光刻胶的深入学习与新型光刻胶
张智楠
电科111 信电学院山东工商学院264000
摘要：首先，本文从光刻中的光刻胶、光刻胶的分类、光刻胶的技术指标（物理特性）这几个方面对光刻工艺中的光刻胶进行了详细的深入学习；其次，介绍了当代几种应用广泛的光刻胶以及新型光刻胶；最后，对光刻胶的发展趋势进行了简单的分析。
关键词：光刻、光刻胶、紫外负型光刻胶、紫外正型光刻胶、远紫外光刻胶。
光刻(photoetching)工艺可以称得上是微电子工艺中最为关键的技术，决定着制造工艺的先进程度。光刻就是，在超净环境中，将掩膜上的几何图形转移到半导体晶体表面的敏光薄材料上的工艺过程。而此处的敏光薄材料就是指光刻胶（photoresist）。光刻胶又称光致抗蚀剂、光阻或光阻剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像。
光刻胶的技术复杂，品种较多。对此探讨以下两种分类方法：
1、光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为两种——正性光刻胶（positive photoresist）和负性光刻胶（negative photoresist）。正性光刻胶之曝光部分发生光化学反应会溶于显影液，而未曝光部份不溶于显影液，仍然保留在衬底上，将与掩膜上相同的图形复制到衬底上。负性光刻胶之曝光部分因交联固化而不溶于阻显影液，而未曝光部分溶于显影液，将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。正胶的优点是分辨率比较高，缺点是粘附性不好，阻挡性弱。与之相反，负胶的粘附性好，阻挡性强，但是分辨率不高。
2、基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。一是光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。二是光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。三是光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。
光刻胶的技术指标或者说物理特性有如下几个方面：一、分辨率（resolution），区别硅片表面相邻图形特征的能力,一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。二、对比度（Contrast），指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。三、敏感度（Sensitivity），光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值（或最小曝光量），单位：毫焦/平方厘米（mJ/cm2），光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。四、粘滞性或黏度（Viscosity），它是衡量光刻胶流动特性的参数，粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加，高的粘滞性会产生厚的光刻胶，越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度；光刻胶的比重是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多
的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位：泊（poise），光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为1%泊）来度量。百分泊即厘泊为绝对粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=绝对粘滞率/比重，单位：百分斯托克斯（cs）=cps/SG。五、粘附性（Adherence），表征光刻胶粘着于衬底的强度，光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。六、抗蚀性（Anti-etching），光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离轰击能力。七、表面张力（Surface Tension），液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
下面介绍几种光刻胶，一是紫外负型光刻胶：
1、重铬酸盐-胶体聚合物系光刻胶。1843年英国人Fox Talbot首先使用重铬酸盐-明胶作为光刻胶材料, 以热水为显影液,三氯化铁为腐蚀液制做印板,并在1852年申报专利。重铬酸盐-胶体聚合物系光刻胶的出现推动了当时印刷业的发展, 并且至今仍在许多场合中应用。重铬酸盐-胶体聚合物系光刻胶主要由二类化合物组成: (1)重铬酸盐;（2）胶体聚合物。重铬酸盐多采用重铬酸铵。而胶体聚合物的选择却很多,常用天然聚合物有明胶、蛋白质、淀粉等。而合成聚合物则有聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮和聚乙烯醇缩丁醛等。由于此类光刻胶在存放时有暗反应, 即使在完全避光的条件下放置数小时亦会有交联现象发生,因此必须在使用前配制。
2、聚乙烯醇肉桂酸醋系负型光刻胶。聚乙烯醇肉桂酸醋系列紫外负型光刻胶是指通过酯化反应将肉桂酸酰氯感光基团接枝在聚乙烯醇分子链上而获得的一类光刻胶,是最早合成的感光高分子材料, 其感光波长为370-470nm,是早期电子工业使用的重要光刻胶之一。与重铭酸盐-胶体聚合物系光刻胶比较,该系列光刻胶元暗反应,存贮期长,感光灵敏度高,分辨率好。但在硅材料基片上的粘附性较差,影响了它在电子工业的广泛使用。
