SP的内容是(B) (A)00H (B)07H (C)60H (D)70H 2、80C51是(C)

制药工艺复习提纲

制药工艺学复习提纲 (化学制药工艺部分) 绪论 1、制药工艺学的定义。 2、现代制药工业的基本特点:知识密集高技术产业;生产细分工与高质量要求;生产的比例性连续性;技术复杂,多品种多剂型;高投入、高风险、高回报;药物研发创新改进及生产工艺优化是生存发展的基本条件。 3、化学合成药物生产的特点(六方面内容) 4、制药工艺学所包含的研究内容(四个方向),各方向重点内容有哪些。 5、新药研发程序:临床前研究与临床研究两个阶段;其研究的内容、对象、重点和目的各不相同。 临床前研究(1)药学研究—新药物的定性与定量分析鉴定,原料药质量规格与标准,剂型及制剂工艺研究,标准的制定,稳定性实验,放大样试验等。 (2)药理毒理研究---药效学研究,药物作用机理研究,药物代谢动力学和药物代谢研究,一般药理学研究,毒理研究包括急性毒性、长期(慢性)毒性及特殊毒性(如致畸、致癌、致突变)研究。 第一阶段遵循药品非临床研究质量管理规范(GLP),(1)侧重于药物化学和药剂学、制药工艺学,药物分析检测等内容。(2)则主要是药理学生物学实验及现代药理学实验内容等研究内容涉及动物药理实验及生化实验多是其特点,实验规范管理更为重要。 此阶段解决对拟选新药系统研究评估考核,以确定其符合计入人体临床试验要求问题。 临床研究-依循药品临床试验管理规范(GCP)的要求与规定在人体上确证新药的疗效与毒性,分期(例如我国实行三期进行)继续完成相应的药学、药理、毒理等方面的后续工作。临床研究工作集中于三期阶段,但生产上市后仍需长期跟踪考察研究一旦发生新问题,必须及时解决以保证人类生命安全为基本原则。 6、GMP的中心指导思想是什麽?内容与目的? 7、药品管理中GSP 、GPP、GAP各代表什麽含义?药物的GLP、GCP、GMP、GSP相互之间的联系与区别? 问答题 1.化学合成制药工艺的特点。 2.制药工艺学的含义和所要解决的问题是什么? 3.哪些来源的药物属于新药?国家二类中药和西药分别指的是什么药? 4.长效制剂、靶向制剂、智能化制剂基本含义。 5.开发一种新药应从哪几方面入手? 6.药物工艺路线的定义及理想的药物工艺路线特点。 7.类型反应法、分子对称法、模拟类推法和拆分法设计方法的特点。 8.药物工艺路线设计的基本内容及意义。药物结构剖析的一般方法。 9.详细说明手性拆分的几种主要方法。

单片机原理与应用在线考试试题答案

中国石油大学(北京)远程教育学院期末考核 《单片原理及应用》 说明:共100 分,每题20 分,在下题中任选 5 题。 1. MCS-51 的时钟周期、机器周期、指令周期是如何分配的?当振荡频率为10MHz 时,一 个机器周期为多少毫秒? 参考第二章第四节。MCS-51 典型的指令周期为一个机器周期,每个机器周期由 6 个状态周期组成,每个状态周期由 2 个时钟周期(振荡周期)组成。一个机器周期=6×一个状 态周期=12×一个时钟周期=12× 为使单片机能够完成取指、译码、执行指令等操作,需要为单片机提供时钟信号以产生必要 的时序。单片机振荡电路中的振荡信号对应的周期叫振荡周期(时钟周期)。对振荡周期12 分频后得到的信号周期叫做机器周期,即12 个时钟周期,是 1 个机器周期。一个机器周期宽度为 6 个状态周期,并依次表示为S1~S6 。每个状态周期由 2 个时钟周期(振荡周期)组成。Mcs51 单片机的111 条指令,执行时,所花费的时间,称为指令周期。 一个机器周期=6 ×一个状态周期=12 ×一个时钟周期=12 ×=12 ×1/10=1.2 us=0.0012ms 2. 指出下列指令中画线的操作数的寻址方式? MOV R0, #55H ;立即寻址 MOV A, 2AH ;直接寻址 MOV A, @R1 ;寄存器间接寻址 MOV @R0, A ;寄存器寻址 ADD A, R7 ;寄存器寻址 MOVX A, @DPTR ;寄存器间接寻址 MOV DPTR, #0123H ;立即寻址 MOVC A, @A+DPTR;基址加变址寻址 INC DPTR;寄存器寻址 参考第三章第二节指令寻址方式 3. 外部RAM 中从1000H 到10FFH有一个数据区,现在将它传送到外部RAM 中2500H 单元 开始的区域中,编程完成上述功能。 参考第三章第三节数据传送类指令和第六章第二节外部存储器扩展 START: MOV R0,#00H MOV DPTR,#1000H LOOP: MOVX A,@DPTR MOV DPH,#25H MOVX @DPTR,A MOV DPH,#10H