3、环化橡胶-双叠氮型紫外负型光刻胶。该系列紫外负型光刻胶1958年由美国柯达公司发明。因为该胶具有粘附性好,特别在电子工业中最广泛应用的硅材料上的粘附性好, 感光速度快, 抗湿法刻蚀能力强等优点, 很快成为电子工业中应用的主导胶种。20世纪80年代初它的用量一度占电子工业中可用光刻胶用量的90%。近年随着电子工业微细加工线宽的缩小,该系列负胶在集成电路制作中的应用逐年缩小, 但在半导体分立器件的制作中仍有较多的应用。
二是紫外正型光刻胶：紫外正型光刻胶是指经紫外光(300-450nm)通过掩膜版照射后,曝光区胶膜发生光分解或降解反应,性质发生变化溶于显影液,未曝光区胶膜则保留而形成正型图像的一类光刻胶。在这类光刻胶中,邻重氮萘醌-线性酚醛树脂系紫外正型光刻胶在电子工业中应用最多,是目前电子工业中使用最多的胶种。邻重氮萘醌-线性酚醛树脂系紫外正型光刻胶主要由①感光剂, 邻重氮萘醌化合物;②成膜剂,线性酚醛树脂;③添加剂及溶剂组成。邻重氮萘醌化合物的不同会导致光刻胶的曝光波长有所不同。它的感光机理是正胶在紫外线照射后,曝光区的邻重氮茶酿化合物发生光解反应重排生成茚羧酸,使胶膜加速溶于稀碱水溶液, 未曝光区由于没有发生变化,而没有加速作用,从而在曝光区和未曝光区产生了一个溶解速率差,经稀碱水溶液显影后产生正性图像。
三是远紫外光刻胶:随着电子工业微细加工临界线宽的缩小,对细微加工的分辨率的要求不断提高,而提高分辨率的重要方法之一就是使用更短的曝光波长, 如远紫外光刻(Deep UV Photoresist),从使用的角度出发,近紫外线光刻是容易实现
的，而在中紫外区高压示灯的效率虽然不高,但仍有一定的使用价值。随着在有气体卤化物准分子激发态激光的发展,使远紫外线光刻胶工艺成为现实。目前248nm(krF)、193nm(ArF)及1579nm(F2)等分子激发态激光源(excimer laser)的步进式曝光(stepper)已商品化。目前在远紫外线光刻工艺中使用最多的是化学增幅型光刻胶体系。下面就介绍这种化学增副型远紫外光刻胶。虽然krF准分子激光源的发展已能轻易达到光刻胶的要求,但由于在激光源和基片之间插入了许多光学元件,明显减弱了有效光的|输出,因此提高光刻胶的灵敏性仍是十分重要的。此外,其他一些提高分辨率的技术如相位移掩膜等也需要高感度的光刻胶。提高光敏性不仅对248nm光刻胶工艺重要,对193nm光刻工艺同样重要。
一、248nm远紫外光刻胶
a.光致产酸剂：在各类化学增幅光刻胶研究中，光致产酸剂的研究都是极为重要的,对此进行了大量的实验。目前应用最多的是能产生磺酸的翁盐或非离子型光致产酸剂。
b.功能聚合物：早期的正性远紫外化学增幅光刻胶采用悬挂t-BOC基团的亲油性均聚物,许多t-BOC悬挂聚合物被合成和应用,但高亲油性膜在水基碱溶液中显影会产生断裂,在基片上的粘附性不好,难于显影等,并且在曝光后中烘时会释放二氧化碳和异丁烯,使曝光区胶膜出现过度收缩的现象。此后部分酯化的聚对羟基苯乙烯成为远紫外化学增幅光刻胶关注的焦点，得到广泛的研究，目前已商品化的248nm远紫外化学增幅光刻胶许多采用此类化合物。
二、 193nm远紫外光刻胶
除目前已广泛应用的248nm远紫外光刻胶外,193nm远紫外光刻胶也进入实用阶段。193nm远紫外化学增幅抗蚀剂所采用的光致产酸剂与248nm远紫外光刻胶大体相同,但在功能聚合物上由于248nm远紫外光刻胶所采用的成膜树脂含苯环,在193nm处有较强吸收,而不能在193nm远紫外光刻胶中应用。聚甲基丙烯酸醋在193nm处有良好的透过率,通过大量的研究,目前将焦点放在脂环族聚甲基丙烯酸酯,该类聚合物较好地解决了原有聚甲基丙烯酸酯抗干法腐蚀性差的问题。最后来谈一下光刻胶的发展趋势。中国的微电子和平板显示产业发展迅速，带动了光刻胶材料与高纯试剂供应商等产业链中的相关配套企业的建立和发展。特别是2009年LED（发光二极管）的迅猛发展，更加有力地推动了光刻胶产业的发展。中国的光刻胶产业市场在原有分立器件、IC、LCD（液晶显示器）的基础上，又加入了LED,再加上光伏的潜在市场，到2014年中国的光刻胶市场将占国际光刻胶市场比例的10%以上。
从国内相关产业对光刻胶的需求量来看，主要还是以紫外光刻胶的用量为主，其中的中小规模（5μm以上技术）及大规模集成电路（5μm、2~3μm、0.8~1.2μm 技术）企业、分立器件生产企业对于紫外负型光刻胶的需求总量将分别达到100吨/年~150吨/年；用于集成电路、液晶显示的紫外正性光刻胶及用于LED的紫外正负性光刻胶的需求总量在700吨/年~800吨/年之间。但是超大规模集成电路深紫外248nm（0.18-0.13um技术）与193nm（90nm、65nm及45nm的技术）光刻胶随着Intel大连等数条大尺寸线的建立，需求量也与日俱增。
结论：光刻工艺在半导体工艺中处于极其重要的地位，光刻胶是光刻工艺中必不可少的材料；光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留可分为正性光刻胶和负性光刻胶，根据感光树脂的化学结构光刻胶可以分为光聚合型、光分解型
和光交联型；光刻胶的技术指标或者说物理特性有：分辨率、对比度、敏感度、粘滞性或黏度、粘附性、抗蚀性几个方面；紫外负型光刻胶主要介绍重铬酸盐-胶体聚合物系光刻胶、聚乙烯醇肉桂酸醋系负型光刻胶、环化橡胶-双叠氮型紫外负型光刻胶；紫外正型光刻胶主要介绍了邻重氮萘醌-线性酚醛树脂系紫外正型光刻胶；远紫外光刻胶主要介绍了248nm远紫外光刻胶和193nm远紫外光刻胶；中国光刻胶市场发展前景很好。
参考文献：
[1] 施敏，现代半导体器件物理，北京科学技术出版社，2002.
[2] 施敏，梅凯瑞，半导体制造工艺基础，安徽大学出版社，2007，4.