机械制造工艺基础教学大纲第六版

《机械制造工艺基础》教学实施大纲 1. 主题内容与适用范围 本大纲是技工学校具体落实《机械制造工艺基础》教学要求和组织教学工作的纲领性文件。 本大纲中规定了《机械制造工艺基础》课程的性质、任务和要求、教学中的注意问题、教学内容与要求及教学时数分配。 本大纲适用于初中毕业生(学制三年)、高中毕业生(学制两年)培养机械类钳工专业中级技工的机械制造工艺教学,本大纲与中国劳动社会保障出版社《机械制造工艺基础》 (ISBN978-7-5045-9253-8)第六版教材配套。 2.引用标准 下列标准所包含的条文,通过在本大纲中引用而构成本大纲的条文。执行本大纲的条文应探讨使用下列标准最新版本的可能性。 3.课程的性质和内容 本课程是一门专业基础课。课程介绍机械制造工艺的基础知识,内容包括毛坯制造工艺、切削加工工艺和机械加工工艺规程制定等三部分。 4.课程的任务和要求 本课程的任务是:使学生了解机械制造各种工艺方法的基础知识,对机械制造工艺过程建立一个完整的概念,增强工作的适应性,有助于在一专的基础上发展多能。 本课程的基本要求是:以机械制造工艺过程为主线,了解从毛坯生产到机械产品装配的工艺方法、主要设备、工件定位装夹、测量调整等方面的基本知识。结合专门工艺学,能进行零件的工艺分析,编制简单零件的工艺规程。 5. 教学中应注意的问题 本课程知识面广,概念性强,与生产实践关系密切。教学中应充分利用感性知识来深入理解课程内容,因此必须配合一定的现场参观和电化教学,有条件时可安排见习或实习。此外,还应安排一定的零件工艺分析和工艺过程拟订的练习,以培养学生合理确定工艺过程的能力。 6.教学要求、内容及建议 绪论 教学要求 1.明确课程的性质和任务 2.了解生产过程与工艺过程的关系,工艺文件及其在生产中的作用。 教学内容 1.机械制造工艺概述 2.课程的性质和任务 3.生产过程概述

51单片机原理及应用期末考试试题汇总7

一、选择题 从下列各题4个备选答案中选出一个或二个正确答案 并将其代号写在题干后面的括号内。 1、8051基本型单片机内部程序存储器容量为 C 。 A、16KB B、8KB C、4KB D、128B 2、8051基本型单片机内部RAM容量为D。 A、16KB B、8KB C、4KB D、128B 3、当优先级的设置相同时 若以下几个中断同时发生 A 中断优先响应。 A、外部中断0 B、T1 C、串口 D、T0 4、在80C51单片机应用系统中 可以作为时钟输出的是 C 引脚。 A、EA B、RST C、ALE D、PSEN 5、当CPU响应外部中断1 的中断请求后 将自动转向 B 。 A、0003H B、0013H C、000BH D、001BH 6、为了能够使MCS-51单片机在正常工作中及时服务于多个外设 以下传送方式最适用的是 D 。 A、异步 查询 传送 B、同步 无条件 传送 C、DMA传送 D、中断传送 7、已知1只共阴极LED显示器 其中a笔段为字形代码的最低位 若需显示数字1 它的字形代码应为(A )。A、06H B、0F9H C、30H D、0CFH 8、已知1只共阳极LED显示器 其中a笔段为字形代码的最低位 若需显示小数点“.” 它的字形码应为(A)。A、7FH B、0F9H C、30H D、80H 9、已知1只共阴极LED显示器 其中a笔段为字形代码的最低位 若需显示小数点“.”共阳极 它的字形码应为(A )。A、80H B、0F9H C、30H D、7FH 10、下列数据字定义的数表中 (C、D)是错误的。 A、DW “AA” B、DW “A” C、DW “OABC” D、DW 1ABC2H 11、若P1口接有一个4×4的行列键盘 则P1口一定有 C、D 。 A、8位输入口 B、8位输出口 C、4位输入口 D、4位输出口 12、以下指令中能够产生WR信号的是 B、D 。 A、MOV @R0,A B、MOVX @R0,A C、MOVX A @DPTR D、MOVX @DPTR,A 13、8031单片机的定时器T1用作定时方式时是 A、B 。 A、以内部时钟频率为定时基准 12个时钟周期加1 B、以内部时钟频率为定时基准 1个机器周期加1 C、以外部脉冲为定时基准 12个脉冲加1 D、以外部脉冲为定时基准 每个脉冲加1 14、DAC0832在单片机系统中是一种 B、D 器件。 A、输入 B、输出 C、将数字量转换成模拟量 D、将模拟量转换成数字量 15、家用电器中使用的单片机应属于计算机的 B 。 A、辅助设计应用B.测量、控制应用C.数值计算应用 D.数据处理应用 16、对程序存储器的读操作 只能使用 D 。 A MOV指令 B. PUSH指令 C. MOVX指令 D. MOVC指令 17、若82C55的PC口接有一个4×4的行列键盘 则PC口一定有 C、D 。 A、8位输入口 B、8位输出口 C、4位输入口 D、4位输出口 18、下列说法正确的是 A、B 。 A、立即数寻址方式是操作数本身就在指令中 而不是它的地址在指令中。

(精校版)单片机原理及应用期末考试试卷及答案

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单片机原理及应用期末考试试卷 班级:_______________学号:_______________姓名:_______________得分:_______________(卷面共有100题,总分100分,各大题标有题量和总分,每小题标号后有小分) 一、单项选择题(33小题,共33分) [1分](1)要MCS—51系统中,若晶振频率屡8MHz,一个机器周期等于( A )μs A 1。5 B 3 C 1 D 0.5 [1分](2)MCS—51的时钟最高频率是 ( A )。 A 12MHz B 6 MHz C 8 MHz D 10 MHz [1分](3)下列不是单片机总线是( D ) A 地址总线 B 控制总线 C 数据总线 D 输出总线 [1分](4)十进制29的二进制表示为原码( C ) A 11100010 B 10101111 C 00011101 D 00001111 [1分](5)电子计算机技术在半个世纪中虽有很大进步,但至今其运行仍遵循着一位科学家提出的基本原理。这位科学家是:( D ) (A)牛顿(B)爱国斯坦(C)爱迪生(D)冯·诺伊曼 [1分](6)在CPU中,控制器的功能是:( C ) (A)进行逻辑运算(B)进行算术运算 (C)分析指令并发出相应的控制信号(D)只控制CPU的工作 [1分](7)下列数据中有可能是八进制数的是:( A) (A)764 (B)238 (C)396 (D)789 [1分](8)MCS—51的时钟最高频率是 (D ) A、6MHz B、8MHz C、10MHz D、12MHz [1分](9)-49D的二进制补码为.( B) A、 11101111 B、11101101 C、0001000 D、11101100 [1分](10)要用传送指令访问MCS—51片外RAM,它的指令操作码助记符应是( B) A、 MOV B、 MOVX C、 MOVC D、以上都行 [1分](11)若某存储芯片地址线为12根,那么它的存储容量为(C ) A、1KB B、2KB C、 4KB D、 8KB [1分](12)PSW=18H时,则当前工作寄存器是(D ) A、 0组成 B、 1组成 C、2组成 D、3组成 [1分](13)所谓CPU是指( B) A、运算器与存储器 B、运算器与控制器 C、输入输出设备 D、控制器与存储器 [1分](14)PSW=18H时,则当前工作寄存器是(D ) (A)0组(B)1组(C)2组(D)3组 [1分](15)P1口的每一位能驱动( B ) (A)2个TTL低电平负载有(B)4个TTL低电平负载 (C)8个TTL低电平负载有(D)10个TTL低电平负载 [1分](16)二进制数110010010对应的十六进制数可表示为( A) A、192H B、C90H C、1A2H D、CA0H [1分](17)一3的补码是( D ) A、10000011 B、11111100 C、11111110 D、11111101 [1分](18)对于8031来说,脚总是( A ) A、接地 B、接电源 C、悬空 D、不用 [1分](19)进位标志CY在( C)中 A、累加器 B、算逻运算部件ALU C、程序状态字寄存器PSW D、DPOR

材料成形工艺基础复习题

1.三种凝固方式(逐层、糊状、中间)及其影响因素(结晶温度范围、温度梯度) 2.合金的流动性及其影响因素(合金成分) a)为什么共晶合金的流动性好? 3.合金的充型能力对铸件质量的影响(浇不足、冷隔) 4.影响充型能力的主要因素(合金的流动性、浇注条件、铸型条件) 5.合金收缩的三个阶段(液态、凝固、固态) 6.缩孔、缩松产生的原因、规律(逐层:缩孔;糊状:缩松;位置:最后凝固部位) 7.缩孔与缩松防止(定向凝固原则;措施:加冒口、冷铁) 8.铸造应力产生的原因和种类(热应力、机械应力或收缩应力) 9.热应力的分布规律(厚:拉;薄:压)及防止(同时凝固原则) 10.铸造残余应力产生的原因(热应力)及消除措施(时效处理) 11.铸件变形与裂纹产生的原因(故态收缩,残余应力) 12.变形防止办法(同时凝固;反变形;去应力退火) 13.热裂纹与冷裂纹的特征 第二节液态成形方法 1.常用手工造型方法(五种最基本的方法:整模、分模、活块、挖砂、三箱)的特点和应 用(重在应用) 2.机器造型:实现造型机械化的两个主要方面(紧砂、起模) 3.熔模铸造的原理(理解)、特点(理解)和应用。 a)为什么熔模铸件精度高,表面光洁? b)为什么熔模铸造适合于形状复杂的铸件? c)为什么熔模铸造适合于难于加工的合金铸件? 4.金属型铸造的原理(理解)、特点(理解)和应用。 a)为什么金属型铸件精度高,表面光洁? b)为什么金属型铸造更适合于非铁合金铸件的生产? 5.压力铸造的原理(理解)、特点(理解)和应用。 6.低压铸造的原理(理解)、特点(理解)和应用。 7.离心铸造的原理(理解)、特点(理解)和应用。 第三节液态成形件的工艺设计 1.浇注位置的概念及其选择原则(重在理解和应用)

单片机原理及应用在线考试(附答案)

一、单项选择题 1. 下面哪一种传送方式适用于处理外部事件( (A) 无条件传递进 (B) DMA (C) 中断 (D) 查询 分值:2.5 完全正确 得分:2.5 )
2.
在 MCS-51 单片机中,需要软件实现中断撤销的是:( ) (A) 电平触发的外部中断 (B) 脉冲触发的外部中断 (C) 定时中断 (D) 串行中断 分值:2.5 答题错误 得分:0
3.
十进制数 126 其对应的十六进制可表示为( )。 (A) 7E

(B) 8E (C) 8F (D) FE 分值:2.5 完全正确 得分:2.5
4.
在 LED 显示中,为了输出位控和段控信号,应使用的指令是:( ) (A) MOVC (B) MOV (C) MOVX (D) XCH 分值:2.5
5.
在单片机中,通常将一些中间计算结果放在( (A) 累加器 (B) 程序存储器 (C) 数据存储器 (D) 控制器
)中