[3] 莫大康，光刻技术最新进展[J]. 电子产品世界，2004，（11）.
[4]来五星，轩建平，史铁林，微制造光刻工艺中光刻胶性能的比较.华中科技大学微系统中心.2004.
[5] 童志义，光学光刻技术现状及发展趋势[J]. 电子工业专用设备，2001，（1）..
[6] D. van Steenwinckel et al., J. Vac. Sci. Tech. B, vol. 24, 316-320 (2006).
【摘要】集成电路设计涵盖了微电子、制造工艺技术、集成电路设计技术的众多内容，目前国内外对集成电路设计人才需求旺盛。集成电路的应用则覆盖了计算机、通信、消费电子等电子系统的集成与开发，随着电子信息产业的发展，使国内对高层次系统设计人才的需求也在不断增加。 【关键词】集成电路 【目录】 一、国际集成电路设计发展现状和趋势 （1）国际集成电路设计发展现状 （2）国际集成电路设计发展趋势 二、集成电路CDM测试 （1）简介 （2）小尺寸集成电路CDM测试 （3）测试小器件时面临的问题 （4）使用夹具固持小器件 （5）支持模版 （6）小结 三、自制COMS集成电路测试仪 （1）测试仪电路构成及原理 （2）测试举例将各型号的集成电路制作成卡片 （3）小结 四、CMOS集成电路使用时的技术要求 （1）CMOS集成电路输入端的要求 （2）防静电要求 （3）接口与驱动要求
一、国际集成电路设计发展现状和趋势 信息技术是国民经济的核心技术，其服务于国民经济各个领域，微电子技术是信息技术的关键。整机系统中集成电路采用多少是其系统先进性的表征。 1）国际集成电路设计发展现状 在集成电路设计中，硅技术是主流技术，硅集成电路产品是主流产品，占集成电路设计的90%以上。正因为硅集成电路设计的重要性，各国都很重视，竞争激烈。产业链的上游被美国、日本和欧洲等国家和地区占据，设计、生产和装备等核心技术由其掌握。 世界集成电路大生产目前已经进入纳米时代，全球多条90纳米/12英寸生产线用于规模化生产，基于70与65纳米之间水平线宽的生产技术已经基本成形，Intel公司的CPU芯片已经采用45纳米的生产工艺。在世界最高水平的单片集成电路芯片上，所容纳的元器件数量已经达到80多亿个。 2005年，世界集成电路市场规模为2357亿美元，预计到2010年其总规模将达到4247亿美元。2008年，世界集成电路设计继续稳步增长，产业周期性波动显现减小状况，企业间的并购或合并愈演愈烈，竞争门槛拉大，技术升级步伐加快，新产品和新应用纷纷涌现。就整体市场来看，近年来增长的主要动力来源于PC、手机和数字播放器等产品的高速成长，市场需求向多样性发展。DRAM市场销售额增速最快。 以集成电路为核心的电子信息产业目前超过了以汽车、石油和钢铁为代表的传统的工业成为第1大产业，成为改造和拉动传统产业迈向数字时代的强大引擎和雄厚基石。全球的集成电路销售额1999年为1250亿美元，以集成电路为核心的电子信息产业的世界贸易总额约占世界GNP的3%，现代经济发展数据表明，每l~2元集成电路产值，带动10元左右电子工业产值的形成，进而带动100元GDP的增长。发达的国家国民经济总产值增长部分的65%目前与集成电路相关。预计在今后的10年内世界集成电路销售额将以年均15%的速度增长，于2010年将达到6000~8000亿美元。作为当今世界经济竞争的焦点，拥有自主版权的集成电路日益成为经济发展的关键、社会进步的基础、国际竞争的筹码和国家安全的保障。 2）国际集成电路设计发展趋势 集成电路最重要生产过程包括：开发EDA（电子设计自动化）工具，应用EDA进行集成电路设计，根据设计结果在硅圆片上加工芯片（主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀），对加工完毕的芯片进行测试，为芯片进行封装，最后经过应用开发将其装备到整机系统上与最终的消费者见面。 1、SOC将成为集成电路设计的主流 SOC(SystemOnaChip)的概念最早源于20世纪90年代，SOC是在集成电路向集成系统转变的过程中产生的。集成电路设计是以市场应用为导向而发展的，而在将来市场应用的推动下SOC已经呈现出集成电路设计主流的趋势，因为其具有低能耗、小尺寸、系统功能丰富、高性能和低成本等特点。在高端或低端的产品中，SOC的应用正日益广泛。2007年，SOC产品的销售额达到347亿美元，平均年增长率超过20%。
Photoresists, developers, remover, adhesion promoters, etchants, and solvents ... Phone: +49 731 36080-409 www.microchemicals.eu e-Mail: sales@microchemicals.eu Dissolubility of Processed Photoresist Films Non cross-linked AZ ? and TI photoresists can be removed easily and residual-free from the substrate in many common strippers. If not, one or more of the following reasons decreasing the removableness of resist films have to be considered: From temperatures of approx. 150°C on (e. g. during a hardbake, dry etching, or coat-ing), positive photoresists cross-linking thermally activated. If applicable, the tempera-tures should be lowered. Cross-linking also takes place optically activated under deep-UV radiation (wavelengths < 250 nm) in combination with elevated temperatrues which occurs during evaporation or sputtering of coatings, or dry-etching. The desired crosslinking of negative resists is enhanced during any subsequent process steps with elevated temperatures, and the resist removal might become difficult. Material re-deposited on the resist structures during dry etching will also make it difficult to remove the resist film. Using Solvents as Remover Acetone is not well-suited as stripper for photoresists: The high vapour pressure of acetone causes a fast drying and thus re-deposition of stripped photoresist onto the substrate form-ing striations. If nevertheless acetone shall be used for this purpose, a subsequent rinse with isopropyl alcohol - immediately after the acetone step - is recommended in order to remove the resist-contaminated acetone residual-free. NMP (1-Methyl-2-pyrrolidon) is a powerful stripper due to its physical properties: NMP yields a low vapour pressure (no striation formation), strongly solves organic impurities as well as resists, keeps the removed resist in solution, and can be heated to 80°C due to its high boiling point. However , since NMP is classified as toxic and teratogenic, a recommended alternative ist ... DMSO (Dimethyl sulfoxide) has a performance as photoresist stripper comparable to the performance of NMP , and is a kind of “safer-solvent” substitute for NMP . We already have high-purity DMSO in our product range, please contact us for the specifications or/and a free sample! Alkaline Solutions as Remover If the alkaline stability of the substrate is high enough, aqueous alkaline solutions such as 2-3 % KOH or NaOH (= typical developer concentrates) can be used as remover . For highly cross-linked resists, higher concentrations or/and elevated temperatures might be required.It has to be considered that many metals (Al, Cu ...) are not sufficiently alkaline stable, and also crystalline silicon will be attacked at high pH-values and temperatures. AZ ? 100 Remover AZ ? 100 Remover is an amine-solvent mixture, and a ready-to-use standard remover for AZ ? and TI photoresists. In order to improve its performance, AZ ? 100 Remover can be heated to 60°C. Since AZ ? 100 Remover is strongly alkaline, aluminium containing substrates might be at-tacked as well as copper- or GaAs alloys/compounds. In this case, AZ ? 100 Remover should be used as concentrate, any dilution or contamination (even in traces!) of AZ ? 100 Remover with should be avoided.
Welding Technology Vol．38No．11Nov.2009·专题综述·微电子封装技术的发展现状 张 满 （淮阴工学院机械系，江苏淮安223001） 摘要：论述了微电子封装技术的发展历程、发展现状及发展趋势，主要介绍了微电子封装技术中的芯片级互联技术与微电子装联技术。芯片级互联技术包括引线键合技术、载带自动焊技术、倒装芯片技术。倒装芯片技术是目前半导体封装的主流技术。微电子装联技术包括波峰焊和再流焊。再流焊技术有可能取代波峰焊技术，成为板级电路组装焊接技术的主流。从微电子封装技术的发展历程可以看出，IC 芯片与微电子封装技术是相互促进、协调发展、密不可分的，微电子封装技术将向小型化、高性能并满足环保要求的方向发展。关键词：微电子封装；倒装芯片；再流焊；发展现状中图分类号：TN6；TG454 文献标志码：A 收稿日期：2009-06-04 文章编号：1002－025X (2009)11-0001-05 0前言 上世纪90年代以来，以“3C ”，即计算机 （computer ）、通信（communication ）和家用电器等消费类电子产品（consumer electronics ）为代表的IT 产业得到迅猛发展［1］。微电子产业已经成为当今世界第一大产业，也是我国国民经济的支柱产业。现代微电子产业逐渐演变为设计、制造和封装三个独立产业［2］。微电子封装技术是支持IT 产业发展的关键技术，作为微电子产业的一部分，近年来发展迅速。微电子封装是将数十万乃至数百万个半导体元件（即集成电路芯片）组装成一个紧凑的封装体，由外界提供电源，并与外界进行信息交流。微电子封装可以保证IC 在处理过程中芯片免受机械应力、环境应力（例如潮气和污染）以及静电破坏。封装必须满足器件的各种性能要求，例如在电学（电感、电容、串扰）、热学（功率耗散、结温）、质量、可靠性以及成本控制方面的各项性能指标要求。 现代电子产品高性能的普遍要求、计算机技术的高速发展和LSI ，VLSI ，ULSI 的普及应用，对PCB 的依赖性越来越大，要求越来越高。PCB 制作工艺中的高密度、多层化、细线路等技术的应用越来越广 泛。微电子封装越来越受到人们的重视。目前，表面 贴装技术（SMT ）是微电子连接技术发展的主流，而表面贴装器件、设备及生产工艺技术是SMT 的三大要素。SMT 元器件及其装配技术也正快速进入各种电子产品，并将替代现行的PCB 通孔基板插装方法，成为新的PCB 制作支柱工艺而推广到整个电子行业。 1微电子封装的发展历程 IC 封装的引线和安装类型有很多种，按封装安 装到电路板上的方式可分为通孔插入式（TH ）和表面安装式（SM ），或按引线在封装上的具体排列分为成列、四边引出或面阵排列。微电子封装的发展历程可分为3个阶段： 第1阶段，上世纪70年代以插装型封装为主， 70年代末期发展起来的双列直插封装技术（DIP ）可 应用于模塑料、模压陶瓷和层压陶瓷3种封装技术中，可以用于I /O 数从8~64的器件，这类封装所使用的印刷线路板PWB 成本很高。与DIP 相比，面阵列封装（如针栅阵列PGA ）可以增加TH 类封装的引线数，同时显著减小PWB 的面积。PGA 系列可以应用于层压的塑料和陶瓷两类技术，其引线可超过1 000。值得注意的是，DIP 和PGA 等TH 封装由于引 线节距的限制无法实现高密度封装。 第2阶段，上世纪80年代早期引入了表面安装 1