分值:2.5 完全正确 得分:2.5
6.
MCS-51 单片机的堆栈区应建立在( )。 (A) 片内数据存储区 (B) 片内数据存储区的低 128 字节单元 (C) 片内数据存储区的高 128 字节单元 (D) 程序存储区 分值:2.5 完全正确 得分:2.5
7.
CPU 主要的组成部部分为( ) (A) 加法器、寄存器 (B) 运算器、控制器 (C) 运算器、寄存器 (D) 运算器、指令译码器 分值:2.5
完全正确 得分:2.5

单片机原理与应用期末考试试题

单片机原理及应用期末考试试题 一、填空题(每空1分,共20分) 1.相对寻址是以PC的当前值为基准,加上指令中给出的相对偏移量形成目标地址的方式。 2.AT89S51单片机的1个机器周期含有12 个晶振周期或 6 状态周期。 3.AT89S51单片机进行扩展时,用P0 口作为地址/数据总线,用P2口作为地址总线高8位。 4.假定累加器A的容30H,执行指令:1000H:MOVC A,A+PC后,把程序存储器1031H单元的容送累加器A中 5.指令格式是由操作码和操作数部分组成。 6. AT89S51单片机的串行口控制寄存器中有2个中断标志位,它们是TI和RI 7.在进行BCD码加法运算时,紧跟ADD 或 ADDC 指令后的指令必须是DA A 指令 8. JNC rel指令执行时,当CY位为0时程序发生跳转。 9.单片机位寻址区的单元地址是从20H单元到2FH单元,若某位地址是10H,它所在单元 的地址应该是22H 。 10.外部中断0的中断入口地址为0003H,定时/记数器T1的中断入口地址为001BH。 11.串行口工作方式2为9位异步通信,若SMOD=0,f OSC = 6 MH Z,则其相应波特率为6×106/64 b/s 12.堆栈应遵循先进后出规律,堆栈指针的符号为SP 二、单项选择题(每小题1分,共20分) 1.AT89S51单片机的( d )口的引脚,还具有外中断、串行通信等第二功能。 a)P0 b)P1 c)P2 d)P3 2.单片机应用程序一般存放在(b) a)RAM b)ROM c)寄存器 d)CPU 3.已知某数的BCD码为00010 则其表示的十进制数值为(b) a) 7542H b) 7542 c) 75.42H d) 75.42

机械制造技术基础-考试大纲及复习题答案刘x

复习题及答案 一、填空题 1、切削加工中与切削运动直接相关(切削用量)的三个主要参数是切削速、进给量和背吃刀量。 2、增加刀具后角,刀具后面与工件之间摩擦减小,刀刃强度减小。 3、切削液的作用有冷却、清洗润滑及防锈等作用。 4、零件的加工精度通常包括尺寸精度、尺寸精度和位置精度。 5、切屑的形态主要有带状、节状、粒状和崩碎。 6、金属切削过程的实质,是被切削金属受到刀具的挤裂和压缩,产生弹性变形和塑性变形,最终使被切削金属与母体分离形成切削的过程。 7、刀具的磨损大致可以分为初期磨损、正常磨损和急剧磨损三个阶段。 8、每个卡爪都能独立作径向移动的用以装夹复杂形状工件的是四爪卡盘。四爪 9、磨削加工的实质是磨粒对工件进行滑擦、刻划和切削三种作用的综合过程。滑擦、刻划、 10、磨削加工中,砂轮的旋转运动为主运动,工件的旋转为进给运动。 11、砂轮组成中的磨料直接担负切削工作,常用磨料有刚玉系和碳化硅系。 12、零件精整加工的一般方法包括研磨、珩磨、超级光磨及抛光。 13、钻床上钻孔的主运动是钻头的旋转,进给运动是钻头的移动。 14、在拉床上可加工通孔、沟槽、平面和成形表面等。 15、铣削加工的工艺特点有:生产率较高、容易产生振动、散热条件较好和刀具磨损大。 16、攻螺纹是用手用丝锥加工内螺纹的操作;套螺纹是用板牙加工外螺纹的操作。 17、在攻螺纹和套螺纹时易出现废品,其产生的原因有产生引偏、排屑困难和不易散热。 18.切削用量三要素是指切削速度、进给量和背吃刀量。 19. 切削液的作用是冷却、润滑、清洗和防锈。 20. 粗加工时切削用量选择的顺序是:先选(背吃刀量)p a 、,再选(进给量)f 、,最后选(切削速度) c v 。 21. 加工误差按其是否被人们掌握,可分为系统误差、和随机误差两大类。 22.主轴回转误差的三种基本形式是 径向跳动、轴向窜动和角度摆动。 23、车刀的切削部分由“三面两刃一尖”组成,切屑流过的表面为前刀面,切削时与已加工表面相对的是副后刀面,与加工表面相对的是 主后刀面。 24、加工误差按其是否被人们掌握,可分为系统误差和随机误差两大类。 25、工艺尺寸链的两个特征是关联性和封闭性。 26、粗加工时,切削用量一般以提高生产率、降低生产成本为主。精加工时,应以保证加工质量为主,兼顾生产率与生产成本。 27、切削运动分为主运动和进给运动。在车削时,主运动是(工件的旋转运动),进给运动是(车刀的纵向或径向运动);在铣削时,主运动是(铣刀的旋转运动),进给运动是(工件的纵向或横向运动);在钻床上钻削时,主运动是(麻花钻的旋转运动),进给运动是(麻花钻沿轴线的移动);镗削时,主运动是(镗刀的旋转运动),进给运动是镗刀或工件的轴向运动);牛头刨床刨削工件时,主运动是(滑枕带动工件的往复直线运动),进给运动是(工作台带动工件沿垂直于主运动方向的间隙运动);拉床上拉孔时,主运动是(拉刀的沿孔轴线的直线移动),进给运动是

单片机原理与应用试题及答案

单片机原理与应用试题 及答案 https://www.doczj.com/doc/0c6838478.html,work Information Technology Company.2020YEAR

单片机原理与应用试卷及答案 一、填空题 1、10110110B 作为无字符数时,十进制数值为182;作为补码时,十进制数值为—74. 2、原码01101011B 的反码为01101011B ;补码为01101011B 。 3、由8051的最小系统电路除芯片外,外部只需要复位电路和时钟(晶振)电路,如果由8031的最小系统,还需要扩展外部ROM 电路。 4、若已知8051RAM 的某位地址为09H ,则该位所处的单元地址为21H 。 5、C51语言中,指令#define ADC XBYTE[OXFFEO]能够正确编译的前提是包含头文件absacc.h ,该指令的作用是定义一个外部地址单元为OXFFEO 。 二、选择题 1、程序和常数都是以(二进制)的形式存放在单片机程序的存储器中。 2、下列哪一个选项的指令语句不是任何时候都可以被C51正确编译(uchar; k=ox20) 3、当PSW 的RS0和RS1位分别为1和0时,系统选用的寄存器组为(1组) 4、若某存储器芯片地址线为12根,那么它的存储容量为(4KB ) 5、已知T osc =12MHZ ,TH1=177,TL1=224,TMOD=ox10,则从定时器启动到正常溢出的时间间隔为(20ms ) 三、简答题 答:①新建工程项目②配置工程项目属性③创建源文件④将源文件加入项目⑤保存项目 3、PSW 寄存器有何作用其各位是如何定义的 4、 答:标志寄存器PSW 是一个8位的寄存器,它用于保存指令执行结果的状态,以供工程查询和判别。 C (PWS.7):进位标志位 AC (PWS.6):辅助进位标志位 FO (PWS.5):用户标志位 RS1、RS0(PWS.4、PWS.3 PSW DOH

单片机原理及应用期末考试试题汇总

单片机原理及应用期末考试试题汇总

单片机原理及应用期末考试试题汇总 1、单片机是将微处理器、一定容量的 RAM 和ROM 以及 器等电路集成在一块芯片上而构成的微型计算机 2、 单片机89C51片内集成了 有 5 个中断 源。 3、 两位十六进制数最多可以表示 4、 89C51是以下哪个公司的产 品? 4 KB 的 FLASH RO ,共 256 个存储单元。 C ) A 、INTEL B 、AMD C 、ATMEL D 、PHILIPS 8、当CPU 访问片外的存储器时,其低八位地址由 P0 口提供,高八位 地址由 P2 口提供,8位数据由 P0 口提供。 9、在I/O 口中, P0 口在接LED 时,必须提供上拉电 阻, P3 口具有第二功能。 10、是非题:MCS-51系列单片机直接读端口和读端口锁存器的结果永远是相同 的。F 11、 是非题:是读端口还是读锁存器是用指令来区别的。 T 12、 是非题:在89C51的片内RAM 区中,位地址和部分字节地址是冲突的。 F 13、 是非题:中断的矢量地址位于 RAM 区中。F 14、 M CS-51系列单片机是属于( B )体系结构。 A 、冯诺依曼 B 、普林斯顿 C 、哈佛 D 、图 灵 15、 89C51具有 64 KB 的字节寻址能力。 16、 是非题:在89C51中,当CPU 访问片内、夕卜ROM 区时用MOV 指令,访问片 外RAM 区时用MOV 指令,访问片内 RAM 区时用MOV 旨令。T I/O 口、定时 5、在89C51中,只有当EA 引脚接 Flash ROM 。 高 电平时,CPU 才访问片内的 6、是非题:当89C51的EA 引脚接低电平时, 内是否有程序存储器。T CPL 只能访问片外ROM 而不管片 7、是非题:当89C51的EA 引脚接高电平时, CPU 只能访问片内的4KB 空间。F

单片机原理及应用期末考试试题

单片机原理及应用期末考试试题

单片机原理及应用期末考试试题 一、填空题(每空1分,共20分) 1.相对寻址是以PC 的当前值为基准,加上指令中给出的相对偏移量形成目标地址的方式。 2.AT89S51单片机的1个机器周期含有12 个晶振周期或 6 状态周期。 3.AT89S51单片机进行扩展时,用P0 口作为地址/数据总线,用P2 口作为地址总线高8位。 4.假定累加器A的内容30H,执行指令:1000H:MOVC A,@A+PC后,把 程序存储器1031H单元的内容送累加器A中5.指令格式是由操作码和操作数部分 组成。 6.AT89S51单片机的串行口控制寄存器中有2 个中断标志位,它们是TI和RI 7.在进行BCD码加法运算时,紧跟ADD 或 ADDC 指令后的指令必须是DA A 指令 8.JNC rel指令执行时,当CY位为0时程序发生跳转。 9.单片机位寻址区的单元地址是从20H单元到 2FH单元,若某位地址是10H,它所在单元 的地址应该是22H 。 10.外部中断0的中断入口地址为0003H ,定时/记数器T1的中断入口地址为 001BH。 11.串行口工作方式2为9位异步通信,若SMOD=0,f OSC = 6 MH Z,则其相应波特 率为6×106/64 b/s