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一、微电子技术的发展 微电子技术是随着集成电路，尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的系列技术，它包括系统和电路设计、器件、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术。微电子技术除集成电路外，还包括集成磁泡、集成超导器件和集成光电子器件等。为便于分析，我们设定：研究的微电子技术主要限于集成电路的器件、工艺技术等领域。 微电子技术始于1947年晶体管的发明，到1958年前后已研究以这种组件为基础的混合组件，1962年生产出晶体管―晶体管逻辑电路和发射极耦合逻辑电路。上个世纪70年代，由于单极型集成电路(MOS电路)在高度集成和功耗方面的优点，微电子技术进入了MOS 电路时代。从1958年TI研制出第一个集成电路触发器算起，到xx 年Intel推出的奔腾4处理器(包含5500万个晶体管)和512Mb DRAM(包含超过5亿个晶体管)，集成电路年平均增长率达到45%。 目前，微电子技术正在快速发展，其发展表现在三点：一是缩小芯片中器件结构的尺寸，即缩小加工线条的宽度;二是增加芯片中所包含的元器件的数量，即扩大集成规模;三是开拓有针对性的设计应用。其中微电子前沿技术包括：微电子制造工艺(元器件的生产、测试和封装等);微电子材料的研究;超大规模集成电路/混合信号/射频
毕业设计（论文）集成电路封装与测试
摘要 IC封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序，是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。按目前国际上流行的看法认为，在微电子器件的总体成本中，设计占了三分之一，芯片生产占了三分之一，而封装和测试也占了三分之一，真可谓三分天下有其一。封装研究在全球范围的发展是如此迅猛，而它所面临的挑战和机遇也是自电子产品问世以来所从未遇到过的；封装所涉及的问题之多之广，也是其它许多领域中少见的，它需要从材料到工艺、从无机到聚合物、从大型生产设备到计算力学等等许许多多似乎毫不关连的专家的协同努力，是一门综合性非常强的新型高科技学科。 媒介传输与检测是CPU封装中一个重要环节，检测CPU物理性能的好坏，直接影响到产品的质量。本文简单介绍了工艺流程，机器的构造及其常见问题。 关键词：封装媒介传输与检测工艺流程机器构造常见问题
Abstract IC packaging is a challenging and attractive field. It is the integrated circuit chip production after the completion of an indispensable process to work together is a bridge device to the system. Packaging of the production of microelectronic products, quality and competitiveness have a great impact. Under the current popular view of the international community believe that the overall cost of microelectronic devices, the design of a third, accounting for one third of chip production, packaging and testing and also accounted for a third, it is There are one-third of the world. Packaging research at the global level of development is so rapid, and it faces the challenges and opportunities since the advent of electronic products has never been encountered before; package the issues involved as many as broad, but also in many other fields rare, it needs to process from the material, from inorganic to polymers, from the calculation of large-scale production equipment and so many seem to have no mechanical connection of the concerted efforts of the experts is a very strong comprehensive new high-tech subjects . Media transmission and detection CPU package is an important part of testing the physical properties of the mixed CPU, a direct impact on product quality. This paper describes a simple process, the structure of the machine and its common problems. Keyword: Packaging Media transmission and detection Technology process Construction machinery Frequently Asked Questions
微电子封装答案 微电子封装 第一章绪论 1、微电子封装技术的发展特点是什么？发展趋势怎样？（P8、9页） 答：特点： （1）微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向面阵排列发展。 （2）微电子封装向表面安装式封装发展，以适合表面安装技术。 （3）从陶瓷封装向塑料封装发展。 （4）从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。 发展趋势： （1）微电子封装具有的I/O引脚数将更多。 （2）微电子封装应具有更高的电性能和热性能。 （3）微电子封装将更轻、更薄、更小。 （4）微电子封装将更便于安装、使用和返修。 （5）微电子封装的可靠性会更高。 （6）微电子封装的性能价格比会更高，而成本却更低，达到物美价廉。 2、微电子封装可以分为哪三个层次（级别）？并简单说明其内容。（P15～18页）答：（1）一级微电子封装技术 把IC芯片封装起来，同时用芯片互连技术连接起来，成为电子元器件或组件。 （2）二级微电子封装技术 这一级封装技术实际上是组装。将上一级各种类型的电子元器件安装到基板上。 （3）三级微电子封装技术 由二级组装的各个插板安装在一个更大的母板上构成，是一种立体组装技术。 3、微电子封装有哪些功能？（P19页） 答：1、电源分配2、信号分配3、散热通道4、机械支撑5、环境保护 4、芯片粘接方法分为哪几类？粘接的介质有何不同（成分）？。（P12页） 答：(1)Au-Si合金共熔法(共晶型) 成分：芯片背面淀积Au层,基板上也要有金属化层(一般为Au或Pd-Ag)。 （2）Pb-Sn合金片焊接法(点锡型) 成分：芯片背面用Au层或Ni层均可，基板导体除Au、Pd-Ag外，也可用Cu (3)导电胶粘接法(点浆型) 成分：导电胶（含银而具有良好导热、导电性能的环氧树脂。） (4)有机树脂基粘接法(点胶型) 成分：有机树脂基（低应力且要必须去除α粒子） 5、简述共晶型芯片固晶机（粘片机）主要组成部分及其功能。 答：系统组成部分： 1 机械传动系统 2 运动控制系统 3 图像识别（PR）系统 4 气动/真空系统 5 温控系统 6、和共晶型相比，点浆型芯片固晶机（粘片机）在各组成部分及其功能的主要不同在哪里？答： 名词解释：取晶、固晶、焊线、塑封、冲筋、点胶