12.堆栈应遵循先进后出规律,堆栈指针的符号为SP 二、单项选择题(每小题1分,共20分) 1.AT89S51单片机的( d )口的引脚,还具有外中断、串行通信等第二功能。 a)P0 b)P1 c) P2 d)P3 2.单片机应用程序一般存放在(b) a)RAM b)ROM c)寄存器 d)CPU 3.已知某数的BCD码为0111010101000010 则 其表示的十进制数值为(b) a) 7542H b) 7542 c) 75.42H d) 75.42 4.下列指令中不影响标志位CY的指令有(d)。 a)ADD A,20H b)CLR c)RRC A d)INC A 5.CPU主要的组成部部分为(a) a)运算器、控制器b)加法器、寄存器 c)运算器、寄存器d)运算器、指令译 码器 6.AT89S51 的CPU是(c)位的单片机 a)16 b) 4 c)8 d)准16 7.AT89S51复位后,PC与SP的值为(b) a )0000H,00H b)0000H, 07H c) 0003H,07H d)0800H,00H 8.当需要从AT89S51单片机程序存储器取数据时,采用的指令为(b)。

工艺基础10级复习大纲

《集成电路工艺基础》课程复习大纲 一、基本概念、基本知识及基本原理 第一讲引言 第一只晶体管/摩尔定律晶体管最小尺寸的极限/电子级多晶硅的纯度/1990s以后半导体行业的模式/什么是Foundry 第二讲硅片制备与高温工艺 Si集成电路芯片元素组成/硅的重要性/硅提纯 I的工艺步骤、化学反应式及纯度/直拉法的拉晶过程/直拉法的拉晶过程中收颈的作用/直拉法与区熔法的对比/定位边或定位槽的作用/外延的定义:外延、外延层、外延片、同质外延、异质外延/双极晶体管(电路)和CMOS器件(电路)中外延层的应用/Si外延的源材料/分子束外延(MBE)的特点/高温工艺设备小结/氧化膜在IC中的应用/各种氧化层在工艺中的应用、厚度及工艺/1号液和2号液的配方及作用/颗粒、有机粘污、无机粘污及本征氧化层的清洗/SiO2生长的迪尔-格罗夫模型/干氧氧化和湿氧氧化的特点与应用/掺氯氧化的作用/影响氧化速率的因素/Si-SiO2界面特性替位式扩散、间隙式扩散、扩散系数/两步扩散工艺/扩散的局限性与应用/离子注入后为什么要退火/RTP(快速热退火)的优点 第三讲薄膜淀积 真空蒸发法蒸发源加热方式/溅射的工作原理与特点/PVD 与 CVD对比/CVD氧化硅与热生长氧化硅对比/CVD介质薄膜的应用/CVD的基本过程/CVD生长的两种极限:表面反应控制与质量输运(传输)控制/CVD 的三种类型及各自的应用/CVD 淀积速率G与温度T的关系 第四讲离子注入 离子注入与热扩散的对比/离子注入的两种阻挡机制/离子注入分布与扩散分布的比较/避免沟道效应的方法/离子注入机的原理/离子注入工艺的应用及技术趋势/SOI圆片的制造:智能剥离与注氧隔离 第五讲光刻与刻蚀工艺(曝光、刻蚀) 光刻的需要及光刻三要素/正胶与负胶的比较/光刻工艺的10个步骤/前烘、后烘及坚膜工艺目的(作用)的比较/4种曝光机/分辨率与波长及NA的关系/如何提高分辨率?/移相掩模的原理与应用/两种紫外线和三种深紫外线的名称、波长及对应的最小特征尺寸/干法刻蚀与湿法刻蚀的对比/湿法刻蚀SiO2、Si、Poly-Si 及Si3N4的配方及反应式/干法刻蚀的原理与种类/干法刻蚀SiO2、Si、Poly-Si 及Si3N4的腐蚀剂/ 第六讲金属化与多层互连 金属化的应用、三种最常用的金属及三种不同的金属化方法/集成电路对金属化的基本要求/CMOS标准金属化:栅材料,接触孔(通孔)填充材料,阻挡层(势垒层)、黏附层、焊接层、及防反射层材料,互连材料,金半接触电极材料及工

卢秉恒机械制造基础(第三版)复习大纲

第一章金属切削加工基础知识 加工表面:待加工表面、过渡表面、已加工表面,P192 切削用量三要素:切削速度、进给量、背吃刀量,P192 切削层参数:切削厚度、切削宽度、切削面积,P193 车刀切削部分的组成:(三面两线一点),P194 前刀面、主后刀面、副后刀面;主切削刃、副切削刃;刀尖 车刀的标注角度:(五个),P195~197 前角、后角、主偏角、副偏角、刃倾角 理解各标注角度的作用 刀具的结构形式(以车刀为例):P197 整体式车刀、焊接式车刀、机夹重磨式车刀、可转位式车刀 刀具材料应具备的性能:P199 1)高的硬度和耐磨性;2)足够的强度和韧性;3)高的耐热性和化学稳定性;4)良好的工艺性;5)经济性 常用的刀具材料: 工具钢、高速钢、硬质合金、陶瓷、超硬材料 理解高速钢、硬质合金的特点及适用范围,P201~202 三个变形区:注意区分所在位置,P205 第Ⅰ变形区变形形式:剪切滑移 第Ⅱ变形区变形形式:挤压 第Ⅲ变形区变形形式:挤压 切屑类型:带状切屑、节状切屑、粒状切屑(单元切屑)、崩碎切屑 理解各种切屑在何种切削条件下较容易获得课本p205 积屑瘤:P206 形成过程:在切削塑性材料时,在适当的温度和压力下,切屑底层与前刀面 发生“冷焊”作用,致使切屑底层金属发生滞留现象,滞留层与前刀面黏结成一 体,最后积累后长成积屑瘤。 积屑瘤对切削加工的影响:增大实际前角、保护刀具、增大切削厚度、增大 已加工表面粗糙度。 加工硬化:见制造质量那一章 切削力的分解:P208 切削合力可分解为三个相互垂直的力:主切削力F c、进给力F f、背向力F p。切削热:P211 生热区:剪切面、切屑与前刀面接触区、后刀面与过渡表面接触区 切削热的传导途径:切屑、工件、刀具及周围介质 影响切削温度的因素:P211~212 1)切削用量切削速度、进给量增大和被吃刀量增大,都会导致切削温度 升高 2)工件材料工件材料的强度及硬度越高,切削温度越高 3)刀具材料导热性好的材料,可降低切削温度 4)刀具角度减小主偏角可降低切削温度,前角也会影响切削温度 切削液:P212 作用:冷却作用、润滑作用、排屑作用、清洗和防锈作用

单片机原理与应用在线考试(附答案)

一、单项选择题 1. 下面哪一种传送方式适用于处理外部事件( ) (A) 无条件传递进 (B) D MA (C) 中断 (D) 查询 分值:2.5 完全正确得分:2.5 2. 在MCS-51 单片机中,需要软件实现中断撤销的是:( ) (A) 电平触发的外部中断 (B) 脉冲触发的外部中断 (C) 定时中断 (D) 串行中断 分值:2.5 答题错误得分:0 3. 十进制数126 其对应的十六进制可表示为()。 (A) 7E

(B) 8E (C) 8F (D) FE 分值:2.5 完全正确得分:2.5 4. 在LED 显示中,为了输出位控和段控信号,应使用的指令是:( ) (A) MOVC (B) M OV (C) MOVX (D) XCH 分值:2.5 5. 在单片机中,通常将一些中间计算结果放在()中 (A) 累加器 (B) 程序存储器 (C) 数据存储器 (D) 控制器

分值:2.5 完全正确得分:2.5 6. MCS-51 单片机的堆栈区应建立在()。 (A) 片内数据存储区 (B) 片内数据存储区的低128 字节单元 (C) 片内数据存储区的高128 字节单元 (D) 程序存储区 分值:2.5 完全正确得分:2.5 7. CPU 主要的组成部部分为( ) (A) 加法器、寄存器 (B) 运算器、控制器 (C) 运算器、寄存器 (D) 运算器、指令译码器 分值:2.5 完全正确得分:2.5

8. 串行口的移位寄存器方式为( ) (A) 方式0 (B) 方式1 (C) 方式 2 (D) 方式 3 分值:2.5 完全正确得分:2.5 9. 如在系统中只扩展两片Intel2732 (4K×8),除应使用P0 口的8 条口线外,至少还应使 用P2 口的口线( ) (A) 5 条 (B) 7 条 (C) 8 条 (D) 6 条 分值:2.5 答题错误得分:0 10. INTEL 8051CPU 是()位的单片机 (A) 16

超全——含答案~~~单片机原理及应用期末考试题试卷大全

单片机模拟试卷001 一、选择题(每题1分,共10分) 1.8031单片机的( )口的引脚,还具有外中断、串行通信等第二功能。 a)P0 b)P1 c)P2 d)P3 2.单片机应用程序一般存放在() a) RAM b)ROM c)寄存器 d)CPU 3.已知某数的BCD码为0111 0101 0100 0010 则其表示的十进制数值为()a) 7542H b) 7542 c) 75.42H d) 75.42 4.下列指令中不影响标志位CY的指令有()。 a)ADD A,20H b)CLR c)RRC A d)INC A 5.CPU主要的组成部部分为() a)运算器、控制器 b)加法器、寄存器 c)运算器、寄存器 d)运算器、指令译码器 6.INTEL 8051 CPU是()位的单片机 a) 16 b)4 c)8 d)准16 7.8031复位后,PC与SP的值为() a )0000H,00H b) 0000H,07H c) 0003H,07H d)0800H,00H 8.当需要从MCS-51单片机程序存储器取数据时,采用的指令为()。 a)MOV A, @R1 b)MOVC A, @A + DPTR c)MOVX A, @ R0 d)MOVX A, @ DPTR 9.8031单片机中既可位寻址又可字节寻址的单元是() a)20H b)30H c)00H d)70H 10.下列哪条指令是正确的() a) PUSH R2 b) ADD R0,A c) MOVX A @DPTR d) MOV @R0,A 二、填空题(每空1分,共30分) 1.一个完整的微机系统由和两大部分组成。 2.8051 的引脚RST是____(IN脚还是OUT脚),当其端出现____电平时,8051进入复位状态。8051一直维持这个值,直到RST脚收到____电平,8051才脱离复位状态,进入程序运行状态,从ROM H单元开始取指令并翻译和执行。 3.半导体存储器分成两大类和,其中具有易失性,常用于存储。4.求十进制数-102的补码(以2位16进制数表示),该补码为。 5.PC存放_______________,具有___________特性。在8051中决定程序执行顺序的是PC 还是DPTR?它是______位?(是,不是)SFG? 6.123= B= H。 7.8051内部有并行口,P0口直接作输出口时,必须外接;并行口作输入口时,必须先,才能读入外设的状态。 8.MCS-51的堆栈只可设置在,其最大容量为,存取数据的原则是。堆栈寄存器SP是位寄存器,存放。 9.中断处理的全过程分为以下3个段:、、。 10.定时和计数都是对进行计数,定时与计数的区别是 。