我国集成电路发展状况 摘要 集成电路产业是知识密集、技术密集和资金密集型产业，世界集成电路产业发展异常迅速，技术进步门新月异。虽然目前中国集成电路产业无论从质还是从量来说都不算发达，但伴随着全球产业东移的大潮，中国的经济稳定增长，巨大的内需市场，以及充裕的各类人才和丰富的自然资源，可以说中国集成电路产业的发展尽得天时、地利、人和之势，将会崛起成为新的世界集成电路制造中心。 首先，本文介绍了集成电路产业的相关概念，并对集成电路产业的重要特点进行了分析。其次，在介绍世界集成电路产业发展趋势的基础上本文对我国集成电路产业发展的现状进行了分析和论述, 并给出了发展我国集成电路的策略。 集成电路产业是信息产业和现代制造业的核心战略产业，其已成为一些国家信息产业发展中的重中之重。相比于其它地区，中国是集成电路产业的后来者，但新世纪集成电路产业的变迁为中国集成电路产业的蚓起带来了机遇，如果我们能抓住这一有利时机，中国不仅能成为集成电路产业的新兴地区，更能成为世界集成电路产业强国。 关键词：集成电路产业；发展现状；发展趋势 ABSTRACT
Integrated circuit(IC) industry is of a knowledge，technology and capital concentrated nature. IC industry in the world develops extremely fast and the technology improves everyday．Although currently China’s IC industry is not fully developed，taking into consideration of either quality or quantity of the products．with the shifting of the global industry centre to the east and with the stable economic growth，enormous market demands and abundant human and nature resources available in China，the development of China’s IC industry has favourable conditions in all aspects．and it is expected that in the near future China will become tire new IC manufacturing centre in the world． Firstly, this paper introduce the concept of IC , and analysis the important points of it. Secondly, this paper introduces the developments of IC in the word especially in China. In the end, this paper gives some advices of the developments of IC in our country. The IC is the core of information industry and modern manufacturing strategic industries. IT has become some national top priority in the development of information industry. Compared with other regions, the latter of the China's integrated circuit industry, but the changes of the IC industry in the new century for China's integrated circuit industry vermis creates opportunity, if we can seize the favorable opportunity, China can not only a new region of the integrated circuit industry, more can become the integrated circuit industry in the world powers. Key words: IC current situations tendency 前言
光刻胶参数及光刻工艺 1、正性光刻胶RZJ-304 ●规格 RZJ-304：25mpa·s，50mpa·s（粘稠度），配用显影液：RZX-3038 ●匀胶曲线 注：粉色为50cp，蓝色为25cp ●推荐工艺条件 ①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.0～3.5μm ②前烘：热板100℃×90sec ③曝光：50～75mj/cm2（计算方法:取能量60mj/cm2取光强400×102um/cm2，则60/40=1.5s） ④显影：23℃，RZX-3038，1min，喷淋或浸渍 ⑤清洗：去离子水30sec ⑤后烘：热板120℃×120sec
●规格 S1813，配用显影液为ZX-238 ●匀胶曲线 ●推荐工艺条件1（以具体工艺为参考） ①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.23um（1.1～1.9μm） ②前烘：热板115℃×60sec ③曝光：150mj/cm2 ④显影：21℃，ZX-238，65sec，喷淋或浸渍 ⑤清洗：去离子水30sec ⑥后烘：热板125℃×120sec
●规格 AZ-5214，配用显影液AZ-300 ●匀胶表格（单位：微米） ●推荐工艺条件1（以具体工艺为参考） ①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.47um（1.14～1.98μm） ②前烘：热板100℃×90sec ③曝光：240mj/cm2 ④后烘：115℃×120sec ⑤泛曝光：>200mj/cm2 ⑥显影：21℃，AZ-300，60sec，喷淋或浸渍 ⑦清洗：去离子水30sec ⑧坚膜：热板120℃×180sec 注意： 紧急救护措施（对于光刻胶） ①吸入：转移至空气新鲜处，必要时进行人工呼吸或就医。 ②皮肤接触：肥皂水清洗后自来水清洗。 ③眼睛接触：流动清水清洗15分钟以上，必要时就医。