机械制造工艺基本复习题

机械制造工艺基础复习试题 一、填空题 1、是应用广泛的工程材料。 2、在制造业种所采用的主要加工方法就是机械制造()。 3、下列属于金属热加工职业(工种)的是( ) A、钳工 B、锻压工 C、车工 D、铣工 4、按生产方法不同,铸造可分为和两大类。 5、铸件的质量包括质量、质量和质量。 5、铸件的力学性能特别是冲击韧度低,但铸件质量很稳定。() 6.、由于铸造易产生缺陷,性能不高,因此多用于制造承受应力不大的工件。()7下列不属于特种制造的是() A.压力铸造 B.金属型铸造 C.砂型铸造 D.熔模铸造 8、芯盒的内腔与型芯的形状和尺寸不同。() 9、三箱造型主要适用于具有三个分型面的铸件的单位或小批量生产。() 10、在铸件中,型芯形成铸件内部的空穴。() 11、机器造型是指用机器全部完成或至少完成紧砂操作的造型工序。() 12、芯盒的内腔与型芯() A.形状和尺寸相同 B.形状相同,尺寸不同 C.形状和尺寸都不同 13、造成铸件表面粘砂,使铸件表面粗糙不易加工的原因是型砂和芯砂() A、透气性不好 B、退让性差 C、耐火性差 D、强度不够 14、在生产中,常选用铸铁,碳素钢或低合金钢作为铸型资料。() 15、压力铸造主要由压轴机来实现,离心铸造在离心机上进行铸造。() 15、冲压的基本工序主要有工序和工序。 16、压力铸造的主要特点由() A.可铸造形状复杂的薄壁铸件 B. 可铸造重型铸件 C.适用于单件、小批量生产 D.铸件尺寸精度高、形位误差小 17、锻压能改善金属的内部组织,提高金属的力学能力。() 17、和是应用最为普遍的压力加工方法。 18、锻压既能改变工件的形状,又能改变金属内部组织结构。() 19、所有金属锻造前都需要加热。() 20、出现断裂现象,可能是因终锻温度过低。() 21、金属的塑性越好,其可锻性越好。() 22、模锻与胎膜锻相比具有模具结构简单、易于制造的特点。()、 23、胎膜锻时,通常先用自由端制坯,然后再在胎膜中终锻成型。() 22、金属坯料锻造前须经加热,锻件加热可采用,也可采用。 23、离心铸造的铸型可以用,也可以用。 23、锻造大型锻件应采用()。 A.手工自由锻 B.机器自由锻 C.胎膜锻 D.模锻 24、在保证不出现加热缺陷的前提下,始锻温度应取得()。 A.高一些 B.低一些 C.不高不低 25、在保证胚料还有足够塑性的前提下,终端温度应定的()。 A.高一些 B.低一些 C.不高不低 26、45钢的终锻温度范围是()℃。 A.800—1200 B.850—1180 C.700—900

10《机械制造基础》考研复习大纲(_卢秉恒_

503《机械制造基础》考研复习大纲 绪论 了解机械制造业的作用与现状及发展趋势。 1生产过程与组织 了解产品开发的重要性、决策和实施途径。掌握制造过程与生产组织。 2机械加工方法与装备 了解并掌握机械零件加工表面形成过程,掌握金属切削机床基本知识,熟悉金属切削机床的分类、型号及主要技术参数。了解并掌握刀具应具备的性能,熟悉常用刀具材料牌号及其含义。理解定位和夹紧的基本慨念,熟练地运用基本理论解决生产中的实际问题。 3切削过程及控制 理解切削运动与切削用量、刀具切削部分的构造要素和刀具角度的基本概念。在实际生产中能够合理选择刀具材料和角度、切削用量提高生产力。 4机械制造质量分析与控制 理解机械加工精度、表面质量的基本概念。了解工艺系统静态误差、动态误差对加工精度的影响, 掌握加工精度统计分析和提高加工

质量的途径。 5工艺规程设计 理解机械加工工艺规程的基本概念。了解工艺规程的作用并掌握其设计步骤。熟悉定位基准的选择,掌握工艺路线的拟定。熟练计算工艺尺寸链。了解机械装配生产过程,熟悉机械装配工艺规程的制定。熟练计算装配工艺尺寸链。 6先进制造技术 了解现代制造技术的特点、内容和发展方向。熟悉柔性制造系统、计算机集成制造系统、虚拟制造系统、敏捷制造系统、智能制造系统、并行工程。 预修课程:机械制图,工程材料,金工实习。 参考教材: 卢秉恒.机械制造技术基础. 北京:机械工业出版社,2003 袁国定等.机械制造技术基础.南京,东南大学出版社,2000 周泽华.金属切削原理.第二版.上海:上海科学技术出版社,1993 朱正兴.机械制造技术.北京:机械工业出版社,1999 曾志新等.现代制造技术概论.广州:华南理工大学出版社,1999

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