LED 应用发展现状和发展趋势 摘要：近年来，LED技术与产业发展迅速,成为半导体制造行业的最大亮点。本文就LED的特点、应用，以及发展现状和未来发展趋势进行简要介绍。 关键词：LED；LED产业；应用；现状；前景 LED application development present situation and development trend Abstract:In recent years, LED technology and industry is developing rapidly, and become a highlight of the semiconductor manufacturing industry. In this paper, the characters of leds, the application, and development present situation and future development trends are introduced briefly. Key words: LED；The LED industry；application；prospects 引言 近年来白光LED技术和市场都呈加速发展之势,随着LED光效的提高、成本的降低,在不远的将来, LED必将取代传统的白炽灯、荧光灯和卤素灯成为照明的新型光源,并且随着其应用领域的扩大, LED市场的竞争也必将更加激烈。本文就LED的特点、应用，以及发展现状和未来发展趋势进行简要介绍。 1．LED介绍 发光二极管LED(light emitting diode) 是一种能够将电能转化为光能的固态的半导体器件，具有体积小、耗电量低、使用寿命长、亮度高、热量低、环保、耐用等优良的特点。第一枚LED于20世纪60年代初期诞生于美国，颜色为红色。随着半导体材料、工艺、制造、封装等一系列技术的发展，作为第四代光源的LED已从光色、功率及亮度方面有了开创性的进展。目前LED己有红、橙、黄、绿、蓝、紫、白等各种光色，类型不仅有高亮度、低功率、中功率的，还再向高功率型转变。单个LED芯片功率也越来越丰富，从0.03W至1W都渐渐俱全。相较其他照明方式，发光效率提高了很多，白炽灯、卤钨灯可见光效率为12一24 lm/W，荧光灯可见光效率为30一70 lm/W，钠灯可见光效率为90一140 lm/W,至2012为止,LED 的发光效率从0.l lm/W已发展到208 lm/W[1]。 2．LED的产业链 LED产业链主要包括4个部分：LED外延片、LED芯片制造、LED器件封装和LED产品应用。一般来说，LED外延片属于LED产业链的上游，芯片属于中游，封装和应用属于下游。上游属于资本、技术密集型的领域，而中游和下游的进入门槛则相对较低。LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。当前，能用于商品化的衬底只有蓝宝石和碳化硅，其他诸如GaN、si、ZnO衬底，还处于研发阶段，离产业化仍有一段距离[2]。LED芯片是一种固态的半导体器件，其主要功能是把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，另一端是
光刻工艺流程 Lithography Process 摘要：光刻技术（lithography technology)是指集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学，物理刻蚀法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。光刻是集成电路工艺中的关键性技术，其构想源自于印刷技术中的照相制版技术。光刻技术的发展使得图形线宽不断缩小，集成度不断提高，从而使得器件不断缩小，性能也不断提利用高。还有大面积的均匀曝光，提高了产量，质量，降低了成本。我们所知的光刻工艺的流程为：涂胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。 Abstract:Lithography technology is the manufacture of integrated circuits using optical - chemical reaction principle and chemical, physical etching method, the circuit pattern is transferred to the single crystal surface or the dielectric layer to form an effective graphics window or function graphics technology.Lithography is the key technology in integrated circuit technology, the idea originated in printing technology in the photo lithographic process. Development of lithography technology makes graphics width shrinking, integration continues to improve, so that the devices continue to shrink, the performance is also rising.There are even a large area of exposure, improve the yield, quality and reduce costs. We know lithography process flow is: Photoresist Coating → Soft bake → exposure → development →hard bake → etching → Strip Photoresist. 关键词：光刻，涂胶，前烘，曝光，显影，坚膜，刻蚀，去胶。 Key Words:lithography,Photoresist Coating,Soft bake,exposure,development,hard bake ,etching, Strip Photoresist. 引言： 光刻有三要素：光刻机；光刻版（掩模版）；光刻胶。光刻机是IC晶圆中最昂贵的设备，也决定了集成电路最小的特征尺寸。光刻机的种类有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机和步进式光刻机。接触式光刻机设备简单，70年代中期前使用，分辨率只有微
浅谈集成电路之光刻技术 摘要 众所周知，二十一世纪是科技信息时代，集成电路作为上一世纪的产物，发展至今的40多年里，取得了飞速的发展——集成电路的集成度不断提高，器件的特征尺寸不断减小，集成电路图形的线宽缩小了约四个数量级，电路集成度提高了六个数量级以上等。如今，集成电路已广泛应用于生活的方方面面，在成为现代信息社会的基石。 光刻技术是集成电路工艺的关键性技术，集成电路的飞速的发展成果主要应归功于光刻技术的进步。光刻技术的构想源于印刷技术中的照相制版技术，它是一种在集成电路制造中利用光学—化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术，有三大要素，分别是掩膜版、光刻胶和光刻机，其主要工艺流程有：涂胶—前烘—曝光—显影—坚膜—刻蚀—去胶。 目前，大批的科学家和工程师正在从光学、物理学、化学、精密机械、自动化以及电子技术等不同的方面对光刻技术进行广泛的研究和探索。 关键词：集成电路光刻技术工艺流程光刻胶 正文 光刻技术概述 光刻技术是集成电路工艺的关键性技术： 表1 集成电路制造的各个发展阶段对光刻技术的要求
由此可进一步说明，光刻技术是集成电路工艺的核心技术。 一般来说，在ULSI制备工艺中对光刻技术的基本要求包括如下几点。 （1）高分辨率在集成电路工艺中，通常把线宽作为光刻水平的标志，用加工图形线宽的能力代表集成电路的工艺水平。 （2）高灵敏度的光刻胶光刻胶的灵敏度与光刻胶的成分以及光刻工艺条件都有关系。在确保光刻胶各性能优异的前提下，提高光刻胶的灵敏度成为十分重要的研究课题。 （3）低缺陷在集成电路工艺过程中，器件上出现一个缺陷就可能使整个芯片失效，因此，必须严格控制缺陷。 （4）极小的套刻对准偏差在ULSI工艺中，图形线宽在1um以下，对套刻的要求非常高。一般器件结构允许的套刻误差为线宽的+10%左右。 （5）大尺寸硅片的加工为提高经济效益和硅片的利用率，采用大尺寸硅片加工，但是其技术难度更大。 光刻的工艺流程 简单来说，光刻技术能实现掩膜版上的图形转移到晶体表面上的过程。其工艺流程通常包括：涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶等工艺步骤。 （1）涂胶在硅片表面形成厚度均匀、附着性强、并且没有缺陷的光刻胶薄膜 （2）前烘通过高温烘烤，使溶剂从光刻胶中挥发出来，使其性质达到加工工艺的要求，通常采用干燥循环热风、红外线辐射以及热平板传导等热处理方式。 （3）曝光实现掩膜图形的转移。但是，在曝光过程中，曝光区和非曝光区的边界会出现驻波效应，影响形成的图片尺寸和分辨率，为降低驻波效应的影响，因此，还需要进行曝光区烘培。 （4）显影把刻入的图形显现出来，影响显影效果的主要因素有曝光时间、前烘的温度和时间、光刻胶的膜厚、显影液的浓度、显影液的温度及显影液的搅动情况等。 （5）坚膜把晶片进行高温处理，除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对衬底表面的附着力，同时提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力。 （6）刻蚀 （7）去胶将光刻胶从晶体表面除去，去胶方法包括湿法去胶和干法去胶
《微电子学概论》感想 对于电子科学与技术这个专业，《微电子学概论》是我们的一门专业课程。通过这一整个学期的学习，我了解了一些集成电路基础，集成电路的制造工艺，集成电路设计和半导体知识。特别是最后几个礼拜，老师还播放一些苹果公司和因特尔公司的芯片制作过程的视频，让我们更加深入的了解一些MOS集成电路工艺流程。并且对微电子学也有一些自己的看法和简介 微电子学是电子学的一门分支，主要研究电子或离子的固体材料中的运动规律及其应用。微电子学是以实现电路和系统的集成为目的：研究如何利用半导体的围观特性以及一些特殊工艺，在一块半导体芯片上制作大量的器件，从而在一个微小的面积中制造出复杂的电子系统。 微电子作为一个非常有活力的领域，依然在不断快速发展。一些技术已经投入应用，在社会各个方面为人类提供便利；而另一些技术还处于试验阶段，有待科学家们的继续研究。目前，微电子领域的前沿技术包括微电子制造工艺、微电子材料的研究、超大规模集成电路的设计以及MEMS 技术等。微加工工艺是制造MEMS 的主要手段，IC 制造技术含（如光刻、薄膜淀积、注入扩散、刻蚀等）、微机械加工技术（如牺牲层技术、各向异性刻蚀、双面光刻以及软光刻技术等）和特殊微加工技术。目前微电子的制造工艺采用光刻和刻蚀等微加工方法，将大的材料制造为小的结构和器件，并与电路集成，实现系统微型化。 只有微电子技术取得突破，才能制造出更高性能的集成电路，从而导致相关的一系列电子产品的更新。微电子技术在军事国防方面同样有重要的应用。微电子技术的发展和应用，不仅提升了军事装备和作战平台的性能，而且导致了新式武器以及新兵种的产生。微电子技术的产生改变了传统战争的模式，将面对面的战斗演变为超视距作战。微电子技术在小型机械制造领域的应用，导致了微机电系统（MEMS）的出现，引起了一场新的革命。 由于MEMS 系统和器件具有体积小、重量轻、功耗低、成本低、可靠性高、性能优异、功能强大、可批量生产等众多优点，在各个领域都有着广阔的应用前景。目前已经制造出了微型加速度计、微型陀螺、各种传感器等多种类型的MEMS 产品，对人们的日常生活产生了巨大影响。更为重要的是，随着人类社会迈入“硅器时代”微电子在人类生活中占据着，越来越重要的地位，微电子技术的发展水平和微电子产业的规模已经成为衡量一个国家综合实力的重要标志。 对半导体材料的研究也是微电子领域的热门。由最原始的元素半导体（锗、硅、硒、硼、锑、碲），到化合物半导体（砷化镓、磷化锢、锑化锢、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等），乃至热门的有机半导体和无定型半导体。半导体材料的
1、硅片清洗烘干（Cleaning and Pre-Baking）方法：湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板150～250C,1～2分钟，氮气保护）目的：a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。 2、涂底（Priming）方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，200～250C,30秒钟；优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS 用量大。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。 3、旋转涂胶（Spin-on PR Coating）方法：a、静态涂胶（Static）。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂（原光刻胶的溶剂约占65～85%,旋涂后约占10～20%）；b、动态（Dynamic）。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度（Viscosity），黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line最厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。 4、软烘（Soft Baking）方法：真空热板，85～120C,30～60秒；目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备； 5、边缘光刻胶的去除（EBR，Edge Bead Removal）。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。方法：a、化学的方法（Chemical EBR）。软烘后，用PGMEA或EGMEA 去边溶剂，喷出少量在正反面边缘出，并小心控制不要到达光刻胶有效区域；b、光学方法（Optical EBR）。即硅片边缘曝光（WEE，Wafer Edge Exposure）。在完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解； 6、对准（Alignment）对准方法：a、预对准，通过硅片上的notch或者flat 进行激光自动对准；b、通过对准标志（Align Mark），位于切割槽（Scribe Line）上。另外层间对准，即套刻精度（Overlay），保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。 7、曝光（Exposure）曝光中最重要的两个参数是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。曝光方法： a、接触式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。 b、接近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。可以避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。但是同时引入了衍射效应，降低了分辨率。1970后适用，但是其最大分辨率仅为2～4μm。 c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。投影式曝光分类：扫描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸；步进重复投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm （DUV）。掩膜板缩小比例（4：1），曝光区域（Exposure Field）22×22mm（一